JPH10163797A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH10163797A JPH10163797A JP8320522A JP32052296A JPH10163797A JP H10163797 A JPH10163797 A JP H10163797A JP 8320522 A JP8320522 A JP 8320522A JP 32052296 A JP32052296 A JP 32052296A JP H10163797 A JPH10163797 A JP H10163797A
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- piezoelectric substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＡＷの振動空間への絶縁性樹脂等の入り込み
を完全に阻止でき、ワイヤ接続を不要として特性劣化が
なく、また薄型化及び小型軽量化されるようにする。 【解決手段】圧電基板の主面に凹部領域１０を形成し、
該凹部領域１０内に互いに噛み合うように形成された少
なくとも一対のＩＤＴ電極５を設け、前記凹部領域１０
を絶縁性の基板７の表面に対面させ、絶縁性樹脂６を圧
電基板の外側面下部に塗布−モールドして、圧電基板を
絶縁性基板７上に取付けた。
を完全に阻止でき、ワイヤ接続を不要として特性劣化が
なく、また薄型化及び小型軽量化されるようにする。 【解決手段】圧電基板の主面に凹部領域１０を形成し、
該凹部領域１０内に互いに噛み合うように形成された少
なくとも一対のＩＤＴ電極５を設け、前記凹部領域１０
を絶縁性の基板７の表面に対面させ、絶縁性樹脂６を圧
電基板の外側面下部に塗布−モールドして、圧電基板を
絶縁性基板７上に取付けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｓ1 ，Ｓ2 の断面図を図
５，６に示す。図５において、１１はＳＡＷ素子、１２
は入出力電極のパッド、１３はパッケージ表面に形成さ
れ外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続される
導電パターンのパッド、１４はＳＡＷ素子用の圧電基板
上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter Digital Tr
ansducer）電極、１５〜１７はセラミック，樹脂等の絶
縁性材料からなるパッケージ、１８はセラミック，金属
（Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。１９はパッド１
２，１３を接続するワイヤである。同図の構成では、パ
ッケージ１５〜１７の内部にＳＡＷ素子１１を接着剤に
より載置固定し、パッド１２，１３をＡｌ，Ａｕ等のワ
イヤ１９により電気的に接続し、さらに蓋体１８をはん
だ，接着剤等にによりパッケージ１７上から接着して気
密を保持していた。
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｓ1 ，Ｓ2 の断面図を図
５，６に示す。図５において、１１はＳＡＷ素子、１２
は入出力電極のパッド、１３はパッケージ表面に形成さ
れ外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続される
導電パターンのパッド、１４はＳＡＷ素子用の圧電基板
上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter Digital Tr
ansducer）電極、１５〜１７はセラミック，樹脂等の絶
縁性材料からなるパッケージ、１８はセラミック，金属
（Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。１９はパッド１
２，１３を接続するワイヤである。同図の構成では、パ
ッケージ１５〜１７の内部にＳＡＷ素子１１を接着剤に
より載置固定し、パッド１２，１３をＡｌ，Ａｕ等のワ
イヤ１９により電気的に接続し、さらに蓋体１８をはん
だ，接着剤等にによりパッケージ１７上から接着して気
密を保持していた。
【０００３】図６において、２１はＳＡＷ素子、２２は
入出力電極のパッド、２３はパッド２２とパッド２４を
電気的に接続するバンプ（略半球状、略半楕円球状ある
いは略円柱状等の凸部）等の接続体、２４は基板２７表
面に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に
接続される導電パターンのパッド、２５はＳＡＷ素子用
の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter
Digital Transducer）電極、２６はＳＡＷ装置全体にモ
ールドされ保護膜としての絶縁性樹脂、２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなる基板である。同図の構
成は、ＩＤＴ電極２５が設けられた機能面が基板２７に
対面したフェースダウン構成であり、絶縁性樹脂２６が
機能面が存在するＳＡＷの振動空間にまで入り込んでい
る。
入出力電極のパッド、２３はパッド２２とパッド２４を
電気的に接続するバンプ（略半球状、略半楕円球状ある
いは略円柱状等の凸部）等の接続体、２４は基板２７表
面に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に
接続される導電パターンのパッド、２５はＳＡＷ素子用
の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter
Digital Transducer）電極、２６はＳＡＷ装置全体にモ
ールドされ保護膜としての絶縁性樹脂、２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなる基板である。同図の構
成は、ＩＤＴ電極２５が設けられた機能面が基板２７に
対面したフェースダウン構成であり、絶縁性樹脂２６が
機能面が存在するＳＡＷの振動空間にまで入り込んでい
る。
【０００４】図６の接続体２３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、パッド２２上に形成して得られる。そして、
接続体２３を設けた圧電基板を、接続体２３とパッド２
４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはんだの
リフロー溶融法により接続し、基板２７上に固定する。
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、パッド２２上に形成して得られる。そして、
接続体２３を設けた圧電基板を、接続体２３とパッド２
４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはんだの
リフロー溶融法により接続し、基板２７上に固定する。
【０００５】また、他の従来例として、図６と同様の構
成で、絶縁性樹脂２６が振動空間（ＩＤＴ電極２５が存
在する空間）に入り込まないように、圧電基板からなる
ＳＡＷ素子２１又は基板２７の接続体２３の振動空間側
に、ダムを設けたものが知られている（特開平５−５５
３０３号参照）。さらに、他の従来例として、図６と同
様の構成で、圧電基板の機能面にＳＡＷ伝搬路を囲むよ
うにシリコーン樹脂等からなる環状部材を設け、基板２
７にフェースダウン構成となるように取付けることによ
り、絶縁性樹脂２６が振動空間に入り込まないようにし
たものが知られている（特開平５−９０８８５号参
照）。
成で、絶縁性樹脂２６が振動空間（ＩＤＴ電極２５が存
在する空間）に入り込まないように、圧電基板からなる
ＳＡＷ素子２１又は基板２７の接続体２３の振動空間側
に、ダムを設けたものが知られている（特開平５−５５
３０３号参照）。さらに、他の従来例として、図６と同
様の構成で、圧電基板の機能面にＳＡＷ伝搬路を囲むよ
うにシリコーン樹脂等からなる環状部材を設け、基板２
７にフェースダウン構成となるように取付けることによ
り、絶縁性樹脂２６が振動空間に入り込まないようにし
たものが知られている（特開平５−９０８８５号参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
５の従来例においては、ワイヤ１９を使用しているた
め、ワイヤ１９が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけＳＡＷ装置の体積が大きくなり、小型軽量化、薄型
化に不利である。また、ワイヤボンディング装置により
ワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程が煩雑に
なり、製造コストも大きくなる。更に、ワイヤ１９が存
在することにより、不要なインダクタンス成分を付加す
ることになり、ＳＡＷ装置の周波数特性が変化し、設計
上それを考慮する手間が生じるという問題点があった。
５の従来例においては、ワイヤ１９を使用しているた
め、ワイヤ１９が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけＳＡＷ装置の体積が大きくなり、小型軽量化、薄型
化に不利である。また、ワイヤボンディング装置により
ワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程が煩雑に
なり、製造コストも大きくなる。更に、ワイヤ１９が存
在することにより、不要なインダクタンス成分を付加す
ることになり、ＳＡＷ装置の周波数特性が変化し、設計
上それを考慮する手間が生じるという問題点があった。
【０００７】上記図６の従来例では、絶縁性樹脂２６が
振動空間（ＩＤＴ電極２５が存在する空間）に入り込
み、機能面に接しているため、ＳＡＷの伝搬を阻害して
おり、ＳＡＷ装置としての所望の特性を得るのが困難で
ある。また、絶縁性樹脂２６が振動空間に入り込まない
ように、ダムを設けたり、ＳＡＷ伝搬路を囲むように機
能面に環状部材を設けても、絶縁性樹脂２６の入り込み
を完全に阻止するには不十分であった。前記環状部材を
設ける場合には、環状部材がシリコーン樹脂等の塗布に
より形成されるため、振動空間を均一な高さ、幅で正確
に形成するのが困難であった。
振動空間（ＩＤＴ電極２５が存在する空間）に入り込
み、機能面に接しているため、ＳＡＷの伝搬を阻害して
おり、ＳＡＷ装置としての所望の特性を得るのが困難で
ある。また、絶縁性樹脂２６が振動空間に入り込まない
ように、ダムを設けたり、ＳＡＷ伝搬路を囲むように機
能面に環状部材を設けても、絶縁性樹脂２６の入り込み
を完全に阻止するには不十分であった。前記環状部材を
設ける場合には、環状部材がシリコーン樹脂等の塗布に
より形成されるため、振動空間を均一な高さ、幅で正確
に形成するのが困難であった。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的はＳＡＷの振動空間への絶縁
性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を均一な
高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置の特性
劣化がなく、また薄型化及び小型軽量化され、更には低
コストで製造可能なものとすることにある。
れたものであり、その目的はＳＡＷの振動空間への絶縁
性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を均一な
高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置の特性
劣化がなく、また薄型化及び小型軽量化され、更には低
コストで製造可能なものとすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電基板の一主面に凹部領域とその周縁に枠領域を
形成し、該凹部領域内に少なくとも一対の櫛歯状電極を
設け、導電パターン及びそれに連なって外部に延出した
リードパターンをもった絶縁性基板に前記凹部領域側を
対面させ、前記枠領域を絶縁性基板に当接若しくは接着
して圧電基板を絶縁性基板に取付けるとともに、前記櫛
歯状電極の入出力電極と前記導電パターンを接続体を介
して電気的に導通したことを特徴とする。
は、圧電基板の一主面に凹部領域とその周縁に枠領域を
形成し、該凹部領域内に少なくとも一対の櫛歯状電極を
設け、導電パターン及びそれに連なって外部に延出した
リードパターンをもった絶縁性基板に前記凹部領域側を
対面させ、前記枠領域を絶縁性基板に当接若しくは接着
して圧電基板を絶縁性基板に取付けるとともに、前記櫛
歯状電極の入出力電極と前記導電パターンを接続体を介
して電気的に導通したことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図４により説明す
る。図１〜図４はＳＡＷ装置Ｓの４つの実施形態の断面
図である。
る。図１〜図４はＳＡＷ装置Ｓの４つの実施形態の断面
図である。
【００１１】図１において、１はＳＡＷ素子、２は入出
力電極のパッド、３はバンプ等の電気的な接続体、４は
導電パターン、５はＩＤＴ電極、６は接着剤としての絶
縁性樹脂、７はセラミック，樹脂等からなる絶縁性基
板、８は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続
される絶縁性基板７に設けられたリードパターンであ
る。前記ＳＡＷ素子１は、圧電基板の一主面に凹部領域
１０とその周辺の枠領域１０ａを形成し、その凹部領域
１０内に互いに噛み合うように形成された少なくとも一
対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極５を設けることにより作製
する。前記ＩＤＴ電極５は、所望の特性を得るために、
複数対の櫛歯状電極を、直列接続、並列接続、従続接続
等の方式で接続して構成してもよい。
力電極のパッド、３はバンプ等の電気的な接続体、４は
導電パターン、５はＩＤＴ電極、６は接着剤としての絶
縁性樹脂、７はセラミック，樹脂等からなる絶縁性基
板、８は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続
される絶縁性基板７に設けられたリードパターンであ
る。前記ＳＡＷ素子１は、圧電基板の一主面に凹部領域
１０とその周辺の枠領域１０ａを形成し、その凹部領域
１０内に互いに噛み合うように形成された少なくとも一
対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極５を設けることにより作製
する。前記ＩＤＴ電極５は、所望の特性を得るために、
複数対の櫛歯状電極を、直列接続、並列接続、従続接続
等の方式で接続して構成してもよい。
【００１２】上記凹部領域１０は、フォトリソグラフィ
法とエッチング法、機械的研削法又はレーザ加工法等に
より容易に形成でき、ＩＤＴ電極５は蒸着法、スパッタ
リング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
凹部領域１０の深さは、１０〜１５０μｍとするのが、
前記深さをバンプの高さと接続に用いる導電性接着剤等
の厚さに合致するよう容易に調整できる点で好適であ
る。また、接続体３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属のワイヤを
ボールボンディング法によりバンプとなるよう形成する
か、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着法、印刷法、
転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法等により、入
出力電極のパッド２上に形成することによって得られ
る。
法とエッチング法、機械的研削法又はレーザ加工法等に
より容易に形成でき、ＩＤＴ電極５は蒸着法、スパッタ
リング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
凹部領域１０の深さは、１０〜１５０μｍとするのが、
前記深さをバンプの高さと接続に用いる導電性接着剤等
の厚さに合致するよう容易に調整できる点で好適であ
る。また、接続体３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属のワイヤを
ボールボンディング法によりバンプとなるよう形成する
か、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着法、印刷法、
転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法等により、入
出力電極のパッド２上に形成することによって得られ
る。
【００１３】そして、ＩＤＴ電極５が設けられた凹部領
域１０側が絶縁性基板７に対面するフェースダウン構成
として、接続体３を導電パターン４に導電性接着剤、は
んだ等により電気的に導通させて接続し、ＳＡＷ素子１
を絶縁性基板７上に載置固定する。このとき、接続体３
を導電パターン４に当接し押圧するだけで接続しても構
わない。
域１０側が絶縁性基板７に対面するフェースダウン構成
として、接続体３を導電パターン４に導電性接着剤、は
んだ等により電気的に導通させて接続し、ＳＡＷ素子１
を絶縁性基板７上に載置固定する。このとき、接続体３
を導電パターン４に当接し押圧するだけで接続しても構
わない。
【００１４】その後、ＳＡＷ素子１の固定とＩＤＴ電極
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６をＳＡＷ素子１の外側面下部に塗布モールドし
硬化させ、ＳＡＷ装置を完成する。このとき、必ずしも
絶縁性樹脂６をモールドする必要はないが、ＳＡＷ素子
１の固定と振動空間の気密を確実にするうえで、モール
ドする方が好ましい。また、絶縁性樹脂６の材料として
は、熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス（ガラスフリ
ット）及び熱可塑性ポリフェニレンサルファイド等が好
適であるが、接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強
度、耐薬品性、耐熱性等の点でエポキシ樹脂がよい。
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６をＳＡＷ素子１の外側面下部に塗布モールドし
硬化させ、ＳＡＷ装置を完成する。このとき、必ずしも
絶縁性樹脂６をモールドする必要はないが、ＳＡＷ素子
１の固定と振動空間の気密を確実にするうえで、モール
ドする方が好ましい。また、絶縁性樹脂６の材料として
は、熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス（ガラスフリ
ット）及び熱可塑性ポリフェニレンサルファイド等が好
適であるが、接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強
度、耐薬品性、耐熱性等の点でエポキシ樹脂がよい。
【００１５】図１の絶縁性基板７に設けられ、導電パタ
ーン４に連なったリードパターン８は、絶縁性基板７の
裏面に延出して設けられているため、ＳＡＷ装置を他の
回路基板上に表面実装することができるが、必ずしもそ
のように構成せずともよく、リードパターン８を絶縁性
基板７の上面にのみ設けてもよい。
ーン４に連なったリードパターン８は、絶縁性基板７の
裏面に延出して設けられているため、ＳＡＷ装置を他の
回路基板上に表面実装することができるが、必ずしもそ
のように構成せずともよく、リードパターン８を絶縁性
基板７の上面にのみ設けてもよい。
【００１６】図２は、絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１全体
にモールドしたものであり、圧電基板を保護し、損傷、
汚れの付着による特性劣化を防止するうえで好適であ
る。
にモールドしたものであり、圧電基板を保護し、損傷、
汚れの付着による特性劣化を防止するうえで好適であ
る。
【００１７】図３は、圧電基板の凹部領域１０周縁の枠
領域１０ａに絶縁性樹脂６を塗布して、絶縁性基板７上
にＳＡＷ素子１を接着−固定したものであり、簡単な構
成で確実な固定と気密構造が得られる。
領域１０ａに絶縁性樹脂６を塗布して、絶縁性基板７上
にＳＡＷ素子１を接着−固定したものであり、簡単な構
成で確実な固定と気密構造が得られる。
【００１８】図４は、図１の構成において、ＳＡＷ素子
１全体を覆うように、セラミック、金属（Ａｌ，Ｃｕ，
ステンレス，真鍮等）、樹脂等からなる蓋体９を、はん
だ等の接着剤６ａを介して絶縁性基板７上に設けたもの
である。このような構成により、ＳＡＷ素子１の保護と
気密構造がさらに確実になる。
１全体を覆うように、セラミック、金属（Ａｌ，Ｃｕ，
ステンレス，真鍮等）、樹脂等からなる蓋体９を、はん
だ等の接着剤６ａを介して絶縁性基板７上に設けたもの
である。このような構成により、ＳＡＷ素子１の保護と
気密構造がさらに確実になる。
【００１９】図１〜図４において、振動空間内に低湿度
（室温（２０〜３０℃）で相対湿度５０％以下）の空気
を封入し密閉することにより、ＩＤＴ電極５の酸化によ
る劣化を抑制でき好ましい。また、低湿度の空気の代わ
りに、窒素ガス，アルゴンガス等の不活性ガス等を封入
し密閉しても、同様の効果が得られる。
（室温（２０〜３０℃）で相対湿度５０％以下）の空気
を封入し密閉することにより、ＩＤＴ電極５の酸化によ
る劣化を抑制でき好ましい。また、低湿度の空気の代わ
りに、窒素ガス，アルゴンガス等の不活性ガス等を封入
し密閉しても、同様の効果が得られる。
【００２０】本発明において、ＩＤＴ電極５はＡｌある
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに噛み合
うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極指を平
行に配列した反射器のようなスリット型のものにも適用
でき、それらを併用したタイプであってもよい。
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに噛み合
うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極指を平
行に配列した反射器のようなスリット型のものにも適用
でき、それらを併用したタイプであってもよい。
【００２１】そして、ＩＤＴ電極５の対数は５０〜２０
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。また、Ｉ
ＤＴ電極５のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し
効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、更に
は、電極指間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれ
ば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。また、Ｉ
ＤＴ電極５のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し
効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、更に
は、電極指間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれ
ば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００２２】ＳＡＷ素子１用の圧電基板としては、３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝
搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶、水晶等が好適であり、特に３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶は通過帯域幅が
広く、また４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶
は電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が
小さいため好ましい。圧電基板の厚みは０．３〜０．５
ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未満では圧電基板が脆くな
り、０．５ｍｍ超では材料コストが大きくなる。
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝
搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶、水晶等が好適であり、特に３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶は通過帯域幅が
広く、また４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶
は電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が
小さいため好ましい。圧電基板の厚みは０．３〜０．５
ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ未満では圧電基板が脆くな
り、０．５ｍｍ超では材料コストが大きくなる。
【００２３】かくして、本発明は、ＳＡＷの振動空間へ
の絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を
均一な高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置
の特性劣化がなく、また薄型化及び小型軽量化され、更
には低コストで製造可能となるという作用効果を有す
る。
の絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を
均一な高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置
の特性劣化がなく、また薄型化及び小型軽量化され、更
には低コストで製造可能となるという作用効果を有す
る。
【００２４】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００２５】
【実施例】図１に示すＳＡＷ装置Ｓを以下のように構成
した。ＳＡＷ素子１用の圧電基板材料として３６°Ｙカ
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶を用い、そのサイズは
１．１ｍｍ×１．５ｍｍ×０．４ｍｍとし、圧電基板の
一方の主面の中央部を研磨して凹部領域１０及びその周
縁の枠領域１０ａを形成し、凹部領域１０の深さを４５
μｍとした。前記凹部領域１０内に、互いに噛み合うよ
うに構成された一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ電極５及
び入出力電極のパッド２を蒸着法により形成した。この
ＩＤＴ電極５及び入出力電極のパッド２はＡｌからな
り、ＩＤＴ電極５の対数は１００程度で、ＩＤＴ電極５
及び入出力電極のパッド２の厚みは０．４μｍ程度であ
った。
した。ＳＡＷ素子１用の圧電基板材料として３６°Ｙカ
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶を用い、そのサイズは
１．１ｍｍ×１．５ｍｍ×０．４ｍｍとし、圧電基板の
一方の主面の中央部を研磨して凹部領域１０及びその周
縁の枠領域１０ａを形成し、凹部領域１０の深さを４５
μｍとした。前記凹部領域１０内に、互いに噛み合うよ
うに構成された一対の櫛歯状電極であるＩＤＴ電極５及
び入出力電極のパッド２を蒸着法により形成した。この
ＩＤＴ電極５及び入出力電極のパッド２はＡｌからな
り、ＩＤＴ電極５の対数は１００程度で、ＩＤＴ電極５
及び入出力電極のパッド２の厚みは０．４μｍ程度であ
った。
【００２６】また、絶縁性基板７として、サイズ３．０
ｍｍ×３．０ｍｍ×０．５ｍｍのアルミナセラミック基
板を用い、その表面の所定の箇所にＡｕからなるリード
パターン８及び導電パターン４を、電解メッキ法によっ
て形成した。尚、リードパターン８は、ＳＡＷ素子１に
対面する側の面（上面）の裏面（下面）に形成し、導電
パターン４に電気的に導通するようにスルーホールによ
り接続した。
ｍｍ×３．０ｍｍ×０．５ｍｍのアルミナセラミック基
板を用い、その表面の所定の箇所にＡｕからなるリード
パターン８及び導電パターン４を、電解メッキ法によっ
て形成した。尚、リードパターン８は、ＳＡＷ素子１に
対面する側の面（上面）の裏面（下面）に形成し、導電
パターン４に電気的に導通するようにスルーホールによ
り接続した。
【００２７】接続体３は、Ａｕのワイヤをボールボンデ
ィング法によりバンプ（略半楕円球状の凸部）となるよ
うに入出力電極のパッド２上に形成した。バンプの入出
力電極のパッド２面における直径は７５μｍで、高さは
４５μｍであり、ＳＡＷ素子１と絶縁性基板７間にＳＡ
Ｗが伝搬可能な振動空間を形成できた。
ィング法によりバンプ（略半楕円球状の凸部）となるよ
うに入出力電極のパッド２上に形成した。バンプの入出
力電極のパッド２面における直径は７５μｍで、高さは
４５μｍであり、ＳＡＷ素子１と絶縁性基板７間にＳＡ
Ｗが伝搬可能な振動空間を形成できた。
【００２８】接続体３と導電パターン４との接続は、Ａ
ｇ−Ｐｄ合金を含む熱硬化性のエポキシ樹脂系導電性接
着剤をバンプに塗布し、導電パターン４にアライメント
して、１００℃で加熱接着した。その後、前記振動空間
の気密を確保するため、室温（約２５℃）で相対湿度約
３０％の雰囲気中で、絶縁性樹脂６として熱硬化性エポ
キシ樹脂系接着剤をＳＡＷ素子１の外側面下部に塗布−
モールドし、１３０℃で加熱硬化した。このようにし
て、ＳＡＷ素子１がフェースダウン構成で取付けられた
ＳＡＷ装置を作製し、その高さは約０．９ｍｍと１ｍｍ
以下であった。
ｇ−Ｐｄ合金を含む熱硬化性のエポキシ樹脂系導電性接
着剤をバンプに塗布し、導電パターン４にアライメント
して、１００℃で加熱接着した。その後、前記振動空間
の気密を確保するため、室温（約２５℃）で相対湿度約
３０％の雰囲気中で、絶縁性樹脂６として熱硬化性エポ
キシ樹脂系接着剤をＳＡＷ素子１の外側面下部に塗布−
モールドし、１３０℃で加熱硬化した。このようにし
て、ＳＡＷ素子１がフェースダウン構成で取付けられた
ＳＡＷ装置を作製し、その高さは約０．９ｍｍと１ｍｍ
以下であった。
【００２９】前記ＳＡＷ装置の製造においては、従来の
ワイヤボンディング工程が不要となり、その結果、ワイ
ヤが横方向及び高さ方向に延びることによる大型化を解
消し、小型軽量化、薄型化を実現できた。また、従来の
ＳＡＷフィルターが駆動信号の入出力をワイヤにより行
っていたため、ワイヤのインダクタンス成分が発生し、
そのため高周波側の減衰量が劣化していたが、本発明の
ようなフリップチップ実装とすることにより、高周波側
の減衰量が高いフィルター特性を得ることができた。
ワイヤボンディング工程が不要となり、その結果、ワイ
ヤが横方向及び高さ方向に延びることによる大型化を解
消し、小型軽量化、薄型化を実現できた。また、従来の
ＳＡＷフィルターが駆動信号の入出力をワイヤにより行
っていたため、ワイヤのインダクタンス成分が発生し、
そのため高周波側の減衰量が劣化していたが、本発明の
ようなフリップチップ実装とすることにより、高周波側
の減衰量が高いフィルター特性を得ることができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、圧電基板に形成された凹部領
域内に櫛歯状電極を設け、凹部領域を絶縁性基板表面に
対面させて圧電基板を絶縁性基板上に取付けることによ
り、ＳＡＷの振動空間の気密を確実にし、振動空間を均
一な高さ、幅で正確に形成するので、振動空間への絶縁
性樹脂、ほこり等の入り込みを完全に阻止し、また、ワ
イヤによる駆動信号の入出力を不要としたので、ＳＡＷ
装置の特性劣化を防止できる。また、ＳＡＷ装置が薄型
化及び小型軽量化され、更には低コストで製造可能とな
るという作用効果を有する。
域内に櫛歯状電極を設け、凹部領域を絶縁性基板表面に
対面させて圧電基板を絶縁性基板上に取付けることによ
り、ＳＡＷの振動空間の気密を確実にし、振動空間を均
一な高さ、幅で正確に形成するので、振動空間への絶縁
性樹脂、ほこり等の入り込みを完全に阻止し、また、ワ
イヤによる駆動信号の入出力を不要としたので、ＳＡＷ
装置の特性劣化を防止できる。また、ＳＡＷ装置が薄型
化及び小型軽量化され、更には低コストで製造可能とな
るという作用効果を有する。
【図１】本発明による弾性表面波装置の一実施形態の断
面図である。
面図である。
【図２】弾性表面波装置の他の実施形態の断面図であ
る。
る。
【図３】弾性表面波装置の他の実施形態の断面図であ
る。
る。
【図４】弾性表面波装置の他の実施形態の断面図であ
る。
る。
【図５】従来の弾性表面波装置の断面図である。
【図６】従来の他の弾性表面波装置の断面図である。
１：ＳＡＷ素子 ２：入出力電極のパッド ３：接続体 ４：導電パターン ５：ＩＤＴ電極 ６：絶縁性樹脂 ７：絶縁性基板 ８：リードパターン １０：凹部領域 １０ａ：枠領域
Claims (1)
- 【請求項１】圧電基板の一主面に凹部領域とその周縁に
枠領域を形成し、該凹部領域内に少なくとも一対の櫛歯
状電極を設け、導電パターン及びそれに連なって外部に
延出したリードパターンをもった絶縁性基板に前記凹部
領域側を対面させ、前記枠領域を絶縁性基板に当接若し
くは接着して圧電基板を絶縁性基板に取付けるととも
に、前記櫛歯状電極の入出力電極と前記導電パターンを
接続体を介して電気的に導通したことを特徴とする弾性
表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8320522A JPH10163797A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8320522A JPH10163797A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163797A true JPH10163797A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18122381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8320522A Pending JPH10163797A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163797A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022580A1 (en) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US6498422B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component such as an saw device and method for producing the same |
| JP2003037472A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Metals Ltd | 複合高周波部品及びそれを用いた無線送受信装置 |
| WO2007080734A1 (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP2013225749A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Kyocera Corp | 圧電デバイス及びモジュール部品 |
| CN107181471A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 天津威盛电子有限公司 | 具有负截面金属结构的saw谐振器及其制造方法 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP8320522A patent/JPH10163797A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498422B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component such as an saw device and method for producing the same |
| WO2001022580A1 (en) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| JP2003037472A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Metals Ltd | 複合高周波部品及びそれを用いた無線送受信装置 |
| WO2007080734A1 (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JPWO2007080734A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2009-06-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| US7629866B2 (en) | 2006-01-11 | 2009-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| EP1973228A4 (en) * | 2006-01-11 | 2010-06-02 | Murata Manufacturing Co | METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE WAVE COMPARTMENT AND SURFACE WAVE COMPARTMENT |
| JP4697232B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP2013225749A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Kyocera Corp | 圧電デバイス及びモジュール部品 |
| CN107181471A (zh) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 天津威盛电子有限公司 | 具有负截面金属结构的saw谐振器及其制造方法 |
| CN107181471B (zh) * | 2016-03-09 | 2020-09-01 | 天津威盛电子有限公司 | 具有负截面金属结构的saw谐振器及其制造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
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