JPH10163331A

JPH10163331A - 半導体デバイス用フューズおよび半導体デバイス

Info

Publication number: JPH10163331A
Application number: JP8337582A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Komai; 豊駒井
Original assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Current assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Priority date: 1996-12-03
Filing date: 1996-12-03
Publication date: 1998-06-19
Also published as: US6204548B1

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザを照射して切断したときに下層にダメ
ージを与えない半導体デバイス用フューズを提供する。【解決手段】半導体基板の表面に導電性薄膜を形成
し、パターニングしてフューズ２を形成する際、幅狭部
３に膨出部分５を設けて切断部４を構成し、その切断部
４にレーザビームを照射して切断するようにする。レー
ザビームの強度バラツキや照射位置バラツキがあっても
下層にダメージは生じず、フューズ２直下の位置にも電
気素子を形成できるようになる。切断部４は円形にする
とよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上の配
線パターンに設けられるフューズに関し、特に、製造工
程で動作チェックの結果等に応じて適宜レーザを照射し
て切断し、不良回路を切離したり、予備回路を動作させ
る等の回路設定に使用される半導体デバイス用フューズ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造に際しては、ウエ
ハ段階で回路の動作チェック等の検査を行って、その結
果に応じて回路を適切に設定・修正するために、回路間
を接続する配線パターンに半導体デバイス用フューズを
設け、その一部を切断して回路を動作しないようにした
り、冗長回路を動作させるようにすることが行われてい
る。

【０００３】そのような半導体デバイス用フューズは一
定幅の帯状に成形されており、それを電気的に切断する
ために、所定位置にレーザビームを照射して、部分的な
熱的溶断・蒸発をさせる方法が一般的である。

【０００４】そのようなレーザビームは半導体基板表面
上に照射するが、製造工程に於いて、多数の半導体デバ
イス用フューズに対し、繰り返しレーザービームを照射
すると、半導体デバイス用フューズの下層に、一定頻度
でダメージが生じる場合のあることが知られている。か
かる場合、半導体デバイス用フューズ直下位置に半導体
電気素子が形成されていると、製品全体が不良になって
しまう。

【０００５】そこで従来技術では、半導体デバイスに、
半導体デバイス用フューズを多数設ける際、一箇所のフ
ューズ領域にまとめて配置し、各半導体デバイス用フュ
ーズの下には半導体電気素子を配置しないで無効領域と
し、ダメージがあった場合でも不良品が発生しないよう
にすると共に、半導体デバイス用フューズの切断作業性
を向上させていた。

【０００６】しかしながら近年では、半導体デバイスの
集積度の向上に伴って内部回路が大型化・複雑化し、回
路の設定・修正に必要とされる半導体デバイス用フュー
ズの本数も増加してきた。他方、半導体デバイス用フュ
ーズの大きさはレーザビームのスポット径や照射位置精
度によって定まるため、回路が小型化する程には縮小で
きず、上述の従来技術で生じる無効領域が無視できない
程の大きさになってきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、レーザビームを照射して切断し
たときに下層にダメージを与えず、下層に電気素子や層
間配線膜を形成できる半導体デバイス用フューズを提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、フ
ューズ形状に工夫を施すことによって、レーザビームの
照射により半導体デバイス用フューズを確実に溶断・蒸
発させながら、その下層にはダメージを与えずに済むこ
とを見出した。

【０００９】本発明は上記知見に基づいて創作されたも
ので、その請求項１に記載された発明は、半導体基板上
に設けられた導電性薄膜をパターニングして形成された
幅狭部と切断部とを有し、前記切断部は、半導体基板に
形成された電気素子に、前記幅狭部を介して接続された
半導体デバイス用フューズにおいて、前記切断部は、前
記レーザビームが前記幅狭部に照射された場合には、そ
のレーザビームのうち、前記幅狭部では遮蔽できない部
分も遮蔽できる形状に成形され、前記レーザビームが照
射されると電気的接続が開放されるように構成されたこ
とを特徴とする。

【００１０】このような構成により、レーザビームのう
ち、下層にダメージを与える程強度が強い部分が、確実
に半導体デバイス用フューズに照射され、下層の薄膜に
直接照射されることがなくなり、その結果、半導体基板
や下層の薄膜がダメージを受けないようになる。

【００１１】レーザービームがはみ出ないようにするた
めに、その半導体デバイス用フューズの切断部の具体的
な平面形状は、請求項２に記載した発明のように、膨出
部分を有するようにしておくとよい。

【００１２】その請求項２記載の半導体デバイス用フュ
ーズについては、請求項３記載の発明のように、前記膨
出部分の包絡線形状は、前記レーザビームの断面形状と
合致した形状にしておくと効果的である。

【００１３】一般に、レーザビームの断面形状は円形で
ある。従って、請求項３に記載された半導体デバイス用
フューズでは、請求項４に記載した半導体デバイス用フ
ューズのように、前記膨出部分の包絡線形状を円形にす
るとよい。

【００１４】請求項５記載の発明は、以上説明した請求
項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体デバイス
用フューズを備えているので、その直下位置に半導体電
気素子を設けることができ、無効領域がなくなるので、
チップサイズを小さくすることができる。

【００１５】また、その半導体デバイス用フューズを複
数備えた半導体デバイスについては、

【００１６】請求項６記載の発明のように、互いに隣り
合う半導体デバイス用フューズの前記切断部を配置する
際、互いに横一列には並ばないようにしておくと、半導
体デバイス用フューズ間を近接させる際に切断部が邪魔
にならず、チップサイズの縮小化上有利である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る半導体デバイス用フューズ(以下、単に「フューズ」
と略す。)の実施形態を説明する。図１(ａ)の符号２
は、一実施形態のフューズの平面形状を示しており、ス
パッタリング工程や蒸着工程によって半導体基板上に導
電性薄膜が全面成膜され、次いで、フォトリソグラフィ
工程によってその導電性薄膜がパターニングされて形成
されている。

【００１８】そのパターニングによって、各フューズに
は幅狭部３と切断部４とが設けられる。切断部４の両側
から伸びる幅狭部３は、半導体素子で構成された図示せ
ぬ所定の回路部分とそれぞれ接続されている。

【００１９】幅狭部３は幅０．５μｍの帯状に形成され
ており、他方、切断部４は、その幅狭部３の両側方に、
ほぼ半円形状の膨出部分５a、５bが延出した形状で設け
られて構成されており、切断部４のみの形状をみた場合
には、その包絡線形状は、直径は２μｍの、ほぼ円形に
されている。この切断部４にレーザビームが照射され
る。

【００２０】このフューズ２を構成する導電性薄膜の構
造を図１(ｂ)の断面図に示すと、図示しない絶縁膜上
に、下層より順に、スパッタタング工程によって形成さ
れた厚さ５００Åのタングステン薄膜と、ＣＶＤ工程に
よってその表面に形成された厚さ１０００Åのタングス
テン薄膜と、更にスパッタリング工程によってその表面
に形成された厚さ４０００ÅのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ薄膜
と、その表面に形成された厚さ５００ÅのＴｉＮ薄膜と
で構成されており、表面には図示しない保護膜が形成さ
れている。

【００２１】なお、前記のフォトリソグラフィ工程で用
いられるフォトマスクにおいて、そのフォトマスク上に
形成されたパターンの切断部３の形状は必ずしも円形で
ある必要はなく、例えば８角形、あるいは６角形の形状
であってもよい。なぜなら、フォトリソグラフィ工程に
おけるレジストのパターニングでは、パターンに角度を
持った部分はダレて丸みをおびてしまうものである。一
般的に、レジストを円形パターンにパターニングする場
合は、８角形又は６角形のパターンが形成されたフォト
マスクが用いられており、本実施形態のフューズの切断
部をパターニングする場合であも、そのような８角形ま
たは６角形、あるいは他の多角形のフォトマスクパター
ンを用いることができる。

【００２２】図２(ａ)は、本実施形態のフューズ２₁〜
２₄を、それらの幅狭部３₁〜３₄を４．０μｍピッチで
互いに平行にすると共に、各切断部４₁〜４₄を同一直線
上に位置させて一つの半導体デバイス上に配列した様子
を示している。このとき隣り合う切断部４₁〜４₄の最も
近接する部分間の間隔は２．０μｍである。

【００２３】他方、同図(ｂ)は、本実施形態のフューズ
２₁₁〜２₁₅を、それらの幅狭部３₁₁〜３₁₅を平行にする
と共に、各切断部４₁₁〜４₁₅を千鳥状のジグザグに位置
させて一つの半導体基板上に配置した場合を示してい
る。この切断部４₁₁〜４₁₅では、互いに隣り合う切断部
同士は横一列に並んでおらず、図２(ａ)のフューズ２１
〜２４の場合と同様に、隣接する切断部４₁₁〜４₁₅の端
部と幅狭部３₁₁〜３₁₅の最も近接する部分間の間隔を
２．０μｍとした場合に、幅狭部３₁₁〜３₁₅のピッチは
３．７５μｍとなる。

【００２４】フューズ同士の最小間隔が定められている
場合、同図(ｂ)のフューズ２₁₁〜２₁₅の幅狭部３₁₁〜３
₁₅間の方が、同図(ａ)のフューズ２₁〜２₄の幅狭部３₁
〜３₄間よりも近接させることができ、フューズを密に
配置できる。従って、切断部は、隣り合う切断部同士が
横一列に位置しないように配置すると、フューズ領域の
面積を少なくすることができる。

【００２５】なお上述のフューズ２₁〜２₄、２₁₁〜２₁₅
のように、複数のフューズを一ヶ所のフューズ領域にま
とめて配置しておくと、レーザビームによる切断作業の
効率を高くすることができる。但し、本発明のフューズ
では、従来技術とは異なりフューズの下層にある層間配
線薄膜やシリコン基板にはダメージが与えられないの
で、必ずしも集中配置する必要はない。また、特別なフ
ューズ領域を設けずに、他の回路要素に混在させて任意
の場所に配置することができる。このように、本発明の
フューズによれば、フューズ下層に半導体素子を形成で
きるので、回路設計の自由度が大きくなる。

【００２６】（実験結果）同じ構成の導電性薄膜を用
い、本発明のフューズと従来のフューズを同一の条件で
作成し、レーザビームを照射し、切断したときの様子を
ＳＥＭにて観察した。

【００２７】図３(ａ)、(ｂ)は、その切断を行った際に
用いたフューズを示しており、同図(ａ)は、本発明のフ
ューズ２₂₁、２₂₂、同図(ｂ)は比較例とした従来技術の
フューズ１１２₂₁、１１２₂₂である。

【００２８】比較例のフューズ１１２₂₁、１１２₂₂は、
本発明のフューズ２₂₁、２₂₂のような切断部４₂₁、４₂₂
を有しておらず、幅狭部３₂₁、３₂₂と同じ幅の帯状に成
形されている。

【００２９】同図(ｃ)は、本発明のフューズ２₂₁、２₂₂
と比較例のフューズ１１２₂₁、１１２₂₂とを形成したウ
ェハの断面構造図である。このウェハは、図示せぬシリ
コン基板表面上に形成された酸化シリコンから成る絶縁
膜１１上に、下層より順に、第１メタル層１２(厚さ２
０００Å)、第１層間絶縁膜層１３(厚さ９０００Å)、
第２メタル層１４(厚さ１５００Å)、第２層間絶縁膜層
１５(厚さ９０００Å)、フューズ層１６(厚さ４０００
Å)がこの順で形成され、フューズ層１６をパターニン
グしてフューズ２₂₁、２₂₂を形成した後、保護膜層１７
(厚さ３０００Å)がその表面に形成されている。

【００３０】なお、第１、第２メタル層１２、１４はタ
ングステン薄膜によって、第１、第２層間絶縁膜層１
３、１５はＢＰＳＧ膜によって、フューズ層１６は、前
述のフューズ２と同じ積層膜によって、保護膜層１７
(ＣＡＰ−ＯＸ)はシリコン酸化膜で構成されている。

【００３１】本発明のフューズ２₂₁、２₂₂は、切断部４
₂₁、４₂₂にレーザビームを照射して、切断部４₂₁、４₂₂
を構成するフューズ層１６にエネルギーを吸収させ、そ
の部分の溶断・蒸発によって切断するように構成されて
おり、他方、比較例のフューズ１１２₂₁、１１２₂₂は、
帯状の部分にレーザビームを照射して切断するように構
成されている。その際、どちらのフューズでも、保護膜
層１７のフューズ１６上に位置する部分は破壊され、フ
ューズ層１６と一緒に除去されるようにされている。

【００３２】ここでの実験は、レーザビームのパワーを
種々の値に変えて照射して切断し、先ず、切断跡の様子
をウェハの上方から観察し、次いで、保護膜層１７、フ
ューズ層１６、保護膜層１５を除去し、第２メタル層１
４のうち、フューズ２₂₁、２₂₂とフューズ１１２₂₁、１
１２₂₂の直下に位置した部分の表面状態をそれぞれ観察
した。

【００３３】本発明と比較例のフューズのいずれもが、
略０．３〜１．０μＪ程度の強度のレーザビームを照射
した場合に切断できたが、どちらのフューズも、０．２
μＪでは切断できなかった。

【００３４】図４乃至図６は比較例のフューズ１１
２₂₁、１１２₂₂にレーザビームを照射して切断した場合
のＳＥＭ写真である。図７乃至図９は、本発明のフュー
ズ２₂₁、２₂₂にレーザビームを照射して切断した場合の
ＳＥＭ写真である。

【００３５】但し、比較例に於けるレーザビームの出力
強度は、図４では０．３５μＪ、図５では０．４０μ
Ｊ、図６では０．５０μＪであり、本発明の場合は、図
７では０．４０μＪ、図８では０．５０μＪ、図９では
０．６０μＪである。

【００３６】各図４乃至図９の(ａ)に示した写真は、切
り跡の形状を平面図的に撮影したものであり、(ｂ)に示
した写真は、保護膜層１７、フューズ層１６、保護膜層
１５を除去し、フューズの下層位置にあった第２メタル
層１４表面を撮影したものである。

【００３７】これらの写真から分かるように、比較例の
フューズ１１２₂₁、１１２₂₂を切断した場合、第２メタ
ル層１４には、０．３５μＪのレーザビーム出力強度で
はダメージは観察されないが、レーザビーム出力強度が
０．４０μＪと０．５０μＪの場合には、ダメージが発
生している。

【００３８】これらの結果から、比較例のフューズに対
するレーザビーム出力強度としては、０．３５μＪ以上
０．４μＪ未満が使用可能な範囲であり、強度マージン
は極めて狭い。

【００３９】それに対し、本発明のフューズ２₂₁、２₂₂
では、図７〜９のいずれのレーザビーム出力強度の場合
でも、第２メタル層１４にはダメージは観察されない。
図には示していないが、０．６０μＪを超えてレーザビ
ーム出力強度を強くすると、０．６５μＪからダメージ
の発生が認められる。

【００４０】従って、本発明のフューズに対するレーザ
ビーム出力強度としては、０．４０以上０．６５μＪ未
満が使用可能な範囲であり、本発明のフューズは比較例
のフューズに比べると、レーザビームのパワーマージン
が広い。

【００４１】ところで、一般に用いられているレーザビ
ーム発生装置では、レーザビーム出力強度を絞ると出力
強度のバラツキが大きくなってしまうことが知られてお
り、比較例に適した狭い強度範囲に制御するのは困難で
ある。そのため、多数のフューズに繰り返しレーザビー
ムを照射し続けると、強度バラツキによって許容強度を
超えて出力されるレーザビームがあり、そのようなレー
ザビームがフューズに照射されると下層にダメージを与
える場合が生じ得る。従って、従来技術のフューズに対
し、下層にダメージを与えずに切断しようとした場合、
レーザビーム出力強度が極めて精密に制御できる装置が
必要となる。

【００４２】それに対し本発明のフューズ２₂₁、２₂₂で
は、レーザビームの出力強度を大きく設定できるので、
出力強度のバラツキも小さくなり、繰り替えし照射を行
う場合でも、許容強度の０．６５μＪ未満に納めること
は容易である。従って、本発明のフューズ２₂₁、２₂₂に
対しては、その下層にダメージを与える可能性は実質的
にないと言える。

【００４３】以上説明したように、本発明では、レーザ
ビームが照射される切断部をレーザビームの形状と同じ
形状の円形に膨出させることにより、下層にダメージを
与えないようにすることができる。

【００４４】なお、本発明のフューズによって下層のダ
メージを低減できる理由については、一応以下のように
考えることができる。

【００４５】この種のフューズを切断するのに使用され
るレーザビームの直径は、一般的に最小で２．７μｍ程
度、通常は４〜５μｍになっているが、ビーム断面内の
強度は均一ではない。ビーム直径方向の強度分布は、よ
く知られるように、図１０(ａ)に示すようなガウス曲線
状を呈しており、レーザビームの中心位置では強く、径
方向の外周ほど弱くなっている。

【００４６】このようなレーザビームが、例えばフュー
ズが配置されていないところに照射された場合には、符
号ａで示すような中心の強い部分にあっては、保護膜１
７や第２の層間絶縁膜層１５を透過して、下層の薄膜
(図３(ｂ)では、第２メタル層１４、第２メタル層１４
が無い位置では第１メタル層１２、その第１メタル層１
２が無い位置ではシリコン基板１１)にダメージを発生
させてしまう場合がある、周辺の強度の弱い部分では、
フューズが配置されていなくても、下層にダメージを発
生させることはない。

【００４７】フューズを溶断蒸発させるのに必要なエネ
ルギーは、フューズの材質や厚さによっても異なるが、
このような強度分布のレーザビームがフューズに照射さ
れた場合には、図１０(ａ)のグラフの、符号ａで示す中
心の強度の強い部分は、必ずフューズに遮られ、殆どが
吸収されるが、吸収されきれずに残り、下層に達するレ
ーザビームは、符号ｂで示す程度の弱い強度となってい
ると考えられる。

【００４８】他方、フューズからはみ出し、フューズに
遮られずに下層に達するレーザビームは、レーザビーム
の周辺部分であり、当初より符号ｂで示す程度の弱い強
度であると考えられる。

【００４９】上述した比較例としての従来技術のフュー
ズ１１２₂₁、１１２₂₂にレーザビームを照射する場合
は、強度の強い符号ａの周辺部分がフューズの両側部に
おいてそのまま基板に直射されてしまい、このため下層
では、符号ｃの区域が比較的強い強度のレーザビームが
照射される範囲となっていた。

【００５０】但し、このｃの区域においても、レーザビ
ームの出力強度と照射位置とが正確にコントロールされ
ていれば、直接照射されても下層にダメージは発生する
ことはないと考えられる。

【００５１】しかしながら、ビームの照射位置がずれる
と、レーザビームのうちの予想以上に中心位置に近い部
分がフューズに遮られずに下層に直接照射されてしまう
事態が考えられる。特に、照射位置が図面左右方向にず
れた場合、レーザビームの中心位置に比較的近い部分が
フューズに遮ぎられないようになり、下層には相当強い
強度のレーザビームが到達してしまう。また、レーザビ
ームの出力強度がばらつくと、符号ｃの区域に直接照射
されるレーザビーム強度もその分強くなってしまう。こ
のような、位置制御や強度制御のバラツキが、悪い方向
に重なった場合、下地にダメージが発生してしまうと考
えられる。

【００５２】それに対し、本発明では、図１０(ｃ)に示
す如く、フューズの形状を工夫し、フューズが、レーザ
ビーム強度の強い部分ａ全体を遮蔽できるようにした。
更に、フューズ平面形状を、レーザビームの断面形状で
ある円形にしたので、照射位置がどの方向にもずれても
レーザビームの中心位置に近い部分が直接下層に到達す
ることがなくなり、ダメージが生じないようになったと
考えられる。

【００５３】但し、レーザビームの出力強度を強くして
行くと、レーザビーム中心位置だけではなく、周辺領域
の強度も上昇し、符号ｂの強度であった部分も、符号ａ
の強度に達するので、レーザビーム強度を強くすると下
層にダメージが生じるようになると考えられる。

【００５４】なお、実際のフューズの膨出部分の直径は
レーザの出力やビームの径に対応して実験や計算によっ
て求めることができる。また、レーザビームの断面形状
が円形でない場合には、レーザビームの断面形状と同じ
形状の相似形にすればよい。また、上述の幅狭部は直線
状の帯に成形されたものについて説明したが、本発明の
フューズの幅狭部は、それに限定されるものではない。

【００５５】

【発明の効果】本発明の半導体デバイス用フューズは、
フューズ自身の溶断蒸発により、レーザビームのエネル
ギーを消耗させ、下層にダメージを与えないエネルギー
量まで減衰させるように構成したので、下層の層間配線
膜やシリコン基板にダメージが与えられることがなくな
り、半導体デバイスの信頼性を高めることができる。

【００５６】またフューズ下層にダメージが与えられな
いので、フューズ直下の位置にも半導体素子を形成でき
るようになり、無効領域がなくなるばかりでなく、回路
設計の自由度が増す。

【００５７】更に、レーザビームのパワーマージンが大
きくなるばかりでなく、切断部が大きくなり、レーザビ
ーム照射対象が広がってアラインメントマージンが大き
くなり、また、レーザビームを遮蔽する領域が広がって
照射位置精度にも余裕ができるので生産性が向上し、不
良品の発生も少なくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(ａ)：本発明のフューズの一例を示す平面図 (ｂ)：その断面構成図

【図２】(ａ)：本発明の半導体デバイスの一例を示す平
面図 (ｂ)：本発明の半導体デバイスの他の例を示す平面図

【図３】(ａ)：表面観察に用いた本発明のフューズの平
面図 (ｂ)：その断面構成図 (ｃ)：本発明のフュ
ーズ及び比較例のフューズを形成したウェハの断面構造
図

【図４】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細
パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．３５μ
Ｊで切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図５】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細
パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．４μＪ
で切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図６】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細
パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．５μＪ
で切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図７】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例とし
ての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度
０．４０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図８】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例とし
ての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度
０．５０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図９】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例とし
ての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度
０．６０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真 (ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面
ＳＥＭ写真

【図１０】(ａ)〜(ｃ)：本発明の原理を説明するための
図

【符号の説明】

２、２₁〜２₄、２₁₁〜２₁₅、２₂₁〜２₂₂……半導体デバ
イス用フューズ３、３₁〜３₄、３₁₁〜３₁₅、３₂₁、
３₂₂……幅狭部４、４₁〜４₄、４₁₁〜４₁₅、４₂₁、
４₂₂……切断部５a、５b……膨出部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に設けられた導電性薄膜を
パターニングして形成された幅狭部と切断部とを有し、前記切断部は、半導体基板に形成された電気素子に、前
記幅狭部を介して接続された半導体デバイス用フューズ
において、前記切断部は、前記レーザビームが前記幅狭部に照射さ
れた場合には、そのレーザビームのうち、前記幅狭部で
は遮蔽できない部分も遮蔽できる形状に成形され、前記
レーザビームが照射されると電気的接続が開放されるよ
うに構成されたことを特徴とする半導体デバイス用フュ
ーズ。
【請求項２】前記切断部の平面形状は、膨出部分を有
することを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス用
フューズ。
【請求項３】前記膨出部分の包絡線形状は、前記レー
ザビームの断面形状と合致した形状にされたことを特徴
とする請求項２記載の半導体デバイス用フューズ。
【請求項４】前記膨出部分の包絡線形状は円形である
ことを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス用フュ
ーズ。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか１項記
載の半導体デバイス用フューズを備えたことを特徴とす
る半導体デバイス。
【請求項６】請求項１乃至請求項４のいずれか１項記
載の半導体デバイス用フューズを複数備え、互いに隣り
合う半導体デバイス用フューズの前記切断部は、横一列
に並ばないように配置されていることを特徴とする半導
体デバイス。