JPH10170877A - 導波路型光−光スイッチ - Google Patents
導波路型光−光スイッチInfo
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- JPH10170877A JPH10170877A JP8331201A JP33120196A JPH10170877A JP H10170877 A JPH10170877 A JP H10170877A JP 8331201 A JP8331201 A JP 8331201A JP 33120196 A JP33120196 A JP 33120196A JP H10170877 A JPH10170877 A JP H10170877A
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い繰り返しレートのスイッチングを可能に
し、かつ高い消光比を得る。 【解決手段】 伝導帯に３つ以上の量子準位を有し、フ
ェルミ準位が高くても伝導帯の第３量子準位の底には至
らないように電子が満たされた多重量子井戸からなるコ
アと、伝導帯の第１量子準位から第２量子準位への遷移
エネルギーに等しい光子エネルギーを有する制御光を入
射する手段と、伝導帯の第１量子準位から第２量子準位
への遷移エネルギーと、伝導帯の第２量子準位から第３
量子準位への遷移エネルギーとの間の光子エネルギーを
有し、制御光の入射による利得の変動が零またはほぼ零
となる信号光を入射する手段とを備える。
し、かつ高い消光比を得る。 【解決手段】 伝導帯に３つ以上の量子準位を有し、フ
ェルミ準位が高くても伝導帯の第３量子準位の底には至
らないように電子が満たされた多重量子井戸からなるコ
アと、伝導帯の第１量子準位から第２量子準位への遷移
エネルギーに等しい光子エネルギーを有する制御光を入
射する手段と、伝導帯の第１量子準位から第２量子準位
への遷移エネルギーと、伝導帯の第２量子準位から第３
量子準位への遷移エネルギーとの間の光子エネルギーを
有し、制御光の入射による利得の変動が零またはほぼ零
となる信号光を入射する手段とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、制御光により信号
光のスイッチングを直接制御する導波路型光−光スイッ
チに関する。なお、光−光スイッチは、構造が簡単で高
速動作が可能であるので、光信号処理装置において有用
である。
光のスイッチングを直接制御する導波路型光−光スイッ
チに関する。なお、光−光スイッチは、構造が簡単で高
速動作が可能であるので、光信号処理装置において有用
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の光−光スイッチとして使用されて
いる半導体光増幅器では、制御光により伝導帯と価電子
帯の電子数およびホール数（キャリア数）を変え、それ
により信号光の伝搬特性を変え、スイッチング動作を引
き起こす構造になっている。しかし、電子数およびホー
ル数の回復に要する時間は、材料固有の自然放出寿命お
よび非輻射再結合寿命により規定され、数ナノ秒であ
る。そのため、半導体光増幅器を用いた光−光スイッチ
は、高速で繰り返す光信号処理に適用することができな
かった。
いる半導体光増幅器では、制御光により伝導帯と価電子
帯の電子数およびホール数（キャリア数）を変え、それ
により信号光の伝搬特性を変え、スイッチング動作を引
き起こす構造になっている。しかし、電子数およびホー
ル数の回復に要する時間は、材料固有の自然放出寿命お
よび非輻射再結合寿命により規定され、数ナノ秒であ
る。そのため、半導体光増幅器を用いた光−光スイッチ
は、高速で繰り返す光信号処理に適用することができな
かった。
【０００３】また、半導体光増幅器では、キャリア数の
変化による屈折率変化とゲイン変化が独立ではない。両
者の比は線幅増大係数αlwで示され、通常は20以下であ
る（N.Storkfelt, et al.,"Measurement of Carrier Li
fetime and Linewidth Enhancement Factor for 1.5-μ
m Ridge-waveguide Laser Amplifier",IEEE PhotonicTe
chnology Letters, vol.3, p.632, (1991))。そのた
め、屈折率変化に伴いゲインが大きく変化し、十分な消
光比をとることができなかった。
変化による屈折率変化とゲイン変化が独立ではない。両
者の比は線幅増大係数αlwで示され、通常は20以下であ
る（N.Storkfelt, et al.,"Measurement of Carrier Li
fetime and Linewidth Enhancement Factor for 1.5-μ
m Ridge-waveguide Laser Amplifier",IEEE PhotonicTe
chnology Letters, vol.3, p.632, (1991))。そのた
め、屈折率変化に伴いゲインが大きく変化し、十分な消
光比をとることができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光増幅器
を用いた光−光スイッチでは、半導体のバンドのキャリ
ア（電子およびホール）数を制御光により変化させてい
るために、高速で繰り返す光信号を処理することができ
ない。また、屈折率の変化に伴いゲインが大きく変動す
る。
を用いた光−光スイッチでは、半導体のバンドのキャリ
ア（電子およびホール）数を制御光により変化させてい
るために、高速で繰り返す光信号を処理することができ
ない。また、屈折率の変化に伴いゲインが大きく変動す
る。
【０００５】本発明は、高い繰り返しレートのスイッチ
ングを可能にし、かつ高い消光比を得ることができる導
波路型光−光スイッチを提供することを目的とする。
ングを可能にし、かつ高い消光比を得ることができる導
波路型光−光スイッチを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の導波路型光−光
スイッチでは、第１量子準位と第２量子準位のエネルギ
ー差をＥ12、第２量子準位と第３量子準位のエネルギー
差をＥ23とした場合に、光子エネルギーＥ12の光を制御
光として用い、Ｅ12とＥ23の間の光子エネルギーＥS の
光を信号光として用いる。この制御光は、第１量子準位
の電子を第２量子準位に励起し、信号光に対する屈折率
を変えて信号光の伝搬状況を変化させる。
スイッチでは、第１量子準位と第２量子準位のエネルギ
ー差をＥ12、第２量子準位と第３量子準位のエネルギー
差をＥ23とした場合に、光子エネルギーＥ12の光を制御
光として用い、Ｅ12とＥ23の間の光子エネルギーＥS の
光を信号光として用いる。この制御光は、第１量子準位
の電子を第２量子準位に励起し、信号光に対する屈折率
を変えて信号光の伝搬状況を変化させる。
【０００７】ここで、サブバンド間遷移による吸収係数
を模式的に示す図１と、サブバンド間遷移による屈折率
を模式的に示す図２を参照して説明する。図中、ν12，
ν23，νS は、エネルギーＥ12，Ｅ23，ＥS の光の振動
数を表す。ただし、ここではＥ12＜Ｅ23として説明する
が、Ｅ12＞Ｅ23の場合についても同様である。図１(a)
および図２(a) は制御光非照射時であり、図１(b) およ
び図２(b) は制御光照射時である。点線は、第１量子
準位から第２量子準位への輻射遷移による量を示す。破
線は、第２量子準位から第３量子準位への輻射遷移に
よる量を示す。実線は、両者の和である。
を模式的に示す図１と、サブバンド間遷移による屈折率
を模式的に示す図２を参照して説明する。図中、ν12，
ν23，νS は、エネルギーＥ12，Ｅ23，ＥS の光の振動
数を表す。ただし、ここではＥ12＜Ｅ23として説明する
が、Ｅ12＞Ｅ23の場合についても同様である。図１(a)
および図２(a) は制御光非照射時であり、図１(b) およ
び図２(b) は制御光照射時である。点線は、第１量子
準位から第２量子準位への輻射遷移による量を示す。破
線は、第２量子準位から第３量子準位への輻射遷移に
よる量を示す。実線は、両者の和である。
【０００８】制御光照射により、キャリアが第１量子準
位から第２量子準位へ移るので、第１量子準位から第２
量子準位への遷移に対応する吸収係数や屈折率（絶対
値）は減少するが、第２量子準位から第３量子準位への
遷移に対応する吸収係数や屈折率（絶対値）は増大す
る。一方、吸収係数スペクトルは遷移の中心振動数に対
して対称であるが、屈折率スペクトルは中心振動数に対
して反対称である。ここで、ν12，ν23の間の振動数を
有するフォトンは、制御光照射による吸収係数の変化は
小さく、屈折率変化は大きくなる。信号光波長を適切に
選択すると、吸収係数変化をほとんど０にすることがで
きる。したがって、半導体光増幅器より桁違いに大きな
線幅増大係数αlwを実現することができる。これは、制
御光によるバンド間遷移では実現できない。
位から第２量子準位へ移るので、第１量子準位から第２
量子準位への遷移に対応する吸収係数や屈折率（絶対
値）は減少するが、第２量子準位から第３量子準位への
遷移に対応する吸収係数や屈折率（絶対値）は増大す
る。一方、吸収係数スペクトルは遷移の中心振動数に対
して対称であるが、屈折率スペクトルは中心振動数に対
して反対称である。ここで、ν12，ν23の間の振動数を
有するフォトンは、制御光照射による吸収係数の変化は
小さく、屈折率変化は大きくなる。信号光波長を適切に
選択すると、吸収係数変化をほとんど０にすることがで
きる。したがって、半導体光増幅器より桁違いに大きな
線幅増大係数αlwを実現することができる。これは、制
御光によるバンド間遷移では実現できない。
【０００９】また、制御光照射による屈折率変化は、サ
ブバンドの第１量子準位からサブバンドの第２量子準位
へのキャリア移動に基づく効果であり、数ピコ秒以下の
時間で制御光照射前の状態に戻る。したがって、 100Ｇ
bit/s 程度の高速動作が可能である。
ブバンドの第１量子準位からサブバンドの第２量子準位
へのキャリア移動に基づく効果であり、数ピコ秒以下の
時間で制御光照射前の状態に戻る。したがって、 100Ｇ
bit/s 程度の高速動作が可能である。
【００１０】
（第１の実施形態）図３は、本発明の導波路型光−光ス
イッチの第１の実施形態の断面構造を示す。図におい
て、導波路型光−光スイッチは、半導体基板１１、下部
クラッド層１２、多重量子井戸層１３、上部クラッド層
１４、リッジ部１５が積層された構成である。本実施形
態では、半導体基板１１としてＩnＰ 基板を用い、下部
クラッド層１２および上部クラッド層１４としてＩnＰ
を用いた。
イッチの第１の実施形態の断面構造を示す。図におい
て、導波路型光−光スイッチは、半導体基板１１、下部
クラッド層１２、多重量子井戸層１３、上部クラッド層
１４、リッジ部１５が積層された構成である。本実施形
態では、半導体基板１１としてＩnＰ 基板を用い、下部
クラッド層１２および上部クラッド層１４としてＩnＰ
を用いた。
【００１１】また、多重量子井戸層１３の構造は、 ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.0nm)／ Ｉn0.68Ｇa0.32Ａs0.7Ｐ0.3(0.935nm)／ ＡlＡs0.56Ｓb0.44(1.0nm)／ Ｉn0.68Ｇa0.32Ａs0.7Ｐ0.3(6.13nm)／ ＡlＡs0.56Ｓb0.44(1.0nm)／ Ｉn0.68Ｇa0.32Ａs0.7Ｐ0.3(0.935nm)／ ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.0nm) を基本構造として、それを70周期繰り返したものを使用
した。この多重量子井戸層のコンダクションバンドダイ
ヤグラムを図４に示す。
した。この多重量子井戸層のコンダクションバンドダイ
ヤグラムを図４に示す。
【００１２】図５は、第１の実施形態における多重量子
井戸層のサブバンド間エネルギーとサブバンド間の非輻
射緩和時間を示す。なお、これはフォトルミネッセンス
法を用いて計測したものである。多重量子井戸層には0.
41×1018／cm3 の濃度でＳi をドープし、ｎ型とした。
導波路長は30μｍとした。導波路の両端面には、反射率
0.1％以下になるような無反射コーティングを施した。
また、ストライプ幅は 1.5μｍとした。図に示すよう
に、第２サブバンドから第１サブバンドへの非輻射緩和
時間は 3.3ｐｓ、第３サブバンドから第２サブバンドへ
の非輻射緩和時間は 3.4ｐｓ、第３サブバンドから第１
サブバンドへの非輻射緩和時間は 3.9ｐｓであった。
井戸層のサブバンド間エネルギーとサブバンド間の非輻
射緩和時間を示す。なお、これはフォトルミネッセンス
法を用いて計測したものである。多重量子井戸層には0.
41×1018／cm3 の濃度でＳi をドープし、ｎ型とした。
導波路長は30μｍとした。導波路の両端面には、反射率
0.1％以下になるような無反射コーティングを施した。
また、ストライプ幅は 1.5μｍとした。図に示すよう
に、第２サブバンドから第１サブバンドへの非輻射緩和
時間は 3.3ｐｓ、第３サブバンドから第２サブバンドへ
の非輻射緩和時間は 3.4ｐｓ、第３サブバンドから第１
サブバンドへの非輻射緩和時間は 3.9ｐｓであった。
【００１３】（第２の実施形態）本発明の導波路型光−
光スイッチの第２の実施形態の断面構造は、図３に示す
ものとほぼ同じである。ただし、多重量子井戸構造と導
波路長が異なっている。多重量子井戸層１３の構造は、 ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.25nm) ／ Ｉn0.53Ｇa0.47Ａs(5.5 nm) ／ ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.25nm) を基本構造として、それを70周期繰り返したものを使用
した。この多重量子井戸層のコンダクションバンドダイ
ヤグラムを図６に示す。
光スイッチの第２の実施形態の断面構造は、図３に示す
ものとほぼ同じである。ただし、多重量子井戸構造と導
波路長が異なっている。多重量子井戸層１３の構造は、 ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.25nm) ／ Ｉn0.53Ｇa0.47Ａs(5.5 nm) ／ ＡlＡs0.56Ｓb0.44(5.25nm) を基本構造として、それを70周期繰り返したものを使用
した。この多重量子井戸層のコンダクションバンドダイ
ヤグラムを図６に示す。
【００１４】図７は、第２の実施形態における多重量子
井戸層のサブバンド間エネルギーとサブバンド間の非輻
射緩和時間を示す。なお、これはフォトルミネッセンス
法を用いて計測したものである。多重量子井戸層には
0.4×1018／cm3 の濃度でＳi をドープし、ｎ型とし
た。導波路長は 200μｍとした。導波路の両端面には、
反射率 0.1％以下になるような無反射コーティングを施
した。また、ストライプ幅は 1.5μｍとした。図に示す
ように、第２サブバンドから第１サブバンドへの非輻射
緩和時間は 3.2ｐｓ、第３サブバンドから第２サブバン
ドへの非輻射緩和時間は 3.6ｐｓ、第３サブバンドから
第１サブバンドへの非輻射緩和時間は 4.0ｐｓであっ
た。
井戸層のサブバンド間エネルギーとサブバンド間の非輻
射緩和時間を示す。なお、これはフォトルミネッセンス
法を用いて計測したものである。多重量子井戸層には
0.4×1018／cm3 の濃度でＳi をドープし、ｎ型とし
た。導波路長は 200μｍとした。導波路の両端面には、
反射率 0.1％以下になるような無反射コーティングを施
した。また、ストライプ幅は 1.5μｍとした。図に示す
ように、第２サブバンドから第１サブバンドへの非輻射
緩和時間は 3.2ｐｓ、第３サブバンドから第２サブバン
ドへの非輻射緩和時間は 3.6ｐｓ、第３サブバンドから
第１サブバンドへの非輻射緩和時間は 4.0ｐｓであっ
た。
【００１５】図８は、第１の実施形態の導波路型光−光
スイッチを用いた光−光スイッチング装置の構成を示
す。ここでは、信号光の波長は 2.945μｍとし、制御光
の波長は 3.194μｍとした。図において、半導体ＤＦＢ
レーザ（ＬＤ）２１から出射された波長1.55μｍの連続
光は、アイソレータ２２を介して光パラメトリック共振
器２３に入射され、波長 2.945μｍの信号光に変換され
る。この信号光は、アッテネータ２４で光強度が調整さ
れてマッハツェンダ干渉計に入射される。マッハツェン
ダ干渉計の一方のアームにはアッテネータ２５と光遅延
素子２６が配置され、他方のアームには光カプラ２７と
本発明の導波路型光−光スイッチ２８が配置される。ア
ッテネータ２５は、両方のアームの減衰が同一になるよ
うに設定される。導波路型光−光スイッチ２８における
減衰は６dBであった。また、光遅延素子２６は、導波路
型光−光スイッチ２８に制御光が入射されていない状態
での信号光に対する両アームの位相差が０になるように
設定される。
スイッチを用いた光−光スイッチング装置の構成を示
す。ここでは、信号光の波長は 2.945μｍとし、制御光
の波長は 3.194μｍとした。図において、半導体ＤＦＢ
レーザ（ＬＤ）２１から出射された波長1.55μｍの連続
光は、アイソレータ２２を介して光パラメトリック共振
器２３に入射され、波長 2.945μｍの信号光に変換され
る。この信号光は、アッテネータ２４で光強度が調整さ
れてマッハツェンダ干渉計に入射される。マッハツェン
ダ干渉計の一方のアームにはアッテネータ２５と光遅延
素子２６が配置され、他方のアームには光カプラ２７と
本発明の導波路型光−光スイッチ２８が配置される。ア
ッテネータ２５は、両方のアームの減衰が同一になるよ
うに設定される。導波路型光−光スイッチ２８における
減衰は６dBであった。また、光遅延素子２６は、導波路
型光−光スイッチ２８に制御光が入射されていない状態
での信号光に対する両アームの位相差が０になるように
設定される。
【００１６】一方、カラーセンサレーザ（ＣＳＬ）２９
から出射された波長 1.532μｍの超短パルス光は、アイ
ソレータ３０を介して光パラメトリック共振器３１に入
射され、波長 3.194μｍの超短パルス光に変換される。
この超短パルス光は、平面光波回路３２で繰り返し 100
Ｇbit/s の光パルス列に多重化され、制御光に変換され
る。この制御光は、アッテネータ３３で光強度が調整さ
れ、マッハツェンダ干渉計の他方のアームに配置された
光カプラ２７を介して導波路型光−光スイッチ２８に入
射される。
から出射された波長 1.532μｍの超短パルス光は、アイ
ソレータ３０を介して光パラメトリック共振器３１に入
射され、波長 3.194μｍの超短パルス光に変換される。
この超短パルス光は、平面光波回路３２で繰り返し 100
Ｇbit/s の光パルス列に多重化され、制御光に変換され
る。この制御光は、アッテネータ３３で光強度が調整さ
れ、マッハツェンダ干渉計の他方のアームに配置された
光カプラ２７を介して導波路型光−光スイッチ２８に入
射される。
【００１７】導波路型光−光スイッチ２８に制御光が入
射されていない状態では、マッハツェンダ干渉計で分配
された信号光は再び合波され、光バンドパスフィルタ３
４を通過してフォトディテクタ（ＰＤ）３５に入射され
る。一方、導波路型光−光スイッチ２８に制御光が入射
された状態では、信号光に対する屈折率が増加し、マッ
ハツェンダ干渉計で分配された信号光が再び合波される
ときに位相が互いに異なったものとなり、合波後の信号
光強度は減少する。これが、制御光パルスによる信号光
スイッチングの機構である。光バンドパスフィルタ３４
は、制御光を透過させないので、制御光パルスはフォト
ディテクタ（ＰＤ）３５に到達しない。ここで用いた導
波路型光−光スイッチ２８の線幅増大係数αlwは 180以
上であった。この導波路型光−光スイッチ２８の入射端
における制御光のピーク強度は10ＭＷ/cm2とし、信号光
強度は 100ｋＷ/cm2とした。
射されていない状態では、マッハツェンダ干渉計で分配
された信号光は再び合波され、光バンドパスフィルタ３
４を通過してフォトディテクタ（ＰＤ）３５に入射され
る。一方、導波路型光−光スイッチ２８に制御光が入射
された状態では、信号光に対する屈折率が増加し、マッ
ハツェンダ干渉計で分配された信号光が再び合波される
ときに位相が互いに異なったものとなり、合波後の信号
光強度は減少する。これが、制御光パルスによる信号光
スイッチングの機構である。光バンドパスフィルタ３４
は、制御光を透過させないので、制御光パルスはフォト
ディテクタ（ＰＤ）３５に到達しない。ここで用いた導
波路型光−光スイッチ２８の線幅増大係数αlwは 180以
上であった。この導波路型光−光スイッチ２８の入射端
における制御光のピーク強度は10ＭＷ/cm2とし、信号光
強度は 100ｋＷ/cm2とした。
【００１８】図９は、フォトディテクタ３５で測定した
信号光強度の時間変化を示す。制御光（100Ｇbit/s）の
入射により信号光強度が減少し、スイッチングが行われ
ていることがわかる。本発明の導波路型光−光スイッチ
２８では、サブバンド間遷移に基づいて屈折率を変化さ
せているので、従来のバンド間遷移に基づいて屈折率を
変化させる素子に比べて、光励起後の状態の回復が高速
であるので、図に示すように繰り返しレートが高いスイ
ッチングが可能である。また、図では高い消光比を示し
ているが、これはサブバンド間遷移に基づいて屈折率を
変化させているので、吸収係数の変化がほとんどないた
めである。
信号光強度の時間変化を示す。制御光（100Ｇbit/s）の
入射により信号光強度が減少し、スイッチングが行われ
ていることがわかる。本発明の導波路型光−光スイッチ
２８では、サブバンド間遷移に基づいて屈折率を変化さ
せているので、従来のバンド間遷移に基づいて屈折率を
変化させる素子に比べて、光励起後の状態の回復が高速
であるので、図に示すように繰り返しレートが高いスイ
ッチングが可能である。また、図では高い消光比を示し
ているが、これはサブバンド間遷移に基づいて屈折率を
変化させているので、吸収係数の変化がほとんどないた
めである。
【００１９】また、第２の実施形態の導波路型光−光ス
イッチを用いた光−光スイッチング装置では、信号光の
波長は 1.893μｍとし、制御光の波長は 2.673μｍとし
た。この波長の変更には、光パラメトリック共振器２
３，３１の動作条件を変更することにより容易に対応で
きる。信号光強度は 100ｋＷ/cm2とした。本実施形態で
は、制御光のピーク強度を25ＭＷ/cm2まで増加すると完
全なスイッチングが得られ、制御光の入射により信号光
は完全に消光した。また、そのときの線幅増大係数αlw
は1800以上であった。
イッチを用いた光−光スイッチング装置では、信号光の
波長は 1.893μｍとし、制御光の波長は 2.673μｍとし
た。この波長の変更には、光パラメトリック共振器２
３，３１の動作条件を変更することにより容易に対応で
きる。信号光強度は 100ｋＷ/cm2とした。本実施形態で
は、制御光のピーク強度を25ＭＷ/cm2まで増加すると完
全なスイッチングが得られ、制御光の入射により信号光
は完全に消光した。また、そのときの線幅増大係数αlw
は1800以上であった。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導波路型
光−光スイッチは、多重量子井戸のサブバンド間遷移に
基づく屈折率変化を利用することにより、高い繰り返し
レートのスイッチングを可能にし、かつ高い消光比を得
ることができる。
光−光スイッチは、多重量子井戸のサブバンド間遷移に
基づく屈折率変化を利用することにより、高い繰り返し
レートのスイッチングを可能にし、かつ高い消光比を得
ることができる。
【図１】サブバンド間遷移による吸収係数を模式的に示
す図。
す図。
【図２】サブバンド間遷移による屈折率を模式的に示す
図。
図。
【図３】本発明の導波路型光−光スイッチの第１の実施
形態の断面構造を示す図。
形態の断面構造を示す図。
【図４】第１の実施形態における多重量子井戸層のコン
ダクションバンドダイヤグラム。
ダクションバンドダイヤグラム。
【図５】第１の実施形態における多重量子井戸層のサブ
バンド間エネルギーとサブバンド間の非輻射緩和時間を
示す図。
バンド間エネルギーとサブバンド間の非輻射緩和時間を
示す図。
【図６】第２の実施形態における多重量子井戸層のコン
ダクションバンドダイヤグラム。
ダクションバンドダイヤグラム。
【図７】第２の実施形態における多重量子井戸層のサブ
バンド間エネルギーとサブバンド間の非輻射緩和時間を
示す図。
バンド間エネルギーとサブバンド間の非輻射緩和時間を
示す図。
【図８】第１の実施形態の導波路型光−光スイッチを用
いた光−光スイッチング装置の構成を示すブロック図。
いた光−光スイッチング装置の構成を示すブロック図。
【図９】フォトディテクタ３５で測定した信号光強度の
時間変化を示す図。
時間変化を示す図。
１１ 半導体基板 １２ 下部クラッド層 １３ 多重量子井戸層 １４ 上部クラッド層 １５ リッジ部 ２１ 半導体ＤＦＢレーザ（ＬＤ） ２２，３０ アイソレータ ２３，３１ 光パラメトリック共振器 ２４，２５，３３ アッテネータ ２６ 光遅延素子 ２７ 光カプラ ２８ 導波路型光−光スイッチ ２９ カラーセンサレーザ（ＣＳＬ） ３２ 平面光波回路 ３４ 光バンドパスフィルタ ３５ フォトディテクタ（ＰＤ）
Claims (1)
- 【請求項１】 伝導帯に３つ以上の量子準位を有し、フ
ェルミ準位が高くても伝導帯の第３量子準位の底には至
らないように電子が満たされた多重量子井戸からなるコ
アと、 前記伝導帯の第１量子準位から第２量子準位への遷移エ
ネルギーに等しい光子エネルギーを有する制御光を入射
する手段と、 前記伝導帯の第１量子準位から第２量子準位への遷移エ
ネルギーと、前記伝導帯の第２量子準位から第３量子準
位への遷移エネルギーとの間の光子エネルギーを有し、
前記制御光の入射による利得の変動が零またはほぼ零と
なる信号光を入射する手段とを備えたことを特徴とする
導波路型光−光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33120196A JP3503858B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 導波路型光−光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33120196A JP3503858B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 導波路型光−光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170877A true JPH10170877A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3503858B2 JP3503858B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=18241030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33120196A Expired - Fee Related JP3503858B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | 導波路型光−光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503858B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056392A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-18 | Japan Science And Technology Corporation | Optical semiconductor element utilizing optical transition between zno heterostructure sub-bands |
| JP2010211099A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | National Institute Of Information & Communication Technology | 光フィルタ |
-
1996
- 1996-12-11 JP JP33120196A patent/JP3503858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056392A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-18 | Japan Science And Technology Corporation | Optical semiconductor element utilizing optical transition between zno heterostructure sub-bands |
| US6812483B2 (en) | 2001-01-05 | 2004-11-02 | Japan Science And Technology Agency | Optical semiconductor element utilizing optical transition between ZnO heterostructure sub-bands |
| JP2010211099A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | National Institute Of Information & Communication Technology | 光フィルタ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3503858B2 (ja) | 2004-03-08 |
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