JPH10163066A - 端子電極ペースト、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
端子電極ペースト、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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- JPH10163066A JPH10163066A JP8323128A JP32312896A JPH10163066A JP H10163066 A JPH10163066 A JP H10163066A JP 8323128 A JP8323128 A JP 8323128A JP 32312896 A JP32312896 A JP 32312896A JP H10163066 A JPH10163066 A JP H10163066A
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- JP
- Japan
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- terminal electrode
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- nickel
- powder
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ニッケル粉末またはニッケル合金粉末、およ
び15〜80体積%の酸化物粉末を混合してなる粉体
と、有機バインダおよび溶剤からなるビヒクルとを混
合、分散させることにより、等価直列抵抗値が低く、耐
久信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを実現する
ことができる端子電極ペースト、それを用いた積層セラ
ミックコンデンサ、および、その積層セラミックコンデ
ンサを歩留よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 ニッケル粉末またはニッケル合金粉末、
および15〜80体積%の酸化物粉末を混合してなる粉
体と、有機バインダおよび溶剤からなるビヒクルとを混
合、分散させた端子電極ペーストと積層セラミックコン
デンサ生チップとを同時に焼成し、積層セラミックコン
デンサの第1の端子電極3を形成する。
び15〜80体積%の酸化物粉末を混合してなる粉体
と、有機バインダおよび溶剤からなるビヒクルとを混
合、分散させることにより、等価直列抵抗値が低く、耐
久信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを実現する
ことができる端子電極ペースト、それを用いた積層セラ
ミックコンデンサ、および、その積層セラミックコンデ
ンサを歩留よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 ニッケル粉末またはニッケル合金粉末、
および15〜80体積%の酸化物粉末を混合してなる粉
体と、有機バインダおよび溶剤からなるビヒクルとを混
合、分散させた端子電極ペーストと積層セラミックコン
デンサ生チップとを同時に焼成し、積層セラミックコン
デンサの第1の端子電極3を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的接続を要す
る積層電子部品の端子電極を製造するための端子電極ペ
ースト、それを用いた積層セラミックコンデンサ、およ
びその積層セラミックコンデンサの製造方法に関するも
のである。
る積層電子部品の端子電極を製造するための端子電極ペ
ースト、それを用いた積層セラミックコンデンサ、およ
びその積層セラミックコンデンサの製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、誘電体層
と内部電極層とが交互に配置され、その積層構造の上下
に全体寸法調製および内部気密封止のための誘電体層が
設けられる。内部電極層の電気的接続は、それらの終端
部分が露出した2つの面に端子電極を設けることによっ
て行う。これら端子電極表面には、ハンダ付け実装を容
易にかつ支障なく行なえるように、ニッケルめっきと錫
−鉛系のハンダめっきとが層状に施された構造が公知で
ある。
と内部電極層とが交互に配置され、その積層構造の上下
に全体寸法調製および内部気密封止のための誘電体層が
設けられる。内部電極層の電気的接続は、それらの終端
部分が露出した2つの面に端子電極を設けることによっ
て行う。これら端子電極表面には、ハンダ付け実装を容
易にかつ支障なく行なえるように、ニッケルめっきと錫
−鉛系のハンダめっきとが層状に施された構造が公知で
ある。
【0003】近年の積層セラミックコンデンサは、電子
機器の小型化に対応するため、小型で大容量の製品が求
められており、誘電体材料の高性能化と共に誘電体層の
薄層化、高積層化が進められている。薄層高積層化に伴
う大きな課題として、内部電極に使用する金属の原材料
コストがある。これを解決する方法として従来使用され
ていたパラジウム等の貴金属に代わり、コストの安いニ
ッケルを使用することが公知であって、積層セラミック
コンデンサに占めるニッケル内部電極品の割合は急増し
ている。
機器の小型化に対応するため、小型で大容量の製品が求
められており、誘電体材料の高性能化と共に誘電体層の
薄層化、高積層化が進められている。薄層高積層化に伴
う大きな課題として、内部電極に使用する金属の原材料
コストがある。これを解決する方法として従来使用され
ていたパラジウム等の貴金属に代わり、コストの安いニ
ッケルを使用することが公知であって、積層セラミック
コンデンサに占めるニッケル内部電極品の割合は急増し
ている。
【0004】ニッケルは卑金属であるので、従来の貴金
属内部電極の積層セラミックコンデンサのように酸素雰
囲気中で焼成することは不可能で、低酸素分圧雰囲気中
においてニッケルが酸化されないように焼成しなければ
ならない。コンデンサ用として公知であるチタン酸バリ
ウムに代表されるペロブスカイト酸化物は、1000℃
以上の高温においてニッケルの酸化還元平衡酸素分圧以
下の雰囲気に晒されると還元され、絶縁抵抗値が低下し
てコンデンサ用誘電体としての機能を果たさなくなる。
属内部電極の積層セラミックコンデンサのように酸素雰
囲気中で焼成することは不可能で、低酸素分圧雰囲気中
においてニッケルが酸化されないように焼成しなければ
ならない。コンデンサ用として公知であるチタン酸バリ
ウムに代表されるペロブスカイト酸化物は、1000℃
以上の高温においてニッケルの酸化還元平衡酸素分圧以
下の雰囲気に晒されると還元され、絶縁抵抗値が低下し
てコンデンサ用誘電体としての機能を果たさなくなる。
【0005】一方、これらペロブスカイト酸化物は、A
サイトとBサイトに存在するイオンの化学量論比を変化
させたり、あるいは結晶格子中にドナーとなって固溶し
うる、たとえば遷移金属イオン等を添加したりすること
によって、前述のような熱処理を行なっても還元されに
くくなることが知られている。ニッケル内部電極積層セ
ラミックコンデンサは、この性質を用いて開発された耐
還元性誘電体材料によって可能となっている。
サイトとBサイトに存在するイオンの化学量論比を変化
させたり、あるいは結晶格子中にドナーとなって固溶し
うる、たとえば遷移金属イオン等を添加したりすること
によって、前述のような熱処理を行なっても還元されに
くくなることが知られている。ニッケル内部電極積層セ
ラミックコンデンサは、この性質を用いて開発された耐
還元性誘電体材料によって可能となっている。
【0006】従来、ニッケル内部電極積層セラミックコ
ンデンサは、以下のようにして製造される。前述の耐還
元性誘電体材料粉末をスラリー化し、これを基体上に塗
布、乾燥してグリーンシートとし、このグリーンシート
上にニッケルペーストを印刷して内部電極を形成したも
のを、設計積層数に応じた枚数だけ積層圧着させる。こ
の際、積層体上部と下部とには同質のグリーンシートだ
けを圧着して保護層を形成する。
ンデンサは、以下のようにして製造される。前述の耐還
元性誘電体材料粉末をスラリー化し、これを基体上に塗
布、乾燥してグリーンシートとし、このグリーンシート
上にニッケルペーストを印刷して内部電極を形成したも
のを、設計積層数に応じた枚数だけ積層圧着させる。こ
の際、積層体上部と下部とには同質のグリーンシートだ
けを圧着して保護層を形成する。
【0007】次に、積層体を寸断して各個片に分離して
生チップとし、これを面取りした後、ニッケル粉末を主
成分とする第1の端子電極ペーストを内部電極終端が露
出した面に塗布する。これら生チップを脱バインダし
て、低酸素分圧雰囲気中で焼成し、さらに、銀、あるい
は銀とパラジウムや銅の粉末と、ガラスフリットとを主
成分とする第2の端子電極を塗布して焼き付けた後、ニ
ッケルめっきとハンダめっきとを順次行なう。
生チップとし、これを面取りした後、ニッケル粉末を主
成分とする第1の端子電極ペーストを内部電極終端が露
出した面に塗布する。これら生チップを脱バインダし
て、低酸素分圧雰囲気中で焼成し、さらに、銀、あるい
は銀とパラジウムや銅の粉末と、ガラスフリットとを主
成分とする第2の端子電極を塗布して焼き付けた後、ニ
ッケルめっきとハンダめっきとを順次行なう。
【0008】第1の端子電極ペーストは、コンデンサ本
体と端子電極との密着性を向上させるために用いられ、
たとえば、特開昭63ー86414号公報に示されてい
るように、ニッケル粉末と、積層コンデンサを構成する
誘電体と同一のセラミック粉末とを主成分とするもの等
が用いられる。
体と端子電極との密着性を向上させるために用いられ、
たとえば、特開昭63ー86414号公報に示されてい
るように、ニッケル粉末と、積層コンデンサを構成する
誘電体と同一のセラミック粉末とを主成分とするもの等
が用いられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ニッケ
ル内部電極積層セラミックコンデンサは、還元性雰囲気
中で焼成して製造されるため、Aサイト/Bサイト比の
微調整や有効な添加物をドープして耐還元性を付与した
誘電体組成物を使用しても、やはり信頼性の面で大気な
ど酸素雰囲気中で製造される積層セラミックコンデンサ
に比較すると劣っている。
ル内部電極積層セラミックコンデンサは、還元性雰囲気
中で焼成して製造されるため、Aサイト/Bサイト比の
微調整や有効な添加物をドープして耐還元性を付与した
誘電体組成物を使用しても、やはり信頼性の面で大気な
ど酸素雰囲気中で製造される積層セラミックコンデンサ
に比較すると劣っている。
【0010】また、ニッケルは、水分の共存下で電界を
印加されるとマイグレーションを起こすことが知られ、
積層セラミックコンデンサでは、長時間後には絶縁抵抗
の低下、さらにはショート不良に至るという課題とな
る。これらの現象は、ニッケル内部電極積層セラミック
コンデンサの耐熱負荷寿命試験や耐湿負荷寿命試験にお
ける絶縁抵抗低下という不良となって現れる。
印加されるとマイグレーションを起こすことが知られ、
積層セラミックコンデンサでは、長時間後には絶縁抵抗
の低下、さらにはショート不良に至るという課題とな
る。これらの現象は、ニッケル内部電極積層セラミック
コンデンサの耐熱負荷寿命試験や耐湿負荷寿命試験にお
ける絶縁抵抗低下という不良となって現れる。
【0011】これを防止して信頼性を保証するため、前
述のようにニッケル粉とコンデンサを構成する誘電体粉
末とからなる材料を内部電極終端部が露出した面に設
け、水分等の侵入を遮断する。しかし、この効果を充分
に得ようとすると誘電体粉末の占める割合を大きくして
第1の端子電極のコンデンサ本体に対する密着性を高く
しておく必要がある。しかしながら、このような金属と
誘電体との複合体では、その体積抵抗率が増加し、製造
した積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗が本質的
に高くなるとともに、容量や誘電損失のばらつきによる
製造歩留の低下を引き起こすという問題があった。
述のようにニッケル粉とコンデンサを構成する誘電体粉
末とからなる材料を内部電極終端部が露出した面に設
け、水分等の侵入を遮断する。しかし、この効果を充分
に得ようとすると誘電体粉末の占める割合を大きくして
第1の端子電極のコンデンサ本体に対する密着性を高く
しておく必要がある。しかしながら、このような金属と
誘電体との複合体では、その体積抵抗率が増加し、製造
した積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗が本質的
に高くなるとともに、容量や誘電損失のばらつきによる
製造歩留の低下を引き起こすという問題があった。
【0012】本発明は、以上のような課題を解決し、等
価直列抵抗値が低く、耐久信頼性に優れた積層セラミッ
クコンデンサを実現することができる端子電極ペース
ト、それを用いた積層セラミックコンデンサ、および、
その積層セラミックコンデンサを歩留よく製造する方法
を提供することを目的としている。
価直列抵抗値が低く、耐久信頼性に優れた積層セラミッ
クコンデンサを実現することができる端子電極ペース
ト、それを用いた積層セラミックコンデンサ、および、
その積層セラミックコンデンサを歩留よく製造する方法
を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明による端子電極ペーストは、ニッケル粉末、
またはニッケルと他の金属との混合粉末と、15〜80
体積%の酸化物粉末を混合してなる粉体と、有機バイン
ダおよび溶剤からなるビヒクルとを、混合し、分散させ
てなるものである。
め、本発明による端子電極ペーストは、ニッケル粉末、
またはニッケルと他の金属との混合粉末と、15〜80
体積%の酸化物粉末を混合してなる粉体と、有機バイン
ダおよび溶剤からなるビヒクルとを、混合し、分散させ
てなるものである。
【0014】上記のような含有率で酸化物を含むことに
より、端子電極ペーストを積層セラミックコンデンサの
端子電極として用いた場合、内部電極終端部の露出面は
完全に外界と遮断され、さらにこの酸化物の体積抵抗率
がきわめて低くなる。したがって、積層セラミックコン
デンサの気密性を完全に確保しながら導体としての特性
を充分に保った端子電極を構成することができる。この
結果、耐久信頼性が向上するとともに、積層セラミック
コンデンサの等価直列抵抗値が低くなり、また、容量や
誘電損失のばらつきもなくなる。
より、端子電極ペーストを積層セラミックコンデンサの
端子電極として用いた場合、内部電極終端部の露出面は
完全に外界と遮断され、さらにこの酸化物の体積抵抗率
がきわめて低くなる。したがって、積層セラミックコン
デンサの気密性を完全に確保しながら導体としての特性
を充分に保った端子電極を構成することができる。この
結果、耐久信頼性が向上するとともに、積層セラミック
コンデンサの等価直列抵抗値が低くなり、また、容量や
誘電損失のばらつきもなくなる。
【0015】また、酸化物粉末は、アルカリ土類金属の
チタン酸塩を主成分とし、0.1〜5.0mol%の
Y、La、Pr、Ce、Nd、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちから選ば
れた少なくとも1種類の金属酸化物を混合してなること
が好ましい。
チタン酸塩を主成分とし、0.1〜5.0mol%の
Y、La、Pr、Ce、Nd、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちから選ば
れた少なくとも1種類の金属酸化物を混合してなること
が好ましい。
【0016】次に、本発明による積層セラミックコンデ
ンサは、耐還元性を付与したチタン酸バリウム系セラミ
ック粉末とニッケル内部電極とを具備した積層セラミッ
クコンデンサであって、上記いずれかの端子電極ペース
トから形成される端子電極を含む。
ンサは、耐還元性を付与したチタン酸バリウム系セラミ
ック粉末とニッケル内部電極とを具備した積層セラミッ
クコンデンサであって、上記いずれかの端子電極ペース
トから形成される端子電極を含む。
【0017】上記のような端子電極ペーストを積層セラ
ミックコンデンサの端子電極として用いたので、内部電
極終端部の露出面は完全に外界と遮断され、さらにこの
酸化物の体積抵抗率がきわめて低くなる。したがって、
積層セラミックコンデンサの気密性を完全に確保しなが
ら導体としての特性を充分に保った端子電極を構成する
ことができる。この結果、耐久信頼性が向上するととも
に、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗値が低く
なり、また、容量や誘電損失のばらつきもなくなる。
ミックコンデンサの端子電極として用いたので、内部電
極終端部の露出面は完全に外界と遮断され、さらにこの
酸化物の体積抵抗率がきわめて低くなる。したがって、
積層セラミックコンデンサの気密性を完全に確保しなが
ら導体としての特性を充分に保った端子電極を構成する
ことができる。この結果、耐久信頼性が向上するととも
に、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗値が低く
なり、また、容量や誘電損失のばらつきもなくなる。
【0018】次に、本発明による積層セラミックコンデ
ンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタン酸バリウ
ム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した
積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積層セ
ラミックコンデンサの生チップの内部電極取り出し面
に、第1の端子電極として、上記いずれかの端子電極ペ
ーストを塗布する工程と、端子電極ペーストを塗布され
た生チップを面取りする工程と、面取りされた生チップ
を脱バインダした後、ニッケルが酸化されない還元性雰
囲気中で焼成する工程と、焼成されたチップに第2の端
子電極を塗布して焼き付ける工程と、第2の端子電極上
にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次施す工程と
を、順次行なうことを特徴とする。
ンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタン酸バリウ
ム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した
積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積層セ
ラミックコンデンサの生チップの内部電極取り出し面
に、第1の端子電極として、上記いずれかの端子電極ペ
ーストを塗布する工程と、端子電極ペーストを塗布され
た生チップを面取りする工程と、面取りされた生チップ
を脱バインダした後、ニッケルが酸化されない還元性雰
囲気中で焼成する工程と、焼成されたチップに第2の端
子電極を塗布して焼き付ける工程と、第2の端子電極上
にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次施す工程と
を、順次行なうことを特徴とする。
【0019】次に、本発明による他の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタン酸バ
リウム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備
した積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積
層セラミックコンデンサの生チップを面取りする工程
と、面取りされた生チップの内部電極取り出し面に、第
1の端子電極として、上記いずれかの端子電極ペースト
を塗布する工程と、端子電極ペーストを塗布された生チ
ップを脱バインダした後、ニッケルが酸化されない還元
性雰囲気中で焼成する工程と、焼成されたチップに第2
の端子電極を塗布して焼き付ける工程と、第2の端子電
極上にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次施す工
程とを、順次行なうことを特徴とする。
ンデンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタン酸バ
リウム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備
した積層セラミックコンデンサの製造方法であって、積
層セラミックコンデンサの生チップを面取りする工程
と、面取りされた生チップの内部電極取り出し面に、第
1の端子電極として、上記いずれかの端子電極ペースト
を塗布する工程と、端子電極ペーストを塗布された生チ
ップを脱バインダした後、ニッケルが酸化されない還元
性雰囲気中で焼成する工程と、焼成されたチップに第2
の端子電極を塗布して焼き付ける工程と、第2の端子電
極上にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次施す工
程とを、順次行なうことを特徴とする。
【0020】次に、本発明によるさらに他の積層セラミ
ックコンデンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタ
ン酸バリウム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極と
を具備した積層セラミックコンデンサの製造方法であっ
て、積層セラミックコンデンサの生チップの内部電極取
り出し面に、第1の端子電極として、上記いずれかの端
子電極ペーストを塗布する工程と、端子電極ペーストを
塗布された生チップを脱バインダした後、ニッケルが酸
化されない還元性雰囲気中で焼成する工程と、焼成され
たチップを面取りする工程と、面取りされたチップに第
2の端子電極を塗布して焼き付ける工程と、前記第2の
端子電極上にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次
施す工程とを、順次行なうことを特徴とする。
ックコンデンサの製造方法は、耐還元性を付与したチタ
ン酸バリウム系セラミック粉末と、ニッケル内部電極と
を具備した積層セラミックコンデンサの製造方法であっ
て、積層セラミックコンデンサの生チップの内部電極取
り出し面に、第1の端子電極として、上記いずれかの端
子電極ペーストを塗布する工程と、端子電極ペーストを
塗布された生チップを脱バインダした後、ニッケルが酸
化されない還元性雰囲気中で焼成する工程と、焼成され
たチップを面取りする工程と、面取りされたチップに第
2の端子電極を塗布して焼き付ける工程と、前記第2の
端子電極上にニッケルめっきおよびハンダめっきを順次
施す工程とを、順次行なうことを特徴とする。
【0021】上記の各積層セラミックコンデンサの製造
方法では、生チップあるいは面取りされた生チップの内
部電極終端部露出面に端子電極ペーストを塗布し、積層
セラミックコンデンサ生チップと端子電極ペーストとを
同時に焼成することにより、積層セラミックコンデンサ
の気密性を完全に確保しながら導体としての特性を充分
に保った端子電極を形成することができる。この結果、
耐久信頼性が向上するとともに、積層セラミックコンデ
ンサの等価直列抵抗値が低くなり、また、容量や誘電損
失のばらつきもなくなり、積層セラミックコンデンサの
製造歩留を向上することができる。
方法では、生チップあるいは面取りされた生チップの内
部電極終端部露出面に端子電極ペーストを塗布し、積層
セラミックコンデンサ生チップと端子電極ペーストとを
同時に焼成することにより、積層セラミックコンデンサ
の気密性を完全に確保しながら導体としての特性を充分
に保った端子電極を形成することができる。この結果、
耐久信頼性が向上するとともに、積層セラミックコンデ
ンサの等価直列抵抗値が低くなり、また、容量や誘電損
失のばらつきもなくなり、積層セラミックコンデンサの
製造歩留を向上することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の具体的な実施の
形態について説明する。 (実施形態1)チタン酸バリウム粉末(日本化学産業
(株)製、BTG−L)100gに対し、表1に示した
配合量で酸化イットリウム(日本イットリウム(株)
製)を純水を媒介としたボールミル(容量0.5リット
ル、5mmφのジルコニアボールを球石として使用。)
で湿式混合した。混合条件は、種々検討したが、回転数
100回/分で15時間程度で充分であり、これ以上時
間をかけても最終的に得られる特性には変化がなかっ
た。この混合粉末を乾燥した後、大気中、常温より毎時
200℃で昇温、1100℃で2時間保持、毎時200
℃で降温という熱処理プロファイルで熱処理し、混合時
と同様の条件でボールミル粉砕を行なった後に乾燥し、
酸化物粉末を調製した。
形態について説明する。 (実施形態1)チタン酸バリウム粉末(日本化学産業
(株)製、BTG−L)100gに対し、表1に示した
配合量で酸化イットリウム(日本イットリウム(株)
製)を純水を媒介としたボールミル(容量0.5リット
ル、5mmφのジルコニアボールを球石として使用。)
で湿式混合した。混合条件は、種々検討したが、回転数
100回/分で15時間程度で充分であり、これ以上時
間をかけても最終的に得られる特性には変化がなかっ
た。この混合粉末を乾燥した後、大気中、常温より毎時
200℃で昇温、1100℃で2時間保持、毎時200
℃で降温という熱処理プロファイルで熱処理し、混合時
と同様の条件でボールミル粉砕を行なった後に乾燥し、
酸化物粉末を調製した。
【0023】これら酸化物粉末を、直径12mm、厚み
0.7mm程度の円板状にプレス成形し、窒素と水素と
の混合ガス雰囲気中で、常温から900℃まで毎時20
0℃で昇温し、900℃で1時間保持しながらマスフロ
ーコントローラを動作させてニッケルの酸化還元平衡酸
素分圧よりも2桁下になるように酸素分圧を調整した。
その後、各温度でこの酸素分圧が保持されるようにマス
フローコントローラを動作させながら1300℃まで毎
時200℃で昇温し、1300℃で2時間保持した後、
常温まで毎時200℃で降温するというプロファイルで
焼成した。これら焼結体円板の表面と裏面とに金を真空
蒸着して電極を形成し、体積抵抗率を測定した。なお、
この際、前述の大気中熱処理を行なっていない混合粉末
についても同様に焼結体円板を作製し、測定を行った。
この結果を表1に示す。
0.7mm程度の円板状にプレス成形し、窒素と水素と
の混合ガス雰囲気中で、常温から900℃まで毎時20
0℃で昇温し、900℃で1時間保持しながらマスフロ
ーコントローラを動作させてニッケルの酸化還元平衡酸
素分圧よりも2桁下になるように酸素分圧を調整した。
その後、各温度でこの酸素分圧が保持されるようにマス
フローコントローラを動作させながら1300℃まで毎
時200℃で昇温し、1300℃で2時間保持した後、
常温まで毎時200℃で降温するというプロファイルで
焼成した。これら焼結体円板の表面と裏面とに金を真空
蒸着して電極を形成し、体積抵抗率を測定した。なお、
この際、前述の大気中熱処理を行なっていない混合粉末
についても同様に焼結体円板を作製し、測定を行った。
この結果を表1に示す。
【0024】
【表1】
【0025】表1より明らかなように、チタン酸バリウ
ムに酸化イットリウムを0.1mol%以上ドープした
ものは、還元雰囲気中で焼成することにより低抵抗の焼
結体を与えることがわかる。しかしながら、酸化イット
リウムの含有量が5.0mol%を越えると、1300
℃では、焼結しなくなる。これらの組成については、1
350℃まで温度を上げて焼結を試みたが、不可能であ
った。また、表1からもわかるように、大気中1100
℃の熱処理を行ったものと行なっていないものを比較す
ると、両者に大きな差異は認められない。
ムに酸化イットリウムを0.1mol%以上ドープした
ものは、還元雰囲気中で焼成することにより低抵抗の焼
結体を与えることがわかる。しかしながら、酸化イット
リウムの含有量が5.0mol%を越えると、1300
℃では、焼結しなくなる。これらの組成については、1
350℃まで温度を上げて焼結を試みたが、不可能であ
った。また、表1からもわかるように、大気中1100
℃の熱処理を行ったものと行なっていないものを比較す
ると、両者に大きな差異は認められない。
【0026】ニッケル粉末(住友金属鉱山製、SNP−
130)50gに対し、表1の酸化物粉末No.10を
用いて表2に示した組成で粉末を混合し、ターピネオー
ルと芳香族ナフサを重量で2:1に混合した溶剤にエチ
ルセルロース(ダウケミカル(株)製、エトセル45)
を7.5重量%溶解させたビヒクルを、前述の混合粉末
全量に対してエチルセルロースが5重量%となるように
添加した。
130)50gに対し、表1の酸化物粉末No.10を
用いて表2に示した組成で粉末を混合し、ターピネオー
ルと芳香族ナフサを重量で2:1に混合した溶剤にエチ
ルセルロース(ダウケミカル(株)製、エトセル45)
を7.5重量%溶解させたビヒクルを、前述の混合粉末
全量に対してエチルセルロースが5重量%となるように
添加した。
【0027】予備混練の後、3本ロールミル(アルミナ
ロール、50mmφ)によって混練、分散し、端子電極
ペーストを作成した。これらペーストは、塗布する前に
ビヒクルと同組成の溶剤を添加して粘度調整を行い、2
5℃において4〜5Pa・sとなるようにした。
ロール、50mmφ)によって混練、分散し、端子電極
ペーストを作成した。これらペーストは、塗布する前に
ビヒクルと同組成の溶剤を添加して粘度調整を行い、2
5℃において4〜5Pa・sとなるようにした。
【0028】次に、上記のように作成した端子電極ペー
ストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。図1は、実施形態1の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法を示す図である。
ストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。図1は、実施形態1の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法を示す図である。
【0029】チタン酸バリウムを主成分とし、これに酸
化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化マンガンおよ
びシリカ等の微量添加物を加えて調製した耐還元性誘電
体粉末を、ポリビニルブチラールを主成分とする有機ビ
ヒクルに分散させた誘電体スラリーを用いて、厚み12
μmのグリーンシートを作成し、これに市販のニッケル
ペーストを印刷して内部電極パターンを形成した。上下
に保護層としてグリーンシートのみをそれぞれ25枚、
内部電極パターンを形成したグリーンシートを100枚
積層して圧着し、個片に寸断して3216サイズの積層
コンデンサ生チップを製造した。この結果、図1に示す
ように、ニッケル内部電極1と誘導体セラミック2とが
交互に積層された生チップが製造された。
化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化マンガンおよ
びシリカ等の微量添加物を加えて調製した耐還元性誘電
体粉末を、ポリビニルブチラールを主成分とする有機ビ
ヒクルに分散させた誘電体スラリーを用いて、厚み12
μmのグリーンシートを作成し、これに市販のニッケル
ペーストを印刷して内部電極パターンを形成した。上下
に保護層としてグリーンシートのみをそれぞれ25枚、
内部電極パターンを形成したグリーンシートを100枚
積層して圧着し、個片に寸断して3216サイズの積層
コンデンサ生チップを製造した。この結果、図1に示す
ように、ニッケル内部電極1と誘導体セラミック2とが
交互に積層された生チップが製造された。
【0030】これら生チップをジルコニアボールを球石
としてボールミルによって面取りを行い、第1の端子電
極3として、前述の端子電極ペーストを内部電極終端部
の露出面に図1に示すように塗布した。次に、大気中、
毎時15℃で350℃まで昇温、350℃で5時間保持
した後、炉内放冷するというプロファイルで脱バインダ
し、前述の焼成プロファイルと同様の方法で焼成した。
第2の端子電極4として、これら焼成チップに市販の銀
ペーストを図1に示すように塗布し、大気中、ベルト炉
を用いて最高温度650℃、処理時間1時間のプロファ
イルで焼き付けた。最後に、硫酸ニッケルと塩化ニッケ
ルとの水溶液を主成分とするめっき浴中で電気めっきし
て第2の端子電極4の表面にニッケルめっき層5を、つ
いで鉛と錫の硼弗化物水溶液を主成分とするめっき浴中
で電気めっきしてハンダめっき層6を形成した。このよ
うにして製造された積層セラミックコンデンサの初期特
性および負荷寿命信頼性を測定した結果を表2に示す。
としてボールミルによって面取りを行い、第1の端子電
極3として、前述の端子電極ペーストを内部電極終端部
の露出面に図1に示すように塗布した。次に、大気中、
毎時15℃で350℃まで昇温、350℃で5時間保持
した後、炉内放冷するというプロファイルで脱バインダ
し、前述の焼成プロファイルと同様の方法で焼成した。
第2の端子電極4として、これら焼成チップに市販の銀
ペーストを図1に示すように塗布し、大気中、ベルト炉
を用いて最高温度650℃、処理時間1時間のプロファ
イルで焼き付けた。最後に、硫酸ニッケルと塩化ニッケ
ルとの水溶液を主成分とするめっき浴中で電気めっきし
て第2の端子電極4の表面にニッケルめっき層5を、つ
いで鉛と錫の硼弗化物水溶液を主成分とするめっき浴中
で電気めっきしてハンダめっき層6を形成した。このよ
うにして製造された積層セラミックコンデンサの初期特
性および負荷寿命信頼性を測定した結果を表2に示す。
【0031】
【表2】
【0032】なお、比較例として、誘電体スラリーに用
いた耐還元性誘電体粉末を使い、前述と全く同じ方法で
調製した端子電極ペーストを、同様に生チップに施して
製造した積層セラミックコンデンサの初期特性および負
荷寿命信頼性を測定した結果を表3に示す。
いた耐還元性誘電体粉末を使い、前述と全く同じ方法で
調製した端子電極ペーストを、同様に生チップに施して
製造した積層セラミックコンデンサの初期特性および負
荷寿命信頼性を測定した結果を表3に示す。
【0033】
【表3】
【0034】表2および表3中、耐熱性は125℃にお
いて直流32Vを印加して1000時間経過したとき
に、絶縁抵抗値が100MΩ以下に低下した積層コンデ
ンサの個数を、耐湿性は85℃、85%RHの高温高湿
下で直流16Vを印加して1000時間経過したときの
同様な個数を示しており、双方共に供試サンプル数は5
00とした。これら信頼性試験は、供試サンプルをガラ
スエポキシ基板上に270℃のハンダ槽浸漬によって実
装した状態で行った。また、等価直列抵抗(ESR)は
インピーダンスアナライザを用いて測定した値である。
いて直流32Vを印加して1000時間経過したとき
に、絶縁抵抗値が100MΩ以下に低下した積層コンデ
ンサの個数を、耐湿性は85℃、85%RHの高温高湿
下で直流16Vを印加して1000時間経過したときの
同様な個数を示しており、双方共に供試サンプル数は5
00とした。これら信頼性試験は、供試サンプルをガラ
スエポキシ基板上に270℃のハンダ槽浸漬によって実
装した状態で行った。また、等価直列抵抗(ESR)は
インピーダンスアナライザを用いて測定した値である。
【0035】これらの表から明らかであるように、本発
明による積層セラミックコンデンサは、従来のような耐
還元性誘電体粉末を用いた端子電極による積層セラミッ
クコンデンサに比べて、容量と誘電損失のバラツキが小
さく、さらに等価直列抵抗の値が小さい。しかしなが
ら、表中に示されているように、酸化物粉末の含有量が
15体積%よりも少ない場合には、気密性が低下するた
め特に耐湿負荷寿命に問題を生じ、逆に80体積%より
も多い場合には、容量と誘電損失(tanδ)のバラツ
キが若干大きくなり、それとともに等価直列抵抗の値が
増加するという問題を生じる。したがって、酸化物粉末
の含有量は15体積%〜80体積%が好ましい。
明による積層セラミックコンデンサは、従来のような耐
還元性誘電体粉末を用いた端子電極による積層セラミッ
クコンデンサに比べて、容量と誘電損失のバラツキが小
さく、さらに等価直列抵抗の値が小さい。しかしなが
ら、表中に示されているように、酸化物粉末の含有量が
15体積%よりも少ない場合には、気密性が低下するた
め特に耐湿負荷寿命に問題を生じ、逆に80体積%より
も多い場合には、容量と誘電損失(tanδ)のバラツ
キが若干大きくなり、それとともに等価直列抵抗の値が
増加するという問題を生じる。したがって、酸化物粉末
の含有量は15体積%〜80体積%が好ましい。
【0036】本実施の形態では、端子電極ペーストの金
属粉としてニッケル粉末を用いた場合の結果を示した
が、第2の端子電極として用いるべき金属の種類やその
ペーストとの相性の関係において、例えばニッケル粉末
にパラジウム粉末、銅粉末、あるいはコバルト粉末等を
混合したものを用いても、本実施の形態と同様の結果が
得られる。但し、これらの場合には、焼結された合金の
本質的な抵抗率に応じて、等価直列抵抗の値は若干の変
化を示す。
属粉としてニッケル粉末を用いた場合の結果を示した
が、第2の端子電極として用いるべき金属の種類やその
ペーストとの相性の関係において、例えばニッケル粉末
にパラジウム粉末、銅粉末、あるいはコバルト粉末等を
混合したものを用いても、本実施の形態と同様の結果が
得られる。但し、これらの場合には、焼結された合金の
本質的な抵抗率に応じて、等価直列抵抗の値は若干の変
化を示す。
【0037】また、端子電極ペーストの酸化物粉末とし
ては、耐還元性を付与したチタン酸バリウム系セラミッ
ク粉末を利用した積層セラミックコンデンサを製造する
場合には、その焼結挙動のマッチング等により、本実施
の形態のようにアルカリ土類金属のチタン酸塩であるチ
タン酸バリウム主成分としたものが好ましく、これに請
求項2に記載の酸化物の少なくとも1種を0.1mol
%〜5.0mol%混合したものが好ましい。但し、他
のアルカリ土類金属のチタン酸塩を利用した積層電子部
品、たとえば、チタン酸ストロンチウムを主成分として
用いるニッケル内部電極を備えた積層バリスタなどの場
合にはチタン酸ストロンチウムなどを用いることができ
る。
ては、耐還元性を付与したチタン酸バリウム系セラミッ
ク粉末を利用した積層セラミックコンデンサを製造する
場合には、その焼結挙動のマッチング等により、本実施
の形態のようにアルカリ土類金属のチタン酸塩であるチ
タン酸バリウム主成分としたものが好ましく、これに請
求項2に記載の酸化物の少なくとも1種を0.1mol
%〜5.0mol%混合したものが好ましい。但し、他
のアルカリ土類金属のチタン酸塩を利用した積層電子部
品、たとえば、チタン酸ストロンチウムを主成分として
用いるニッケル内部電極を備えた積層バリスタなどの場
合にはチタン酸ストロンチウムなどを用いることができ
る。
【0038】(実施形態2)チタン酸バリウム粉末(堺
化学(株)製、HPBT)100gに対し、表4に示し
た組成で酸化ジスプロシウム(Dy2O3)(信越化学
(株)製)を、純水を媒介としたボールミル(容量:
0.5リットル、直径:5mmのジルコニアボールを球
石として使用。)で、回転数100回/分、15時間湿
式混合した。乾燥後、解砕を行なって酸化物粉末を調製
した。
化学(株)製、HPBT)100gに対し、表4に示し
た組成で酸化ジスプロシウム(Dy2O3)(信越化学
(株)製)を、純水を媒介としたボールミル(容量:
0.5リットル、直径:5mmのジルコニアボールを球
石として使用。)で、回転数100回/分、15時間湿
式混合した。乾燥後、解砕を行なって酸化物粉末を調製
した。
【0039】ニッケル粉末(住友金属鉱山製、SNP−
700)50gに対し、調製した酸化物粉末各50gを
混合し、ターピネオール、ブチルセロソルブおよびブチ
ルベンジルフタレートを重量で1:1:0.1に混合し
た溶剤にポリビニルブチラール(積水化学(株)製、B
L−S)を10重量%溶解させたビヒクルを、前述の混
合粉末全量に対してポリビニルブチラールが7重量%と
なるように添加した。予備混練の後、3本ロールミル
(アルミナロール、50mmφ)によって混練、分散
し、端子電極ペーストを作成した。これらのペースト
は、塗布する前にターピネオールを添加して粘度調整を
行い、25℃において4〜5Pa・sとなるようにし
た。
700)50gに対し、調製した酸化物粉末各50gを
混合し、ターピネオール、ブチルセロソルブおよびブチ
ルベンジルフタレートを重量で1:1:0.1に混合し
た溶剤にポリビニルブチラール(積水化学(株)製、B
L−S)を10重量%溶解させたビヒクルを、前述の混
合粉末全量に対してポリビニルブチラールが7重量%と
なるように添加した。予備混練の後、3本ロールミル
(アルミナロール、50mmφ)によって混練、分散
し、端子電極ペーストを作成した。これらのペースト
は、塗布する前にターピネオールを添加して粘度調整を
行い、25℃において4〜5Pa・sとなるようにし
た。
【0040】次に、上記のように作成した端子電極ペー
ストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。図2は、実施形態1の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法を示す図である。
ストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。図2は、実施形態1の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法を示す図である。
【0041】チタン酸バリウムを主成分とし、これに炭
酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジスプロシ
ウム、酸化マンガンおよびシリカ等の微量添加物を加え
て調製した耐還元性誘電体粉末を、ポリビニルブチラー
ルを主成分とする有機ビヒクルに分散させた誘電体スラ
リーを用いて、厚み10μmのグリーンシートを作成
し、これに市販のニッケルペーストを印刷して内部電極
パターンを形成した。上下に保護層としてグリーンシー
トのみをそれぞれ30枚、内部電極パターンを形成した
グリーンシートを120枚積層して圧着し、個片に寸断
して3216サイズの積層コンデンサ生チップを製造し
た。
酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジスプロシ
ウム、酸化マンガンおよびシリカ等の微量添加物を加え
て調製した耐還元性誘電体粉末を、ポリビニルブチラー
ルを主成分とする有機ビヒクルに分散させた誘電体スラ
リーを用いて、厚み10μmのグリーンシートを作成
し、これに市販のニッケルペーストを印刷して内部電極
パターンを形成した。上下に保護層としてグリーンシー
トのみをそれぞれ30枚、内部電極パターンを形成した
グリーンシートを120枚積層して圧着し、個片に寸断
して3216サイズの積層コンデンサ生チップを製造し
た。
【0042】これら生チップの内部電極終端部の露出面
に、第1の端子電極3として、前述の端子電極ペースト
を図2に示すように塗布した。次に、ジルコニアボール
を球石としてボールミルによって面取りを行い、大気
中、毎時15℃で350℃まで昇温し、350℃で5時
間保持した後炉内放冷するというプロファイルで脱バイ
ンダし、前述の焼成プロファイルと同様の方法で焼成し
た。第2の端子電極4として、これら焼成チップに市販
の銅ペーストを図2に示すように塗布し、窒素中、ベル
ト炉を用いて最高温度750℃、処理時間1時間のプロ
ファイルで焼き付けた。最後に、実施形態1と同様の方
法で第2の端子電極上にニッケルめっき層5とハンダめ
っき層6とを形成した。このようにして製造された積層
セラミックコンデンサの初期特性および負荷寿命信頼性
を測定した結果を表4に示す。
に、第1の端子電極3として、前述の端子電極ペースト
を図2に示すように塗布した。次に、ジルコニアボール
を球石としてボールミルによって面取りを行い、大気
中、毎時15℃で350℃まで昇温し、350℃で5時
間保持した後炉内放冷するというプロファイルで脱バイ
ンダし、前述の焼成プロファイルと同様の方法で焼成し
た。第2の端子電極4として、これら焼成チップに市販
の銅ペーストを図2に示すように塗布し、窒素中、ベル
ト炉を用いて最高温度750℃、処理時間1時間のプロ
ファイルで焼き付けた。最後に、実施形態1と同様の方
法で第2の端子電極上にニッケルめっき層5とハンダめ
っき層6とを形成した。このようにして製造された積層
セラミックコンデンサの初期特性および負荷寿命信頼性
を測定した結果を表4に示す。
【0043】
【表4】
【0044】表4中、耐熱性および耐湿性では、実施形
態1の表2および表3と同様の個数を示している。酸化
ジスプロシウムが5mol%を超えて含有される酸化物
粉末を用いた端子電極ペーストの場合、焼結が不十分で
強度が小さかったので、評価は行なわなかった。この表
から明らかであるように、本実施形態による積層セラミ
ックコンデンサは、実施形態1に述べたのと同様な優れ
た特性を有しており、本実施形態によって指定された組
成範囲外の酸化物粉末の場合には、その特性が発揮され
ない。
態1の表2および表3と同様の個数を示している。酸化
ジスプロシウムが5mol%を超えて含有される酸化物
粉末を用いた端子電極ペーストの場合、焼結が不十分で
強度が小さかったので、評価は行なわなかった。この表
から明らかであるように、本実施形態による積層セラミ
ックコンデンサは、実施形態1に述べたのと同様な優れ
た特性を有しており、本実施形態によって指定された組
成範囲外の酸化物粉末の場合には、その特性が発揮され
ない。
【0045】また、本実施形態によって端子電極ペース
トを塗布した積層コンデンサ生チップを面取りして後、
脱バインダ、焼成を行なうという製造方法が示された
が、図3に示すように、本実施形態で作成した端子電極
ペーストを塗布した積層コンデンサ生チップを脱バイン
ダ、焼成し、その後にジルコニアボールと炭化珪素粉末
(325メッシュ)を用いて、純水を媒介としたボール
ミリングで面取りを行なって同様に積層セラミックコン
デンサを製造し、評価したところ、表4に示したのとほ
ぼ同じ結果が得られた。
トを塗布した積層コンデンサ生チップを面取りして後、
脱バインダ、焼成を行なうという製造方法が示された
が、図3に示すように、本実施形態で作成した端子電極
ペーストを塗布した積層コンデンサ生チップを脱バイン
ダ、焼成し、その後にジルコニアボールと炭化珪素粉末
(325メッシュ)を用いて、純水を媒介としたボール
ミリングで面取りを行なって同様に積層セラミックコン
デンサを製造し、評価したところ、表4に示したのとほ
ぼ同じ結果が得られた。
【0046】以上のように、実施形態1および実施形態
2においては、端子電極ペーストを具備させるべき積層
セラミックコンデンサの誘電体組成に合わせて、アルカ
リ土類金属のチタン酸塩に混合する金属酸化物としてイ
ットリウム(Y)およびジスプロシウム(Dy)の酸化
物を用いたが、焼成過程における金属イオンの拡散、反
応による誘電体自体の変質が問題となるような場合に
は、0.1〜5.0mol%のLa、Pr、Ce、N
d、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Ybおよび
Luのうちから選ばれた金属酸化物のいずれを用いて
も、同様の効果を得ることができる。すなわち、積層セ
ラミックコンデンサを構成する耐還元性を付与したチタ
ン酸バリウム系セラミックは、誘電率、誘電損失および
容量の温度特性などに対する要求特性を満足させるため
に、種々の微量添加物を用いて構成されるが、その組成
に応じて上記の金属酸化物を選択することによってこれ
に対応することができる。なお、上記の各金属酸化物に
対しては、95mol%〜99.9mol%のアルカリ
土類金属のチタン酸塩を用いるのが好ましい。て下さ
い。)。
2においては、端子電極ペーストを具備させるべき積層
セラミックコンデンサの誘電体組成に合わせて、アルカ
リ土類金属のチタン酸塩に混合する金属酸化物としてイ
ットリウム(Y)およびジスプロシウム(Dy)の酸化
物を用いたが、焼成過程における金属イオンの拡散、反
応による誘電体自体の変質が問題となるような場合に
は、0.1〜5.0mol%のLa、Pr、Ce、N
d、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Ybおよび
Luのうちから選ばれた金属酸化物のいずれを用いて
も、同様の効果を得ることができる。すなわち、積層セ
ラミックコンデンサを構成する耐還元性を付与したチタ
ン酸バリウム系セラミックは、誘電率、誘電損失および
容量の温度特性などに対する要求特性を満足させるため
に、種々の微量添加物を用いて構成されるが、その組成
に応じて上記の金属酸化物を選択することによってこれ
に対応することができる。なお、上記の各金属酸化物に
対しては、95mol%〜99.9mol%のアルカリ
土類金属のチタン酸塩を用いるのが好ましい。て下さ
い。)。
【0047】
【発明の効果】以上に示したように、本発明によれば、
等価直列抵抗値が低く、耐久信頼性に優れた電極積層セ
ラミックコンデンサを歩留よく製造することができる。
等価直列抵抗値が低く、耐久信頼性に優れた電極積層セ
ラミックコンデンサを歩留よく製造することができる。
【図1】本発明による実施形態1の積層セラミックコン
デンサの製造方法を示す図
デンサの製造方法を示す図
【図2】本発明による実施形態2の積層セラミックコン
デンサの製造方法を示す図
デンサの製造方法を示す図
【図3】本発明による実施形態2の他の積層セラミック
コンデンサの製造方法を示す図
コンデンサの製造方法を示す図
1 ニッケル内部電極 2 誘電体セラミック 3 第1の端子電極 4 第2の端子電極 5 ニッケルめっき層 6 ハンダめっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大村 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 ニッケル粉末またはニッケルと他の金属
との混合粉末、および15〜80体積%の酸化物粉末を
混合してなる粉体と、有機バインダおよび溶剤からなる
ビヒクルとを、混合し、分散させてなる端子電極ペース
ト。 - 【請求項2】 前記酸化物粉末は、アルカリ土類金属の
チタン酸塩を主成分とし、0.1〜5.0mol%の
Y、La、Pr、Ce、Nd、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、YbおよびLuのうちから選ば
れた少なくとも1種類の金属酸化物を混合してなる請求
項1記載の端子電極ペースト。 - 【請求項3】 耐還元性を付与したチタン酸バリウム系
セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した積層
セラミックコンデンサであって、 請求項1または請求項2記載の端子電極ペーストから形
成される端子電極を含むことを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサ。 - 【請求項4】 耐還元性を付与したチタン酸バリウム系
セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した積層
セラミックコンデンサの製造方法であって、 前記積層セラミックコンデンサの生チップの内部電極取
り出し面に、第1の端子電極として、請求項1または請
求項2記載の端子電極ペーストを塗布する工程と、前記
端子電極ペーストを塗布された生チップを面取りする工
程と、面取りされた生チップを脱バインダした後、ニッ
ケルが酸化されない還元性雰囲気中で焼成する工程と、
焼成されたチップに第2の端子電極を塗布して焼き付け
る工程と、前記第2の端子電極上にニッケルめっきおよ
びハンダめっきを順次施す工程とを、順次行なうことを
特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項5】 耐還元性を付与したチタン酸バリウム系
セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した積層
セラミックコンデンサの製造方法であって、 前記積層セラミックコンデンサの生チップを面取りする
工程と、面取りされた生チップの内部電極取り出し面
に、第1の端子電極として、請求項1または請求項2記
載の端子電極ペーストを塗布する工程と、前記端子電極
ペーストを塗布された生チップを脱バインダした後、ニ
ッケルが酸化されない還元性雰囲気中で焼成する工程
と、焼成されたチップに第2の端子電極を塗布して焼き
付ける工程と、前記第2の端子電極上にニッケルめっき
およびハンダめっきを順次施す工程とを、順次行なうこ
とを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項6】 耐還元性を付与したチタン酸バリウム系
セラミック粉末と、ニッケル内部電極とを具備した積層
セラミックコンデンサの製造方法であって、 前記積層セラミックコンデンサの生チップの内部電極取
り出し面に、第1の端子電極として、請求項1または請
求項2記載の端子電極ペーストを塗布する工程と、前記
端子電極ペーストを塗布された生チップを脱バインダし
た後、ニッケルが酸化されない還元性雰囲気中で焼成す
る工程と、焼成されたチップを面取りする工程と、面取
りされたチップに第2の端子電極を塗布して焼き付ける
工程と、前記第2の端子電極上にニッケルめっきおよび
ハンダめっきを順次施す工程とを、順次行なうことを特
徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323128A JPH10163066A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 端子電極ペースト、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323128A JPH10163066A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 端子電極ペースト、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163066A true JPH10163066A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18151406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8323128A Pending JPH10163066A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 端子電極ペースト、積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163066A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115565793A (zh) * | 2022-10-13 | 2023-01-03 | 福州大学 | 铽基金属有机配合物的制备及其在超级电容器中的应用 |
| JP2023102509A (ja) * | 2022-01-12 | 2023-07-25 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2026005168A (ja) * | 2024-06-26 | 2026-01-15 | 同欣電子工業股▲分▼有限公司 | チップパッケージ構造 |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP8323128A patent/JPH10163066A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023102509A (ja) * | 2022-01-12 | 2023-07-25 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CN115565793A (zh) * | 2022-10-13 | 2023-01-03 | 福州大学 | 铽基金属有机配合物的制备及其在超级电容器中的应用 |
| JP2026005168A (ja) * | 2024-06-26 | 2026-01-15 | 同欣電子工業股▲分▼有限公司 | チップパッケージ構造 |
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