JPH10158100A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH10158100A JPH10158100A JP31958196A JP31958196A JPH10158100A JP H10158100 A JPH10158100 A JP H10158100A JP 31958196 A JP31958196 A JP 31958196A JP 31958196 A JP31958196 A JP 31958196A JP H10158100 A JPH10158100 A JP H10158100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の縦型の気相成長装置においては、反応ガ
スの供給口がノズル状であったため、ノズル近傍での反
応ガスの分解反応が安定せず、また、反応ガスの供給口
と排出口の位置が非対称であるため、サセプタに載置し
た基板の堆積膜の膜厚や特性にバラツキが生ずるという
問題があった。 【解決手段】原料ガス導入口７とサセプタ４との間にガ
ス流路形成体２０を設け、原料ガスをガス導入口７から
ガス流路形成体２０の中央部に向けて導入し、ガス流路
形成体２０で一旦放射状に拡散させた後、サセプタ４の
基板３載置面上をサセプタ４の中央部に向かって流すこ
とにより、ガスの流れが均一となり、その結果、堆積膜
の膜厚や特性のバラツキを小さくすることが出来た。
スの供給口がノズル状であったため、ノズル近傍での反
応ガスの分解反応が安定せず、また、反応ガスの供給口
と排出口の位置が非対称であるため、サセプタに載置し
た基板の堆積膜の膜厚や特性にバラツキが生ずるという
問題があった。 【解決手段】原料ガス導入口７とサセプタ４との間にガ
ス流路形成体２０を設け、原料ガスをガス導入口７から
ガス流路形成体２０の中央部に向けて導入し、ガス流路
形成体２０で一旦放射状に拡散させた後、サセプタ４の
基板３載置面上をサセプタ４の中央部に向かって流すこ
とにより、ガスの流れが均一となり、その結果、堆積膜
の膜厚や特性のバラツキを小さくすることが出来た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長法の一種
である有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を実施す
るための気相成長装置の改良に関する。
である有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を実施す
るための気相成長装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＭＯＣＶＤ法は、異種基板上に
結晶成長が可能であることから、低価格の基板を用い、
安価で大量の結晶を供給することができる。図４は従来
の縦型気相成長装置の断面構造を示したもので、図にお
いて、１は反応容器、２は反応ガス吹き出し口、４は反
応容器内に設けられ半導体基板３を載置するためのサセ
プタ、５はサセプタ４を加熱するための加熱装置、７は
原料ガス導入口、６はサセプタ４を支持しかつ回転させ
るための駆動軸で、駆動モ−タ９と歯車機構８とにより
回転させる。１０は原料ガスの排気口である。
結晶成長が可能であることから、低価格の基板を用い、
安価で大量の結晶を供給することができる。図４は従来
の縦型気相成長装置の断面構造を示したもので、図にお
いて、１は反応容器、２は反応ガス吹き出し口、４は反
応容器内に設けられ半導体基板３を載置するためのサセ
プタ、５はサセプタ４を加熱するための加熱装置、７は
原料ガス導入口、６はサセプタ４を支持しかつ回転させ
るための駆動軸で、駆動モ−タ９と歯車機構８とにより
回転させる。１０は原料ガスの排気口である。
【０００３】次に動作について説明する。前記反応容器
１内に設けられたサセプタ４は、該反応容器内に設けら
れた加熱装置５によって所定温度（５００〜８００℃）
に加熱される。この時原料ガス導入口から送られてきた
ガスはガス吹き出し口２からサセプタ４上に載置された
基板３上に達し、熱分解により前記基板３表面に半導体
結晶膜を成長させる。さらに原料ガスは反応容器１とサ
セプタ４との隙間１１を通って排気口１０より排気され
る。ここで膜の成長中は駆動軸６の回転によりサセプタ
４を回転させ、回転方向での結晶成長の均一性を図って
いる。
１内に設けられたサセプタ４は、該反応容器内に設けら
れた加熱装置５によって所定温度（５００〜８００℃）
に加熱される。この時原料ガス導入口から送られてきた
ガスはガス吹き出し口２からサセプタ４上に載置された
基板３上に達し、熱分解により前記基板３表面に半導体
結晶膜を成長させる。さらに原料ガスは反応容器１とサ
セプタ４との隙間１１を通って排気口１０より排気され
る。ここで膜の成長中は駆動軸６の回転によりサセプタ
４を回転させ、回転方向での結晶成長の均一性を図って
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の縦型気相成長装
置は以上のように構成されており、ガスの吹き出し口２
がサセプタの中央にあるため、吹き出し口の近傍ではガ
スの流れは均一であるが、サセプタの外周部では均一な
流れを得ることが難しく、またガスの排気口１０の位置
がサセプタ４に対して非対称であるため、サセプタの径
が大きい場合あるいは薄い堆積膜を必要とする場合等に
おいてはガスの流れの不均一が原因となって堆積膜の厚
さにバラツキが生ずることがあった。さらに導入ガスの
吹き出し口２はノズル状になっているため、吹き出し口
近傍では原料の分解反応が安定せず、堆積膜中でのキャ
リア濃度までバラツキが生ずるという問題があった。本
発明は半導体堆積膜の成長中に反応容器内での原料ガス
の流れを対称かつ均一にすると共に、原料ガスの分解を
サセプタ上で安定化させ、サセプタの広い領域内で半導
体膜の膜厚やキャリア濃度のバラツキを小さくすること
を目的とする。
置は以上のように構成されており、ガスの吹き出し口２
がサセプタの中央にあるため、吹き出し口の近傍ではガ
スの流れは均一であるが、サセプタの外周部では均一な
流れを得ることが難しく、またガスの排気口１０の位置
がサセプタ４に対して非対称であるため、サセプタの径
が大きい場合あるいは薄い堆積膜を必要とする場合等に
おいてはガスの流れの不均一が原因となって堆積膜の厚
さにバラツキが生ずることがあった。さらに導入ガスの
吹き出し口２はノズル状になっているため、吹き出し口
近傍では原料の分解反応が安定せず、堆積膜中でのキャ
リア濃度までバラツキが生ずるという問題があった。本
発明は半導体堆積膜の成長中に反応容器内での原料ガス
の流れを対称かつ均一にすると共に、原料ガスの分解を
サセプタ上で安定化させ、サセプタの広い領域内で半導
体膜の膜厚やキャリア濃度のバラツキを小さくすること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による気
相成長装置はパンケ−キ型の縦型気相成長装置におい
て、反応ガスはサセプタの基板搭載面のほぼ中央部から
供給すると共に、サセプタ基板搭載面の上方に流路形成
体を設け、これによって原料ガスをサセプタの外周方向
に一旦広げた後、基板表面上に一様に流し、反応容器の
ほぼ中央部から排気することを特徴とする。
相成長装置はパンケ−キ型の縦型気相成長装置におい
て、反応ガスはサセプタの基板搭載面のほぼ中央部から
供給すると共に、サセプタ基板搭載面の上方に流路形成
体を設け、これによって原料ガスをサセプタの外周方向
に一旦広げた後、基板表面上に一様に流し、反応容器の
ほぼ中央部から排気することを特徴とする。
【０００６】請求項２の発明による気相成長装置は請求
項１の発明において、サセプタ表面と流路形成体との間
に形成される空間と、サセプタ裏面と反応容器の間の空
間との気圧のバランスを調整するガス供給口を反応容器
に設けたことを特徴とする。
項１の発明において、サセプタ表面と流路形成体との間
に形成される空間と、サセプタ裏面と反応容器の間の空
間との気圧のバランスを調整するガス供給口を反応容器
に設けたことを特徴とする。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
【０００８】（実施例１）本実施例に係る方法の１例を
図１に示す。なお、以下の図面において、従来法による
図４と同一構成部品については同一符号を付してその詳
細説明は省略する。図１について、ＭＯＣＶＤ法により
ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ膜をエピタキシャル成長させ
る場合を例に取り説明する。図１において、図示しない
ガス供給装置より反応容器１の中央上部に設けたガス導
入口７を経て、水素ガスをキャリアとしてトリメチルガ
リウム（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を供給した。
複数枚の基板３を載置したサセプタ４は、ＲＦ加熱装置
５により６００℃に加熱され、図示しない熱電対によっ
て制御されている。２０は本発明の特徴である流路形成
体で、支持腕状の、または多数の貫通孔を設けた流路形
成体受け２１により反応容器１に固定されている。サセ
プタ４の中央には吸気のための孔が設けられており、サ
セプタ駆動軸６の中心部に設けた排気口１０につながっ
ている。サセプタ４は駆動モ−タ９により駆動軸６を介
して回転出来るように構成されている。また反応容器１
と流路形成体２０とのクリアランスＬ1 は５〜３０ｍｍ
の値とした。
図１に示す。なお、以下の図面において、従来法による
図４と同一構成部品については同一符号を付してその詳
細説明は省略する。図１について、ＭＯＣＶＤ法により
ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ膜をエピタキシャル成長させ
る場合を例に取り説明する。図１において、図示しない
ガス供給装置より反応容器１の中央上部に設けたガス導
入口７を経て、水素ガスをキャリアとしてトリメチルガ
リウム（ＴＭＧ）とアルシン（ＡｓＨ3 ）を供給した。
複数枚の基板３を載置したサセプタ４は、ＲＦ加熱装置
５により６００℃に加熱され、図示しない熱電対によっ
て制御されている。２０は本発明の特徴である流路形成
体で、支持腕状の、または多数の貫通孔を設けた流路形
成体受け２１により反応容器１に固定されている。サセ
プタ４の中央には吸気のための孔が設けられており、サ
セプタ駆動軸６の中心部に設けた排気口１０につながっ
ている。サセプタ４は駆動モ−タ９により駆動軸６を介
して回転出来るように構成されている。また反応容器１
と流路形成体２０とのクリアランスＬ1 は５〜３０ｍｍ
の値とした。
【０００９】ガス導入口７を介して導入されたガスは、
流路形成体２０により径方向に均一に広げられ、流路形
成体２０の裏面とサセプタ４の面で囲まれたガス流路内
を、サセプタ４の外周側からサセプタ４の中央排気口１
０に向かって流れる。流路形成体２０は、原料ガスがサ
セプタ４の基板載置面上を均一に流れるように、図１に
示す如く、上面が平滑で裏面中央が窪んでいる。即ち断
面形状が外周部が厚く、中心に向かって薄くなるような
形状になっている。
流路形成体２０により径方向に均一に広げられ、流路形
成体２０の裏面とサセプタ４の面で囲まれたガス流路内
を、サセプタ４の外周側からサセプタ４の中央排気口１
０に向かって流れる。流路形成体２０は、原料ガスがサ
セプタ４の基板載置面上を均一に流れるように、図１に
示す如く、上面が平滑で裏面中央が窪んでいる。即ち断
面形状が外周部が厚く、中心に向かって薄くなるような
形状になっている。
【００１０】図１において反応容器１とサセプタ４との
間には隙間２５が存在するために、この隙間２５を通し
て原料ガスがサセプタ４の裏側のデッドスペ−ス２６に
流れ込み、サセプタ面上のガスの流れの均一性を乱す恐
れがある。これを防止するために反応容器１の内周部に
遮蔽板２２を設けると共に、反応容器１の台座１ａに設
けたガス導入口２３からパ−ジガスをデッドスペ−ス２
６内に導入し、駆動軸６に設けたパ−ジガス排出孔２４
より排気する。パ−ジガスの圧力を調整することによ
り、原料ガスがデッドスペ−ス２７内に流れ込むことが
なく、サセプタ４の表面上の原料ガスの流れを均一に保
つ事が出来る。
間には隙間２５が存在するために、この隙間２５を通し
て原料ガスがサセプタ４の裏側のデッドスペ−ス２６に
流れ込み、サセプタ面上のガスの流れの均一性を乱す恐
れがある。これを防止するために反応容器１の内周部に
遮蔽板２２を設けると共に、反応容器１の台座１ａに設
けたガス導入口２３からパ−ジガスをデッドスペ−ス２
６内に導入し、駆動軸６に設けたパ−ジガス排出孔２４
より排気する。パ−ジガスの圧力を調整することによ
り、原料ガスがデッドスペ−ス２７内に流れ込むことが
なく、サセプタ４の表面上の原料ガスの流れを均一に保
つ事が出来る。
【００１１】更に、サセプタ４の表面上の反応ガスの流
れを均一に保つための条件として反応容器１の中心軸と
流路形成体２０の中心軸とを出来るだけ一致させること
が重要であり、これは流路形成体受け２１の位置調整に
よって達成される。反応容器１と流路形成体２０の中心
軸のズレ（同軸度）は反応容器の直径が２００ｍｍ以下
の場合は０．５ｍｍ以下、２００ｍｍ以上の場合には
１．０ｍｍ以下にすることが望ましい。また、流路形成
体２０の裏面とサセプタ４との間隔Ｌ2 は２０〜６０ｍ
ｍであり、かつ、上述したようにＬ2 の値はサセプタ４
の外周部から中心に向かって大きくなっている。
れを均一に保つための条件として反応容器１の中心軸と
流路形成体２０の中心軸とを出来るだけ一致させること
が重要であり、これは流路形成体受け２１の位置調整に
よって達成される。反応容器１と流路形成体２０の中心
軸のズレ（同軸度）は反応容器の直径が２００ｍｍ以下
の場合は０．５ｍｍ以下、２００ｍｍ以上の場合には
１．０ｍｍ以下にすることが望ましい。また、流路形成
体２０の裏面とサセプタ４との間隔Ｌ2 は２０〜６０ｍ
ｍであり、かつ、上述したようにＬ2 の値はサセプタ４
の外周部から中心に向かって大きくなっている。
【００１２】上述した如き装置によってＧａＡｓ膜をエ
ピタキシアル成長させた結果、サセプタ面上の原料ガス
の流れを極めて均一にすることが出来、その結果、従来
基板面内の膜厚均一性が±１．５％であったものが±
１．０％以内に納めることが出来た。また、同一サセプ
タ上の基板８枚の膜厚のバラツキも±２．１％から±
１．６％に改善された。
ピタキシアル成長させた結果、サセプタ面上の原料ガス
の流れを極めて均一にすることが出来、その結果、従来
基板面内の膜厚均一性が±１．５％であったものが±
１．０％以内に納めることが出来た。また、同一サセプ
タ上の基板８枚の膜厚のバラツキも±２．１％から±
１．６％に改善された。
【００１３】図２に第１実施例の変形例を示す。図１に
おいては反応容器１の上面部は反応容器台座１ａにほぼ
平行であったが、図２においては反応容器１の断面形状
は半球形または半楕円形あるいは両者を組み合わせた形
状をしており、流路形成体２０もこれと相似の形状をし
ている。図２の例は特に反応容器が大型の場合に容易に
反応ガスを均一に流すことが出来る点で有利である。
おいては反応容器１の上面部は反応容器台座１ａにほぼ
平行であったが、図２においては反応容器１の断面形状
は半球形または半楕円形あるいは両者を組み合わせた形
状をしており、流路形成体２０もこれと相似の形状をし
ている。図２の例は特に反応容器が大型の場合に容易に
反応ガスを均一に流すことが出来る点で有利である。
【００１４】（実施例２）図３に本発明による第２実施
例を示す。第１実施例では基板はサセプタ４の上面に載
置されていたが、本実施例では基板はサセプタ４の下面
に取り付けたいわゆるフェイスダウン方式を用いてい
る。このため、基板３はサセプタ４に設けた図示してい
ない複数個の爪によってサセプタに固定されている。フ
ェイスダウン方式の場合は基板上に埃等が付着しないと
いう利点がある。フェイスダウン方式の本実施例では流
路形成体２０も実施例１とは反対方向に設けられ、ま
た、サセプタ４と流路形成体２０とは独立に回転出来る
ようになっている。すなわち駆動モ−タ９’によってサ
セプタ駆動軸６を、駆動モ−タ９によって流路形成体駆
動軸２７をそれぞれ回転制御する。
例を示す。第１実施例では基板はサセプタ４の上面に載
置されていたが、本実施例では基板はサセプタ４の下面
に取り付けたいわゆるフェイスダウン方式を用いてい
る。このため、基板３はサセプタ４に設けた図示してい
ない複数個の爪によってサセプタに固定されている。フ
ェイスダウン方式の場合は基板上に埃等が付着しないと
いう利点がある。フェイスダウン方式の本実施例では流
路形成体２０も実施例１とは反対方向に設けられ、ま
た、サセプタ４と流路形成体２０とは独立に回転出来る
ようになっている。すなわち駆動モ−タ９’によってサ
セプタ駆動軸６を、駆動モ−タ９によって流路形成体駆
動軸２７をそれぞれ回転制御する。
【００１５】原料ガスは反応容器の下部円筒部１ｂに設
けた導入口より流路形成体２０の回転軸２７に沿って供
給され、流路形成体２０によって一旦径方向に流れが拡
散された後、流路形成体２０とサセプタ４との間の流路
を流れ、流路形成体２０の中央に設けた排気口１０によ
り排気される。反応容器１とサセプタ４との空間はデッ
ドスペ−スになるため、反応容器１に設けたガスの導入
口２３及び排出孔２４により、パ−ジガスを供給・排気
出来るようになっている。さらにこのデッドスペ−ス内
に原料ガスが回り込むのを防ぐため、反応容器１の内部
に遮蔽板２２が設けられている。
けた導入口より流路形成体２０の回転軸２７に沿って供
給され、流路形成体２０によって一旦径方向に流れが拡
散された後、流路形成体２０とサセプタ４との間の流路
を流れ、流路形成体２０の中央に設けた排気口１０によ
り排気される。反応容器１とサセプタ４との空間はデッ
ドスペ−スになるため、反応容器１に設けたガスの導入
口２３及び排出孔２４により、パ−ジガスを供給・排気
出来るようになっている。さらにこのデッドスペ−ス内
に原料ガスが回り込むのを防ぐため、反応容器１の内部
に遮蔽板２２が設けられている。
【００１６】サセプタ４の加熱は抵抗加熱方式、赤外線
ランプ加熱方式の何れも採用可能である。また、本実施
例の場合、サセプタ４並びに流路形成体２０を独立に回
転制御するため、サセプタ４を大型化してもサセプタ４
の表面上の原料ガスの流れを均一にすることが容易とな
り、多数枚の基板の堆積処理が可能となる。
ランプ加熱方式の何れも採用可能である。また、本実施
例の場合、サセプタ４並びに流路形成体２０を独立に回
転制御するため、サセプタ４を大型化してもサセプタ４
の表面上の原料ガスの流れを均一にすることが容易とな
り、多数枚の基板の堆積処理が可能となる。
【００１７】本実施例による方法を用いて実施例２に記
載したと同一構造の膜を堆積させ、膜厚及びキャリア濃
度のバラツキについて従来法との比較を行ったところ、
面内の膜厚均一性については±１．５％から±１．２％
に、同一サセプタに搭載した１６枚の基板についての面
間の膜厚のバラツキは±２．１％から±１．６％に、ま
た、基板１６枚についてのキャリア濃度のバラツキは±
２．３％から±１．５％にそれぞれ改善出来た。
載したと同一構造の膜を堆積させ、膜厚及びキャリア濃
度のバラツキについて従来法との比較を行ったところ、
面内の膜厚均一性については±１．５％から±１．２％
に、同一サセプタに搭載した１６枚の基板についての面
間の膜厚のバラツキは±２．１％から±１．６％に、ま
た、基板１６枚についてのキャリア濃度のバラツキは±
２．３％から±１．５％にそれぞれ改善出来た。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、原料ガスをサセプタのほぼ中心位置から供給
し、かつ、サセプタのほぼ中心位置から排気する構造と
し、流路形成体により原料ガスを一旦サセプタの直径方
向に広げた後、サセプタに搭載した基板表面上の原料ガ
スを均一に流れるようにした結果、基板の面内での堆積
膜厚の均一性及び複数の基板間での膜厚のバラツキが著
しく改善出来た。また、サセプタ用加熱装置に加えて、
流路形成体自体に加熱または冷却装置を付加し、サセプ
タの基板載置面の温度分布をサセプタの径方向で制御す
ることにより、キャリア濃度の均一性を向上することが
出来た。
よれば、原料ガスをサセプタのほぼ中心位置から供給
し、かつ、サセプタのほぼ中心位置から排気する構造と
し、流路形成体により原料ガスを一旦サセプタの直径方
向に広げた後、サセプタに搭載した基板表面上の原料ガ
スを均一に流れるようにした結果、基板の面内での堆積
膜厚の均一性及び複数の基板間での膜厚のバラツキが著
しく改善出来た。また、サセプタ用加熱装置に加えて、
流路形成体自体に加熱または冷却装置を付加し、サセプ
タの基板載置面の温度分布をサセプタの径方向で制御す
ることにより、キャリア濃度の均一性を向上することが
出来た。
【図１】本発明の第１実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の変形例である。
【図３】本発明の第２実施例を示す構成図である。
【図４】従来例による気相成長装置の構成図である。
１ 反応容器 ２ ガス吹き出し口 ３ 基板 ４ サセプタ ５ 加熱装置 ６ 駆動軸 ７ ガス導入口 ８ ギヤ ９ 駆動モ−タ １０ 排気口 ２０ 流路形成体 ２１ 流路形成体受け ２２ 遮蔽板 ２３ パ−ジガス導入口 ２４ パ−ジガス排出口 ２７ 流路形成体駆動軸
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、該反応容器内に設けられた
基板を保持するサセプタと、該反応容器内に原料ガスを
供給するガス導入口と、反応容器内で不要になったガス
を排気する排気口を有する縦型（パンケ−キ型）反応炉
において、前記ガス導入口とサセプタとの間にガス流路
形成体が設けられており、ガス導入口から流路形成体中
央部に向けて導入される原料ガスを流路形成体で一旦放
射状に拡散させてから、サセプタの基板載置面上をサセ
プタ中央部に向かって導くように構成したことを特徴と
する気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の気相成長装置であっ
て、サセプタ表面と流路形成体の間に形成される空間
と、サセプタ裏面と反応容器の間の空間との気圧のバラ
ンスを調整するガス供給口を反応容器に設けたことを特
徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31958196A JPH10158100A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31958196A JPH10158100A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158100A true JPH10158100A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18111872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31958196A Pending JPH10158100A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10158100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001019590A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Sony Corp | 気相成長装置 |
| JP2003076946A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Toppan Forms Co Ltd | Ｒｆ−ｉｄの検査システム |
| CN115522259A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-27 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 喷淋结构、反应装置、外延片、其制备方法及用途 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP31958196A patent/JPH10158100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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