JPH1015815A - 基板矯正装置および方法 - Google Patents
基板矯正装置および方法Info
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- JPH1015815A JPH1015815A JP19006896A JP19006896A JPH1015815A JP H1015815 A JPH1015815 A JP H1015815A JP 19006896 A JP19006896 A JP 19006896A JP 19006896 A JP19006896 A JP 19006896A JP H1015815 A JPH1015815 A JP H1015815A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空吸着時における基板の変形を防止した
り、基板自体にそり等がある場合にはこのそりを矯正す
る。 【解決手段】 被加工物回転テーブル１が、周辺部を輪
帯状突出部１ａで囲まれた凹所１ｂと、輪帯状突出部１
ａの先端面である基準面９および凹所１ｂの底面に互い
に間隙をおいて開口された基板を真空吸着するための複
数の吸引孔２を有し、複数の吸引孔２は共通の連通路３
を介して反吸着面側に開口する接続孔８に連通されたも
のであって、凹所１ｂの底面における各吸引口２の開口
部間の部位には基準面９に対する相対的高さを個別に変
化できる当接部材６がそれぞれ突設されている。当接部
材６は、支持部材７を介して立設されたピエゾ素子４の
上端に当接片５ａが一体に設けられており、ピエゾ素子
４の側面がベローズ５ｂで覆われている。
り、基板自体にそり等がある場合にはこのそりを矯正す
る。 【解決手段】 被加工物回転テーブル１が、周辺部を輪
帯状突出部１ａで囲まれた凹所１ｂと、輪帯状突出部１
ａの先端面である基準面９および凹所１ｂの底面に互い
に間隙をおいて開口された基板を真空吸着するための複
数の吸引孔２を有し、複数の吸引孔２は共通の連通路３
を介して反吸着面側に開口する接続孔８に連通されたも
のであって、凹所１ｂの底面における各吸引口２の開口
部間の部位には基準面９に対する相対的高さを個別に変
化できる当接部材６がそれぞれ突設されている。当接部
材６は、支持部材７を介して立設されたピエゾ素子４の
上端に当接片５ａが一体に設けられており、ピエゾ素子
４の側面がベローズ５ｂで覆われている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の基板を
高精度に研磨するための基板矯正装置および方法に関す
るものである。
高精度に研磨するための基板矯正装置および方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ディバイスの超微細化や高
段差化が進み、これに伴なってＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ
等からなる半導体ウエハ等の基板の表面を高精度に平坦
化することや、表面の膜厚（酸化膜や金属膜）を均一化
することが求められているが、このウエハ等の基板の表
面を高精度に平坦化するための加工手段として次に説明
する化学機械研磨装置が知られている。
段差化が進み、これに伴なってＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ
等からなる半導体ウエハ等の基板の表面を高精度に平坦
化することや、表面の膜厚（酸化膜や金属膜）を均一化
することが求められているが、このウエハ等の基板の表
面を高精度に平坦化するための加工手段として次に説明
する化学機械研磨装置が知られている。
【０００３】この従来の化学機械研磨装置は、図３に示
すように、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等からなる半導体ウ
エハ等の基板１０４を図示下面に着脱自在に保持するこ
とができる被加工物回転テーブル１０３と、被加工物回
転テーブル１０３の図示下方に対向して配設された基板
１０４の口径に比較して口径の非常に大きな研磨パッド
１０２が一体的に設けられた研磨工具回転テーブル１０
１と、研磨パッド１０２の上面に研磨剤（研磨スラリ
ー）１０７を供給するための研磨剤（研磨スラリー）の
供給ノズル１０６を備え、矢印Ａ方向へ回転される研磨
工具回転テーブル１０１に一体的に設けられた研磨パッ
ド１０２の上面に研磨剤（研磨スラリー）１０７を供給
しつつ、基板１０４を保持した被加工物回転テーブル１
０３の回転軸１０５に白抜き矢印で示す軸方向への加工
圧を与えて基板１０４を研磨パッド１０２に押付けた状
態で基板１０４を保持した被加工物回転テーブル１０３
に矢印Ｂで示す回転運動と矢印Ｃで示す揺動運動を与え
て研磨するように構成されている。
すように、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等からなる半導体ウ
エハ等の基板１０４を図示下面に着脱自在に保持するこ
とができる被加工物回転テーブル１０３と、被加工物回
転テーブル１０３の図示下方に対向して配設された基板
１０４の口径に比較して口径の非常に大きな研磨パッド
１０２が一体的に設けられた研磨工具回転テーブル１０
１と、研磨パッド１０２の上面に研磨剤（研磨スラリ
ー）１０７を供給するための研磨剤（研磨スラリー）の
供給ノズル１０６を備え、矢印Ａ方向へ回転される研磨
工具回転テーブル１０１に一体的に設けられた研磨パッ
ド１０２の上面に研磨剤（研磨スラリー）１０７を供給
しつつ、基板１０４を保持した被加工物回転テーブル１
０３の回転軸１０５に白抜き矢印で示す軸方向への加工
圧を与えて基板１０４を研磨パッド１０２に押付けた状
態で基板１０４を保持した被加工物回転テーブル１０３
に矢印Ｂで示す回転運動と矢印Ｃで示す揺動運動を与え
て研磨するように構成されている。
【０００４】ところで、従来の被加工物回転テーブル１
０３は、次に説明するような基板１０４を着脱自在に保
持するための真空吸着機構を備えている。
０３は、次に説明するような基板１０４を着脱自在に保
持するための真空吸着機構を備えている。
【０００５】図４に示すように、被加工物回転テーブル
１０３は、複数の吸引孔１０３ｄが互いに間隔をおいて
開口された基準面１０３ｃを有し、複数の吸引孔１０３
ｄは共通の連通路１０３ｅを介して被加工物回転テーブ
ル１０３の反吸着面側に開口する接続孔１０３ｆに連通
されたものであって、接続孔１０３ｆに接続された図示
しない真空発生源により真空吸引することで上述した基
準面１０３ｃに基板１０４が当接した状態で真空吸着さ
れるように構成されている。
１０３は、複数の吸引孔１０３ｄが互いに間隔をおいて
開口された基準面１０３ｃを有し、複数の吸引孔１０３
ｄは共通の連通路１０３ｅを介して被加工物回転テーブ
ル１０３の反吸着面側に開口する接続孔１０３ｆに連通
されたものであって、接続孔１０３ｆに接続された図示
しない真空発生源により真空吸引することで上述した基
準面１０３ｃに基板１０４が当接した状態で真空吸着さ
れるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、基板のそりが改善されないままで真空吸
着されるため、基板の中心部が基準面側へ湾曲してしま
いこの状態で研磨すると基板の周辺部の肉厚が薄くなっ
てしまうという未解決の課題があった。
来の技術では、基板のそりが改善されないままで真空吸
着されるため、基板の中心部が基準面側へ湾曲してしま
いこの状態で研磨すると基板の周辺部の肉厚が薄くなっ
てしまうという未解決の課題があった。
【０００７】本発明は、上記従来の技術の有する未解決
の課題に鑑みてなされたものであって、真空吸着時にお
ける基板の変形を防止したり、基板自体にそり等がある
場合にはこのそりを矯正することができる基板矯正装置
および方法を実現することを目的とするものである。
の課題に鑑みてなされたものであって、真空吸着時にお
ける基板の変形を防止したり、基板自体にそり等がある
場合にはこのそりを矯正することができる基板矯正装置
および方法を実現することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板矯正装置は、精密研磨すべき基板を真
空吸着するための複数の吸引孔を備えた被加工物回転テ
ーブルにおいて、前記被加工物回転テーブルが、真空吸
着時に前記基板が当接する輪帯状の基準面を形成する輪
帯状突出部と、前記輪帯状突出部に囲まれた部位に互い
に間隔をおいて立設されたピエゾ素子によって前記基準
面に対する相対的高さを個別に変化できる複数の当接部
材を備えたことを特徴とするものである。
に、本発明の基板矯正装置は、精密研磨すべき基板を真
空吸着するための複数の吸引孔を備えた被加工物回転テ
ーブルにおいて、前記被加工物回転テーブルが、真空吸
着時に前記基板が当接する輪帯状の基準面を形成する輪
帯状突出部と、前記輪帯状突出部に囲まれた部位に互い
に間隔をおいて立設されたピエゾ素子によって前記基準
面に対する相対的高さを個別に変化できる複数の当接部
材を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】また、真空吸着するための吸引孔と当接部
材とを交互に設ける。
材とを交互に設ける。
【００１０】さらに、真空吸着するための吸引孔を、輪
帯状突出部のみならず複数の当接部材にもそれぞれ設け
ると効果的である。
帯状突出部のみならず複数の当接部材にもそれぞれ設け
ると効果的である。
【００１１】本発明の基板矯正方法は、精密研磨すべき
基板を真空吸着するための複数の吸引孔を備えた被加工
物回転テーブルに基板を真空吸着する方法において、真
空吸着時に前記基板が当接する輪帯状の基準面を形成す
る輪帯状突出部と、前記輪帯状突出部に囲まれた部位に
互いに間隔をおいて立設されたピエゾ素子によって前記
基準面に対する相対的高さを個別に変化できる複数の当
接部材を備えた被加工物回転テーブルを用い、前記複数
の当接部材の前記基準面に対する相対的高さをそれぞれ
個別に変化させることにより、前記基板の被研磨面を均
一な平坦面に矯正するかあるいは除去量を増大すべき部
分を突出させることを特徴とするものである。
基板を真空吸着するための複数の吸引孔を備えた被加工
物回転テーブルに基板を真空吸着する方法において、真
空吸着時に前記基板が当接する輪帯状の基準面を形成す
る輪帯状突出部と、前記輪帯状突出部に囲まれた部位に
互いに間隔をおいて立設されたピエゾ素子によって前記
基準面に対する相対的高さを個別に変化できる複数の当
接部材を備えた被加工物回転テーブルを用い、前記複数
の当接部材の前記基準面に対する相対的高さをそれぞれ
個別に変化させることにより、前記基板の被研磨面を均
一な平坦面に矯正するかあるいは除去量を増大すべき部
分を突出させることを特徴とするものである。
【００１２】さらに、基板が、半導体や、表面に絶縁膜
および／または金属膜が形成された被研磨面を有するも
のでもよい。
および／または金属膜が形成された被研磨面を有するも
のでもよい。
【００１３】
【作用】基板を真空吸着した際に、基板が変形（そり）
するが、ピエゾ素子によって基準面に対する相対的高さ
を変化できる複数の当接部材の前記基準面に対する相対
的高さをそれぞれ個別に変化させることにより、前記基
準面および前記複数の当接部材に基板を当接させて、そ
の変形を防止することができる。また、基板の被研磨面
を均一な平坦面となるように矯正するかあるいは除去量
を増大すべき部分を突出させることができる。
するが、ピエゾ素子によって基準面に対する相対的高さ
を変化できる複数の当接部材の前記基準面に対する相対
的高さをそれぞれ個別に変化させることにより、前記基
準面および前記複数の当接部材に基板を当接させて、そ
の変形を防止することができる。また、基板の被研磨面
を均一な平坦面となるように矯正するかあるいは除去量
を増大すべき部分を突出させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】先ず、本発明の基板矯正装置の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１６】図１は基板矯正装置の一実施例を示し、
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う模式部分断面図である。
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う模式部分断面図である。
【００１７】本実施例の基板矯正装置は、被加工物回転
テーブル１が、周辺部を輪帯状突出部１ａで囲まれた凹
所１ｂと、輪帯状突出部１ａの先端面である基準面９お
よび凹所１ｂの底面に互いに間隔をおいて開口された基
板を真空吸着するための複数の吸引孔２を有し、複数の
吸引孔２は共通の連通路３を介して被加工物回転テーブ
ル１の反吸着面側に開口する接続孔８に連通されてお
り、凹所１ｂの底面における各吸引孔２の開口部間の部
位には後述するピエゾ素子４によって前記基準面９に対
する相対的高さを個別に変化できる当接部材６がそれぞ
れ突設されたものである。
テーブル１が、周辺部を輪帯状突出部１ａで囲まれた凹
所１ｂと、輪帯状突出部１ａの先端面である基準面９お
よび凹所１ｂの底面に互いに間隔をおいて開口された基
板を真空吸着するための複数の吸引孔２を有し、複数の
吸引孔２は共通の連通路３を介して被加工物回転テーブ
ル１の反吸着面側に開口する接続孔８に連通されてお
り、凹所１ｂの底面における各吸引孔２の開口部間の部
位には後述するピエゾ素子４によって前記基準面９に対
する相対的高さを個別に変化できる当接部材６がそれぞ
れ突設されたものである。
【００１８】ここで、当接部材６は、凹所１ｂの底壁に
埋設された支持部材７を介して立設されたピエゾ素子４
と、ピエゾ素子４の図示上端に一体的に設けられた金属
製の当接片５ａを備え、ピエゾ素子４の側面が伸縮自在
なベローズ５ｂで覆われたものであって、各当接部材６
の当接片５ａの図示上面の基準面９に対する相対的高
さ、つまり凹所１ｂの底面からの高さは、ピエゾ素子４
の伸縮量を調節することによってそれぞれ個別に変化さ
せることができるように構成されている。
埋設された支持部材７を介して立設されたピエゾ素子４
と、ピエゾ素子４の図示上端に一体的に設けられた金属
製の当接片５ａを備え、ピエゾ素子４の側面が伸縮自在
なベローズ５ｂで覆われたものであって、各当接部材６
の当接片５ａの図示上面の基準面９に対する相対的高
さ、つまり凹所１ｂの底面からの高さは、ピエゾ素子４
の伸縮量を調節することによってそれぞれ個別に変化さ
せることができるように構成されている。
【００１９】なお、各ピエゾ素子４の伸縮量は、支持部
材７および当接片５ａを電極として印加する電圧を変化
させることで簡単に調節することができる。
材７および当接片５ａを電極として印加する電圧を変化
させることで簡単に調節することができる。
【００２０】また、本実施例では凹所１ｂの底面に開口
する各吸引孔２は同心円状に配列されているが、これに
限らず任意の形状に配列することができる。
する各吸引孔２は同心円状に配列されているが、これに
限らず任意の形状に配列することができる。
【００２１】図２は基板矯正装置の変形例を示し、
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う模式部分断面図である。
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う模式部分断面図である。
【００２２】本変形例の基板矯正装置は、被加工物回転
テーブル１１が、基準面１９を形成する輪帯状突出部１
１ａで囲まれた凹所１１ｂと、凹所１１ｂの底面に互い
に間隔を突設された後述する筒状のピエゾ素子１４によ
り前記基準面１９に対する相対的高さを個別に変化でき
る複数の当接部材１６を有し、輪帯状突出部１１ａの先
端面である基準面１９に開口する吸引孔１２ａおよび筒
状のピエゾ素子１４の図示上端に一体的に設けられた金
属製の当接片１５ａの上面に開口する吸引孔１２ｂが共
通の連通路１３を介して被加工物回転テーブル１の反吸
着面側に開口する接続孔１８に連通されたものである。
テーブル１１が、基準面１９を形成する輪帯状突出部１
１ａで囲まれた凹所１１ｂと、凹所１１ｂの底面に互い
に間隔を突設された後述する筒状のピエゾ素子１４によ
り前記基準面１９に対する相対的高さを個別に変化でき
る複数の当接部材１６を有し、輪帯状突出部１１ａの先
端面である基準面１９に開口する吸引孔１２ａおよび筒
状のピエゾ素子１４の図示上端に一体的に設けられた金
属製の当接片１５ａの上面に開口する吸引孔１２ｂが共
通の連通路１３を介して被加工物回転テーブル１の反吸
着面側に開口する接続孔１８に連通されたものである。
【００２３】各当接部材１６は、凹所１１ｂの底壁に互
いに間隔をおいて埋設されたリング状の支持部材１７を
介して立設された筒状のピエゾ素子１４と、ピエゾ素子
１４の図示上端に一体的に設けられた金属製のリング状
の当接片１５ａを備え、ピエゾ素子１４の外側面が伸縮
自在なベローズ１５ｂで覆われたものであって、リング
状の当接片１５ａ、筒状のピエゾ素子１４および筒状の
支持部材１７が互いに連通されており、しかも、基準面
に開口する吸引孔１２ａとともに、各筒状の支持部材１
７が共通の連通路１３を介して被加工物回転テーブル１
１の反吸着面側に開口する接続孔１８に連通されてい
る。
いに間隔をおいて埋設されたリング状の支持部材１７を
介して立設された筒状のピエゾ素子１４と、ピエゾ素子
１４の図示上端に一体的に設けられた金属製のリング状
の当接片１５ａを備え、ピエゾ素子１４の外側面が伸縮
自在なベローズ１５ｂで覆われたものであって、リング
状の当接片１５ａ、筒状のピエゾ素子１４および筒状の
支持部材１７が互いに連通されており、しかも、基準面
に開口する吸引孔１２ａとともに、各筒状の支持部材１
７が共通の連通路１３を介して被加工物回転テーブル１
１の反吸着面側に開口する接続孔１８に連通されてい
る。
【００２４】本変形例においても、各ピエゾ素子１４の
伸縮量を上記実施例と同様に調節することで各当接部材
１６の前記基準面１９に対する相対的高さをそれぞれ個
別に変化させることができる。
伸縮量を上記実施例と同様に調節することで各当接部材
１６の前記基準面１９に対する相対的高さをそれぞれ個
別に変化させることができる。
【００２５】次に、本発明の基板矯正方法の工程につい
て、図１に示した基板矯正装置を用いた場合を例に挙げ
て説明する。
て、図１に示した基板矯正装置を用いた場合を例に挙げ
て説明する。
【００２６】基板を輪帯状突出部１ａの先端面である基
準面９上に載置し、接続孔８に連通された図示しない真
空発生源により真空吸引を行なうことにより吸引孔２を
介して真空吸着力を発生させて真空吸着する。
準面９上に載置し、接続孔８に連通された図示しない真
空発生源により真空吸引を行なうことにより吸引孔２を
介して真空吸着力を発生させて真空吸着する。
【００２７】この場合、基板の被研磨面の面形状が均一
な平坦面になるようにするには、基板Ｗを被加工物回転
テーブル１に真空吸着した状態で、基板の被研磨面の面
形状や膜厚分布を検出装置で測定し、前記被研磨面の面
形状が均一な平坦面または表面の膜厚が均一になるよう
に輪帯状の基準面９に対する複数の当接部材の相対的な
高さを個別に調節する。また、被研磨面の面形状を前述
の検出装置で測定し、より多く除去した部分があった場
合には、その部分の下面に当接する当接部材を伸ばせば
よい。
な平坦面になるようにするには、基板Ｗを被加工物回転
テーブル１に真空吸着した状態で、基板の被研磨面の面
形状や膜厚分布を検出装置で測定し、前記被研磨面の面
形状が均一な平坦面または表面の膜厚が均一になるよう
に輪帯状の基準面９に対する複数の当接部材の相対的な
高さを個別に調節する。また、被研磨面の面形状を前述
の検出装置で測定し、より多く除去した部分があった場
合には、その部分の下面に当接する当接部材を伸ばせば
よい。
【００２８】本発明の基板矯正方法および装置は、化学
機械研磨等の精密研磨に用いると効果的であり、基板と
しては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体ウエ
ハ、または、表面上に複数の島状の半導体領域が形成さ
れた石英やガラス基板が挙げられる。いずれも、フォト
リソグラフィーによりパターニングされた配線や絶縁領
域を形成するために、平坦な面が要求されるものであ
る。よって、被研磨面は、絶縁膜または金属膜あるいは
それらが混在した面になっている。
機械研磨等の精密研磨に用いると効果的であり、基板と
しては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体ウエ
ハ、または、表面上に複数の島状の半導体領域が形成さ
れた石英やガラス基板が挙げられる。いずれも、フォト
リソグラフィーによりパターニングされた配線や絶縁領
域を形成するために、平坦な面が要求されるものであ
る。よって、被研磨面は、絶縁膜または金属膜あるいは
それらが混在した面になっている。
【００２９】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、次に記載するような効果を奏する。
で、次に記載するような効果を奏する。
【００３０】輪帯状の基準面に対して複数の当接部材の
相対的高さをそれぞれ個別に変化させることにより、真
空吸着時に基板が前記基準面および前記当接部材に当接
された際に、前記基板の被研磨面が均一な平坦面になる
ように真空吸着時における変形を防止したり、基板にそ
り等がある場合にはこれを矯正して保持することがで
き、ひいては、基板の面形状を高精度に研磨することが
できる。
相対的高さをそれぞれ個別に変化させることにより、真
空吸着時に基板が前記基準面および前記当接部材に当接
された際に、前記基板の被研磨面が均一な平坦面になる
ように真空吸着時における変形を防止したり、基板にそ
り等がある場合にはこれを矯正して保持することがで
き、ひいては、基板の面形状を高精度に研磨することが
できる。
【００３１】また、当接部材を伸ばすことで、その部分
を突出させてその部分の除去量をより多くすることが可
能である。
を突出させてその部分の除去量をより多くすることが可
能である。
【図１】本発明の基板矯正装置の一実施例を示し、
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う模式部分断面図である。
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う模式部分断面図である。
【図２】本発明の基板矯正装置の一変形例を示し、
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う模式部分断面図である。
（ａ）はその１／４の部分の模式部分平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う模式部分断面図である。
【図３】従来の化学機械研磨装置の一例を示す模式斜視
図である。
図である。
【図４】従来の基板保持機構の一例を示す模式断面図で
ある。
ある。
１，１１ 被加工物回転テーブル １ａ，１１ａ 輪帯状突出部 １ｂ，１１ｂ 凹所 ２，１２ａ，１２ｂ 吸引孔 ３，１３ 連通路 ４，１４ ピエゾ素子 ５ａ，１５ａ 当接片 ５ｂ，１５ｂ ベローズ ６，１６ 当接部材 ７，１７ 支持部材 ８，１８ 接続孔 ９，１９ 基準面
Claims (6)
- 【請求項１】 精密研磨すべき基板を真空吸着するため
の複数の吸引孔を備えた被加工物回転テーブルにおい
て、 前記被加工物回転テーブルが、真空吸着時に前記基板が
当接する輪帯状の基準面を形成する輪帯状突出部と、前
記輪帯状突出部に囲まれた部位に互いに間隔をおいて立
設されたピエゾ素子によって前記基準面に対する相対的
高さを個別に変化できる複数の当接部材を備えたことを
特徴とする基板矯正装置。 - 【請求項２】 真空吸着するための吸引孔と当接部材と
を交互に設けたことを特徴とする請求項１記載の基板矯
正装置。 - 【請求項３】 真空吸着するための吸引孔を、輪帯状突
出部のみならず複数の当接部材にもそれぞれ設けたこと
を特徴とする請求項１または２記載の基板矯正装置。 - 【請求項４】 精密研磨すべき基板を真空吸着するため
の複数の吸引孔を備えた被加工物回転テーブルに基板を
真空吸着する方法において、 真空吸着時に前記基板が当接する輪帯状の基準面を形成
する輪帯状突出部と、前記輪帯状突出部に囲まれた部位
に互いに間隔をおいて立設されたピエゾ素子によって前
記基準面に対する相対的高さを個別に変化できる複数の
当接部材を備えた被加工物回転テーブルを用い、前記複
数の当接部材の前記基準面に対する相対的高さをそれぞ
れ個別に変化させることにより、前記基板の被研磨面を
均一な平坦面に矯正するかあるいは除去量を増大すべき
部分を突出させることを特徴とする基板矯正方法。 - 【請求項５】 基板が、半導体であることを特徴とする
請求項４記載の基板矯正方法。 - 【請求項６】 基板が、表面に絶縁膜および／または金
属膜が形成された被研磨面を有することを特徴とする請
求項４記載の基板矯正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19006896A JPH1015815A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 基板矯正装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19006896A JPH1015815A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 基板矯正装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH1015815A true JPH1015815A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=16251827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19006896A Pending JPH1015815A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | 基板矯正装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1015815A (ja) |
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-
1996
- 1996-07-01 JP JP19006896A patent/JPH1015815A/ja active Pending
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