JPH10163301A - Alignment apparatus for transparent wafer - Google Patents

Alignment apparatus for transparent wafer

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JPH10163301A
JPH10163301A JP32385896A JP32385896A JPH10163301A JP H10163301 A JPH10163301 A JP H10163301A JP 32385896 A JP32385896 A JP 32385896A JP 32385896 A JP32385896 A JP 32385896A JP H10163301 A JPH10163301 A JP H10163301A
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transparent
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for carrying out the alignment of a transparent wafer by detecting an orientation flat or a notch in a non-contact manner. SOLUTION: The edge part of the lower surface (the surface on which a pattern is not formed) of a transparent wafer 10 held by a pre-chuck 22 is irradiated at a polarization angle with a polarized light from a light emitting part 60. Thus, the polarized light irradiating the lower surface of the transparent wafer 10 is totally reflected to be received by a photodetector 70. If the amount of the light detected by the photodetector 70 is reduced when the transparent wafer is rotated by the pre-chuck 22, the orientation flat or the notch of the transparent wafer 10 is positioned at the part irradiated by the polarized light at that time, so that the orientation flat or the notch can be detected by this reduction of the amount of light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は透明ウェーハのアラ
イメント装置に係り、特にパターンが記録されているガ
ラス等の透明ウェーハをオリフラ又はノッチ等を検出す
ることにより所望の角度方向に位置合わせする透明ウェ
ーハのアライメント装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for aligning a transparent wafer, and more particularly to a transparent wafer for aligning a transparent wafer such as glass on which a pattern is recorded in a desired angular direction by detecting an orientation flat or a notch. Related to an alignment apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハには結晶方位を示
した平坦な面のオリフラ(オリエンテーション フラッ
ト)又は切り欠きのノッチが形成されている。半導体ウ
ェーハ上に形成されたICやLSI等の電子回路ダイの
電気的特性を試験するプローバでは、このオリフラやノ
ッチによって半導体ウェーハの角度方向を検出し、この
角度方向を一定方向にプリアライメラントする。尚、プ
ローバでは、半導体ウェーハを検査ステージ上に載置さ
せる前におおよその角度に位置合わせすることをプリア
ライメントと呼んでいる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a flat orientation flat (orientation flat) or notch notch is formed on a semiconductor wafer to indicate a crystal orientation. In a prober for testing the electrical characteristics of an electronic circuit die such as an IC or an LSI formed on a semiconductor wafer, the orientation direction of the semiconductor wafer is detected by the orientation flat and the notch, and the angle direction is pre-aligned in a predetermined direction. . Note that in the prober, positioning the semiconductor wafer at an approximate angle before placing the semiconductor wafer on the inspection stage is called pre-alignment.

【0003】従来、プリアライメントする方法には幾つ
かの種類があるが、現在では半導体ウェーハのエッジ部
に幅が狭い長方形の光束を照射するとともに、半導体ウ
ェーハを回転させ、その透過光量が半導体ウェーハのエ
ッジ部の一部であるオリフラやノッチによって変化する
ことを利用してプリアライメントするのが一般的であ
る。
Conventionally, there are several types of pre-alignment methods. At present, an edge portion of a semiconductor wafer is irradiated with a narrow rectangular light beam, the semiconductor wafer is rotated, and the amount of transmitted light is reduced. In general, the pre-alignment is performed by utilizing the change due to the orientation flat or the notch which is a part of the edge portion.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェーハのように不透明部材のウェーハでは、上述の方
法でプリアライメントが可能であるが、素材がガラス等
の透明部材である透明ウェーハの場合にはオリフラやノ
ッチによる透過光量の変化が少なく、特に、透明ウェー
ハの表面にパターンが形成されている場合には、このパ
ターンの有無による光量変化が大きく影響し、上述の方
法ではオリフラやノッチの検出が困難である。
However, in the case of a wafer having an opaque member such as a semiconductor wafer, pre-alignment can be performed by the above-described method. However, in the case of a transparent wafer whose material is a transparent member such as glass, an orientation flat is used. The change in the amount of transmitted light due to the pattern and the notch is small, especially when a pattern is formed on the surface of the transparent wafer, the change in the amount of light due to the presence or absence of this pattern greatly affects, and it is difficult to detect the orientation flat and the notch with the above method. It is.

【0005】このため、透明ウェーハのエッジにローラ
を押し当てて透明ウェーハを回転させ、ローラの位置変
化によりオリフラ又はノッチを検出するメカ式プリアラ
イメントという方法も考えられるが、この方法だと、ウ
ェーハにダメージを与える等の問題がある。本発明はこ
のような事情に鑑みてなされたもので、オリフラ又はノ
ッチを非接触により確実に検出して透明ウェーハのアラ
イメントを行う透明ウェーハのアライメント装置を提供
することを目的とする。
For this reason, a method called mechanical pre-alignment in which a roller is pressed against the edge of a transparent wafer to rotate the transparent wafer and detect an orientation flat or a notch based on a change in the position of the roller is also conceivable. There is a problem such as damaging the device. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a transparent wafer alignment apparatus that performs alignment of a transparent wafer by reliably detecting an orientation flat or a notch in a non-contact manner.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、透明ウェーハに形成されたオリフラ又はノ
ッチを検出し、該オリフラ又はノッチの位置に基づいて
前記透明ウェーハの位置合わせを行うアライメント装置
において、前記透明ウェーハを回転させる駆動手段と、
前記駆動手段によって回転する前記透明ウェーハのオリ
フラ又はノッチが通過する位置に前記透明ウェーハの表
面に対して入射角が偏光角となる方向から偏光を照射す
る偏光照明手段と、前記偏光照明手段によって照射され
前記透明ウェーハによって反射された前記偏光を検出す
る受光手段と、前記受光手段によって検出した偏光の光
量に基づいて前記透明ウェーハのオリフラ又はノッチを
検出するオリフラ検出手段と、前記オリフラ検出手段の
検出結果に基づいて前記駆動手段を駆動し、前記透明ウ
ェーハを所定の方向に位置合わせする制御手段と、を備
えたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention detects an orientation flat or notch formed in a transparent wafer and performs alignment of the transparent wafer based on the position of the orientation flat or notch. In the alignment device, a driving unit for rotating the transparent wafer,
A polarization illuminating unit that irradiates polarized light from a direction in which an incident angle with respect to the surface of the transparent wafer is a polarization angle to a position where the orientation flat or the notch of the transparent wafer that is rotated by the driving unit passes; Receiving means for detecting the polarized light reflected by the transparent wafer, orientation flat detecting means for detecting an orientation flat or notch of the transparent wafer based on the amount of polarized light detected by the light receiving means, and detection of the orientation flat detection means Control means for driving the driving means based on the result and aligning the transparent wafer in a predetermined direction.

【0007】本発明によれば、回転する透明ウェーハの
オリフラ又はノッチが通過する位置に透明ウェーハの表
面で全反射するように入射角が偏光角となる方向から偏
光を照射し、透明ウェーハを回転させながら透明ウェー
ハによって反射された反射光を検出する。そして、検出
された反射光の光量に基づいてオリフラ又はノッチを検
出するとともに、この検出結果に基づいて透明ウェーハ
の位置合わせを行う。
According to the present invention, the transparent wafer is rotated by irradiating polarized light from the direction in which the incident angle becomes the polarization angle so that the orifice or the notch of the rotating transparent wafer passes through the transparent wafer surface so as to be totally reflected on the surface of the transparent wafer. Then, the reflected light reflected by the transparent wafer is detected. Then, the orientation flat or the notch is detected based on the detected light quantity of the reflected light, and the alignment of the transparent wafer is performed based on the detection result.

【0008】又は、上記アライメント装置において、前
記透明ウェーハを回転させる駆動手段と、前記駆動手段
によって回転する前記透明ウェーハのオリフラ又はノッ
チが通過する位置に前記透明ウェーハの表面に対して入
射角が偏光角となる方向から偏光を照射する偏光照明手
段と、前記偏光照明手段によって照射された偏光を前記
透明ウェーハを透過する方向で検出する受光手段と、前
記受光手段によって検出した偏光の光量に基づいて前記
透明ウェーハのオリフラ又はノッチを検出するオリフラ
検出手段と、前記オリフラ検出手段の検出結果に基づい
て前記駆動手段を駆動し、前記透明ウェーハを所定の方
向に位置合わせする制御手段と、を備えたことを特徴と
している。
Alternatively, in the alignment apparatus, a driving unit for rotating the transparent wafer, and an incident angle with respect to a surface of the transparent wafer at a position where an orientation flat or a notch of the transparent wafer rotated by the driving unit passes. Polarized light illuminating means for irradiating polarized light from an angle direction, light receiving means for detecting the polarized light radiated by the polarized light illuminating means in a direction transmitting the transparent wafer, and a light amount of the polarized light detected by the light receiving means. An orientation flat detecting unit for detecting an orientation flat or a notch of the transparent wafer; and a control unit for driving the driving unit based on a detection result of the orientation flat detection unit to align the transparent wafer in a predetermined direction. It is characterized by:

【0009】本発明によれば、回転する透明ウェーハの
オリフラ又はノッチが通過する位置に透明ウェーハの表
面で全反射するように入射角が偏光角となる方向から偏
光を照射し、透明ウェーハを回転させながら透明ウェー
ハの位置を透過した透過光を検出する。そして、検出さ
れた反射光の光量に基づいてオリフラ又はノッチを検出
するとともに、この検出結果に基づいて透明ウェーハの
位置合わせを行う。
According to the present invention, the transparent wafer is rotated by irradiating polarized light from the direction in which the incident angle becomes a polarization angle so that the orifice or the notch of the rotating transparent wafer passes through so that the light is totally reflected on the surface of the transparent wafer. While transmitting, the transmitted light transmitted through the position of the transparent wafer is detected. Then, the orientation flat or the notch is detected based on the detected light quantity of the reflected light, and the alignment of the transparent wafer is performed based on the detection result.

【0010】これにより、透明ウェーハの表面(偏光を
照射する面と異なる面)にパターンが形成されている場
合にも、このパターンに偏光が照射されることがないた
め、パターンの有無に影響されずにオリフラ又はノッチ
を非接触により容易に検出することができ、透明ウェー
ハのアライメントを行うことができる。
Accordingly, even when a pattern is formed on the surface of the transparent wafer (a surface different from the surface to be irradiated with polarized light), the pattern is not irradiated with polarized light, so that it is affected by the presence or absence of the pattern. The orientation flat or the notch can be easily detected by non-contact without any contact, and alignment of the transparent wafer can be performed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る透明ウェーハのアライメント装置の好ましい実施の形
態について詳説する。図1は、本発明に係る透明ウェー
ハのアライメント装置が適用されるプローバの上面図で
ある。図1に示すようにプローバは、透明ウェーハ10
を収納したカセット12と、透明ウェーハ10のプリア
ライメントを行うプリアライメント部14と、透明ウェ
ーハ10上に形成されたパターンの検査を行う検査部1
6と、から構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a transparent wafer alignment apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a top view of a prober to which a transparent wafer alignment device according to the present invention is applied. As shown in FIG. 1, the prober is a transparent wafer 10
, A pre-alignment unit 14 for pre-alignment of the transparent wafer 10, and an inspection unit 1 for inspecting a pattern formed on the transparent wafer 10
And 6.

【0012】カセット12は、検査前及び検査後の透明
ウェーハ10を収納する。後述するプリアライメント部
14のアーム18によってこのカセット12からプリア
ライメント部14に検査前の透明ウェーハ10が引き出
されるとともに、このカセット12に検査終了後の透明
ウェーハ10が収納される。上記プリアライメント部1
4は、アーム18、ターンテーブル20、プリチャック
22、オリフラ検出用センサ24とから構成され、アー
ム18、プリチャック22、オリフラ検出用センサ24
はターンテーブル20によって回転する。アーム18は
透明ウェーハ10を保持するとともに前後方向の移動が
可能であり、その移動方向をターンテーブル20の回転
によってカセット12の方向と検査部16の方向とに切
り換える。従って、アーム18は、ターンテーブル20
の回転角度によって透明ウェーハ10をカセット12か
らプリアライメント部14、プリアライメント部14か
らカセット12、プリアライメント部14から検査部1
6、検査部16からプリアライメント部14に搬送する
ことができる。
The cassette 12 stores the transparent wafers 10 before and after inspection. The transparent wafer 10 before inspection is pulled out from the cassette 12 to the pre-alignment unit 14 by the arm 18 of the pre-alignment unit 14 described later, and the transparent wafer 10 after inspection is stored in the cassette 12. Pre-alignment unit 1
Reference numeral 4 denotes an arm 18, a turntable 20, a pre-chuck 22, and a sensor 24 for detecting an orientation flat.
Is rotated by the turntable 20. The arm 18 is capable of holding the transparent wafer 10 and moving in the front-back direction, and switches the moving direction between the direction of the cassette 12 and the direction of the inspection unit 16 by the rotation of the turntable 20. Therefore, the arm 18 is connected to the turntable 20.
Of the transparent wafer 10 from the cassette 12, the pre-alignment unit 14 to the cassette 12, and the pre-alignment unit 14 to the inspection unit 1 depending on the rotation angle of
6. It can be transported from the inspection unit 16 to the pre-alignment unit 14.

【0013】プリチャック22は、アーム18によって
カセット12から引き出された透明ウェーハ40を吸着
して透明ウェーハ10を回転させ、後述のオリフラ検出
用センサ24によって検出されたオリフラの位置を基準
にして透明ウェーハ10を所定の決められた方向に位置
合わせする(プリアライメント)。オリフラ検出用セン
サ24は、プリチャック22によって吸着保持された透
明ウェーハ10のエッジ部に光束を照射し、透明ウェー
ハ10により反射された光束を検出する。そして、プリ
チャック22によって透明ウェーハ10を回転させなが
ら透明ウェーハ10から反射される光束の光量変化を検
出することにより透明ウェーハ10のオリフラを検出す
る。尚、オリフラ検出用センサ24の詳細については後
述する。
The pre-chuck 22 attracts the transparent wafer 40 drawn out of the cassette 12 by the arm 18 to rotate the transparent wafer 10 and makes the transparent wafer 10 transparent with reference to the position of the orientation flat detected by an orientation flat detection sensor 24 described later. The wafer 10 is aligned in a predetermined direction (pre-alignment). The orientation flat detection sensor 24 irradiates the edge of the transparent wafer 10 sucked and held by the pre-chuck 22 with a light beam, and detects the light beam reflected by the transparent wafer 10. The orientation flat of the transparent wafer 10 is detected by detecting a change in the amount of light reflected from the transparent wafer 10 while rotating the transparent wafer 10 by the pre-chuck 22. The details of the orientation flat detection sensor 24 will be described later.

【0014】上記プリチャック22とオリフラ検出用セ
ンサ24によってプリアライメントされた透明ウェーハ
10はターンテーブル20によって90°向きを変えて
アーム18により検査部16の検査ステージ26上に搬
送される。次に上記オリフラ検出用センサ24について
説明する。図2及び図3は、それぞれ上記オリフラ検出
用センサ24の構成を示した側面図及び上面図である。
これらの図に示すように上記オリフラ検出用センサ24
は、プリチャック22に吸着保持された透明ウェーハ1
0のエッジ部に下面方向(パターンが形成されている面
を上面とし、下面にはパターンが形成されいないものと
する。)から光束を照射する発光部60と、透明ウェー
ハ10によって反射された光束を受光する受光素子70
とから構成される。
The transparent wafer 10 pre-aligned by the pre-chuck 22 and the orientation flat detection sensor 24 is turned 90 ° by the turntable 20 and is transferred by the arm 18 onto the inspection stage 26 of the inspection section 16. Next, the orientation flat detection sensor 24 will be described. 2 and 3 are a side view and a top view, respectively, showing the configuration of the orientation flat detection sensor 24.
As shown in these figures, the orientation flat detection sensor 24
Is the transparent wafer 1 sucked and held by the pre-chuck 22
A light emitting unit 60 for irradiating a light beam from the lower surface direction (a surface on which a pattern is formed is an upper surface and no pattern is formed on a lower surface) at an edge portion of 0, and a light beam reflected by the transparent wafer 10 Light receiving element 70 for receiving light
It is composed of

【0015】発光部60は、発光素子であるLED62
と、コリメータレンズ64と、スリット66と、偏光フ
ィルタ68とから構成される。上記LED62から出力
された光は、コリメータレンズ64により平行光とさ
れ、この平行光の一部がスリット66により切り取ら
れ、幅の狭い長方形の光束とされる。そして、この光束
は、偏光フィルタ68を通過して偏光となる。このよう
にして発光部60で生成された偏光の光束は、透明ウェ
ーハ10のエッジ部(透明ウェーハ10が回転した場合
に、オリフラが通過する位置)に偏光角(ブルースター
角)で照射される。ここで、上記偏光フィルタ68は、
透明ウェーハ10の入射面に対して垂直な面内に振動面
をもつ直線偏光(s偏光)を生成する方向に設置されて
いるため、透明ウェーハ10の表面(下面)に入射した
光束は、この表面で全反射する。これにより、理想的に
は透明ウェーハ10の上面に透過する光束がなく、透明
ウェーハ10の上面に形成されたパターンによって光束
が反射されることがない。
The light emitting section 60 includes an LED 62 as a light emitting element.
, A collimator lens 64, a slit 66, and a polarizing filter 68. The light output from the LED 62 is collimated by a collimator lens 64, and a part of the collimated light is cut off by a slit 66 to form a narrow rectangular light beam. Then, this light beam passes through the polarization filter 68 and becomes polarized light. The polarized luminous flux generated by the light emitting unit 60 in this manner is applied to the edge portion of the transparent wafer 10 (the position where the orientation flat passes when the transparent wafer 10 rotates) at a polarization angle (Brewster angle). . Here, the polarization filter 68
Since it is installed in a direction that generates linearly polarized light (s-polarized light) having a vibration plane in a plane perpendicular to the incident surface of the transparent wafer 10, the light beam incident on the surface (lower surface) of the transparent wafer 10 Total reflection at the surface. Thereby, ideally, there is no light beam transmitted on the upper surface of the transparent wafer 10, and the light beam is not reflected by the pattern formed on the upper surface of the transparent wafer 10.

【0016】前記受光素子70は、上述のように発光部
60から出射され、透明ウェーハ10の表面で反射した
光束を受光し、受光した光量に応じた電気信号を出力す
る。この受光素子70から出力された電気信号は図示し
ない制御部で監視される。以上のように構成されたオリ
フラ検出用センサ24によれば、発光部60によってオ
リフラ10A以外の透明ウェーハ10のエッジ部に光束
を照明した場合には、受光素子70によって透明ウェー
ハ10の表面から全反射された光束を受光する。即ち、
この場合には一定光量の光束を受光する。一方、この透
明ウェーハ10がプリチャック22により回転され、発
光部60から出射された光束が照射される位置に透明ウ
ェーハ10のオリフラ10Aが位置した場合には、光束
の大部分が透明ウェーハ10のオリフラ10Aの部分を
通過して上方に透過する。これにより、このとき受光素
子70によって受光する光束の光量が減少する。従っ
て、制御部は、オリフラ検出用センサ24の受光素子7
0から出力される信号レベルが所定値より減少した場合
に透明ウェーハ10のオリフラ10Aを検出する。
The light receiving element 70 receives the light beam emitted from the light emitting section 60 and reflected on the surface of the transparent wafer 10 as described above, and outputs an electric signal corresponding to the received light amount. The electric signal output from the light receiving element 70 is monitored by a control unit (not shown). According to the orientation flat detection sensor 24 configured as described above, when the light emitting unit 60 illuminates the edge portion of the transparent wafer 10 other than the orientation flat 10A with the light beam, the light receiving element 70 causes the entire surface of the transparent wafer 10 to be illuminated. The reflected light beam is received. That is,
In this case, a certain amount of light is received. On the other hand, when the transparent wafer 10 is rotated by the pre-chuck 22 and the orientation flat 10A of the transparent wafer 10 is located at a position where the light beam emitted from the light emitting unit 60 is irradiated, most of the light beam is The light passes upward through the portion of the orientation flat 10A. Thereby, the light amount of the light beam received by the light receiving element 70 at this time decreases. Therefore, the control unit controls the light receiving element 7 of the orientation flat detection sensor 24.
When the signal level output from 0 is lower than a predetermined value, the orientation flat 10A of the transparent wafer 10 is detected.

【0017】このようにしてオリフラ10Aを検出する
と、このオリフラ10Aを検出した時の透明ウェーハ1
0の角度方向を基準にプリチャック22を回転させて
(又はオリフラ10Aを検出した時点でプリチャック2
2の回転を停止させて)透明ウェーハ10を所望の角度
方向に位置合わせする。尚、上記実施の形態では、偏光
を偏光角で透明ウェーハ10に照射して透明ウェーハ1
0の表面(下面)でこの偏光を全反射させるようにした
が、このようにすると透明ウェーハ10の他面(上面)
に形成されたパターンの有無に反射光量が左右されない
ため好適である。例えば、偏光でない光を透明ウェーハ
10に照射した場合には、この光の一部が透明ウェーハ
10の下面を透過する。もし、この透過した光が、上面
に形成されたパターンに照射された場合には、この光は
パターンによって反射され受光素子によって検出され
る。従って、受光素子によって検出される反射光量の変
化が、オリフラ10Aとパターンの有無によって混同し
て起こり、オリフラによる反射光量の変化を検出するが
困難になる。
When the orientation flat 10A is detected in this manner, the transparent wafer 1 at the time when the orientation flat 10A is detected.
The pre-chuck 22 is rotated based on the angle direction of 0 (or the pre-chuck 2 is detected when the orientation flat 10A is detected).
Stop the rotation of 2) and align the transparent wafer 10 in the desired angular direction. In the above embodiment, the transparent wafer 10 is irradiated with polarized light at a polarization angle to the transparent wafer 1.
This polarized light is totally reflected on the surface (lower surface) of the transparent wafer 10.
This is preferable because the amount of reflected light does not depend on the presence or absence of the pattern formed on the substrate. For example, when the transparent wafer 10 is irradiated with non-polarized light, a part of the light passes through the lower surface of the transparent wafer 10. If the transmitted light irradiates the pattern formed on the upper surface, the light is reflected by the pattern and detected by the light receiving element. Therefore, the change in the amount of reflected light detected by the light receiving element is confused with the presence or absence of the pattern with the orientation flat 10A, and it is difficult to detect the change in the amount of reflected light due to the orientation flat.

【0018】また、上記実施の形態では、透明ウェーハ
10に照射した光束の反射光量を検出するようにしたが
透過光量を検出するようにしてもよい。即ち、透過光量
を検出するようにした場合、オリフラ10A以外では、
発光部から出射された光束の透過光は検出されず、オリ
フラ10Aの部分のみで発光部から出射された光束の透
過光量が検出されるようになる。
In the above embodiment, the reflected light amount of the light beam irradiated on the transparent wafer 10 is detected, but the transmitted light amount may be detected. That is, when the transmitted light amount is detected, except for the orientation flat 10A,
The transmitted light of the light beam emitted from the light emitting unit is not detected, and the transmitted light amount of the light beam emitted from the light emitting unit is detected only in the portion of the orientation flat 10A.

【0019】また、上記実施の形態では、透明ウェーハ
10に形成されたオリフラ10Aを検出する場合につい
て説明したが、ノッチの場合でも同様のセンサによって
検出することができる。また、上記実施の形態では本発
明をプローバに適用した例を示したが、透明ウェーハの
オリフラやノッチによってアライメントを行う装置全て
に適用できる。
Further, in the above embodiment, the case where the orientation flat 10A formed on the transparent wafer 10 is detected has been described. However, even in the case of the notch, it can be detected by the same sensor. In the above embodiment, an example in which the present invention is applied to a prober has been described. However, the present invention can be applied to any apparatus that performs alignment using an orientation flat or a notch on a transparent wafer.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る透明ウ
ェーハのアライメント装置によれば、透明ウェーハに偏
光を偏光角で照射し、透明ウェーハの表面で全反射させ
るようにし、この反射光量又は透過光量の光量変化によ
り透明ウェーハのオリフラ又はノッチを検出するように
したため、透明ウェーハの表面(偏光を照射する面と異
なる面)にパターンが形成されている場合にもこのパタ
ーンに影響されずに確実に透明ウェーハのオリフラ又は
ノッチを検出することができ、これに基づいて透明ウェ
ーハのアライメントを行うことができる。
As described above, according to the transparent wafer alignment apparatus according to the present invention, the transparent wafer is irradiated with polarized light at a polarization angle and totally reflected on the surface of the transparent wafer. Since the orientation flat or notch of the transparent wafer is detected based on the change in the amount of light, even if a pattern is formed on the surface of the transparent wafer (a surface different from the surface irradiated with polarized light), it is surely not affected by this pattern. Then, the orientation flat or the notch of the transparent wafer can be detected, and the alignment of the transparent wafer can be performed based on this.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係る透明ウェーハのアライメ
ント装置が適用されたプローバの構成を示した上面図で
ある。
FIG. 1 is a top view showing the configuration of a prober to which a transparent wafer alignment apparatus according to the present invention is applied.

【図2】図2は、オリフラ検出用センサの構成を示した
側面図である。
FIG. 2 is a side view illustrating a configuration of an orientation flat detection sensor.

【図3】図3は、オリフラ検出用センサの構成を示した
上面図である。
FIG. 3 is a top view illustrating a configuration of an orientation flat detection sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…透明ウェーハ 14…プリアライメント部 16…検査部 18…アーム 20…ターンテーブル 22…プレーンミラー 24…オリフラ検出用センサ 60…発光部 62…LED 64…コリメータレンズ 66…スリット 68…偏光フィルタ 70…受光素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Transparent wafer 14 ... Pre-alignment part 16 ... Inspection part 18 ... Arm 20 ... Turntable 22 ... Plane mirror 24 ... Sensor for orientation flat detection 60 ... Light emitting part 62 ... LED 64 ... Collimator lens 66 ... Slit 68 ... Polarizing filter 70 ... Light receiving element

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明ウェーハに形成されたオリフラ又は
ノッチを検出し、該オリフラ又はノッチの位置に基づい
て前記透明ウェーハの位置合わせを行うアライメント装
置において、 前記透明ウェーハを回転させる駆動手段と、 前記駆動手段によって回転する前記透明ウェーハのオリ
フラ又はノッチが通過する位置に前記透明ウェーハの表
面に対して入射角が偏光角となる方向から偏光を照射す
る偏光照明手段と、 前記偏光照明手段によって照射され前記透明ウェーハに
よって反射された前記偏光を検出する受光手段と、 前記受光手段によって検出した偏光の光量に基づいて前
記透明ウェーハのオリフラ又はノッチを検出するオリフ
ラ検出手段と、 前記オリフラ検出手段の検出結果に基づいて前記駆動手
段を駆動し、前記透明ウェーハを所定の方向に位置合わ
せする制御手段と、 を備えたことを特徴とする透明ウェーハのアライメント
装置。
1. An alignment apparatus for detecting an orientation flat or a notch formed on a transparent wafer and performing alignment of the transparent wafer based on a position of the orientation flat or the notch, wherein: a driving unit for rotating the transparent wafer; A polarization illuminating unit that irradiates polarized light from a direction in which an incident angle becomes a polarization angle with respect to the surface of the transparent wafer at a position where the orientation flat or the notch of the transparent wafer that is rotated by the driving unit passes, and is radiated by the polarization illuminating unit. Light receiving means for detecting the polarized light reflected by the transparent wafer; orientation flat detecting means for detecting an orientation flat or notch of the transparent wafer based on the amount of polarized light detected by the light receiving means; and a detection result of the orientation flat detection means Driving the driving means based on Alignment device of transparent wafers, characterized in that it comprises a control means for aligning the direction.
【請求項2】 透明ウェーハに形成されたオリフラ又は
ノッチを検出し、該オリフラ又はノッチの位置に基づい
て前記透明ウェーハの位置合わせを行うアライメント装
置において、 前記透明ウェーハを回転させる駆動手段と、 前記駆動手段によって回転する前記透明ウェーハのオリ
フラ又はノッチが通過する位置に前記透明ウェーハの表
面に対して入射角が偏光角となる方向から偏光を照射す
る偏光照明手段と、 前記偏光照明手段によって照射された偏光を前記透明ウ
ェーハを透過する方向で検出する受光手段と、 前記受光手段によって検出した偏光の光量に基づいて前
記透明ウェーハのオリフラ又はノッチを検出するオリフ
ラ検出手段と、 前記オリフラ検出手段の検出結果に基づいて前記駆動手
段を駆動し、前記透明ウェーハを所定の方向に位置合わ
せする制御手段と、 を備えたことを特徴とする透明ウェーハのアライメント
装置。
2. An alignment apparatus for detecting an orientation flat or a notch formed on a transparent wafer and performing alignment of the transparent wafer based on a position of the orientation flat or the notch, wherein a driving unit for rotating the transparent wafer; A polarization illuminating unit that irradiates polarized light from a direction in which an incident angle becomes a polarization angle with respect to the surface of the transparent wafer at a position where the orientation flat or the notch of the transparent wafer that is rotated by the driving unit passes, and is radiated by the polarization illuminating unit. Light receiving means for detecting the polarized light in a direction transmitting the transparent wafer; orientation flat detecting means for detecting an orientation flat or notch of the transparent wafer based on the amount of polarized light detected by the light receiving means; detection of the orientation flat detection means The driving means is driven based on the result, and the transparent wafer is moved to a predetermined direction. Alignment apparatus of the transparent wafer, comprising and a control means for aligning the.
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