JPH10167746A - 光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 光ファイバ用ガラス母材の製造において、半
径方向にドーパント濃度を均一にすること。 【解決手段】 光ファイバ用母材の製造において、ドー
パントをドープした多孔質ガラス母材の表面を少なくと
も５重量％研削した後、焼結・ガラス化する。
径方向にドーパント濃度を均一にすること。 【解決手段】 光ファイバ用母材の製造において、ドー
パントをドープした多孔質ガラス母材の表面を少なくと
も５重量％研削した後、焼結・ガラス化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドーパントがドー
プされた光増幅用の光ファイバ用母材の製造方法に関す
るものである。
プされた光増幅用の光ファイバ用母材の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光増幅器が実用化され、幹線系や加入者
系の実験にも使用されている。この光増幅器に求められ
る特性としては、高速伝送性、高効率性や低雑音性が挙
げられる。高速伝送性のためには大容量伝送が必要で、
波長多重伝送系で使用される光増幅器としては、広帯域
な増幅波長特性が求められ、光増幅器用の希土類元素添
加の光ファイバも広帯域性が必要となる。また、広帯域
性とするためには、希土類元素を添加したコアに更にア
ルミニウムを高密度に添加することが必要である。一
方、高出力で効率の良い光増幅器が求められており、光
増幅器用光ファイバとしても同様の特性が必要となる。
そのためには、コアの内周部のみに希土類元素を添加し
た二重コア光ファイバがよいとされている。このような
二重コア光ファイバ用の光増幅用光ファイバ母材として
は、合成石英にゲルマニウム、エルビウムと３重量％程
度のアルミニウムをドープしたセンターコアと合成石英
にゲルマニウムをドープしたサイドコアよりなる二重コ
アタイプが知られている。
系の実験にも使用されている。この光増幅器に求められ
る特性としては、高速伝送性、高効率性や低雑音性が挙
げられる。高速伝送性のためには大容量伝送が必要で、
波長多重伝送系で使用される光増幅器としては、広帯域
な増幅波長特性が求められ、光増幅器用の希土類元素添
加の光ファイバも広帯域性が必要となる。また、広帯域
性とするためには、希土類元素を添加したコアに更にア
ルミニウムを高密度に添加することが必要である。一
方、高出力で効率の良い光増幅器が求められており、光
増幅器用光ファイバとしても同様の特性が必要となる。
そのためには、コアの内周部のみに希土類元素を添加し
た二重コア光ファイバがよいとされている。このような
二重コア光ファイバ用の光増幅用光ファイバ母材として
は、合成石英にゲルマニウム、エルビウムと３重量％程
度のアルミニウムをドープしたセンターコアと合成石英
にゲルマニウムをドープしたサイドコアよりなる二重コ
アタイプが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】エルビウムをドープし
た光ファイバ母材の製造方法には、多孔質ガラス母材へ
のエルビウム元素のドープの方法により気相法と液相法
がある。気相法は、塩化エルビウム等の化合物を高温度
で昇華させて多孔質ガラス母材にドープする方法であ
り、また液相法は、塩化エルビウムのアルコール溶液中
に多孔質ガラス母材を含浸させた後、アルコールを蒸発
させる方法で、いずれの方法もエルビウム化合物を均一
に多孔質ガラス母材にドープさせることが難しい。特に
溶液法では、母材表面にエルビウム化合物が多くなる傾
向があり、これを焼結・ガラス化した光ファイバ用母材
は図２に示すようにエルビウム濃度が表面付近で高くな
り、表面に酸化エルビウムが析出してくるという問題が
ある。
た光ファイバ母材の製造方法には、多孔質ガラス母材へ
のエルビウム元素のドープの方法により気相法と液相法
がある。気相法は、塩化エルビウム等の化合物を高温度
で昇華させて多孔質ガラス母材にドープする方法であ
り、また液相法は、塩化エルビウムのアルコール溶液中
に多孔質ガラス母材を含浸させた後、アルコールを蒸発
させる方法で、いずれの方法もエルビウム化合物を均一
に多孔質ガラス母材にドープさせることが難しい。特に
溶液法では、母材表面にエルビウム化合物が多くなる傾
向があり、これを焼結・ガラス化した光ファイバ用母材
は図２に示すようにエルビウム濃度が表面付近で高くな
り、表面に酸化エルビウムが析出してくるという問題が
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる問題点
に鑑みなされたもので、光ファイバ用母材の製造方法に
おいて、ドーパントをドープした多孔質ガラス母材の表
面を少なくとも５重量％研削したのち、焼結・ガラス化
することを特徴とするもので、本発明により、半径方向
にドーパントが均一に分布した光ファイバ用母材が得ら
れ、また、研削を母材のガラス化前の多孔質状態で行う
ので、短時間で容易に加工することができる。
に鑑みなされたもので、光ファイバ用母材の製造方法に
おいて、ドーパントをドープした多孔質ガラス母材の表
面を少なくとも５重量％研削したのち、焼結・ガラス化
することを特徴とするもので、本発明により、半径方向
にドーパントが均一に分布した光ファイバ用母材が得ら
れ、また、研削を母材のガラス化前の多孔質状態で行う
ので、短時間で容易に加工することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明では、ドーパントとしてはエルビウム、アルミニ
ウム、ゲルマニウム等であり、多孔質ガラス母材へのエ
ルビウムのドープは溶液含浸法により行われ、またこの
多孔質ガラス母材はアルミニウムが気相法によりドープ
された、ＶＡＤ法等で製造されたものである。例えば、
ガラス原料ガスとして、キャリアガスでバブリングされ
た四塩化ケイ素および四塩化ゲルマニウムと、気相法に
より、加温昇華させた塩化アルミニウムとを、酸水素火
炎中で火炎加水分解してガラス微粒子を生成させ、これ
を回転するターゲットに堆積させ、軸方向に成長させて
多孔質ガラス母材を得る。次いで、この多孔質ガラス母
材を約1200℃に加熱して母材密度を0.4 〜0.5g/cm3に調
整した後、溶液含浸法により、ハロゲン化エルビウムの
メタノール溶液に含浸し、乾燥して、多孔質ガラス母材
にエルビウムを50〜3000ppm ドープさせる。
本発明では、ドーパントとしてはエルビウム、アルミニ
ウム、ゲルマニウム等であり、多孔質ガラス母材へのエ
ルビウムのドープは溶液含浸法により行われ、またこの
多孔質ガラス母材はアルミニウムが気相法によりドープ
された、ＶＡＤ法等で製造されたものである。例えば、
ガラス原料ガスとして、キャリアガスでバブリングされ
た四塩化ケイ素および四塩化ゲルマニウムと、気相法に
より、加温昇華させた塩化アルミニウムとを、酸水素火
炎中で火炎加水分解してガラス微粒子を生成させ、これ
を回転するターゲットに堆積させ、軸方向に成長させて
多孔質ガラス母材を得る。次いで、この多孔質ガラス母
材を約1200℃に加熱して母材密度を0.4 〜0.5g/cm3に調
整した後、溶液含浸法により、ハロゲン化エルビウムの
メタノール溶液に含浸し、乾燥して、多孔質ガラス母材
にエルビウムを50〜3000ppm ドープさせる。
【０００６】本発明では図２に示すような光ファイバ用
母材の表面付近のエルビウム濃度の高い部分を除去する
ために、多孔質ガラス母材の表面を少なくとも５重量％
の、母材の半径方向のエルビウム濃度が均一となる量を
研削することが必要で、５重量％未満では、エルビウム
濃度が母材の半径方向に均一なものが得られない。ま
た、研削は、カッターで削る等の方法で、多孔質ガラス
母材が上記の研削量となるまで母材表面の研削を行えば
よい。このように本発明では母材の研削を多孔質の状態
で行うので、加工が短時間で済み、しかも容易である。
母材の表面付近のエルビウム濃度の高い部分を除去する
ために、多孔質ガラス母材の表面を少なくとも５重量％
の、母材の半径方向のエルビウム濃度が均一となる量を
研削することが必要で、５重量％未満では、エルビウム
濃度が母材の半径方向に均一なものが得られない。ま
た、研削は、カッターで削る等の方法で、多孔質ガラス
母材が上記の研削量となるまで母材表面の研削を行えば
よい。このように本発明では母材の研削を多孔質の状態
で行うので、加工が短時間で済み、しかも容易である。
【０００７】研削後のエルビウムドープ多孔質ガラス母
材は公知の方法で焼結・ガラス化され光ファイバ用母材
が得られる。この焼結・ガラス化は例えば、ヘリウム、
塩素等の雰囲気で1400〜1600℃で行えばよい。
材は公知の方法で焼結・ガラス化され光ファイバ用母材
が得られる。この焼結・ガラス化は例えば、ヘリウム、
塩素等の雰囲気で1400〜1600℃で行えばよい。
【０００８】図１は、本発明により得られた光ファイバ
用母材のＥＰＭＡによる半径方向のエルビウム濃度分布
の測定結果で、エルビウムが均一に分布している。一
方、図２は、研削を行わなかった場合の直径方向のエル
ビウム濃度分布の測定結果を示したもので、母材の表面
付近でエルビウム濃度が高くなることを示している。
用母材のＥＰＭＡによる半径方向のエルビウム濃度分布
の測定結果で、エルビウムが均一に分布している。一
方、図２は、研削を行わなかった場合の直径方向のエル
ビウム濃度分布の測定結果を示したもので、母材の表面
付近でエルビウム濃度が高くなることを示している。
【０００９】
実施例 キャリアガスのアルゴンガスにより、四塩化ケイ素（Si
Cl4 ）205SCCM 、四塩化ゲルマニウム（GeCl4 ）155SCC
M をバブリングし、塩化アルミニウム（AlCl3）を140
℃で加温昇華させ、水素ガス4.7SLM、酸素ガス10SLM 、
アルゴンガス１SLM とともにバーナに送り、酸水素火炎
加水分解反応によりガラス微粒子を生成させ、回転する
ターゲットに堆積させ、軸方向に引き上げながら成長さ
せて、アルミニウムが25000ppm添加された、外径60mm、
長さ200mm の多孔質ガラス母材を作製した。この母材を
加熱炉中ヘリウム雰囲気で、約1200℃で加熱し、多孔質
体の密度を0.24g/cm3 から0.44g/cm3 に上げた。次い
で、この母材を塩化エルビウム濃度３g/l のメタノール
溶液に３時間含浸させた後、これを室温で２昼夜乾燥し
たところ、エルビウムの含有量は400ppmであった。次い
で、母材の重量を測定し、カッターを用いて母材の表面
を均一に研削し、研削量が５重量％になるまで行なっ
た。次いで、これを加熱炉でヘリウム、塩素雰囲気中で
1600℃で焼結・ガラス化して、外径25mm、長さ250mm の
透明ガラス母材を得た。この透明ガラス母材の半径方向
のエルビウム濃度をＥＰＭＡで測定したところ、図１に
示す結果が得られ、均一な分布を示した。
Cl4 ）205SCCM 、四塩化ゲルマニウム（GeCl4 ）155SCC
M をバブリングし、塩化アルミニウム（AlCl3）を140
℃で加温昇華させ、水素ガス4.7SLM、酸素ガス10SLM 、
アルゴンガス１SLM とともにバーナに送り、酸水素火炎
加水分解反応によりガラス微粒子を生成させ、回転する
ターゲットに堆積させ、軸方向に引き上げながら成長さ
せて、アルミニウムが25000ppm添加された、外径60mm、
長さ200mm の多孔質ガラス母材を作製した。この母材を
加熱炉中ヘリウム雰囲気で、約1200℃で加熱し、多孔質
体の密度を0.24g/cm3 から0.44g/cm3 に上げた。次い
で、この母材を塩化エルビウム濃度３g/l のメタノール
溶液に３時間含浸させた後、これを室温で２昼夜乾燥し
たところ、エルビウムの含有量は400ppmであった。次い
で、母材の重量を測定し、カッターを用いて母材の表面
を均一に研削し、研削量が５重量％になるまで行なっ
た。次いで、これを加熱炉でヘリウム、塩素雰囲気中で
1600℃で焼結・ガラス化して、外径25mm、長さ250mm の
透明ガラス母材を得た。この透明ガラス母材の半径方向
のエルビウム濃度をＥＰＭＡで測定したところ、図１に
示す結果が得られ、均一な分布を示した。
【００１０】比較例 多孔質ガラス母材の表面の研削を行わなかった以外は実
施例と同様に行って得られた外径28mm、長さ250mm の透
明ガラス母材の直径方向のエルビウムのドープ濃度をＥ
ＰＭＡで測定したところ、図２に示す結果が得られ、母
材の表面付近でエルビウム濃度が高くなる分布を示し
た。
施例と同様に行って得られた外径28mm、長さ250mm の透
明ガラス母材の直径方向のエルビウムのドープ濃度をＥ
ＰＭＡで測定したところ、図２に示す結果が得られ、母
材の表面付近でエルビウム濃度が高くなる分布を示し
た。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、ドーパント濃度が均一な
光ファイバ用ガラス母材を容易に得ることができる。
光ファイバ用ガラス母材を容易に得ることができる。
【図１】本発明による光ファイバ用母材の半径方向のエ
ルビウム濃度のＥＰＭＡによる測定結果を示した図であ
る。
ルビウム濃度のＥＰＭＡによる測定結果を示した図であ
る。
【図２】従来法による光ファイバ用母材の直径方向のエ
ルビウム濃度のＥＰＭＡによる測定結果を示した図であ
る。
ルビウム濃度のＥＰＭＡによる測定結果を示した図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】ドーパントをドープした多孔質ガラス母材
の表面を少なくとも５重量％研削した後、焼結・ガラス
化することを特徴とする光ファイバ用母材の製造方法。 - 【請求項２】多孔質ガラス母材に気相法によりハロゲン
化アルミニウムをドープし、次いでこの多孔質ガラス母
材に溶液含浸法によりハロゲン化エルビウムをドープし
た後、多孔質ガラス母材の表面を少なくとも５重量％研
削する請求項１に記載の光ファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32932196A JP3449876B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32932196A JP3449876B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167746A true JPH10167746A (ja) | 1998-06-23 |
| JP3449876B2 JP3449876B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=18220158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32932196A Expired - Fee Related JP3449876B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449876B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6474106B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-11-05 | Corning Incorporated | Rare earth and alumina-doped optical fiber preform process |
| JP2011032137A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 希土類元素添加光ファイバ母材の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP32932196A patent/JP3449876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6474106B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-11-05 | Corning Incorporated | Rare earth and alumina-doped optical fiber preform process |
| JP2011032137A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 希土類元素添加光ファイバ母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3449876B2 (ja) | 2003-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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