JPH10160852A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPH10160852A JPH10160852A JP31976696A JP31976696A JPH10160852A JP H10160852 A JPH10160852 A JP H10160852A JP 31976696 A JP31976696 A JP 31976696A JP 31976696 A JP31976696 A JP 31976696A JP H10160852 A JPH10160852 A JP H10160852A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線（例えばＸ線等）に対する感度が高い
とともに放射線吸収係数の大きな物体や大型の機械構造
物に対して解像度の高い断層像を得ることが可能な放射
線検出器（例えばＸ線ＣＴ用等）を提供する。 【解決手段】 放射線により発光可能なシンチレータ
と、前記シンチレータの光を電気信号に変換する光検出
器とを組み合わせてなる放射線検出器において、前記シ
ンチレータとしてセラミックスシンチレータと単結晶シ
ンチレータとを組み合わせて使用することを特徴とする
放射線検出器。
とともに放射線吸収係数の大きな物体や大型の機械構造
物に対して解像度の高い断層像を得ることが可能な放射
線検出器（例えばＸ線ＣＴ用等）を提供する。 【解決手段】 放射線により発光可能なシンチレータ
と、前記シンチレータの光を電気信号に変換する光検出
器とを組み合わせてなる放射線検出器において、前記シ
ンチレータとしてセラミックスシンチレータと単結晶シ
ンチレータとを組み合わせて使用することを特徴とする
放射線検出器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばＸ線を検出す
るＸ線ＣＴ装置などに用いられる放射線検出器に関す
る。
るＸ線ＣＴ装置などに用いられる放射線検出器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】代表的な放射線検査装置であるＸ線検査
装置の一つにコンピュータ断層撮影装置（Ｃomputed
Ｔomography：以下ＣＴ装置と称する）がある。このＣ
Ｔ装置は扇状のファンビームＸ線を照射するＸ線管と多
数の放射線検出素子を併設した放射線検出器を測定対象
の断層面を中央に対向配置して構成され、放射線検出器
に向けてＸ線管からファンビームＸ線を照射し、１回照
射を行うごとに測定対象の角度を変えてゆくことによっ
てＸ線吸収データを収集した後、このデ−タをコンピュ
ータで解析することによって断層面の個々の位置のＸ線
吸収率を算出し、その吸収率に応じた画像を構成するも
のである。従来からこのＣＴ装置にはCdWO4単結晶シン
チレータとシリコンフォトダイオードを組み合わせた検
出器、またはBi6Ge4O12単結晶シンチレータと光電子増
倍管を組み合わせた検出器が用いられてきた。
装置の一つにコンピュータ断層撮影装置（Ｃomputed
Ｔomography：以下ＣＴ装置と称する）がある。このＣ
Ｔ装置は扇状のファンビームＸ線を照射するＸ線管と多
数の放射線検出素子を併設した放射線検出器を測定対象
の断層面を中央に対向配置して構成され、放射線検出器
に向けてＸ線管からファンビームＸ線を照射し、１回照
射を行うごとに測定対象の角度を変えてゆくことによっ
てＸ線吸収データを収集した後、このデ−タをコンピュ
ータで解析することによって断層面の個々の位置のＸ線
吸収率を算出し、その吸収率に応じた画像を構成するも
のである。従来からこのＣＴ装置にはCdWO4単結晶シン
チレータとシリコンフォトダイオードを組み合わせた検
出器、またはBi6Ge4O12単結晶シンチレータと光電子増
倍管を組み合わせた検出器が用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、CdWO4単結
晶シンチレータは、Ｘ線に対する発光効率が小さいた
め、Ｘ線吸収係数の大きな物体や大型の機械構造物など
の断層像を測定する場合、Ｓ／Ｎ比が小さくなってしま
い、解像度の高い断層像を得ることが困難であった。と
ころで、単結晶シンチレータには、CdWO4以外にNaIやCs
IなどＸ線に対する感度が大きいシンチレータもある
が、潮解性があり、また残光も大きく、ＣＴ装置には、
適用が困難であった。また、Ｘ線に対する発光効率が大
きく、残光は小さく、さらに潮解性も全くないシンチレ
ータとして、Gd2O2S:Prなどのセラミックスシンチレー
タがある。しかし、セラミックスシンチレータは、可視
光に対する光透過率が単結晶シンチレータより小さい。
このため、エネルギーの大きなＸ線を用いる場合、Ｘ線
の利用効率を高めるためにセラミックスシンチレータの
厚さを大きくすると、発光効率は大きいが光透過率が小
さいため実際に光検出器に到達する光が弱くなって出力
としては小さくなってしまい、CdWO4単結晶シンチレー
タを用いた場合と同様な問題が残った。
晶シンチレータは、Ｘ線に対する発光効率が小さいた
め、Ｘ線吸収係数の大きな物体や大型の機械構造物など
の断層像を測定する場合、Ｓ／Ｎ比が小さくなってしま
い、解像度の高い断層像を得ることが困難であった。と
ころで、単結晶シンチレータには、CdWO4以外にNaIやCs
IなどＸ線に対する感度が大きいシンチレータもある
が、潮解性があり、また残光も大きく、ＣＴ装置には、
適用が困難であった。また、Ｘ線に対する発光効率が大
きく、残光は小さく、さらに潮解性も全くないシンチレ
ータとして、Gd2O2S:Prなどのセラミックスシンチレー
タがある。しかし、セラミックスシンチレータは、可視
光に対する光透過率が単結晶シンチレータより小さい。
このため、エネルギーの大きなＸ線を用いる場合、Ｘ線
の利用効率を高めるためにセラミックスシンチレータの
厚さを大きくすると、発光効率は大きいが光透過率が小
さいため実際に光検出器に到達する光が弱くなって出力
としては小さくなってしまい、CdWO4単結晶シンチレー
タを用いた場合と同様な問題が残った。
【０００４】一方、Bi6Ge4O12単結晶シンチレータと光
電子増倍管を組み合わせた放射線検出器では、Bi6Ge4O
12単結晶シンチレータのＸ線に対する発光効率は小さい
が、光電子増倍管の光に対する感度が非常に大きいた
め、検出器感度は高くすることができる。しかし、この
Bi6Ge4O12単結晶シンチレータと光電子増倍管を組み合
わせた放射線検出器では光電子増倍管の小型化が困難な
ため、検出素子が大きくなり、断層像の解像度を高くす
ることは困難であった。したがって、本発明の課題は、
放射線（例えばＸ線等。）に対する感度が高く、小型化
ができ、かつ放射線吸収係数の大きな物体や大型の機械
構造物に対して解像度の高い断層像を得ることが可能な
放射線検出器（例えばＸ線ＣＴ用等）を提供することで
ある。
電子増倍管を組み合わせた放射線検出器では、Bi6Ge4O
12単結晶シンチレータのＸ線に対する発光効率は小さい
が、光電子増倍管の光に対する感度が非常に大きいた
め、検出器感度は高くすることができる。しかし、この
Bi6Ge4O12単結晶シンチレータと光電子増倍管を組み合
わせた放射線検出器では光電子増倍管の小型化が困難な
ため、検出素子が大きくなり、断層像の解像度を高くす
ることは困難であった。したがって、本発明の課題は、
放射線（例えばＸ線等。）に対する感度が高く、小型化
ができ、かつ放射線吸収係数の大きな物体や大型の機械
構造物に対して解像度の高い断層像を得ることが可能な
放射線検出器（例えばＸ線ＣＴ用等）を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、発光効率
の高いセラミックスシンチレータと可視域における光透
過率が大きい単結晶シンチレータとを組み合わせた構造
とすることにより、特にＸ線に対する発光効率が高く、
小型化が可能で、かつＸ線の利用効率も高い放射線検出
器が得られることを見い出したものである。すなわち、
本発明は、放射線により発光可能なシンチレータと、前
記シンチレータの光を電気信号に変換する光検出器とを
組み合わせてなる放射線検出器において、前記シンチレ
ータとしてセラミックスシンチレータと単結晶シンチレ
ータとを組み合わせて使用することを特徴とする放射線
検出器である。前記セラミックスシンチレータとして
は、多結晶体（例えばセラミックス粉末を焼結したもの
等）であって例えばGd2O2S:Pr，Gd2O2S:Eu，Gd2O2S:Tb
のいずれか１種または２種以上を用いることが好まし
い。また、多結晶体の前記セラミックスシンチレータと
してGd3Ga5O12:Cr，(Y,Gd)2O3:Euのいずれかまたは双方
を用いることができる。また、前記単結晶シンチレータ
としてCdWO4，Bi6Ge4O12のいずれかまたは双方を用いる
ことが好ましい。本発明では、前記のセラミックスシン
チレータと光検出器との間に前記単結晶シンチレータを
配置することで特にＸ線に対する感度が高く、かつ解像
度の高い撮影が可能である。また、前記光検出器上に前
記のセラミックスシンチレータと単結晶シンチレータと
を隣接して配置したので上記と同様に特にＸ線に対する
感度が高く、小型化ができ、かつ解像度の高い撮影が可
能である。
の高いセラミックスシンチレータと可視域における光透
過率が大きい単結晶シンチレータとを組み合わせた構造
とすることにより、特にＸ線に対する発光効率が高く、
小型化が可能で、かつＸ線の利用効率も高い放射線検出
器が得られることを見い出したものである。すなわち、
本発明は、放射線により発光可能なシンチレータと、前
記シンチレータの光を電気信号に変換する光検出器とを
組み合わせてなる放射線検出器において、前記シンチレ
ータとしてセラミックスシンチレータと単結晶シンチレ
ータとを組み合わせて使用することを特徴とする放射線
検出器である。前記セラミックスシンチレータとして
は、多結晶体（例えばセラミックス粉末を焼結したもの
等）であって例えばGd2O2S:Pr，Gd2O2S:Eu，Gd2O2S:Tb
のいずれか１種または２種以上を用いることが好まし
い。また、多結晶体の前記セラミックスシンチレータと
してGd3Ga5O12:Cr，(Y,Gd)2O3:Euのいずれかまたは双方
を用いることができる。また、前記単結晶シンチレータ
としてCdWO4，Bi6Ge4O12のいずれかまたは双方を用いる
ことが好ましい。本発明では、前記のセラミックスシン
チレータと光検出器との間に前記単結晶シンチレータを
配置することで特にＸ線に対する感度が高く、かつ解像
度の高い撮影が可能である。また、前記光検出器上に前
記のセラミックスシンチレータと単結晶シンチレータと
を隣接して配置したので上記と同様に特にＸ線に対する
感度が高く、小型化ができ、かつ解像度の高い撮影が可
能である。
【０００６】本発明では、上記のセラミックスシンチレ
ータを用いると特にＸ線に対する発光効率が高いため、
従来に比べて放射線検出器の感度を高め、小型化するこ
とが可能である。また、上記の単結晶シンチレータを用
いるとセラミックスシンチレータから発光した光を光検
出器に効率よく導くウェーブガイドとして働くと共に上
記単結晶シンチレータ自体も発光するため、従来に比べ
てＸ線などの放射線利用効率を高めることが可能であ
る。
ータを用いると特にＸ線に対する発光効率が高いため、
従来に比べて放射線検出器の感度を高め、小型化するこ
とが可能である。また、上記の単結晶シンチレータを用
いるとセラミックスシンチレータから発光した光を光検
出器に効率よく導くウェーブガイドとして働くと共に上
記単結晶シンチレータ自体も発光するため、従来に比べ
てＸ線などの放射線利用効率を高めることが可能であ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の放射線検出器を詳
説する。本発明のセラミックスシンチレータと単結晶シ
ンチレータとの組合せは、基本的に２種類ある。放射線
として代表的なＸ線はシンチレータ中でLambertの法則
に従い指数関数的に減少する。このとき、シンチレータ
は、各位置のＸ線強度に比例して発光し、発光出力はそ
の積分値となる。
説する。本発明のセラミックスシンチレータと単結晶シ
ンチレータとの組合せは、基本的に２種類ある。放射線
として代表的なＸ線はシンチレータ中でLambertの法則
に従い指数関数的に減少する。このとき、シンチレータ
は、各位置のＸ線強度に比例して発光し、発光出力はそ
の積分値となる。
【０００８】図１は本発明の放射線検出器の一態様を示
す一部破砕された外観図であり、本発明のセラミックス
シンチレータと単結晶シンチレータとの組合せのひとつ
を示している。図１において、基板７（例えばガラス入
りエポキシ樹脂製。）上に図示されない単結晶シンチレ
ータ２と光検出器３（例えばシリコンフォトタ゛イオート゛）とが埋設
されて、その単結晶シンチレータ２の直上にセラミック
スシンチレータ１が隣接配置されている。一例としてこ
のセラミックスシンチレータ１はｘ方向の長さが１０〜
５０ｍｍ，ｙ方向の幅が０．５〜３ｍｍ，ｚ方向の厚み
が１〜３ｍｍの長方形板状に形成される。単結晶シンチ
レータ２のｙ方向の幅が０．５〜３ｍｍ、ｚ方向の厚み
が０．２〜１０ｍｍの長方形板状に形成される。なお、
光検出器３として前記シリコンフォトタ゛イオート゛以外のアモルファスシリコン
フォトタ゛イオート゛を用いてもよい。また、セラミックスシンチ
レータ１，１間には光反射板５（例えばＭｏ板）が並設
されて本発明の放射線検出器１１が構成されている。こ
の光反射板５のｘ方向の長さはセラミックスシンチレー
タ１と同じ１０〜５０ｍｍ、ｙ方向の幅は０．２〜２ｍ
ｍに形成される。なお、光反射板５を前記Ｍｏ以外の
Ｗ，Ｃｕ、真鍮等のいずれかで形成してもよい。放射線
検出器１１の奥側および手前側側面１１ａ，１１ａにも
光反射板５が配置され、左側および右側側面１１ｂ，１
１ｂには端部反射材６（例えばＴｉＯ2製）が配置され
ている。なお、端部反射材６を前記ＴｉＯ2以外のＭｇ
ＯまたはＢａＳＯ4で形成してもよい。放射線検出器１
１の上面には例えばＴｉＯ2粉末からなる光反射材４が
塗布してある。なお、光反射材４を前記ＴｉＯ2粉末以
外のＭｇＯ，ＢａＳＯ4，Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ等の粉
末のいずれかで形成してもよい。
す一部破砕された外観図であり、本発明のセラミックス
シンチレータと単結晶シンチレータとの組合せのひとつ
を示している。図１において、基板７（例えばガラス入
りエポキシ樹脂製。）上に図示されない単結晶シンチレ
ータ２と光検出器３（例えばシリコンフォトタ゛イオート゛）とが埋設
されて、その単結晶シンチレータ２の直上にセラミック
スシンチレータ１が隣接配置されている。一例としてこ
のセラミックスシンチレータ１はｘ方向の長さが１０〜
５０ｍｍ，ｙ方向の幅が０．５〜３ｍｍ，ｚ方向の厚み
が１〜３ｍｍの長方形板状に形成される。単結晶シンチ
レータ２のｙ方向の幅が０．５〜３ｍｍ、ｚ方向の厚み
が０．２〜１０ｍｍの長方形板状に形成される。なお、
光検出器３として前記シリコンフォトタ゛イオート゛以外のアモルファスシリコン
フォトタ゛イオート゛を用いてもよい。また、セラミックスシンチ
レータ１，１間には光反射板５（例えばＭｏ板）が並設
されて本発明の放射線検出器１１が構成されている。こ
の光反射板５のｘ方向の長さはセラミックスシンチレー
タ１と同じ１０〜５０ｍｍ、ｙ方向の幅は０．２〜２ｍ
ｍに形成される。なお、光反射板５を前記Ｍｏ以外の
Ｗ，Ｃｕ、真鍮等のいずれかで形成してもよい。放射線
検出器１１の奥側および手前側側面１１ａ，１１ａにも
光反射板５が配置され、左側および右側側面１１ｂ，１
１ｂには端部反射材６（例えばＴｉＯ2製）が配置され
ている。なお、端部反射材６を前記ＴｉＯ2以外のＭｇ
ＯまたはＢａＳＯ4で形成してもよい。放射線検出器１
１の上面には例えばＴｉＯ2粉末からなる光反射材４が
塗布してある。なお、光反射材４を前記ＴｉＯ2粉末以
外のＭｇＯ，ＢａＳＯ4，Ａｌ，Ａｌ合金，Ａｇ等の粉
末のいずれかで形成してもよい。
【０００９】次に、上記図１のｙ方向−ｙ方向矢視断面
図を図２に示す。図２では、Ｘ線強度の大きいＸ線入射
側に発光効率の大きいセラミックスシンチレータ１を配
置し、シリコンフォトタ゛イオート゛３側に単結晶シンチレータ２を配
置する構造とした。単結晶シンチレータ２は、セラミッ
クスシンチレータ１の光ガイドとして機能するととも
に、セラミックスシンチレータ１を透過したＸ線を吸収
し発光するシンチレータとしても機能する。ここで、単
結晶シンチレータ２の光透過率が３０％未満ではＸ線の
利用効率、感度が実用上使用できないレベルまで低下し
てしまうので光透過率を３０％以上とすることが好まし
い。また、図２におけるセラミックスシンチレータ１の
厚み（ｔ１）と単結晶シンチレータ２の厚み（ｔ２）と
の比率（ｔ２／ｔ１）を、ｔ２／ｔ１＝０．２〜１０と
することが好ましい。この比率（ｔ２／ｔ１）が０．２
未満では単結晶シンチレータ２をセラミックスシンチレ
ータ１に積層したことによる出力増加がほとんど認めら
れなくなり、１０を越えると単結晶シンチレータ２の光
透過率が小さくなり過ぎて従来レベルまで出力が低下し
てしまうためである。この図２の構造によれば、Ｘ線の
利用効率が高く、小型で、かつ感度の良好な放射線検出
器が実現できる。
図を図２に示す。図２では、Ｘ線強度の大きいＸ線入射
側に発光効率の大きいセラミックスシンチレータ１を配
置し、シリコンフォトタ゛イオート゛３側に単結晶シンチレータ２を配
置する構造とした。単結晶シンチレータ２は、セラミッ
クスシンチレータ１の光ガイドとして機能するととも
に、セラミックスシンチレータ１を透過したＸ線を吸収
し発光するシンチレータとしても機能する。ここで、単
結晶シンチレータ２の光透過率が３０％未満ではＸ線の
利用効率、感度が実用上使用できないレベルまで低下し
てしまうので光透過率を３０％以上とすることが好まし
い。また、図２におけるセラミックスシンチレータ１の
厚み（ｔ１）と単結晶シンチレータ２の厚み（ｔ２）と
の比率（ｔ２／ｔ１）を、ｔ２／ｔ１＝０．２〜１０と
することが好ましい。この比率（ｔ２／ｔ１）が０．２
未満では単結晶シンチレータ２をセラミックスシンチレ
ータ１に積層したことによる出力増加がほとんど認めら
れなくなり、１０を越えると単結晶シンチレータ２の光
透過率が小さくなり過ぎて従来レベルまで出力が低下し
てしまうためである。この図２の構造によれば、Ｘ線の
利用効率が高く、小型で、かつ感度の良好な放射線検出
器が実現できる。
【００１０】本発明のセラミックスシンチレータと単結
晶シンチレータとの組合せのふたつめの態様を図３の要
部断面図に示す。図３と上記図２との異なる点は、セラ
ミックスシンチレータと単結晶シンチレータの組み合わ
せ構成のみである。図３では、セラミックスシンチレー
タ１０と単結晶シンチレータ２０とをシリコンフォトタ゛イオート゛３
上に隣接して配置する構造としたので、セラミックスシ
ンチレータ１０の発光した光は隣接した単結晶シンチレ
ータ２０を透過し、シリコンフォトタ゛イオート゛３に導かれる。ま
た、セラミックスシンチレータ１０から直接シリコンフ
ォトダイオード３にも光が入射する。さらに、単結晶シ
ンチレータ２０の発光した光も当然シリコンフォトタ゛イオート゛３に
入射する。この構造によっても上記図２と同様に小型
で、Ｘ線の利用効率が高く、感度の大きい放射線検出器
が実現可能である。また、上記図２と同様にセラミック
スシンチレータ１０と単結晶シンチレータ２０は長方形
板状に形成されている。ここで、図３におけるセラミッ
クスシンチレータ１０と単結晶シンチレータ２０のｙ方
向寸法の比率は、要求される放射線検出器の分解能によ
り適宜決定できる。本発明では、セラミックスシンチレ
ータ１０のｙ方向寸法（ｌ）に対する単結晶シンチレー
タ２０のｙ方向寸法（ｍ）の比率（ｍ／ｌ）を、ｍ／ｌ
＝０．１〜２．０とするのが好ましい。これは、（ｍ／
ｌ）を０．１未満とすると単結晶シンチレータ２０の光
導波作用が小さくなり、２．０を越えるとセラミックス
シンチレータ１０のＸ線受光面積が小さくなり、いずれ
も従来レベルまで出力が低下するからである。ここで、
図２または図３の構造を備えた本発明の放射線検出器に
おいて相対出力の改善および小型化を可能とするために
はセラミックスシンチレータおよび単結晶シンチレータ
のｙ方向の寸法を０．５〜３ｍｍとすることが好まし
い。この寸法が０．５ｍｍ未満では所定寸法に加工する
工数が増加して加工コストが高くなり易く、３ｍｍを越
えて大型化するにともなって次第に小型化のニーズに適
合しにくくなるからである。
晶シンチレータとの組合せのふたつめの態様を図３の要
部断面図に示す。図３と上記図２との異なる点は、セラ
ミックスシンチレータと単結晶シンチレータの組み合わ
せ構成のみである。図３では、セラミックスシンチレー
タ１０と単結晶シンチレータ２０とをシリコンフォトタ゛イオート゛３
上に隣接して配置する構造としたので、セラミックスシ
ンチレータ１０の発光した光は隣接した単結晶シンチレ
ータ２０を透過し、シリコンフォトタ゛イオート゛３に導かれる。ま
た、セラミックスシンチレータ１０から直接シリコンフ
ォトダイオード３にも光が入射する。さらに、単結晶シ
ンチレータ２０の発光した光も当然シリコンフォトタ゛イオート゛３に
入射する。この構造によっても上記図２と同様に小型
で、Ｘ線の利用効率が高く、感度の大きい放射線検出器
が実現可能である。また、上記図２と同様にセラミック
スシンチレータ１０と単結晶シンチレータ２０は長方形
板状に形成されている。ここで、図３におけるセラミッ
クスシンチレータ１０と単結晶シンチレータ２０のｙ方
向寸法の比率は、要求される放射線検出器の分解能によ
り適宜決定できる。本発明では、セラミックスシンチレ
ータ１０のｙ方向寸法（ｌ）に対する単結晶シンチレー
タ２０のｙ方向寸法（ｍ）の比率（ｍ／ｌ）を、ｍ／ｌ
＝０．１〜２．０とするのが好ましい。これは、（ｍ／
ｌ）を０．１未満とすると単結晶シンチレータ２０の光
導波作用が小さくなり、２．０を越えるとセラミックス
シンチレータ１０のＸ線受光面積が小さくなり、いずれ
も従来レベルまで出力が低下するからである。ここで、
図２または図３の構造を備えた本発明の放射線検出器に
おいて相対出力の改善および小型化を可能とするために
はセラミックスシンチレータおよび単結晶シンチレータ
のｙ方向の寸法を０．５〜３ｍｍとすることが好まし
い。この寸法が０．５ｍｍ未満では所定寸法に加工する
工数が増加して加工コストが高くなり易く、３ｍｍを越
えて大型化するにともなって次第に小型化のニーズに適
合しにくくなるからである。
【００１１】次に、本発明の放射線検出器を実施例によ
りさらに説明する。 （実施例１）セラミックスシンチレータ１としてサイズ
がｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの長方形板状の
多結晶Gd2O2S:Prセラミックスシンチレータと、サイズ
がｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの長方形板状の
CdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２の構造に光学
用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イオート゛３に接着
した。このシンチレータの上面には、TiO2粉末を光反射
材４として塗布し、側面には光反射板としてMo板５を接
着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連続Ｘ線を照射
したときの、この実施例１の放射線検出器の相対出力を
表１に示す。ここで、表１の相対出力は、下記の比較例
１におけるシリコンフォトタ゛イオート゛３からの出力値を１として、
各実施例および比較例２におけるシリコンフォトタ゛イオート゛３から
の出力値を相対的に表した値である。
りさらに説明する。 （実施例１）セラミックスシンチレータ１としてサイズ
がｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの長方形板状の
多結晶Gd2O2S:Prセラミックスシンチレータと、サイズ
がｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの長方形板状の
CdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２の構造に光学
用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イオート゛３に接着
した。このシンチレータの上面には、TiO2粉末を光反射
材４として塗布し、側面には光反射板としてMo板５を接
着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連続Ｘ線を照射
したときの、この実施例１の放射線検出器の相対出力を
表１に示す。ここで、表１の相対出力は、下記の比較例
１におけるシリコンフォトタ゛イオート゛３からの出力値を１として、
各実施例および比較例２におけるシリコンフォトタ゛イオート゛３から
の出力値を相対的に表した値である。
【００１２】
【表１】
【００１３】（実施例２）セラミックスシンチレータ１
としてサイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの
長方形板状の多結晶Gd2O2S:Euセラミックスシンチレー
タと、サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの
長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２
の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イ
オート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、TiO2
粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板とし
てMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連
続Ｘ線を照射したときのこの実施例２の放射線検出器の
特性を表１に示す。
としてサイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの
長方形板状の多結晶Gd2O2S:Euセラミックスシンチレー
タと、サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの
長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２
の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イ
オート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、TiO2
粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板とし
てMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連
続Ｘ線を照射したときのこの実施例２の放射線検出器の
特性を表１に示す。
【００１４】（実施例３）セラミックスシンチレータ１
としてサイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの
長方形板状の多結晶Gd2O2S:Tbセラミックスシンチレー
タと、サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの
長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２
の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イ
オート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、TiO2
粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板とし
てMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連
続Ｘ線を照射したときのこの実施例３の放射線検出器の
特性を表１に示す。
としてサイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.2mmの
長方形板状の多結晶Gd2O2S:Tbセラミックスシンチレー
タと、サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ1.8mmの
長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２とを上記図２
の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォトタ゛イ
オート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、TiO2
粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板とし
てMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mAの連
続Ｘ線を照射したときのこの実施例３の放射線検出器の
特性を表１に示す。
【００１５】（実施例４）セラミックスシンチレータ１
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Prセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォ
トタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、
TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板
としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mA
の連続Ｘ線を照射したときのこの実施例４の放射線検出
器の特性を表１に示す。
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Prセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォ
トタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、
TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板
としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mA
の連続Ｘ線を照射したときのこの実施例４の放射線検出
器の特性を表１に示す。
【００１６】（実施例５）セラミックスシンチレータ１
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Euセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォ
トタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、
TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板
としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mA
の連続Ｘ線を照射したときのこの実施例５の放射線検出
器の特性を表１に示す。
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Euセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリコンフォ
トタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面には、
TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反射板
としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電流4mA
の連続Ｘ線を照射したときのこの実施例５の放射線検出
器の特性を表１に示す。
【００１７】（実施例６）セラミックスシンチレータ１
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Tbセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造の様に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリ
コンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面に
は、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反
射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電
流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの実施例６の放射
線検出器の特性を表１に示す。
０としてサイズがｙ方向1.0mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状の多結晶Gd2O2S:Tbセラミックスシンチレ
ータと、サイズがｙ方向0.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mm
の長方形板状のCdWO4単結晶シンチレータ２０とを上記
図３の構造の様に光学用エポキシ系接着剤で接着後、シリ
コンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面に
は、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反
射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電
流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの実施例６の放射
線検出器の特性を表１に示す。
【００１８】（比較例１）次に、比較例１として図４の
要部断面図に示すように構成した下記従来構造の放射線
検出器での評価結果について説明する。サイズがｙ方向
1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mmの長方形板状のCdWO4単
結晶シンチレータ２００を光学用エポキシ系接着剤でシリ
コンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面に
は、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反
射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電
流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの比較例１の放射
線検出器の特性を表１に示す。 （比較例２）次に、比較例２として図４の要部断面図に
示すように構成した下記従来構造の放射線検出器での評
価結果について説明する。サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方
向30mm×厚さ3.0mmの長方形板状の多結晶Gd2O2S:Prセラ
ミックスシンチレータ３００を光学用エポキシ系接着剤
でシリコンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上
面には、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には
光反射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、
管電流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの比較例２の
放射線検出器の特性を表１に示す。
要部断面図に示すように構成した下記従来構造の放射線
検出器での評価結果について説明する。サイズがｙ方向
1.6mm×ｘ方向30mm×厚さ3.0mmの長方形板状のCdWO4単
結晶シンチレータ２００を光学用エポキシ系接着剤でシリ
コンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上面に
は、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には光反
射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、管電
流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの比較例１の放射
線検出器の特性を表１に示す。 （比較例２）次に、比較例２として図４の要部断面図に
示すように構成した下記従来構造の放射線検出器での評
価結果について説明する。サイズがｙ方向1.6mm×ｘ方
向30mm×厚さ3.0mmの長方形板状の多結晶Gd2O2S:Prセラ
ミックスシンチレータ３００を光学用エポキシ系接着剤
でシリコンフォトタ゛イオート゛３に接着した。このシンチレータの上
面には、TiO2粉末を光反射材４として塗布し、側面には
光反射板としてMo板５を接着した。Ｘ線管電圧400kV、
管電流4mAの連続Ｘ線を照射したときのこの比較例２の
放射線検出器の特性を表１に示す。
【００１９】上記表１より、実施例１〜６のものはいず
れもＸ線に対する感度すなわち相対出力が比較例１，２
に比べて大きく改良されていることがわかる。
れもＸ線に対する感度すなわち相対出力が比較例１，２
に比べて大きく改良されていることがわかる。
【００２０】次に下記表２に示すように、上記実施例１
〜６で使用したCdWO4単結晶シンチレータに代えて、こ
のCdWO4単結晶シンチレータと同一寸法に形成したBi6Ge
4O12単結晶シンチレータを用いた場合（実施例７〜１
０）でも、上記実施例１〜６と同様に比較例１，２に比
べて相対出力が改良できていることがわかった。
〜６で使用したCdWO4単結晶シンチレータに代えて、こ
のCdWO4単結晶シンチレータと同一寸法に形成したBi6Ge
4O12単結晶シンチレータを用いた場合（実施例７〜１
０）でも、上記実施例１〜６と同様に比較例１，２に比
べて相対出力が改良できていることがわかった。
【００２１】
【表２】
【００２２】次に、上記図２の構成において、セラミッ
クスシンチレータ１として多結晶の(Y,Gd)2O3:Eu（実施
例１１）または多結晶のGd3Ga5O12:Cr（実施例１２）を
用いた場合にも表２に示す通り良好な相対出力が得られ
た。なお、この実施例１１，１２のセラミックスシンチ
レータ１は実施例１のセラミックスシンチレータ１と同
一寸法に形成してある。また、上記図３の構成におい
て、セラミックスシンチレータ１０として多結晶の(Y,G
d)2O3:Eu（実施例１３）を用いた場合でも表２に示す通
り良好な相対出力が得られた。なお、この実施例１３の
セラミックスシンチレータ１０は実施例４のセラミック
スシンチレータ１０と同一寸法に形成してある。
クスシンチレータ１として多結晶の(Y,Gd)2O3:Eu（実施
例１１）または多結晶のGd3Ga5O12:Cr（実施例１２）を
用いた場合にも表２に示す通り良好な相対出力が得られ
た。なお、この実施例１１，１２のセラミックスシンチ
レータ１は実施例１のセラミックスシンチレータ１と同
一寸法に形成してある。また、上記図３の構成におい
て、セラミックスシンチレータ１０として多結晶の(Y,G
d)2O3:Eu（実施例１３）を用いた場合でも表２に示す通
り良好な相対出力が得られた。なお、この実施例１３の
セラミックスシンチレータ１０は実施例４のセラミック
スシンチレータ１０と同一寸法に形成してある。
【００２３】上記実施例では長方形板状のセラミックス
シンチレータおよび単結晶シンチレータを用いたが、本
発明はこれに限定されず上記実施例と同様の作用効果を
得ることが可能な任意の形状、寸法を採用し得ることは
勿論である。
シンチレータおよび単結晶シンチレータを用いたが、本
発明はこれに限定されず上記実施例と同様の作用効果を
得ることが可能な任意の形状、寸法を採用し得ることは
勿論である。
【００２４】また、上記実施例では１種のセラミックス
シンチレータと１種の単結晶シンチレータとを組み合わ
せた放射線検出器の構成を示したが、セラミックスシン
チレータの２種以上と単結晶シンチレータの２種以上と
を組み合わせた構成としてもよいことは勿論である。ま
た、上記実施例では放射線が連続Ｘ線の場合を記載した
が、γ線にも本発明は有効である。
シンチレータと１種の単結晶シンチレータとを組み合わ
せた放射線検出器の構成を示したが、セラミックスシン
チレータの２種以上と単結晶シンチレータの２種以上と
を組み合わせた構成としてもよいことは勿論である。ま
た、上記実施例では放射線が連続Ｘ線の場合を記載した
が、γ線にも本発明は有効である。
【００２５】
【発明の効果】上記の通り、本発明の放射線検出器は特
にＸ線に対する感度が高く、小型化ができ、Ｘ線吸収係
数の大きな物体や大型の機械構造物などの断層像測定用
途に対しても解像度の高い撮影が可能で、例えばＸ線Ｃ
Ｔ装置に代表される高性能の放射線検出器への有用性が
極めて大きいものである。
にＸ線に対する感度が高く、小型化ができ、Ｘ線吸収係
数の大きな物体や大型の機械構造物などの断層像測定用
途に対しても解像度の高い撮影が可能で、例えばＸ線Ｃ
Ｔ装置に代表される高性能の放射線検出器への有用性が
極めて大きいものである。
【図１】本発明の一態様を示す斜視図である。
【図２】図１のｙ方向ーｙ方向矢視断面図である。
【図３】本発明の他の態様を示す要部断面図である。
【図４】従来構造を示す要部断面図である。
１，１０ セラミックスシンチレータ、２，２０ 単結
晶シンチレータ、３ 光検出器、４ 光反射層、５ 光
反射板、６ 端部反射材、７ 基板、１１ 放射線検出
器、１１ａ，１１ｂ 側面、２００ 単結晶シンチレー
タ、３００ セラミックスシンチレータ。
晶シンチレータ、３ 光検出器、４ 光反射層、５ 光
反射板、６ 端部反射材、７ 基板、１１ 放射線検出
器、１１ａ，１１ｂ 側面、２００ 単結晶シンチレー
タ、３００ セラミックスシンチレータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 11/84 ＣＱＤ Ｃ０９Ｋ 11/84 ＣＱＤ
Claims (6)
- 【請求項１】 放射線により発光可能なシンチレータ
と、前記シンチレータの光を電気信号に変換する光検出
器とを組み合わせてなる放射線検出器において、前記シ
ンチレータとしてセラミックスシンチレータと単結晶シ
ンチレータとを組み合わせて使用することを特徴とする
放射線検出器。 - 【請求項２】 前記セラミックスシンチレータとして、
Gd2O2S:Ｒｅ（但し、ＲｅはＰｒ，Ｅｕ，Ｔｂのいずれ
か１種または２種以上の元素を表す。）を用いることを
特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。 - 【請求項３】 前記セラミックスシンチレータとして、
(Y,Gd)2O3:Eu，Gd3Ga5O12:Crのいずれかまたは双方を用
いることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。 - 【請求項４】 前記単結晶シンチレータとして、CdW
O4，Bi6Ge4O12のいずれかまたは双方を用いることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の放射線検出
器。 - 【請求項５】 前記のセラミックスシンチレータと光検
出器との間に前記単結晶シンチレータを配置したことを
特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の放射線検
出器。 - 【請求項６】 前記光検出器上に前記のセラミックスシ
ンチレータと単結晶シンチレータとが隣接して配置され
たことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の
放射線検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31976696A JPH10160852A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 放射線検出器 |
| DE1997150337 DE19750337A1 (de) | 1996-11-29 | 1997-11-13 | Strahlungsdetektor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31976696A JPH10160852A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10160852A true JPH10160852A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18113950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31976696A Pending JPH10160852A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 放射線検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10160852A (ja) |
| DE (1) | DE19750337A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041339A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Ishida Co., Ltd. | Ｘ線ラインセンサモジュール及びｘ線異物検査装置 |
| CN110680367A (zh) * | 2019-09-12 | 2020-01-14 | 东软医疗系统股份有限公司 | Pet探测器模块、pet探测器及pet系统 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6480563B2 (en) * | 2000-12-19 | 2002-11-12 | Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc | System and method of aligning scintillator crystalline structures for computed tomography imaging |
| DE102006017291B4 (de) * | 2006-02-01 | 2017-05-24 | Paul Scherer Institut | Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen, Röntgensystem mit einem solchen Fokus/Detektor-System sowie zugehöriges Speichermedium und Verfahren |
| DE102015215323A1 (de) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Georg-August-Universität Göttingen Stiftung Öffentlichen Rechts | Technik zur tomografischen Bilderfassung |
| CN113725309B (zh) * | 2020-05-22 | 2024-07-30 | 睿生光电股份有限公司 | X射线装置及其制造方法 |
| CN118276149A (zh) * | 2022-12-26 | 2024-07-02 | 同方威视技术股份有限公司 | 用于探测辐射的探测器 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP31976696A patent/JPH10160852A/ja active Pending
-
1997
- 1997-11-13 DE DE1997150337 patent/DE19750337A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041339A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Ishida Co., Ltd. | Ｘ線ラインセンサモジュール及びｘ線異物検査装置 |
| CN110680367A (zh) * | 2019-09-12 | 2020-01-14 | 东软医疗系统股份有限公司 | Pet探测器模块、pet探测器及pet系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19750337A1 (de) | 1998-06-04 |
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