JPH10160419A - はんだバンプの高さ測定方法 - Google Patents

はんだバンプの高さ測定方法

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JPH10160419A
JPH10160419A JP8323797A JP32379796A JPH10160419A JP H10160419 A JPH10160419 A JP H10160419A JP 8323797 A JP8323797 A JP 8323797A JP 32379796 A JP32379796 A JP 32379796A JP H10160419 A JPH10160419 A JP H10160419A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】CCB接合においては、LSI上に多数格子状
に形成された微細な球面状のはんだバンプを電極として
接合するため、接続の信頼性を確保するには、接続前に
バンプ高さを全数検査することが必要不可欠であり、こ
のためには、高速高精度にバンプ頂点高さを計測する必
要がある。 【解決手段】本発明によれば、バンプ頂点高さ判定に、
頂点付近の標準波形との比較手段をもちいるため、バン
プ表面の凹凸等の影響を受けない判定が可能となる。更
に標準波形は、絶対的な基準を持つ必要がなく、測定対
象自身からリアルタイムに作成するため、対象ワークの
品種の変更等に柔軟に対応可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はLSI等の半導体モ
ジュールやTAB(Tape Automated Bonding)等に形成
される球面状はんだバンプの高さ測定方法に係わり、特
に厳密な位置決めがなされてない球面状の該被測定物に
対し、微細な凹凸変色等で表面状態が安定していない場
合に対応した頂点高さの測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ビームにより三角測量法を用いて非接
触で物体の高さを測定する方法は、種々知られている。
その中でも、被測定物が球面状でその位置決めが厳密に
されていない場合、すなわち被測定物の頂点の位置が正
確にわからない場合の頂点高さを測定する方法として
は、三次元直行座標X,Y,Zを設定し、図8(a)に
示すように、光ビームの相対的走査を被測定物のX軸方
向に行い(801)、上記光ビームの反射光量から後述
する方法でその走査線上の変曲点の位置を求め、つい
で、上記光ビームの相対的走査を該変曲点を含むY軸方
向に行い(802)、同様に反射光量から走査線上の変
曲点位置を求め、図8(b)に示すように、この位置を
被測定物の頂点位置803とし、この場所の高さを被測
定物の高さと判定するものがある。
【0003】前述の反射光量から変曲点を求める判定手
段は、反射光量が所定の判定レベルを超えた位置とそれ
以下となった位置との間の中心位置を変曲点と判定する
ものである。
【0004】なおこの種の技術として関連するものに
は、たとえば特開昭60―196608号公報に記載の
技術がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、被測
定物の表面状態についての配慮がなされておらず、被測
定物の表面に変色・凹凸等があった場合、該被測定物表
面での光の反射に乱れが起こるため、反射光量のピーク
が複数出力されることになり、変曲点位置を誤判定して
しまい頂点高さを高精度に測定できないという問題があ
った。
【0006】本発明の目的は、被測定物の表面状態に影
響されずに、高精度に球面状の被測定物の頂点高さを測
定する方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明では、光マイクロ
ヘッドで検出し記憶された各バンプ毎の高さを示すディ
ジタルデータから形成される波形と、事前に作成してお
いた標準波形とを上下左右にシフトしながら比較し、そ
れぞれシフトした場合の相関係数を演算し、演算結果か
ら相関係数の最も大きい場合のシフト量と該標準波形の
シフト前の高さをもとに、被測定バンプの頂点高さを算
出する。そのため、バンプ表面の微細な凹凸・変色等に
よる反射光量波形の局部的な形状異常に影響されず、検
出波形全体から頂点高さを判定することができる。
【0008】尚、波形を比較する際、比較の対象となる
波形幅は、記憶された前記ディジタルデータのそれぞれ
の各バンプ毎の反射光量データを元に、それぞれ各バン
プ毎に決定する。
【0009】また、比較する標準波形は、その被測定物
を一列走査した場合に得られる複数のバンプの高さデー
タから作成し、各列走査を行うごとに更新していくた
め、被測定対象物のバンプ面の曲率、光沢等が、製造ロ
ット、製造プロセスなどの変更により変化しても、標準
波形もそれに追従することになり、安定した計測が可能
となる。更に、この測定方法においては、基準となる標
準波形データを予め設定しておくのではなく、列走査毎
に作成するため、バンプ高さ、及び、径の異なる他の品
種のバンプも同様の方法または装置で測定可能である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
用いて詳細に説明する。
【0011】図6は、本発明を行うための高さ測定装置
の構成を示す装置構成図である。
【0012】半球状の被測定バンプ601がベース60
2上に近接して複数個搭載されている。本実施例では、
被測定バンプのサイズとしては、バンプ径100μm、
バンプピッチ300μm程度とする。検出器603は高
さ測定用の検出ヘッド部であり、光ビームを斜め方向に
発する光源と、反射光の位置を検出する素子を有する。
被測定バンプ601と検出器603との距離は三角法の
原理で測定され、その値と検出器603とベース602
との距離より、被測定バンプの高さを検出する。検出さ
れた反射光量信号608及び高さ信号609は、測定器
本体604よりメモリ605及び、判定手段606を有
する制御部607に送られる。被測定バンプ601及び
ベース602は、制御部607からの指令でXステージ
610、Yステージ611により検出器603に対し相
対的にXY方向に移動可能な構成となっている。
【0013】図7は被測定バンプ601に対する検出器
603の相対的な走査方法を示した図である。検出器6
03は、ベース602上の被測定バンプ601の頂点付
近をX方向に列毎に複数回走査し、一列分の反射光量信
号608及び高さ信号609のサンプリングを行い、そ
のデータを制御部607に保存する。この走査をバンプ
列毎にYステージ611をシフトしながら繰り返し、ベ
ース602上全ての被測定バンプ601を走査する。
【0014】図1は、本実施例における頂点判定の原理
を説明する図である。検出波形102は、被測定バンプ
601の一個分の検出高さ信号であり、標準波形101
は後に述べる方法により作成したバンプ頂点付近の標準
的なモデル波形である。検出波形102の仮の中心位置
104は、バンプ上を走査した場合の設計上の位置及
び、従来の方法により高さ情報と反射光量情報を元に求
めた、仮の中心位置である。
【0015】まず、標準波形の頂点位置103と検出波
形の仮の頂点位置105を重ね合わせて相関係数を求め
る。標準波形の中心軸を検出波形の中心軸に合わせたと
きの標準波形の頂点位置103を原点として、検出器走
査方向にX軸、高さ方向にZ軸をとる。相関係数は、点
データの集まりである標準波形と検出波形のX座標とそ
のX座標におけるZ座標のそれぞれの値より計算し、こ
の結果は制御部607のメモリ605に保存する。
【0016】ここで、相関係数とは、検出波形102と
標準波形101との形状の一致度を量的に表現する係数
で、相関係数が大きい程二つの波形の形状が近いことを
表している。
【0017】本実施例では、X座標幅は2μmに設定し
て計算するが、求めるバンプの大きさ及び求めたい精度
により設定できる。
【0018】更に、標準波形1をX方向またはZ方向に
シフトする。実際には検出波形102の比較範囲の切り
出し位置を上下左右にシフトし同様に相関係数を演算す
る。この上下左右のシフトの比較演算を、予め設定した
範囲内で繰り返し行い、それぞれの場合の相関係数を求
める。この中で、最も大きい相関係数になった場所のZ
方向へのシフト量と、標準波形101の頂点位置103
の高さを加算したものをその走査線上における被測定バ
ンプの頂点高さと判定する。
【0019】Z方向にシフトする範囲は、ハンダバンプ
を形成する装置の精度により予め決めておく。例えば、
ハンダバンプ形成装置により生産されうる、最も高さの
低いハンダバンプと最も高さの高いハンダバンプとの差
の1.5倍程度とする。また、シフトピッチは、検出器
603の測定分解能程度とする。
【0020】本実施例では図7に示すように、一列のハ
ンダバンプについて3回の走査を行っているため、一つ
のバンプにつき3つの頂点高さが得られるが、図4に示
す反射光量閾値レベルを越える光量波形の幅が最も大き
いものを真の頂点高さとして採用することにしている。
【0021】図2は、上記方法によりXZ方向に±5回
シフトして求めた相関係数とその位置関係を現した例で
ある。図中ABCDE(A>B>C>D>E)と記入さ
れた部分はそれぞれほぼ同一の相関係数を示すポイント
であり、Xシフト量とZシフト量によりあらわせる。こ
の様に、相関係数の分布は、相関係数が最大であるA
(201)の位置を中心に同心円のようになっている。
それ故、例えば仮の頂点位置105などがわからないバ
ンプについては、任意の何点かのポイントのみ演算し、
その内で最も大きい相関係数を示すポイント付近を中心
に走査し演算する方法もある。又、比較演算手段として
相関係数でなく、単純に検出波形と標準波形のZ座標の
差分をカウントし、差分の合計値が最も小さいポイント
を最も一致している場所と判断する方法もある。更に、
比較する検出波形102の範囲内で、それぞれの場所の
反射光量を見て、予め設定した基準値に達しない場所の
高さ信号は、比較演算に含めない方法により、誤った信
号による判定精度の低下を防ぐ事ができる。これらの色
々な方法は、検出器のサンプリング速度、判定演算機の
速度、必要な測定精度、また対象とするワークのサイズ
等に応じて自由に選ぶことができる。
【0022】次に、上記標準波形101の作成方法を図
3、4、5により説明する。
【0023】図3は、一列分(n個)のバンプを走査する
ことにより得られた各バンプの変位波形301、30
2、303、304及び光量波形311を示すグラフで
ある。図4はバンプの波形の拡大図であり、図5は、標
準波形の作成手順を示したフローチャートである。
【0024】比較判定時のモデルとなる標準波形作成の
基本原理は、比較判定する各バンプの波形を平均して求
める方法である。
【0025】図4において、403は検出された変位の
波形であり、404は反射光量の波形をあらわしてい
る。標準波形を求めるときに使用する有効データは40
4の光量が光量閾値レベル406を上回ったもののみ
とし、光量閾値レベル406以下のデータは参考にし
ない。即ち、図4では、変位波形403の401(a)
部及び401(b)部は、光量閾値レベルを上回った
データとして標準波形を作成するときの有効データとな
るが、他の部分の変位データは標準波形を作成するとき
の有効データとしては採用しない。
【0026】まず、有効データの抽出を図3の301、
302、303、304の各バンプの波形について行
う。図3では4個のバンプしか記載してないが実際には
数10個〜数100個ぐらいのバンプがある。その有効
データ321、322、323、324を走査列の全て
のバンプについて加算平均する。加算平均の方法は、走
査方向にX軸(仮の中心位置が0)、高さ方向にZ軸
(基板面が0)をとり、有効データの存在する各X座標
毎におけるZ座標の値を全てのバンプについて加算し、
該加算した座標の数で割る。例えば、列中の100個の
バンプの内の80個において、特定のX座標X1に対す
るZ座標(Z1・・・Zn)が有効データとなる場合に
は(図3では、Z1,Z2,ZnのみでZ3は有効デー
タではない)、その80個それぞれのZ座標の値を加え
あわせ80で割ることになる。
【0027】尚、仮の中心位置402は、反射光量が光
量閾値レベル405を越えてからそれ以下に下がるま
での波形幅の中心位置であり、中心位置と検出波形の交
点を仮の頂点105とする(502)。
【0028】各X座標における有効データの加算平均値
の集まりが標準波形となる。
【0029】標準波形を作成すると、直ちに前述の比較
作業に移り、検出波形と標準波形をシフトしながら相関
係数を求める。その走査列での比較作業が終わると、保
存されていた標準波形データをクリアして次の列走査に
移り、その列での標準波形の作成及び比較作業を行う。
これを全てのバンプ列について繰り返す。
【0030】図4では有効データが2分割されている
が、平均処理は一列全てのバンプについて、ポイント毎
に有効データの平均化を行うため問題とはならない(5
04)。又、最終的に作成された標準波形が分割されて
いたとしても、比較演算のときにはポイントの集合とし
て扱うため障害にはならない。
【0031】また、比較する標準波形は、その被測定物
を一列走査した場合に得られる複数のバンプの高さデー
タから作成し、各列走査を行うごとに更新していくた
め、被測定対象物のバンプ面の曲率、光沢等が、製造ロ
ット、製造プロセスなどの変更により変化しても、標準
波形もそれに追従することになり、安定した計測が可能
となる。更に、この測定方法においては、基準となる標
準波形データを予め設定しておくのではなく、列走査毎
に作成するため、バンプ高さ、及び、径の異なる他の品
種のバンプも同様の方法または装置で測定可能である。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、バ
ンプ頂点高さ判定に反射光量の波形ではなく、頂点付近
の標準波形と変位波形との比較手段をもちいるため、反
射光量の波形が乱れていても判定には関係なく、バンプ
表面の凹凸等の影響を受けることなく判定をする事が出
来る。更に標準波形は、絶対的な基準を持つ必要がな
く、測定対象自身からリアルタイムに作成するため、対
象ワークの品種の変更等に柔軟に対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】は本発明の波形マッチングの原理説明図であ
る。
【図2】は各シフトに対する相関係数の分布を現す等高
線を示す。
【図3】は1列分のバンプを走査した場合に得られる変
位と光量を示すグラフである。
【図4】は1列走査分の中の1バンプについて、標準波
形の元データである有効データの算出原理を示す。
【図5】は標準波形の作成手順を示す。
【図6】は本発明を行うための高さ測定装置の構成を示
す装置構成図、
【図7】はステージの走査方法を説明する図である。
【図8】は従来の測定方法を示した図である。
【符号の説明】
101:標準波形 102:検出波形 103:標準波形の頂点位置 104:検出波形の仮の中心位置 105:検出波形の仮の頂点位置 201:相関係数最大の位置 202:X方法シフト量 203:Y方向シフト量 603:検出器 604:測定器本体 605:メモリ 606:判定手段 607:制御部 608:高さ信号 609:反射光量信号 610:Xステージ 611:Yステージ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子を搭載する基板上に形成される
    はんだバンプの高さ測定方法において、 レーザ光による三角測量法を利用する光マイクロヘッド
    を、バンプ列ごとに被測定物上を相対的に走査する工程
    と、該走査時に光マイクロヘッドから得られる高さデー
    タ及び反射光量データをバンプ列ごとに記憶する工程
    と、記憶された該データから各バンプの頂点高さの判定
    演算処理を行う工程と、を備えることを特徴とするはん
    だバンプの高さ測定方法。
  2. 【請求項2】バンプの頂点高さを判定し演算することに
    より、はんだバンプの高さを測定する方法において、 光マイクロヘッドで検出し記憶された各バンプの高さデ
    ータから形成される波形と事前に記憶しておいた比較用
    の標準波形とを、該標準波形を上下左右にシフトしなが
    ら比較して相関係数を演算し、該演算結果より、前記相
    関係数の最も大きい場合のシフト量と前記標準波形の頂
    点高さから、被測定バンプの頂点高さを算出することを
    特徴とするはんだバンプの高さ測定方法。
  3. 【請求項3】請求項2記載のはんだバンプの高さ測定方
    法において、 波形を比較する際、比較の対象となる波形幅を、記憶さ
    れた前記データのそれぞれの各バンプ毎の反射光量デー
    タを元に、それぞれ各バンプ毎に決定することを特徴と
    するはんだバンプの高さ測定方法。
  4. 【請求項4】請求項2記載のはんだバンプの高さ測定方
    法において、 波形を比較する際に使用される標準波形を、被測定物を
    一列走査した場合に得られる複数のバンプの高さ及び反
    射光量データから作成し、被測定物ごとにまたは被測定
    物の列走査を行うごとに更新することを特徴とするはん
    だバンプの高さ測定方法。
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