JPH10160955A - 光導波路ミラーの形成方法 - Google Patents
光導波路ミラーの形成方法Info
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- JPH10160955A JPH10160955A JP32409596A JP32409596A JPH10160955A JP H10160955 A JPH10160955 A JP H10160955A JP 32409596 A JP32409596 A JP 32409596A JP 32409596 A JP32409596 A JP 32409596A JP H10160955 A JPH10160955 A JP H10160955A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面精度を向上させると共に、量産時に所望
の一定精度が得られるようにして、生産性の向上を図る
こと。 【解決手段】 垂直方向に直進性の高い切り込み加工が
行える加工法によって光導波路２Ａの端部に島状領域９
と後背領域１０を形成し、島状領域９を倒し込んで後背
領域１０、或いは誘電体基板１に固定するようにした。
の一定精度が得られるようにして、生産性の向上を図る
こと。 【解決手段】 垂直方向に直進性の高い切り込み加工が
行える加工法によって光導波路２Ａの端部に島状領域９
と後背領域１０を形成し、島状領域９を倒し込んで後背
領域１０、或いは誘電体基板１に固定するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光情報処
理の分野で必要とされる光電子集積回路における光導波
路ミラーの形成方法に関し、特に、平面精度を向上させ
ると共に、量産時に所望の一定精度が得られるようにし
て、生産性の向上を図った光導波路ミラーの形成方法に
関する。
理の分野で必要とされる光電子集積回路における光導波
路ミラーの形成方法に関し、特に、平面精度を向上させ
ると共に、量産時に所望の一定精度が得られるようにし
て、生産性の向上を図った光導波路ミラーの形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光通信システムや光ディスクシス
テム等においては、マイクロレンズやプリズム等の光部
品として、バルク形の個別部品が使用されているが、各
々の光学軸調整が面倒であったり、温度や振動等の環境
に対して光学的な影響を受け易かったり、また小型化や
量産化できないなどの問題があった。
テム等においては、マイクロレンズやプリズム等の光部
品として、バルク形の個別部品が使用されているが、各
々の光学軸調整が面倒であったり、温度や振動等の環境
に対して光学的な影響を受け易かったり、また小型化や
量産化できないなどの問題があった。
【０００３】そこで最近では、光部品を薄膜化して１つ
の基板上に電子部品と共に並べて集積化した、所謂、光
電子集積回路の研究が盛んに進められている。
の基板上に電子部品と共に並べて集積化した、所謂、光
電子集積回路の研究が盛んに進められている。
【０００４】光電子集積回路は、周囲より屈折率の高い
薄膜の光導波路を所定のパターンで基板上に形成し、光
導波路中の導波光を基板の表面に取り出す場合には、光
導波路中に所定の傾斜角の光導波路ミラーを形成して構
成されている。
薄膜の光導波路を所定のパターンで基板上に形成し、光
導波路中の導波光を基板の表面に取り出す場合には、光
導波路中に所定の傾斜角の光導波路ミラーを形成して構
成されている。
【０００５】従来の光導波路ミラーの形成方法として、
例えば、特開平６−２６５７３８号公報に開示されるも
のがある。
例えば、特開平６−２６５７３８号公報に開示されるも
のがある。
【０００６】図４の(a) 〜(f) は、上記光導波路ミラー
の形成方法を示す。この光導波路ミラーの形成方法は、
まず、図４の(a) に示すように、熱酸化シリコン基板等
からなる誘電体基板１上にふッ素化ポリイミド材等から
なる光導波路コア材２を形成する。次に、図４の(b) に
示すように、光導波路コア材２上にシリコン系ポジ型フ
ォトレジスト等からなるエッチングマスク３を形成す
る。この後、図４の(c)に示すように、光伝播方向に開
口部の大きさ、或いは密度、つまり光透過量が漸次変化
するマスクパターン４を部分的に有した光導波路パター
ンに対応した複数の直線パターン５を備えたフォトマス
ク６をエッチングマスク３上に形成する。更に、図４の
(d) に示すように、露光してエッチングマスク３の光が
当たった部分に構造変化を起こさせ、溶媒処理により溶
解することによりエッチングマスク３を直線パターン５
に対応したパターンにすると共に、各々にフォトマスク
６のマスクパターン４を透過した光の量に比例した傾斜
面７を形成する。最後に、図４の(e) に示すように、酸
素プラズマを用いた反応性イオンエッチング等によりエ
ッチングして、エッチングマスク３のパターンに対応し
たパターンの光導波路２Ａを形成する。この際、エッチ
ングマスク３もエッチングを受けるため、図４の(f) に
示すように、光導波路２Ａにエッチングマスク３の傾斜
面７に対応した光導波路ミラー８が形成される。
の形成方法を示す。この光導波路ミラーの形成方法は、
まず、図４の(a) に示すように、熱酸化シリコン基板等
からなる誘電体基板１上にふッ素化ポリイミド材等から
なる光導波路コア材２を形成する。次に、図４の(b) に
示すように、光導波路コア材２上にシリコン系ポジ型フ
ォトレジスト等からなるエッチングマスク３を形成す
る。この後、図４の(c)に示すように、光伝播方向に開
口部の大きさ、或いは密度、つまり光透過量が漸次変化
するマスクパターン４を部分的に有した光導波路パター
ンに対応した複数の直線パターン５を備えたフォトマス
ク６をエッチングマスク３上に形成する。更に、図４の
(d) に示すように、露光してエッチングマスク３の光が
当たった部分に構造変化を起こさせ、溶媒処理により溶
解することによりエッチングマスク３を直線パターン５
に対応したパターンにすると共に、各々にフォトマスク
６のマスクパターン４を透過した光の量に比例した傾斜
面７を形成する。最後に、図４の(e) に示すように、酸
素プラズマを用いた反応性イオンエッチング等によりエ
ッチングして、エッチングマスク３のパターンに対応し
たパターンの光導波路２Ａを形成する。この際、エッチ
ングマスク３もエッチングを受けるため、図４の(f) に
示すように、光導波路２Ａにエッチングマスク３の傾斜
面７に対応した光導波路ミラー８が形成される。
【０００７】以上のように製造された光導波路ミラー８
によると、光導波路２Ａを伝播してきた導波光Ｌを、誘
電体基板１の表面の方向（図示では、垂直上方）に反射
させることができる。
によると、光導波路２Ａを伝播してきた導波光Ｌを、誘
電体基板１の表面の方向（図示では、垂直上方）に反射
させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光導波
路ミラーの形成方法によると、エッチングマスクに漸次
露光量が変化するような露光を施すには、均一の照度分
布をもつ紫外光を、照明光学系の解像度よりも細かいマ
スクパターンに通さなければならないが、このようなマ
スクパターンを設計するのは困難であり、また、パター
ンのデータ量も膨大となり、現実性がない。従って、エ
ッチングマスクに漸次露光量が変化するような露光を施
すのが困難であるという問題がある。また、エッチング
マスクのエッチングレートと光導波路コア材のエッチン
グレートが厳密に同一ではないため、エッチングマスク
の傾斜面を光導波路に転写するのが困難であるという問
題がある。反応性イオンエッチング等のプロセス条件を
最適化することによりある程度エッチングレート１：１
に近づけることは可能であるが、エッチングマスクや光
導波路コア材の作製条件のばらつきにより、基板全体に
わたって正確に１：１にすることは困難である。このよ
うな露光上の問題、及びエッチング上の問題は、ミラー
として機能する傾斜面に曲面が生じ易いと共に、量産時
の精度にばらつきが生じ易く、生産性の低下を招いてい
る。
路ミラーの形成方法によると、エッチングマスクに漸次
露光量が変化するような露光を施すには、均一の照度分
布をもつ紫外光を、照明光学系の解像度よりも細かいマ
スクパターンに通さなければならないが、このようなマ
スクパターンを設計するのは困難であり、また、パター
ンのデータ量も膨大となり、現実性がない。従って、エ
ッチングマスクに漸次露光量が変化するような露光を施
すのが困難であるという問題がある。また、エッチング
マスクのエッチングレートと光導波路コア材のエッチン
グレートが厳密に同一ではないため、エッチングマスク
の傾斜面を光導波路に転写するのが困難であるという問
題がある。反応性イオンエッチング等のプロセス条件を
最適化することによりある程度エッチングレート１：１
に近づけることは可能であるが、エッチングマスクや光
導波路コア材の作製条件のばらつきにより、基板全体に
わたって正確に１：１にすることは困難である。このよ
うな露光上の問題、及びエッチング上の問題は、ミラー
として機能する傾斜面に曲面が生じ易いと共に、量産時
の精度にばらつきが生じ易く、生産性の低下を招いてい
る。
【０００９】従って、本発明の目的は平面精度を向上さ
せると共に、量産時に所望の一定精度が得られるように
して、生産性の向上を図ることができる光導波路ミラー
の形成方法を提供することである。
せると共に、量産時に所望の一定精度が得られるように
して、生産性の向上を図ることができる光導波路ミラー
の形成方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、平面精度を向上させると共に、量産時に所望の一定
精度が得られるようにして、生産性の向上を図るため、
誘電体基板上に形成された光導波路の端部に、光導波路
の導波光を反射する光導波路ミラーを形成する光導波路
ミラーの形成方法において、垂直方向に直進性の高い切
り込み加工が行える加工法によって光導波路の端部に第
１の間隙、及び第１の間隙の背後に位置する第２の間隙
を形成することにより島状領域と後背領域を形成し、島
状領域が後背領域に寄り掛かるように島状領域を倒し込
み、島状領域を後背領域、或いは誘電体基板に固定する
ようにした光導波路ミラーの形成方法を提供するもので
ある。
み、平面精度を向上させると共に、量産時に所望の一定
精度が得られるようにして、生産性の向上を図るため、
誘電体基板上に形成された光導波路の端部に、光導波路
の導波光を反射する光導波路ミラーを形成する光導波路
ミラーの形成方法において、垂直方向に直進性の高い切
り込み加工が行える加工法によって光導波路の端部に第
１の間隙、及び第１の間隙の背後に位置する第２の間隙
を形成することにより島状領域と後背領域を形成し、島
状領域が後背領域に寄り掛かるように島状領域を倒し込
み、島状領域を後背領域、或いは誘電体基板に固定する
ようにした光導波路ミラーの形成方法を提供するもので
ある。
【００１１】上記島状領域と後背領域の形成は、島状領
域の幅と高さの関係で定まるアスペクト比が所定の値に
なるように第１、及び第２の間隙の幅を設定して行うこ
とが好ましい。
域の幅と高さの関係で定まるアスペクト比が所定の値に
なるように第１、及び第２の間隙の幅を設定して行うこ
とが好ましい。
【００１２】上記島状領域と後背領域の形成は、電子ビ
ーム加工、或いはイオンビーム加工によって行うことが
好ましい。
ーム加工、或いはイオンビーム加工によって行うことが
好ましい。
【００１３】上記島状領域と後背領域の形成は、光導波
路上にエッチングマスクを形成し、その後ドライエッチ
ング法によってエッチングすることによって行うことが
好ましい。
路上にエッチングマスクを形成し、その後ドライエッチ
ング法によってエッチングすることによって行うことが
好ましい。
【００１４】上記島状領域と後背領域の形成は、光導波
路の膜厚と第２の間隙の幅の比が
路の膜厚と第２の間隙の幅の比が
【数２】 になるように行うことが好ましい。
【００１５】上記島状領域の倒し込みは、第２の間隙に
滴下された接着剤の表面張力によって行い、上記島状領
域と後背領域、或いは誘電体基板の固定は、その接着剤
によって行うことが好ましい。
滴下された接着剤の表面張力によって行い、上記島状領
域と後背領域、或いは誘電体基板の固定は、その接着剤
によって行うことが好ましい。
【００１６】以下、本発明の光導波路ミラーの形成方法
を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１の(a) 〜(c) は、本発明の第
１の実施の形態の光導波路ミラーの形成方法を示す。ま
ず、誘電体基板上に光導波路コア材を形成し、光導波路
コア材を複数の直線状パターンにすることにより、図１
の(a) に示すように、誘電体基板１上に所定の膜厚ｄの
光導波路（コア）２Ａを形成する。次に、図１の(b) に
示すように、垂直方向に直進性が高い切り込み加工が行
える加工法、例えば、電子ビーム加工、イオンビーム加
工、或いはフォトリソグラフィー法によるドライエッチ
ング加工等によって光導波路２Ａの途中２箇所に幅ｗ1
の間隙２Ｂと幅ｗ2 の間隙２Ｃを形成することにより、
平面性の高い垂直な側壁面を有した幅ｗ3 の島状領域９
と後背領域１０を形成する。最後に、図１の(c) に示す
ように、島状領域９を後背領域１０に寄り掛かるように
倒すと共に、島状領域９を後背領域１０に固定して光導
波路ミラー９Ａを形成する。
１の実施の形態の光導波路ミラーの形成方法を示す。ま
ず、誘電体基板上に光導波路コア材を形成し、光導波路
コア材を複数の直線状パターンにすることにより、図１
の(a) に示すように、誘電体基板１上に所定の膜厚ｄの
光導波路（コア）２Ａを形成する。次に、図１の(b) に
示すように、垂直方向に直進性が高い切り込み加工が行
える加工法、例えば、電子ビーム加工、イオンビーム加
工、或いはフォトリソグラフィー法によるドライエッチ
ング加工等によって光導波路２Ａの途中２箇所に幅ｗ1
の間隙２Ｂと幅ｗ2 の間隙２Ｃを形成することにより、
平面性の高い垂直な側壁面を有した幅ｗ3 の島状領域９
と後背領域１０を形成する。最後に、図１の(c) に示す
ように、島状領域９を後背領域１０に寄り掛かるように
倒すと共に、島状領域９を後背領域１０に固定して光導
波路ミラー９Ａを形成する。
【００１８】ここで、島状領域９の幅ｗ3 は、島状領域
９のアスペクト比、つまり、光導波路２Ａの膜厚ｄとの
比ｄ／ｗ3 が大きくなるように設定される。また、間隙
２Ｂの幅ｗ2 は、光導波路２Ａの膜厚ｄとの兼合いで決
定される光導波路ミラー９Ａの傾斜角に応じて設定され
る。通常、光導波路ミラー９Ａは垂直上方に光を反射す
るように傾斜角が４５度に設定されるため、光導波路２
Ａの膜厚ｄと間隙２Ｂの幅ｗ2 の比が、
９のアスペクト比、つまり、光導波路２Ａの膜厚ｄとの
比ｄ／ｗ3 が大きくなるように設定される。また、間隙
２Ｂの幅ｗ2 は、光導波路２Ａの膜厚ｄとの兼合いで決
定される光導波路ミラー９Ａの傾斜角に応じて設定され
る。通常、光導波路ミラー９Ａは垂直上方に光を反射す
るように傾斜角が４５度に設定されるため、光導波路２
Ａの膜厚ｄと間隙２Ｂの幅ｗ2 の比が、
【数３】 となるように設定される。
【００１９】以上のように製造された光導波路ミラー９
Ａによると、光導波路２Ａを伝播してきた導波光Ｌを、
誘電体基板１と反対側の所定の方向（図示では、垂直上
方）に反射させることができる。
Ａによると、光導波路２Ａを伝播してきた導波光Ｌを、
誘電体基板１と反対側の所定の方向（図示では、垂直上
方）に反射させることができる。
【００２０】このように第１の実施の形態では、垂直方
向に直進性が高い切り込み加工が行える加工法によって
光導波路２Ａ中に側壁面の平面性の高い島状領域９と後
背領域１０を形成し、島状領域９を後背領域１０に倒し
て光導波路ミラー９Ａを形成するため、光導波路ミラー
９Ａの平面精度を向上させると共に、量産時に所望の一
定精度を得ることができる。
向に直進性が高い切り込み加工が行える加工法によって
光導波路２Ａ中に側壁面の平面性の高い島状領域９と後
背領域１０を形成し、島状領域９を後背領域１０に倒し
て光導波路ミラー９Ａを形成するため、光導波路ミラー
９Ａの平面精度を向上させると共に、量産時に所望の一
定精度を得ることができる。
【００２１】
【実施例１】以下、本発明の光導波路ミラーの製造方法
の第１の実施例を図２を参照しながら説明する。
の第１の実施例を図２を参照しながら説明する。
【００２２】まず、表面に酸化膜を形成したＳｉウェハ
ー、或いはガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）か
ら成る誘電体基板上にスピンコーティング法によりポリ
イミド又はＰＭＭＡ（メタクリル酸メチルポリマー）を
塗布し、これをベークして膜厚ｄが１０μｍの光導波路
コア材とする。本実施例では、光透過率が高く、耐熱性
の点で優れているふっ素化ポリイミド（日立化成製）を
用いる。そして、通常のフォトリソグラフィー法を用い
て光導波路コア材を複数の直線状パターンにすることに
より光導波路を形成する。図２の(a) は、そのうちの１
本の光伝播方向の断面を示し、誘電体基板１上に光導波
路２Ａが形成されている。
ー、或いはガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）か
ら成る誘電体基板上にスピンコーティング法によりポリ
イミド又はＰＭＭＡ（メタクリル酸メチルポリマー）を
塗布し、これをベークして膜厚ｄが１０μｍの光導波路
コア材とする。本実施例では、光透過率が高く、耐熱性
の点で優れているふっ素化ポリイミド（日立化成製）を
用いる。そして、通常のフォトリソグラフィー法を用い
て光導波路コア材を複数の直線状パターンにすることに
より光導波路を形成する。図２の(a) は、そのうちの１
本の光伝播方向の断面を示し、誘電体基板１上に光導波
路２Ａが形成されている。
【００２３】次に、集束イオンビーム（以下、単にＦＩ
Ｂという）加工装置により、光導波路２ＡにＦＩＢ加工
を施し、図２の(b) に示すように、光導波路２Ａの途中
２箇所に幅ｗ1 の間隙２Ｂと幅ｗ2 の間隙２Ｃを形成す
ることにより、島状領域９と後背領域１０を形成する。
ＦＩＢ加工はビームの直進性が良く、その加工面は非常
に平面性が良いため、島状領域９の側壁面は良好なミラ
ー面となる。また、間隙２Ｂの幅ｗ1 を１μｍ、間隙２
Ｃの幅ｗ2 を７μｍ、島状領域９の幅ｗ3 を２μｍとし
た。本実施例では、ＦＩＢ加工を用いたが、電子ビーム
加工でも同様に平面性が高い側壁面が得られる。
Ｂという）加工装置により、光導波路２ＡにＦＩＢ加工
を施し、図２の(b) に示すように、光導波路２Ａの途中
２箇所に幅ｗ1 の間隙２Ｂと幅ｗ2 の間隙２Ｃを形成す
ることにより、島状領域９と後背領域１０を形成する。
ＦＩＢ加工はビームの直進性が良く、その加工面は非常
に平面性が良いため、島状領域９の側壁面は良好なミラ
ー面となる。また、間隙２Ｂの幅ｗ1 を１μｍ、間隙２
Ｃの幅ｗ2 を７μｍ、島状領域９の幅ｗ3 を２μｍとし
た。本実施例では、ＦＩＢ加工を用いたが、電子ビーム
加工でも同様に平面性が高い側壁面が得られる。
【００２４】この後、光硬化型接着剤を図示しないニー
ドルの先端に付着させる。そして、図２の(c) に示すよ
うに、間隙２Ｂに接着剤１１を滴下する。なお、接着剤
１１はマイクロディスペンサで滴下しても良い。このよ
うに間隙２Ｂに接着剤１１を滴下すると、表面張力によ
り島状領域９が後背領域１０に倒れる。そして、島状領
域９が後背領域１０に接触したところでそれ以上傾かな
くなり、同時に接着剤１１によって島状領域９が斜めに
固定されて、図２の(d) に示すように、光導波路ミラー
９Ａが形成される。本実施例では、光導波路２Ａの膜厚
ｄが１０μｍ、間隙２Ｃの幅ｗ3 が７μｍであるから、
島状領域９は４５度の傾きになる。従って、光導波路２
Ａを伝播してきた導波光Ｌは、光導波路ミラー９Ａによ
り垂直上方に反射される。
ドルの先端に付着させる。そして、図２の(c) に示すよ
うに、間隙２Ｂに接着剤１１を滴下する。なお、接着剤
１１はマイクロディスペンサで滴下しても良い。このよ
うに間隙２Ｂに接着剤１１を滴下すると、表面張力によ
り島状領域９が後背領域１０に倒れる。そして、島状領
域９が後背領域１０に接触したところでそれ以上傾かな
くなり、同時に接着剤１１によって島状領域９が斜めに
固定されて、図２の(d) に示すように、光導波路ミラー
９Ａが形成される。本実施例では、光導波路２Ａの膜厚
ｄが１０μｍ、間隙２Ｃの幅ｗ3 が７μｍであるから、
島状領域９は４５度の傾きになる。従って、光導波路２
Ａを伝播してきた導波光Ｌは、光導波路ミラー９Ａによ
り垂直上方に反射される。
【００２５】
【実施例２】以下、本発明の光導波路ミラーの形成方法
の第２の実施例を図３を参照しながら説明する。
の第２の実施例を図３を参照しながら説明する。
【００２６】まず、表面に酸化膜を形成したＳｉウェハ
ー、或いはガラス基板（ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）か
ら成る誘電体基板上にスピンコーティング法によりポリ
イミド又はＰＭＭＡ（メタクリル酸メチルポリマー）を
塗布し、これをベークして膜厚ｄが１０μｍの光導波路
コア材とする（図３の(a))。本実施例では、光透過率が
高く、耐熱性の点で優れているふっ素化ポリイミド（日
立化成製）を用いる。
ー、或いはガラス基板（ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９）か
ら成る誘電体基板上にスピンコーティング法によりポリ
イミド又はＰＭＭＡ（メタクリル酸メチルポリマー）を
塗布し、これをベークして膜厚ｄが１０μｍの光導波路
コア材とする（図３の(a))。本実施例では、光透過率が
高く、耐熱性の点で優れているふっ素化ポリイミド（日
立化成製）を用いる。
【００２７】次に、図３の(b) に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィー法により複数の直線状の光導波路２
Ａと、後述する島状領域９と後背領域１０に対応するフ
ォトレジストパターン１２をエッチングマスクとして形
成する。そして、図３の(c)に示すように、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性ドライエッチングに
より光導波路２Ａの途中２箇所に幅ｗ1 の間隙２Ｂと幅
ｗ2 の間隙２Ｃを形成することにより、島状領域９と後
背領域１０を形成する。ＲＩＥ等による異方性ドライエ
ッチングは垂直方向に直進性が高い加工が行え、その加
工面は非常に平面性が良いため、島状領域９の側壁面は
良好なミラー面となる。また、間隙２Ｂの幅ｗ1 を１μ
ｍ、間隙２Ｃの幅ｗ2 を７μｍ、島状領域９の幅ｗ3 を
２μｍとした。なお、本実施例では、エッチングマスク
としてフォトレジストを用いたが、Ａｌ等の金属を着膜
し、これをパターニングしてエッチングマスクとしても
良い。
ォトリソグラフィー法により複数の直線状の光導波路２
Ａと、後述する島状領域９と後背領域１０に対応するフ
ォトレジストパターン１２をエッチングマスクとして形
成する。そして、図３の(c)に示すように、反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性ドライエッチングに
より光導波路２Ａの途中２箇所に幅ｗ1 の間隙２Ｂと幅
ｗ2 の間隙２Ｃを形成することにより、島状領域９と後
背領域１０を形成する。ＲＩＥ等による異方性ドライエ
ッチングは垂直方向に直進性が高い加工が行え、その加
工面は非常に平面性が良いため、島状領域９の側壁面は
良好なミラー面となる。また、間隙２Ｂの幅ｗ1 を１μ
ｍ、間隙２Ｃの幅ｗ2 を７μｍ、島状領域９の幅ｗ3 を
２μｍとした。なお、本実施例では、エッチングマスク
としてフォトレジストを用いたが、Ａｌ等の金属を着膜
し、これをパターニングしてエッチングマスクとしても
良い。
【００２８】このようにして島状領域９と後背領域１０
を形成した後、図３の(d) に示すように、フォトレジス
トパターン１２を除去する。
を形成した後、図３の(d) に示すように、フォトレジス
トパターン１２を除去する。
【００２９】この後、光硬化型接着剤を図示しないニー
ドルの先端に付着させる。そして、図３の(e) に示すよ
うに、間隙２Ｂに接着剤１１を滴下する。なお、接着剤
１１はマイクロディスペンサで滴下しても良い。このよ
うに間隙２Ｂに接着剤１１を滴下すると、表面張力によ
り島状領域９が後背領域１０に倒れる。そして、島状領
域９が後背領域１０に接触したところでそれ以上傾かな
くなり、同時に接着剤１１によって島状領域９が斜めに
固定されて、図３の(f) に示すように、光導波路ミラー
９Ａが形成される。本実施例では、光導波路２Ａの膜厚
ｄが１０μｍ、間隙２Ｃの幅ｗ3 が７μｍであるから、
島状領域９は４５度の傾きになる。従って、光導波路２
Ａを伝播してきた導波光Ｌは、光導波路ミラー９Ａによ
り垂直上方に反射される。
ドルの先端に付着させる。そして、図３の(e) に示すよ
うに、間隙２Ｂに接着剤１１を滴下する。なお、接着剤
１１はマイクロディスペンサで滴下しても良い。このよ
うに間隙２Ｂに接着剤１１を滴下すると、表面張力によ
り島状領域９が後背領域１０に倒れる。そして、島状領
域９が後背領域１０に接触したところでそれ以上傾かな
くなり、同時に接着剤１１によって島状領域９が斜めに
固定されて、図３の(f) に示すように、光導波路ミラー
９Ａが形成される。本実施例では、光導波路２Ａの膜厚
ｄが１０μｍ、間隙２Ｃの幅ｗ3 が７μｍであるから、
島状領域９は４５度の傾きになる。従って、光導波路２
Ａを伝播してきた導波光Ｌは、光導波路ミラー９Ａによ
り垂直上方に反射される。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
ミラーの形成方法によると、垂直方向に直進性の高い切
り込み加工が行える加工法によって光導波路の端部に島
状領域と後背領域を形成し、島状領域を倒し込んで後背
領域、或いは誘電体基板に固定するようにしたため、平
面精度を向上させると共に、量産時に所望の一定精度が
得られるようにして、生産性の向上を図ることができ
る。
ミラーの形成方法によると、垂直方向に直進性の高い切
り込み加工が行える加工法によって光導波路の端部に島
状領域と後背領域を形成し、島状領域を倒し込んで後背
領域、或いは誘電体基板に固定するようにしたため、平
面精度を向上させると共に、量産時に所望の一定精度が
得られるようにして、生産性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光導波路ミラ
ーの形成方法を示す断面図。
ーの形成方法を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施例に係る光導波路ミラーの
形成方法を示す断面図。
形成方法を示す断面図。
【図３】本発明の第２の実施例に係る光導波路ミラーの
形成方法を示す断面図。
形成方法を示す断面図。
【図４】従来の光導波路ミラーの形成方法を示す断面
図。
図。
１ 誘電体基板 ２ 光導波路コア材 ２Ａ 光導波路 ２Ｂ、２Ｃ 間隙 ３ エッチングマスク ４ フォトマスク ５ 直線パターン ６ マスクパターン ７ 傾斜面 ８ 光導波路ミラー ９ 島状領域 ９Ａ 光導波路ミラー １０ 後背領域 １１ 接着剤 １２ フォトレジストパターン Ｌ 導波光 ｗ1 〜ｗ3 幅 ｄ 膜厚
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板上に形成された光導波路の端
部に、前記光導波路の導波光を反射する光導波路ミラー
を形成する光導波路ミラーの形成方法において、 垂直方向に直進性の高い切り込み加工が行える加工法に
よって前記光導波路の端部に第１の間隙、及び前記第１
の間隙の背後に位置する第２の間隙を形成することによ
り島状領域と後背領域を形成し、 前記島状領域が前記後背領域に寄り掛かるように前記島
状領域を倒し込み、 前記島状領域を前記後背領域、或いは前記誘電体基板に
固定することを特徴とする光導波路ミラーの形成方法。 - 【請求項２】 前記島状領域と前記後背領域の形成は、
前記島状領域の幅と高さの関係で定まるアスペクト比が
所定の値になるように前記第１、及び第２の間隙の幅を
設定して行う請求項１記載の光導波路ミラーの形成方
法。 - 【請求項３】 前記島状領域と前記後背領域の形成は、
電子ビーム加工、或いはイオンビーム加工によって行う
請求項１記載の光導波路ミラーの形成方法。 - 【請求項４】 前記島状領域と前記後背領域の形成は、
前記光導波路上にエッチングマスクを形成し、その後ド
ライエッチング法によってエッチングすることによって
行う請求項１記載の光導波路ミラーの形成方法。 - 【請求項５】 前記島状領域と前記後背領域の形成は、
前記光導波路の膜厚と前記第２の間隙の幅の比が 【数１】 になるように行う請求項１記載の光導波路ミラーの形成
方法。 - 【請求項６】 前記島状領域の倒し込みは、前記第２の
間隙に滴下される接着剤の表面張力によって行い、 前記島状領域と前記後背領域、或いは前記誘電体基板の
固定は、前記接着剤によって行う請求項１記載の光導波
路ミラーの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32409596A JPH10160955A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光導波路ミラーの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32409596A JPH10160955A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光導波路ミラーの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10160955A true JPH10160955A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18162114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32409596A Pending JPH10160955A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 光導波路ミラーの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10160955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009180861A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP32409596A patent/JPH10160955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009180861A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Kyocera Corp | 光伝送基板とその製造方法、複合光伝送基板ならびに光モジュール |
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