JPH10163752A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
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- JPH10163752A JPH10163752A JP33473896A JP33473896A JPH10163752A JP H10163752 A JPH10163752 A JP H10163752A JP 33473896 A JP33473896 A JP 33473896A JP 33473896 A JP33473896 A JP 33473896A JP H10163752 A JPH10163752 A JP H10163752A
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- capacitor
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低電圧の電源で動作することができ、歪みの
少ない発振出力を得ることができ、動作効率も良好で、
しかも負荷抵抗の変化による出力レベルの変動の少ない
水晶発振回路を提供すること。 【解決手段】 電源と接地電位間にＮＰＮ型とＰＮＰ型
のトランジスタＱ１とＱ２を直列に接続したＢ級増幅器
の入力に水晶振動子を接続した水晶発振回路において、
一端を接地した水晶振動子の他端にＰＮＰ型及びＮＰＮ
型のトランジスタＱ３とＱ４のベースを接続しトランジ
スタＱ１（Ｑ２）のベースをトランジスタＱ３（Ｑ４）
のエミッタに接続し、トランジスタＱ１、Ｑ２の直列接
続点に出力端子を接続し、トランジスタＱ３（Ｑ４）の
ベース・エミッタ間にトランジスタＱ１（Ｑ２）のベー
ス電圧の正（負）のピーク値を引き上（下）げるコンデ
ンサＣ１（Ｃ２）を接続したことを特徴とするものであ
る。
少ない発振出力を得ることができ、動作効率も良好で、
しかも負荷抵抗の変化による出力レベルの変動の少ない
水晶発振回路を提供すること。 【解決手段】 電源と接地電位間にＮＰＮ型とＰＮＰ型
のトランジスタＱ１とＱ２を直列に接続したＢ級増幅器
の入力に水晶振動子を接続した水晶発振回路において、
一端を接地した水晶振動子の他端にＰＮＰ型及びＮＰＮ
型のトランジスタＱ３とＱ４のベースを接続しトランジ
スタＱ１（Ｑ２）のベースをトランジスタＱ３（Ｑ４）
のエミッタに接続し、トランジスタＱ１、Ｑ２の直列接
続点に出力端子を接続し、トランジスタＱ３（Ｑ４）の
ベース・エミッタ間にトランジスタＱ１（Ｑ２）のベー
ス電圧の正（負）のピーク値を引き上（下）げるコンデ
ンサＣ１（Ｃ２）を接続したことを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低電圧の電源で動
作することができ、歪み特性も良好で高効率で動作し、
かつ負荷の変動による出力レベルの変化の少ない水晶発
振回路に関する。
作することができ、歪み特性も良好で高効率で動作し、
かつ負荷の変動による出力レベルの変化の少ない水晶発
振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、水晶発振回路としては、たとえば
図４に示すようなコルピッツ型水晶発振回路が知られて
いる。この水晶発振回路では水晶振動子１を周波数源と
するコルピッツ発振回路をトランジスタ２によって構成
している。トランジスタ２はエミッタ接地の増幅器とし
て動作し、発振出力３をエミッタから取り出すようにし
ている。
図４に示すようなコルピッツ型水晶発振回路が知られて
いる。この水晶発振回路では水晶振動子１を周波数源と
するコルピッツ発振回路をトランジスタ２によって構成
している。トランジスタ２はエミッタ接地の増幅器とし
て動作し、発振出力３をエミッタから取り出すようにし
ている。
【０００３】しかしながら、このような回路構成では、
トランジスタ２の動作点としてバイアス電圧を比較的、
高く設定することが行われる。したがって、常時コレク
タ電流の流れる、いわゆるＡ級増幅器として動作するた
めに動作効率も低く、消費電流も多くなる問題がある。
また、このようなものでは、負荷の変動等の影響は、直
接、発振段のトランジスタ２へ及ぶために安定性に劣
り、多くの場合、発振出力をバッファ回路で受けて負荷
へ供給することが行われている。
トランジスタ２の動作点としてバイアス電圧を比較的、
高く設定することが行われる。したがって、常時コレク
タ電流の流れる、いわゆるＡ級増幅器として動作するた
めに動作効率も低く、消費電流も多くなる問題がある。
また、このようなものでは、負荷の変動等の影響は、直
接、発振段のトランジスタ２へ及ぶために安定性に劣
り、多くの場合、発振出力をバッファ回路で受けて負荷
へ供給することが行われている。
【０００４】しかしながら、電源電圧の低い、たとえば
２．６Ｖ程度の電源を用いる場合に、バッファ回路を設
けると発振段とバッファ回路との電圧の配分の問題を生
じて動作電圧が低くなり、発振出力がクリップされるた
めに歪みを生じたり振幅が小さくなってしまう問題があ
った。
２．６Ｖ程度の電源を用いる場合に、バッファ回路を設
けると発振段とバッファ回路との電圧の配分の問題を生
じて動作電圧が低くなり、発振出力がクリップされるた
めに歪みを生じたり振幅が小さくなってしまう問題があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、低電圧の電源で動作することが
でき、歪みの少ない発振出力を得ることができ、動作効
率も良好で、しかも負荷抵抗の変化による出力レベルの
変動の少ない水晶発振回路を提供することを目的とする
ものである。
鑑みてなされたもので、低電圧の電源で動作することが
でき、歪みの少ない発振出力を得ることができ、動作効
率も良好で、しかも負荷抵抗の変化による出力レベルの
変動の少ない水晶発振回路を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電源と接地電
位間にＮＰＮ型の第１のトランジスタのコレクタ・エミ
ッタとＰＮＰ型の第２のトランジスタのエミッタ・コレ
クタとを直列に接続したＢ級増幅器の入力に水晶振動子
を接続した水晶発振回路において、水晶振動子の一端を
接地し、ＰＮＰ型の第３のトランジスタのベースに水晶
振動子の他端を接続するとともにコレクタを接地しエミ
ッタをエミッタ抵抗を介して電源に接続し、ＮＰＮ型の
第４のトランジスタのベースに水晶振動子の他端を接続
するとともにコレクタを電源に接続しエミッタをエミッ
タ抵抗を介して接地し、第３のトランジスタのエミッタ
に第１のトランジスタのベースを接続し、第４のトラン
ジスタのエミッタに第２のトランジスタのベースを接続
し、第１、第２のトランジスタのエミッタの直列接続点
から出力端子を導出し、第３のトランジスタのベース・
エミッタ間に第１のトランジスタのベース電圧の正のピ
ーク値を引き上げる第１のコンデンサを接続し、第４の
トランジスタのベース・エミッタ間に第２のトランジス
タのベース電圧の負のピーク値を引き下げる第２のコン
デンサを接続し、第３、第４のトランジスタのベースと
出力端子との間に第３のコンデンサを介挿し、一端を上
記出力端子に接続し他端を接地した第４のコンデンサを
設けたことを特徴とするものである。
位間にＮＰＮ型の第１のトランジスタのコレクタ・エミ
ッタとＰＮＰ型の第２のトランジスタのエミッタ・コレ
クタとを直列に接続したＢ級増幅器の入力に水晶振動子
を接続した水晶発振回路において、水晶振動子の一端を
接地し、ＰＮＰ型の第３のトランジスタのベースに水晶
振動子の他端を接続するとともにコレクタを接地しエミ
ッタをエミッタ抵抗を介して電源に接続し、ＮＰＮ型の
第４のトランジスタのベースに水晶振動子の他端を接続
するとともにコレクタを電源に接続しエミッタをエミッ
タ抵抗を介して接地し、第３のトランジスタのエミッタ
に第１のトランジスタのベースを接続し、第４のトラン
ジスタのエミッタに第２のトランジスタのベースを接続
し、第１、第２のトランジスタのエミッタの直列接続点
から出力端子を導出し、第３のトランジスタのベース・
エミッタ間に第１のトランジスタのベース電圧の正のピ
ーク値を引き上げる第１のコンデンサを接続し、第４の
トランジスタのベース・エミッタ間に第２のトランジス
タのベース電圧の負のピーク値を引き下げる第２のコン
デンサを接続し、第３、第４のトランジスタのベースと
出力端子との間に第３のコンデンサを介挿し、一端を上
記出力端子に接続し他端を接地した第４のコンデンサを
設けたことを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１に示す回路図を参照し
て、本発明の実施の形態を説明する。Ｑ１はＮＰＮ型の
第１のトランジスタ、Ｑ２はＰＮＰ型の第２のトランジ
スタである。第１のトランジスタＱ１のコレクタを電源
Ｖｃｃに接続し、第２のトランジスタＱ２のコレクタを
接地し、エミッタを共通に出力端子Ｏｕｔに接続してい
る。
て、本発明の実施の形態を説明する。Ｑ１はＮＰＮ型の
第１のトランジスタ、Ｑ２はＰＮＰ型の第２のトランジ
スタである。第１のトランジスタＱ１のコレクタを電源
Ｖｃｃに接続し、第２のトランジスタＱ２のコレクタを
接地し、エミッタを共通に出力端子Ｏｕｔに接続してい
る。
【０００８】そして第１、第２のトランジスタＱ１、Ｑ
２によっていわゆる相補型のＢ級出力回路を形成してい
る。そしてＱ３はＰＮＰ型の第３のトランジスタで、エ
ミッタをエミッタ抵抗Ｒ１を介して、たとえば電圧２．
６Ｖの電源Ｖｃｃに接続し、コレクタを接地している。
２によっていわゆる相補型のＢ級出力回路を形成してい
る。そしてＱ３はＰＮＰ型の第３のトランジスタで、エ
ミッタをエミッタ抵抗Ｒ１を介して、たとえば電圧２．
６Ｖの電源Ｖｃｃに接続し、コレクタを接地している。
【０００９】またＱ４はＮＰＮ型の第４のトランジスタ
で、コレクタを電源Ｖｃｃに接続し、エミッタをエミッ
タ抵抗Ｒ２を介して接地しているそして一端を接地した
水晶振動子Ｘの他端に第３、第４の各トランジスタＱ
３、Ｑ４のベースを接続している。
で、コレクタを電源Ｖｃｃに接続し、エミッタをエミッ
タ抵抗Ｒ２を介して接地しているそして一端を接地した
水晶振動子Ｘの他端に第３、第４の各トランジスタＱ
３、Ｑ４のベースを接続している。
【００１０】そして第３のトランジスタＱ３のエミッタ
を第１のトランジスタＱ１のベースに接続し、第４のト
ランジスタＱ４のエミッタを第２のトランジスタＱ２の
ベースに接続して、それぞれ出力段の第１、第２のトラ
ンジスタＱ１、Ｑ２をドライブするようにしている。
を第１のトランジスタＱ１のベースに接続し、第４のト
ランジスタＱ４のエミッタを第２のトランジスタＱ２の
ベースに接続して、それぞれ出力段の第１、第２のトラ
ンジスタＱ１、Ｑ２をドライブするようにしている。
【００１１】そして第３のトランジスタＱ３のベース・
エミッタ間に、第１のトランジスタＱ１のベース電圧Ｖ
ｂ１の正のピーク値を引き上げる第１のコンデンサＣ１
を介挿している。同様に第４のトランジスタＱ４のベー
ス・エミッタ間に、第２のトランジスタＱ２のベース電
圧Ｖｂ２の負のピーク値を引き下げる第２のコンデンサ
Ｃ２を介挿している。
エミッタ間に、第１のトランジスタＱ１のベース電圧Ｖ
ｂ１の正のピーク値を引き上げる第１のコンデンサＣ１
を介挿している。同様に第４のトランジスタＱ４のベー
ス・エミッタ間に、第２のトランジスタＱ２のベース電
圧Ｖｂ２の負のピーク値を引き下げる第２のコンデンサ
Ｃ２を介挿している。
【００１２】そして第３、第４の各トランジスタＱ３、
Ｑ４のベースを、バイアス抵抗Ｒ３を介して電源Ｖｃｃ
に接続し、またバイアス抵抗Ｒ４を介して接地し、第
３、第４の各トランジスタＱ３、Ｑ４のベースへバイア
ス電圧を与えるようにしている。
Ｑ４のベースを、バイアス抵抗Ｒ３を介して電源Ｖｃｃ
に接続し、またバイアス抵抗Ｒ４を介して接地し、第
３、第４の各トランジスタＱ３、Ｑ４のベースへバイア
ス電圧を与えるようにしている。
【００１３】そして、上記第３、第４のトランジスタＱ
３、Ｑ４のベースと出力端子Ｏｕｔとの間に第３のコン
デンサＣ３を接続している。さらに、出力端子Ｏｕｔと
接地電位との間に第４のコンデンサＣ４を接続してい
る。
３、Ｑ４のベースと出力端子Ｏｕｔとの間に第３のコン
デンサＣ３を接続している。さらに、出力端子Ｏｕｔと
接地電位との間に第４のコンデンサＣ４を接続してい
る。
【００１４】このような構成であれば、第３、第４のト
ランジスタＱ３、Ｑ４によって出力段の第１、第２の各
トランジスタＱ１、Ｑ２のベース・エミッタ電圧Ｖｂｅ
を吸収することができクロスオーバー歪の発生を防止す
ることができる。そして第３、第４のトランジスタＱ
３、Ｑ４のベースに接続した水晶振動子Ｘの圧電振動に
よって出力段の第１、第２のトランジスタＱ１、Ｑ２を
駆動することができる。
ランジスタＱ３、Ｑ４によって出力段の第１、第２の各
トランジスタＱ１、Ｑ２のベース・エミッタ電圧Ｖｂｅ
を吸収することができクロスオーバー歪の発生を防止す
ることができる。そして第３、第４のトランジスタＱ
３、Ｑ４のベースに接続した水晶振動子Ｘの圧電振動に
よって出力段の第１、第２のトランジスタＱ１、Ｑ２を
駆動することができる。
【００１５】ここで、出力段の第１、第２のトランジス
タＱ１、Ｑ２に図２にＩｎで示すような正弦波信号が入
力された場合、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース電圧Ｖ
ｂ１、Ｖｂ２は、それぞれ図２にＶｂ１、Ｖｂ２で示す
ように変化する。
タＱ１、Ｑ２に図２にＩｎで示すような正弦波信号が入
力された場合、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース電圧Ｖ
ｂ１、Ｖｂ２は、それぞれ図２にＶｂ１、Ｖｂ２で示す
ように変化する。
【００１６】すなわち、トランジスタＱ１の正のピーク
値はコンデンサＣ１の充電電荷によって引き上げられ、
同様にトランジスタＱ２の負のピーク値はコンデンサＣ
２の充電電荷によって引き下げられる。
値はコンデンサＣ１の充電電荷によって引き上げられ、
同様にトランジスタＱ２の負のピーク値はコンデンサＣ
２の充電電荷によって引き下げられる。
【００１７】なお図２で破線は、たとえば電源電圧が低
く、かつ第１、第２のコンデンサＣ１、Ｃ２のない場合
に正負ピーク値が歪む様子を示すものである。しかし
て、上記実施例では、出力端子Ｏｕｔの発振出力は図３
に実線で示すように歪みのない信号を得ることができ
る。なお図３で破線は、ベース電圧Ｖｂ１、Ｖｂ２が図
２に破線で示すように歪んだ場合の出力信号の歪みを示
すものである。
く、かつ第１、第２のコンデンサＣ１、Ｃ２のない場合
に正負ピーク値が歪む様子を示すものである。しかし
て、上記実施例では、出力端子Ｏｕｔの発振出力は図３
に実線で示すように歪みのない信号を得ることができ
る。なお図３で破線は、ベース電圧Ｖｂ１、Ｖｂ２が図
２に破線で示すように歪んだ場合の出力信号の歪みを示
すものである。
【００１８】またＢ級増幅器を用いた発振回路は、たと
えば図４に示すような従来のコルピッツ型水晶発振回路
に比して大きな出力を得ることができ、たとえば負荷変
動による出力レベルの変動も少なく低抵抗の負荷に対し
ても大きな振幅で駆動することができる利点がある。
えば図４に示すような従来のコルピッツ型水晶発振回路
に比して大きな出力を得ることができ、たとえば負荷変
動による出力レベルの変動も少なく低抵抗の負荷に対し
ても大きな振幅で駆動することができる利点がある。
【００１９】なお本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、たとえば上記実施例では水晶振動子の一端を
直接、接地するようにしたが、ここにコンデンサを介挿
することによって発振周波数をわずかに可変することが
できる。したがって、ここに可変コンデンサを用いるよ
うにすれば発振周波数を連続的に変化させることができ
正確な発振周波数に調整することができる。
ではなく、たとえば上記実施例では水晶振動子の一端を
直接、接地するようにしたが、ここにコンデンサを介挿
することによって発振周波数をわずかに可変することが
できる。したがって、ここに可変コンデンサを用いるよ
うにすれば発振周波数を連続的に変化させることができ
正確な発振周波数に調整することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２１】発振回路にＢ級増幅器を用いているために
動作効率がよく、かつ低電圧、たとえば２．６Ｖ程度の
電源電圧でも歪みを生じることなく大きな振幅の出力を
得ることができる。したがって負荷変動による出力レベ
ルの変動も少なく、消費電力も少ない出力回路を提供す
ることができる。
動作効率がよく、かつ低電圧、たとえば２．６Ｖ程度の
電源電圧でも歪みを生じることなく大きな振幅の出力を
得ることができる。したがって負荷変動による出力レベ
ルの変動も少なく、消費電力も少ない出力回路を提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例の発振回路の回路図である。
【図２】図１に示す実施例の出力段のトランジスタのベ
ース電圧の変化を示す波形図である。
ース電圧の変化を示す波形図である。
【図３】図１に示す実施例の発振出力を示す波形図であ
る。
る。
【図４】従来のコルピッツ型発振回路の回路図である。
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４ トランジスタ Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４ コンデンサ Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ 抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】電源と接地電位間にＮＰＮ型の第１のトラ
ンジスタのコレクタ・エミッタとＰＮＰ型の第２のトラ
ンジスタのエミッタ・コレクタとを直列に接続したＢ級
増幅器の入力に水晶振動子を接続した水晶発振回路にお
いて、 一端を接地した水晶振動子と、 この水晶振動子の他端にベースを接続しコレクタを接地
するとともにエミッタをエミッタ抵抗を介して電源に接
続したＰＮＰ型の第３のトランジスタと、 上記水晶振動子の他端にベースを接続するとともにコレ
クタを電源に接続しエミッタをエミッタ抵抗を介して接
地したＮＰＮ型の第４のトランジスタと、 ベースを上記第３のトランジスタのエミッタに接続した
ＮＰＮ型の第１のトランジスタと、 ベースを上記第４のトランジスタのエミッタに接続した
ＰＮＰ型の第２のトランジスタと、 上記第１のトランジスタのエミッタと上記第２のトラン
ジスタのエミッタとの直列接続点から導出した出力端子
と、 上記第３のトランジスタのベース・エミッタ間に接続さ
れ第１のトランジスタのベース電圧の正のピーク値を引
き上げる第１のコンデンサと、 上記第４のトランジスタのベース・エミッタ間に接続さ
れ第２のトランジスタのベース電圧の負のピーク値を引
き下げる第２のコンデンサと、 上記第３、第４のトランジスタのベースと出力端子との
間に介挿した第３のコンデンサと、 一端を上記出力端子に接続し他端を接地した第４のコン
デンサと、 を具備することを特徴とする水晶発振回路。 - 【請求項２】請求項１に記載のものにおいて、水晶振動
子の一端側に発振周波数を調整するコンデンサを介挿し
たことを特徴とする水晶発振回路。 - 【請求項３】請求項２に記載のものにおいて、水晶振動
子の一端側に介挿したコンデンサは可変コンデンサであ
ることを特徴とする水晶発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33473896A JP3276137B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33473896A JP3276137B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 水晶発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163752A true JPH10163752A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3276137B2 JP3276137B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=18280676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33473896A Expired - Fee Related JP3276137B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 水晶発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276137B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11615297B2 (en) | 2017-04-04 | 2023-03-28 | Hailo Technologies Ltd. | Structured weight based sparsity in an artificial neural network compiler |
| US11551028B2 (en) | 2017-04-04 | 2023-01-10 | Hailo Technologies Ltd. | Structured weight based sparsity in an artificial neural network |
| US11544545B2 (en) | 2017-04-04 | 2023-01-03 | Hailo Technologies Ltd. | Structured activation based sparsity in an artificial neural network |
| US11238334B2 (en) | 2017-04-04 | 2022-02-01 | Hailo Technologies Ltd. | System and method of input alignment for efficient vector operations in an artificial neural network |
| US10387298B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-08-20 | Hailo Technologies Ltd | Artificial neural network incorporating emphasis and focus techniques |
| US12430543B2 (en) | 2017-04-04 | 2025-09-30 | Hailo Technologies Ltd. | Structured sparsity guided training in an artificial neural network |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP33473896A patent/JP3276137B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3276137B2 (ja) | 2002-04-22 |
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