JPH10165907A - 洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】閉ループ構成にして水および化学剤の浪費を減
少させ、洗浄液の化学剤濃度を正確に測定、監視、およ
び制御することのできる洗浄装置を提供する。 【解決手段】半導体ウエハ２４および洗浄液を収容する
容器１０と、この容器１０に接続されてそこに流体を導
く供給通路１１と、容器１０に接続されてそこから流体
を排出する排出通路１２と、排出通路１２を供給通路１
１に接続する再循環通路１３とを備えており、再循環通
路１３にはポンプ１６および注入装置１７が配置され、
注入装置１７によって再循環通路１３を通過する液体中
に化学剤が導入される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般にワークピー
スの湿式洗浄装置および洗浄方法に関し、特に、再循環
通路中に化学剤注入システムを有する閉ループ装置構造
を使用することによって、水および洗浄液の効果的な使
用を可能にし、洗浄液の幅広い範囲の化学濃度レベルお
よび温度の正確な制御が可能な半導体ウエハの湿式洗浄
装置および洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハを使用して半導体集積装置
あるいは集積回路を製造するプロセスにおいて、種々の
不純物がウエハの表面に拡散される。金属被覆形成、堆
積、拡散、エッチング処理等が連続して行われることに
より、ウエハの表面はこれらの不純物によって影響を受
ける。例えば、金属被覆層は、この金属被覆層によって
形成される電気通路の寸法が不純物によって著しく減少
されるか、もしくは電気通路が完全に阻止されるという
点で影響を受ける。これによって、短絡された電気通路
の場合には集積回路が故障し、部分的に阻止された電気
通路等の加熱および最終的な短絡のために結果的に機能
不良となってしまう。

【０００３】連続した堆積処理の場合、ウエハ表面上の
不純物によって成長が不規則で酸化が生じ、結果的に堆
積層が凹凸状態となり、それによって回路あるいは装置
の動作特性に悪影響を与えてしまう。さらに、ウエハを
連続して拡散処理する場合において、例えば無機質の粒
子状物質等の不純物のために層を構成している材料が歪
み、結果的に拡散層が不均一になってさらに性能の劣化
の原因となる。

【０００４】それ故に、例えば金属被覆形成、堆積、拡
散処理等の連続した処理ステップが行われる前に、製造
プロセスにおける前のステップの期間中に吸収あるいは
接着された固体物質、膜、化学不純物、溶剤等をウエハ
表面から取除くためのステップが行われることが重要で
ある。さらに処理動作を進める前にウエハの洗浄および
リンスを行うために、従来では幾つかの技術プロセスが
開発されている。これらのプロセスは、図５および図６
に示されているようなシステムを用いて行われている。

【０００５】図５のシステムは、大日本スクリーン製造
株式会社によって製造された、よく知られたＤＮＳ Ｆ
ＷＥＴ（Future Wet Tool ）システムである。このシス
テムでは、供給通路３１および排出通路３２を有するオ
ープンタイプの容器３３が使用される。さらに、供給通
路３１中には化学剤注入装置３４が設けられており、こ
の化学剤注入装置３４により、供給通路３１中の水に適
切な化学剤が注入されて、所定の洗浄処理が実現され
る。すなわち、水は供給通路３１を通って流れ、化学剤
注入装置３４を介して適切な洗浄化学剤が供給される。
化学剤が注入された後の洗浄液は容器３３に導かれ、さ
らに排出通路３２を介して排出される。

【０００６】このように上記図５のシステムでは、戻り
通路あるいは再循環通路は設けられていない。化学溶液
が容器に注入され、一方、過剰な量の水が容器の最上部
から排出される。このプロセスによって、容器中の水が
予め定められたターゲット濃度を有する化学溶液に置
換、すなわち、直接に置換される。この直接置換法によ
って、洗浄後のウエハ表面の粒子レベルが減少する。そ
れはウエハが常に液体に浸漬しているからである。多数
の粒子が存在している最も汚染された空気と、液体との
境界面にウエハが晒されていないので、粒子がウエハに
付着する可能性は減少する。

【０００７】しかしながら、図５に示されたシステムは
多量の水および化学溶液を消費する。それは、特に補充
および排出する機構以外に置換する機構がないからであ
る。さらに、所望されたターゲット濃度を達成するため
に、容器中の溶液の化学濃度は化学剤注入装置からの注
入により次第に増加し、一方ではそこに含まれた余分な
水および化学剤が排出および廃棄される。

【０００８】図６に、従来の別の半導体ウエハ洗浄シス
テムを示す。図６に示されたシステムは、ＣＦＭテクノ
ロジー社によって製造されたＣＦＭシステムである。こ
のＣＦＭシステムでは、供給通路３１、排出通路３２お
よび容器３３とによって閉ループが形成される。化学剤
注入装置３４は、図５に示されるシステムの場合と同様
に水の供給通路３１上に配置されている。

【０００９】このシステムにおいて、水は容器３３の底
部を通って流れ込み、最上部から排出される。容器内部
おける化学剤の置換は化学剤注入装置３４を介して行わ
れ、一方、余分な水は、容器３３の最上部から排出され
る。

【００１０】このＣＦＭシステムと先のＤＮＳ ＦＷＥ
Ｔシステムとの間の主な違いは、バイパス通路３５の存
在であり、このバイパス通路３５によって供給通路３１
が排出通路３２と接続される点である。供給通路３１お
よび排出通路３２にはそれぞれバルブ３６、３７が設け
られており、上記バイパス通路３５は上記バルブ３６、
３７が閉じられているときに使用される。しかし、この
ＣＦＭシステムの場合にも、容器を含む閉ループシステ
ムになるようには設計されていない。

【００１１】閉ループシステムを有する洗浄システムと
して、例えば、Lamb等による米国特許第5,025,280 号明
細書「Immersion Development and Rinse Machine and
Process 」に開示されているものが知られている。この
米国特許第5,025,280 号明細書の図３において、現像ス
テーション／タンクの一実施の形態が示されている。タ
ンクは現像液で満たされており、窒素がタンク内に導入
される。現像液は、再循環ループに挿入されたポンプに
よってタンクを通して再循環される。一度、現像液が容
器に導かれた後は、前記米国特許第5,025,280 号明細書
に記載されたシステムでは、化学溶液の濃度をダイナミ
ックに調整する手段を有していない。さらに、この明細
書に記載された方法および装置によって、不純物レベル
が補償できないまま溶液を再使用するので、化学剤の不
純物レベルが増加してしまう。

【００１２】閉ループシステムを用いた従来の別の洗浄
システムは多数あり、その例として例えば、米国特許第
5,370,142 号、第5,327,921 号、第5,236,515 号、第5,
310,701 号、第4,795,497 号、第4,899,767 号等に記載
されたものが良く知られている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術に
よるいずれの洗浄システムでも、化学溶液の濃度をダイ
ナミックに調整する閉ループシステムとなっていない。
従って、従来では、洗浄処理において相当量の水および
化学剤が浪費されてしまうという不都合が生じる。

【００１４】さらに、従来では、溶液の濃度を正確に制
御することができないという不都合がある。幾つかの従
来のシステムは閉ループシステムとなっているが、それ
らが再循環通路によって直接置換を行うことは不可能で
ある。

【００１５】従って、本発明の目的は、閉ループ構成を
有し、それによって水および化学剤の消費が削減できる
洗浄装置および洗浄方法を提供することである。本発明
の他の目的は、洗浄液の化学剤濃度を正確に測定、監視
および制御する能力を有する洗浄装置および洗浄方法を
提供することである。本発明のさらに他の目的は、洗浄
液の化学剤濃度が被洗浄物体の洗浄期間中にダイナミッ
クに調整される洗浄装置および洗浄方法を提供すること
である。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の洗浄装置は、被
洗浄物体および洗浄液を収容する容器と、上記容器に接
続され、上記容器に流体を導く供給通路と、上記容器に
接続され、上記容器から流体を排出する排出通路と、上
記排出通路を上記供給通路に接続する再循環通路と、上
記再循環通路中に配置されたポンプと、上記再循環通路
中に配置され、上記再循環通路に少なくとも１つの化学
剤を注入する注入装置とを具備したことを特徴とする。

【００１７】本発明の洗浄装置は、容器と、上記容器の
第１の端部に接続された供給通路と、上記容器の第２の
端部に接続された排出通路と、上記供給通路と上記排出
通路との間に接続された再循環通路と、上記再循環通路
中に化学剤を注入する化学剤注入装置とを具備したこと
を特徴とする。

【００１８】本発明の洗浄装置は、容器と、再循環通路
および上記容器を通して洗浄液を循環させるための閉ル
ープ再循環通路と、上記再循環通路中に配置され、上記
再循環通路中に化学剤を注入する化学剤注入装置とを具
備したことを特徴とする。

【００１９】本発明の閉ループ洗浄装置は、被洗浄物体
および洗浄液を収容する容器と、上記容器に接続され、
流体を上記容器に導く供給通路と、上記供給通路を事前
再循環供給通路と再循環供給通路とに分割する供給側バ
ルブと、上記容器に接続され、流体を上記容器から排出
する排出通路と、上記排出通路を再循環排出通路と事後
再循環通路とに分割する排出側バルブと、上記再循環供
給通路と上記再循環排出通路との間に接続された再循環
通路と、上記再循環供給通路、上記再循環排出通路およ
び上記再循環通路によって定められた閉通路とを具備
し、上記再循環通路はさらにポンプと上記再循環供給通
路中に配置された少なくとも１つの注入装置とを具備
し、この注入装置は少なくとも１種類の化学剤を上記再
循環通路に注入することを特徴とする。

【００２０】本発明の洗浄方法は、容器中に物体を配置
し、供給通路から流体を前記容器に満たし、供給通路中
のバルブと排出通路中のバルブとを作動させて再循環通
路を供給通路および排出通路と結合し、上記再循環通路
を介して上記容器に化学剤を注入し、予め定められた時
間の間に上記容器を通って上記流体および上記化学剤を
再循環させ、上記排出通路を介して上記流体および上記
化学剤を上記容器から排出させることを特徴とする。

【００２１】本発明の洗浄方法は、洗浄される物体を容
器中に配置し、上記容器に接続された再循環通路を通し
て洗浄液をポンプで送り、化学剤を上記再循環通路に注
入することを特徴とする。

【００２２】本発明によれば、例えば半導体ウエハ等の
物体が容器中に導入される。容器は供給通路を介して脱
イオン水あるいは蒸留水等で満たされる。余分な水は排
出通路を介して排出される。再循環通路は、供給通路と
排出通路を接続するように形成される。供給通路および
排出通路中に位置されたバルブは閉じられており、それ
によって容器と再循環通路とが分離される。化学洗浄剤
が化学剤注入装置を介して再循環通路に導入される。容
器の容積および再循環通路がわかっているので、所定の
濃度を実現するのに必要な化学剤の量も同様に知ること
ができる。化学剤がガス膜を介して再循環通路に注入さ
れたガスの場合もある。

【００２３】再循環通路中に配置されたポンプによっ
て、洗浄液を容器に通して駆動することができる。ポン
プは、物体を適切に洗浄するのに十分な予め定められた
時間中に動作する。

【００２４】本発明は、再循環中に洗浄液中の化学剤の
濃度を測定するために再循環通路に配置されたセンサ構
造を含むことができる。このセンサは、例えばプログラ
ムされたマイクロプロセッサ等の制御機構に化学剤濃度
を示す信号を送る。制御機構は、洗浄液の所望された化
学濃度を維持するために付加的な量の化学剤が必要かど
うかを決定する。さらに化学剤が必要である場合、制御
機構は、所望された濃度を維持するために必要な量の化
学剤を洗浄液に注入するように化学剤注入装置を動作さ
せる。

【００２５】洗浄期間が満了すると、供給通路および排
出通路におけるバルブが開かれ、洗浄液を容器から排出
させる。その後、物体は、水を供給通路を介してポンプ
で送って容器に流し、排出通路を介して容器から排出す
ることによってリンスされる。その代りに、物体をリン
スするために再循環通路が使用され、結果的に、排出さ
れた水を再使用することよってリンスの効率が増加す
る。

【００２６】本発明を使用することによって、従来では
これまで実現不可能であった多数の利点を実現すること
ができる。すなわち、本発明は、従来システムに固有の
水および化学剤の浪費を最小にする。さらに、本発明
は、化学剤の濃度の正確な制御および監視を容易にし、
洗浄サイクル中の濃度のダイナミックな調整を可能にす
る。洗浄液の化学剤濃度を監視し、ダイナミックに調整
する能力によって、さらに本発明の洗浄装置および方法
の動作が改善される。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る洗浄装置の一
実施の形態に係る構成を示す概略図である。図１におい
て、１０は、例えば半導体ウエハ（図示せず）等の被洗
浄物体がその中に配置されている容器である。この容器
１０の底部には供給通路１１が接続されており、この供
給通路１１を通して例えば蒸留水あるいは脱イオン水等
の流体が容器１０に導かれる。また、上記容器１０の上
部には排出通路１２が接続されている。この排出通路１
２は、容器１０から余分な流体を排出し、また、洗浄動
作の後に容器１０を空にするためにも使用される。上記
供給通路１１と排出通路１２との間には再循環通路１３
が接続されている。

【００２８】上記供給通路１１の途中には供給側バルブ
１４が、排出通路１２の途中には排出側バルブ１５がそ
れぞれ配置されており、両バルブ１４および１５は上記
再循環通路１３を分離および結合するように、すなわ
ち、流体を供給通路１１および排出通路１２に導き、そ
こから排出させるように機能する。また、上記再循環通
路１３には、上記両バルブ１４および１５により供給通
路１１および排出通路１２から分離され、容器１０中の
被洗浄物体の洗浄動作が終了した後に、洗浄液が容器１
０を通るように駆動するポンプ１６が配置されている。

【００２９】上記再循環通路１３中はまた、再循環通路
１３中に固体、液体、あるいはガス等のうち少なくとも
１つからなる化学剤を注入する化学剤注入装置１７（以
下、単に注入装置と称する）が配置されている。注入装
置１７から注入される化学剤は、供給通路１１を介して
容器１０に導かれた流体に混合されて、洗浄液が生成さ
れる。再循環通路１３にはまた、洗浄液中の化学剤の濃
度を測定するセンサ１８が配置されている。このセンサ
１８からの濃度検知信号は、例えばプログラムされたマ
イクロコンピュータを含むコントローラ１９に送られ
る。そして、このコントローラ１９によりの制御によ
り、上記注入装置１７は、濃度が予め定められたレベル
以下に低下したときに付加的な化学剤を再循環通路１３
に導入する。

【００３０】図２は、図１の洗浄装置における容器１０
およびその周辺の具体的な構成を示す斜視図である。前
記供給通路１１は、流体が容器１０内に容易に導かれる
ように多数の穴２１が形成された注入管２２を含んで構
成されている。この注入管２２はまた、ウエハを洗浄す
るために洗浄液の撹拌を容易にするような断面構造を有
している。前記排出通路１２は、容器１０から排出され
る余分な流体を溜めるオーバーフロータンク２３に接続
されている。

【００３１】図３は図２中のＡ−Ａ′線に沿って切断し
た断面構造を示しており、容器１０を通る流体の流れは
図中の矢印によって示されている。なお、図３におい
て、２４は被洗浄物体の一例である半導体ウエハであ
る。

【００３２】このような構成の洗浄装置において、最初
に、被洗浄物体、例えば半導体ウエハ２４が容器１０中
に配置される。半導体ウエハ２４の配置直後では再循環
通路１３が結合されないように供給側バルブ１４および
排出側バルブ１５の状態が設定される。すなわち、供給
側バルブ１４および排出側バルブ１５は共に開かれた状
態にされる。この状態で、蒸留水等の流体が供給通路１
１を通って容器１０に導かれる。なお、このときに容器
１０から溢れる過剰な流体は、排出通路１２を介して排
出される。

【００３３】一度、容器１０が流体で満たされると、再
循環通路１３が結合されるように供給側バルブ１４およ
び排出側バルブ１５が切換えられる。すなわち、供給側
バルブ１４および排出側バルブ１５が共に閉じられる。
供給側バルブ１４が閉じられることにより、供給通路１
１は事前再循環供給通路（供給側バルブ１４を中心にし
て容器１０とは反対側）と再循環供給通路（供給側バル
ブ１４を中心にして容器１０側）とに分割される。同様
に、排出側バルブ１５が閉じられることにより、排出通
路１２は再循環排出通路（排出側バルブ１５を中心にし
て容器１０側）と事後再循環通路（排出側バルブ１５を
中心にして容器１０とは反対側）とに分割される。

【００３４】このとき、注入装置１７が、例えば液体、
固体、あるいはガス状の化学剤等の予め定められた量の
化学剤を再循環通路１３を介して流体中に与えるように
始動される。流体に加えられる化学剤の量は比較的容易
に決定される。その理由は、容器１０中の流体の所望さ
れた濃度および量が共に知られているからである。化学
剤が再循環通路１３に注入されると、化学剤が導かれた
流体と混合して生成された洗浄液が容器１０を通過する
ようにポンプ１６が始動される。予め定められた期間の
経過後、必要なだけの洗浄が十分に行われたならば、供
給側バルブ１４および排出側バルブ１５が再び開かれ、
これによって再循環通路１３が不活性にされ、洗浄液が
排出通路１２を介して容器１０から排出される。

【００３５】再循環通路１３が不活性にされた後、一般
的には、水が供給通路１１を介して容器１０中に通さ
れ、排出通路１２を介して排出されることにより、洗浄
後の半導体ウエハのリンスが行われる。

【００３６】このように、容器１０を一度水で満たした
後に再循環通路１３を活性にして、注入装置１７から化
学剤を注入しつつポンプ１６を動作させて洗浄液を再循
環させるようにしたので、従来のように水および化学剤
が無駄に破棄されることがなくなり、水および化学剤の
浪費を防ぐことができる。

【００３７】また、この実施の形態に係る洗浄装置に
は、再循環通路１３における洗浄液中の化学濃度を検知
するためにセンサ１８が配置されている。このセンサ１
８は、洗浄液の化学濃度を示す検知信号を生成し、この
検知信号が例えばプログラムされたマイクロプロセッサ
等を含むコントローラ１９に与えられる。コントローラ
１９は注入装置１７に接続されており、この注入装置１
７の動作はコントローラ１９からの検知信号に基づいて
制御される。そして、注入装置１７は、洗浄液の化学濃
度を所望されたレベルに維持するために、再循環通路１
３に付加的な化学剤を導入する。このような制御によっ
て、容器１０内の洗浄液における化学剤の濃度がダイナ
ミック（実時間的）にかつ正確に制御され、維持され
る。

【００３８】図４は本発明の洗浄装置の他の実施の形態
に係る構成を示す概略図である。本実施の形態による洗
浄装置の基本的な構成は先の図１のものと同じであるの
で、ここでは図１のものと異なる点のみを説明する。

【００３９】本実施の形態では、前記注入装置１７およ
びセンサ１８が前記供給通路１１中に配置される。すな
わち、前記供給側バルブ１４および排出側バルブ１５が
閉じているときには、供給側バルブ１４以降の供給通路
の部分、容器１０、排出側バルブ１５よりも容器１０側
の排出通路の部分および再循環通路１３によって閉ルー
プ再循環通路が構成される。

【００４０】さらに、この実施の形態による洗浄装置で
は、洗浄処理中に洗浄液の温度を一定に維持するため
に、再循環通路１３中にヒータあるいは熱交換器等から
なる加熱素子２５が配置される。なお、このような加熱
素子２５は、先の図１の洗浄装置に設けることもでき
る。

【００４１】図４の洗浄装置では、再循環期間以外、す
なわち容器１０が充満されているとき以外の期間中に洗
浄液を注入することがさらに容易となる。従って、再循
環中に化学剤を注入することだけが洗浄液を供給する唯
一の手段というわけではない。

【００４２】なお、上記各実施の形態では、洗浄を行う
被洗浄物体が半導体ウエハである場合を例にして説明し
たが、それ以外の洗浄を必要とする任意の物体あるいは
ワークピースを洗浄する装置および方法に実施できるこ
とはもちろんである。

【００４３】本発明はその特定の実施形態に関連して説
明したが、当業者によって変更、修正が行われることは
明らかである。従って、上記説明したような本発明の好
ましい実施形態は、例示を意図したものであり、本発明
の技術的範囲を限定するものではない。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
水および化学剤の消費が削減でき、また、洗浄液の化学
剤濃度を正確に測定、監視および制御することができ、
さらには、洗浄液の化学剤濃度を被洗浄物体の洗浄期間
中にダイナミックに調整することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る洗浄装置の概略
図。

【図２】図１の洗浄装置で使用される容器の斜視図。

【図３】図１の洗浄装置で使用される容器の断面図。

【図４】本発明の他の実施の形態に係る洗浄装置の概略
図。

【図５】ＤＮＳ ＦＷＥＴシステムとして知られている
従来の半導体ウエハ洗浄システムの概略図。

【図６】ＣＦＭシステムとして知られている従来の閉ル
ープ半導体ウエハ洗浄システムの概略図。

【符号の説明】

１０…容器、 １１…供給通路、 １２…排出通路、 １３…再循環通路、 １４…供給側バルブ、 １５…排出側バルブ、 １６…ポンプ、 １７…注入装置、 １８…センサ、 １９…コントローラ、 ２１…穴、 ２２…注入管、 ２３…オーバーフロータンク、 ２４…半導体ウエハ、 ２５…加熱素子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤津 浩之 アメリカ合衆国、 ニューヨーク州 10504、 アーモンク（番地なし） イン ターナショナル・ビジネス・マシーンズ・ コーポレイション内 (72)発明者 灘原 壮一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被洗浄物体および洗浄液を収容する容器
   と、 上記容器に接続され、上記容器に流体を導く供給通路
   と、 上記容器に接続され、上記容器から流体を排出する排出
   通路と、 上記排出通路を上記供給通路に接続する再循環通路と、 上記再循環通路中に配置されたポンプと、 上記再循環通路中に配置され、上記再循環通路に少なく
   とも１つの化学剤を注入する注入装置とを具備したこと
   を特徴とする洗浄装置。
2. 【請求項２】 容器中に物体を配置し、 供給通路から流体を前記容器に満たし、 供給通路中のバルブと排出通路中のバルブとを作動させ
   て再循環通路を供給通路および排出通路と結合し、 上記再循環通路を介して上記容器に化学剤を注入し、 予め定められた時間の間に上記容器を通って上記流体お
   よび上記化学剤を再循環させ、 上記排出通路を介して上記流体および上記化学剤を上記
   容器から排出させることを特徴とする洗浄方法。
3. 【請求項３】 前記流体および化学剤の再循環中に前記
   流体中の前記化学剤の濃度を検知し、 この検知結果に基づいて前記再循環通路中に配置された
   注入装置を介して前記流体中の前記化学剤の濃度をダイ
   ナミックに調整することを特徴とする請求項２記載の洗
   浄方法。
4. 【請求項４】 容器と、 上記容器の第１の端部に接続された供給通路と、 上記容器の第２の端部に接続された排出通路と、 上記供給通路と前記排出通路との間に接続された再循環
   通路と、 上記再循環通路中に化学剤を注入する化学剤注入装置と
   を具備したことを特徴とする洗浄装置。
5. 【請求項５】 容器と、 再循環通路および上記容器を通して洗浄液を循環させる
   ための閉ループ再循環通路と、 上記再循環通路中に配置され、前記再循環通路中に化学
   剤を注入する化学剤注入装置とを具備したことを特徴と
   する洗浄装置。
6. 【請求項６】 物体を洗浄する方法において、 洗浄される物体を容器中に配置し、 上記容器に接続された再循環通路を通して洗浄液をポン
   プで送り、 化学剤を上記再循環通路に注入することを特徴とする洗
   浄方法。
7. 【請求項７】 被洗浄物体および洗浄液を収容する容器
   と、 上記容器に接続され、流体を上記容器に導く供給通路
   と、 上記供給通路を事前再循環供給通路と再循環供給通路と
   に分割する供給側バルブと、 上記容器に接続され、流体を上記容器から排出する排出
   通路と、 上記排出通路を再循環排出通路と事後再循環通路とに分
   割する排出側バルブと、 上記再循環供給通路と上記再循環排出通路との間に接続
   された再循環通路と、 上記再循環供給通路、上記再循環排出通路および上記再
   循環通路によって定められた閉通路とを具備し、 上記再循環通路はさらにポンプと上記再循環供給通路中
   に配置された少なくとも１つの注入装置とを具備し、こ
   の注入装置は少なくとも１種類の化学剤を上記再循環通
   路に注入することを特徴とする閉ループ洗浄装置。
8. 【請求項８】 前記再循環通路中に配置され、前記容器
   中の化学剤の濃度レベルを検知して濃度レベルを示す信
   号を生成するセンサと、 上記センサからの上記信号を受けて前記注入装置を制御
   する制御装置とをさらに具備したことを特徴とする請求
   項７記載の閉ループ洗浄装置。