JPH10156560A - レーザマーキング装置および方法 - Google Patents
レーザマーキング装置および方法Info
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- JPH10156560A JPH10156560A JP8316659A JP31665996A JPH10156560A JP H10156560 A JPH10156560 A JP H10156560A JP 8316659 A JP8316659 A JP 8316659A JP 31665996 A JP31665996 A JP 31665996A JP H10156560 A JPH10156560 A JP H10156560A
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- 238000010330 laser marking Methods 0.000 title claims description 20
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な加工深さを得るとともに、加工速度を
向上する。 【解決手段】 被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチ
レーザ光を照射して一つのドットを形成する過程で、メ
モリ１に予め格納された加工プログラムにしたがって制
御部２が、Ｑスイッチ素子を制御して、共振器３から出
力されるＱスイッチレーザ光の発振周波数を第１の周波
数から該第１の周波数よりも高い第２の周波数に変化さ
せる。
向上する。 【解決手段】 被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチ
レーザ光を照射して一つのドットを形成する過程で、メ
モリ１に予め格納された加工プログラムにしたがって制
御部２が、Ｑスイッチ素子を制御して、共振器３から出
力されるＱスイッチレーザ光の発振周波数を第１の周波
数から該第１の周波数よりも高い第２の周波数に変化さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザマーキング
装置および方法に関し、特に、Ｑスイッチレーザ光を用
いてウェハ上にドットを形成することによって所望のパ
ターンをマーキングするレーザマーキング装置および方
法に関する。
装置および方法に関し、特に、Ｑスイッチレーザ光を用
いてウェハ上にドットを形成することによって所望のパ
ターンをマーキングするレーザマーキング装置および方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｑスイッチレーザ光を用いてシリコンウ
ェハにドットを形成して所望のマーキングを行う場合、
一般的に、１つのドットを形成するために、ウェハ上の
同一箇所に複数回レーザ光を照射している。
ェハにドットを形成して所望のマーキングを行う場合、
一般的に、１つのドットを形成するために、ウェハ上の
同一箇所に複数回レーザ光を照射している。
【０００３】従来、この種のレーザマーキング装置で
は、発振周波数を一定とした状態で、ウェハ上にドット
を形成している。
は、発振周波数を一定とした状態で、ウェハ上にドット
を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｑスイッチレーザ光に
よりシリコンウェハ上にドットを形成する場合、ウェハ
の状態、例えば、熱伝導率や吸収率は刻々と変化してい
く。ところが、従来のレーザマーキング装置では、この
ような状態の変化が生じているにもかかわらず、同一の
発振周波数のＱスイッチレーザ光でマーキングを行って
いるために、状態の変化に対応した最適な加工を行うこ
とができない。したがって、十分な加工深さ及び加工速
度でマーキングを行うことができないという問題点があ
った。
よりシリコンウェハ上にドットを形成する場合、ウェハ
の状態、例えば、熱伝導率や吸収率は刻々と変化してい
く。ところが、従来のレーザマーキング装置では、この
ような状態の変化が生じているにもかかわらず、同一の
発振周波数のＱスイッチレーザ光でマーキングを行って
いるために、状態の変化に対応した最適な加工を行うこ
とができない。したがって、十分な加工深さ及び加工速
度でマーキングを行うことができないという問題点があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のレーザマーキング装置は、被加工物上の
一箇所に複数回Ｑスイッチレーザ光を照射して一つのド
ットを形成するレーザマーキング装置であって、前記一
つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイッチレーザ光
の発振周波数を第１の周波数から該第１の周波数よりも
高い第２の周波数に変化させる手段を備える。
めに、本発明のレーザマーキング装置は、被加工物上の
一箇所に複数回Ｑスイッチレーザ光を照射して一つのド
ットを形成するレーザマーキング装置であって、前記一
つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイッチレーザ光
の発振周波数を第１の周波数から該第１の周波数よりも
高い第２の周波数に変化させる手段を備える。
【０００６】また、本発明のレーザマーキング方法は、
被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチレーザ光を照射
して一つのドットを形成するレーザマーキング方法であ
って、前記一つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイ
ッチレーザ光の発振周波数を第１の周波数から該第１の
周波数よりも高い第２の周波数に変化させるものであ
る。
被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチレーザ光を照射
して一つのドットを形成するレーザマーキング方法であ
って、前記一つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイ
ッチレーザ光の発振周波数を第１の周波数から該第１の
周波数よりも高い第２の周波数に変化させるものであ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【０００８】本実施形態では、Ｑスイッチレーザ光をウ
ェハ上の一箇所に複数回照射して、一つのドットを形成
し、このようにして形成されたドットをレーザ光の照射
位置を移動させながら複数個形成し、これら複数個のド
ットの組み合わせにより所望のパターンをウェハ上に描
くものである。
ェハ上の一箇所に複数回照射して、一つのドットを形成
し、このようにして形成されたドットをレーザ光の照射
位置を移動させながら複数個形成し、これら複数個のド
ットの組み合わせにより所望のパターンをウェハ上に描
くものである。
【０００９】そして、Ｑスイッチレーザ光を複数回照射
することによって一つのドットを形成する間に、図１あ
るいは図２に示すように、Ｑスイッチレーザ光の発振周
波数を低周波数から高周波数に変化させている。
することによって一つのドットを形成する間に、図１あ
るいは図２に示すように、Ｑスイッチレーザ光の発振周
波数を低周波数から高周波数に変化させている。
【００１０】すなわち、一つのドットを形成する過程に
おいて、まず、初期工程として、Ｑスイッチレーザ光の
発振周波数を１ＫＨｚ以下といった低い周波数に設定す
るとともに、パルス幅が狭く、かつ尖頭値の高いＱスイ
ッチレーザ光をウェハ上に照射する。そして、ドット形
成の最終工程にあっては、Ｑスイッチレーザ光の発振周
波数を２〜１０ＫＨｚといった高い周波数に設定すると
ともに、パルス幅が初期工程時と比較して広く、かつ尖
頭値が初期工程時と比較して低いＱスイッチレーザ光を
ウェハ上に照射する。初期工程から最終工程までの途中
工程では、図１に示されるように、Ｑスイッチレーザ光
の発振周波数を段階的に低い設定から高い設定に変化さ
せるか、あるいは図２に示されるように、該発振周波数
を徐々に低い設定から高い設定に変化させる。
おいて、まず、初期工程として、Ｑスイッチレーザ光の
発振周波数を１ＫＨｚ以下といった低い周波数に設定す
るとともに、パルス幅が狭く、かつ尖頭値の高いＱスイ
ッチレーザ光をウェハ上に照射する。そして、ドット形
成の最終工程にあっては、Ｑスイッチレーザ光の発振周
波数を２〜１０ＫＨｚといった高い周波数に設定すると
ともに、パルス幅が初期工程時と比較して広く、かつ尖
頭値が初期工程時と比較して低いＱスイッチレーザ光を
ウェハ上に照射する。初期工程から最終工程までの途中
工程では、図１に示されるように、Ｑスイッチレーザ光
の発振周波数を段階的に低い設定から高い設定に変化さ
せるか、あるいは図２に示されるように、該発振周波数
を徐々に低い設定から高い設定に変化させる。
【００１１】図３に示すように、初期工程において、Ｑ
スイッチレーザ光の発振周波数を低く設定し、パルス幅
が狭く、かつ尖頭値が高いＱスイッチレーザ光を用いる
ことによって、シリコンウェハの表面上の狭い範囲を可
能な限り深いところまで一気にかつ瞬時に熱拡散を広げ
ることができる。
スイッチレーザ光の発振周波数を低く設定し、パルス幅
が狭く、かつ尖頭値が高いＱスイッチレーザ光を用いる
ことによって、シリコンウェハの表面上の狭い範囲を可
能な限り深いところまで一気にかつ瞬時に熱拡散を広げ
ることができる。
【００１２】また、図４に示すように、途中工程におい
て、パルス幅を広く、かつ尖頭値を低くすることによっ
て、初期工程で形成されたドットの深さ方向の熱拡散を
維持したまま横方向にも熱拡散を広げていく。
て、パルス幅を広く、かつ尖頭値を低くすることによっ
て、初期工程で形成されたドットの深さ方向の熱拡散を
維持したまま横方向にも熱拡散を広げていく。
【００１３】そして、最終工程において、Ｑスイッチレ
ーザ光の発振周波数を高く設定し、パルス幅がより広
く、かつ尖頭値がより低いＱスイッチレーザ光を用いる
ことによって、尖頭値の変動が初期工程時のＱスイッチ
レーザ光に比べて小さいため、複数のドットを形成する
場合に、均一で安定したドットを形成することができ
る。
ーザ光の発振周波数を高く設定し、パルス幅がより広
く、かつ尖頭値がより低いＱスイッチレーザ光を用いる
ことによって、尖頭値の変動が初期工程時のＱスイッチ
レーザ光に比べて小さいため、複数のドットを形成する
場合に、均一で安定したドットを形成することができ
る。
【００１４】シリコンウェハのミラーポリッシュ面上
に、Ｑスイッチレーザ光を２００ショット照射して１つ
のドットを形成する場合に、レーザ光の発振周波数は、
例えば、図５に示されるように制御される。すなわち、
ドット形成の初期工程では、発振周波数を１ＫＨｚに設
定されたレーザ光を２ショット照射して、ウェハ表面上
の狭い範囲を深くまで一気に熱拡散を広げ、その後、発
振周波数を３ＫＨｚに設定されたレーザ光を１９８ショ
ット照射することによって、初めに加工した深さ方向の
熱拡散を維持したまま横方向に拡散を広げていく。
に、Ｑスイッチレーザ光を２００ショット照射して１つ
のドットを形成する場合に、レーザ光の発振周波数は、
例えば、図５に示されるように制御される。すなわち、
ドット形成の初期工程では、発振周波数を１ＫＨｚに設
定されたレーザ光を２ショット照射して、ウェハ表面上
の狭い範囲を深くまで一気に熱拡散を広げ、その後、発
振周波数を３ＫＨｚに設定されたレーザ光を１９８ショ
ット照射することによって、初めに加工した深さ方向の
熱拡散を維持したまま横方向に拡散を広げていく。
【００１５】なお、２００ショットのレーザ光の全てを
発振周波数３ＫＨｚに設定して照射した場合、ドットの
加工深さは７μｍであったが、本実施形態では、加工深
さは９μｍとなり、より深いドットを形成することが可
能となった。
発振周波数３ＫＨｚに設定して照射した場合、ドットの
加工深さは７μｍであったが、本実施形態では、加工深
さは９μｍとなり、より深いドットを形成することが可
能となった。
【００１６】また、Ｑスイッチレーザ光を２５ショット
照射してウェハ上に一つのドットを形成する場合に、レ
ーザ光の発振周波数は、例えば、図６に示されるように
制御される。すなわち、最初の１ショットは、発振周波
数が１ＫＨｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射さ
れ、その後に続く１９ショットは、発振周波数が２ＫＨ
ｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射される。そし
て、最後の５ショットは、発振周波数が５ＫＨｚに設定
されたＱスイッチレーザ光で照射される。
照射してウェハ上に一つのドットを形成する場合に、レ
ーザ光の発振周波数は、例えば、図６に示されるように
制御される。すなわち、最初の１ショットは、発振周波
数が１ＫＨｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射さ
れ、その後に続く１９ショットは、発振周波数が２ＫＨ
ｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射される。そし
て、最後の５ショットは、発振周波数が５ＫＨｚに設定
されたＱスイッチレーザ光で照射される。
【００１７】また、Ｑスイッチレーザ光を２５ショット
照射してウェハ上に一つのドットを形成する場合のレー
ザ光の発振周波数は、図７に示されるように制御されて
もよい。すなわち、最初のショットを発振周波数が１Ｋ
Ｈｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射し、その後
に続くショットを発振周波数が徐々に高くなるように設
定されたＱスイッチレーザ光で照射し、そして、最後の
ショットを発振周波数が５ＫＨｚに設定されたＱスイッ
チレーザ光で照射するものである。
照射してウェハ上に一つのドットを形成する場合のレー
ザ光の発振周波数は、図７に示されるように制御されて
もよい。すなわち、最初のショットを発振周波数が１Ｋ
Ｈｚに設定されたＱスイッチレーザ光で照射し、その後
に続くショットを発振周波数が徐々に高くなるように設
定されたＱスイッチレーザ光で照射し、そして、最後の
ショットを発振周波数が５ＫＨｚに設定されたＱスイッ
チレーザ光で照射するものである。
【００１８】図８を参照すると、本実施形態のレーザマ
ーキング装置は、メモリ１に予め格納されたドット形成
用の加工プログラムを制御部２が読み出し、読み出され
た加工プログラムにしたがって、レーザ共振器３内に設
けられたＱスイッチ素子４を制御し、Ｑスイッチレーザ
光の発振周波数、パルス幅および尖頭値を変化させる。
ーキング装置は、メモリ１に予め格納されたドット形成
用の加工プログラムを制御部２が読み出し、読み出され
た加工プログラムにしたがって、レーザ共振器３内に設
けられたＱスイッチ素子４を制御し、Ｑスイッチレーザ
光の発振周波数、パルス幅および尖頭値を変化させる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のレーザマ
ーキング装置および方法では、発振周波数に応じたＱス
イッチレーザ光の特性を効率的に利用しているために、
１ドットを形成する過程で同一周波数のレーザ光でマー
キングする場合と比べて、加工深さがより深いドットを
形成することができるとともに、加工速度を向上させる
ことができる。
ーキング装置および方法では、発振周波数に応じたＱス
イッチレーザ光の特性を効率的に利用しているために、
１ドットを形成する過程で同一周波数のレーザ光でマー
キングする場合と比べて、加工深さがより深いドットを
形成することができるとともに、加工速度を向上させる
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態におけるＱスイッチレーザ
光の発振周波数の変化の一例を示す図である。
光の発振周波数の変化の一例を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるＱスイッチレーザ
光の発振周波数の変化の他の例を示す図である。
光の発振周波数の変化の他の例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態における初期のレーザ光照
射による加工状態を示す図である。
射による加工状態を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態における図３で示された状
態からＱスイッチレーザ光の発振周波数を変化させるこ
とによって形成される加工状態を示す図である。
態からＱスイッチレーザ光の発振周波数を変化させるこ
とによって形成される加工状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるＱスイッチレーザ
光の発振周波数の変化の具体例を示す図である。
光の発振周波数の変化の具体例を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態におけるＱスイッチレーザ
光の発振周波数の変化の他の具体例を示す図である。
光の発振周波数の変化の他の具体例を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態におけるＱスイッチレーザ
光の発振周波数の変化のさらに他の具体例を示す図であ
る。
光の発振周波数の変化のさらに他の具体例を示す図であ
る。
【図８】本発明の一実施形態のレーザマーキング装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１ メモリ ２ 制御部 ３ レーザ共振器 ４ Ｑスイッチ素子
Claims (6)
- 【請求項１】 被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチ
レーザ光を照射して一つのドットを形成するレーザマー
キング装置であって、 前記一つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイッチレ
ーザ光の発振周波数を第１の周波数から該第１の周波数
よりも高い第２の周波数に変化させる手段を備えること
を特徴とするレーザマーキング装置。 - 【請求項２】 前記一つのドットを形成する過程におい
て、初期に照射されるＱスイッチレーザ光は、発振周波
数が１ＫＨｚ以下である第１の周波数に設定され、その
後、前記ドットの形成が進行するにつれて、前記発振周
波数を徐々にあるいは段階的に高くすることを特徴とす
る前記請求項１に記載のレーザマーキング装置。 - 【請求項３】 前記一つのドットを形成する過程におい
て、初期に照射されるＱスイッチレーザ光は、最後に照
射されるＱスイッチレーザ光に対して、パルス幅が狭
く、かつ尖頭値が高いことを特徴とする前記請求項２に
記載のレーザマーキング装置。 - 【請求項４】 被加工物上の一箇所に複数回Ｑスイッチ
レーザ光を照射して一つのドットを形成するレーザマー
キング方法であって、 前記一つのドットを形成する過程で、前記Ｑスイッチレ
ーザ光の発振周波数を第１の周波数から該第１の周波数
よりも高い第２の周波数に変化させることを特徴とする
レーザマーキング装置。 - 【請求項５】 前記一つのドットを形成する過程におい
て、初期に照射されるＱスイッチレーザ光は、発振周波
数が１ＫＨｚ以下である第１の周波数に設定され、その
後、前記ドットの形成が進行するにつれて、前記発振周
波数を徐々にあるいは段階的に高くすることを特徴とす
る前記請求項４に記載のレーザマーキング方法。 - 【請求項６】 前記一つのドットを形成する過程におい
て、初期に照射されるＱスイッチレーザ光は、最後に照
射されるＱスイッチレーザ光に対して、パルス幅が狭
く、かつ尖頭値が高いことを特徴とする前記請求項５に
記載のレーザマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316659A JPH10156560A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | レーザマーキング装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316659A JPH10156560A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | レーザマーキング装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10156560A true JPH10156560A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18079485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316659A Pending JPH10156560A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | レーザマーキング装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10156560A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000202668A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Nec Corp | Ｑスイッチレ―ザによる穴あけ加工方法 |
| JP2003531010A (ja) * | 2000-04-18 | 2003-10-21 | レーザーインク | 製品へのコードの印刷 |
| JP2014154661A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hitachi Metals Ltd | 窒化物半導体ウェハおよび窒化物半導体ウェハのマーキング方法 |
| JP2015502258A (ja) * | 2011-11-17 | 2015-01-22 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 対象物に最適にレーザマーキングを施すための方法及び装置 |
| WO2020084931A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 株式会社Sumco | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法およびレーザマーク付きシリコンウェーハ |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP8316659A patent/JPH10156560A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000202668A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Nec Corp | Ｑスイッチレ―ザによる穴あけ加工方法 |
| JP2003531010A (ja) * | 2000-04-18 | 2003-10-21 | レーザーインク | 製品へのコードの印刷 |
| JP2015502258A (ja) * | 2011-11-17 | 2015-01-22 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 対象物に最適にレーザマーキングを施すための方法及び装置 |
| JP2014154661A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hitachi Metals Ltd | 窒化物半導体ウェハおよび窒化物半導体ウェハのマーキング方法 |
| WO2020084931A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 株式会社Sumco | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法およびレーザマーク付きシリコンウェーハ |
| JP2020068231A (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 株式会社Sumco | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 |
| US11515263B2 (en) | 2018-10-22 | 2022-11-29 | Sumco Corporation | Method of producing laser-marked silicon wafer and laser-marked silicon wafer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981104 |