JPH10156938A - ポリプロピレンフィルムおよびそれを誘電体として用いたコンデンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 【課題】耐熱性および高温での長期耐絶縁破壊特性に優
れ、絶縁欠陥の少なく、絶縁油に浸漬したときのフィル
ム層間への絶縁油の浸透性と耐膨潤性に優れた二軸配向
ポリプロピレンフィルム、およびこのポリプロピレンフ
ィルムを誘電体として用いた耐熱性、耐絶縁破壊特性、
耐コロナ性、長期耐熱耐用性に優れたコンデンサーを提
供する。 【解決手段】二軸配向したポリプロピレンフィルムであ
って、そのフィルムのアイソタクチシティが９８〜９
９．５％であり、アイソタクチックペンタッド分率が９
９％を越え、両面の中心線平均表面粗さがいずれも０．
０１〜０．４μｍであることを特徴とするポリプロピレ
ンフィルムおよびそれを誘電体として用いたコンデンサ
ー。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムおよびそれを誘電体として用いたコンデ
ンサーに関し、特に耐熱性および耐絶縁破壊特性に優
れ、かつ絶縁欠陥が少なく、絶縁油に浸漬したときのフ
ィルム層間への絶縁油の浸透性と耐膨潤性に優れた二軸
配向ポリプロピレンフィルム、およびそれを誘電体とし
て用いた耐熱性、耐絶縁破壊特性、耐コロナ性、長期耐
熱耐用性に優れたコンデンサーに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】二軸配向ポリプロピレンフィルムは、透
明性、光沢性などの光学的特性や破断強度、破断伸度な
どの機械的特性に優れ、さらに水蒸気バリア性能、優れ
た電気特性などにより、包装用途、テープ用途、コンデ
ンサー用途などに広範に用いられている。

【０００３】かかる二軸配向ポリプロピレンフィルム
は、フィルムコンデンサーの誘電体として用いる代表的
な素材の一つであるが、もう一つの代表的素材であるポ
リエステルフィルムと比較して耐熱性が低いため、コン
デンサーとしての最高使用温度が８５℃程度に制限され
ていた。この原因として、使用温度が高温になると、フ
ィルムの非晶部、異物の影響等から、本来ポリプロピレ
ンフィルムの特長であるべき絶縁破壊強度が急激に低下
してしまい、特に長期間の使用に耐えられなくなる場合
があったからである。

【０００４】一方、電気装置の小型化に伴い、素子の密
集化および高温化が進展し、従来のポリプロピレンフィ
ルムコンデンサーの最高使用温度をさらに上昇させたい
という要求が強くなってきている。特に交流回路に搭載
されるコンデンサーは従来よりコンデンサー素子内部か
らの発熱を抑える必要性から誘電損失の小さい特徴を有
するポリプロピレンフィルムが誘電体として使用されて
きたが、交流回路を取り巻く環境が高温になるに従い、
使用が困難な状況になってきており、電気装置の小型化
への障害の一要因となっている。この理由として、これ
まで熱源が近傍にある回路は熱源により回路の温度が上
昇しないように熱源から一定の距離を置いて設置した
り、熱源と回路とを断熱材で遮断する等の処置が施され
ていたが、小型化により回路を熱源の極近傍に断熱材な
しに設置したいという要望が強くなってきたことなどが
挙げられる。このような要望の代表例が街路灯等の照明
安定器に使用されている交流回路やモーターの制御回路
等である。この要望に応えるためには、従来のポリプロ
ピレンフィルムコンデンサーの最高使用温度である８５
℃よりも高温でしかも長期に性能を維持する必要があっ
た。

【０００５】このために誘電体として使用されるポリプ
ロピレンフィルムには（１）短時間の急速な加熱による
機械的変形すなわち熱収縮率が適度に小さいこと、
（２）高温でのフィルム電気特性が優れること、および
（３）電気特性の高温下での経時的な低下が小さいこと
が求められていた。

【０００６】上記（１）の理由は、コンデンサー素子作
成時、ポリプロピレンフィルムは電極と重ねて巻き取ら
れた段階で一定温度下で熱処理が施され、適度な熱収縮
を与えて巻締まりを発生させることによる形態保持やフ
ィルム層間の空気の追い出しを行うのが一般的である
が、熱収縮が大きすぎると素子の変形によるコンデンサ
ーの容量の低下や素子の破壊が生じる場合があったから
である。また、熱収縮率が小さすぎると巻締まりが不十
分であり、長期高温使用下での誘電正接の上昇による素
子の破壊が生じる場合があった。

【０００７】さらにコンデンサー素子を絶縁油で含浸す
ることで発生するコロナを抑制し、連続使用時における
コンデンサーの容量低下や絶縁破壊、漏洩電流の増大を
抑えることが行われる場合がある。このように絶縁油を
含浸する場合、誘電体として用いられるポリプロピレン
フィルムにはコンデンサー素子として巻き取られた段階
でフィルム層間に絶縁油が均一に浸透するように、
（４）フィルム表面の形状を設計する必要があり、また
（５）絶縁油による寸法変化や膨潤を抑える必要があっ
た。

【０００８】また上述の如く電気装置の小型化に伴い、
上記の特性の向上が望まれている一方でフィルムコンデ
ンサーそのものをさらに小型にしたいという要求も強く
なってきている。このためには、コンデンサーの単位体
積あたりの静電容量を高める必要があり、誘電体である
フィルムの厚みを薄くする必要があった。

【０００９】このような課題に対し、特開平６−２３６
７０９号公報には灰分が低く、沸騰ｎ−ヘプタン可溶分
が１〜１０重量％であることから加工性に優れ、室温か
ら８０℃までの電気絶縁性に優れた高分子絶縁材料が開
示されており、沸騰ｎ−ヘプタン不溶部のアイソタクチ
ックペンタッド分率が９０％以上のものが好ましいとの
示唆がある。

【００１０】また、特開平７−２５９４６号公報には同
じく沸騰ヘプタン不溶分が８０重量％以上、特に好まし
くは９６重量％以上であり、該沸騰ヘプタン不溶成分の
アイソタクチックペンタッド分率が０．９７０〜０．９
９５の範囲にあるプロピレン重合体およびこれを用いた
成形体が提案されている。

【００１１】しかし、これらに提案されたように、単に
沸騰ｎ−ヘプタン不溶分のアイソタクチックペンタッド
分率の高い二軸配向ポリプロピレンフィルムでは、本発
明の目指す８５℃を越える高温での耐絶縁破壊特性とこ
のフィルムを誘電体として用いたコンデンサー素子の長
期耐熱性が不十分であった。すなわち、上記の従来の技
術による立体規則性の高い二軸配向ポリプロピレンフィ
ルムは、沸騰ｎ−ヘプタン不溶部のアイソタクチックペ
ンタッド分率がそこそこ高いものの、ｎ−ヘプタン可溶
分のアイソタクチックペンタッド分率が低いため、フィ
ルムとしてのアイソタクチックペンタッド分率が結果と
して低く、立体規則性が不十分であった。

【００１２】またアイソタクチシティが極めて高い、い
わゆる高結晶性の二軸配向ポリプロピレンフィルムは、
立体規則性が不十分であるが故に製膜性が極めて悪く、
耐熱性と耐絶縁破壊特性に優れた二軸配向ポリプロピレ
ンフィルムを製造するための工業的に有用な技術として
確立されるには至っていなかった。

【００１３】この欠点を解消するための技術として、特
公平４−２８７２７号公報には、アイソタクチックペン
タッド分率が０．９６０〜０．９９０の範囲にあり、か
つ沸騰ｎ−ヘキサンおよび沸騰ｎ−ヘプタンで逐次抽出
した被抽出物の全量が３．０〜６．０％とすることで成
形性に優れた結晶性ポリプロピレンフィルムが提案され
ている。しかし、アイソタクチックペンタッド分率が十
分ではなく、高温での耐絶縁破壊特性が不十分であっ
た。

【００１４】さらに特開平５−２１７７９９号公報に
は、特定の熱変形温度とヤング率を有し、結晶化度が高
く、立体規則性の良い高剛性ポリプロピレンフィルムに
金属を蒸着した高剛性蒸着金属化フィルムを用いた蒸着
フィルムコンデンサーが提案されている。しかし立体規
則性は高々９０％程度であり、高温での絶縁破壊特性が
不十分であった。

【００１５】さらに特開平７−５０２２４号公報には１
２０℃における熱収縮率が長さ方向で４．０％以下、幅
方向で０．８％以下である金属化ポリプロピレンフィル
ムが提案されている。しかしフィルムのアイソタクチシ
ティおよび立体規則性が従来のものであり、今後の高度
な要求に対応するための、本発明の目的である高温での
耐絶縁破壊特性が必ずしも十分とは言えなかった。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、ポリプ
ロピレンフィルムのアイソタクチシティと立体規則性を
高度に制御することで、極めてアイソタクチシティの高
いポリプロピレンフィルムの製膜を可能にし、さらに適
正な製膜条件を採用することにより、従来の技術では達
成し得なかった、ポリプロピレンフィルムの特徴である
耐絶縁破壊特性を一層向上させ、さらには高温でのかか
る特性の低下および高温での長期劣化の抑制された品質
のばらつきの小さいコンデンサーが得られることを見い
出し本発明に至ったものである。

【００１７】本発明の目的は、耐熱性および高温での長
期耐絶縁破壊特性に優れ、かつ絶縁欠陥の少なく、絶縁
油に浸漬したときのフィルム層間の浸透性と耐膨潤性に
優れたポリプロピレンフィルムを提供することにある。

【００１８】本発明の他の目的は、上記ポリプロピレン
フィルムを誘電体として用いた耐熱性および高温での長
期耐絶縁破壊特性、耐コロナ性に優れたコンデンサーを
提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、「二軸配向されたポリプロピレンフィル
ムであって、該フィルムのアイソタクチシティが９８〜
９９．５％であり、アイソタクチックペンタッド分率が
９９％を越え、両面の中心線平均表面粗さがいずれも
０．０１〜０．４μｍであることを特徴とするポリプロ
ピレンフィルム」であることを特徴とする。そして、本
発明のポリプロピレンフィルムを誘電体とするコンデン
サーは耐熱交流回路用コンデンサーとして好適に用いら
れる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明のポリプロピレンフィルム
に用いられるポリプロピレンは、主としてプロピレンの
単独重合体からなるが、本発明の目的を阻害しない範囲
で他の不飽和炭化水素による共重合成分などを含有して
もよいし、プロピレンが単独ではない重合体がブレンド
されていてもよい。

【００２１】このような共重合成分やブレンド物を構成
する単量体成分として例えばエチレン、プロピレン（共
重合されたブレンド物の場合）、１−ブテン、１−ペン
テン、３−メチルペンテン−１、３−メチルブテンー
１、１−ヘキセン、４−メチルペンテンー１、５−エチ
ルヘキセン−１、１−オクテン、１−デセン、１−ドデ
セン、ビニルシクロヘキセン、スチレン、アリルベンゼ
ン、シクロペンテン、ノルボルネン、５ーメチル−２−
ノルボルネンなどが挙げられる。共重合量またブレンド
量は、耐絶縁破壊特性、耐熱性の点から共重合量は１ｍ
ｏｌ％未満、ブレンド物は１０重量％未満が好ましい。

【００２２】本発明において、ポリプロピレンフィルム
のアイソタクチシティは、製膜性の点で９９．５％以下
である必要がある。ここでアイソタクチシティとはフィ
ルムを沸騰ｎ−ヘプタンで抽出した場合の、抽出前フィ
ルム重量に対する不溶分の重量の割合により定義され
る。アイソタクチシティが高すぎると、特開平６−２３
６７０９号公報にあるように二軸配向したフィルムを製
造する際、延伸性が悪く、製膜が著しく困難となる。ま
た耐熱性、耐絶縁破壊特性の点でアイソタクチシティは
９８％以上である必要がある。

【００２３】良好な製膜性と耐熱性、耐絶縁破壊特性の
ためにより好ましいアイソタクチシティは９８．５〜９
９．５％であり、さらには９８．７〜９９．３％が好ま
しい。このようなアイソタクチシティを有するポリプロ
ピレンフィルムとするには、原料であるポリプロピレン
樹脂の沸騰ｎ−ヘプタンに溶けやすい低分子量成分や、
立体規則性の低い、いわゆるアタクチックの部分の割合
が適度に低いものを選択するなどの方法を採用すること
ができる。

【００２４】本発明において、ポリプロピレンフィルム
の立体規則性は、¹³Ｃ−ＮＭＲにより測定したメチル基
の吸収ピークによるペンタッド分率により評価すること
ができる。一般的に、ポリプロピレン分子鎖における５
個の繰り返し単位（ペンタッド）の立体配座は、ｍｍｍ
ｍ、ｍｍｍｒ、ｒｍｍｒ、・・、ｒｒｒｒ、ｍｒｒｒ、
ｍｒｒｍといったものがある。ここで、ｍはメソ（ｍｅ
ｓｏ）、ｒはラセモ（ｒａｓｅｍｏ）の立体配座を示
す。ポリプロピレンフィルムのペンタッド分率は、例え
ばＴ．Ｈａｙａｓｈｉらの報告［Ｐｏｌｙｍｅｒ、２
９、１３８〜１４３（１９８８）］等にあるように、上
記各立体配座を有するセグメントの比率を¹³Ｃ−ＮＭＲ
から求めることができる。これらの内、全メチル基の吸
収強度に対するｍｍｍｍの立体配座の割合すなわちアイ
ソタクチックペンタッド分率（以下ｍｍｍｍと省略する
場合がある）はｍ（ｍｍｍｍ）ｍ、ｍ（ｍｍｍｍ）ｒ、
ｒ（ｍｍｍｍ）ｒの３つのヘプタッド分率の和として定
義される。

【００２５】本発明のポリプロピレンフィルムのアイソ
タクチックペンタッド分率ｍｍｍｍは、９９％を越え
る。このようなフィルムは、極めて長いアイソタクチッ
クセグメントを持つ分子から構成されたポリプロピレン
からなっているため、高結晶性、高耐熱性、高耐絶縁破
壊特性のフィルムを与えうる。

【００２６】本発明のポリプロピレンフィルムのｍｍｍ
ｍは、高耐熱性、高耐絶縁破壊特性の点で好ましくは９
９．１％以上であり、より好ましくは９９．２％以上で
あり、さらに好ましくは９９．３％以上である。このよ
うな立体規則性を付与するには、原料であるポリプロピ
レン樹脂の立体規則性を高度に制御することが有効であ
る。このような原料を作成する方法としては、ポリプロ
ピレンを重合する際の、触媒系（固体触媒、外部添加電
子供与性化合物）やこれらの純度により達成される。原
料のポリプロピレン樹脂のｍｍｍｍが高いものほどポリ
プロピレンフィルムのｍｍｍｍが高くなる傾向が認めら
れるが、原料の押出系内での極度の熱劣化もｍｍｍｍを
低下させるため、高温押出系での原料の長時間滞留を避
けるなどの構造的工夫、押出条件が適宜選択される。

【００２７】また本発明のポリプロピレンフィルムに用
いられるポリプロピレンの重合過程においては金属を含
む化合物を触媒として用い、必要に応じ、重合後にこの
残磋を除去することが一般的であるが、この残磋は樹脂
を完全に燃焼させた残りの金属酸化物の量を求めること
で評価でき、これを灰分と呼ぶ。

【００２８】本発明のポリプロピレンフィルムの灰分は
３０ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは
２５ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは２０ｐｐｍ以
下である。灰分が多すぎると、該フィルムの耐絶縁破壊
特性が低下し、これを用いたコンデンサーの絶縁破壊強
度が低下する場合がある。灰分をこの範囲とするために
は、触媒残磋の少ない原料を用いることが重要である
が、製膜時の押出系からの汚染も極力低減するなどの方
法、例えばブリード時間を１時間以上かけるなどの方法
を採用することができる。

【００２９】本発明のポリプロピレンフィルムに用いら
れるポリプロピレンには、公知の添加剤、例えば結晶核
剤、酸化防止剤、熱安定剤、すべり剤、帯電防止剤、ブ
ロッキング防止剤、充填剤、粘度調整剤、着色防止剤な
どを本発明の特性を悪化させない範囲で含有させてもよ
い。

【００３０】これらの中で、酸化防止剤の種類および添
加量の選定は長期耐熱性にとって重要である。本発明の
ポリプロピレンフィルムに添加される酸化防止剤は立体
障害性を有するフェノール性のもので、そのうち少なく
とも１種は分子量５００以上の高分子量型のものが溶融
押し時の飛散防止のために好ましい。

【００３１】この具体例としては種々のものが挙げられ
るが、例えば２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
（ＢＨＴ：分子量２２０．４）とともに１，３，５−ト
リメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（例えばチバガ
イギー製Irganox1330：分子量７７５．２）またはテト
ラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン（例えば
チバガイギー製Irganox1010：分子量１１７７．７）等
を併用することが好ましい。

【００３２】これら酸化防止剤の総含有量はポリプロピ
レン全量に対して０．０３〜１重量％（３００〜１００
００ｐｐｍ）の範囲が好ましい。０．０３重量％未満で
は長期耐熱性に劣る場合があり、１．０重量％を越える
と、これら酸化防止剤のブリードアウトによる高温下で
のブロッキングにより、コンデンサー素子に悪影響を及
ぼす場合がある。より好ましい含有量は０．１〜０．９
重量％であり、さらに好ましくは０．２〜０．８重量％
である。

【００３３】また結晶核剤の添加はフィルムの表面粗さ
や透明性に作用を及ぼすが、絶縁破壊強度が悪化する傾
向があるので添加量として０．１重量％未満とするのが
好ましく、更に好ましくは実質的に添加されていないの
が好ましい。

【００３４】本発明において、ポリプロピレンフィルム
に使用される立体規則性に優れたポリプロピレンの極限
粘度は、特に限定されないが、製膜性の点から１〜１０
ｄｌ／ｇの範囲のものが好ましい。また、２３０℃、
２．１６ｋｇ加重におけるメルトフローレートは製膜性
の点から２〜５ｇ／１０分のものが好ましい。極限粘度
やメルトフローレートを上記の値とするためには、平均
分子量や分子量分布を制御する方法などが採用される。

【００３５】本発明のポリプロピレンフィルムは、上述
した特性を与えうる原料を用い、二軸配向されることに
よって得られる。未配向のフィルムでは本発明の目的と
する高結晶性、高耐熱性、高耐絶縁破壊特性のフィルム
は得られない。二軸配向の方法としては、インフレーシ
ョン同時二軸延伸法、ステンター同時二軸延伸法、ステ
ンター逐次二軸延伸法のいずれかの処方によっても得ら
れるが、その中でも、製膜安定性、厚み均一性、後述す
る表面粗さを制御する点においてステンター逐次二軸延
伸法により製膜されたものが好ましく用いられる。

【００３６】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムの両面の中心線平均表面粗さがいずれも０．０１
〜０．４μｍである必要がある。中心線平均粗さが大き
すぎると、フィルムを積層した場合に層間に空気が入り
コンデンサー素子の劣化につながり、またフィルムに金
属層を形成したとき金属層に穴アキ等が発生し、高温時
の絶縁破壊強度や素子ライフが低下したり電圧印加時に
電荷が集中し、絶縁欠陥の原因となる。逆に小さすぎる
とフィルムの滑りが悪くなり、ハンドリング性に劣った
り、コンデンサー素子に絶縁油を含浸する場合はフィル
ム層間に絶縁油が均一に浸透せず、連続使用時に容量変
化が大きくなる。フィルムの両面の中心線平均表面粗さ
の更に好ましい範囲は０．０３〜０．３μｍであり、更
に好ましくは０．０４〜０．２５μｍである。

【００３７】また本発明の二軸配向されたポリプロピレ
ンフィルムは、下記式（１）で定義されるフィルム厚み
の測定方法による差（△ｄ）が０．０１〜０．５μｍ以
下であることが好ましく、更に好ましくは０．０２〜
０．４μｍ、最も好ましくは、０．０３〜０．３μｍで
ある。

【００３８】 △ｄ＝ｄ（ＭＭＶ）−ｄ（ＷＭＶ） （１） ［ここでｄ（ＭＭＶ）は１０枚重ねマイクロメーター法
フィルム厚み（μｍ）であり、ｄ（ＷＭＶ）は重量法フ
ィルム厚み（μｍ）である］ △ｄが０．５μｍを越えるとコンデンサーにした場合、
フィルム表面の凹凸により巻き重ねられたフィルム層間
に隙間が生じ、これにより電極端部でコロナ放電が誘起
され、耐電圧が低下するとともに電気容量も低下するた
め好ましくなく、０．０１μｍ未満ではフィルム同士の
接触面積が大きいのでロール状のフィルムを巻き出すと
き発生する静電気放電によってフィルムに絶縁欠陥を生
じさせる場合がある。

【００３９】さらに本発明の二軸配向されたポリプロピ
レンフィルムの両面の最大粗さは、０．１〜４．０μｍ
の範囲が好ましく、より好ましくは、０．３〜３．０μ
ｍである。最大粗さが０．１μｍ未満では、滑り性が悪
化し、空気抜けが悪く縦ジワ等が入り、巻取性や取扱性
が低下する場合がある。一方、Ｒｔが４．０μｍを越え
ると、表面の粗面化が大きすぎてフィルムを積層した場
合に層間に空気が入りコンデンサー素子の劣化につなが
るのみならず、フィルム破れが生じ、生産性が低下する
場合がある。

【００４０】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムは、１２０℃、１５分間加熱時の機械方向と幅方
向の熱収縮率の和が１．５〜３．５％の範囲であること
が好ましい。熱収縮率が大きすぎると、電極としての金
属層形成時に寸法変化を起こしフィルムロールにシワが
入ったり、コンデンサー素子作成時の熱による機械的変
形が大きすぎるためにフィルム中および／あるいは外部
電極との接触部にストレスが発生し、コンデンサーの容
量低下が大きくなったり、素子の破壊に至る場合があ
る。熱収縮率が低すぎる場合は、コンデンサー素子作成
時の熱処理による巻締まりが不十分となり、形態保持性
や容量変化率に悪影響を及ぼすことがある。さらに好ま
しい熱収縮率は上記の和が１．６〜３．３％であり、さ
らには１．７〜３％、さらには１．８〜２．８％、特に
は１．８〜２．５％の範囲が好ましい。

【００４１】本発明において、二軸配向されたポリプロ
ピレンフィルムの厚み（十枚重ねマイクロメーター法で
のフィルム厚み）は、製膜性や機械特性、電気特性の点
から２〜３０μｍが好ましく、より好ましくは２．５〜
２０μｍ、更に好ましくは２．５〜１０μｍである。フ
ィルムの厚みが小さすぎると、絶縁破壊強度や機械的強
度に劣る場合があり、また金属化、特に熱負けによるフ
ィルムの損傷が発生する場合がある。フィルムの厚みが
大きすぎると均一な厚みのフィルムを製膜することが困
難になり、またコンデンサー用の誘電体として用いた場
合、体積当たりの容量が小さくなるため好ましくない。

【００４２】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムはドデシルベンゼンに浸漬したときの重量変化率
が５〜１２％であることが好ましい。この重量変化率は
フィルムの膨潤性と対応しており、重量変化率が１２％
を越えるとコンデンサー素子に絶縁油を含浸する過程に
おいて、絶縁油の浸透経路である素子端部でのフィルム
の膨潤が大きく、浸透経路であるフィルム層間にある適
度な隙間が塞がれるので素子内部まで絶縁油が浸透する
ことが阻害され、絶縁油による耐コロナ性付与の効果が
充分に得られなくなるばかりか、膨潤によりコンデンサ
ー素子の誘電体となるフィルムに過度のストレスがかか
り、絶縁破壊強度が低下する場合がある。また、重量変
化率が５％未満では、フィルム表面と絶縁油との親和性
の低下から、フィルム層間への絶縁油の浸透速度が低下
し素子の内部まで均一に充填されなくなり、同様に絶縁
油による耐コロナ性付与の効果が充分に得られなくな
る。重量変化率の更に好ましい範囲は６〜１１％であ
り、最も好ましくは７〜１１％である。

【００４３】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムはドデシルベンゼンに浸漬したときのフィルムの
長手方向の寸法変化率が−１〜１％であることが好まし
い。フィルムの長手方向の寸法変化率が１％を越えると
コンデンサー素子に絶縁油を含浸する過程において、巻
き締まりが起こり、フィルム層間にある適度な隙間が塞
がれるので素子内部まで絶縁油が浸透することが阻害さ
れ、絶縁油による耐コロナ性付与の効果が充分に得られ
なくなる。また、フィルムの長手方向の寸法変化率が−
１％未満（すなわち−２％、−３％など）では、コンデ
ンサー素子内部でフィルムが部分的にたわみ、誘電損失
が悪化する。フィルムの長手方向の寸法変化率の更に好
ましい範囲は−０．８〜０．８％であり、最も好ましく
は−０．６〜０．６％である。

【００４４】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムはドデシルベンゼンに浸積したときのフィルムの
幅方向の寸法変化率が−２〜２％であることが好まし
い。フィルムの幅方向の寸法変化率が２％を越えるとメ
タリコンとの接触不良を起こし、誘電損失が悪化する。
また、フィルムの幅方向の寸法変化率が−２％未満（す
なわち−３％、−４％など）では、コンデンサー素子内
部でフィルムが部分的にたわみ、同様に誘電損失が悪化
する。フィルムの幅方向の寸法変化率の更に好ましい範
囲は−１．５〜１．５％であり、最も好ましくは−１〜
１％である。

【００４５】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムに金属層を形成して用いる場合は、金属層を形成
する面に、接着力を高めるためコロナ放電処理あるいは
プラズマ処理を行うことが好ましい。コロナ放電処理は
公知の方法を用いることができるが、処理をする際に雰
囲気ガスとして空気、炭酸ガス、窒素ガスおよびこれら
の混合ガス中での処理が好ましい。またプラズマ処理
は、種々の気体をプラズマ状態におき、フィルム表面を
化学変成させる方法を採用することができ、例えば特開
昭５９−９８１４０号公報に記載されている方法などが
ある。

【００４６】本発明のコンデンサーに誘電体として使用
する二軸配向されたポリプロピレンフィルムは、電極と
して用いる金属箔と共に巻回したものでもよく、電極と
して予め金属化を行ったものでもよいが、コンデンサー
素子の小型化のためには金属化を行い巻回したものがよ
り好ましい。

【００４７】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムに金属層を形成する場合の金属は特に限定される
ことはないが、アルミニウム、亜鉛、銅、錫、銀、ニッ
ケル等を単独または併用で使用するのが金属化層の耐久
性、生産性の点で好ましい。

【００４８】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムに金属層を形成する方法は、真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンビーム法等が挙げられるが、特に限
定されることはない。

【００４９】本発明において，金属化フィルムの膜抵抗
値は１〜４０Ω／□の範囲が好ましく採用される。より
好ましくは１．２〜３０Ω／□である。膜抵抗値が小さ
すぎると、蒸着膜の厚みが厚く蒸着時に熱負けが生じア
バタ状の表面欠点や４μｍ前後の薄いフィルムでは穴ア
キ等が発生することがある。膜抵抗値が大きすぎると誘
電正接が悪化し、交流課電時にコンデンサーの内部から
の発熱により長期耐圧が保たれなくなることがある。膜
抵抗値をこの範囲とするには、蒸着時の膜抵抗値のモニ
ターにより制御する方法が好ましく採用される。

【００５０】また本発明において二軸配向されたポリプ
ロピレンフィルムの片面に金属層を形成する場合でか
つ、フィルムの中心線平均表面粗さに表裏の面間に差が
ある場合は、より表面粗さの小さい面に金属層を形成す
ることが好ましい。こうすることにより、金属層の表面
欠点を最小限に抑えることができ、絶縁破壊強度や素子
ライフの向上につながる。

【００５１】本発明において、二軸配向されたポリプロ
ピレンフィルムに金属層を形成する時に設けられるマー
ジン（電気絶縁の目的で金属層を形成する面に設けられ
る金属層のない部分であり、以後絶縁溝部ということが
ある）の仕様は、通常タイプ以外にヒューズ機構を設け
た種々のものなど目的に応じて採用できるが、特に金属
層がフィルムの幅方向の一方の端部にフィルムの長手方
向に連続した絶縁溝部を設けて形成されると伴に、該金
属層が絶縁溝部によりフィルムの長手方向に複数個の島
状に分離され、かつフィルムの幅方向のもう一方の端部
の連続した金属層と隘路により接続されるように形成す
るとコンデンサーの連続使用後の容量変化を最小限に抑
えることができ好ましい。このような手法は、特に耐熱
交流回路用コンデンサーで好ましく用いられる。

【００５２】絶縁溝部を設ける手法は、レーザーマージ
ン法、オイルマージン法、テープマージン法等あり、特
に限定しないが、簡便なオイルマージン法が好ましく採
用される。

【００５３】本発明において二軸配向されたポリプロピ
レンフィルムに金属層を形成する場合のコンデンサーの
形式は、片面に金属層（マージン入り）を設けた２枚一
対のフィルムを合わせて巻き取り、それぞれの対となる
金属層を２つの外部取り出し電極（リード電極）に短絡
しないように接続する形式や、両面に金属層（マージン
入り）を設けたフィルムと金属層を設けない１枚以上の
フィルムを一対にして合わせて巻き取り、それぞれの対
となる金属層を２つの外部取り出し電極（リード電極）
に短絡しないように接続する形式等が挙げられるが、特
に限定されることはない。ここで、フィルムに設けられ
た金属層と外部取り出し電極とをメタリコンと呼ばれる
溶射金属を介して接続することが好ましく採用される。

【００５４】さらに本発明において二軸配向されたポリ
プロピレンフィルムに金属層を隘路付きで形成する場合
のコンデンサーの形式は、特に限定しないが、金属層が
フィルムの片面または両面のいずれの場合においても２
つの対となる金属層の一方の金属層が隘路付きであれ
ば、コンデンサーの連続使用後の容量変化を最小限に抑
えることができる。

【００５５】また本発明のコンデンサーの形式は、乾式
や、油浸式（油含浸式）等が挙げられ、目的に応じて採
用できるが、交流回路用コンデンサーでは油含浸タイプ
が好ましく用いられる。

【００５６】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムを誘電体として用いたフィルムコンデンサーの１
０５℃での交流絶縁破壊強度は単位厚み当たり２００Ｖ
／μｍ以上であることがより好ましい。ポリプロピレン
フィルムコンデンサーの定格電圧は通常４５〜５０Ｖ／
μｍであり、安全性を考慮してこの４倍以上の値が好ま
しいからである。さらに好ましくは２１０Ｖ／μｍ以上
である。フィルムコンデンサーの絶縁破壊強度をこの範
囲とするためにはコンデンサーへの加工時でのシワや傷
の発生を避けることなどが有効である。

【００５７】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムを誘電体として用いたフィルムコンデンサーの１
０５℃での単位厚み当たり６０Ｖ／μｍ（定格電圧の
１．２〜１．３倍）の交流電圧課電下での寿命は、コン
デンサーが装填された装置の保証期間の点で５００時間
以上であることが好ましく、さらに好ましくは１０００
時間以上である。寿命をこの範囲とするためには、適正
な量の酸化防止剤を添加すること、コンデンサーへの加
工時で１００℃程度の熱処理を行うこと、シワや傷の発
生を避けること、エポキシ樹脂包埋や樹脂やオイル含浸
の後金属缶内への封印など（外装）により外気との接触
を遮断することなどが有効である。

【００５８】次に本発明の二軸配向されたポリプロピレ
ンフィルムおよびそれを誘電体とするコンデンサーの製
造方法を以下に説明するが、必ずしもこれに限定される
ものではない。

【００５９】ポリプロピレン原料を押出機に供給し、加
熱溶融し、濾過フィルターを通した後、２２０〜３２０
℃の温度でスリット状口金から溶融押出し、５０〜８５
℃の温度に保たれたキャスティングドラムに巻き付けて
冷却固化せしめ、未延伸フィルムを作る。このときキャ
スティングドラム温度が高すぎるとフィルムの結晶化が
進行しすぎ後の工程での延伸が困難になったり、表面粗
さが大きくなりすぎる場合があり、５０℃未満では表面
粗さが小さくなりすぎる場合がある。また、キャストド
ラムへの密着方法としては静電印加法、水の表面張力を
利用した密着方法、エアーナイフ法、プレスロール法、
水中キャスト法などのうちいずれの手法を用いてもよい
が、本発明のポリプロピレンフィルムを得る手法として
は平面性が良好でかつ表面粗さの制御が可能なエアーナ
イフ法が有効である。特にフィルムの表面温度はキャス
トドラム面と反対の面でドラム表面と空気との冷却効率
の違いから異なる場合があり、本発明のフィルムに用い
る立体規則性の高いポリプロピレンでは結晶性が高いこ
とから表面温度の差異がフィルム表面の結晶化度の差異
となって現れ、平面性や両面の表面粗さの差に大きく影
響し、エアーナイフ法の使用時は吹き付けるエアーの温
度を制御することも重要である。本発明のフィルムを得
るためにはエアーナイフ法に用いる空気の温度を（（キ
ャストドラム温度）−７０℃）〜（（キャストドラム温
度）−２０℃）に設定することが好ましい。

【００６０】次にこの未延伸フィルムを二軸延伸し、二
軸配向せしめる。まず未延伸フィルムを１２０〜１５０
℃に保たれたロールに通して予熱し、引き続き該シート
を１４０℃〜１５０℃の温度に保ち周速差を設けたロー
ル間に通し、長手方向に２〜６倍に延伸し、ただちに室
温に冷却する。本発明のｍｍｍｍが９９％を越えるポリ
プロピレンフィルムは、予熱温度１３０℃以下、延伸温
度１４０℃以下では熱量が不足して延伸ムラを起こした
り破けて製膜できない場合があり、１４０℃を越える延
伸温度を採用することが重要である。

【００６１】引き続き該延伸フィルムをステンターに導
いて、１５５〜１６５℃の温度で幅方向に５〜１５倍に
延伸し、次いで幅方向に２〜２０％の弛緩を与えつつ、
１５０〜１６０℃の温度で熱固定して巻取る。

【００６２】その後、蒸着を施す面に蒸着金属の接着性
を良くするために、空気中、窒素中、炭酸ガス中あるい
はこれらの混合気体中でコロナ放電処理を行いワインダ
ーで巻取る。

【００６３】得られたフィルムを真空蒸着装置にセット
し、目的に応じた絶縁溝部を形成するためグラビアコー
ターなどを用いて、オイルをフィルムに塗布し、その
後、目的に応じた金属を、所定の膜抵抗に蒸着する。こ
の蒸着フィルムをスリットし、コンデンサー素子を作る
ための２リール一対の蒸着リールとする。この後、素子
状に巻回し、熱プレスして扁平状に成形し、端部の金属
溶射（メタリコン工程）、リード取り出し、必要に応じ
て絶縁油を含浸し、外装を経てコンデンサーとする。

【００６４】本発明の二軸配向されたポリプロピレンフ
ィルムは、上記コンデンサー用途以外に、耐熱性を生か
して、蒸着、印刷、ラミネート、ヒートシールなどの加
工時の熱による変形を抑えることができるため、種々の
包装用途として、例えばこれにヒートシール層とラミネ
ートして使用でき、また粘着テープやつや出しフィルム
（プリントラミネート）などとしても好適に用いること
ができる。

【００６５】本発明における特性値の測定方法、並びに
評価方法は次のとおりである。 （１）アイソタクチシティ（アイソタクチックインデッ
クス：ＩＩ） 試料を６０℃以下の温度のｎ−ヘプタンで２時間抽出
し、ポリプロピレンへの添加物を除去する。その後１３
０℃で２時間真空乾燥する。これから重量Ｗ（ｍｇ）の
試料をとり、ソックスレー抽出器に入れ沸騰ｎ−ヘプタ
ンで１２時間抽出する。次に、この試料を取り出しアセ
トンで十分洗浄した後、１３０℃で６時間真空乾燥しそ
の後常温まで冷却し、重量Ｗ’（ｍｇ）を測定し、次式
で求めた。

【００６６】ＩＩ＝（Ｗ’／Ｗ）×１００（％）

【００６７】（２）アイソタクチックペンタッド分率 試料をｏ−ジクロロベンゼンに溶解し、ＪＥＯＬ製ＪＮ
Ｍ−ＧＸ２７０装置を用い、共鳴周波数６７．９３ＭＨ
ｚで¹³Ｃ−ＮＭＲを測定した。得られたスペクトルの帰
属およびペンタッド分率の計算については、Ｔ．Ｈａｙ
ａｓｈｉらが行った方法［Ｐｏｌｙｍｅｒ，２９，１３
８〜１４３（１９８８）］に基づき、メチル基由来のス
ペクトルについて、ｍｍｍｍｍｍピークを２１．８５５
ｐｐｍとして各ピークの帰属を行い、ピーク面積を求め
てメチル基由来全ピーク面積に対する比率を百分率で表
示した。詳細な測定条件は以下のとおりである。

【００６８】測定溶媒 ：ｏ−ジクロロベンゼン（９０
ｗｔ％）／ベンゼン−Ｄ₆（１０ｗｔ％） 試料濃度 ：１５〜２０ｗｔ％ 測定温度 ：１２０〜１３０℃ 共鳴周波数：６７．９３ＭＨｚ パルス幅 ：１０μｓｅｃ（４５゜パルス） パルス繰り返し時間：７．０９１ｓｅｃ データ点 ：３２Ｋ 積算回数 ：８１６８ 測定モード：ノイズデカップリング

【００６９】（３）中心線平均表面粗さ、最大粗さ（以
下それぞれ、Ｒａ、Ｒｔとする） ＪＩＳ−Ｂ０６０１に従って、触針式表面粗さ計を用い
て測定した。なお、小坂研究所（株）製、高精度薄膜段
差測定器（型式：ＥＴ−１０）を使用し、触針径円錐型
０．５μｍＲ、荷重５ｍｇ、カットオフは０．０８ｍｍ
とした。

【００７０】（４）△ｄの測定 十枚重ねマイクロメーター法フィルム厚み（ｄ（ＭＭ
Ｖ）（μｍ））はＪＩＳ−Ｂ７５０２に準拠し測定し
た。なお、測定力は７００±１００ｇｆ、最小表示量が
０．０００１ｍｍのマイクロメーターを用い、フィルム
を１０枚重ねて測定した値を１０で除してｄ（ＭＭＶ）
（μｍ）とした。また、重量法フィルム厚み（ｄ（ＷＭ
Ｖ）（μｍ））はフィルムを１０ｃｍ角に切り出し、メ
トラー社製電子天秤にて測定した重量Ｗ（ｇ）より、下
記式で求めた。

【００７１】ｄ（ＷＭＶ）＝１００ × Ｗ／ρ ［ここで、ｄ（ＷＭＶ）は重量法フィルム厚み（μ
ｍ）、Ｗは１０ｃｍ角のフィルム重量（ｇ）、ρはフィ
ルムの密度（ｇ／ｃｍ３）であり、ρはＪＩＳ−Ｋ−７
１１２−Ｄ法に準じて、エタノール−水系密度勾配管で
２３±０．５℃で測定した］ 次に求めたｄ（ＭＭＶ）とｄ（ＷＭＶ）を用いて下記式
により△ｄ（μｍ）算出した。

【００７２】△ｄ＝ｄ（ＭＭＶ）−ｄ（ＷＭＶ）

【００７３】（５）熱収縮率 フィルムを機械方向と幅方向にそれぞれ縦２６０ｍｍ、
横１０ｍｍにサンプリングし、両端から３０ｍｍのとこ
ろにマークを入れて、原寸（Ｌ0：２００ｍｍ）とす
る。このサンプルの下端に３ｇの加重をかけ、１２０℃
のオーブン中につるし１５分間熱処理する。その後サン
プルを取り出し、マークした長さ（Ｌ1）を測定し、次
式により熱収縮率を算出し、機械方向と幅方向の和を熱
収縮率とした。

【００７４】 熱収縮率＝［（Ｌ0−Ｌ1）／Ｌ0］×１００（％）

【００７５】（６）灰分 ＪＩＳ−Ｃ−２３３０に準ずる。初期重量Ｗ０の二軸配
向ポリプロピレンフィルムを、白金坩堝に入れ、まずガ
スバーナーで十分に燃やした後、７５０〜８００℃の電
気炉で、約１時間処理して完全灰化し、得られた灰の重
量Ｗ１を測定し、下式から求めた。

【００７６】 灰分＝（Ｗ１／Ｗ０）×１００００００（ｐｐｍ） Ｗ０：初期重量（ｇ） Ｗ１：灰化重量（ｇ）

【００７７】（７）絶縁欠陥試験 ＪＩＳ−Ｃ−２３３０に準じ、十枚重ねマイクロメータ
ー法でのフィルム厚み７．５μｍのフィルムを下記評価
基準で判定した。

【００７８】 ○：絶縁欠陥数が２個以下 △：絶縁欠陥数が３〜５個 ×：絶縁欠陥数が６個以上（コンデンサー用フィルムと
して使用不可） 本発明において○および△を合格とする。

【００７９】（８）素子絶縁破壊強度 熱風オーブン中１０５℃に保持されたコンデンサー素子
を、春日電気（株）製交流高圧安定化電源（周波数６０
Ｈｚ）に接続し、２００Ｖ／秒の速度で昇圧しながら電
圧を印加し、素子が破壊された時の電圧を求め、１０素
子測定した平均値を素子絶縁破壊強度とし、下記評価基
準で判定した。

【００８０】 ○：２００Ｖ／μｍ以上 △：１５０Ｖ／μｍ以上２００Ｖ／μｍ未満 ×：１５０Ｖ／μｍ未満 本発明において○および△を合格とする。

【００８１】（９）素子ライフテスト フィルム厚み当たり６０Ｖ／μｍの交流電圧（周波数６
０Ｈｚ）をコンデンサー素子に印加し、１０５℃の雰囲
気で素子が破壊するまでの時間を測定し、下記評価基準
で判定した。

【００８２】 ○：５００時間以上 △：４００時間以上５００時間未満 ×：４００時間未満 本発明において○および△を合格とする。

【００８３】（１０）ドデシルベンゼン浸漬後の重量変
化率、寸法変化率 フィルムサンプルを無荷重下、ドデシルベンゼン中で１
００℃、８時間処理後、室温中で１６時間かけて自然放
冷するサイクルを３回行い、フィルムの各変化率を次式
（２）（３）により求めた。ここで寸法変化率はフィル
ムの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の２種類を測定
した。なお、同じサンプルを５個測定し、その平均値を
測定値とした。

【００８４】 重量変化率（％）＝（Ｊ₀−Ｊ₁）／Ｊ₀ × １００ （２） 寸法変化率（％）＝（Ｍ₀−Ｍ₁）／Ｍ₀ × １００ （３） （ここでＪ₀とＪ₁はそれぞれドデシルベンゼンに浸漬前
と浸漬後のフィルムサンプルの重量であり、Ｍ₀とＭ₁は
それぞれドデシルベンゼンに浸漬前と浸漬後のフィルム
サンプルの寸法である）。

【００８５】（１１）耐コロナ性評価 フィルム厚み当たり３０Ｖ／μｍの交流電圧（周波数６
０Ｈｚ）をコンデンサー素子に１０５℃の雰囲気で５０
０時間印加し、素子の容量変化率を式（４）に基づき求
め、以下のように評価した。

【００８６】 容量変化率（％）＝（Ｃ₁−Ｃ₀）／Ｃ₀ × １００ （４） （ここで、Ｃ₀は印加前のコンデンサー素子の容量であ
り、Ｃ₁は印加後のコンデンサー素子の容量である） ○：容量変化率＜５％ 耐コロナ性良好 △：５％≦容量変化率≦１０％ 耐コロナ性に問題のないレベル ×：１０％＜容量変化率 耐コロナ性不良 本発明において○および△を合格とする。

【００８７】

【実施例】本発明を実施例、比較例に基づいて以下に詳
細に説明する。

【００８８】（実施例１）ＩＩが９９．１％、ｍｍｍｍ
が９９．７％、灰分が２１ｐｐｍ、メルトフローレート
が４．２ｇ／１０分のポリプロピレン原料に２，６−ジ
−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（ＢＨＴ）３０００ｐｐ
ｍ、テロラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン
（Irganox1010）４０００ｐｐｍを添加したものを押出
機に供給して２８０℃の温度で溶融し、Ｔ型口金からシ
ート状に押出成形し、８０℃の温度のキャスティングド
ラムにエアーナイフ法を使用し、エアー温度２５℃にて
巻き付けて冷却固化した。次いで、該シートを１４３℃
で予熱し、引き続き１４８℃の温度に保ち周速差を設け
たロール間に通し、長手方向に４．８倍に延伸した。引
き続き該フィルムをテンターに導き、１６１℃の温度で
幅方向に１１倍延伸し、次いで幅方向に１０％の弛緩を
与えながら１５０℃で熱処理を行ない７．５０μｍの厚
みの二軸配向ポリプロピレンフィルムを得た。さらに３
０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２の処理強度で大気中でコロナ放電処
理を行った。得られたフィルムのＩＩは９９．０％、ｍ
ｍｍｍは９９．６％であった。

【００８９】このフィルムを真空蒸着機にセットし、銅
を核付け金属とし、コロナ処理面に亜鉛を膜抵抗が４．
０Ω／□になるように蒸着した。このとき、オイルマー
ジン法によりスリット後に図１の如く金属層１を幅方向
の一方の端部に絶縁溝部２（マージン部：幅方向の長さ
１ｍｍ）を設けられるように蒸着を行った。このフィル
ムをスリットし、全幅３８ｍｍの金属化フィルムを得
た。得られたフィルム一対２リールを用いて素子巻し、
素子の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出し
て容量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られた
ポリプロピレンフィルムとコンデンサー素子についての
評価結果を表１にまとめた。

【００９０】（比較例１）ＩＩが９８．０％、ｍｍｍｍ
が９９．２％、灰分が２１ｐｐｍ、メルトフローレート
が３．１ｇ／１０分のポリプロピレン原料を用い、キャ
ストドラム温度を８５℃にした以外は実施例１と同様の
方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９７．８％、ｍ
ｍｍｍは９９．１％）とコンデンサー素子を得た。得ら
れたポリプロピレンフィルムとコンデンサー素子につい
ての評価結果を表１にまとめた。

【００９１】（比較例２）ＩＩが９９．８％、ｍｍｍｍ
が９９．９％、灰分が１２ｐｐｍ、メルトフローレート
が２．４ｇ／１０分のポリプロピレン原料を用い、比較
例１と同様の方法でポリプロピレンフィルムの作製を試
みたが、幅方向の延伸後でフィルム破れが頻発し、安定
してフィルムを採取することができなかった。破れずに
採取できたフィルムのＩＩは９９．７％、ｍｍｍｍは９
９．９％であった。

【００９２】（比較例３）ＩＩが９８．４％、ｍｍｍｍ
が９８．９％、灰分が２１ｐｐｍ、メルトフローレート
が３．９ｇ／１０分のポリプロピレン原料を用い、比較
例１と同様の方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９
８．２％、ｍｍｍｍは９８．５％）とコンデンサー素子
を得た。得られたポリプロピレンフィルムとコンデンサ
ー素子についての評価結果を表１にまとめた。

【００９３】（比較例４）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、キャストドラム温度を９０℃にした以外
は実施例１と同様の方法でポリプロピレンフィルム（Ｉ
Ｉは９９．０％、ｍｍｍｍは９９．６％）とコンデンサ
ー素子を得た。得られたポリプロピレンフィルムとコン
デンサー素子についての評価結果を表１にまとめた。

【００９４】（比較例５）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、キャストドラム温度を３０℃にした以外
は実施例１と同様の方法でポリプロピレンフィルム（Ｉ
Ｉは９９．０％、ｍｍｍｍは９９．６％）とコンデンサ
ー素子を得た。得られたポリプロピレンフィルムとコン
デンサー素子についての評価結果を表１にまとめた。

【００９５】（実施例２）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、キャストドラム温度を７０℃にした以外
は実施例１と同様の方法でポリプロピレンフィルム（Ｉ
Ｉは９９．０％、ｍｍｍｍは９９．６％）とコンデンサ
ー素子を得た。得られたポリプロピレンフィルムとコン
デンサー素子についての評価結果を表１にまとめた。

【００９６】（実施例３）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、キャストドラム温度を８０℃、エアーナ
イフのエアー温度を０℃にした以外は実施例１と同様の
方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９９．０％、ｍ
ｍｍｍは９９．６％）とコンデンサー素子を得た。得ら
れたポリプロピレンフィルムとコンデンサー素子につい
ての評価結果を表１にまとめた。

【００９７】（実施例４）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、キャストドラム温度を７０℃、エアーナ
イフのエアー温度を５０℃にした以外は実施例１と同様
の方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９９．０％、
ｍｍｍｍは９９．６％）とコンデンサー素子を得た。得
られたポリプロピレンフィルムとコンデンサー素子につ
いての評価結果を表１にまとめた。

【００９８】（実施例５）実施例１と同じポリプロピレ
ン原料を用い、エアーナイフ使用しなかった以外は実施
例１と同様の方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９
９．０％、ｍｍｍｍは９９．６％）とコンデンサー素子
を得た。なお、実施例５の製膜時フィルムの幅方向にカ
ールが生じ横延伸時にクリップはずれが時折起こり、収
率が低下した。得られたポリプロピレンフィルムとコン
デンサー素子についての評価結果を表１にまとめた。

【００９９】（実施例６）実施例１に用いたポリプロピ
レン原料と比較例１に用いたポリプロピレン原料を１：
２にドライブレンドした原料を用いた以外は実施例１と
同様の方法でポリプロピレンフィルム（ＩＩは９８．６
％、ｍｍｍｍは９９．２％）とコンデンサー素子を得
た。得られたポリプロピレンフィルムとコンデンサー素
子についての評価結果を表１にまとめた。

【０１００】（実施例７）実施例１で用いたフィルムを
真空蒸着機にセットし、銅を核付け金属とし、コロナ処
理面に亜鉛を膜抵抗が４．０Ω／□になるように蒸着し
た。このとき、オイルマージン法によりスリット後に図
２の如く金属層１がフィルムの幅方向の一方の端部にフ
ィルムの長手方向に連続した絶縁溝部２（マージン部：
幅方向の長さ１ｍｍ）を設けて形成されるとともに、該
金属層１が絶縁溝部３（長手方向の幅１ｍｍ）によりフ
ィルムの長手方向に複数個の島状に分離されるように長
手方向の間隔３０ｍｍごとに設け、かつフィルムの幅方
向のもう一方の端部の連続した金属層（幅１ｍｍ）と隘
路４（長手方向、幅方向ともに１ｍｍ）により接続され
るように蒸着を行った。このフィルムをスリットし、全
幅３８ｍｍの金属化フィルムを得た。得られたフィルム
と実施例１で用いた金属化フィルムを一対として用いて
素子巻し、素子の端面に金属溶射し、ここからリード線
を取り出して容量５μＦのコンデンサー素子を作成し
た。得られたコンデンサー素子をクリスタリンワックス
で含浸し得られたコンデンサーの評価結果を表２にまと
めた。

【０１０１】（実施例８）実施例２の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金属
化フィルムを作成し、得られたフィルムと実施例２で用
いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素子
の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して容
量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコン
デンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られた
コンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０２】（実施例９）実施例３の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金属
化フィルムを作成し、得られたフィルムと実施例３で用
いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素子
の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して容
量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコン
デンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られた
コンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０３】（実施例１０）実施例５の二軸配向ポリプ
ロピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金
属化フィルムを作成し、得られたフィルムと実施例５で
用いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素
子の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して
容量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコ
ンデンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られ
たコンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０４】（実施例１１）実施例６の二軸配向ポリプ
ロピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金
属化フィルムを作成し、得られたフィルムと実施例６で
用いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素
子の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して
容量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコ
ンデンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られ
たコンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０５】（実施例１２）実施例１で用いた金属化フ
ィルムを一対２リールとして用いた以外は、実施例８と
同様にコンデンサーを作成した。得られたコンデンサー
の評価結果を表２にまとめた。

【０１０６】（比較例６）比較例１の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金属
化フィルムを作成し、得られたフィルムと比較例１で用
いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素子
の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して容
量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコン
デンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られた
コンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０７】（比較例７）比較例４の二軸配向ポリプロ
ピレンフィルムを用いた以外は、実施例７と同様に金属
化フィルムを作成し、得られたフィルムと比較例４で用
いた金属化フィルムを一対として用いて素子巻し、素子
の端面に金属溶射し、ここからリード線を取り出して容
量５μＦのコンデンサー素子を作成した。得られたコン
デンサー素子をクリスタリンワックスで含浸し得られた
コンデンサーの評価結果を表２にまとめた。

【０１０８】

【表１】

【表２】

【０１０９】

【発明の効果】本発明によれば、耐熱性および耐絶縁破
壊特性に優れ、絶縁欠陥の少なく、絶縁油に浸漬したと
きのフィルム層間への絶縁油の浸透性と耐膨潤性に優れ
た二軸配向ポリプロピレンフィルム、およびこのポリプ
ロピレンフィルムを誘電体として用いた耐熱性、耐絶縁
破壊特性、耐コロナ性、長期耐熱耐用性に優れたコンデ
ンサーを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による片面に金属層を設けた
ポリプロピレンフィルムの平面図である。

【図２】本発明の一実施例による片面に金属層を設け、
電極を島状に分離したポリプロピレンフィルムの平面図
である。

【符号の説明】

１．金属層（内部電極） ２．絶縁溝部（マージン部） ３．絶縁溝部（電極を島状に分離） ４．隘路

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｃ０８Ｌ 23:02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】二軸配向したポリプロピレンフィルムであ
   って、該フィルムのアイソタクチシティが９８〜９９．
   ５％であり、アイソタクチックペンタッド分率が９９％
   を越え、両面の中心線平均表面粗さがいずれも０．０１
   〜０．４μｍであることを特徴とするポリプロピレンフ
   ィルム。
2. 【請求項２】下記式（１）で定義されるフィルム厚みの
   測定方法による差（△ｄ）が０．０１〜０．５μｍであ
   ることを特徴とする請求項１に記載のポリプロピレンフ
   ィルム。 △ｄ＝ｄ（ＭＭＶ）−ｄ（ＷＭＶ） （１） ［ここでｄ（ＭＭＶ）は１０枚重ねマイクロメーター法
   フィルム厚み（μｍ）であり、ｄ（ＷＭＶ）は重量法フ
   ィルム厚み（μｍ）である］
3. 【請求項３】ドデシルベンゼンに浸漬したときの重量変
   化率が５〜１２％であることを特徴とする請求項１また
   は２のいずれかに記載のポリプロピレンフィルム。
4. 【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれかに記載のポ
   リプロピレンフィルムを誘電体として用いたコンデンサ
   ー。
5. 【請求項５】フィルム表面の少なくとも片面に内部電極
   として金属層を設けたことを特徴とする請求項４記載の
   ポリプロピレンフィルムを誘電体として用いたコンデン
   サー。
6. 【請求項６】金属層がフィルムの幅方向の一方の端部に
   フィルムの長手方向に連続した絶縁溝部を設けて形成さ
   れるとともに、該金属層が絶縁溝部によりフィルムの長
   手方向に複数個の島状に分離され、かつフィルムの幅方
   向のもう一方の端部の連続した金属層と隘路により接続
   されたことを特徴とする請求項５記載のポリプロピレン
   フィルムを誘電体として用いたコンデンサー。
7. 【請求項７】金属層が設けられたフィルムが巻回され、
   フィルム層間が絶縁油で含浸されてなる請求項５または
   請求項６いずれかに記載のポリプロピレンフィルムを誘
   電体として用いたコンデンサー。
8. 【請求項８】請求項５〜請求項７のいずれかに記載のポ
   リプロピレンフィルムを誘電体として用いた耐熱交流回
   路用コンデンサー。