JPH10172190A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及びその製造方法

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JPH10172190A
JPH10172190A JP8328105A JP32810596A JPH10172190A JP H10172190 A JPH10172190 A JP H10172190A JP 8328105 A JP8328105 A JP 8328105A JP 32810596 A JP32810596 A JP 32810596A JP H10172190 A JPH10172190 A JP H10172190A
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magnetic layer
magneto
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optical recording
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Junichiro Nakayama
純一郎 中山
Takeshi Mori
豪 森
Michinobu Saegusa
理伸 三枝
Akira Takahashi
明 高橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生レーザパワーのマージンが広く、かつ、
繰り返しレーザ照射による特性劣化を防止することので
きる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に、室温で面内磁化状態であ
り、所定温度以上で垂直磁化状態となる第１磁性層３
と、室温からキュリー点まで垂直磁化状態である第２磁
性層４とが形成されている。第１磁性層３は、希土類金
属−遷移金属合金からなり、希土類金属と遷移金属とが
交互に層状に積層されて形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録、再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光
カード等に用いられる光磁気記録媒体及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクを含め、光メモリ素子の
記録密度は、記録、再生に使用される光ビームの記録媒
体上における大きさに依存する。最近、光ビームの径の
大きさよりも小さい記録ビットを再生する方法が、特開
平６−１５０４１８号公報において開示されている。
【０００３】特開平６−１５０４１８号公報において開
示されている光磁気記録媒体は、基本的には、室温で面
内磁化、所定温度以上で垂直磁化となる特性を示す第１
磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性
を示す第２磁性層から構成されている。
【０００４】上記の構成により、再生時に、第１磁性層
に光ビームが照射されると、照射された部位の温度分布
はガウス分布になるので、光ビームの径より小さい領域
のみの温度が上昇する。
【０００５】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。つまり、第１
磁性層と第２磁性層の２層間の交換結合により、第２磁
性層の磁化の向きが第１磁性層に転写される。
【０００６】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移
行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示すよう
になり、温度上昇部位からの反射光に基づいて第２磁性
層に記録された情報が再生される。
【０００７】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温
度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、第２
磁性層に記録された磁化は第１磁性層の面内磁化にマス
クされて再生されなくなる。これにより、雑音の原因で
ある隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。
【０００８】以上のように、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、光ビームの径より
小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上
することになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、光ビームの径より小さい記録ビットの再
生が行え、記録密度は著しく向上することになるもの
の、再生パワーマージンが比較的狭いという問題があ
る。再生パワーマージンが狭いと、レーザパワーの変動
により記録再生ができない可能性があり、記録再生装置
の設計が非常に困難になる。
【００１０】また、従来の構成では、繰り返しレーザ照
射を行うことにより第１磁性層の特性が劣化し易いとい
う問題もある。
【００１１】本発明は上記課題を解決するものであっ
て、再生パワーマージンが大きく、かつ、繰り返しレー
ザ照射により劣化の生じにくい光磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の光磁気記録媒体は、基板上に、室
温で面内磁化状態であり、所定温度以上で垂直磁化状態
となる第１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁化
状態である第２磁性層とが形成されてなる光磁気記録媒
体において、第１磁性層は、希土類金属−遷移金属合金
からなり、希土類金属と遷移金属とが交互に層状に積層
されて形成されてなることを特徴としている。
【００１３】また、請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、第１磁
性層が、それを構成する構成金属毎に交互に層状に積層
されて形成されてなることを特徴としている。
【００１４】更に、請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体に
おいて、第２磁性層が、希土類金属−遷移金属合金から
なり、希土類金属と遷移金属とが交互に層状に形成され
てなることを特徴としている。
【００１５】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体に
おいて、第１磁性層を構成する各層の膜厚がそれぞれ６
ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００１６】請求項５に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至請求項４のいずれかに記載の光磁気記録媒体に
おいて、第１磁性層と第２磁性層との間に誘電体層が形
成されてなることを特徴としている。
【００１７】また、請求項６に記載の光磁気記録媒体の
製造方法は、基板上に、室温で面内磁化状態であり、所
定温度以上で垂直磁化状態の希土類金属−遷移金属合金
からなり第１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁
化状態である第２磁性層とが形成されてなる光磁気記録
媒体の製造方法において、基板上に希土類金属と遷移金
属を交互に積層することにより、第１磁性層を形成する
工程を有してなることを特徴としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕本発明の実施の形態１について、図１
〜図４、図９〜図１１に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
【００１９】光磁気記録媒体は、図１に示すように、透
光性基板１上に、透光性を有する誘電体層２と、第１磁
性層（再生層）３、第２磁性層（記録層）４と、保護層
５とを順次形成した構成になっている。さらに、通常は
光磁気記録媒体の保護のために、オーバーコート膜６が
形成されている。
【００２０】図２、図３は、第１磁性層３の断面詳細図
を示している。第１磁性層３は、希土類遷移金属合金か
らなり、希土類金属と遷移金属とが交互に形成されてい
る。例えば、図２，図３においては希土類金属３１と遷
移金属３２，３３がそれぞれ別の層に形成されている。
なお、これらの図では希土類金属は１つの構成元素から
なり、遷移金属は２つの構成元素からなっているが、こ
れに限るものではない。また、図２、図３では各構成元
素がそれぞれ単一層を形成しているが、希土類金属の層
と遷移金属の層が分離していればよく、例えば、図２に
おける遷移金属の層３２、３３はそれらが混合された単
一層であってもよい。
【００２１】希土類金属と遷移金属の磁気モーメントの
温度特性は異なり、高温では遷移金属の磁気モーメント
が希土類金属のそれに比べて大きくなる。このため補償
温度Ｔcompが室温となる組成よりも希土類金属の量を多
くした組成の合金を用いる。この組成の合金は、室温で
面内磁化を示し、所定温度以上になると、遷移金属の磁
気モーメントが相対的に大きくなり、希土類金属の磁気
モーメントと釣り合うようになって、垂直磁化を示すよ
うになる。
【００２２】第２磁性層４は、室温からキュリー温度Ｔ
ｃまで垂直磁化となる特性を示す。
【００２３】上記の構成によれば、図９に示すように、
再生時に、第１磁性層３に光ビームが照射されると、照
射された部位の温度分布はガウス分布になるので、光ビ
ームの径より小さい領域のみの温度が上昇する。そし
て、この温度上昇に伴って、温度上昇部位における第１
磁性層３の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。
このとき、第１磁性層３と第２磁性層４の２層間の交換
結合により、第２磁性層４の磁化の向きが第１磁性層３
に転写される。
【００２４】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移
行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示すよう
になり、温度上昇部位からの反射光に基づいて第２磁性
層４に記録された情報が再生される。
【００２５】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温
度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、第２
磁性層４に記録された磁化は第１磁性層３の面内磁化に
マスクされて再生されなくなる。これにより、雑音の原
因である隣接ビットからの信号が混入することがなくな
る。
【００２６】以上のように、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、光ビームの径より
小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上
することになる。
【００２７】本実施の形態の光磁気記録媒体では、上記
したように少なくとも第１磁性層（再生層）３の希土類
遷移金属合金として、各構成金属を交互に積層したも
の、または、希土類金属と遷移金属を交互に積層したも
のを使用するため、高温まで再生信号のＣＮＲを高く維
持することができる。このため、レーザパワーマージン
を拡大することが可能となる。更に、繰り返し再生に対
するＣＮＲの劣化を抑制できる。
【００２８】次に、本実施の形態の光磁気記録媒体の例
として、図１〜図３を用いて光磁気ディスクのサンプル
＃１、＃２を説明する。
【００２９】透光性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のポリカーボネイトか
らなっている。基板１の片側の表面には、光ビーム案内
用の凹凸状のガイドトラックが反形成されている。トラ
ックピッチは、１．１μｍ、グルーブ（凹部）の幅は
０．４μｍ、ランド（凸部）の幅は０．７μｍである。
【００３０】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層した膜
厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３と、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる第２磁性層４と、
膜厚４０ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積層してい
る。
【００３１】サンプル＃１の第１磁性層３は、図２に示
すものであり、Ｇｄ３１約０．６ｎｍ、Ｃｏ３２約０．
３ｎｍ、Ｆｅ３３約１．１ｎｍをこの順に複数積層した
ＧｄＦｅＣｏである。一方、サンプル＃２の第１磁性層
３は、図３に示すものであり、Ｇｄ３１約０．６ｎｍ、
Ｆｅ３３約１．１ｎｍ、Ｃｏ３２約０．３ｎｍをこの順
に複数積層したＧｄＦｅＣｏである。ここでは、各ター
ゲットに投入するパワーを組成比とし、回転数を制御す
ることにより多層化している。具体的に説明すると、図
１９に示すようなスパッタ装置において（図１９ａは断
面図，図１９ｂは斜視図である）、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの
ターゲットに形成する磁性層の組成に対応するパワーを
投入しておき、それらターゲットに対向する位置に配置
する基板を回転することにより成膜する。ここで、各構
成金属（Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ）はその直上に基板が位置す
るときのみその基板上に成膜されるため、基板の回転数
を十分低くすることにより、各構成金属が積層された希
土類遷移金属合金が形成される。なお、このような積層
構造の形成方法はこれに限るものではなく、例えば、図
１９において各ターゲットにシャッターを設けておき、
そのシャッターの開閉により積層構造を形成することも
可能である。
【００３２】磁性層３、４の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２及び保護層５の成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ２ガス圧３．０×
１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００３３】更に、保護層５の上にアクリレート系紫外
線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化さ
せてオーバーコート層６を形成した。
【００３４】このようにして形成した光磁気記録媒体に
おける第１磁性層３は、希土類金属リッチ、キュリー点
（Ｔｃ１）＝２７５℃、室温で面内磁化、約１４０℃で
垂直磁化となる特性を示し、第２磁性層４は、遷移金属
リッチ、キュリー点（ＴC２）＝２２５℃、室温での保
磁力（Ｈｃ２）＝１２００ｋＡ／ｍであった。
【００３５】光磁気記録媒体の例として、さらに図４を
用いて光磁気ディスクのサンプル＃３を説明する。この
サンプル＃３では、サンプル＃１、＃２において第２磁
性層４をも各構成金属を交互に積層した希土類遷移金属
合金としたものである。具体的には、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ
を交互に積層したＴｂＦｅＣｏとしている。他の構成、
作成条件はサンプル＃１、＃２と同様である。
【００３６】次に、サンプル＃１、＃２、＃３の光磁気
ディスクに対して、記録磁界（Ｈｗ）＝−４０ｋＡ／
ｍ、記録レーザパワー（Ｐｗ）＝６ｍＷにて、連続照射
した繰り返し回数と信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係、再
生レーザパワーと信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係を測定
した。なお、記録条件は、（Ｈｗ）＝２０ｋＡ／ｍ、記
録レーザパワー（Ｐｗ）＝６ｍＷ、記録マーク長＝０．
７８μｍである。
【００３７】結果を、図１０、図１１に示すが、サンプ
ル＃１、＃２の特性は全く同じであったので実施例１と
し、サンプル＃３は実施例２とし、図１６に示す磁性層
３、磁性層４を通常の同時スパッタリングにより作成し
た従来例を比較例１としてプロットしている。なお、図
１０は連続照射した繰り返し回数と信号対雑音比（ＣＮ
Ｒ）の関係を、図１１は再生レーザパワーと信号対雑音
比（ＣＮＲ）の関係を示している。
【００３８】図１０から、実施例１、２では１×１０5
回でも殆ど劣化していないのに対し、比較例１が５×１
０4で劣化していることがわかり、図１１から実施例
１、２が、比較例１に比べ再生レーザパワーマージン
（使用可能なレーザパワーの範囲）が拡大していること
がわかる。さらに詳細に見ると、実施例２の方が実施例
１よりもＣＮＲが高くなっている。
【００３９】なお、ここでは第１磁性層３として、図
２，３に示すように、Ｇｄ３１約０．６ｎｍ、Ｆｅ３３
約１．１ｎｍ、Ｃｏ３２約０．３ｎｍを積層したものを
使用したが、Ｇｄ３１約１．２ｎｍ、Ｆｅ３３約２．２
ｎｍ、Ｃｏ３２約０．６ｎｍを積層したものを使用した
ものであっても、上記した図１０，１１に実施例１，２
として示したような再生レーザパワーマージンの拡大及
び繰り返しレーザ照射による劣化の抑制を実現すること
ができた。しかしながら、各構成元素（Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ）の膜厚が６ｎｍ以上となると、第１磁性層（再生
層）３としての特性、即ち、室温で面内磁化状態であり
温度上昇と共に垂直磁化となる特性を得にくくなる。し
たがって、第１磁性層３としては膜厚がそれぞれ６ｎｍ
以下の希土類金属及び遷移金属の積層物を用いる事が望
ましい。
【００４０】〔実施の形態２〕本発明の実施の形態２に
ついて、図５、図６、図９、図１２、図１３に基づいて
説明すれば、以下の通りである。
【００４１】光磁気記録媒体は、図５に示すように、透
光性基板１上に、透光性を有する誘電体層２と、第１磁
性層（再生層）３、誘電体層７、第２磁性層（記録層）
４と、保護層５とを順次形成した構成になっている。さ
らに、通常は光磁気記録媒体の保護のために、オーバー
コート膜６が形成されている。
【００４２】第１磁性層３は、希土類遷移金属合金から
なり、希土類金属と遷移金属とが交互に形成されてい
る。再生の原理は、図９に示す〔実施の形態１〕とほぼ
同様であるが、第１磁性層３の温度上昇部位の磁化に
は、第２磁性層４からの発生磁界により、第２磁性層４
の磁化の向きが転写される。〔実施の形態２〕の場合
は、第１磁性層３と第２磁性層４の間に誘電体層７が形
成されているので、干渉構造とすることができ、ＣＮＲ
を向上すること、クロストークを抑制することが可能と
なる。
【００４３】光磁気記録媒体の例として、図５を用いて
光磁気ディスクのサンプル＃４、＃５を説明する。
【００４４】透光性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のポリカーボネイトか
らなっている。基板１の片側の表面には、光ビーム案内
用の凹凸状のガイドトラックが反形成されている。トラ
ックピッチは、１．１μｍ、グルーブ（凹部）の幅は
０．４μｍ、ランド（凸部）の幅は０．７μｍである。
【００４５】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層した膜
厚２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３（Ｇｄ
３１約０．６ｎｍ、Ｃｏ３２約０．３ｎｍ、Ｆｅ３３約
１．１ｎｍ）と、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる誘電体
層７、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリン
グにより膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる第２磁性
層４と、膜厚４０ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積
層している。
【００４６】サンプル＃４の第１磁性層３は、図２に示
すようにＧｄ３１、Ｃｏ３２、Ｆｅ３３をこの順に積層
したＧｄＦｅＣｏであり、サンプル＃５の第１磁性層３
は、図３に示すようにＧｄ３１、Ｆｅ３３、Ｃｏ３２を
この順に積層したＧｄＦｅＣｏである。
【００４７】磁性層３、４の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２、７及び保護層５の成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ２ガス圧
３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００４８】更に、保護層５の上にアクリレート系紫外
線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化さ
せてオーバーコート層６を形成した。
【００４９】磁性層３は、希土類金属リッチ、キュリー
点（Ｔｃ１）＝２７５℃、室温で面内磁化、約１４０℃
で垂直磁化となる特性を示し、磁性層４は、遷移金属リ
ッチ、キュリー点（Ｔｃ２）＝２２５℃、室温での保磁
力（Ｈｃ２）＝１２００ｋＡ／ｍである。
【００５０】光磁気記録媒体の例として、さらに図６を
用いて光磁気ディスクのサンプル＃６を説明する。
【００５１】サンプル＃６は第１磁性層３だけでなく、
第２磁性層４をもＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層したも
のであり、他の構成、作成条件はサンプル＃４、＃５と
同様である。
【００５２】次に、サンプル＃４、＃５、＃６の光磁気
ディスクに対して、記録磁界（Ｈｗ）＝−４０ｋＡ／
ｍ、記録レーザパワー（Ｐｗ）＝６ｍＷにて、連続照射
した繰り返し回数と信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係、再
生レーザパワーと信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係を測定
した。なお、記録条件は、（Ｈｗ）＝２０ｋＡ／ｍ、記
録レーザパワー（Ｐｗ）＝６ｍＷ、記録マーク長＝０．
７８μｍである。
【００５３】結果を、図１２、図１３に示すが、サンプ
ル＃４、＃５の特性は全く同じであったので実施例３と
し、サンプル＃６は実施例４とし、図１７に示す磁性層
３、磁性層４を通常の同時スパッタリングにより作成し
た従来例を比較例２としてプロットしている。
【００５４】図１２から、実施例３、４では１×１０5
回の繰り返し回数でも殆ど劣化していないのに対し、比
較例２が５×１０4で劣化していることがわかり、図１
３から実施例３、４が、比較例２に比べ再生レーザパワ
ーマージンが拡大していることがわかる。
【００５５】本実施の形態のように少なくとも第１磁性
層（再生層）３を希土類金属と遷移金属を積層したもの
とすることにより、再生レーザマージンを拡大すること
ができる。さらに、第１磁性層（再生層）３と第２磁性
層（記録層）４との間に誘電体層７を有するので、より
低い記録磁界でＳ／Ｎの高い再生特性を得ることが可能
となる。
【００５６】〔実施の形態３〕本発明の第３の実施の形
態について、図７〜図９、図１４、図１５に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
【００５７】光磁気記録媒体は、図７に示すように、透
光性基板１上に、透光性を有する誘電体層２と、第１磁
性層（再生層）３、磁性層８（光変調オーバーライト
層）と、保護層５とを順次形成した構成になっている。
さらに、普通は光磁気記録媒体の保護のために、オーバ
ーコート膜６が形成されている。
【００５８】第１磁性層３は、希土類遷移金属合金から
なり、希土類金属と遷移金属とが交互に形成されてい
る。再生の原理は、図９に示した〔実施の形態１〕とほ
ぼ同様である。
【００５９】本光磁気記録媒体の例として、図７を用い
て光磁気ディスクのサンプル＃７、＃８を説明する。
【００６０】透光性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のポリカーボネイトか
らなっている。基板１の片側の表面には、光ビーム案内
用の凹凸状のガイドトラックが反形成されている。トラ
ックピッチは、１．１μｍ、グルーブ（凹部）の幅は
０．４μｍ、ランド（凸部）の幅は０．７μｍである。
【００６１】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層した膜
厚４０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３（Ｇｄ
３１約０．６ｎｍ、Ｃｏ３２約０．３ｎｍ、Ｆｅ３３約
１．１ｎｍ）と、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層４０ｎ
ｍ、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層３０ｎｍ、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏからなる記録補助層４０ｎｍで構成される磁性層
８と、膜厚４０ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積層
している。
【００６２】サンプル＃７の第１磁性層３は、図２に示
すようにＧｄ３１、Ｃｏ３２、Ｆｅ３３をこの順に複数
積層したＧｄＦｅＣｏであり、サンプル＃８の第１磁性
層３は、図３に示すようにＧｄ３１、Ｆｅ３３、Ｃｏ３
２をこの順に複数積層したＧｄＦｅＣｏである。
【００６３】磁性層３、８の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２、７及び保護層５の成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、Ｎ２ガス圧
３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。
【００６４】更に、保護層５の上にアクリレート系紫外
線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化さ
せてオーバーコート層６を形成した。
【００６５】磁性層３は、希土類金属リッチ、キュリー
点（Ｔｃ１）＝２７５℃、室温で面内磁化、約１４０℃
で垂直磁化となる特性を示し、磁性層８は、記録層が遷
移金属リッチ、キュリー点（Ｔｃ２）＝２２５℃、室温
での保磁力（Ｈｃ２）＝１２００ｋＡ／ｍ、中間層は、
希土類金属リッチ、キュリー点（Ｔｃ３）＞３００℃、
室温で面内磁化、記録補助層は、希土類金属リッチ、キ
ュリー点（Ｔｃ４）＝２７５℃、室温での保磁力（Ｈｃ
４）＝１６０ｋＡ／ｍである。
【００６６】ここで、光変調オーバーライト記録につい
て簡単に説明する。
【００６７】初期化においては、初期化磁界を印加する
ことにより、記録補助層の磁化のみを一方向に揃える。
初期化磁界の大きさは、記録層の室温での保磁力より小
さく、記録補助層の室温での保磁力より大きいので、記
録層の磁化の反転は生じない。中間層は、室温で面内磁
気異方性であるため、記録層、記録補助層の交換力によ
る結合を妨げる効果を有する。
【００６８】記録は、記録磁界を印加しながら、ハイパ
ワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照射する
ことにより行う。
【００６９】ハイパワーのレーザ光が照射されると、媒
体は記録補助層のキュリー点付近となる温度まで昇温
し、ローパワーのレーザ光が照射されると、記録層のキ
ュリー点付近となる温度まで昇温するように、ハイパワ
ー、ローパワーは設定されている。
【００７０】従って、ハイパワーのレーザ光が照射され
ると、記録補助層の磁化は、記録磁界により反転し、冷
却の過程で界面に作用する交換力により、垂直磁気異方
性となっている中間層に転写され、さらに記録層に転写
される。
【００７１】一方、ローパワーのレーザ光が照射されて
も、記録補助層の磁化は、その保磁力が記録磁界より大
きいため反転することはない。記録層の磁化は、上記と
同様に、冷却の過程で界面に作用する交換力により記録
補助層の磁化の向きと一致する。
【００７２】以上により、消去動作なくオーバーライト
することが可能となる。光磁気記録媒体の第１磁性層８
が希土類金属と遷移金属が交互に積層された例として、
サンプル＃９を説明する。
【００７３】サンプル＃９の磁性層８は、記録層がＴ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層したＴｂＦｅＣｏであり、
中間層がＧｄ、Ｆｅ、Ｃｏを交互に積層したＧｄＦｅＣ
ｏであり、記録補助層がＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏを交互
に積層したＧｄＴｂＦｅＣｏであり、他の構成、作成条
件はサンプル＃７、＃８と同様である。
【００７４】光磁気記録媒体の磁性層８の構成が異なる
例として、サンプル＃１０、＃１１を説明する。サンプ
ル＃１０の磁性層８は、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層４
０ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層３０ｎｍ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏからなる記録補助層４０ｎｍ、ＴｂＡｌＦｅ
からなるスイッチング層２０ｎｍ、ＧｄＴｂＦｅＣｏか
らなる初期化層６０ｎｍで構成される。サンプル＃１１
の磁性層８は、各層が希土類金属と遷移金属とが交互に
積層されたものであり、他の構成、作成条件はサンプル
＃１０と同様である。
【００７５】ここで、交換結合４層膜を利用し、初期化
磁界を無くした光変調オーバーライト媒体を用いた光変
調オーバーライトの手順につき簡単に説明する。
【００７６】記録は、記録磁界を印加しながら、ハイパ
ワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照射する
ことにより行う。
【００７７】ハイパワー、ローパワーは、ハイパワーの
レーザ光が照射されると、媒体は記録補助層のキュリー
点付近となる温度まで昇温し、ローパワーのレーザ光が
照射されると、記録層のキュリー点付近となる温度まで
昇温するように設定されている。
【００７８】従って、ハイパワーのレーザ光が照射され
ると、記録補助層の磁化は、記録磁界により反転し、冷
却の過程で界面に作用する交換力により、記録層に転写
され、さらに冷却されると記録補助層は初期化層の磁化
と同じ方向に揃えらる。
【００７９】一方、ローパワーのレーザ光が照射される
と、記録補助層の磁化は、その保磁力が記録磁界より大
きいため、記録磁界により反転することはなく、記録層
の磁化は、前記と同様に、冷却の過程で界面に作用する
交換力により記録補助層の磁化の向きと一致する。
【００８０】以上により、初期化磁界無しで、消去動作
なくオーバーライトすることが可能となる。
【００８１】さらに、第１磁性層３と磁性層８の間に誘
電体層７が形成された例として、図８を用いて、光磁気
ディスクのサンプル＃１２〜＃１６を説明する。
【００８２】光磁気記録媒体は、図８に示すように、透
光性基板１上に、透光性を有する誘電体層２と、第１磁
性層３、誘電体層７、磁性層８（光変調オーバーライト
層）と、保護層５とを順次形成した構成になっている。
さらに、普通は光磁気記録媒体の保護のために、オーバ
ーコート膜６が形成されている。他の構成、作成条件は
サンプル＃７〜＃１１と同様である。
【００８３】次に、サンプル＃７〜＃１６の光磁気ディ
スクに対して、記録磁界（Ｈｗ）＝−４０ｋＡ／ｍ、記
録レーザパワー（Ｐｗ）＝６ｍＷにて、連続照射した繰
り返し回数と信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係、再生レー
ザパワーと信号対雑音比（ＣＮＲ）の関係を測定した。
【００８４】結果を、図１４、図１５に示すが、サンプ
ル＃７〜＃１１の特性は殆ど同じであったので実施例５
とし、サンプル＃１２〜＃１６の特性は殆ど同じであっ
たので実施例６とし、図１８に示す第１磁性層３、磁性
層８を通常の同時スパッタリングにより作成した従来例
を比較例３としてプロットしている。
【００８５】図１４から、実施例５、６では１×１０5
回でも殆ど劣化していないのに対し、比較例３が５×１
０4で劣化していることがわかり、図１５から実施例
５、６が、比較例３に比べ再生レーザパワーマージンが
拡大していることがわかる。
【００８６】また、磁性層８は、記録層／記録補助層、
記録層／中間層／記録補助層、記録層／記録補助層／ス
イッチング層／初期化層、記録層／中間層／記録補助層
／スイッチング層／初期化層、などの構成が考えられ
る。
【００８７】なお、〔実施の形態１〕、〔実施の形態
２〕、〔実施の形態３〕に記載の材料、膜厚、作成方法
に限定されるものではない。
【００８８】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
では、少なくとも第１磁性層が、希土類金属−遷移金属
合金からなり、希土類金属と遷移金属とが交互に層状に
形成されているため、再生レーザマージンを拡大するこ
とができる。したがって、レーザパワーの変動に対して
強くなり、記録再生装置の設計が容易となる。また、第
２磁性層（記録層）から第１磁性層（再生層）への磁化
転写をより安定に行うとことが可能となり、再生特性を
向上させることが可能となる。
【００８９】また、繰り返しレーザ照射を行っても、特
性劣化が生じることを抑制でき、光磁気記録媒体の信頼
性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の光磁気記録媒体の構成
を示す説明図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の第１磁性層３の詳細
断面図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の第１磁性層３の詳細
断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の光磁気記録媒体の他の
構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２の光磁気記録媒体の構成
を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２の光磁気記録媒体の他の
構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態３の光磁気記録媒体を構成
を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３の光磁気記録媒体の他の
構成を示す説明図である。
【図９】本発明の光磁気記録媒体の再生原理を示す説明
図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の光磁気記録媒体の繰
り返し記録回数とＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の光磁気記録媒体の再
生レーザパワーとＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態２の光磁気記録媒体の繰
り返し記録回数とＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の光磁気記録媒体の再
生レーザパワーとＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１４】本発明の実施の形態３の光磁気記録媒体の繰
り返し記録回数とＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１５】本発明の実施の形態３の光磁気記録媒体の再
生レーザパワーとＣＮＲの関係を示す説明図である。
【図１６】従来の光磁気記録媒体の構成を示す説明図で
ある。
【図１７】従来の光磁気記録媒体の他の構成を示す説明
図である。
【図１８】従来の光磁気記録媒体の更に他の構成を示す
説明図である。
【図１９】本発明の光磁気記録媒体の製造方法の一例を
示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２，７ 誘電体層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 ８ 磁性層（光変調オーバーライト層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、室温で面内磁化状態であり、
    所定温度以上で垂直磁化状態となる第１磁性層と、室温
    からキュリー点まで垂直磁化状態である第２磁性層とが
    形成されてなる光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層は、希土類金属−遷移金属合金からな
    り、希土類金属と遷移金属とが交互に層状に積層されて
    形成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、 前記第１磁性層は、それを構成する構成金属毎に交互に
    層状に積層されて形成されてなることを特徴とする光磁
    気記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光磁気
    記録媒体において、 前記第２磁性層は、希土類金属−遷移金属合金からな
    り、希土類金属と遷移金属とが交互に層状に形成されて
    なることを特徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層を構成する各層の膜厚がそれぞれ６ｎｍ
    以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に誘電体層が形
    成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 基板上に、室温で面内磁化状態であり、
    所定温度以上で垂直磁化状態の希土類金属−遷移金属合
    金からなり第１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直
    磁化状態である第２磁性層とが形成されてなる光磁気記
    録媒体の製造方法において、 基板上に希土類金属と遷移金属を交互に積層することに
    より、前記第１磁性層を形成する工程を有してなること
    を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015206A1 (en) * 2000-08-02 2002-02-21 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Thin film rare earth permanent magnet, and method for manufacturing the permanent magnet
CN114497268B (zh) * 2020-10-26 2025-10-21 Tdk株式会社 光检测元件及接收装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2060549C (en) * 1991-02-08 2002-08-13 Masumi Ohta Magneto-optical recording medium
JP2839783B2 (ja) * 1991-04-17 1998-12-16 シャープ株式会社 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法
EP1143434A3 (en) * 1992-08-28 2001-12-12 Canon Kabushiki Kaisha A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium
JP2986622B2 (ja) * 1992-09-02 1999-12-06 シャープ株式会社 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法
JPH06150418A (ja) * 1992-11-06 1994-05-31 Sharp Corp 光磁気記録媒体および記録再生方法
JP2999895B2 (ja) * 1992-12-10 2000-01-17 シャープ株式会社 光磁気記録媒体
JP3078145B2 (ja) * 1993-04-23 2000-08-21 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体の製造方法

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