JPH10168047A - アミド誘導体及びこれを含有する外用剤組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ はＣ_1-40炭化水素、Ｒ² はＣ_1-6 アルキル
レン、Ｒ³ はＨ、アルコキシ、Ｒ⁴ はＣ_1-39炭化水素、
Ｒ²⁴はヒドロキシル基又はアルコキシル基が置換してい
てもよいＣ_1-22の炭化水素、Ｒ⁵ は 【化２】 で表わされるアミド誘導体及びこれを含有する外用剤組
成物。 【効果】 皮膚に適用することにより、角層のバリアー
機能を本質的に改善し、皮膚炎症や肌荒れ等の改善・予
防効果が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に角層のバリア
ー機能を根本的に改善する（正常なバリアー機能を維持
し、バリアー機能の低下を回復させ補強する）効果を有
し、かつ配合安定性に優れる新規なアミド誘導体及びこ
れを含有する外用剤組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】表皮、特に角層は、身体の最表層に存在
する極薄の表皮由来成分であり、生体外からの種々の刺
激や侵入を防御するばかりでなく、体内の成分や水分の
損失、蒸散を防ぐ等の働きを有している。このような角
層の保護効果、すなわちバリアー機能は、表皮生理機能
の恒常性を司るのに重要である。

【０００３】このバリアー機能が、種々の内的原因、あ
るいは紫外線等の種々の外的原因により低下すると、皮
膚に炎症を生じたり、肌荒れや老化を助長する等の様々
なスキントラブルを起こす結果となる。そのため角層の
バリアー機能の維持・補強は、人の健全な日常生活を行
う上においても大変重要であることは言うまでもない。

【０００４】そこで、このような皮膚のトラブルの発生
を防止あるいは改善するため、種々の天然由来成分や化
学合成された成分を配合した皮膚外用剤が開発されてき
たが、これらの皮膚外用剤は、皮膚表面に被膜を形成さ
せることにより皮膚の保湿やバリアー機能を補う効果を
得ようとするものが主であり、これらは、あくまでも一
時的に皮膚表面に被膜を形成させることにより皮膚のバ
リアー機能を補填するにすぎず、本質的にバリアー機能
を改善（維持・補強）させる効果は、充分には期待でき
ないものであった。

【０００５】そこで、本出願人は、先に、皮膚のバリア
ー機能を本質的に改善する効果を有する皮膚外用剤とし
て、下記一般式（３）

【０００６】

【化５】

【０００７】（式中、Ｒ¹²は炭素数１０〜４０の直鎖又
は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し、Ｒ¹³は
炭素数３〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を
示し、Ｒ¹⁴は水素原子、炭素数１０〜４０の直鎖若しく
は分岐鎖の飽和若しくは不飽和の炭化水素基又はアシル
基を示す。）で表わされるアミド誘導体を含有する皮膚
外用剤（特開平２−３０６９５２号公報）、更に次の一
般式（４）

【０００８】

【化６】

【０００９】（式中、Ｒ¹⁵は炭素数１０〜４０の直鎖又
は分岐鎖の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁶は炭素数１〜３９の
直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁷は水素
原子又は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、Ｒ¹⁸は水素
原子、又は酸素原子を含有してもよい炭素数１〜４０の
直鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示
す。）で表わされるアミド誘導体を含有する皮膚外用剤
（特開平７−７００３０号公報）を提案した。また、ス
コットらも、同様の構造を有するアミド誘導体を含有す
る化粧品組成物を提案している（特開平４−２２５９０
７号及び特開平４−３４２５５３号公報）。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
アミド誘導体は、角層に作用して本質的に皮膚のバリア
ー機能を改善する効果を有するものであるが、皮膚外用
剤に配合する場合には、基剤に対する溶解性等の配合性
及び配合安定性の点で必ずしも満足し得るものではなか
った。

【００１１】従って本発明の目的は、皮膚に適用するこ
とにより、角層のバリアー機能を本質的に改善（維持・
補強）し、かつ皮膚外用剤に配合する場合に、肌荒れや
炎症を予防・治療し、更には皮膚の老化を予防すること
ができ、かつ低融点化、低結晶性化又は基剤に対する溶
解性の向上等の改善により、配合性や配合安定性等が向
上したアミド誘導体及びこれを含有する皮膚外用剤を提
供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】斯かる実情に鑑み本発明
者らは鋭意研究を行った結果、下記一般式（１）で表わ
される新規アミド誘導体及びこれを含有する外用剤組成
物が上記目的を達成することを見出し、本発明を完成し
た。

【００１３】すなわち本発明は、次の一般式（１）

【００１４】

【化７】

【００１５】（式中、Ｒ¹ は炭素数１〜４０の直鎖又は
分岐鎖の炭化水素基を示し、Ｒ² は炭素数１〜６の直鎖
又は分岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ³ は水素原子又は
炭素数１〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシル基
を示し、Ｒ⁴ は炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価
の炭化水素基を示し、Ｒ²⁴はヒドロキシル基又はアルコ
キシル基が置換していてもよい炭素数１〜２２の直鎖又
は分岐鎖の炭化水素基を示し、

【００１６】

【化８】

【００１７】（ここで、Ｒ⁶ は水素原子又は炭素数１〜
６の炭化水素基を示し、Ｒ⁷ は酸素原子を含有していて
もよい炭素数１〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ
炭化水素基を示し、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、
水素原子、又は酸素原子を含有していてもよい炭素数１
〜４０の直鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基
を示すか、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有
していてもよい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形
成してもよく、Ｒ¹⁰はカルボニル基又はメチレン基を示
し、Ｒ¹¹は酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４
０の直鎖、分岐鎖、若しくは環構造を持つ炭化水素基又
は水素原子を示す。）

【００１８】で表わされるアミド誘導体を提供するもの
である。また、本発明は当該アミド誘導体を含有する外
用剤組成物を提供するものである。

【００１９】本発明のアミド誘導体は、角層のバリアー
機能を本質的に改善（維持・補強）する効果を有し、か
つ外用剤組成物に配合する場合に、融点や結晶性が低
く、基剤に対する溶解性や安定性が良好で、基剤に安定
・容易に配合可能である。従って、本発明のアミド誘導
体を含有する外用剤組成物は、皮膚に適用することによ
り、角層のバリアー機能を本質的に改善し、皮膚炎症や
肌荒れ等の改善・予防効果が得られるものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明のアミド誘導体は、前記一
般式（１）で表わされるものであるが、式中Ｒ¹ で示さ
れる炭素数１〜４０の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基は飽
和でも不飽和でもよく、具体的にはメチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デ
シル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシ
ル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサ
デシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノ
ナデシル、ｎ−イコシル、ｎ−ヘニコシル、ｎ−ドコシ
ル、ｎ−トリコシル、ｎ−テトラコシル、ｎ−ペンタコ
シル、ｎ−ヘキサコシル、ｎ−ヘプタコシル、ｎ−オク
タコシル、ｎ−ノナコシル、ｎ−トリアコンチル、ｎ−
ヘントリアコンチル、ｎ−ドトリアコンチル、ｎ−トリ
トリアコンチル、ｎ−テトラトリアコンチル、ｎ−ペン
タトリアコンチル、ｎ−ヘキサトリアコンチル、ｎ−ヘ
プタトリアコンチル、ｎ−オクタトリアコンチル、ｎ−
ノナトリアコンチル、ｎ−テトラコンチル、エテニル、
プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、オク
テニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、トリデセ
ニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニ
ル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、
イコセニル、ヘニコセニル、トコセニル、トリコセニ
ル、テトラコセニル、ペンタコセニル、ヘキサコセニ
ル、ヘプタコセニル、オクタコセニル、ノナコセニル、
トリアコンテニル、ヘントリアコンテニル、ドトリアコ
ンテニル、トリトリアコンテニル、テトラトリアコンテ
ニル、ペンタトリアコンテニル、ヘキサトリアコンテニ
ル、ヘプタトリアコンテニル、オクタトリアコンテニ
ル、ノナトリアコンテニル、テトラコンテニル、イソス
テアリル、２−エチルヘキシル、２−ヘプチルウンデシ
ル、９，１２−オクタデカジエニル基等が挙げられる。

【００２１】Ｒ¹ としては、このうち炭素数１〜２６の
直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数４〜２
６の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が更に好ましく；炭素
数４〜２２の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素基が特に好
ましく；炭素数４〜１８の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水
素基が殊更好ましく；具体的にはブチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、メチル分岐イソステアリル及びドコ
サニル基等がより殊更好ましい。なお、ここで、Ｒ¹ と
してメチル分岐イソステアリル基を用いる場合、ダイマ
ー酸製造時の副生物であるイソステアリン酸を還元して
製造されるイソステアリルアルコール由来のイソステア
リル基を用いるのが好ましい。

【００２２】Ｒ² で示される炭素数１〜６の直鎖又は分
岐鎖のアルキレン基としては、メチレン、エチレン、ト
リメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサ
メチレン、１−メチルエチレン、１−メチルトリメチレ
ン、２−メチルトリメチレン、１，１−ジメチルエチレ
ン、１−エチルエチレン、１−メチルテトラメチレン、
２−エチルトリメチレン基等が挙げられる。Ｒ² として
は、このうち炭素数１〜６の直鎖のアルキレン基が好ま
しく；メチレン、エチレン及びトリメチレン基が特に好
ましい。

【００２３】また、Ｒ³ は水素原子又は炭素数１〜１２
の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基を示し、該アルコ
キシ基の具体例としては、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デ
シルオキシ、１−メチルエトキシ、２−エチルヘキシル
オキシ、２−ヒドロキシエチルオキシ、２，３−ジヒド
ロキシプロピルオキシ基等が挙げられる。このうち、Ｒ
³ としては、水素原子、炭素数１〜８のアルコキシ基、
２−ヒドロキシエチルオキシ基、及び２，３−ジヒドロ
キシプロピルオキシ基が好ましく；水素原子、メトキ
シ、エトキシ、ブトキシ、１−メチルエトキシ、２−エ
チルヘキシルオキシ、２−ヒドロキシエチルオキシ、
２，３−ジヒドロキシプロピルオキシ基が特に好まし
い。

【００２４】Ｒ⁴ の炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の
二価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、ジメ
チレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタ
メチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ノ
ナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、
ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメ
チレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン
基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノ
ナデカメチレン基、イコサメチレン基、ヘニコサメチレ
ン基、ドコサメチレン基、トリコサメチレン基、テトラ
コサメチレン基、ペンタコサメチレン基、ヘキサコサメ
チレン基、ヘプタコサメチレン基、オクタコサメチレン
基、ノナコサメチレン基、ヘプタデカン−１，１１−ジ
イル基、８−ヘプタデセン−１，１１−ジイル基等が挙
げられる。このうちＲ⁴ としては、直鎖かつ飽和の二価
の炭化水素基が好ましく、特にその炭素数が５〜３１の
もの、具体的には、ノナメチレン基、デカメチレン基、
ウンデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデ
カメチレン基、ヘントリアコンタメチレン基が特に好ま
しい。

【００２５】

【化９】

【００２６】ここでＲ⁶ は水素原子又は炭素数１〜６の
炭化水素基を示すが、この炭化水素基の具体例として
は、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐鎖のプロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル基、ビニル基、アリル基、
ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基が挙げられ
る。Ｒ⁶ としては、水素原子が好ましい。Ｒ⁷ で示され
る酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の直
鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基としては、エー
テル結合（−Ｏ−）、ケトン（−Ｃ（＝Ｏ）−）、カル
ボキシル基（−ＣＯＯＨ）及びカルボキレート結合（−
ＣＯＯ−）の１種又は２種以上を有していてもよい炭化
水素基が挙げられる。具体例としては、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、
ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル
基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘ
プタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル
基、ｎ−イコシル基、ｎ−ヘニコシル基、ｎ−ドコシル
基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペン
タコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル
基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシル基、ｎ−トリ
アコンチル基、ｎ−ヘントリアコンチル基、ｎ−ドトリ
アコンチル基、ｎ−トリトリアコンチル基、ｎ−テトラ
トリアコンチル基、ｎ−ペンタトリアコンチル基、ｎ−
ヘキサトリアコンチル基、ｎ−ヘプタトリアコンチル
基、ｎ−オクタトリアコンチル基、ｎ−ノナトリアコン
チル基、ｎ−テトラコンチル基、３−ヘプチル基、２，
４，４−トリメチルペンチル基、８−ヘプタデシル基、
イソヘプタデシル基、メチル分岐イソヘプタデシル基、
１２−ペンタコシル基、シクロヘキシルエチル基、８−
ヘプタデセニル基、８，１１−ヘプタデカジエニル基、
８，１１，１４−ヘプタデカトリエニル基、コレステリ
ル基、１１−メトキシヘプタデシル基、１１−エトキシ
ヘプタデシル基、１１−ベンジルオキシヘプタデシル
基、１１−メトキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−エ
トキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−ベンジルオキシ
−８−ヘプタデセニル基、９，１０−（イソプロピリデ
ンジオキシ）デシル基、８，９−（イソプロピリデンジ
オキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２−ビス
（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、８，
９：１１，１２：１４，１５−トリス（イソプロピリデ
ンジオキシ）ヘプタデシル基、１１，１２−（イソプロ
ピリデンジオキシ）−８−ヘプタデセニル基、８−（６
−ヒドロキシヘキシロキシ）オクチル基、８−〔２−
（ヘキシロキシ）エトキシ〕オクチル基、１０−〔２−
（ヘキシロキシ）エトキシ〕デシル基、１０−〔２−
（ブトキシ）エトキシ〕デシル基、１４−〔２−（ヘキ
シロキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−〔２−
（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ〕テトラデシル
基、１４−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル
基、１４−〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシ
ル基、１１−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシカルボニ
ル〕ウンデシル基、１１−アセトキシ−８−ヘプタデセ
ニル基等の炭化水素基が挙げられる。このうち、Ｒ⁷ と
しては炭素数７〜２５の分岐鎖又は環構造を有する飽和
の炭化水素基又は次の式

【００２７】

【化１０】

【００２８】〔式中、Ｒ⁷′は二重結合及びエーテル結
合から選ばれる１個又は２個以上を有する炭素数６〜１
５の炭化水素基を示し、ｎは７〜１５の整数を示す〕で
表わされる基が好ましく、特にメチル分岐イソヘプタデ
シル基、８−ヘプタデシル基、８−ヘプタデセニル基、
８，１１−ヘプタデカジエニル基、８，１１，１４−ヘ
プタデカトリエニル基、１１−メトキシヘプタデシル
基、１１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベンジルオ
キシヘプタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプタデセ
ニル基、１１−ベンジルオキシ−８−ヘプタデセニル
基、８，９−（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシ
ル基、８，９：１１，１２−ビス（イソプロピリデンジ
オキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２：１４，
１５−トリス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシ
ル基、１１，１２−（イソプロピリデンジオキシ）−８
−ヘプタデセニル基、８−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕オクチル基、１０−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕デシル基、１０−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕
デシル基、１４−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テ
トラデシル基、１４−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テ
トラデシル基、１４−〔ポリオキシプロピレン（５）〕
テトラデシル基等の基が好ましい。なお、ここで、Ｒ¹
としてメチル分岐イソヘプタデシル基を用いる場合、ダ
イマー酸製造時の副生物であるイソヘプタデシル酸を還
元して製造されるイソヘプタデシルアルコール由来のイ
ソヘプタデシル基を用いるのが好ましい。

【００２９】Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、水素原
子、又は酸素原子を含有してもよい炭素数１〜４０の直
鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示すか、
Ｒ⁸及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有していても
よい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形成してもよ
いが、ここで、酸素原子を含有していてもよい炭素数１
〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基とし
ては、飽和でも不飽和でもよく、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、ヒドロキシアルケニルオキシ基、アラル
キルオキシ基、アルキリデンジオキシ基、ポリオキシア
ルキレン基、アシル基、アシルオキシ基等が置換しても
よい炭化水素基が挙げられる。当該炭化水素基の具体例
としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、テト
ラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、イコシル、ド
トリアコンチル、イソステアリル、２−エチルヘキシ
ル、９−オクタデセニル、９，１２−オクタデカジエニ
ル、９，１２，１６−オクタデカトリエニル、コレステ
リル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、１
２−メトキシオクタデシル、１２−エトキシオクタデシ
ル、１２−ベンジロキシオタデシル、１２−メトキシ−
９−オクタデセニル、１２−ベンジロキシ−９−オクタ
デセニル、９，１０−（イソプロピリデンジオキシ）オ
クタデシル、１５−［ポリオキシプロピレン（５）］ペ
ンタデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロ
ヘプチル、フェニル、ベンジル基等が挙げられる。この
うち、炭素数１〜２１のものがより好ましい。

【００３０】一方、Ｒ⁸ とＲ⁹ が一緒になって形成する
酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の二価の
炭化水素基としては、飽和でも不飽和でもよく、アルコ
キシ基、アルケニルオキシ基、アラルキルオキシ基、ア
ルキリデンジオキシ基、ポリオキシアルキレン基、アシ
ル基、アジオキシ基等が置換していてもよい二価の炭化
水素基が挙げられるが、アルキレン基、アルケニレン
基、アルキレン−Ｏ−アルキレン基又はアルケニレン−
Ｏ−アルケニレン基がより好ましく、具体例としては、
テトラメチレン、ペンタメチレン、３−オキソペンタメ
チレン基等が挙げられる。このうち、炭素数１〜８のも
のがより好ましい。

【００３１】Ｒ⁸ 又はＲ⁹ のより好ましい具体例として
は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、
テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、メチル分
岐イソステアリル、２−エチルヘキシル、９−オクタデ
セニル、９，１２−オクタデカジエニル、９，１２，１
６−オクタデカトリエニル、２−メトキシエチル、３−
メトキシプロピル、１２−メトキシオクタデシル、１２
−エトキシオタデシル、１２−ベンジロキシオクタデシ
ル、１２−メトキシ−９−オクタデセニル、１２−ベン
ジロキシ−９−オクタデセニル、９，１０−（イソプロ
ピリデンジオキシ）オクタデシル、１５−［ポリオキシ
プロピレン（５）］ペンタデシル、９−（６−ヒドロキ
シヘキシロキシ）ノニル、３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ル、シクロヘプチル、フェニル、ベンジル基が挙げられ
る。

【００３２】Ｒ¹⁰はカルボニル基又はメチレン基であ
る。Ｒ¹¹で示される酸素原子を含有していてもよい炭素
数１〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基
としては、エーテル結合（−Ｏ−）、ケトン（−Ｃ（＝
Ｏ）−）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）及びカルボキ
シレート結合（−ＣＯＯ−）の１種又は２種以上を有し
ていてもよい炭化水素基が挙げられる。具体例として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、
ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサ
デシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、
ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、ｎ−ヘニコシル
基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコ
シル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ
−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシ
ル基、ｎ−トリアコンチル基、ｎ−ヘントリアコンチル
基、ｎ−ドトリアコンチル基、ｎ−トリトリアコンチル
基、ｎ−テトラトリアコンチル基、ｎ−ペンタトリアコ
ンチル基、ｎ−ヘキサトリアコンチル基、ｎ−ヘプタト
リアコンチル基、ｎ−オクタトリアコンチル基、ｎ−ノ
ナトリアコンチル基、ｎ−テトラコンチル基、３−ヘプ
チル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、８−ヘプ
タデシル基、イソヘプタデシル基、メチル分岐イソヘプ
タデシル基、１２−ペンタコシル基、シクロヘキシルエ
チル基、８−ヘプタデセニル基、８，１１−ヘプタデカ
ジエニル基、８，１１，１４−ヘプタデカトリエニル
基、コレステリル基、１１−メトキシヘプタデシル基、
１１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベンジルオキシ
ヘプタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプタデセニル
基、１１−エトキシ−８−ヘプタデセニル基、１１−ベ
ンジルオキシ−８−ヘプタデセニル基、９，１０−（イ
ソプロピリデンジオキシ）デシル基、８，９−（イソプ
ロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，
１２−ビス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシル
基、８，９：１１，１２：１４，１５−トリス（イソプ
ロピリデンジオキシ）ヘプタデシル基、１１，１２−
（イソプロピリデンジオキシ）−８−ヘプタデセニル
基、８−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕オクチル
基、１０−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕デシル
基、１０−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕デシル基、１
４−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テトラデシル
基、１４−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル
基、１４−〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシ
ル基、１１−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシカルボニ
ル〕ウンデシル基、１１−アセトキシ−８−ヘプタデセ
ニル基等の炭化水素基が挙げられる。このうち、Ｒ¹¹と
しては炭素数７〜２５の分岐鎖又は環構造を有する飽和
の炭化水素基又は次の式

【００３３】

【化１１】

【００３４】（式中、Ｒ¹¹′は二重結合及びエーテル結
合から選ばれる１個又は２個以上を有する炭素数６〜１
５の炭化水素基を示し、ｍは７〜１５の整数を示す）で
表わされる基が好ましく、特にメチル分岐イソヘプタデ
シル基、８−ヘプタデシル基、８−ヘプタデセニル基、
８，１１−ヘプタデカジエニル基、８，１１，１４−ヘ
プタデカトリエニル基、１１−メトキシヘプタデシル
基、１１−エトキシヘプタデシル基、１１−ベンジルオ
キシヘプタデシル基、１１−メトキシ−８−ヘプタデセ
ニル基、１１−ベンジルオキシ−８−ヘプタデセニル
基、８，９−（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシ
ル基、８，９：１１，１２−ビス（イソプロピリデンジ
オキシ）ヘプタデシル基、８，９：１１，１２：１４，
１５−トリス（イソプロピリデンジオキシ）ヘプタデシ
ル基、１１，１２−（イソプロピリデンジオキシ）−８
−ヘプタデセニル基、８−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕オクチル基、１０−〔２−（ヘキシロキシ）エト
キシ〕デシル基、１０−〔２−（ブトキシ）エトキシ〕
デシル基、１４−〔２−（ヘキシロキシ）エトキシ〕テ
トラデシル基、１４−〔２−（２−ヒドロキシエトキ
シ）エトキシ〕テトラデシル基、８−〔６−（２−ヒド
ロキシエトキシ）ヘキシロキシ〕オクチル基、１４−
〔２−（ブトキシ）エトキシ〕テトラデシル基、１４−
〔ポリオキシプロピレン（５）〕テトラデシル基等の基
が好ましい。

【００３５】またＲ²⁴はヒドロキシル基又はアルコキシ
ル基が置換していてもよい炭素数１〜２２の直鎖又は分
岐鎖の炭化水素基を示し、具体的には例えば、メチル、
エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オク
チル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、１−メチル
エチル、２−エチルヘキシル、２−ヒドロキシエチル、
３−メトキシプロピル、２−エトキシブチル及び一般式
（２）

【００３６】

【化１２】

【００３７】〔式中Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は一方が水素原子であ
り、他方が水素原子又は炭素数１〜１２の直鎖若しくは
分岐鎖のアルキル基を示す〕で表わされる基等が挙げら
れる。これらの中で一般式（２）〔式中Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は一
方が水素原子であり、他方が水素原子又は炭素数１〜１
２の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基を示す〕で表わさ
れる基が好ましく、特に好ましくは２，３−ジヒドロキ
シプロピル、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル、
２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基である。

【００３８】本発明のアミド誘導体において、最も好ま
しい化合物は、前記のＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵ 、
Ｒ⁶ 、Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵及び
Ｒ²⁶がそれぞれ上述の特に好ましい範囲の基である場合
を組合わせた化合物である。

【００３９】本発明のアミド誘導体（１）の製造法は特
に限定されるものではないが、例えば次の反応式で示す
工程により合成することができる。

【００４０】

【化１３】

【００４１】〔式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ⁶ 及
びＲ⁷ は前記と同じものを示し、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰は水素原子
又は低級アルキル基を示し、Ｒ^24a はＲ²⁴のうち一般式
（２）〔式中Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は一方が水素原子であり、他方
が水素原子又は炭素数１〜１２、好ましくは１〜６の直
鎖若しくは分岐鎖のアルキル基を示す〕を除いた基を示
す。またＲ²⁷は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル
基を示す。またＲ²⁸は水素原子又は炭素数１〜１２のア
ルキル基を示す。〕 すなわち、グリシジルエーテル（５）とアミン（６）と
を反応させてアミノアルコール誘導体（７）を得る（工
程１）。一方、アミノカルボン酸誘導体（８）とカルボ
ン酸誘導体（９）又は酸クロリド（１０）とを反応させ
てアミドカルボン酸誘導体（１１）を得る（工程２）。
次に化合物（７）と化合物（１１）を脱水剤又は塩基触
媒の存在下で反応させて化合物（１２）を得る（工程
３）。このようにして得られた化合物（１２）を塩基存
在下でハロゲン化アルキル誘導体と反応させることによ
り、目的とするアミド誘導体（１）の一部であるアミド
誘導体（１−Ａ１）が得られる（工程４）。また化合物
（１２）を相間移動触媒法によりハロゲン化エポキシド
（１３）と反応させて化合物（１４）とし（工程５）、
この化合物（１４）を酸又は塩基の存在下でアルコール
（１５）と反応させることにより、目的とするアミド誘
導体（１）の一部であるアミド誘導体（１−Ａ２）が得
られる（工程６）。なおアミド誘導体（１−Ａ１）と
（１−Ａ２）をあわせたものが本発明に係るアミド誘導
体（１−Ａ）である。

【００４２】各工程における反応は次の通りである。

【００４３】工程１）アミノアルコール誘導体（７）
は、グリシジルエーテル（５）とアミン（６）を、無溶
媒で、あるいは水又はメタノール、エタノール、イソプ
ロパノール等の低級アルコール、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等の
エーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合
溶媒中等において、室温〜１５０℃で反応させることに
より得ることができる。

【００４４】工程２）一方、アミドカルボン酸誘導体
（１１）は、アミノカルボン酸誘導体（８）とカルボン
酸誘導体（９）又は酸クロリド（１０）とを無溶媒ある
いはクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエ
タン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル
等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の
混合溶媒中等において、反応させることにより得ること
ができる。

【００４５】工程３）上記の如くして製造したアミノア
ルコール誘導体（７）とアミドカルボン酸誘導体（１
１）とをジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の
存在下で反応させるか、若しくは水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等の
アルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類
金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキ
シド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金
属アルコラート等の塩基性触媒の存在下、常圧〜０．０
１mmHgの減圧下に室温〜１５０℃で反応させることによ
り、アミド誘導体（１２）を製造することができる。こ
の際、塩基性触媒の使用量はアミノアルコール誘導体
（７）に対して０．０１〜０．２当量が好ましく、また
反応により生じるアルコールを系外に除去しながら行う
と、反応が速く進行するので好ましい。

【００４６】工程４）次にアミド誘導体（１２）を水酸
化ナトリウム等の塩基の存在下でハロゲン化アルキル誘
導体と反応させることにより、本発明のアミド誘導体の
一部であるアミド誘導体（１−Ａ１）を得ることができ
る。このときＲ^24a は一級であることが好ましく、三級
では脱ハロゲン化水素反応を起こすため好ましくない。

【００４７】工程５）本発明のアミド誘導体（１）の一
部である（１−Ａ２）で表わされるアミド誘導体を合成
するには例えばまずアミド誘導体（１２）に１〜２０当
量のエポキシド（１３）、好ましくはエピクロルヒドリ
ンを、無溶媒であるいは水又はテトラヒドロフラン、ジ
オキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合溶
媒中等において、１〜１０当量の水酸化カリウム、水酸
化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシ
ウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等の
アルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類
金属炭酸塩の存在下、室温〜１５０℃で反応させること
によりアミド誘導体（１３）を製造する。この際、テト
ラブチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモ
ニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブ
ロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライ
ド、ビステトラオキシエチレンステアリルメチルアンモ
ニウムクロライド等の第四級アンモニウム塩やラウリル
ジメチルカルボジアンモニウムベタイン等のベタイン等
の相間移動触媒の存在下で反応を行うことが収率の面等
で好ましい。

【００４８】工程６）次にアミド誘導体（１４）を、水
酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸
化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシ
ウム等のアルカリ土類金属炭酸塩等の塩基性条件下又は
硫酸、塩酸等の鉱酸、三フッ化ホウ素、四塩化スズ等の
ルイス酸、酢酸、テトラデカン酸、ヘキサデカン酸等の
カルボン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸等
の酸性条件下、あるいは塩基−酸混合条件下で、室温〜
３００℃で、一般式Ｒ²⁸ＯＨで表わされる化合物〔式中
Ｒ²⁸は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を示
す。〕と反応させることにより（すなわち水和又はアル
コール付加により）、本発明のアミド誘導体（１）の一
部である（１−Ａ２）を製造することができる。

【００４９】

【化１４】

【００５０】〔式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁴ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ 、
Ｒ^24a 、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷及びＲ²⁸は前記と同じものを
示し、Ｒ²¹は水素原子又は低級アルキル基を示す。〕す
なわち、アミン（１６）とジカルボン酸誘導体（１７）
とを脱水剤の存在下で反応させてカルボン酸誘導体（１
８）を得る（工程７）。前記の反応によって得られた化
合物（７）と化合物（１８）を脱水剤又は塩基触媒の存
在下で反応させればアミド誘導体（１９）を得ることが
できる（工程８）。

【００５１】各工程における反応は次の通りである。

【００５２】工程７）カルボン酸誘導体（１８）は、ア
ミン（１６）とジカルボン酸誘導体（１７）とを無溶媒
あるいはクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロ
ロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエー
テル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任
意の混合溶媒中等において、ピリジン、トリエチルアミ
ン等の第三級アミン等の塩基の存在下又は無存在下、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の存在下で反
応させることにより得ることができる。

【００５３】工程８）前記の如くして製造したアミノア
ルコール誘導体（７）とカルボン酸誘導体（１８）とを
ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の存在下で
反応させるか、又は水酸化カリウム、水酸化ナトリウム
等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアル
カリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属
炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウ
ム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコラー
ト等の塩基性触媒の存在下、常圧〜０．０１mmHgの減圧
下に室温〜１５０℃で反応させることにより、アミド誘
導体（１９）を製造することができる。この際、塩基性
触媒の使用量はアミノアルコール誘導体（７）に対して
０．０１〜０．２当量が好ましく、また反応により生じ
るアルコールを系外に除去しながら行うと、反応が速く
進行するので好ましい。

【００５４】また、アミノアルコール誘導体（７）にジ
カルボン酸ジ低級アルキルエステル（R²¹OCO-R⁴-COO
R²¹）を反応させることにより、Ｒ⁸ がR³-R²-であり、
Ｒ⁹ がR¹O-CH₂CH(OH)CH₂-である化合物を製造すること
ができる。この反応は、通常のアミド化反応に従って行
えばよい。

【００５５】工程９、１０、１１については、それぞれ
前記の工程４、５、６と同一である。

【００５６】

【化１５】

【００５７】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ¹¹、
Ｒ^24a 、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷及びＲ²⁸は前記と同じ意味を
表わし、Ｒ²²は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ²³
はメチル基、フェニル基又はｐ−トルイル基を示し、Ｘ
は塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。）

【００５８】すなわち、ヒドロキシ脂肪酸（２１）若し
くはヒドロキシ脂肪酸エステル（２１−１）とアルキル
ハライド（２２）若しくはスルホン酸アルキルエステル
（２３）とを塩基の存在下で反応させることによりエー
テル化脂肪酸エステル（２４）を得、これとアミン誘導
体（７）とを塩基触媒存在下で作用させ、生成するアル
コールを留去しつつ反応させることにより、アミド誘導
体（２５）を製造することができる。

【００５９】工程１４、１５、１６については、それぞ
れ前記の工程４、５、６と同一である。

【００６０】

【化１６】

【００６１】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ 、Ｒ¹¹、
Ｒ²²、Ｒ^24a 、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷、Ｒ ²⁸は前記と同じ）

【００６２】すなわち、ヒドロキシ脂肪酸エステル（２
１−１）と脂肪酸（２７）とを適当な脱水剤、〔例え
ば、

【００６３】

【化１７】

【００６４】の存在下に縮合させてアシル脂肪酸エステ
ル（２９）とし、又は、ヒドロキシ脂肪酸エステル（２
１−１）にカルボン酸クロリド（２８）を反応させてア
シル脂肪酸エステル（２９）とし、これと前記の方法で
得られるアミン誘導体（７）とを塩基触媒存在下で作用
させ、生成するアルコールを留去しつつ反応させること
によりアミド誘導体（３０）を製造することができる。

【００６５】工程１９、２０、２１については、それぞ
れ前記の工程４、５、６と同一である。

【００６６】このようにして得られる本発明のアミド誘
導体（１）は、角層間の脂質膜に浸透し、角層のバリア
ー機能を改善（維持・補強）する効果を有するものであ
る。

【００６７】本発明のアミド誘導体（１）は、公知の方
法により精製することができる。アミド誘導体（１）を
外用剤組成物に配合する場合、純度１００％に精製した
精製物でも、特に精製を行わずに中間体や反応副生成物
を含んだ純度７０〜１００％の混合物でも、効果、性能
に優れ、かつ安全性にも問題がない。また本発明化合物
には水和物に代表わされる溶媒和物も含まれる。

【００６８】本発明の外用剤組成物は、通常外用剤に用
いられる基剤（担体）に本発明のアミド誘導体（１）を
含有させてなるもので、その使用形態は、薬用皮膚外用
剤及び化粧料に大別される。

【００６９】薬用皮膚外用剤としては、例えば、薬効成
分を含有する各種軟膏剤を挙げることができる。軟膏剤
としては、油性基剤をベースとするもの、水中油型又は
油中水型の乳化系基剤をベースとするもののいずれであ
ってもよい。油性基剤としては、特に制限はなく、例え
ば植物油、動物油、合成油、脂肪酸及び天然又は合成の
グリセライド等が挙げられる。薬効成分としては、特に
制限はなく、例えば鎮痛消炎剤、鎮痒剤、殺菌消毒剤、
収斂剤、皮膚軟化剤、ホルモン剤等を必要に応じて適宜
使用することができる。

【００７０】また、化粧料として使用する場合は、必須
成分である本発明のアミド誘導体（１）の他に、化粧料
成分として一般に使用されている油分、界面活性剤、保
湿剤、紫外線吸収剤、美白剤、アルコール類、キレート
剤、pH調整剤、防腐剤、増粘剤、色素類、香料等を任意
に組合せて配合することができる。

【００７１】化粧料としては、種々の形態、例えば、油
中水型又は水中油型の乳化化粧料、クリーム、化粧乳
液、化粧水、油性化粧料、口紅、ファンデーション、皮
膚洗浄剤、ヘアートニック、整髪料、ヘアリンス、ヘア
トリートメント、養毛剤、育毛剤等の化粧料とすること
ができる。

【００７２】本発明の皮膚外用剤におけるアミド誘導体
（１）の配合量は、特に制限されないが、通常、乳化型
の皮膚外用剤の場合には、全組成の０．００１〜５０重
量％（以下、単に％で示す）が好ましく、スクワラン等
の液状炭化水素を基剤とする油性の皮膚外用剤の場合に
は、全組成の０．０１〜５０％が好ましく、いずれの場
合も特に好ましくは０．５〜２０％である。

【００７３】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【００７４】実施例１ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００７５】

【化１８】

【００７６】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ 及びＲ²⁴で示される基
が次に示すものであるアミド誘導体（１−ａ）の製造：

【００７７】

【化１９】

【００７８】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミ
ン（７−ａ）の製造：攪拌装置、滴下ロート、窒素導入
管及び蒸留装置を備えた２リットルフラスコに、３−メ
トキシプロピルアミン（６−ａ）７４３．２ｇ（８．３
４mol）及びエタノール１５０mlを仕込み、窒素雰囲気
下で８０℃に加熱攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリ
シジルエーテル（５−ａ）１６５．９ｇ（０．５６mo
l）を３時間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃
で２時間攪拌した後、エタノール及び過剰の３−メトキ
シプロピルアミンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
白色固体の標記化合物（７−ａ）１９６．５ｇを得た
（収率９１％対ヘキサデシルグリシジルエーテル）。

【００７９】（２）１２−アミノドデカン酸メチル（８
−ａ）の製造：攪拌装置を備えた３リットルフラスコ
に、１２−アミノドデカン酸２００．０ｇ（０．９３mo
l）、メタノール６００ｇ及び硫酸１００ｇ（１．０mo
l）を仕込み、６０℃で５時間攪拌した。反応混合物を
放冷後、塩化メチレンで希釈し、炭酸ナトリウム水溶液
で中和した。減圧下で溶媒を留去した後、アルミナショ
ートカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
標記化合物（８−ａ）２０１．７ｇを得た（収率９５
％）。

【００８０】（３）メチル分岐イソステアロイルアミノ
ドデカン酸メチル（１１−ａ）の製造：攪拌装置、窒素
導入管及び滴下ロートを備えた３リットル４口フラスコ
に、上記（２）で得た化合物（８−ａ）１３５．３ｇ
（０．５９０mol）、トリエチルアミン８３．７ｇ
（０．８２７mol）及び塩化メチレン１．２５ ｌを仕込
み、室温で攪拌しながら、メチル分岐イソステアリン酸
クロライド１８３ｇ（０．６０４mol）を２時間かけて
滴下した。滴下終了後、更に１時間攪拌し、反応を完結
させた。得られた反応混合物を飽和食塩水で洗浄後、減
圧濃縮し、標記化合物（１１−ａ）２８８ｇ（収率９９
％）を得た。

【００８１】（４）アミド誘導体（１２−ａ）の製造：
攪拌装置、滴下ロート及び蒸留装置を備えた２リットル
４口フラスコに、上記（１）で得られた化合物（７−
ａ）１９６ｇ（０．５０６mol）、及び上記（３）で得
た化合物（１１−ａ）２５０ｇ（０．５０４mol）を仕
込み、窒素雰囲気下８０℃で攪拌しながらナトリウムメ
トキシド２８％メタノール溶液４．９６ｇ（５．１mol
％）を滴下した。滴下終了後、８０℃で１時間攪拌し、
更に減圧下（１０torr）８０℃で１０時間攪拌し、反応
を完結させ、標記化合物（１２−ａ）４２３ｇを得た
（収率９９％）。

【００８２】（５）グリシジルエーテル誘導体（１４−
ａ）の製造：攪拌装置、窒素導入管及び蒸留装置を備え
た２リットル５口フラスコに、上記（４）で得られたア
ミド誘導体（１２−ａ）５０３ｇ（０．５９１mol）、
テトラブチルアンモニウムブロマイド９．５３ｇ（０．
０２９６mol）、エピクロロヒドリン（１３−ａ）１１
０ｇ（１．１９mol）、トルエン２５２ｇ、４８％水酸
化ナトリウム水溶液２９８ｇ（３．５８mol）を仕込
み、窒素雰囲気下４５℃で１０時間攪拌した。得られた
反応混合物を６０℃にて水で６回洗浄後、トルエン及び
過剰のエピクロロヒドリンを減圧下に加熱留去し、グリ
シジルエーテル誘導体（１４−ａ）４２５ｇ（収率７９
％）を得た。

【００８３】（６）アミド誘導体（１−ａ）の製造：攪
拌装置を備えた１００ミリリットルオートクレーブに、
（５）で得られた化合物（１４−ａ）５０．２ｇ（５
５．３mmol）、水６．０ｇ（３３２mmol）、水酸化ナト
リウム０．２０ｇ（４．８mmol）及びミリスチン酸０．
５１ｇ（２．２１mmol）を仕込み、密閉系にて１６０℃
で８時間攪拌した。反応混合物を冷却後、８０℃にて２
％食塩水で３回洗浄した後、減圧脱水して目的とするグ
リセリルエーテル誘導体（１−ａ）４３ｇ（収率８４
％）を得た。

【００８４】得られたアミド誘導体（１−ａ）の物性は
次のとおりである。

【００８５】無色結晶 IR(Kbr,cm^-1)；3320, 2930, 2860, 1640, 1540, 1470,
1380, 1260, 1220,1130¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.68-0.96(m,9H), 1.00-1.70(m,49
H),1.70-1.92(m,2H), 2.12(t,J=7.6Hz,2H),2.31(t,J=7.
6Hz,2H), 3.05-3.88(m,21H),5.32-5.57(m,1H)

【００８６】実施例２ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００８７】

【化２０】

【００８８】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ 及びＲ²⁴で示される基
が次に示すものであるアミド誘導体（１−ｂ）の製造：

【００８９】

【化２１】

【００９０】（１）アミド誘導体（１−ｂ）の製造：攪
拌装置を備えた３００ミリリットル３口フラスコに、実
施例１の（５）で得られた化合物（１４−ａ）５０ｇ
（５５．１mmol）とメタノール５０ｇを仕込み、４０℃
に加熱した。ここに水酸化ナトリウムの１０％メタノー
ル溶液を１時間かけて滴下した。次いで濃硫酸３．２４
ｇを滴下して中和した。トルエン５０ｇを加えて分層し
た。２５ｇの水で２回水洗した後、トルエンを減圧留去
して目的とするアミド誘導体（１−ｂ）４６ｇ（収率８
８％）を得た。

【００９１】得られたアミド誘導体（１−ｂ）の物性は
次のとおりである。

【００９２】無色結晶 IR(Kbr,cm^-1)；3310, 2930, 2850, 1640, 1540, 1470,
1390, 1260, 1210,1130¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.68-0.96(m,9H), 1.00-1.70(m,74
H),1.70-1.92(m,2H), 2.12(t,J=7.6Hz,2H),2.31(t,J=7.
6Hz,2H), 3.05-3.88(m,23H),5.32-5.57(m,1H)

【００９３】実施例３ 一般式（１）において、Ｒ⁵ が

【００９４】

【化２２】

【００９５】であり、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ 及びＲ²⁴で示される基
が次に示すものであるアミド誘導体（１−ｃ）の製造：

【００９６】

【化２３】

【００９７】（１）アミド誘導体（１−ｃ）の製造：攪
拌装置を備えた３００ミリリットル３口フラスコに、実
施例１の（５）で得られた化合物（１４−ａ）５０ｇ
（５５．１mmol）とエタノール５０ｇを仕込み、４０℃
に加熱した。ここに水酸化カリウムの１０％エタノール
溶液を１時間かけて滴下した。次いで濃硫酸３．２４ｇ
を滴下して中和した。トルエン５０ｇを加えて分層し
た。２５ｇの水で２回水洗した後、トルエンを減圧留去
して目的とするアミド誘導体（１−ｃ）４７．３ｇ（収
率９０％）を得た。

【００９８】得られたアミド誘導体（１−ｃ）の物性は
次のとおりである。

【００９９】無色結晶 IR(Kbr,cm^-1)；3320, 2930, 2860, 1640, 1540, 1470,
1390, 1250, 1210,1130¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.69-0.97(m,12H), 1.01-1.70(m,74
H),1.69-1.92(m,2H), 2.11(t,J=7.6Hz,2H),2.30(t,J=7.
6Hz,2H), 3.05-3.88(m,22H),5.33-5.58(m,1H)

【０１００】以下に参考例を示す。

【０１０１】参考例１ アミド誘導体（１２）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基
が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｄ）の製
造：

【０１０２】

【化２４】

【０１０３】（１）９，１０：１２，１３−ビス（イソ
プロピリデンジオキシ）オクタデカン酸（９−ｄ）の製
造：攪拌装置を備えた２リットルフラスコに、リノール
酸メチル１４７．２ｇ（０．５mol）、メタクロロ過安
息香酸２０３．２ｇ（１．１８mol）及びジクロロメタ
ン５００mlを仕込み、室温で１８時間攪拌を行った。反
応終了後、析出しているメタクロロ安息香酸を濾別し、
チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄後、溶媒を減圧留去
し、残渣をアルミナショートカラムクロマトグラフィー
で精製し、９，１０：１２，１３−ジエポキシオクタデ
カン酸メチルを得た。

【０１０４】次に、攪拌装置及び滴下ロートを備えた２
リットルフラスコに、アセトン１１６２ｇ（２０mol）
及び三フッ化ホウ素・エーテル錯体３．５５ｇ（２５mm
ol）を仕込み、室温で攪拌しながら上記で得られた９，
１０：１２，１３−ジエポキシオクタデカン酸メチルを
３時間かけて滴下した。滴下終了後、更に１時間攪拌を
行って反応を完結させた。次いで、この反応混合物に重
炭酸ソーダを加えて中和後、溶媒を減圧留去し、残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することに
より、９，１０：１２，１３−ビス（イソプロピリデン
ジオキシ）オクタデカン酸メチル２０１．２ｇを得た
（収率９１％）。

【０１０５】次に、攪拌装置を備えた２リットルフラス
コに、上記で得られた９，１０：１２，１３−ビス（イ
ソプロピリデンジオキシ）オクタデカン酸メチル１４
１．６ｇ（０．３２mol）及びエタノール４００mlを仕
込み、ここに、水酸化カリウム３５．８ｇ（０．６４mo
l）を溶解した水４０ml及びエタノール４００mlからな
る溶液を加え、５０℃で１時間攪拌した。次いで、この
反応混合物を塩酸で中和し、クロロホルムで抽出後、溶
媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、標記化合物（９−ｄ）１
３２．０ｇを得た（収率９６％）。

【０１０６】（２）１２−〔９，１０：１２，１３−ビ
ス（イソプロピリデンジオキシ）オクタデカノイルアミ
ノ〕ドデカン酸メチル（１１−ｄ）の製造：攪拌装置を
備えた１リットルフラスコに、上記（１）で得た化合物
（９−ｄ）３４．３ｇ（８０mmol）、実施例１の（２）
で得た化合物（８−ａ）２２．９ｇ（１００mmol）、１
−ヒドロキシベンゾトリアゾール１８．４ｇ（１２０mm
ol）及びクロロホルム５００mlを仕込み、室温で攪拌し
ながら、Ｎ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド３
３．０ｇを加え、更に２４時間室温で攪拌した。反応終
了後、析出している白色固体を濾別し、減圧濃縮した後
に残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製す
ることにより、標記化合物（１１−ｄ）３３．１ｇを得
た（収率６８％）。

【０１０７】（３）アミド誘導体（１２−ｄ）の製造：
攪拌装置、滴下ロート及び蒸留装置を備えた１００mlフ
ラスコに、実施例１の（１）で得た化合物（７−ａ）１
１．６ｇ（３０mmol）及び上記（２）で得た化合物（１
１−ｄ）２０．１ｇ（３３mmol）を仕込み、Ｎ₂雰囲気
下８０℃で攪拌しながらナトリウムメトキシド２８％メ
タノール溶液０．５８ｇ（３mmol）を滴下した。滴下終
了後、８０℃で１時間攪拌し、更に減圧下（１０Torr）
８０℃で６時間攪拌し、反応を完結させた。反応混合物
を冷却後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、アミド誘導体（１２−ｄ）２５．６ｇ
を得た（収率８８％）。得られたアミド誘導体（１２−
ｄ）の物性は次の通りである。

【０１０８】淡黄色固体 融点；46〜48℃ IR(KBr,cm^-1); 3350, 2940, 2880, 1615, 1540, 1465,
1380, 1215,1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-2.05
(m,82H),2.15(t,J=7.5Hz,2H), 2.38(t,J=7.5Hz,2H),3.1
5-4.20(m,18H), 3.33(s,3H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１０９】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｄ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｄ）を製造することができる。

【０１１０】

【化２５】

【０１１１】参考例２ アミド誘導体（１２）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ で示される基
が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｅ）の製
造：

【０１１２】

【化２６】

【０１１３】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−２−メトキシエチルアミン
（７−ｅ）の製造：実施例１の（１）において、３−メ
トキシプロピルアミン（６−ａ）の代わりに２−メトキ
シエチルアミン（６−ｅ）を用いる以外は、実施例１の
（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−ｅ）を得
た。

【０１１４】（２）１２−リノレオイルアミノドデカン
酸メチル（１１−ｅ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及
び窒素導入管を備えた１リットルフラスコに実施例１の
（２）で得た化合物（８−ａ）４５．９ｇ（２００mmo
l）、トリエチルアミン３０．４ｇ（３００mmol）及び
塩化メチレン３００ｇを仕込み、室温で攪拌しながら、
リノール酸クロリド（１０−ｅ）６５．８ｇ（２２０mm
ol）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で
１時間攪拌し、反応を完結させた。

【０１１５】得られた反応混合物を飽和食塩水で洗浄
後、減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、標記化合物（１１−ｅ）
８８．３ｇを得た（収率９０％）。

【０１１６】（３）アミド誘導体（１２−ｅ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｅ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに上記（２）で得た化合物（１
１−ｅ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同様に製
造を行い、アミド誘導体（１２−ｅ）を得た。得られた
アミド誘導体（１−ｂ）の物性は次の通りである。

【０１１７】白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3320, 2925, 2860, 1640, 1615, 1545,
1470, 1210,1110, 1060, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-1.00(m,6H), 1.10-1.80(m,62
H),1.95-2.15(m,4H), 2.15(t,J=7.5Hz,2H),2.30-2.50
(m,2H), 2.70-2.90(m,2H), 3.15-4.05(m,17H),2.50-5.5
0(m,5H)

【０１１８】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｅ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｅ）を製造することができる。

【０１１９】

【化２７】

【０１２０】参考例３ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基がつぎに示すものであるアミド誘導体（１２−ｆ）の
製造：

【０１２１】

【化２８】

【０１２２】（１）１２−メトキシ−９−オクタデセン
酸（９−ｆ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及び冷却管
を備えた１リットルフラスコに、６０％水素化ナトリウ
ム２４ｇ（０．６mol）及びジメチルホルムアミド５０
０mlを仕込み、Ｎ₂雰囲気下４０℃で攪拌しながら、リ
シノール酸エチル１６３．３ｇ（０．５mol）のヨウ化
メチル１４２ｇ（１．０mol）溶液を１時間かけて滴下
し、滴下終了後、更に４０℃で６時間攪拌した。得られ
た反応混合物にヘキサンを加え、塩化アンモニウム水溶
液及びチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、１２−メトキシ−９−オクタデセン酸
エチル１５５．８ｇを得た（収率９２％）。

【０１２３】次に、攪拌装置を備えた１リットルフラス
コに、上記で得た１２−メトキシ−９−オクタデセン酸
エチル６８．１ｇ（０．２mol）、エタノール６００ml
及び５０％水酸化カリウム水溶液４５ｇを仕込み、５０
℃で４時間攪拌した。得られた反応混合物にヘキサンを
加え、３Ｎ塩酸で中和後、飽和食塩水で洗浄した。減圧
濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、標記化合物（９−ｆ）５８．３ｇ
を得た（収率９３％）。

【０１２４】（２）アミド誘導体（１２−ｆ）の製造：
参考例１の（２）〜（３）において、化合物（９−ｄ）
の代わりに上記（１）で得た化合物（９−ｆ）を用いる
以外は、参考例１の（２）〜（３）と同様に製造を行
い、アミド誘導体（１２−ｆ）を得た。得られたアミド
誘導体（１２−ｆ）の物性は次の通りである。

【０１２５】白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3310, 2900, 1610, 1545, 1470, 1110,
950, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.78
(m,66H)1.83(t,J=6.0Hz,2H), 1.95-2.10(m,2H),2.15(t,
J=7.6Hz,2H), 2.18-2.30(m,2H),2.36(t,J=7.5Hz,2H),
3.10-3.60(m,14H), 3.33(s,3H),3.34(s,3H), 3.85-4.05
(m,1H), 5.30-5.60(m,3H)

【０１２６】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｆ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｆ）を製造することができる。

【０１２７】

【化２９】

【０１２８】参考例４ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｇ）の製
造：

【０１２９】

【化３０】

【０１３０】攪拌装置及び水素導入管を備えた１リット
ルフラスコに、参考例３で製造した化合物（１−ｄ）
９．１ｇ（１０．３mmol）、５％パラジウムカーボン
１．５ｇ及びエタノール３７０mlを仕込み、水素雰囲気
下、室温で２２時間攪拌した。得られた反応混合物を濾
過し、濾液を減圧濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製することにより、アミド誘導体
（１２−ｇ）９．０６ｇを得た（収率９９％）。得られ
たアミド誘導体（１２−ｇ）の物性は次の通りである。

【０１３１】白色固体 融点；58〜60℃ IR(KBr,cm^-1); 3330, 2920, 1630, 1550, 1470, 1205,
1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.2Hz,6H), 1.05-1.80
(m,74H),1.83(t,J=5.9Hz,2H), 2.15(t,J=7.6Hz,2H),2.3
6(t,J=7.5Hz,2H), 3.05-3.60(m,14H), 3.31(s,3H),3.33
(s,3H), 3.85-4.00(m,1H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１３２】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｇ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｇ）を製造することができる。

【０１３３】

【化３１】

【０１３４】参考例５ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｈ）の製
造：

【０１３５】

【化３２】

【０１３６】（１）１２−ベンジルオキシ−９−オクタ
デセン酸（９−ｈ）の製造：参考例３の（１）におい
て、ヨウ化メチルの代わりに臭化ベンジルを用いる以外
は、参考例３の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（９−ｈ）を得た。

【０１３７】（２）アミド誘導体（１２−ｈ）の製造：
参考例１の（２）〜（３）において、化合物（９−ｄ）
の代わりに上記（１）で得た化合物（９−ｈ）を用いる
以外は、参考例１の（２）〜（３）と同様に製造を行
い、アミド誘導体（１２−ｈ）を得た。得られたアミド
誘導体（１２−ｈ）の物性は次の通りである。

【０１３８】白色固体 融点；56〜58℃ IR(KBr,cm^-1); 3335, 2900, 1625, 1550, 1470, 1105,
720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.75
(m,66H),1.83(t,J=5.9Hz,2H), 1.95-2.10(m,2H),2.14
(t,J=7.6Hz,2H), 2.25-2.45(m,2H),2.37(t,J=7.6Hz,2
H), 3.15-3.60(m,14H),3.33(s,3H), 3.85-4.00(m,1H),
4.53(dd,J=11.7Hz,20.0Hz,2H), 5.30-5.55(m,3H),7.20-
7.45(m,5H)

【０１３９】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｈ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｈ）を製造することができる。

【０１４０】

【化３３】

【０１４１】参考例６ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｉ）の製
造：

【０１４２】

【化３４】

【０１４３】（１）１２−ベンジルオキシ−オクタデカ
ン酸（９−ｉ）の製造：参考例３の（１）において、リ
シノール酸エチルの代わりに１２−ヒドロキシオクタデ
カン酸メチルを用い、またヨウ化メチルの代わりに臭化
ベンジルを用いる以外は、参考例３の（１）と同様に製
造を行い、標記化合物（９−ｉ）を得た。

【０１４４】（２）アミド誘導体（１２−ｉ）の製造：
参考例１の（２）〜（３）において、化合物（９−ｄ）
の代わりに上記（１）で得た化合物（９−ｉ）を用いる
以外は、実施例１の（２）〜（３）と同様に製造を行い
アミド誘導体（１２−ｉ）を得た。得られたアミド誘導
体（１２−ｉ）の物性は次の通りである。

【０１４５】白色固体 融点；59〜61℃ IR(KBr,cm^-1); 3320, 2900, 1615, 1545, 1470, 1110,
720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.5Hz,6H), 1.00-1.95
(m,76H),2.15(t,J=7.5Hz,2H), 2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.1
5-3.60(m,14H), 3.33(s,3H), 3.85-4.00(m,1H),4.50(s,
2H), 5.35-5.50(m,1H), 7.20-7.45(m,5H)

【０１４６】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｉ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｉ）を製造することができる。

【０１４７】

【化３５】

【０１４８】参考例７ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｋ）の製
造：

【０１４９】

【化３６】

【０１５０】（１）Ｎ−（３−メチル分岐イソステアロ
キシ−２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ−エチルアミン
（７−ｋ）の製造：実施例１の（１）において、３−メ
トキシプロピルアミン（６−ｄ）の代わりにエチルアミ
ン（６−ｋ）を用い、またヘキサデシルグリシジルエー
テル（５−ｄ）の代わりにメチル分岐イソステアリルグ
リシジルエーテル（５−ｋ）を用いる以外は、実施例１
の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−ｋ）を
得た。

【０１５１】（２）アミド誘導体（１２−ｋ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ｄ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｋ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（５）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｋ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｋ）の物性は次の通りであ
る。

【０１５２】白色固体 融点；61〜64℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2865, 1625, 1540, 1470,
1380, 1230,1210, 1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,12H), 1.00-1.85(m,77
H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.35(t,J=7.6Hz,2H),3.15-3.6
0(m,11H), 3.80-4.00(m,1H), 5.35-5.50(m,1H)

【０１５３】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｋ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｋ）を製造することができる。

【０１５４】

【化３７】

【０１５５】参考例８ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｌ）の製
造：

【０１５６】

【化３８】

【０１５７】（１）オクタデカノイルアミノデカン酸メ
チル（１１−ｌ）の製造：参考例２の（２）において、
リノール酸クロリド（１０−ｅ）の代わりにオクタデカ
ン酸クロリド（１０−ｌ）を用いる以外は、参考例２の
（２）と同様に製造を行い標記化合物（１１−ｌ）を得
た。

【０１５８】（２）アミド誘導体（１２−ｌ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（１１−ｄ）の代わ
りに上記（１）で得た化合物（１１−ｌ）を用いた以外
は、参考例１の（３）と同様に製造を行いアミド誘導体
（１２−ｌ）を得た。得られたアミド誘導体（１２−
ｌ）の物性は次の通りである。

【０１５９】白色固体 融点；63〜64℃ IR(KBr,cm^-1); 3335, 2925, 1650, 1620, 1550, 1470,
1215, 1010, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.05-1.75
(m,76H),1.83(t,J=5.8Hz,2H), 2.15(t,J=7.5Hz,2H),2.3
6(t,J=7.5Hz,2H), 3.15-3.60(m,13H),3.33(s,3H), 3.85
-4.00(m,1H), 5.30-5.60(m,1H)

【０１６０】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｌ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｌ）を製造することができる。

【０１６１】

【化３９】

【０１６２】参考例９ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｍ）の製
造：

【０１６３】

【化４０】

【０１６４】（１）Ｎ−（３−ブチロキシ−２−ヒドロ
キシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン（７
−ｍ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサデシ
ルグリシジルエーテル（５−ａ）の代わりにブチルグリ
シジルエーテル（５−ｍ）を用いる以外は、実施例１の
（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−ｍ）を得
た。

【０１６５】（２）アミド誘導体（１２−ｍ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｍ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｍ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｍ）の物性は次の通りであ
る。

【０１６６】無色油状物 IR(NaCl,cm^-1 ); 3320, 2930, 2860, 1630, 1550, 146
0, 1380, 1220, 1120,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.70-0.95(m,9H), 1.10-1.71(m,49
H),1.72-1.94(m,2H), 2.12(t,J=7.6Hz,2H),2.33(t,J=7.
6Hz,2H), 3.14-3.60(m,13H), 3.79-4.00(m,1H),5.34-5.
56(m,1H)

【０１６７】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｍ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｍ）を製造することができる。

【０１６８】

【化４１】

【０１６９】参考例１０ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｎ）の製
造：

【０１７０】

【化４２】

【０１７１】（１）Ｎ−（３−オクチロキシ−２−ヒド
ロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（７−ｎ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（５−ａ）の代わりにオクチ
ルグリシジルエーテル（５−ｎ）を用いる以外は、実施
例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−
ｎ）を得た。

【０１７２】（２）アミド誘導体（１２−ｎ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｎ）を用い、また化合
物（１１−ｎ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｎ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｎ）の物性は次の通りであ
る。

【０１７３】白色固体 IR(KBr,cm^-1); 3320, 2930, 2860, 1630, 1550, 1470,
1380, 1260, 1210,1120, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-0.99(m,9H), 0.99-1.95(m,57
H),1.83(t,J=7.6Hz,2H), 2.16(t,J=7.6Hz,2H),2.39(t,J
=7.6Hz,2H), 3.10-3.62(m,13H), 3.33(s,3H),3.82-4.02
(m,1H), 5.35-5.58(m,1H)

【０１７４】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｎ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｎ）を製造することができる。

【０１７５】

【化４３】

【０１７６】参考例１１ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｏ）の製
造：

【０１７７】

【化４４】

【０１７８】（１）Ｎ−（３−ドデシロキシ−２−ヒド
ロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（７−ｏ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（５−ａ）の代わりにドデシ
ルグリシジルエーテル（５−ｏ）を用いる以外は、参考
例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−
ｏ）を得た。

【０１７９】（２）アミド誘導体（１２−ｏ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｏ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｏ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｏ）の物性は次の通りであ
る。

【０１８０】白色固体 IR(KBr,cm^-1); 3330, 2930, 1650, 1560, 1470, 1380,
1260, 1215, 1100,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-1.00(m,9H), 1.00-1.95(m,65
H),1.83(t,J=7.6Hz,2H), 2.16(t,J=7.6Hz,2H),2.38(t,J
=7.6Hz,2H), 3.10-3.58(m,13H), 3.33(s,3H),3.80-4.00
(m,1H), 5.35-5.60(m,1H)

【０１８１】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｏ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｏ）を製造することができる。

【０１８２】

【化４５】

【０１８３】参考例１２ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｐ）の製
造：

【０１８４】

【化４６】

【０１８５】（１）Ｎ−（３−オクタデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミ
ン（７−ｐ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキ
サデシルグリシジルエーテル（５−ａ）の代わりにオク
タデシルグリシジルエーテル（５−ｐ）を用いる以外
は、実施例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（７−ｐ）を得た。

【０１８６】（２）アミド誘導体（１２−ｐ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｐ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｐ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｐ）の物性は次の通りであ
る。

【０１８７】白色固体 融点；66.5〜69℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2860, 1640, 1550, 1470,
1380, 1260, 1210,1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.72-0.98(m,9H), 1.05-1.80(m,77
H), 1.81-1.94(m,2H),2.13(t,J=7.6Hz,2H), 2.35(t,J=
7.6Hz,2H),3.15-3.60(m,13H), 3.40(s,3H), 3.79-4.00
(m,1H),5.35-5.52(m,1H)

【０１８８】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｐ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｐ）を製造することができる。

【０１８９】

【化４７】

【０１９０】参考例１３ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１−ｒ）の製
造：

【０１９１】

【化４８】

【０１９２】（１）Ｎ−（３−メチル分岐イソステアリ
ロキシ−２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシ
プロピルアミン（７−ｑ）の製造：実施例１の（１）に
おいて、ヘキサデシルグリシジルエーテル（５−ａ）の
代わりにメチル分岐イソステアリルグリシジルエーテル
（５−ｋ）を用いる以外は、実施例１の（１）と同様に
製造を行い、標記化合物（７−ｑ）を得た。

【０１９３】（２）アミド誘導体（１−ｑ）の製造：参
考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わりに
上記（１）で得た化合物（７−ｑ）を用い、また化合物
（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合物
（１１−ａ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同様
に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｑ）を得た。得ら
れたアミド誘導体（１２−ｑ）の物性は次の通りであ
る。

【０１９４】白色粘重固体 IR(KBr,cm^-1); 3320, 2930, 2860, 1640, 1550, 1470,
1380, 1220, 1110,750¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.70-1.00(m,12H), 1.02-1.82(m,74
H), 1.82-1.97(m,4H),2.14(t,J=7.6Hz,2H), 2.34(t,J=
7.6Hz,2H),3.14-3.60(m,13H), 3.38(s,3H), 3.80-4.00
(m,1H),5.34-5.50(m,1H)

【０１９５】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｑ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｑ）を製造することができる。

【０１９６】

【化４９】

【０１９７】参考例１４ アミド誘導体（１２）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁷ で示される
基が次に示すものであるアミド誘導体（１２−ｒ）の製
造：

【０１９８】

【化５０】

【０１９９】（１）Ｎ−（３−ドコサノロキシ−２−ヒ
ドロキシプロピル）−Ｎ−３−メトキシプロピルアミン
（７−ｒ）の製造：実施例１の（１）において、ヘキサ
デシルグリシジルエーテル（５−ａ）の代わりにドコサ
ニルグリシジルエーテル（５−ｒ）を用いる以外は、実
施例１の（１）と同様に製造を行い、標記化合物（７−
ｒ）を得た。

【０２００】（２）アミド誘導体（１２−ｒ）の製造：
参考例１の（３）において、化合物（７−ａ）の代わり
に上記（１）で得た化合物（７−ｒ）を用い、また化合
物（１１−ｄ）の代わりに実施例１の（３）で得た化合
物（１２−ｊ）を用いた以外は、参考例１の（３）と同
様に製造を行い、アミド誘導体（１２−ｒ）を得た。得
られたアミド誘導体（１２−ｒ）の物性は次の通りであ
る。

【０２０１】白色固体 融点；69.5〜71.0℃ IR(KBr,cm^-1); 3400, 2930, 2860, 1640, 1620, 1550,
1470, 1380, 1260,1210, 1110, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.71-1.00(m,9H), 1.02-1.80(m,85
H), 1.81-1.97(m,2H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.34(t,J=
7.6Hz,2H),3.14-3.60(m,13H), 3.38(s,3H), 3.78-4.00
(m,1H),5.34-5.52(m,1H)

【０２０２】上記で得られたアミド誘導体（１２−ｒ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁷ 及び
Ｒ²⁴で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｒ）を製造することができる。

【０２０３】

【化５１】

【０２０４】参考例１５ アミド誘導体（１９）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ⁸ 及び
Ｒ⁹ で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１９−ｓ）の製造：

【０２０５】

【化５２】

【０２０６】（１）９，１２−オクタデカジエニルアミ
ン（１６−ｓ）の製造：攪拌装置、滴下ロート及び窒素
導入管を備えた１リットルフラスコに、テトラヒドロフ
ラン５０ml及び水素化リチウムアルミニウム５．６９ｇ
（０．１５mol）を仕込み、窒素雰囲気下室温で攪拌し
つつ、これにリノール酸アミド１４．０ｇ（０．０５mo
l）を３０分間かけて滴下した。滴下終了後、更に６０
℃で１２時間攪拌した後、硫酸ナトリウム１０水和物１
６ｇ（０．０５mol）を投入して過剰の水素化リチウム
アルミニウムを分解した。系内の固形分をろ過して除
き、溶媒を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体
の標記化合物（１６−ｓ）９．０５ｇを得た（収率６８
％対リノール酸アミド）。

【０２０７】（２）ドデカン２酸モノメチル（１７−
ｓ）の製造：攪拌装置及び窒素導入管を備えた２リット
ルフラスコに、ドデカン２酸６９．１ｇ（０．３mo
l）、メタノール５００ml及び硫酸１．４７ｇ（０．０
１５mol）を仕込み、窒素雰囲気下で６０℃で２４時間
加熱攪拌した。このものを水１リットルで洗浄し、有機
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧下に留去
した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、白色固体の標記化合物（１７−
ｓ）３６．３ｇを得た（収率５０％対ドデカン２酸）。

【０２０８】（３）１１−（Ｎ−（９，１２−オクタデ
カジエニル）カルバモイル）ウンデカン酸メチル（１８
−ｓ）の製造：攪拌装置及び窒素導入管を備えた５００
mlフラスコに、ドデカン２酸モノメチル（１７−ｓ）
４．４０ｇ（１８mmol）、９，１２−オクタデカジエニ
ルアミン（１６−ｓ）２．３３ｇ（１８mmol）、１−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール３．０４ｇ（２２．５mmo
l）、ジシクロヘキシルカルボジイミド４．６４ｇ（２
２．５mmol）及びクロロホルム１５０mlを仕込み、室温
で２４時間攪拌した。生じた沈殿をろ過して除き、溶媒
を減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製することにより、白色固体の標記化
合物（１８−ｓ）５．１２ｇを得た（収率８０％対ドデ
カン２酸モノメチル（１７−ｓ））。

【０２０９】（４）アミド誘導体（１９−ｓ）の製造：
攪拌装置及び窒素導入管を備えた５０mlフラスコに、参
考例２の（１）で得た化合物（７−ｅ）１．７２ｇ
（４．８mmol）、上記（３）で得た化合物（１８−ｓ）
１．４２ｇ（４．０mmol）及び２８％ナトリウムメトキ
シド／メタノール溶液０．０７７ｇ（０．４mmol）を仕
込み、８０℃／１０Torrで減圧下に１２時間加熱攪拌し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、白色固体の標記化合物
（１９−ｓ）２．９２ｇを得た（収率８０％対化合物
（１８−ｓ））。得られたアミド誘導体（１９−ｓ）の
物性は次の通りである。

【０２１０】白色固体 融点；５７〜５９℃ IR(NaCl,cm^-1)；3324, 2920, 2854, 1620, 1540, 1458,
1426, 1366, 1264,1102¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.86-0.89(m,6H), 1.10-1.70(m,62
H), 2.00-2.18(m,6H),2.39(t,J=7.5Hz,2H), 2.77(t,J=
5.7Hz,2H),3.18-4.24(m,17H), 5.26-5.42(m,5H)

【０２１１】上記で得られたアミド誘導体（１９−ｓ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
⁸ 、Ｒ⁹ 及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｓ）を製造することができる。

【０２１２】

【化５３】

【０２１３】参考例１６ アミド誘導体（１９）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ⁸ 及び
Ｒ⁹ で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１９−ｔ）の製造：

【０２１４】

【化５４】

【０２１５】（１）イソステアリルアミン（１６−ｔ）
の製造：参考例１５の（１）において、リノール酸アミ
ドの代わりにイソステアリン酸アミドを用いる以外は、
参考例１５の（１）と同様に製造を行い、標記化合物
（１６−ｔ）を得た。

【０２１６】（２）１１−（Ｎ−イソステアリルカルバ
モイル）ウンデカン酸メチル（１８−ｔ）の製造：参考
例１５の（３）において、（１６−ｓ）の代わりに上記
（１）で得た化合物（１６−ｔ）を用いる以外は、参考
例１５の（３）と同様に製造を行い、標記化合物（１８
−ｔ）を得た。

【０２１７】（３）アミド誘導体（１９−ｔ）の製造：
参考例１５の（４）において、化合物（７−ｅ）の代わ
りに実施例１（１）で得た化合物（７−ａ）を、また化
合物（１８−ｓ）の代わりに上記（２）で得た化合物
（１８−ｔ）を用いた以外は、参考例１５の（４）と同
様に製造を行い、目的のアミド誘導体（１９−ｔ）を得
た。得られたアミド誘導体（１９−ｔ）の物性は次の通
りである。

【０２１８】白色固体 融点；６１〜６４℃ IR(NaCl,cm^-1)；3416, 3328, 2924, 2854, 1644, 1616,
1548, 1470, 1378,1214, 1112, 952, 722¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.82-0.91(m,9H), 1.05-1.76(m,74
H), 1.83(m,2H),2.15(t,J=7.6Hz,2H), 2.37(t,J=7.5Hz,
2H),3.18-3.59(m,16H), 3.90(m,1H), 5.41(br,1H)

【０２１９】上記で得られたアミド誘導体（１９−ｔ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
⁸ 、Ｒ⁹ 及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｔ）を製造することができる。

【０２２０】

【化５５】

【０２２１】参考例１７ アミド誘導体（１９）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ⁸ 及び
Ｒ⁹ で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１９−ｕ）の製造：

【０２２２】

【化５６】

【０２２３】（１）Ｎ−（３−ヘキサデシロキシ−２−
ヒドロキシプロピル）−Ｎ−エチルアミン（７−ｕ）の
製造：攪拌装置、滴下ロート、窒素導入管及び蒸留装置
を備えた２リットルフラスコに、７０％エチルアミン水
溶液５００ml（約６mol）を仕込み、室温、窒素雰囲気
下で攪拌しつつ、これにヘキサデシルグリシジルエーテ
ル１１９ｇ（０．４mol）をエタノール５００mlに溶か
した溶液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室
温で５時間攪拌した後、エタノール、水及び過剰のエチ
ルアミンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製することにより、白色固体
の標記化合物（７−ｕ）１３３ｇを得た（収率９６％対
ヘキサデシルグリシジルエーテル）。

【０２２４】（２）１１−（４−モルホリンカルボニ
ル）ウンデカン酸メチル（１８−ｕ）の製造：参考例１
５の（３）において、（１６−ｓ）の代わりにモルホリ
ン（１６−ｕ）を用いる以外は、参考例１５の（３）と
同様に製造を行い、標記化合物（１８−ｕ）を得た。

【０２２５】（３）アミド誘導体（１９−ｕ）の製造：
参考例１５の（４）において、化合物（１８−ｓ）の代
わりに上記（２）で得た化合物（１８−ｕ）を用いた以
外は、参考例１５の（４）と同様に製造を行い、アミド
誘導体（１９−ｕ）を得た。得られたアミド誘導体（１
９−ｕ）の物性は次の通りである。

【０２２６】無色油状物 IR(NaCl,cm^-1)；2924, 2854, 1620, 1540, 1470, 1384,
1224, 1120, 768¹ H-NMR(CDCl₃,δ)；0.88(t,J=6.3Hz,6H), 1.07-1.75(m,
47H),2.28-2.41(m,J=7.5Hz,4H), 3.29-4.10(m,18H)

【０２２７】上記で得られたアミド誘導体（１９−ｕ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
⁸ 、Ｒ⁹ 及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｕ）を製造することができる。

【０２２８】

【化５７】

【０２２９】参考例１８ アミド誘導体（２５）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 及びＲ¹¹で
示される基が次に示すものであるアミド誘導体（２５−
ｖ）の製造：

【０２３０】

【化５８】

【０２３１】（１）１６−（９Ｚ，１２Ｚ−オクタデカ
ジエニロキシ）ヘキサデカン酸メチル（２４−ｖ）の製
造：攪拌装置、滴下ロート、温度計及び還流冷却器を備
えた３００ml４ツ口フラスコに、１６−ヒドロキシヘキ
サデカン酸２．７２ｇ（１０mmol）、無水テトラヒドロ
フラン５０ml、無水ヘキサメチルホスホリルトリアミド
５ml及び水素化ナトリウム０．２４ｇ（１０mmol）を入
れ、窒素気流下、室温で３０分間攪拌した。次いで、こ
の混合物を−７０℃まで冷却し、１．６Ｎブチルリチウ
ムヘキサン溶液６．２５ml（１０mmol）を加えた後、３
０分かけて室温まで加温し、ここで水素化ナトリウム
０．２４ｇ（１０mmol）を加えて更に３０分間室温で攪
拌した。次に、ここにｐ−トルエンスルホン酸９Ｚ，１
２Ｚ−オクタデカジエニルエステル（１７−γ）９．２
５ｇ（２２mmol）を滴下し、６５℃で１８時間加熱攪拌
し、次いでこの反応混合物に無水メタノール１５０mlを
加え、更に６５℃で１時間攪拌した。反応混合物を室温
まで冷却後、塩化アンモニウム水溶液で過剰のアルカリ
を中和し、トルエンで反応混合物を抽出し、溶媒を減圧
留去後、残渣をフラッシュカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、標記化合物（２１−ｖ）０．７２
ｇを得た（収率１３．５％）。

【０２３２】（２）アミド誘導体（２５−ｖ）の製造：
攪拌装置、滴下ロート及び蒸留装置を備えた１００mlフ
ラスコに、実施例１（１）で得た化合物（７−ａ）１
１．６ｇ（３０mmol）及び上記（１）で得た化合物（２
４−ｖ）９．０ｇ（３３mmol）を仕込み、窒素雰囲気下
８０℃で攪拌しながらナトリウムメトキシド２８％メタ
ノール溶液０．５８ｇ（３mmol）を滴下した。滴下終了
後、８０℃で１時間攪拌し、更に減圧下（１０Torr）８
０℃で１０時間攪拌し、反応を完結させた。反応混合物
を冷却後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、アミド誘導体（２５−ｖ）１５．７ｇ
を得た（収率８３％）。得られたアミド誘導体（２５−
ｖ）の物性は次の通りである。

【０２３３】白色固体 融点；51〜52℃ IR(KBr,cm^-1);3300, 2910, 2850, 1615, 1465, 1100, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.80-0.95(m,6H), 0.95-1.95(m,74
H),1.95-2.15(m,4H), 2.25-2.50(m,2H),2.65-2.90(m,2
H), 3.33(s,3H), 3.20-4.25(m,16H),5.20-5.45(m,4H)

【０２３４】上記で得られたアミド誘導体（２５−ｖ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｖ）を製造することができる。

【０２３５】

【化５９】

【０２３６】参考例１９ アミド誘導体（３０）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 及びＲ¹¹で
示される基が次に示すものであるアミド誘導体（３０−
ｗ）の製造：

【０２３７】

【化６０】

【０２３８】（１）１６−（９Ｚ，１２Ｚ−オクタデカ
ジエノイルオキシ）ヘキサデカン酸メチル（２９−ｗ）
の製造：攪拌装置、滴下ロート及び温度計を備えた３０
０mlフラスコに、１６−ヒドロキシヘキサデカン酸メチ
ル４．３０ｇ（１５mmol）、参考例３の（１）で得られ
た化合物（９−ｆ）８．４１ｇ（１３mmol）、トリフェ
ニルホスフィン７．８７ｇ（３０mmol）及びテトラヒド
ロフラン１００mlを仕込み、室温で攪拌下にアゾジカル
ボン酸ジエチル５．２２ｇ（３０mmol）を１時間かけて
滴下した。滴下終了後、更に室温で４時間攪拌した後、
溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルフラッシュク
ロマトグラフィーで精製することにより、標記化合物
（２９−ｗ）６．７６ｇを得た（収率８２％）。

【０２３９】（２）アミド誘導体（３０−ｗ）の製造：
参考例１８の（２）において、化合物（２４−ｖ）の代
わりに上記（１）で得た化合物を用いた以外は、参考例
１８の（２）と同様に製造を行い、アミド誘導体（３０
−ｗ）を得た。得られたアミド誘導体（３０−ｗ）の物
性は次の通りである。

【０２４０】白色固体 融点；48〜50℃ IR(KBr,cm^-1);3310, 2900, 2870, 1610, 1550, 1465, 1
105, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz,6H), 1.10-1.95
(m,76H),1.95-2.10(m,2H), 2.10-2.55(m,6H),3.10-3.70
(m,12H), 3.33(s,3H), 3.34(s,3H),3.80-4.05(m,1H),
4.05(t,J=6.6Hz,2H),5.30-5.60(2H)

【０２４１】上記で得られたアミド誘導体（３０−ｗ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｗ）を製造することができる。

【０２４２】

【化６１】

【０２４３】参考例２０ アミド誘導体（３０）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ¹⁰及び
Ｒ¹¹で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（１−ｘ）の製造：

【０２４４】

【化６２】

【０２４５】攪拌装置及び水素導入管を備えた１リット
ルフラスコに、参考例１９で製造した化合物（３０−
ｗ）１０．２ｇ（１１．３mmol）、５％パラジウムカー
ボン１．５ｇ及びエタノール３００mlを仕込み、水素雰
囲気下、室温で２６時間攪拌した。得られた反応混合物
を濾過し、濾液を減圧濃縮後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製することにより、アミド誘導
体（３０−ｘ）９．３ｇを得た（収率９５％）。得られ
たアミド誘導体（３０−ｘ）の物性は次の通りである。

【０２４６】白色固体 融点；52〜53℃ IR(KBr,cm^-1);3330, 2930, 1625, 1550, 1210, 1110, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.88(br t,J=6.4Hz), 1.10-1.95(m,8
4H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 7.39(t,J=7.5Hz,2H),3.00-3.
70(m,12H), 3.32(s,3H), 3.33(s,3H),3.80-4.00(m,1H),
4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０２４７】上記で得られたアミド誘導体（３０−ｘ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｘ）を製造することができる。

【０２４８】

【化６３】

【０２４９】参考例２１ アミド誘導体（３０）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ¹⁰及び
Ｒ¹¹で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（３０−ｙ）の製造：

【０２５０】

【化６４】

【０２５１】（１）（メチル分岐イソステアロイルイル
オキシ）ヘキサデカン酸メチルの製造：参考例１９の
（１）において、参考例３の（１）で得られた化合物
（９−ｆ）の代わりにメチル分岐イソステアリン酸を用
いた以外は、参考例１９の（１）と同様に製造を行い、
標記化合物を得た。

【０２５２】（２）アミド誘導体（３０−ｙ）の製造：
参考例１８の（２）において、化合物（２４−ｖ）の代
わりに上記（１）で得た化合物を用いる以外は参考例１
８の（２）と同様に製造を行い、アミド誘導体（３０−
ｙ）を得た。得られたアミド誘導体（３０−ｙ）の物性
は次の通りである。

【０２５３】白色固体 融点；55〜57℃ IR(KBr,cm^-1);3335, 2930, 1630, 1550, 1465, 1110, 7
20¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,9H), 1.00-1.95(m,83
H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 2.40(t,J=7.5Hz,2H),3.15-4.0
0(m,12H), 3.33(s,3H),4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０２５４】上記で得られたアミド誘導体（３０−ｙ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｙ）を製造することができる。

【０２５５】

【化６５】

【０２５６】参考例２２ アミド誘導体（３０）において、Ｒ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ¹⁰及び
Ｒ¹¹で示される基が次に示すものであるアミド誘導体
（３０−ｚ）の製造：

【０２５７】

【化６６】

【０２５８】（１）アミド誘導体（３０−ｚ）の製造：
参考例１８の（２）において、化合物（７−ａ）の代わ
りに参考例７（１）で得た化合物（７−ｋ）を用い、ま
た化合物（２４−ｖ）の代わりに参考例２１の（１）で
得た化合物を用いた以外は、参考例１８の（２）と同様
に製造を行い、目的のアミド誘導体（３０−ｚ）を得
た。得られた化合物（３０−ｚ）の物性は次の通りであ
る。

【０２５９】白色固体 融点；54〜57℃ IR(KBr,cm^-1);3380, 2930, 1625, 1550, 1470, 1380, 1
210, 1100, 720¹ H-NMR(CDCl₃,δ);0.75-1.00(m,12H), 1.00-1.85(m,85
H),2.29(t,J=7.5Hz,2H), 2.40(t,J=7.5Hz),3.15-4.00
(m,10H), 4.05(t,J=6.6Hz,2H)

【０２６０】上記で得られたアミド誘導体（３０−ｚ）
を用いて、アミド誘導体（１）においてＲ¹ 〜Ｒ⁵ 、Ｒ
¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ²⁴で示される基が次に示すものであるア
ミド誘導体（１−ｚ）を製造することができる。

【０２６１】

【化６７】

【０２６２】以上の実施例中に示した本発明のアミド誘
導体は、先に特開平２−３０６９５２号公報で提案した
一般式（２）で表わされる化合物及び特開平７−７００
３０号公報で提案した一般式（３）で表わされる化合物
に比べて、融点が低く、基剤に対する溶解性や安定性に
も優れ、皮膚外用剤に配合する場合に配合性及び配合安
定性に優れていた。

【０２６３】試験例１ 下記表１に示す本発明のアミド誘導体１０％及びスクワ
ラン９０％からなる本発明の外用剤組成物（本発明品）
をそれぞれ調製し、これらの外用剤について下記の試験
方法により経皮水分蒸散量及び経皮吸収量を測定評価し
た。また、比較としてスクワランのみからなる外用剤
（比較品）についても同様の試験評価を行った。その結
果を下記表１に示す。

【０２６４】（試験方法）必須脂肪酸を含まない飼料の
みでウィスター（Wister）系雄性ラットを飼育し、必須
脂肪酸欠乏症の症状を有するラットを本試験に用いた。
これら必須脂肪酸欠乏症ラットの背部を丁寧に剃毛した
後、評価外用剤を１日１回３週間塗布した。なお、それ
ぞれの評価外用剤に対して１群５匹ずつを本試験に供し
た。３週間後、下記の項目について試験を行った。

【０２６５】（１）経皮水分蒸散量 温水で試験ラットの背部を洗浄後、１時間静置（室温２
３℃、湿度４５％）後、皮膚からの水分蒸散量をエバポ
リメーターにて測定した。バリアー機能が正常なラット
では、通常、経皮水分蒸散量の値は１０以下であるが、
必須脂肪酸欠乏症ラットでは、２０〜３０以上の高値を
示す。これは、角層のバリアー機能が低下しているため
に、経皮水分蒸散量が上昇したためと考えられている。
すなわち、経皮水分蒸散量の値が高い程角層のバリアー
機能が低下し、肌荒れを起こしていることを示してい
る。従って、この経皮水分蒸散量の値を測定することに
より、本発明品の外用剤としての効果を検討することが
できる。なお、測定値は平均値で示した。

【０２６６】（２）経皮吸収量 ３７℃の温水でラットの背部を洗浄後、背部皮膚を切取
り、経皮吸収用チャンバーに表皮側を上にして固定し
た。下部受器にはリン酸緩衝塩類溶液を満たし、表皮上
部には３７ＫＢｑの¹⁴Ｃ−サリチル酸を含むリン酸緩衝
塩類溶液１mlを加え静置した。２時間後、下部受器から
１mlのリン酸緩衝塩類溶液を抜取り、浸透してきた¹⁴Ｃ
−サリチル酸の放射活性量を測定することにより評価し
た。なお、正常なバリアー機能が維持されている健常ラ
ットでは本実験時間（２時間）では ¹⁴Ｃ−サリチル酸は
殆ど浸透しないが、バリアー機能障害を起こした必須脂
肪酸欠乏症ラットでは有意に¹⁴Ｃ−サリチル酸の浸透量
が増加する。測定値は、平均値で示した。

【０２６７】

【表１】

【０２６８】上記表１に示す結果から明らかな通り、本
発明のアミド誘導体を含有する本発明品はいずれも、ス
クワランのみを含有する比較品に比べて経皮水分蒸散量
及び経皮吸収量を抑制する効果に優れるものである。

【０２６９】

【発明の効果】本発明のアミド誘導体は、角層のバリア
ー機能を本質的に改善（維持・補強）する効果を有し、
かつ皮膚外用剤に配合する場合に、融点や結晶性が低
く、基剤に対する溶解性や安定性が良好で、基剤に安定
・容易に配合可能である。従って、本発明のアミド誘導
体を含有する本発明の皮膚外用剤は、皮膚に適用するこ
とにより、角層のバリアー機能を本質的に改善し、皮膚
炎症や肌荒れ等の改善・予防効果が期待できるものであ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ａ６１Ｋ 31/165 Ａ６１Ｋ 31/165 31/215 31/215 31/23 31/23 31/535 31/535 Ｃ０７Ｃ 235/08 Ｃ０７Ｃ 235/08 237/22 237/22 Ｃ０７Ｄ 295/18 Ｃ０７Ｄ 295/18 Ｚ Ａ (72)発明者 新井 陽一 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 目黒 真一 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 時光 一郎 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 次の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜４０の直鎖又は分岐鎖の炭化
   水素基を示し、Ｒ² は炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖の
   アルキレン基を示し、Ｒ³ は水素原子又は炭素数１〜１
   ２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシル基を示し、Ｒ⁴
   は炭素数１〜３９の直鎖又は分岐鎖の二価の炭化水素基
   を示し、Ｒ²⁴はヒドロキシル基又はアルコキシル基が置
   換していてもよい炭素数１〜２２の直鎖又は分岐鎖の炭
   化水素基を示し、 【化２】 （ここで、Ｒ⁶ は水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素
   基を示し、Ｒ⁷ は酸素原子を含有していてもよい炭素数
   １〜４０の直鎖、分岐鎖又は環構造を持つ炭化水素基を
   示し、Ｒ⁸ 及びＲ⁹ は同一又は異なって、水素原子、又
   は酸素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の直
   鎖、分岐鎖若しくは環構造を持つ炭化水素基を示すか、
   Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が一緒になって酸素原子を含有していても
   よい炭素数１〜４０の二価の炭化水素基を形成してもよ
   く、Ｒ¹⁰はカルボニル基、メチレン基を示し、Ｒ¹¹は酸
   素原子を含有していてもよい炭素数１〜４０の直鎖、分
   岐鎖、若しくは環構造を持つ炭化水素基又は水素原子を
   示す。）で表わされるアミド誘導体。
2. 【請求項２】 前記一般式（１）において、Ｒ²⁴が次の
   一般式（２） 【化３】 〔式中、Ｒ²⁵及びＲ²⁶はいずれか一方が水素原子であ
   り、他方が水素原子又は炭素数１〜１２の直鎖若しくは
   分岐鎖のアルキル基を示す〕で表わされる請求項１記載
   のアミド誘導体。
3. 【請求項３】 Ｒ¹ が炭素数４〜２６の直鎖又は分岐鎖
   の炭化水素基であり；Ｒ² が炭素数１〜６の直鎖又は分
   岐鎖のアルキレン基であり；Ｒ³ が水素原子又は炭素数
   １〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基であり；
   Ｒ⁴ が炭素数５〜３１の直鎖の飽和の二価の炭化水素基
   であり； 【化４】 （ここで、Ｒ⁶ が水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素
   基であり；Ｒ⁷ がエーテル結合、ケトン、カルボキシル
   基及びカルボキシレート結合から選ばれる１又は２以上
   を有していてもよい炭素数７〜２５の直鎖、分岐鎖又は
   環構造を有する炭化水素基であり；Ｒ⁸ 及びＲ⁹ が同一
   又は異なって水素原子又はエーテル結合、ケトン、カル
   ボキシル基及びカルボキシレート結合から選ばれる１又
   は２以上を有していてもよい炭素数７〜２５の直鎖、分
   岐鎖又は環構造を有する炭化水素基であるか、Ｒ⁸ 及び
   Ｒ⁹ が一緒になって炭素数１〜４０のアルキレン、アル
   ケニレン、アルキレン−Ｏ−アルキレン又はアルケニレ
   ン−Ｏ−アルケニレンを形成してもよく、Ｒ¹⁰がカルボ
   ニル基又はメチレン基であり；Ｒ¹¹がエーテル結合、ケ
   トン、カルボキシル基及びカルボキシレート結合から選
   ばれる１又は２以上を有していてもよい炭素数７〜２５
   の直鎖、分岐鎖又は環構造を有する炭化水素基又は水素
   原子である。）である請求項１又は２記載の化合物。
4. 【請求項４】 Ｒ¹ が炭素数４〜２２の直鎖又は分岐鎖
   の飽和炭化水素基である請求項１〜３のいずれか１項記
   載の化合物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項記載の化合
   物を含有することを特徴とする外用剤組成物。
6. 【請求項６】 医薬又は化粧料として使用するものであ
   る請求項５記載の組成物。