JPH10163118A - 化合物半導体の気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長装置および気相成長方法Info
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- JPH10163118A JPH10163118A JP32395096A JP32395096A JPH10163118A JP H10163118 A JPH10163118 A JP H10163118A JP 32395096 A JP32395096 A JP 32395096A JP 32395096 A JP32395096 A JP 32395096A JP H10163118 A JPH10163118 A JP H10163118A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 三元以上の化合物半導体の、少なくとも一種
類の液体原料を用いるエピタキシャル気相成長に関し、
周囲温度の変動、および容器温度分布がもたらす液面の
減少による蒸気圧変化に拘らず、経時変化による組成変
動が少なく、成長毎の組成の再現性のよい成長層を得る
成長装置と成長方法を提供する。 【解決手段】 液体原料バブラ１の上部で下流側に、ガ
ス排出配管１２を介して小さな液体原料容器２を設け、
１、２をそれぞれヒータ３、４で温度制御する。ただ
し、液体原料バブラ１よりも液体原料容器２を低温と
し、さらに液体原料容器２には液体原料溜まり８を設け
る。
類の液体原料を用いるエピタキシャル気相成長に関し、
周囲温度の変動、および容器温度分布がもたらす液面の
減少による蒸気圧変化に拘らず、経時変化による組成変
動が少なく、成長毎の組成の再現性のよい成長層を得る
成長装置と成長方法を提供する。 【解決手段】 液体原料バブラ１の上部で下流側に、ガ
ス排出配管１２を介して小さな液体原料容器２を設け、
１、２をそれぞれヒータ３、４で温度制御する。ただ
し、液体原料バブラ１よりも液体原料容器２を低温と
し、さらに液体原料容器２には液体原料溜まり８を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、三元以上の化合物
半導体結晶の気相成長装置および気相成長方法に関す
る。
半導体結晶の気相成長装置および気相成長方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-X ＣｄX
Ｔｅ）は、カドミウムテルルと水銀テルルとの混晶であ
り、その混晶組成比Ｘを変化させることによりエネルギ
ーギャップを変えることが可能である。水銀カドミウム
テルルの組成は、わずかにずれてもエネルギーギャップ
が変化する。このため、水銀カドミウムテルル結晶を光
検出部として構成した複合型赤外線検出装置において
は、組成のずれは応答波長に影響するため、組成の正確
な制御が要求される。従って、気相成長法により基板上
に水銀カドミウムテルルを形成するには、それぞれの原
料の供給量の正確な制御が必要となる。
Ｔｅ）は、カドミウムテルルと水銀テルルとの混晶であ
り、その混晶組成比Ｘを変化させることによりエネルギ
ーギャップを変えることが可能である。水銀カドミウム
テルルの組成は、わずかにずれてもエネルギーギャップ
が変化する。このため、水銀カドミウムテルル結晶を光
検出部として構成した複合型赤外線検出装置において
は、組成のずれは応答波長に影響するため、組成の正確
な制御が要求される。従って、気相成長法により基板上
に水銀カドミウムテルルを形成するには、それぞれの原
料の供給量の正確な制御が必要となる。
【０００３】このような正確な組成制御が望まれる半導
体気相エピタキシャル成長装置において、原料を安定し
て供給するためには、原料、特に液体原料の温度を一定
にすることが必要である。
体気相エピタキシャル成長装置において、原料を安定し
て供給するためには、原料、特に液体原料の温度を一定
にすることが必要である。
【０００４】一例として、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法による水銀カドミウムテルルの成長に
おいて、液体原料である水銀を供給する装置および方法
を図４に示す。
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法による水銀カドミウムテルルの成長に
おいて、液体原料である水銀を供給する装置および方法
を図４に示す。
【０００５】水銀カドミウムテルルは、カドミウムおよ
びテルルの原料としてジメチルカドミウム、ジイソプロ
ピルテルルなどの有機金属原料を使用し、水銀の原料と
しては金属水銀を使用する。
びテルルの原料としてジメチルカドミウム、ジイソプロ
ピルテルルなどの有機金属原料を使用し、水銀の原料と
しては金属水銀を使用する。
【０００６】図４は従来の水銀供給装置の概略断面図で
ある。１は液体原料用バブラであり、ガス導入管９とガ
ス排出管１２を備え、バブラ１中に入れた水銀７中をガ
ス導入管９からキャリアガス例えば水素をバブリング
し、キャリアガスを水銀７の蒸気で飽和させガス排出管
１２から次の配管系に送る。金属水銀は常温では蒸気圧
が非常に低いため、加熱用ヒータ３で約２００℃に加熱
保温する。水銀蒸気で飽和したキャリアガスは反応管内
で他の原料と混合し、加熱されたエピタキシャル成長用
基板上で熱分解して水銀カドミウムテルル結晶が形成さ
れる。
ある。１は液体原料用バブラであり、ガス導入管９とガ
ス排出管１２を備え、バブラ１中に入れた水銀７中をガ
ス導入管９からキャリアガス例えば水素をバブリング
し、キャリアガスを水銀７の蒸気で飽和させガス排出管
１２から次の配管系に送る。金属水銀は常温では蒸気圧
が非常に低いため、加熱用ヒータ３で約２００℃に加熱
保温する。水銀蒸気で飽和したキャリアガスは反応管内
で他の原料と混合し、加熱されたエピタキシャル成長用
基板上で熱分解して水銀カドミウムテルル結晶が形成さ
れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように水銀用バブ
ラは約２００℃に加熱保温する必要がある。これには容
器全体をオイルなどの保温液に入れて温度を均一にする
方法があるが、高温に加熱された保温液がこぼれた場合
に危険である。一方、ヒータなどで直接加熱する場合に
は容器全体の温度を均一に保つことは困難であり、容器
内部に温度差が生じる。そのため水銀残量の減少により
水銀の液面が低下し水銀温度が変動した場合、水銀蒸気
圧が変動する。また、水銀の熱伝導率は低く、周囲温度
の変動にも追従しにくい。その結果、図５に示すように
エピタキシャル成長結晶の組成が成長の度毎に変動する
という問題があった。
ラは約２００℃に加熱保温する必要がある。これには容
器全体をオイルなどの保温液に入れて温度を均一にする
方法があるが、高温に加熱された保温液がこぼれた場合
に危険である。一方、ヒータなどで直接加熱する場合に
は容器全体の温度を均一に保つことは困難であり、容器
内部に温度差が生じる。そのため水銀残量の減少により
水銀の液面が低下し水銀温度が変動した場合、水銀蒸気
圧が変動する。また、水銀の熱伝導率は低く、周囲温度
の変動にも追従しにくい。その結果、図５に示すように
エピタキシャル成長結晶の組成が成長の度毎に変動する
という問題があった。
【０００８】図５は横軸に成長回数（回）、縦軸に混晶
組成比（Ｘ）をとったものである。また、成長層の厚さ
方向で混晶組成比（Ｘ）が変動することがある。
組成比（Ｘ）をとったものである。また、成長層の厚さ
方向で混晶組成比（Ｘ）が変動することがある。
【０００９】水銀の供給量はキャリアガス流量により制
御することができるが、この場合、水銀温度が一定であ
ることを前提としている。しかしながら、容器温度を２
００℃付近まで上昇させているため、容器のわずかな温
度の変動や液面の低下によっても水銀蒸気圧が変動し、
水銀カドミウムテルル成長層の組成に影響を及ぼす。本
発明は、上記事情を考慮してなされたもので、化合物半
導体層を基板上に気相エピタキシャル成長する場合に、
混晶組成比の変動の少ない成長装置および成長方法を提
供することを目的とする。
御することができるが、この場合、水銀温度が一定であ
ることを前提としている。しかしながら、容器温度を２
００℃付近まで上昇させているため、容器のわずかな温
度の変動や液面の低下によっても水銀蒸気圧が変動し、
水銀カドミウムテルル成長層の組成に影響を及ぼす。本
発明は、上記事情を考慮してなされたもので、化合物半
導体層を基板上に気相エピタキシャル成長する場合に、
混晶組成比の変動の少ない成長装置および成長方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は化合物半導体の
気相エピタキシャル成長装置および成長方法に係り、ガ
ス導入配管９によりキャリアガスでバブリングする液体
原料バブラ１の上部に排出配管１２を介して液体原料容
器２を設け、各容器はそれぞれ加熱用ヒータにより温度
制御することを特徴とする。
気相エピタキシャル成長装置および成長方法に係り、ガ
ス導入配管９によりキャリアガスでバブリングする液体
原料バブラ１の上部に排出配管１２を介して液体原料容
器２を設け、各容器はそれぞれ加熱用ヒータにより温度
制御することを特徴とする。
【００１１】また、液体原料バブラ１から反応管に至る
配管系の中で、液体原料容器２の温度を最も低くするこ
とを特徴とする。
配管系の中で、液体原料容器２の温度を最も低くするこ
とを特徴とする。
【００１２】また、液体原料バブラ１の容積よりも液体
原料容器２の容積を小さくしたことを特徴とする。
原料容器２の容積を小さくしたことを特徴とする。
【００１３】また、一定量を超える液体原料をオーバー
フローさせ、液体原料容器２内の液体原料量を一定とす
ることを特徴とする。
フローさせ、液体原料容器２内の液体原料量を一定とす
ることを特徴とする。
【００１４】また、液体原料容器２内にバッフル板を設
けてた液体原料蒸気を液化させることを特徴とする。
けてた液体原料蒸気を液化させることを特徴とする。
【００１５】また、液体原料容器２の温度を制御する冷
却用配管を設けたことを特徴とする。
却用配管を設けたことを特徴とする。
【００１６】本発明による化合物半導体の気相エピタキ
シャル成長装置および成長方法によれば、液体原料バブ
ラーの周囲温度の変動および容器内温度差がもたらす液
面の低下による蒸気圧変動にかかわらず、原料を反応管
内に変動なく供給できる。これにより、成長中の混晶組
成比の変動が少なく、成長毎の混晶組成比の再現性のよ
い化合物半導体のエピタキシャル気相成長層を提供でき
る。
シャル成長装置および成長方法によれば、液体原料バブ
ラーの周囲温度の変動および容器内温度差がもたらす液
面の低下による蒸気圧変動にかかわらず、原料を反応管
内に変動なく供給できる。これにより、成長中の混晶組
成比の変動が少なく、成長毎の混晶組成比の再現性のよ
い化合物半導体のエピタキシャル気相成長層を提供でき
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、液
体原料として水銀を使用した場合について、図面を参照
して説明する。
体原料として水銀を使用した場合について、図面を参照
して説明する。
【００１８】図１は本発明の液体原料供給装置の概略断
面図である。１は液体原料用バブラであり、ガス導入管
９とガス排出管１２を備え、バブラ１中に入れた液体原
料（水銀）７中をガス導入管９からキャリアガス例えば
水素をバブリングし、キャリアガスを水銀７の蒸気で飽
和させ、ガス排出管１２から次の液体原料容器２に送
る。１は直径１０ｃｍ程度、高さ１０ｃｍ程度の円柱状
の容器であり、その上部にガス排出管１２を介して液体
原料容器２が配置されている。液体原料容器２は直径５
ｃｍ程度、高さ３ｃｍ程度である。ガス排出管１２は鉛
直で液体原料用バブラ１と、この上部の液体原料容器２
とを連結する。
面図である。１は液体原料用バブラであり、ガス導入管
９とガス排出管１２を備え、バブラ１中に入れた液体原
料（水銀）７中をガス導入管９からキャリアガス例えば
水素をバブリングし、キャリアガスを水銀７の蒸気で飽
和させ、ガス排出管１２から次の液体原料容器２に送
る。１は直径１０ｃｍ程度、高さ１０ｃｍ程度の円柱状
の容器であり、その上部にガス排出管１２を介して液体
原料容器２が配置されている。液体原料容器２は直径５
ｃｍ程度、高さ３ｃｍ程度である。ガス排出管１２は鉛
直で液体原料用バブラ１と、この上部の液体原料容器２
とを連結する。
【００１９】ガス排出管１２の下流側開口端は液体原料
容器２の底面から１ｃｍ〜２ｃｍの高さの位置にあり、
この下流側開口端を含むガス排出管１２と液体原料容器
２の底面、内周面で液体原料（水銀）溜まり８を形成す
る。液体原料容器２内で底面から下流側開口端までの深
さ以上に溜まった水銀は下流側開口端からオーバーフロ
ーしてバブラ１に戻る。このため、液体原料容器２内の
液体原料（水銀）の量は一定となる。
容器２の底面から１ｃｍ〜２ｃｍの高さの位置にあり、
この下流側開口端を含むガス排出管１２と液体原料容器
２の底面、内周面で液体原料（水銀）溜まり８を形成す
る。液体原料容器２内で底面から下流側開口端までの深
さ以上に溜まった水銀は下流側開口端からオーバーフロ
ーしてバブラ１に戻る。このため、液体原料容器２内の
液体原料（水銀）の量は一定となる。
【００２０】バブラ１はヒータ３により２３０℃に加熱
し、液体原料容器２はヒータ４により２００℃にそれぞ
れ個別に温度制御した。５、６は温度検出用の熱電対で
ある。また、液体原料容器２の周囲を空気など熱輸送で
きる冷却用ガスを配管１０、１１中に通すことにより、
さらに温度制御性を向上させることができる。
し、液体原料容器２はヒータ４により２００℃にそれぞ
れ個別に温度制御した。５、６は温度検出用の熱電対で
ある。また、液体原料容器２の周囲を空気など熱輸送で
きる冷却用ガスを配管１０、１１中に通すことにより、
さらに温度制御性を向上させることができる。
【００２１】また、液体原料容器２内のガス排出管１２
の下流側開口端と液体原料容器２からの排出口の間に
は、バッフル板１３を配置し、キャリアガスが液体原料
容器２内壁と十分温度交換し、キャリアガス中の水銀蒸
気圧が液体原料容器２内壁の温度で規定されるようにす
る。
の下流側開口端と液体原料容器２からの排出口の間に
は、バッフル板１３を配置し、キャリアガスが液体原料
容器２内壁と十分温度交換し、キャリアガス中の水銀蒸
気圧が液体原料容器２内壁の温度で規定されるようにす
る。
【００２２】なお、バブラ１と液体原料容器２の間の経
路、液体原料容器２から反応管（図示せず）までの経路
も水銀の付着を防ぐために加熱手段を設け、２３０℃に
加熱した。すなわち液体原料容器２は反応管までの経路
の中で最も温度が低くなるように制御し、液体原料容器
２の温度で水銀蒸気圧が規定されるようにした。
路、液体原料容器２から反応管（図示せず）までの経路
も水銀の付着を防ぐために加熱手段を設け、２３０℃に
加熱した。すなわち液体原料容器２は反応管までの経路
の中で最も温度が低くなるように制御し、液体原料容器
２の温度で水銀蒸気圧が規定されるようにした。
【００２３】図２には、バブラ１から液体原料容器２を
経由してその先までの経路の温度分布を示す。図２の左
側にはバブラ１から液体原料容器２を経由してその先ま
での経路の概略断面図を示し、右側にはその位置に対応
する温度（℃）を横軸に示す。
経由してその先までの経路の温度分布を示す。図２の左
側にはバブラ１から液体原料容器２を経由してその先ま
での経路の概略断面図を示し、右側にはその位置に対応
する温度（℃）を横軸に示す。
【００２４】図２でわかるように、液体原料容器２を設
けない場合にはバブラ１の温度分布はバブラの上下で約
２０℃の差がある。このため水銀残量すなわち液面の高
さにより液面の温度が変わるため蒸気圧が変動し、水銀
原料を時間的に一定しては供給できない。また、周囲温
度が変動すると容量の大きなバブラ１では熱伝導度の悪
い水銀の温度が均一化するのに時間がかかる。一方、液
体原料容器２内の温度差は非常に小さく、温度制御は容
易で温度が一定に保たれる。さらに液面もオーバーフロ
ー機構により一定に保たれるため、残量および周囲温度
変動による水銀蒸気圧の変化は殆どない。
けない場合にはバブラ１の温度分布はバブラの上下で約
２０℃の差がある。このため水銀残量すなわち液面の高
さにより液面の温度が変わるため蒸気圧が変動し、水銀
原料を時間的に一定しては供給できない。また、周囲温
度が変動すると容量の大きなバブラ１では熱伝導度の悪
い水銀の温度が均一化するのに時間がかかる。一方、液
体原料容器２内の温度差は非常に小さく、温度制御は容
易で温度が一定に保たれる。さらに液面もオーバーフロ
ー機構により一定に保たれるため、残量および周囲温度
変動による水銀蒸気圧の変化は殆どない。
【００２５】このバブラ１から液体原料容器２を経由し
た経路に、毎分５００ｃｃの水素キャリアガスを水銀中
をバブリングさせ、反応管内に導入した。同時にジメチ
ルカドミウム、ジイソプロピルテルルをも水素キャリア
ガスで反応管に輸送し、約４００℃に加熱したカドミウ
ム亜鉛テルル基板上に水銀カドミウムテルルを厚さ１０
μｍ成長させた。
た経路に、毎分５００ｃｃの水素キャリアガスを水銀中
をバブリングさせ、反応管内に導入した。同時にジメチ
ルカドミウム、ジイソプロピルテルルをも水素キャリア
ガスで反応管に輸送し、約４００℃に加熱したカドミウ
ム亜鉛テルル基板上に水銀カドミウムテルルを厚さ１０
μｍ成長させた。
【００２６】水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-X ＣｄX Ｔ
ｅ）のカドミウム組成の値（Ｘ値）は、赤外線透過特性
を測定し、そのバンドギャップを求めて組成を算出し
た。その結果を図３に示す。図３は横軸に成長回数、縦
軸にカドミウム組成の値（Ｘ値）をとったものである。
図３で見るように、Ｘ値は成長毎にＸ＝０．２３０±
０．００５の範囲内におさめることができ、成長毎の組
成の再現性が大幅に改善された。
ｅ）のカドミウム組成の値（Ｘ値）は、赤外線透過特性
を測定し、そのバンドギャップを求めて組成を算出し
た。その結果を図３に示す。図３は横軸に成長回数、縦
軸にカドミウム組成の値（Ｘ値）をとったものである。
図３で見るように、Ｘ値は成長毎にＸ＝０．２３０±
０．００５の範囲内におさめることができ、成長毎の組
成の再現性が大幅に改善された。
【００２７】本実施の形態では、水銀カドミウムテルル
のエピタキシャル気相成長について説明した。しかし、
本発明は、これに限られるものではなく、液体原料を使
用する他の化合物半導体のエピタキシャル気相成長にも
適用可能である。
のエピタキシャル気相成長について説明した。しかし、
本発明は、これに限られるものではなく、液体原料を使
用する他の化合物半導体のエピタキシャル気相成長にも
適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明により、液体原料の供給量を常に
一定に制御することができる。
一定に制御することができる。
【００２９】この結果、成長層の厚さ方向の組成変動が
少なく、成長毎の組成の再現性に優れた半導体成長層の
成長装置とその成長方法を提供できる。
少なく、成長毎の組成の再現性に優れた半導体成長層の
成長装置とその成長方法を提供できる。
【図１】本発明を説明する概略断面図である。
【図２】本発明の装置の温度分布を示すグラフである。
【図３】本発明を説明するグラフである。
【図４】従来例を説明する概略断面図である。
【図５】従来例を説明するグラフである。
１…液体原料用バブラ ２…液体原料容器 ３…ヒータ ４…ヒータ ５…熱電対 ６…熱電対 ７…液体原料（水銀） ８…液体原料溜まり ９…ガス導入配管 １０…冷却ガス導入配管 １１…冷却ガス排出配管 １２…ガス排出配管 １３…バッフル板
Claims (12)
- 【請求項１】 三元以上の混晶半導体結晶を製造する化
合物半導体の気相成長装置において、液体原料バブラ１
と、前記液体原料バブラ１中の液体原料を加熱するため
の加熱用ヒータ３と、前記液体原料バブラ１の液体原料
中にキャリアガスを導入するためのガス導入配管９と、
前記液体原料バブラ１の上部に前記液体原料バブラ１か
らの排出配管１２を介して連結された液体原料容器２
と、前記液体原料容器２を加熱するための加熱用ヒータ
４と、を含む液体原料蒸発容器を具備することを特徴と
する化合物半導体の気相成長装置。 - 【請求項２】 液体原料バブラ１から反応管に至る配管
系の中で、ヒータ４により制御された液体原料容器２の
温度を最も低くすることを特徴とする請求項１記載の化
合物半導体の気相成長装置。 - 【請求項３】 液体原料バブラ１の容積よりも液体原料
容器２の容積を小さくしたことを特徴とする請求項１記
載の化合物半導体の気相成長装置。 - 【請求項４】 一定量を超える液体原料をオーバーフロ
ーさせ、液体原料容器２内の液体原料量を一定とするこ
とを特徴とする請求項１記載の化合物半導体の気相成長
装置。 - 【請求項５】 液体原料容器２内にバッフル板を設けた
ことを特徴とする請求項１記載の化合物半導体の気相成
長装置。 - 【請求項６】 液体原料容器２の温度を制御する冷却用
配管を設けたことを特徴とする請求項２記載の化合物半
導体の気相成長装置。 - 【請求項７】 三元以上の混晶半導体結晶を製造する化
合物半導体の気相成長方法において、加熱用ヒータ３に
より加熱された液体原料バブラ１に入れた液体原料中を
ガス導入配管９からキャリアガスをバブリングし、キャ
リアガスを液体原料の蒸気で飽和させ排出配管１２から
送る工程と、前記排出配管１２により送られた飽和ガス
を前記液体原料バブラ１の上部に排出配管１２を介して
連結された液体原料容器２に送り、前記液体原料容器２
に液体原料を溜め加熱用ヒータ４により加熱する工程を
含むことを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。 - 【請求項８】 液体原料バブラ１から反応管に至る配管
系の中で、ヒータ４により制御された液体原料容器２の
温度を最も低くすることを特徴とする請求項７記載の化
合物半導体の気相成長方法。 - 【請求項９】 液体原料バブラ１の容積よりも液体原料
容器２の容積を小さくしたことを特徴とする請求項２記
載の化合物半導体の気相成長方法。 - 【請求項１０】 一定量を超える液体原料をオーバーフ
ローさせ、液体原料容器２内の液体原料量を一定とする
ことを特徴とする請求項７記載の化合物半導体の気相成
長方法。 - 【請求項１１】 液体原料容器２内にバッフル板を設け
て液体原料蒸気を液化させることを特徴とする請求項７
記載の化合物半導体の気相成長方法。 - 【請求項１２】 液体原料容器２の温度を制御する冷却
用配管を設けたことを特徴とする請求項８記載の化合物
半導体の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32395096A JPH10163118A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 化合物半導体の気相成長装置および気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32395096A JPH10163118A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 化合物半導体の気相成長装置および気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163118A true JPH10163118A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18160446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32395096A Pending JPH10163118A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 化合物半導体の気相成長装置および気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012504703A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | 株式会社テラセミコン | ソースガス供給装置 |
| CN103137525A (zh) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 东京毅力科创株式会社 | 气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法 |
| CN117823813A (zh) * | 2022-09-29 | 2024-04-05 | 南昌中微半导体设备有限公司 | 一种压力容器异常溢出检测系统 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP32395096A patent/JPH10163118A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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