JPH10154845A - 分布反射型半導体レーザアレイとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低しきい値で消費電力が少なく、発振波長の
多波長と波長可変を可能とする分布反射型半導体レーザ
アレイを提供する。 【解決手段】 一対のクラッド層間に設けられた活性層
を有する複数のレーザ領域の端面に、一対のクラッド層
間に設けられた導波路層を有する半導体板を低屈折率層
を介して配列された多層膜反射鏡をそれぞれ設ける。ま
た導波路層でのバンドギャップエネルギＥwgをレーザ領
域の活性層のバンドギャップエネルギＥacよりも大きく
し（Ｅac ＜ Ｅwg）、複数チャネルの導波路層のバンド
ギャップエネルギＥwgを互いに異ならせる。更に導波路
領域に電流注入用電極を設けて波長掃引を可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は大容量光通信、特に
波長多重伝送に適した分布反射型半導体レーザアレイと
その製造方法に関する。

【０００２】

【関連する背景技術】近時、光通信技術の発展が目覚ま
しく、大容量光通信、特に波長多重伝送（ＷＤＭ；wave
length division multiplexing）を実現する上で、高性
能な半導体レーザアレイの開発が望まれている。特に多
チャネル光源としての低しきい値で低消費電力の半導体
レーザアレイの開発が強く望まれている。

【０００３】この種の用途に用いられる波長可変多波長
型の分布反射型半導体レーザアレイとしては、例えば１
９９３年秋季応用物理学会予講集（２７ｐ-Ｈ-１８）に
「ＭＯＶＰＥ選択成長によるＤＢＲレーザの発振波長制
御」と題して、マスクを用いたＭＯＶＰＥ選択成長によ
り活性領域とＤＢＲ領域との成長層厚を変化させ、ＭＱ
Ｗ多層構造の等価屈折率を制御することで、回折格子の
ピッチを一定にしたまま、その発振波長が分布したＤＢ
Ｒレーザを実現することが開示される。

【０００４】この予講集に紹介される分布反射型（ＤＢ
Ｒ;distributed bragg reflector）レーザアレイは、例
えばｎ-ＩnＰ基板上にレーザ活性部，位相制御部，およ
び分布反射鏡を備えたＤＢＲレーザを複数列（例えば４
列）形成したもので、例えば図４に示すように分布反射
鏡領域１ｃに所定ピッチの回折格子２を形成したｎ-Ｉn
Ｐ基板１上に、組成１.３μｍのＩnＧaＡsＰガイド層３
を成長させた後、マスクを用いたＭＯＶＰＥ（有機金属
気相エピタキシャル;metal organic vapor phase epita
xy）選択成長により、レーザ活性領域１ａ，位相制御領
域１ｂ，分布反射鏡領域１ｃの各量子井戸層４をストラ
イプ状に、例えば４列平行に選択成長させる。この選択
成長に用いるマスクは、例えばレーザ活性領域１ａの両
側のマスク幅を３０μｍと一定にし、位相制御領域１ｂ
および分布反射鏡領域１ｃの両側のマスク幅を、各スト
ライプ毎に、例えば０μｍ（マスクなし），４μｍ，６
μｍ，８μｍと２μｍずつ変化させる。

【０００５】次いで前記各領域１ａ,１ｂ,１ｃの量子井
戸層４上にｐ-ＩnＰクラッド層５、ＧaＩnＡsコンタク
ト層６を順に成長させる。そして各領域１ａ,１ｂ,１ｃ
におけるＧaＩnＡsコンタクト層６上にそれぞれ独立し
た電極７ａ,７ｂ,７ｃを形成する。このような構造のＤ
ＢＲレーザアレイによれば、回折格子２のピッチが一定
であるにも拘わらず、その上に選択成長させた量子井戸
層４からなる導波路層の組成がマスク幅に応じて変化す
るので、その等価屈折率が変化する。この結果、例えば
マスク幅の変化によって、その発振波長を約２ｎｍ間隔
でシフトさせることができ、また電極７ｃを介して分布
反射鏡領域１ｃに電流を注入することで、平均３.６ｎ
ｍの波長可変が実現できる。

【０００６】また１９９２年電子情報通信学会春季大会
予稿集（Ｃ-１７６）に「ＭＯＶＰＥ選択成長を用いた
高均一１.５５μｍ波長可変ＭＱＷ-ＤＢＲ-ＬＤ」と題
する論文では、上記と同様な素子構造を採用したレーザ
アレイにおいて、その発振しきい値電流を２５ｍＡ程度
に低くすることが報告されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで上記論文等に
より紹介されている従来の分布反射型半導体レーザにあ
っては、反射鏡領域での半導体屈折率差が小さいので、
その高反射率化を図ったり、低しきい値電流化を図るこ
とが非常に困難であった。ちなみに従来の分布反射型半
導体レーザにおける駆動電流は、発振光を変調すること
を考慮した場合、１素子当たり４０ｍＡ程度となる。従
って８チャネルのレーザアレイを実現しようとすると、
３２０（＝４０×８）ｍＡ程度の比較的大きな駆動電流
を必要とする。このような大きな駆動電流は、その消費
電力の増大を招くことのみならず、素子間における電気
的、或いは熱的なクロストークの劣化の要因となる等の
問題があった。

【０００８】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、反射鏡領域の高反射率化を図る
ことで、低しきい値で消費電力の少ない分布反射型半導
体レーザアレイとその製造方法を提供することにある。
また本発明の目的は、発振波長の多波長化を図ることが
容易であり、更には連続的な波長可変を実現することが
でき、例えば大容量光通信における波長多重伝送の光源
として用いるに好適な分布反射型半導体レーザアレイと
その製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る分布反射型半導体レーザアレイは低損
失の半導体板／低屈折率層からなる分布反射型反射鏡を
導入することで低しきい値電流の分布反射型半導体レー
ザを実現するもので、請求項１に記載するように一対の
クラッド層間に設けられた活性層を有する複数のレーザ
領域の端面に、一対のクラッド層間に設けられた導波路
層を有する半導体板を低屈折率層を介して配列された多
層膜反射鏡をそれぞれ設けることで、その高反射率化を
図ったことを特徴としている。

【００１０】また請求項２に記載するように前記多層膜
反射鏡を形成する半導体板の導波路層でのバンドギャッ
プエネルギＥwgを、前記レーザ領域の活性層のバンドギ
ャップエネルギＥacよりも大きく（Ｅac ＜ Ｅwg）する
ことで、更には請求項３に記載するように前記多層膜反
射鏡を形成する半導体板の導波路層の膜厚Ｔwgを、前記
レーザ領域の活性層の膜厚Ｔacよりも薄く（Ｔac ＞ Ｔ
wg）することで、多層膜反射鏡の高反射率化を図ること
を特徴としている。

【００１１】また請求項４に記載するように前記各レー
ザ領域の端面にそれぞれ対向する多層膜反射鏡における
半導体板と低屈折率層との配列ピッチを互いに等しくす
ると共に、レーザ領域と反射鏡との間の導波路領域と半
導体板の導波路層とのバンドギャップエネルギＥwgを互
いに異ならせることで、アレイを構成する複数の半導体
レーザ（チャネル）の発振波長をシフトし、多波長型の
分布反射型半導体レーザアレイを実現することを特徴と
している。

【００１２】また請求項５に記載するように、導波路領
域に電流注入電極をそれぞれ独立に備え、導波路領域に
電流を注入することで共振波長を変化させることで波長
可変型の分布反射型半導体レーザアレイを実現すること
を特徴としている。また本発明に係る分布反射型半導体
レーザアレイの製造方法は、請求項６に記載するよう
に、半導体基板上に並設する複数のレーザ領域の形成領
域をそれぞれ挟んで第１の選択成長用マスクを設けると
共に、前記各レーザ領域の端面にそれぞれ対向させて前
記半導体基板上に設ける多層膜反射鏡の形成領域および
導波路領域をそれぞれ挟んで前記第１の選択成長用マス
クよりも幅狭の第２の選択成長用マスクを設け、これら
の第１および第２の選択成長用マスクを介して前記半導
体基板上に有機金属気相成長法により半導体多層膜を選
択成長させて積層形成し、次いで前記多層膜反射鏡の形
成領域に積層形成された半導体多層膜をエッチング処理
して前記多層膜反射鏡の一部をなす低屈折率層を形成す
ることを特徴としている。

【００１３】つまり幅の異なるマスクを用いた有機金属
気相成長法による半導体多層膜の選択成長により、特に
反射鏡領域における量子井戸層の組成を変化させること
で、半導体板／低屈折率層からなる多層膜反射鏡の高反
射率化を実現することを特徴としている。特に第２の選
択成長用マスクの幅を、導波路領域（チャネル）毎に異
らせることでその量子井戸層の組成を変化させ、且つ屈
折率を変えることで、その発振波長を変化させるように
したことを特徴としている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態に係る分布反射型半導体レーザアレイと、その製
造方法について説明する。図１は分布反射型半導体レー
ザアレイの概略的な構造を示す斜視図であり、図中１
１,１２,〜,１８はｎ-ＩnＰ基板１０上にリッジ導波路
構造をなして平行に形成された８チャネルの分布反射型
半導体レーザを示している。これらの半導体レーザは１
１,１２,〜,１８は、一対のクラッド層間にレーザ活性
層を備えた半導体多層膜構造を有するものである。また
図中１９は各半導体レーザ１１,１２,〜,１８のレーザ
活性領域の端面に対向して形成された多層膜反射鏡を示
している。この多層膜反射鏡１９は、一対のクラッド層
間に導波路層を備えた多層膜構造の半導体板と、例えば
空気層からなる低屈折率層とを所定のピッチで交互に配
列した構造を有している。

【００１５】図２は上記分布反射型半導体レーザアレイ
の素子構造を示すもので、リッジ方向に沿った断面構造
を表しており、１０ａはレーザ活性領域、１０ｂは導波
路領域、そして１０ｃは多層膜反射鏡領域を示してい
る。図２に示すレーザアレイの素子構造を、その製造過
程に従って説明すると、ｎ-ＩnＰ基板１０上に上述した
多層膜構造のレーザ素子をモノリシックに集積するべ
く、先ずｎ-ＩnＰ基板１０上に厚さ１００ｎｍのＳiＮ
膜からなるマスクを形成する。このマスクは、例えば図
３に示すようにレーザ活性領域１０ａについては、幅１
５μｍのストライプ領域（素子形成領域）を挟んで、そ
の両側に対をなす幅６０μｍの第１のマスク２１として
それぞれ形成する。また導波路領域１０ｂと多層膜反射
鏡領域１０ｃについては、前記レーザ活性領域１０ａの
ストライプ領域に連なる幅１５μｍのストライプ領域
（素子形成領域）を挟んで、その両側に３μｍのステッ
プで幅０μｍ（マスクなし）乃至２１μｍまで変化させ
た第２のマスク２２としてそれぞれ一対ずつ形成する。

【００１６】次いで有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法
により、前記ｎ-ＩnＰ基板１０上に上記第１および第２
のマスク２１,２２を介してｎ-ＩnＰクラッド層２３、
歪量子井戸と光閉じ込め層とを含むＩnＧaＡsＰ層２
４、ｐ-ＩnＰクラッド層２５、ｐ-ＧaＩnＡsキャップ層
２６を選択成長させる。これらの各層の選択成長は、レ
ーザ活性領域１０ａのストライプ領域（素子形成領域）
において、上記ｎ-ＩnＰクラッド層２３の膜厚が２μ
ｍ、ＩnＧaＡsＰ層２４の膜厚が０.３μｍ、ｐ-ＩnＰク
ラッド層２５の膜厚が２μｍ、ｐ-ＧaＩnＡsキャップ層
２６の膜厚が０.３μｍとなるように行われる。

【００１７】このようなマスク幅の異なる第１および第
２のマスク２１,２２を用いた半導体層の選択成長によ
れば、ＳiＮマスク上に飛来した原料成分が、ＳiＮマス
クの周辺のマスクなし領域に流れ込む為、第１のマスク
パターン２１に挟まれた前記レーザ活性領域１０ａのス
トライプ領域には半導体層が厚く成長し、第２のマスク
パターン２２に挟まれた前記導波路領域１０ｂと多層膜
反射鏡領域１０ｃのストライプ領域には半導体層が薄く
成長する。しかもその半導体組成もマスク幅に依存して
変化する。

【００１８】そしてレーザ活性領域１０ａにおいて一対
のクラッド層２３,２５に挟まれたＩnＧaＡsＰ層２４か
らなるレーザ活性層の膜厚Ｔacが、導波路領域１０ｂお
よび多層膜反射鏡領域１０ｃにおけるＩnＧaＡsＰ層２
４からなる導波路層の膜厚Ｔwgよりも厚くなる［Ｔac
＞ Ｔwg］。しかもマスク幅に依存して上記導波路領域
１０ｂおよび多層膜反射鏡領域１０ｃにおける導波路層
の膜厚Ｔwgは、各チャネル毎に互いに異なったものとな
る。この結果、導波路層での光閉じ込め係数が小さくな
り、後述するように該導波路層を含む半導体板と低屈折
率層とにより構成される多層膜反射鏡でのスポットサイ
ズを拡大させ、その回折損の低減を図ることが可能とな
る。

【００１９】また上述した膜厚変化と組成変化に伴って
レーザ活性領域１０ａにおけるレーザ活性層のバンドギ
ャップエネルギＥacが、導波路領域１０ｂおよび多層膜
反射鏡領域１０ｃにおける導波路層のバンドギャップエ
ネルギＥwgよりも小さくなり［Ｅac ＜ Ｅwg］、しかも
各チャネル毎に異なる。これによって上記レーザ活性層
から射出した光が導波路領域１０ｂおよび多層膜反射鏡
領域１０ｃにおける各導波路層において吸収され難くな
り、後述するように高反射率反射鏡を実現することが可
能となり、また各チャネル毎にその反射波長特性（共振
波長）が変化している。

【００２０】尚、多層膜反射鏡領域１０ｃにおける半導
体板／低屈折率層からなる多層膜反射鏡の形成は、レー
ザ領域から射出された光のスポットサイズが十分拡大す
る位置、例えば上記レーザ領域の端面から導波路領域１
０ｂを介して１０μｍ離れた位置に、低反射率層をなす
空気層を所定のピッチで形成することによってなされ
る。具体的には、前述した如く成長させた多層膜上にＳ
iＮ膜を形成し、電子ビーム露光装置にて、例えば周期
１.２５μｍの平行なライン／スペースからなるマスク
を２対形成する。その後、前記ＳiＮ膜を反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）により除去し、前記ｐ-ＧaＩnＡs
キャップ層２６を酒石酸、ｐ-ＩnＰクラッド層２５を４
対１の塩酸／硝酸、ＩnＧaＡsＰ層２４とｎ-ＩnＰクラ
ッド層２３とを塩酸にてエッチングする。

【００２１】このようなエッチング処理により溝加工さ
れた前記半導体層は逆メサ形状となり、このままでは散
乱損失により反射率が低下する。そこで１対２の塩酸／
硝酸を用いてライトエッチングして、残された半導体層
のエッチング面の垂直性を確保し、反射率の低下を防い
だ半導体板を実現する。またエッチングにより形成され
た空間部は、空気層からなる低屈折率層とする。以上の
処理により、屈折率が［１］の空気層からなる低屈折率
層と、屈折率が［３.５］の導波路層を備えた半導体板
とが交互に配列された多層膜反射鏡が実現される。尚、
上記低屈折率層および半導体板の厚さは［３λ／４］に
設定され、またその層数は、例えば２対として設定され
る。

【００２２】このような構造の多層膜反射鏡によれば、
半導体板での吸収損失が少ないことから、その厚みを比
較的厚くすることができる。また回折損失を低減する上
で、通常、低屈折率層の厚みを［λ／４］にすることが
望まれるが、前述したように反射鏡導波路部分でのスポ
ットサイズの拡大により回折損失を大幅に低減している
ので、低屈折率層の厚みを［３λ／４］と厚くすること
ができ、その加工の容易化を図りながら、高反射率の多
層膜反射鏡を実現することができる。尚、反射鏡につい
ては、上述したようにレーザ領域の片端面だけに形成し
ても良いが、その両端面にそれぞれ形成することも可能
である。

【００２３】以上のようにして多層膜反射鏡を形成した
後、前記半導体レーザ領域１０ａにリッジを形成し、該
レーザ領域１０ａと導波路領域１０ｂのｐ-ＧaＩnＡsキ
ャップ層２６上に、Ｔi／Ｐt／Ａuからなる正電極２７,
２８をそれぞれ蒸着形成し、また前記ｎ-ＩnＰ基板１０
の裏面にＡuＧe／Ａuからなる負電極２９を蒸着形成す
ることで、レーザアレイが完成される。

【００２４】以上のようにしてリッジ幅を３μｍ、共振
器長を１０μｍ、両端面の反射膜の反射率を９９％とし
た分布反射型半導体レーザアレイを製造したところ、そ
のしきい値電流を１.５ｍＡまで低減し得ることが確認
された。また８チャネルの半導体レーザアレイにおける
導波路領域１０ｂの導波路層の組成が、前述した第２の
マスク２２のマスク幅に応じた選択成長によって変化し
ていることから、多層膜反射鏡における半導体板と低屈
折率層との周期が等しく設定されているにも拘わらず、
その屈折率の変化に伴って共振波長が互いに異なってい
る。そしてこの例では、発振波長間隔が２ｎｍずつ段階
的に変化した８チャネルの多波長レーザアレイが実現で
きた。特に前記多層膜反射鏡の高反射帯域が広いので、
８チャネルの各レーザしきい値電流、および発振効率が
ほぼ等しく、ここに低消費電力の多波長分布反射型半導
体レーザアレイが実現できた。

【００２５】尚、上記実施形態においては、リッジ導波
路構造のレーザ素子としたが、埋め込み型構造のレーザ
素子についても同様に適用可能である。ちなみに埋め込
み幅１μｍ、共振器長を１０μｍ、両端面の反射膜の反
射率を９９％とした分布反射型半導体レーザアレイを製
造したところ、そのしきい値電流が０.５ｍＡと小さい
ことが確認された。また特に上述した多層膜反射鏡から
なる分布反射型反射鏡を形成した構造の半導体レーザに
よれば、導波路領域に電流を注入し、その共振波長を変
化させて波長掃引する。この場合、共振波長が短いの
で、連続的に波長掃引しても縦モードの発振飛びが生じ
ない。

【００２６】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。実施形態においてはＩnＰ系の半導体
材料を例に説明したが、例えばＧaＡs系の半導体材料を
用いて分布反射型半導体レーザアレイを実現することも
可能である。また多層膜反射鏡における低屈折率層につ
いては、空気層に限らずポリイミド等を用いることも可
能であり、反射鏡に対するエッチング処理をドライエッ
チングにより実行することも可能である。更には多チャ
ネル化の数や、発振波長範囲等もその仕様に応じて定め
れば十分である。

【００２７】ちなみに低屈折率層をポリイミドを用いて
実現する場合には、次のようにすれば良い。即ち、基本
的には前述したようにｎ-ＩnＰ基板１０上に半導体多層
膜を成長させる。その後、多層膜反射鏡の低屈折率層と
して屈折率が［１.５］のポリイミドを用いることを考
慮して、周期０.９μｍの平行なライン／スペースから
なるマスクを２対形成し、多層膜反射鏡の半導体板を形
成する。

【００２８】次いでレーザ活性領域１０ａにリッジを形
成した後、その全域にポリイミドを付着させる。この
際、ポリイミドはレーザ活性領域１０ａにおけるリッジ
側面と反射鏡の窪み部分に入り込み、電流阻止層として
機能する。その後、全体を覆ったポリイミドを、半導体
層の最上面が露出するまでプラズマエッチングして除去
し、露出した半導体層の最上面（ｐ-ＧaＩnＡsキャップ
層２６）にそれぞれ前述した正電極を蒸着形成するよう
にすれば良い。

【００２９】このように低屈折率層としてポリイミドを
用いた場合、多層膜反射鏡上への電極形成が容易とな
り、その製造工程の簡略化を図ることが可能となる。ま
た低屈折率層としてポリイミドを用いた多層膜反射鏡を
形成した分布反射型半導体レーザアレイにおいても、先
の実施形態に係る分布反射型半導体レーザアレイと同様
なしきい値特性と波長特性が得られることが確認され
た。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、一
対のクラッド層間に設けられた活性層を有する複数のレ
ーザ領域の端面に、一対のクラッド層間に設けられた導
波路層を有する半導体板を低屈折率層を介して配列した
多層膜反射鏡をそれぞれ設け、反射鏡の高反射率化を図
っているので、その低しきい値電流化を図ることができ
る。

【００３１】また導波路領域に設けた電極を介して電流
注入を行うことでその屈折率を変化させ、導波路領域に
おける共振波長を可変するので、波長可変型の分布反射
型半導体レーザアレイを実現することができる。この結
果、大容量光通信、特に波長多重通信に好適な波長可変
多波長分布反射型半導体レーザアレイを提供することが
可能となる。

【００３２】更にはその製造工程の簡単化を図り、安価
に分布反射型半導体レーザアレイを実現することが可能
となる等の効果が奏せられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る分布反射型半導体レ
ーザアレイの概略的な構造を示す斜視図。

【図２】図１に示す分布反射型半導体レーザアレイの素
子構造を示す断面図。

【図３】図１に示す分布反射型半導体レーザアレイの製
造に用いるＳiＮマスクのパターン例を示す図。

【図４】従来の分布反射型半導体レーザアレイの素子構
造を示す断面図。

【符号の説明】

１０ ｎ-ＩnＰ基板 １０ａ レーザ活性領域 １０ｂ 導波路領域 １０ｃ 多層膜反射鏡領域 １１,１２,…,１８ 分布反射型半導体レーザ １９ 多層膜反射鏡 ２１ 第１のマスク（ＳiＮ膜） ２２ 第２のマスク（ＳiＮ膜） ２３ ｎ-ＩnＰクラッド層 ２４ 歪量子井戸と光閉じ込め層とを含むＩnＧaＡsＰ
層 ２５ ｐ-ＩnＰクラッド層 ２６ ｐ-ＧaＩnＡsキャップ層 ２７,２８ 正電極 ２９ 負電極

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対のクラッド層間に設けられた活性層
   を有して並設された複数のレーザ領域と、一対のクラッ
   ド層間に設けられた導波路層を有する半導体板を低屈折
   率層を介して配列されて前記各レーザ領域の端面にそれ
   ぞれ設けられた多層膜反射鏡とを具備したことを特徴と
   する分布反射型半導体レーザアレイ。
2. 【請求項２】 前記多層膜反射鏡を形成する半導体板の
   導波路層でのバンドギャップエネルギＥwgが、前記レー
   ザ領域の活性層のバンドギャップエネルギＥacよりも大
   きい（Ｅac ＜ Ｅwg）ことを特徴とする請求項１に記載
   の分布反射型半導体レーザアレイ。
3. 【請求項３】 前記多層膜反射鏡を形成する半導体板の
   導波路層の膜厚Ｔwgが、前記レーザ領域の活性層の膜厚
   Ｔacよりも薄い（Ｔac ＞ Ｔwg）ことを特徴とする請求
   項１に記載の分布反射型半導体レーザアレイ。
4. 【請求項４】 前記各レーザ領域の端面に導入する多層
   膜反射鏡は、半導体板と低屈折率層との配列ピッチが等
   しく、且つレーザ領域と反射鏡との間の導波路領域と前
   記半導体板の導波路層とのバンドギャップエネルギＥwg
   を互いに異ならせたものである請求項１乃至３のいずれ
   かに記載の分布反射型半導体レーザアレイ。
5. 【請求項５】 前記レーザ領域と反射鏡領域との間の導
   波路領域は、個々に独立した電流注入電極を備えている
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の分
   布反射型半導体レーザアレイ。
6. 【請求項６】 半導体基板上に並設する複数のレーザ領
   域の形成領域をそれぞれ挟んで第１の選択成長用マスク
   を設けると共に、前記各レーザ領域の端面にそれぞれ対
   向させて前記半導体基板上に設ける多層膜反射鏡の形成
   領域、および前記レーザ領域と反射鏡の間の導波路領域
   をそれぞれ挟んで前記第１の選択成長用マスクよりも幅
   狭の第２の選択成長用マスクを設け、 これらの第１および第２の選択成長用マスクを介して前
   記半導体基板上に有機金属気相成長法により半導体多層
   膜を選択成長させて積層形成し、 次いで前記多層膜反射鏡の形成領域に積層形成された半
   導体多層膜をエッチング処理して前記多層膜反射鏡の一
   部をなす低屈折率層を形成することを特徴とする分布反
   射型半導体レーザアレイの製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２の選択成長用マスクは、導波路
   領域と多層膜反射鏡の形成領域毎にその幅を異らせたマ
   スクからなることを特徴とする請求項６に記載の分布反
   射型半導体レーザアレイの製造方法。