JPH10172166A

JPH10172166A - 記録再生用光メモリヘッド

Info

Publication number: JPH10172166A
Application number: JP8328689A
Authority: JP
Inventors: Akiya Goto; 顕也後藤
Original assignee: Tokai University
Current assignee: Tokai University
Priority date: 1996-12-09
Filing date: 1996-12-09
Publication date: 1998-06-26
Anticipated expiration: 2016-12-09
Also published as: JP3656345B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光メモリディスク装置における大容量の情報
を垂直共振器表面発光半導体レーザにより光記録媒体及
び光磁気記録媒体に記録再生すること。【解決手段】レーザ光を照射するコア７の超微細先端
８を上部に有する光ファイバ片５と、該光ファイバ片５
の下部を取付けたレーザ光送出部３を有する垂直共振器
表面発光半導体レーザ素子１とからなること。該垂直共
振器表面発光半導体レーザ素子１を格子状に複数配列し
て垂直共振器表面発光半導体レーザアレイＡとしてなる
こと。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の所属する技術分野】本発明は、光メモリディス
ク装置における大容量の情報を垂直共振器表面発光半導
体レーザにより光記録媒体及び光磁気記録媒体に記録再
生する記録再生用光メモリヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録再生装置における従来の光メモリ
ヘッドは、レーザダイオード，すなわち半導体レーザが
発振して放つレーザを、レンズのような収束光学素子を
用いて収束させることによってビームスポットを形成
し、該ビームスポットをＣＤやＤＶＤなどのＲＯＭディ
スクや光記録媒体又は光磁気記録媒体に照射し、又はそ
の反射光を検出して情報の再生あるいは記録を行うもの
である。具体的には、直径約１ [μm]程度の微小な前記
ビームスポットを形成することにより、107 〜108[bit/
cm²]程度の記録密度が実用化されている。

【０００３】前記光メモリヘッドは、前記光記録媒体信
号自身あるいは媒体に設けられたトラッキングガイドに
反射した反射光（トラッキング信号）を検出し、アクチ
ュエータ（ビーム位置を動かす装置）によって [O.1 μ
m]のオーダでトラッキング制御される。この場合、記録
再生で使用されるレーザダイオード等は主に１個であ
る。また、発光手段として、垂直共振器表面発光半導体
レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が
電気通信分野に使用されている例はあるが、これを光メ
モリディスク記録再生装置に適用した例はない。これ
は、最近開発されたばかりであり主として価格が高いと
の理由のためである。従来の光メモリディスク記録再生
装置は、前記光記録媒体に非接触にて行うことを特徴と
する浮上式ヘッド方式が殆どであり、前記光記録媒体と
前記光メモリヘッドが潤滑剤を介して接触しながら記録
再生を行うコンタクトヘッド方式を利用したものはなか
った。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の光メモリディス
ク記録再生装置は、前記ビームスポットの直径が小さい
程、多量の情報を光記録媒体等に記録することができる
が、しかし、収束光学素子を用いる従来の古典的な幾何
光学原理に従った光メモリヘッドであるため、光の波長
による回折限界の制限によって、使用される光の波長の
数分の一程度の直径までしか前記レーザ光を収束させる
ことができない。従って、日常最も使われる直径１２０
[mm]の光記録媒体においても、高々１０[GB]の記録容量
しか確保できず、今日のマルチメディア通信のメモリな
ど急進的技術的進歩を強力に支持するために更なる記録
容量を確保できる画期的な光メモリヘッドの登場が切望
されていた。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そこで発明者は、前記課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、その発明を、レ
ーザ光を照射するコアの超微細先端を有する光ファイバ
と、該光ファイバの下部を取付けたレーザ光送出部を有
する垂直共振器表面発光半導体レーザ素子とからなり、
該垂直共振器表面発光半導体レーザ素子を格子状に複数
配列して垂直共振器表面発光半導体レーザアレイとして
なる記録再生用光メモリヘッドとすることで、前記課題
を解決したものである。このように、本発明は、レンズ
に代表される前記収束光学素子には必須である光学原理
的限界を排除し、飛躍的な大容量光メモリディスク記録
再生装置を開発するため、垂直共振器表面発光半導体レ
ーザなる（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）
素子を従来のレーザダイオードに代えて採用し、記録媒
体との間隔を約１０[nm]に保つコンタクトヘッド方式と
することで、課題を解決したものである。

【０００６】なお、本明細書中においては、前述のレー
ザダイオード，すなわち半導体レーザが発振して放つレ
ーザ光、又は出力部に超微細先端を有する垂直共振器表
面発光半導体レーザが放つエバネッセント波等の、レー
ザ発振素子により生成された全てのレーザ波をレーザ光
と称することとする。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、光メモリヘッドとして用いる垂直
共振器表面発光半導体レーザなる VCSEL（Vertical Cav
ity SurfaceEmitting Laser :以下「VCSEL 」という）
素子１を格子状とした一部拡大斜視図である。該 VCSEL
素子１は、多層反射膜とレーザ活性層とを含む所定厚さ
の基板部２と、該基板部２の裏面側に、レーザ光が送出
されるレーザ光送出部３（突起状部を設けることがあ
る）とからなり、該レーザ光送出部３の直上部の基板部
２には、半球面状又は穴状の凹部４が形成されている。

【０００８】５は光ファイバ片であって、僅かな高さを
有し、外部のクラッド６と、内部のコア７とからなり、
下端側は、コア７のみが露出され、上端側は、該コア７
の中央部には、円錐形状の超微細先端８が突出されてい
る。このように形成した光ファイバ片５の下端側のコア
７が、前記基板部２上の凹部４に埋設され、接着剤等に
よって固定されている。これによって、レーザ光送出部
３内から発生した只１本のエバネッセント光は垂直上方
を向き、前記超微細先端８を介して記録媒体に照射され
るように設けられている。

【０００９】図２は、前記 VCSEL素子１の断面図であ
る。該 VCSEL素子１は、レーザ光送出部３と基板部２と
で構成されている。前記レーザ光送出部３の裏面には、
光が漏れないように１０[nm]から１００[nm]厚程度の金
薄膜がコーティングされている。ここで、コーティング
材料を含む該 VCSEL素子１を形成する材料はn-AlGaAs/G
aAs 及びp-AlGaAs/GaAs などの一般的なものであるが、
レーザ出力の改善等のため、これらと類似又は異なる物
性材料をもって形成されることもできるものとする。前
記超微細先端８は、レーザ発振光の真空中における波長
と同等又はこれ以下又はこれ以上となるように形成さ
れ、大きい場合は、前記コア７の直径と同等に形成され
ることもある（図１の二点鎖線部参照）。

【００１０】前記 VCSEL素子１の複数が格子状に一定間
隔に配列されたものが、垂直共振器表面発光半導体レー
ザアレイＡであり、簡略して称すると、 VCSELアレイＡ
である。該 VCSELアレイＡを実際に製造するには、複数
の VCSEL素子１，１，…を接合して配列させるのではな
く、通常のエピタキシャル成長法等によって VCSEL素子
１，１，…を格子状に同時に形成する方法が取られてい
る。概念としては、 VCSELアレイＡは、複数の VCSEL素
子１，１，…が接合されて配列させるものである。

【００１１】同一行に配置された前記 VCSEL素子１の超
微細先端８から発射される一列をなすレーザ光は、図示
されていない光記録媒体又は光磁気記録媒体の記録層上
に、その一列の素子の数だけビーム軌跡を形成する。本
明細書において、前記 VCSELアレイＡの行とは光記録媒
体の回転の接線の方向に沿った一列を、その列とは光記
録媒体の半径方向に沿った一列をそれぞれいうものとす
る。

【００１２】また、その同列の VCSELアレイＡからは、
同列の数だけのレーザ光が紙面垂直上方に向かって発射
される、前記 VCSELアレイＡと対向して配置される図示
しない光記録媒体の記録層上に、同列の数だけビームス
ポットを形成する。該光記録媒体は回転して情報の記録
再生がなされるものであるから、その記録層上には前記
５本のレーザ光の軌跡が描かれる。しかし、前記光記録
媒体の回転の接線と前記 VCSELアレイＡにおける行方向
とが平行となるように、前記光記録媒体と前記VCSELア
レイＡが配置されている場合は、前記複数のビームスポ
ットが記録層上で描く軌跡は重なりあって１本になって
しまう。

【００１３】そこで、前記 VCSELアレイＡを光記録媒体
の回転の接線に対して所定の微小角度傾ける。すると、
前記同列の複数のビームスポットは、同列かつ隣り合う
行に配置された２つの前記 VCSEL素子１が形成する２個
のビームスポットの間に難なく納めることができる。以
上の作用に基づき、前記 VCSELアレイＡにおける VCSEL
素子１の個数を更に増やして、同時に記録再生可能なト
ラック数を増大した実施例について、図面に基づいて以
下に述べる。なお、本明細書中における「光記録媒体」
とは、いわゆる一度のみ記録可能な光媒体であるライト
ワンスディスク（ＷＯ光ディスク）や読出専用光ディス
ク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ）、書換可能な光記
録媒体である相変化光ディスク（ＰＣ）やフォトンモー
ド記録媒体を含む光ディスクの総称であり、光磁気記録
媒体とは、いわゆる光磁気ディスク（ＭＯ）等の総称と
する。

【００１４】次に、図５に示したものは、本発明の記録
用の VCSELアレイＡヘッドで記録された情報を再生する
ためのものであり、これは、前記 VCSEL素子１のレーザ
発振の有無を監視し、その有無を二値情報に対応させる
ことで前記光記録媒体に記録されている情報を読み取
る。具体的には、前記光記録媒体に記録された情報ビッ
トの有無に応じて、例えば該情報ビットが存在するとき
は、該情報ビットを高い反射率を有する結晶状態として
おけば、該情報ビットに反射した光が前記超微細先端８
を通じて前記 VCSELアレイＡ中に入射し、前記 VCSEL素
子１を励起させてレーザ発振ならしめる。反対に、前記
情報ビットが存在しないときは、該情報ビットを低い反
射率を有するアモルファス状態としておけば、該情報ビ
ットに反射した光が前記超微細先端８を通じて前記 VCS
EL素子１に入射しても該 VCSEL素子１をレーザ発振なら
しめる程の効果を生じない。したがって、前記レーザ発
振の有無を監視し、これらを二値情報に対応させること
で、記録用の VCSELアレイＡヘッドで記録された情報を
読み取ることができる。

【００１５】そのための手段として、各レーザ共振器の
Ｑ値を下げるため、前記レーザ光出力部のミラーに反射
防止膜をコーティングする。更に、光の透過を防ぐため
の金属薄膜等を前記超微細先端８以外の前記レーザ光出
力部３の下面にコーティングする。ここで前記超微細先
端８は、直径１０[nm]程度とし、前述の要領で設ける。
各 VCSEL素子１には注入電流を流しておく。前記超微細
先端８の上方に、光記録媒体等の記録層に記録された低
反射率情報ビットが位置しても、これによる反射光によ
って前記 VCSEL素子１が励起されない程度に前記注入電
流を調整しておけば、前述のメカニズムで光記録媒体に
記録された情報ビットを読み取ることが可能になる。な
お、ここでは説明のため記録用光メモリヘッドと再生用
光メモリヘッドを別個に記載したが、記録と再生とで前
記光メモリヘッドを共用することも可能である。

【００１６】従来の発光ダイオード等を用いた光メモリ
ディスク記録再生装置において、従来のヘッド部を本発
明の前記記録再生用光メモリヘッドに代え、従来のアク
チュエータを１０[nm]の精度を有する従来のマイクロア
クチュエータに代え、従来技術の空気流浮上式ヘッドあ
るいは従来技術の電磁力・バネによる浮上式ヘッドを従
来技術のコンタクトヘッド方式として採用すれば、本発
明の実施の形態として、理想的な光メモリディスク記録
再生装置を構成することができる。ここで、コンタクト
ヘッド方式とは、記録再生用光メモリヘッドを、潤滑剤
を介して光記録媒体等に接触させてなる記録再生方式で
あり、その実施の形態の概念図を図５に示す。光記録媒
体等は、その光ディスク基板９上の記録面を上にして水
平に置かれる。その記録面なる光ディスク基板９の表面
には厚さ５〜１０[nm]程度の光記憶媒体層１０が設けら
れており、これらはSi3N4 やSiO2等で形成されているこ
とが望ましい。更に該光記憶媒体層１０の表面には厚さ
１[nm]以下のパーフロロポリエーテル等の潤滑剤による
薄膜１１が形成されている。前記光メモリヘッド部は、
前記レーザ光送出部３が上に向くように逆さまにされた
前記 VCSELアレイＡを有しており、底面に設けられた、
直径約１００ [μm]の、２箇所の円形リーディングパッ
ド１２及び１箇所の円形トレーリングパッド１３の計３
点のみによって、前記潤滑剤を介して光記録媒体上で支
持され、上方からは市販のものに穴空け加工を施したサ
スペンションによって軽く押えられている。このように
すると前記円形トレーリングパッド１３及び円形リーデ
ィングパッド１２の周囲に、前記潤滑剤の表面張力によ
って、所謂メニスカスが形成される。このメニスカスの
張力によって、前記光記録媒体等が回転する際の跳躍量
が逓減され、光記録再生が安定的に行われる。このよう
な記録再生方式をコンタクトヘッド方式という。

【００１７】次に、前記光メモリヘッドに、所謂λ／４
膜１５、及びファラデーローテータ膜１６を形成する
と、理想的な光磁気メモリヘッドを構成することができ
る。再生記録方法は従来技術と同じであるが、図６に基
づいて、前記 VCSELアレイＡを光磁気記録再生に応用し
た場合の概要を記す。前記 VCSEL素子１において、n-Al
GaAs/GaAs 多層反射ミラーとレーザ活性層とからなる基
板部２の間に、ECR スパッタ等によってコートされた、
配向性を有するいわゆるλ／４膜１５、及びファラデー
ローテータ膜１６を形成する。前記 VCSEL素子１でＴＥ
波が生成されたとすると、該ＴＥ波がλ／４膜を経て光
磁気記録媒体にて反射し、再びλ／４膜に入射してレー
ザ活性層に戻ったときに光波の電界成分はＴＥ波と９０
°振動方向が異なるＴＭ波となる。光磁気記録媒体に磁
化方向の向きの違いによる情報ビットが記録されていれ
ば、光ディスク媒体で反射された前記 VCSELアレイＡ内
で発生しているＴＥ，ＴＭ波間に位相差が現われる。こ
こで、該多層反射ミラーとGaAs基板の間にはショットキ
ーダイオードが挿入されており、光磁気膜の磁化方向に
応じて二つの光波のための周波数に相当する高周波が生
成される。従来技術と同様、この高周波を検出すること
により情報の記録再生を行うものである。なお、本光磁
気メモリヘッドを構成する場合は記録用に磁性体を必要
とするので、前記記録用及び再生用 VCSELアレイＡの側
周囲を、光磁気光学記録に必要な磁石又は磁性体で覆っ
ていてファラデー光学素子の磁界と光磁気光学記録用磁
界とを兼用にする。

【００１８】次に、本発明の前記光メモリヘッドにおけ
る故障素子補償アレイを設けたことを特徴とする光メモ
リヘッドの作用的概念図を図８に示す。前記 VCSELアレ
イＡにおいていくつかの VCSEL素子１が故障した場合、
新しい VCSELアレイＡに交換せずに、故障した素子を他
の VCSEL素子１で代替する。即ち、前記 VCSELアレイＡ
と同一の VCSELアレイＡを予備的にもう一つ設けてお
く。具体的には、第１の前記 VCSELアレイＡと、それと
同一な予備のものを第２の VCSELアレイＡとし、第１の
VCSELアレイＡにおける故障素子が第１行１０列目にあ
る場合を（１，１０）と表わすことにすれば、第２の
VCSELアレイＡにおいてそれと対応する補償素子は第１
行１０列目、すなわち（１，１０）と表わせる。第１
の VCSELアレイＡの（１，１０）のレーザ光が光記録
媒体上に描く軌跡は、第２の VCSELアレイＡの（１，
１０）のレーザ光の軌跡と同一であるから、図示されて
いない信号制御部等によって、第１の VCSELアレイＡの
（１，１０）の故障を検出すると同時に正常な第２の
VCSELアレイＡの（１，１０）の VCSEL素子１を補償
用に供するものである。

【００１９】

【実施例】図４は、本発明の光メモリヘッドに供する V
CSELアレイＡであり、該 VCSELアレイＡは、複数の VCS
EL素子１と個別電極と共通電極からなり、該 VCSEL素子
１は、基板部２とレーザ光送出部３と超微細先端８付き
光ファイバ片５とで構成されている。前記 VCSEL素子１
は、光ファイバ片５の直径を１５０ [μm]、各光ファイ
バ片５，５の間隔１ [μm]とする格子状の正方行列をな
すことが理想的である。ここでは、最適な構成として、
図４に示すように、Ｘ軸方向に１００個の、Ｙ軸方向に
も１００個の格子状の正方行列となるように VCSEL素子
１を配列する。各 VCSEL素子１の光ファイバ片５の中央
には直径１０[nm]程度の超微細先端８が設けられてい
る。該超微細先端８は、シリコン−ナイトライド固体結
晶等をエッチングして複数の針状アレイを形成して設け
ることができる。該超微細先端８は、前記 VCSEL素子１
が生成するエバネッセント光波を光ビームとして外部に
発射するための先端窓として機能するものである。

【００２０】図４の１００行１００列の VCSELアレイＡ
が光記録媒体に情報を記録する作用図でもある。前記 V
CSELアレイＡは、前述のように前記超微細先端８を上に
して水平の状態にされ、その微小距離上方に光記録媒体
が、記録層が平行かつ対向するように配置されているも
のとする。前記１００行１００列の VCSELアレイＡが垂
直上方に発射する合計１００００本のレーザ光は、前記
光記録媒体の記録層に幅約１５０００ [μm]に亘って合
計１００００個のビームスポットを形成する。ただし、
図４に示されるように、前記 VCSELアレイＡの横方向１
本あたりの VCSEL素子１の数は１００であるから、これ
らがなす１００本の光ビ−ムの幅はおよそ１０[nm]×１
００、即ち１[ μm]となり、光ファイバ片５の直径に比
して極めて狭いものである。従って、１群にまとまった
１００本の光ビ−ムが約１[ μm]の幅を形成し、それが
約１４９[ μm]の間隔で配置されることになるので、ト
ラック間隔は疎になる。なお、該ビームスポットが当た
った点は、通常の光記録媒体における記録方法と同様
に、その記録層の材料によって反射率の変化あるいは変
色が生じるので、これを２値信号に対応させる周知方法
にて情報を記録する。

【００２１】ここで、図４のように、前記 VCSELアレイ
Ａを前記光記録媒体の回転の接線（タンジェンシャル方
向）に対して微小角度傾けて設置すると、前記光記録媒
体の記録層上に、重ならない連続した１００００個のビ
ームスポットによる１００００本の軌跡を描くことが可
能になる。具体的には、幅１５０００ [μm]をなす１０
０００本のビームスポットを形成する前記１００行１０
０列の VCSELアレイＡを、前記光記録媒体の回転の接線
方向（タンジェンシャル方向）に対してθ＝arctan( １
５１／１５０９９) ＝約０．５７３度傾けて設置する。
すると、前記光記録媒体の記録層上に、、重ならない連
続した１００００本の軌跡を描くことができる。この状
態で各 VCSEL素子１の入出力信号を個別に高速パルス変
調すれば、一度に１００００トラック分、即ち１０００
０[bit] の情報を同時に記録再生することができる。し
たがって、前記光記録媒体等の記録層に照射された幅１
５０００ [μm]をなす１００００本の前記レーザビーム
は、ディスク接線速度が１０[mm/sec]の場合で、１トラ
ックで１〔Ｍbit/s]、すなわち１００００トラックであ
るから１０Ｇ [bit/s]のデータ転送速度を実現する。結
果として直径１２０[mm]の光記録媒体においては合計で
約１ [ＴByte] の情報を記録することができる。

【００２２】ここで、前記 VCSELアレイＡを傾ける際の
微小角度の求め方について説明する。前記 VCSELアレイ
Ａにおいて、光記録媒体の半径方向（列方向）に並んだ
VCSEL素子１の数をＮ、光記録媒体の回転の接線方向
（行方向）に並んだ VCSEL素子１の数をＭとして、前記
VCSELアレイＡ素子の光ファイバ片５の直径をＤ、列方
向における隣接するコア７，７の内間隔をＥ、行方向に
おける隣接するコア７，７の内間隔をＦとすれば、前記
VCSELアレイＡの行方向の外端間の長さは、ＭＤ＋（Ｍ
−１）Ｆと、列方向の外端間の長さはＮＤ＋（Ｎ−１）
Ｅと表わされる。また、列方向の隣接するコア７，７の
１つの内間隔は、Ｅ＋Ｄとなる。これより、前記 VCSEL
アレイＡの放射するＭ×Ｎ本のレーザ光全てが連続して
重なることなく軌跡を描くことができるときの、前記光
記録媒体等の回転の接線となす角度θは、最大で、θ=a
rctan ｛（Ｄ＋Ｅ）／〔ＭＤ＋（Ｍ−１）Ｆ〕｝とな
る。ただしθは、前記 VCSELアレイＡの行方向と、前記
光記録媒体の回転の接線方向とがなす角とする。特に、
図７の場合には、光ファイバ片５，５，…を千鳥状に束
ねたものであり、この場合の列方向における隣接するコ
ア７，７の垂直方向の内間隔をＥとすると、斜めの列方
向の外端間の長さはＮＤ−（Ｎ−１）Ｅとなり、行方向
及びただし書き等は前述と同じであり、この場合の光記
録媒体等の回転の接線となす角度θは、最大で、θ=arc
tan ｛（Ｄ−Ｅ）／〔ＭＤ＋（Ｍ−１）Ｆ〕｝となる。

【００２３】

【発明の効果】請求項１の発明では、レーザ光を照射す
るコア７の超微細先端８を上部に有する光ファイバ片５
と、該光ファイバ片５の下部を取付けたレーザ光送出部
３を有する垂直共振器表面発光半導体レーザ素子１とか
らなり、該垂直共振器表面発光半導体レーザ素子１を格
子状に複数配列して垂直共振器表面発光半導体レーザア
レイＡとしてなる記録再生用光メモリヘッドとしたこと
で、光学素子における理論的限界値以下のサイズのビー
ムスポットを複数形成することができるようになり、従
来の光メモリヘッドを使用したときに比べて飛躍的大容
量の情報を光記録媒体又は光磁気記録媒体に記録再生で
きる効を奏する。特に、レーザ光を照射するコア７の超
微細先端８を上部に有する光ファイバ片５としたことに
より、製法も簡単であり、これを光記録媒体又は光磁気
記録媒体に記録再生できるような構成であり、確実に情
報を記録再生できる利点がある。

【００２４】次に、請求項２の発明では、請求項１にお
いて、前記垂直共振器表面発光半導体レーザアレイＡは
光記録媒体の回転の接線方向に対して所定の微小角度傾
いてなる記録再生用光メモリヘッドとしたことで、複数
の光ファイバ片５の超微細先端８からのレーザ光が、光
記録媒体又は光磁気記録媒体の記録層上に多くの記録再
生トラックを極めて簡易に形成することができる利点が
ある。

【００２５】次に、請求項３の発明では、請求項２にお
いて、同一行に配置された前記垂直共振器表面発光半導
体レーザ素子１から発射されるレーザ光のなす複数のビ
ームスポットは、同列かつ隣り合う行に配置された２つ
の垂直共振器表面発光半導体レーザ素子１，１の間に納
まってなる記録再生用光メモリヘッドとしたことで、極
めて多くの記録再生トラックであっても、交差したり、
重なることなく、光記録媒体又は光磁気記録媒体の記録
層上に、確実に形成することができ、且つ最小単位面積
内にての多数のビームスポット構成にすることができる
大きな効果がある。

【００２６】次に、請求項４の発明では、請求項３にお
いて、前記垂直共振器表面発光半導体レーザアレイＡに
並列して、別個に、故障した素子を補償するための垂直
共振器表面発光半導体レーザアレイＡを設けてなり、相
互間において、同行同列の超微細先端８が同一トラック
上に存在するようにしてなる記録再生用光メモリヘッド
としたことで、補償光メモリヘッドが確保できると共
に、従来の光メモリヘッドを使用したときに比べて、飛
躍的大容量の情報を光記録媒体又は光磁気記録媒体に、
極めて高い確実性及び信頼性において記録再生できる等
の効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の要部拡大斜視図

【図２】本発明の要部拡大断面図

【図３】本発明を裏面側から見た要部斜視図

【図４】光記録媒体に対して平面的に本発明を設置する
状態図

【図５】コンタクトヘッド方式による記録再生用光メモ
リヘッドの要部拡大状態図

【図６】光磁気ヘッドの単素子の状態図

【図７】本発明の別の実施の形態の平面図

【図８】補償用にした本発明の平面図

【符号の説明】

Ａ…垂直共振器表面発光半導体レーザアレイ１…垂直共振器表面発光半導体レーザ素子３…レーザ光送出部５…光ファイバ片７…コア８…超微細先端

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を照射するコアの超微細先端を
上部に有する光ファイバ片と、該光ファイバ片の下部を
取付けたレーザ光送出部を有する垂直共振器表面発光半
導体レーザ素子とからなり、該垂直共振器表面発光半導
体レーザ素子を格子状に複数配列して垂直共振器表面発
光半導体レーザアレイとしてなることを特徴とする記録
再生用光メモリヘッド。
【請求項２】請求項１において、前記垂直共振器表面
発光半導体レーザアレイは、光記録媒体の回転の接線方
向に対して所定の微小角度傾いてなることを特徴とする
記録再生用光メモリヘッド。
【請求項３】請求項２において、同一行に配置された
前記垂直共振器表面発光半導体レーザ素子から発射され
るレーザ光のなす複数のビームスポットは、同列かつ隣
り合う行に配置された２つの垂直共振器表面発光半導体
レーザ素子の間に納まってなることを特徴とする記録再
生用光メモリヘッド。
【請求項４】請求項３において、前記垂直共振器表面
発光半導体レーザアレイに並列して、別個に、故障した
素子を補償するための垂直共振器表面発光半導体レーザ
アレイを設けてなり、相互間において、同行同列の超微
細先端が同一トラック上に存在するようにしてなること
を特徴とする記録再生用光メモリヘッド。