JPH10157010A - 積層体の熱処理方法 - Google Patents
積層体の熱処理方法Info
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- JPH10157010A JPH10157010A JP8319057A JP31905796A JPH10157010A JP H10157010 A JPH10157010 A JP H10157010A JP 8319057 A JP8319057 A JP 8319057A JP 31905796 A JP31905796 A JP 31905796A JP H10157010 A JPH10157010 A JP H10157010A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＩチップを直接実装する際の熱膨張によ
る位置ずれが小さく、表面実装部品の熱膨張係数に応じ
た積層体を提供する。 【解決手段】 光学的に異方性の溶融相を形成し得るポ
リマーのフィルムと金属箔とからなる積層体をその表面
への実装部品の装着前に熱処理することによって、該積
層体を構成するフィルムの熱膨張係数を実装部品のそれ
と実質的に同じにする。
る位置ずれが小さく、表面実装部品の熱膨張係数に応じ
た積層体を提供する。 【解決手段】 光学的に異方性の溶融相を形成し得るポ
リマーのフィルムと金属箔とからなる積層体をその表面
への実装部品の装着前に熱処理することによって、該積
層体を構成するフィルムの熱膨張係数を実装部品のそれ
と実質的に同じにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層体の熱処理方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子・電気工業分野において機器
の小型化、軽量化の要求からフレキシブルプリント配線
板（ＦＰＣ）の需要が増大しつつある。また、ＬＳＩの
集積化、多ピン化に伴い、従来のＬＳＩパッケージの積
層板上への実装から一歩進んで、ＬＳＩチップの積層板
上への直接実装の要求が高まりつつあり、それにともな
ってＦＰＣの寸法精度に対する要求も一段と高まってい
る。
の小型化、軽量化の要求からフレキシブルプリント配線
板（ＦＰＣ）の需要が増大しつつある。また、ＬＳＩの
集積化、多ピン化に伴い、従来のＬＳＩパッケージの積
層板上への実装から一歩進んで、ＬＳＩチップの積層板
上への直接実装の要求が高まりつつあり、それにともな
ってＦＰＣの寸法精度に対する要求も一段と高まってい
る。
【０００３】従来より行われている積層板の一般的な製
法は、基材となる絶縁層フィルムのすくなくとも一方の
面に銅箔などの金属箔を積層した後、電気回路を形成す
るというものである。絶縁層フィルムとしては、ポリイ
ミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムな
どが多用されているが、ＦＰＣへの部品の実装時におけ
るハンダ耐熱性が優れているという理由から、液晶性ポ
リマーのフィルムが絶縁層フィルムとして注目されてい
る。
法は、基材となる絶縁層フィルムのすくなくとも一方の
面に銅箔などの金属箔を積層した後、電気回路を形成す
るというものである。絶縁層フィルムとしては、ポリイ
ミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムな
どが多用されているが、ＦＰＣへの部品の実装時におけ
るハンダ耐熱性が優れているという理由から、液晶性ポ
リマーのフィルムが絶縁層フィルムとして注目されてい
る。
【０００４】しかしながら、このような液晶性ポリマー
のフィルムを絶縁層フィルムとして用いた場合でも、こ
れと金属箔との積層体上に熱圧着によって例えば液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）のパネルを接続しようとした場
合、従来の積層体では熱膨張係数が該パネルと比べて大
きいために、位置ずれが起きやすいという問題があっ
た。
のフィルムを絶縁層フィルムとして用いた場合でも、こ
れと金属箔との積層体上に熱圧着によって例えば液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）のパネルを接続しようとした場
合、従来の積層体では熱膨張係数が該パネルと比べて大
きいために、位置ずれが起きやすいという問題があっ
た。
【０００５】この点を解決するものとして、絶縁層と金
属箔の熱膨張係数を従来のものよりも小さくすること
で、ＬＣＤパネル等とのボンディング時の熱膨張による
位置ずれを小さくした積層体が提案されている（特開平
６−９７６１５号公報）。しかしながら、この方法で
は、金属箔の材質が特定のものに制限されるので、汎用
性に欠けるだけでなく、ＬＣＤパネル以外の表面実装部
品を接続しようとすると積層体との熱膨張係数が異なる
ために、依然として位置ずれが発生するという問題があ
る。
属箔の熱膨張係数を従来のものよりも小さくすること
で、ＬＣＤパネル等とのボンディング時の熱膨張による
位置ずれを小さくした積層体が提案されている（特開平
６−９７６１５号公報）。しかしながら、この方法で
は、金属箔の材質が特定のものに制限されるので、汎用
性に欠けるだけでなく、ＬＣＤパネル以外の表面実装部
品を接続しようとすると積層体との熱膨張係数が異なる
ために、依然として位置ずれが発生するという問題があ
る。
【０００６】一方、液晶性ポリマーのフィルムと金属箔
とから積層体を製造する場合は、複数枚の積層体が同時
に真空プレス装置で熱圧着されるので、温度分布の違い
によって積層体間で熱膨張係数に差が生じることにな
り、得られる積層体のすべてについて表面に実装される
部品と同じ熱膨張係数にするのは困難である。したがっ
て、このようにして製造された積層体に電気配線パター
ンを形成したのちに、熱圧着によってＬＳＩチップを接
続させようとした場合、積層体間における熱膨張係数の
差がＬＳＩチップ間におけるそれに比べて大きいため
に、熱圧着時に電気配線パターンに寸法変化が起こり、
ＬＳＩチップとの位置ずれによる不良が起こりやすいと
いう欠点がある。
とから積層体を製造する場合は、複数枚の積層体が同時
に真空プレス装置で熱圧着されるので、温度分布の違い
によって積層体間で熱膨張係数に差が生じることにな
り、得られる積層体のすべてについて表面に実装される
部品と同じ熱膨張係数にするのは困難である。したがっ
て、このようにして製造された積層体に電気配線パター
ンを形成したのちに、熱圧着によってＬＳＩチップを接
続させようとした場合、積層体間における熱膨張係数の
差がＬＳＩチップ間におけるそれに比べて大きいため
に、熱圧着時に電気配線パターンに寸法変化が起こり、
ＬＳＩチップとの位置ずれによる不良が起こりやすいと
いう欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＬＳＩチッ
プを直接実装する際の熱膨張による位置ずれが小さく、
表面実装部品の熱膨張係数に応じた積層体を簡単な方法
で提供することを目的とする。
プを直接実装する際の熱膨張による位置ずれが小さく、
表面実装部品の熱膨張係数に応じた積層体を簡単な方法
で提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、絶縁層フィルムと
して光学的異方性の溶融相を形成し得るポリマーを用
い、金属箔と熱圧着した積層体の状態で熱処理すること
によって、表面実装部品の熱膨張係数に応じた値にでき
ることを見出し、本発明に到達した。
を達成するために鋭意研究した結果、絶縁層フィルムと
して光学的異方性の溶融相を形成し得るポリマーを用
い、金属箔と熱圧着した積層体の状態で熱処理すること
によって、表面実装部品の熱膨張係数に応じた値にでき
ることを見出し、本発明に到達した。
【０００９】すなわち、本発明は、光学的に異方性の溶
融相を形成し得るポリマーのフィルムと金属箔とからな
る積層体をその表面への実装部品の装着前に熱処理する
ことによって、該積層体を構成するフィルムの熱膨張係
数を実装部品のそれと実質的に同じにすることを特徴と
する積層体の熱処理方法に関する。
融相を形成し得るポリマーのフィルムと金属箔とからな
る積層体をその表面への実装部品の装着前に熱処理する
ことによって、該積層体を構成するフィルムの熱膨張係
数を実装部品のそれと実質的に同じにすることを特徴と
する積層体の熱処理方法に関する。
【００１０】本発明方法を適用することにより、ＬＳＩ
などのチップを実装する場合、チップの熱膨張係数に合
わせて所望の熱膨張係数となるように、予め積層体を熱
処理することでチップとのボンディング時の加熱による
基板との寸法差が生じにくくできるので、精度の高いボ
ンディングが可能であり、多ピン化やファインピッチ化
が達成できる。
などのチップを実装する場合、チップの熱膨張係数に合
わせて所望の熱膨張係数となるように、予め積層体を熱
処理することでチップとのボンディング時の加熱による
基板との寸法差が生じにくくできるので、精度の高いボ
ンディングが可能であり、多ピン化やファインピッチ化
が達成できる。
【００１１】本発明によれば、積層体を熱処理すること
により、該積層体を構成するフィルムの熱膨張係数を、
積層体の表面に装着される実装部品の熱膨張係数がＰ×
１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であるときに、（Ｐ−３）×１０
-6ｃｍ／ｃｍ／℃から（Ｐ＋３）×１０-6ｃｍ／ｃｍ／
℃の範囲の値にすることができる。
により、該積層体を構成するフィルムの熱膨張係数を、
積層体の表面に装着される実装部品の熱膨張係数がＰ×
１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であるときに、（Ｐ−３）×１０
-6ｃｍ／ｃｍ／℃から（Ｐ＋３）×１０-6ｃｍ／ｃｍ／
℃の範囲の値にすることができる。
【００１２】本発明においては、光学的に異方性の溶融
相を形成し得るポリマーフィルムが用いられる。このよ
うなポリマーのフィルムとしては、例えば、サーモトロ
ピック液晶ポリエステル及びサーモトロピック液晶ポリ
エステルアミド等の樹脂のフィルムが挙げられる。これ
らのポリマーフィルムの線膨張係数は、共重合組成、製
造方法によっても変化するが、フィルムの耐熱性、加工
性等の観点から、２００〜４００℃、特に２５０〜３５
０℃の範囲内に光学的に異方性の溶融相への転移温度を
有していることが好ましい。
相を形成し得るポリマーフィルムが用いられる。このよ
うなポリマーのフィルムとしては、例えば、サーモトロ
ピック液晶ポリエステル及びサーモトロピック液晶ポリ
エステルアミド等の樹脂のフィルムが挙げられる。これ
らのポリマーフィルムの線膨張係数は、共重合組成、製
造方法によっても変化するが、フィルムの耐熱性、加工
性等の観点から、２００〜４００℃、特に２５０〜３５
０℃の範囲内に光学的に異方性の溶融相への転移温度を
有していることが好ましい。
【００１３】本発明において用いることができるサーモ
トロピック液晶ポリマーの例として、以下に例示する
（１）〜（３）の化合物から誘導される公知の液晶ポリ
マーを挙げることができる。
トロピック液晶ポリマーの例として、以下に例示する
（１）〜（３）の化合物から誘導される公知の液晶ポリ
マーを挙げることができる。
【００１４】（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化
合物
合物
【化１】
【００１５】（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸
【化２】
【００１６】（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸
【化３】
【００１７】上記の原料化合物から得られる液晶ポリマ
ーの代表例は、以下に示す構造単位を有する共重合体
（ａ）〜（ｅ）である。
ーの代表例は、以下に示す構造単位を有する共重合体
（ａ）〜（ｅ）である。
【化４】
【００１８】本発明において、液晶ポリマーは押出成形
法によってフィルム化することができる。押出成形の方
法には特に制限はなく、任意の方法が使用できるが、周
知のＴダイ法、インフレーション法などが工業的に有利
である。
法によってフィルム化することができる。押出成形の方
法には特に制限はなく、任意の方法が使用できるが、周
知のＴダイ法、インフレーション法などが工業的に有利
である。
【００１９】本発明において使用されるフィルムの厚さ
に特に制限はないが、１０〜１５０μｍの範囲内にある
ことが好ましく、１２〜７５μｍの範囲内がより好まし
い。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛
性や強度が小さくなるため、得られる積層体に部品を実
装する際に加圧により変形して、配線の位置精度が悪く
なり、不良の原因となる。なお、フィルムには滑剤、酸
化防止剤などの添加剤が配合されていてもよい。
に特に制限はないが、１０〜１５０μｍの範囲内にある
ことが好ましく、１２〜７５μｍの範囲内がより好まし
い。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛
性や強度が小さくなるため、得られる積層体に部品を実
装する際に加圧により変形して、配線の位置精度が悪く
なり、不良の原因となる。なお、フィルムには滑剤、酸
化防止剤などの添加剤が配合されていてもよい。
【００２０】本発明において用いられる金属箔の材質と
しては、電気的接続に使用されるような金属が好適であ
り、銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどが用
いられる。銅箔は圧延法、電気分解法などによって製造
されるいずれのものでも使用することができるが、表面
粗さの大きい電気分解法によって製造されるものが好ま
しい。金属箔には、銅箔に対して通常施される酸洗浄な
どの化学的な表面が施されていてもよい。使用する金属
箔の厚さとしては、１０〜１５０μｍの範囲内が好まし
く、１５〜１５０μｍの範囲内がより好ましい。
しては、電気的接続に使用されるような金属が好適であ
り、銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどが用
いられる。銅箔は圧延法、電気分解法などによって製造
されるいずれのものでも使用することができるが、表面
粗さの大きい電気分解法によって製造されるものが好ま
しい。金属箔には、銅箔に対して通常施される酸洗浄な
どの化学的な表面が施されていてもよい。使用する金属
箔の厚さとしては、１０〜１５０μｍの範囲内が好まし
く、１５〜１５０μｍの範囲内がより好ましい。
【００２１】本発明の方法においては、液晶ポリマーか
らなるフィルムを、その少なくとも一方の面に金属箔と
積層させた状態で加熱することにより該フィルムの熱膨
張係数を変化させることができる。
らなるフィルムを、その少なくとも一方の面に金属箔と
積層させた状態で加熱することにより該フィルムの熱膨
張係数を変化させることができる。
【００２２】本発明において用いられる積層体は、液晶
ポリマーのフィルムの少なくともＩ層と金属箔の少なく
とも１層とから構成されていさえすれば必ずしも２層構
造である必要はなく、例えば金属箔／フィルム／金属
箔、フィルム／金属箔／フィルムまたはフィルム／フィ
ルム／金属箔のような３層構造を有していても、あるい
は金属箔／フィルム／金属箔／フィルム／金属箔のよう
な５層構造であってもよい。
ポリマーのフィルムの少なくともＩ層と金属箔の少なく
とも１層とから構成されていさえすれば必ずしも２層構
造である必要はなく、例えば金属箔／フィルム／金属
箔、フィルム／金属箔／フィルムまたはフィルム／フィ
ルム／金属箔のような３層構造を有していても、あるい
は金属箔／フィルム／金属箔／フィルム／金属箔のよう
な５層構造であってもよい。
【００２３】液晶ポリマーのフィルムと金属箔との積層
体の製造には、エポキシ系接着剤等を用いて接着させる
方法、および蒸着、スパッタリング、メッキなどにより
フィルム上に金属箔を直接形成させる方法のほか、真空
プレス装置等を用いて熱圧着させる方法等を採用するこ
とができる。
体の製造には、エポキシ系接着剤等を用いて接着させる
方法、および蒸着、スパッタリング、メッキなどにより
フィルム上に金属箔を直接形成させる方法のほか、真空
プレス装置等を用いて熱圧着させる方法等を採用するこ
とができる。
【００２４】液晶性フィルムを予め表面実装部品とほぼ
同じ熱膨張係数にした状態で、金属箔と熱圧着させた場
合には、積層体を得た段階でフィルムの熱膨張係数が変
化して表面実装部品の熱膨張係数と同じ値にはならな
い。
同じ熱膨張係数にした状態で、金属箔と熱圧着させた場
合には、積層体を得た段階でフィルムの熱膨張係数が変
化して表面実装部品の熱膨張係数と同じ値にはならな
い。
【００２５】本発明において熱処理の温度としては、該
積層体のフィルムの熱膨張係数が表面実装部品の値より
も大きい場合には、該積層体を構成するフィルムの融点
よりも１４０℃低い温度から該融点までの温度範囲を選
択することができる。この温度範囲では、フィルムの熱
膨張係数を最大で１８×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃低くする
ことができる。熱膨張係数は処理時間によっても調整す
ることができ、上記温度範囲では最大で６×１０-6ｃｍ
／ｃｍ／℃変化させることができる。
積層体のフィルムの熱膨張係数が表面実装部品の値より
も大きい場合には、該積層体を構成するフィルムの融点
よりも１４０℃低い温度から該融点までの温度範囲を選
択することができる。この温度範囲では、フィルムの熱
膨張係数を最大で１８×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃低くする
ことができる。熱膨張係数は処理時間によっても調整す
ることができ、上記温度範囲では最大で６×１０-6ｃｍ
／ｃｍ／℃変化させることができる。
【００２６】また、該積層体を構成するフィルムの熱膨
張係数が表面実装部品の値よりも小さい場合には、該フ
ィルムの融点から融点よりも２０℃高い温度までの温度
範囲を選択することができる。この温度範囲では、フィ
ルムの熱膨張係数を最大で３０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃
高くすることができる。この温度範囲で処理時間を変化
させると、熱膨張係数を最大で１０×-6ｃｍ／ｃｍ／℃
変化させることができる。
張係数が表面実装部品の値よりも小さい場合には、該フ
ィルムの融点から融点よりも２０℃高い温度までの温度
範囲を選択することができる。この温度範囲では、フィ
ルムの熱膨張係数を最大で３０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃
高くすることができる。この温度範囲で処理時間を変化
させると、熱膨張係数を最大で１０×-6ｃｍ／ｃｍ／℃
変化させることができる。
【００２７】本発明の熱処理によって得られる積層体
は、リード付部品を穴を通して基板に実装するピン挿入
実装法、ケース付部品を穴を通さず表面で基板に実装す
る表面実装法、裸のＩＣチップを基板に実装するＩＣチ
ップ実装法などの公知の方法により、表面実装部品を装
着することができる。
は、リード付部品を穴を通して基板に実装するピン挿入
実装法、ケース付部品を穴を通さず表面で基板に実装す
る表面実装法、裸のＩＣチップを基板に実装するＩＣチ
ップ実装法などの公知の方法により、表面実装部品を装
着することができる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限され
るものではない。
するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限され
るものではない。
【００２９】なお、以下の実施例において、ポリマーの
融点は、示差走査熱量計を用いて、２０℃／分の速度で
昇温し完全に溶融させた後、５０℃／分の速度で５０℃
まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現れ
る吸熱ピークの位置で測定した。また、フィルムの熱膨
張係数は、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用い、５℃／分
の速度で２００℃まで昇温後、２０℃／分の速度で冷却
し、再び５℃／分の速度で昇温した時の３０℃と１５０
℃の間で測定した。
融点は、示差走査熱量計を用いて、２０℃／分の速度で
昇温し完全に溶融させた後、５０℃／分の速度で５０℃
まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現れ
る吸熱ピークの位置で測定した。また、フィルムの熱膨
張係数は、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用い、５℃／分
の速度で２００℃まで昇温後、２０℃／分の速度で冷却
し、再び５℃／分の速度で昇温した時の３０℃と１５０
℃の間で測定した。
【００３０】参考例１ ６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸単位２７モル％及びｐ
−ヒドロキシ安息香酸単位７３モル％からなるサーモト
ロピック液晶ポリエステルを単軸押出機を用いて２８０
〜３００℃の温度で加熱混練し、直径４０ｍｍ、スリッ
ト間隔０．６ｍｍの円形ダイより押出し、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。得られたフィルムの融点は２８０℃
であった。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１
８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用い
て、２９０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔
の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。この積
層体の熱膨張係数を測定するために、積層体より銅箔を
塩化第二鉄溶液で除去し、フィルムの熱膨張係数を測定
した結果、９×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜１５×１０-6ｃ
ｍ／ｃｍ／℃であった。
−ヒドロキシ安息香酸単位７３モル％からなるサーモト
ロピック液晶ポリエステルを単軸押出機を用いて２８０
〜３００℃の温度で加熱混練し、直径４０ｍｍ、スリッ
ト間隔０．６ｍｍの円形ダイより押出し、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。得られたフィルムの融点は２８０℃
であった。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１
８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用い
て、２９０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔
の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。この積
層体の熱膨張係数を測定するために、積層体より銅箔を
塩化第二鉄溶液で除去し、フィルムの熱膨張係数を測定
した結果、９×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜１５×１０-6ｃ
ｍ／ｃｍ／℃であった。
【００３１】参考例２ ６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸単位２７モル％及びｐ
−ヒドロキシ安息香酸単位７３モル％からなるサーモト
ロピック液晶ポリエステルを単軸押出機を用いて２８０
〜３００℃の温度で加熱混練し、直径４０ｍｍ、スリッ
ト間隔０．６ｍｍの円形ダイより押出し、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。得られたフィルムの融点は２８０℃
であった。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１
８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用い
て、２６０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔
の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。この積
層体の熱膨張係数を測定するために、積層体より銅箔を
塩化第二鉄溶液で除去し、フィルムの熱膨張係数を測定
した結果、―１０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜０×１０-6
ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
−ヒドロキシ安息香酸単位７３モル％からなるサーモト
ロピック液晶ポリエステルを単軸押出機を用いて２８０
〜３００℃の温度で加熱混練し、直径４０ｍｍ、スリッ
ト間隔０．６ｍｍの円形ダイより押出し、厚さ５０μｍ
のフィルムを得た。得られたフィルムの融点は２８０℃
であった。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１
８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用い
て、２６０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔
の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。この積
層体の熱膨張係数を測定するために、積層体より銅箔を
塩化第二鉄溶液で除去し、フィルムの熱膨張係数を測定
した結果、―１０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜０×１０-6
ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
【００３２】実施例１ 参考例１で得られた積層体を、２００℃の窒素雰囲気中
の熱風乾燥機中に水平に６０分間静置して熱処理した。
処理後の積層体の銅箔を塩化第二鉄溶液で除去し、フィ
ルムの熱膨張係数を測定した結果、２×１０-6ｃｍ／ｃ
ｍ／℃〜５×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。熱処理に
よって得られた積層体の銅箔面に感光性エッチングレジ
ストフィルムを熱圧着し、ＬＳＩとの接続部分に相当す
る１００μｍ幅の回路を１００本、２００μｍピッチを
露光して、塩化第二鉄溶液中で露光部分以外の銅箔を除
去し配線パターンを形成した。この接続部分に、熱膨張
係数が４×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃のＬＳＩリード部分を
２００℃でハンダ付けし、冷却した後、ＬＳＩのリード
部分と配線パターンとの位置ずれを測定した結果、０．
１％以下であった。
の熱風乾燥機中に水平に６０分間静置して熱処理した。
処理後の積層体の銅箔を塩化第二鉄溶液で除去し、フィ
ルムの熱膨張係数を測定した結果、２×１０-6ｃｍ／ｃ
ｍ／℃〜５×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。熱処理に
よって得られた積層体の銅箔面に感光性エッチングレジ
ストフィルムを熱圧着し、ＬＳＩとの接続部分に相当す
る１００μｍ幅の回路を１００本、２００μｍピッチを
露光して、塩化第二鉄溶液中で露光部分以外の銅箔を除
去し配線パターンを形成した。この接続部分に、熱膨張
係数が４×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃のＬＳＩリード部分を
２００℃でハンダ付けし、冷却した後、ＬＳＩのリード
部分と配線パターンとの位置ずれを測定した結果、０．
１％以下であった。
【００３３】実施例２ 参考例２で得られた積層体を、２８５℃の窒素雰囲気中
の熱風乾燥機中に水平に１０分間静置して熱処理した。
処理後の積層体の銅箔を除去し、フィルムの熱膨張係数
を測定した結果、４×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜７×１０
-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。実施例１と同様にして位置
ずれを測定した結果、０．１％以下であった。
の熱風乾燥機中に水平に１０分間静置して熱処理した。
処理後の積層体の銅箔を除去し、フィルムの熱膨張係数
を測定した結果、４×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃〜７×１０
-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。実施例１と同様にして位置
ずれを測定した結果、０．１％以下であった。
【００３４】比較例１ 参考例１で得られた積層体をそのまま使用した以外は実
施例１と同様にＬＳＩチップと接続させた。位置ずれを
測定した結果、０．３〜０．４％と不良であった。
施例１と同様にＬＳＩチップと接続させた。位置ずれを
測定した結果、０．３〜０．４％と不良であった。
【００３５】比較例２ 実施例１で得られた積層体の銅箔を塩化第二鉄溶液で除
去して得られるフィルム（熱膨張係数６×１０-6ｃｍ／
ｃｍ／℃）と銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を
２９０℃で加熱圧着し、積層体を得た。積層体のフィル
ムの熱膨張係数は１５×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であっ
た。実施例１と同様にＬＳＩチップと接続させ、位置ず
れを測定した結果、０．４％と不良であった。
去して得られるフィルム（熱膨張係数６×１０-6ｃｍ／
ｃｍ／℃）と銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を
２９０℃で加熱圧着し、積層体を得た。積層体のフィル
ムの熱膨張係数は１５×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であっ
た。実施例１と同様にＬＳＩチップと接続させ、位置ず
れを測定した結果、０．４％と不良であった。
【００３６】比較例３ 絶縁基板としてポリイミドフィルム（線膨張係数１９×
１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃）、金属層として電解銅箔を用い
て積層体を作成し、実施例１と同様にＬＳＩとの位置ズ
レを測定した結果、０．５％と不良であった。
１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃）、金属層として電解銅箔を用い
て積層体を作成し、実施例１と同様にＬＳＩとの位置ズ
レを測定した結果、０．５％と不良であった。
【００３７】比較例４ 比較例３で得られた積層体を２００℃の窒素雰囲気中の
熱風乾燥機中に６０分間水平に静置して熱処理した。処
理後の積層体の銅箔を塩化第二鉄溶液で除去し、フィル
ムの熱膨張係数を測定した結果、１９×１０-6ｃｍ／ｃ
ｍ／℃であり、熱処理の前後で変化はみられなかった。
実施例１と同様にＬＳＩと接続した後に位置ずれを測定
した結果、０．５％で熱処理の前後で変化はなかった。
熱風乾燥機中に６０分間水平に静置して熱処理した。処
理後の積層体の銅箔を塩化第二鉄溶液で除去し、フィル
ムの熱膨張係数を測定した結果、１９×１０-6ｃｍ／ｃ
ｍ／℃であり、熱処理の前後で変化はみられなかった。
実施例１と同様にＬＳＩと接続した後に位置ずれを測定
した結果、０．５％で熱処理の前後で変化はなかった。
【００３８】
【発明の効果】光学的に異方性の溶融相を形成し得るポ
リマーのフィルムと金属箔とからなる積層体を熱処理す
ることによって、該積層体を構成するフィルムの熱膨張
係数を実装部品のそれと同じ値にすることができるの
で、積層体にＬＳＩチップを直接実装する際の熱膨張に
よる位置ずれを小さくすることができる。
リマーのフィルムと金属箔とからなる積層体を熱処理す
ることによって、該積層体を構成するフィルムの熱膨張
係数を実装部品のそれと同じ値にすることができるの
で、積層体にＬＳＩチップを直接実装する際の熱膨張に
よる位置ずれを小さくすることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 光学的に異方性の溶融相を形成し得るポ
リマーのフィルムと金属箔とからなる積層体をその表面
への実装部品の装着前に熱処理することによって、該積
層体を構成するフィルムの熱膨張係数を実装部品のそれ
と実質的に同じにすることを特徴とする積層体の熱処理
方法。 - 【請求項２】 熱処理を、該積層体を構成するフィルム
の融点よりも１４０℃低い温度から該融点よりも２０℃
高い温度までの範囲内の温度で行う請求項１記載の積層
体の熱処理方法。 - 【請求項３】 熱処理を、該積層体を構成するフィルム
の融点よりも６０℃低い温度から該融点よりも２０℃高
い温度までの範囲内の温度で行う請求項２記載の積層体
の熱処理方法。 - 【請求項４】 熱処理によって得られる積層体を構成す
るフィルムの熱膨張係数が、実装部品の熱膨張係数をＰ
×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃にしたときに、（Ｐ−３）×１
０-6ｃｍ／ｃｍ／℃から（Ｐ＋３）×１０-6ｃｍ／ｃｍ
／℃の範囲内である請求項１記載の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31905796A JP3905590B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 積層体の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31905796A JP3905590B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 積層体の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10157010A true JPH10157010A (ja) | 1998-06-16 |
| JP3905590B2 JP3905590B2 (ja) | 2007-04-18 |
Family
ID=18106027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31905796A Expired - Lifetime JP3905590B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 積層体の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3905590B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005103989A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Kuraray Co Ltd | 液晶ポリマーフィルムの製造方法 |
| JP2009117830A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板形成用組成物およびこれを用いたプリント配線板 |
| JP2009246333A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 絶縁シート及びその製造方法並びにこれを用いた印刷回路基板及びその製造方法 |
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| JPH08158289A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-18 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 積層板および積層板基材用芳香族ポリアミド繊維紙 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP31905796A patent/JP3905590B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US8997340B2 (en) | 2008-03-28 | 2015-04-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing and insulating sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3905590B2 (ja) | 2007-04-18 |
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