JPH10163510A - 赤外線検知素子 - Google Patents
赤外線検知素子Info
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- JPH10163510A JPH10163510A JP8323976A JP32397696A JPH10163510A JP H10163510 A JPH10163510 A JP H10163510A JP 8323976 A JP8323976 A JP 8323976A JP 32397696 A JP32397696 A JP 32397696A JP H10163510 A JPH10163510 A JP H10163510A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度のボロメータ方式の赤外線検知素子を
提供する。 【解決手段】 入射赤外線の吸収により受光部の温度変
化を生じ、この温度変化により抵抗値を変える材料が、
Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、
Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素としてＲ1-x Ａx ＭｎＯ3
（０＜Ｘ＜１）で示されるペロブスカイト型のＭｎ酸化
物を用いることによって、ボロメータ方式の赤外線検知
素子とした。
提供する。 【解決手段】 入射赤外線の吸収により受光部の温度変
化を生じ、この温度変化により抵抗値を変える材料が、
Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、
Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素としてＲ1-x Ａx ＭｎＯ3
（０＜Ｘ＜１）で示されるペロブスカイト型のＭｎ酸化
物を用いることによって、ボロメータ方式の赤外線検知
素子とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線検知素子に
関し、さらに詳しくは、入射赤外線の吸収により温度を
変え、その温度変化によって抵抗値を変える材料に関す
るものである。
関し、さらに詳しくは、入射赤外線の吸収により温度を
変え、その温度変化によって抵抗値を変える材料に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】最近は、赤外線による光学機器の利用が
盛んになっており、夜間の監視や温度計測などに活用さ
れている。この応用の拡大に伴い、ボロメータ方式など
の熱型検出器による安価な赤外線検出器の開発が要望さ
れている。ボロメータ方式の赤外線検出器は、量子型の
検出器と比較して素子の冷却が不要であるため、低コス
トの赤外線検出器として提供できる利点を有している。
盛んになっており、夜間の監視や温度計測などに活用さ
れている。この応用の拡大に伴い、ボロメータ方式など
の熱型検出器による安価な赤外線検出器の開発が要望さ
れている。ボロメータ方式の赤外線検出器は、量子型の
検出器と比較して素子の冷却が不要であるため、低コス
トの赤外線検出器として提供できる利点を有している。
【０００３】ボロメータ方式の赤外線検出器は、入射し
た赤外線を受光部が吸収することにより受光部の温度を
変化させ、この受光部に配置した抵抗体の温度変化を抵
抗値の変化とし、この抵抗変化から該赤外線の放射強度
を電気信号として検出するものであるから、抵抗変化の
温度依存性（抵抗温度係数）が高ければ高いほど感度が
高くなる。このボロメータ方式の赤外線検出器に使われ
ている抵抗体材料として従来は、ＡｕやＢｉ、Ｎｉなど
の金属、または、酸化バナジウムやＳｉ、Ｇｅなどの半
導体材料などが通常使用されてきた。
た赤外線を受光部が吸収することにより受光部の温度を
変化させ、この受光部に配置した抵抗体の温度変化を抵
抗値の変化とし、この抵抗変化から該赤外線の放射強度
を電気信号として検出するものであるから、抵抗変化の
温度依存性（抵抗温度係数）が高ければ高いほど感度が
高くなる。このボロメータ方式の赤外線検出器に使われ
ている抵抗体材料として従来は、ＡｕやＢｉ、Ｎｉなど
の金属、または、酸化バナジウムやＳｉ、Ｇｅなどの半
導体材料などが通常使用されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属の
抵抗温度係数は０．１％／Ｋ程度と小さく、また半導体
材料のＳｉや酸化バナジウムも１％／Ｋ程度であり、高
感度を得るためには十分とはいえない問題点があった。
抵抗温度係数は０．１％／Ｋ程度と小さく、また半導体
材料のＳｉや酸化バナジウムも１％／Ｋ程度であり、高
感度を得るためには十分とはいえない問題点があった。
【０００５】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、高感度のボロメータ方式の赤外線
検出器を提供するため、高い抵抗温度係数の抵抗体によ
る赤外線検知素子を得ることを目的とする。
めになされたもので、高感度のボロメータ方式の赤外線
検出器を提供するため、高い抵抗温度係数の抵抗体によ
る赤外線検知素子を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検知素子
は、温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希
土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガ
ン、Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜
１）で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸化
物であることを特徴とするものである。
は、温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希
土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガ
ン、Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜
１）で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸化
物であることを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓｒx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓｒx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
【０００８】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｃａx Ｃ
ａＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｃａx Ｃ
ａＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
【０００９】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ1-x Ｃａx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ1-x Ｃａx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の赤外線検知素子に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【００１１】本発明は、赤外線の入射光を吸収すること
により温度を変え、その温度変化により抵抗値を変える
ことによって該赤外線の放射強度の信号を読み出す方式
の赤外線検知素子において、温度変化により抵抗値を変
える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカ
リ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ1- x
Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される材料を
用いたことに特徴がある。
により温度を変え、その温度変化により抵抗値を変える
ことによって該赤外線の放射強度の信号を読み出す方式
の赤外線検知素子において、温度変化により抵抗値を変
える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカ
リ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ1- x
Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される材料を
用いたことに特徴がある。
【００１２】Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 はペロブスカイト型の
Ｍｎ酸化物であり、強磁性転移温度の近傍で巨大な磁気
抵抗効果をもつことが知られている。この転移温度より
も高温側では半導体的な電気伝導現象を示し、かつ高い
抵抗温度係数を有している。
Ｍｎ酸化物であり、強磁性転移温度の近傍で巨大な磁気
抵抗効果をもつことが知られている。この転移温度より
も高温側では半導体的な電気伝導現象を示し、かつ高い
抵抗温度係数を有している。
【００１３】本発明は、この半導体領域での高い抵抗温
度係数を赤外線検知素子として利用するものである。つ
ぎに、具体的な実施の形態により、本発明の赤外線検知
素子について、さらに詳細に説明する。
度係数を赤外線検知素子として利用するものである。つ
ぎに、具体的な実施の形態により、本発明の赤外線検知
素子について、さらに詳細に説明する。
【００１４】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態
１に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
検知素子の受光部１は、Ｓｉ基板２の上に、酸化シリコ
ンによるブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、そのブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検
知回路を設けたものである。検知回路には、温度変化に
より抵抗値を変える抵抗体５が配置され、本発明の実施
の形態１ではＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ３を使用した。検知
回路は、受光部１が赤外線を吸収することによる温度変
化によりＬａ１−ｘ Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗値を変え、
抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝って
基板２まで配した配線３に、バイアス電圧を印加して信
号を検出するようになっている。また、受光部１の最外
層には、窒化シリコンによる保護膜７がコーティングさ
れ、抵抗体５を保護している。
１に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
検知素子の受光部１は、Ｓｉ基板２の上に、酸化シリコ
ンによるブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、そのブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検
知回路を設けたものである。検知回路には、温度変化に
より抵抗値を変える抵抗体５が配置され、本発明の実施
の形態１ではＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ３を使用した。検知
回路は、受光部１が赤外線を吸収することによる温度変
化によりＬａ１−ｘ Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗値を変え、
抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝って
基板２まで配した配線３に、バイアス電圧を印加して信
号を検出するようになっている。また、受光部１の最外
層には、窒化シリコンによる保護膜７がコーティングさ
れ、抵抗体５を保護している。
【００１５】図２は本発明の実施の形態１に関する赤外
線検知素子の斜視図である。この図において保護膜７は
記載していない。ブリッジ構造の支持脚８は受光部１の
断熱性を高めるために、細長い構造となっている。
線検知素子の斜視図である。この図において保護膜７は
記載していない。ブリッジ構造の支持脚８は受光部１の
断熱性を高めるために、細長い構造となっている。
【００１６】赤外線検知素子の感度をあげるには、断熱
性をさらに高める必要があるため、受光部の周囲全体を
真空状態とする必要がある。図３は本発明の実施の形態
１に関する赤外線検知素子をマウントした真空容器の断
面説明図である。該真空容器は、セラミック製のステム
（基台）１１に前記赤外線検知素子１６を接着し、赤外
線透過窓１０を取り付けたキャップ１２を該検知素子１
６の前面に置き、ステム１１に気密に接着している。キ
ャップ１２の内部は排気管１３をとおして真空引きを行
い、該排気管１３の端面を封止して、最終的に真空容器
を得た。前記検知素子１６の信号は、ワイヤボンド１４
によって、素子の電極とステム１１を貫通している信号
ピン１５とを接続することにより、容器の外に取り出し
た。
性をさらに高める必要があるため、受光部の周囲全体を
真空状態とする必要がある。図３は本発明の実施の形態
１に関する赤外線検知素子をマウントした真空容器の断
面説明図である。該真空容器は、セラミック製のステム
（基台）１１に前記赤外線検知素子１６を接着し、赤外
線透過窓１０を取り付けたキャップ１２を該検知素子１
６の前面に置き、ステム１１に気密に接着している。キ
ャップ１２の内部は排気管１３をとおして真空引きを行
い、該排気管１３の端面を封止して、最終的に真空容器
を得た。前記検知素子１６の信号は、ワイヤボンド１４
によって、素子の電極とステム１１を貫通している信号
ピン１５とを接続することにより、容器の外に取り出し
た。
【００１７】Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ
法により実施し、組成比を決めるｘはそれぞれ（Ａ）
０．０５、（Ｂ）０．２、（Ｃ）０．５とした。なお、
スパッタ法による成膜は一例であり、蒸着法やＣＶＤ法
などの他の成膜法を除外するものではない。
法により実施し、組成比を決めるｘはそれぞれ（Ａ）
０．０５、（Ｂ）０．２、（Ｃ）０．５とした。なお、
スパッタ法による成膜は一例であり、蒸着法やＣＶＤ法
などの他の成膜法を除外するものではない。
【００１８】Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の
測定は、前記赤外線検知素子を恒温槽にいれ、各温度で
の抵抗値測定を行った。測定は、通電時の自己発熱によ
る誤差をなるべく小さくするため、短時間のパルス電流
を流すことによる方法で行った。抵抗温度係数と温度と
の相関を図４に示す。
測定は、前記赤外線検知素子を恒温槽にいれ、各温度で
の抵抗値測定を行った。測定は、通電時の自己発熱によ
る誤差をなるべく小さくするため、短時間のパルス電流
を流すことによる方法で行った。抵抗温度係数と温度と
の相関を図４に示す。
【００１９】実施の形態２．本発明における実施の形態
２は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＬａ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｌａ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．３、（Ｂ）０．４とし
た。Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図５に示す。
２は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＬａ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｌａ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．３、（Ｂ）０．４とし
た。Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図５に示す。
【００２０】実施の形態３．本発明における実施の形態
３は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＰｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｐｒ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．２５、（Ｂ）０．３とし
た。Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図６に示す。
３は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＰｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｐｒ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．２５、（Ｂ）０．３とし
た。Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図６に示す。
【００２１】実施の形態４．図７は本発明の実施の形態
４に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
の受光部１は、Ｓｉ基板２に形成した凹部の上に酸化シ
リコンのブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、該ブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検知
回路を設けたものである。検知回路の抵抗体５には、実
施の形態１と同様に、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 を使用し
た。検知回路は、受光部が赤外線を吸収することによっ
て変わる温度をＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗変化に変
え、抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝
って基板まで配した配線３により信号を検出するように
なっている。また、受光部１の最外層には、窒化シリコ
ンによる保護膜７がコーティングされ、抵抗体５を保護
している。
４に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
の受光部１は、Ｓｉ基板２に形成した凹部の上に酸化シ
リコンのブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、該ブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検知
回路を設けたものである。検知回路の抵抗体５には、実
施の形態１と同様に、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 を使用し
た。検知回路は、受光部が赤外線を吸収することによっ
て変わる温度をＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗変化に変
え、抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝
って基板まで配した配線３により信号を検出するように
なっている。また、受光部１の最外層には、窒化シリコ
ンによる保護膜７がコーティングされ、抵抗体５を保護
している。
【００２２】図８は本発明の実施の形態４に関する赤外
線検知素子を上部からみた説明図である。図中の斜線は
熱絶縁のためのギャップとブリッジ構造体４の支持脚８
を形成するためにエッチング液を浸透させるエッチング
ホール９である。ブリッジ構造体４の支持脚８は断熱性
をあげるために細長い構造となっている。
線検知素子を上部からみた説明図である。図中の斜線は
熱絶縁のためのギャップとブリッジ構造体４の支持脚８
を形成するためにエッチング液を浸透させるエッチング
ホール９である。ブリッジ構造体４の支持脚８は断熱性
をあげるために細長い構造となっている。
【００２３】実施の形態５．本発明における実施の形態
５は、図９のように実施の形態１の検知部を、同一の基
板上に２次元のアレイ状に並べたものである。ビデオ信
号を得るために、１つの受光部を１つの画素とし、信号
読み出しのためのバイアス電圧を各画素に順次印加する
ための走査回路を基板に設けている。このようにして作
製された素子は、該基板の前面に赤外線用の光学レンズ
を配置し、基板が焦点面となるようにして、赤外線の画
像が表示できる素子とした。
５は、図９のように実施の形態１の検知部を、同一の基
板上に２次元のアレイ状に並べたものである。ビデオ信
号を得るために、１つの受光部を１つの画素とし、信号
読み出しのためのバイアス電圧を各画素に順次印加する
ための走査回路を基板に設けている。このようにして作
製された素子は、該基板の前面に赤外線用の光学レンズ
を配置し、基板が焦点面となるようにして、赤外線の画
像が表示できる素子とした。
【００２４】なお、図９に記載した画素のアレイは、全
画素の一部を示したもので、アレイの数を制限するもの
ではない。
画素の一部を示したもので、アレイの数を制限するもの
ではない。
【００２５】以上のようにして、温度変化により抵抗を
変える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアル
カリ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ
1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される高
い抵抗温度係数を持つペロブスカイト型の結晶構造のＭ
ｎ酸化物を用いることにより、赤外線の入射光を吸収す
ることにより温度を変え、その温度変化により抵抗値を
変えることによって該赤外線の放射強度の信号を読み出
す方式の、高感度の赤外線検知素子を得た。
変える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアル
カリ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ
1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される高
い抵抗温度係数を持つペロブスカイト型の結晶構造のＭ
ｎ酸化物を用いることにより、赤外線の入射光を吸収す
ることにより温度を変え、その温度変化により抵抗値を
変えることによって該赤外線の放射強度の信号を読み出
す方式の、高感度の赤外線検知素子を得た。
【００２６】
【発明の効果】本発明の赤外線検知素子によれば、赤外
線の入射光を吸収することにより温度を変え、その温度
変化により抵抗値を変えることによって該赤外線の放射
強度の信号を読み出す方式の赤外線検知素子において、
温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希土類
金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガン、
Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の
化学式で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸
化物としたので、従来よりも高感度の赤外線検知素子を
得られる効果がある。
線の入射光を吸収することにより温度を変え、その温度
変化により抵抗値を変えることによって該赤外線の放射
強度の信号を読み出す方式の赤外線検知素子において、
温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希土類
金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガン、
Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の
化学式で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸
化物としたので、従来よりも高感度の赤外線検知素子を
得られる効果がある。
【００２７】また、本発明の赤外線検知素子によれば、
温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓ
ｒx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト型の結
晶構造のＭｎ酸化物としたので、従来よりも高感度の赤
外線検知素子を得られる効果がある。
温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓ
ｒx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト型の結
晶構造のＭｎ酸化物としたので、従来よりも高感度の赤
外線検知素子を得られる効果がある。
【００２８】また、本発明の別の赤外線検知素子によれ
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。
【００２９】また、本発明の別の赤外線検知素子によれ
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。
【図１】 本発明の実施の形態１の受光部の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１の受光部の斜視図であ
る。
る。
【図３】 本発明の実施の形態１に用いた真空容器の断
面図である。
面図である。
【図４】 Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。
度との相関を示す図である。
【図５】 Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。
度との相関を示す図である。
【図６】 Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。
度との相関を示す図である。
【図７】 本発明の実施の形態４の受光部の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態４の受光部の構造を上部
から見た説明図である。
から見た説明図である。
【図９】 本発明の実施の形態５の画素のアレイ状態を
示す図である。
示す図である。
１ 受光部、２ Ｓｉ基板、３ 配線、４ ブリッジ構
造体、５ 抵抗体、６ギャップ、７ 保護膜、８ 支持
脚、９ エッチングホール、１０ 赤外線透過窓、１１
ステム、１２ キャップ、１３ 排気管、１４ ワイ
ヤボンド、１５ 信号ピン、１６ 赤外線検知素子。
造体、５ 抵抗体、６ギャップ、７ 保護膜、８ 支持
脚、９ エッチングホール、１０ 赤外線透過窓、１１
ステム、１２ キャップ、１３ 排気管、１４ ワイ
ヤボンド、１５ 信号ピン、１６ 赤外線検知素子。
Claims (4)
- 【請求項１】 赤外線の入射光を吸収することにより温
度を変え、その温度変化により抵抗値を変えることによ
って該赤外線の放射強度の信号を読み出す方式の赤外線
検知素子において、温度変化により抵抗値を変える材料
が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金
属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx Ｍｎ
Ｏ3 （０＜ｘ＜１）で示されるペロブスカイト型の結晶
構造のＭｎ酸化物であることを特徴とする赤外線検知素
子。 - 【請求項２】 温度変化により抵抗値を変える材料が、
Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。 - 【請求項３】 温度変化により抵抗値を変える材料が、
Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。 - 【請求項４】 温度変化により抵抗値を変える材料が、
Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323976A JPH10163510A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 赤外線検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323976A JPH10163510A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 赤外線検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163510A true JPH10163510A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18160738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8323976A Pending JPH10163510A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 赤外線検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163510A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165587A (en) * | 1997-09-09 | 2000-12-26 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Microbridge structure with reinforcement section |
| US6713763B2 (en) | 2001-08-02 | 2004-03-30 | Nec Corporation | Oxide thin film for a bolometer, process for producing the same, and infrared sensor using the same |
| WO2005078399A1 (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 赤外線撮像素子 |
| JP2006049494A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Ricoh Co Ltd | 熱電変換材料及び熱電変換装置 |
| JP2007099554A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化物導電体磁器組成物および抵抗体 |
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| CN1324720C (zh) * | 2001-09-20 | 2007-07-04 | 北京有色金属研究总院 | 制备钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料的工艺及其产品用途 |
| CN106952975A (zh) * | 2017-03-09 | 2017-07-14 | 内蒙古大学 | 一种无机钙钛矿吸光材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP8323976A patent/JPH10163510A/ja active Pending
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| US8017911B2 (en) | 2003-12-22 | 2011-09-13 | Universite Paul Sabatier (Toulouse Iii) | Use of spinel ferrites as sensitive material for bolometric infrared detector devices |
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| A02 | Decision of refusal |
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