JPH10172497A - 電子顕微鏡 - Google Patents
電子顕微鏡Info
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- JPH10172497A JPH10172497A JP8337599A JP33759996A JPH10172497A JP H10172497 A JPH10172497 A JP H10172497A JP 8337599 A JP8337599 A JP 8337599A JP 33759996 A JP33759996 A JP 33759996A JP H10172497 A JPH10172497 A JP H10172497A
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- sample
- measurement light
- electron
- light beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光てこ方式で試料の位置、傾きを検出する電子
顕微鏡に於いて、顕微鏡の分解能を維持しつつ、位置、
傾きの検出精度を高める。 【解決手段】減速電極５を持つ静電レンズと磁界レンズ
４から構成され電子ビームを試料に向け照射する為の電
子光学系７と、前記試料に対し斜め方向から測定光束９
を照射し該試料から反射された前記測定光束を検出して
試料の高さ方向位置を検出する為の試料位置検出系とを
有する電子顕微鏡に於いて、前記減速電極の前記電子光
学系の光軸Ｏ外の位置に電子ビームの通過開口６とは別
に前記測定光束を通過させる為の測定光用開口１０を設
け、分解能を落とすことなく試料の位置合わせを高精度
に行う。
顕微鏡に於いて、顕微鏡の分解能を維持しつつ、位置、
傾きの検出精度を高める。 【解決手段】減速電極５を持つ静電レンズと磁界レンズ
４から構成され電子ビームを試料に向け照射する為の電
子光学系７と、前記試料に対し斜め方向から測定光束９
を照射し該試料から反射された前記測定光束を検出して
試料の高さ方向位置を検出する為の試料位置検出系とを
有する電子顕微鏡に於いて、前記減速電極の前記電子光
学系の光軸Ｏ外の位置に電子ビームの通過開口６とは別
に前記測定光束を通過させる為の測定光用開口１０を設
け、分解能を落とすことなく試料の位置合わせを高精度
に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料の高さ位置或
は試料の傾き量を検出する試料位置検出系を有する電子
顕微鏡に関するものである。
は試料の傾き量を検出する試料位置検出系を有する電子
顕微鏡に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡、又はその類似の装置に
於いて、電子光学系中心と試料迄の距離（作動距離）が
短い方が一般に電子レンズの球面収差や色収差が小さ
く、その結果高い分解能を与えることが知られている。
更に、半導体測長用の走査電子顕微鏡に於いては、試料
の電子線による損傷を少なくする為に、５００ボルトか
ら１キロボルトの低い加速電圧で使用している。この様
な低加速電圧では絞りの汚れ等の影響により電子ビーム
が理論計算値どおりに収束されない傾向があり、その結
果分解能が悪くなる。この為試料にマイナスの電位を与
えておき、試料に入射する直前迄、３キロボルトから８
キロボルトのエネルギで電子ビームを飛行させる方式を
採用している。
於いて、電子光学系中心と試料迄の距離（作動距離）が
短い方が一般に電子レンズの球面収差や色収差が小さ
く、その結果高い分解能を与えることが知られている。
更に、半導体測長用の走査電子顕微鏡に於いては、試料
の電子線による損傷を少なくする為に、５００ボルトか
ら１キロボルトの低い加速電圧で使用している。この様
な低加速電圧では絞りの汚れ等の影響により電子ビーム
が理論計算値どおりに収束されない傾向があり、その結
果分解能が悪くなる。この為試料にマイナスの電位を与
えておき、試料に入射する直前迄、３キロボルトから８
キロボルトのエネルギで電子ビームを飛行させる方式を
採用している。
【０００３】この場合試料に直接電界が掛かると放電に
より素子の破壊等の問題がある為試料は等しい電位を保
つ電極に囲まれて配置される構造となっている。この為
対物レンズと試料の間に電子ビームが通過する孔が設け
られた電極が挿入されている。この電極を減速電極と呼
んでいて電子レンズの球面収差や色収差を小さくする働
きを持つ。この減速電極によって作られる減速電界はそ
の勾配が大きくなる程球面収差や色収差を小さくさせる
ことが知られているので、前記減速電極に明けられた電
子ビームが通過する孔の直径は小さい程分解能が向上す
る。
より素子の破壊等の問題がある為試料は等しい電位を保
つ電極に囲まれて配置される構造となっている。この為
対物レンズと試料の間に電子ビームが通過する孔が設け
られた電極が挿入されている。この電極を減速電極と呼
んでいて電子レンズの球面収差や色収差を小さくする働
きを持つ。この減速電極によって作られる減速電界はそ
の勾配が大きくなる程球面収差や色収差を小さくさせる
ことが知られているので、前記減速電極に明けられた電
子ビームが通過する孔の直径は小さい程分解能が向上す
る。
【０００４】一方、試料と光学系との位置合わせの為の
方法の１つとして光てこ方式によるものが知られてい
る。光てこ方式は試料に光を入射させて、その反射光の
先端が試料の位置により大きく動くことを利用して位置
合わせを精度よく行うものである。この方式では試料に
入射する光の入射角が大きい程反射光の先端の移動量が
試料の移動量に比べ大きくなる為、精度よく位置決めを
行う為には入射角を大きくすることが好ましい。尚、こ
こで入射角とは光学に於ける定義と同様、反射面に対す
る法線と光の進行方向との為す角度をいう。
方法の１つとして光てこ方式によるものが知られてい
る。光てこ方式は試料に光を入射させて、その反射光の
先端が試料の位置により大きく動くことを利用して位置
合わせを精度よく行うものである。この方式では試料に
入射する光の入射角が大きい程反射光の先端の移動量が
試料の移動量に比べ大きくなる為、精度よく位置決めを
行う為には入射角を大きくすることが好ましい。尚、こ
こで入射角とは光学に於ける定義と同様、反射面に対す
る法線と光の進行方向との為す角度をいう。
【０００５】図６、図７に於いて減速電極を有する従来
の電子顕微鏡の概略を説明する。図中、電子顕微鏡は電
子銃１と主に絞り２、偏向器３、磁界レンズ４、電子ビ
ーム通過開口６が穿設された減速電極５等から構成され
る電子光学系７とを具備し、前記減速電極５に対峙して
ステージ８が配設され、該ステージ８に試料（図示せ
ず）が載置される。該ステージ８には特に図示していな
いが高さ方向の位置を調整する為の高さ位置調整機構、
及びステージ８の水平に対する傾斜を調整する傾斜調整
機構が設けられている。尚、高さのずれを電子レンズの
フォーカス電流にフィールドバックしてピント調整を行
ってもよい。
の電子顕微鏡の概略を説明する。図中、電子顕微鏡は電
子銃１と主に絞り２、偏向器３、磁界レンズ４、電子ビ
ーム通過開口６が穿設された減速電極５等から構成され
る電子光学系７とを具備し、前記減速電極５に対峙して
ステージ８が配設され、該ステージ８に試料（図示せ
ず）が載置される。該ステージ８には特に図示していな
いが高さ方向の位置を調整する為の高さ位置調整機構、
及びステージ８の水平に対する傾斜を調整する傾斜調整
機構が設けられている。尚、高さのずれを電子レンズの
フォーカス電流にフィールドバックしてピント調整を行
ってもよい。
【０００６】前記電子銃１より電子ビームを発射し、前
記偏向器３により所定の範囲で電子ビームを走査し、又
前記磁界レンズ４により電子ビームを試料表面に焦点を
合わせる。電子ビームの照射により試料表面から発せら
れる２次電子を検出することで、所望の拡大像を得るも
のである。
記偏向器３により所定の範囲で電子ビームを走査し、又
前記磁界レンズ４により電子ビームを試料表面に焦点を
合わせる。電子ビームの照射により試料表面から発せら
れる２次電子を検出することで、所望の拡大像を得るも
のである。
【０００７】前記電子光学系７に対する前記試料の高さ
位置、傾斜を検出する為、前記ステージ８に対して測定
光束９が入射され、該測定光束９が試料により反射され
た反射光は図示しない反射光検出器により検知され、例
えばＣＣＤ等の受光素子により受光され、受光素子上の
反射光の受光位置により前記試料の高さ位置、傾斜が検
知される。
位置、傾斜を検出する為、前記ステージ８に対して測定
光束９が入射され、該測定光束９が試料により反射され
た反射光は図示しない反射光検出器により検知され、例
えばＣＣＤ等の受光素子により受光され、受光素子上の
反射光の受光位置により前記試料の高さ位置、傾斜が検
知される。
【０００８】図６、図７に示される従来例では測定光束
９が減速電極５により遮られない様にする為、減速電極
５の下側より測定光束９を入射させている。
９が減速電極５により遮られない様にする為、減速電極
５の下側より測定光束９を入射させている。
【０００９】又図８、図９は他の従来例を示している。
尚、減速電極５、測定光束９の関連を除く構成について
は図６、図７に示した従来例と同様であるので説明を省
略する。図８、図９に示される従来例では前記減速電極
５に穿設する電子ビーム通過開口６の直径を大きくし、
測定光束９は前記減速電極５の上側から前記電子ビーム
通過開口６を通過させ、前記ステージ８に対して入射さ
せている。
尚、減速電極５、測定光束９の関連を除く構成について
は図６、図７に示した従来例と同様であるので説明を省
略する。図８、図９に示される従来例では前記減速電極
５に穿設する電子ビーム通過開口６の直径を大きくし、
測定光束９は前記減速電極５の上側から前記電子ビーム
通過開口６を通過させ、前記ステージ８に対して入射さ
せている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、走査電子顕
微鏡に於いて、高い分解能を得る為には、作動距離を短
くしなければならず試料と減速電極との間隙は狭く、精
々１〜２mmである。従って、位置測定用の測定光束９が
前記減速電極５に遮られない様にする為には、図６、図
７で示した従来例では測定光束９の入射角は９０°に近
い角度にならざるを得ず、測定光束９が試料のミクロな
凹凸で遮られ位置検出ができないという問題があり、又
図８、図９に示される従来例では電子ビーム通過開口６
が大きくなる為、走査電子顕微鏡の分解能が悪くなると
いう問題があった。
微鏡に於いて、高い分解能を得る為には、作動距離を短
くしなければならず試料と減速電極との間隙は狭く、精
々１〜２mmである。従って、位置測定用の測定光束９が
前記減速電極５に遮られない様にする為には、図６、図
７で示した従来例では測定光束９の入射角は９０°に近
い角度にならざるを得ず、測定光束９が試料のミクロな
凹凸で遮られ位置検出ができないという問題があり、又
図８、図９に示される従来例では電子ビーム通過開口６
が大きくなる為、走査電子顕微鏡の分解能が悪くなると
いう問題があった。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、試料と磁界レ
ンズの間に平板電極から成る静電レンズが配置されてい
る電子顕微鏡で、電子光学系と試料間の間隔の大きさに
拘わらず光てこ方式による試料の高さ検出、傾き検出を
行う為の光束の試料への入射角を大きくし、精度よく高
さ方向の位置及び傾きの検出と位置合わせを行い、又は
フォーカス電流の巾を制限してスループットを向上させ
ようとするものである。
ンズの間に平板電極から成る静電レンズが配置されてい
る電子顕微鏡で、電子光学系と試料間の間隔の大きさに
拘わらず光てこ方式による試料の高さ検出、傾き検出を
行う為の光束の試料への入射角を大きくし、精度よく高
さ方向の位置及び傾きの検出と位置合わせを行い、又は
フォーカス電流の巾を制限してスループットを向上させ
ようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、減速電極を持
つ静電レンズと磁界レンズから構成され電子ビームを試
料に向け照射する為の電子光学系と、前記試料に対し斜
め方向から測定光束を照射し該試料から反射された前記
測定光束を検出して試料の高さ方向位置を検出する為の
試料位置検出系とを有する電子顕微鏡に於いて、前記減
速電極の前記電子光学系の光軸外の位置に電子ビームの
通過開口とは別に前記測定光束を通過させる為の測定光
用開口を設けた電子顕微鏡に係り、又前記測定光用開口
は、電子光学系の光軸に対して対称な位置に設けられた
少なくとも一対の開口部とから成る電子顕微鏡に係り、
又減速電極を持つ静電レンズと磁界レンズから構成され
電子ビームを試料に向け照射する為の電子光学系と、前
記試料に対し斜め方向から測定光束を照射し該試料から
反射された前記測定光束を検出して試料の傾きを検出す
る為の少なくとも２つの検出系とを有する電子顕微鏡に
於いて、前記減速電極の前記電子光学系の光軸外の位置
に電子ビームの通過開口とは別に前記測定光束を通過さ
せる為の測定光用開口を設けた電子顕微鏡に係り、更に
又前記測定光用開口は、前記検出系のそれぞれに対応し
て前記電子光学系の光軸を中心として対称な位置に設け
られた一対の開口部から構成された電子顕微鏡に係るも
のであり、測定光用開口を設け測定光束に該測定光用開
口を通過させ、試料に入射させることで減速電極に遮ら
れることなく小さな入射角で試料に測定光束を入射させ
ることができ、試料の高さ位置、傾きの検出精度を向上
させことができる。
つ静電レンズと磁界レンズから構成され電子ビームを試
料に向け照射する為の電子光学系と、前記試料に対し斜
め方向から測定光束を照射し該試料から反射された前記
測定光束を検出して試料の高さ方向位置を検出する為の
試料位置検出系とを有する電子顕微鏡に於いて、前記減
速電極の前記電子光学系の光軸外の位置に電子ビームの
通過開口とは別に前記測定光束を通過させる為の測定光
用開口を設けた電子顕微鏡に係り、又前記測定光用開口
は、電子光学系の光軸に対して対称な位置に設けられた
少なくとも一対の開口部とから成る電子顕微鏡に係り、
又減速電極を持つ静電レンズと磁界レンズから構成され
電子ビームを試料に向け照射する為の電子光学系と、前
記試料に対し斜め方向から測定光束を照射し該試料から
反射された前記測定光束を検出して試料の傾きを検出す
る為の少なくとも２つの検出系とを有する電子顕微鏡に
於いて、前記減速電極の前記電子光学系の光軸外の位置
に電子ビームの通過開口とは別に前記測定光束を通過さ
せる為の測定光用開口を設けた電子顕微鏡に係り、更に
又前記測定光用開口は、前記検出系のそれぞれに対応し
て前記電子光学系の光軸を中心として対称な位置に設け
られた一対の開口部から構成された電子顕微鏡に係るも
のであり、測定光用開口を設け測定光束に該測定光用開
口を通過させ、試料に入射させることで減速電極に遮ら
れることなく小さな入射角で試料に測定光束を入射させ
ることができ、試料の高さ位置、傾きの検出精度を向上
させことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１４】図１、図２に於いて第１の実施の形態を説
明する。尚、図１、図２中図６、図７中で示したものと
同様のものには同符号を付し、その説明の詳細は省略す
る。
明する。尚、図１、図２中図６、図７中で示したものと
同様のものには同符号を付し、その説明の詳細は省略す
る。
【００１５】減速電極５に光軸Ｏを中心として対称とな
る様に対の測定光用開口１０を複数対（本実施の形態で
は３対）穿設する。
る様に対の測定光用開口１０を複数対（本実施の形態で
は３対）穿設する。
【００１６】一方の測定光用開口１０より入射させた測
定光束９は試料で反射され、反射された測定光束９は対
称位置の他方の測定光用開口１０を通過し、減速電極５
に遮られることなく後述する受光器１６に入射する。
尚、１１は磁気ヨークであり、磁気ヨーク１１も測定光
束９を遮る場合には、磁気ヨーク１１にも、測定光用開
口１０′を設けてもよい。而して、前記減速電極５に測
定光用開口１０を光軸に対して対称に穿設することで、
図６、図７の従来例と比較して測定光束９の入射角を小
さくすることができると共に、図８、図９の従来例と比
較して電子顕微鏡の分解能を高めることができる。
定光束９は試料で反射され、反射された測定光束９は対
称位置の他方の測定光用開口１０を通過し、減速電極５
に遮られることなく後述する受光器１６に入射する。
尚、１１は磁気ヨークであり、磁気ヨーク１１も測定光
束９を遮る場合には、磁気ヨーク１１にも、測定光用開
口１０′を設けてもよい。而して、前記減速電極５に測
定光用開口１０を光軸に対して対称に穿設することで、
図６、図７の従来例と比較して測定光束９の入射角を小
さくすることができると共に、図８、図９の従来例と比
較して電子顕微鏡の分解能を高めることができる。
【００１７】図３、図４により試料位置検出装置につい
て説明する。
て説明する。
【００１８】先ず、図３は試料の高さ検出を行う高さ検
出系２１であり、ステージ８に試料１２が載置され、該
試料１２に測定光束９が投光される。該測定光束９は位
置測定光源１３から射出され、測定光束９が集光レンズ
１４により試料１２上に結像される。該試料１２上で反
射された測定光束９は、集光レンズ１５により受光器１
６上に再結像される。
出系２１であり、ステージ８に試料１２が載置され、該
試料１２に測定光束９が投光される。該測定光束９は位
置測定光源１３から射出され、測定光束９が集光レンズ
１４により試料１２上に結像される。該試料１２上で反
射された測定光束９は、集光レンズ１５により受光器１
６上に再結像される。
【００１９】前記受光器１６は例えばラインセンサ等の
受光素子であり、前記試料１２の高さ方向の位置が変化
すると受光器１６上での測定光束９の結像位置が変化す
る。従って、受光器１６上での基準位置からの結像位置
の偏差により高さ方向の基準位置からのずれが検出でき
る。試料１２を所定位置に調整する場合は、測定光束９
の結像位置が所定の位置となる様に前記ステージ８を手
動、自動により上下移動させることで調整がなされる。
尚、ステージ８を上下動させる代わりに、高さのずれを
電子レンズのフォーカス電流にフィールドバックしてピ
ント調整を行ってもよい。
受光素子であり、前記試料１２の高さ方向の位置が変化
すると受光器１６上での測定光束９の結像位置が変化す
る。従って、受光器１６上での基準位置からの結像位置
の偏差により高さ方向の基準位置からのずれが検出でき
る。試料１２を所定位置に調整する場合は、測定光束９
の結像位置が所定の位置となる様に前記ステージ８を手
動、自動により上下移動させることで調整がなされる。
尚、ステージ８を上下動させる代わりに、高さのずれを
電子レンズのフォーカス電流にフィールドバックしてピ
ント調整を行ってもよい。
【００２０】次に、図４により傾き検出、傾き調整を行
う為の傾き検出系２２は以下の構成を有する。
う為の傾き検出系２２は以下の構成を有する。
【００２１】測定光束９は位置測定光源１７から射出さ
れ、該測定光束９は集光レンズ１８により平行光束とさ
れ試料１２上に投光される。該試料１２上で鏡面反射さ
れた平行な測定光束９は、集光レンズ１９により受光器
２０上に集光される。
れ、該測定光束９は集光レンズ１８により平行光束とさ
れ試料１２上に投光される。該試料１２上で鏡面反射さ
れた平行な測定光束９は、集光レンズ１９により受光器
２０上に集光される。
【００２２】前記受光器２０は例えばラインセンサ等の
受光素子である。前記試料１２の傾きが変化すると受光
器２０上での測定光束９の集光位置が変化する。従っ
て、受光器２０上での基準位置からの集光位置の偏差に
より基準位置からのずれが検出できる。試料１２を所定
傾きに調整する場合は、測定光束９の集光位置が所定の
位置となる様に前記ステージ８を手動、自動により傾き
調整する。
受光素子である。前記試料１２の傾きが変化すると受光
器２０上での測定光束９の集光位置が変化する。従っ
て、受光器２０上での基準位置からの集光位置の偏差に
より基準位置からのずれが検出できる。試料１２を所定
傾きに調整する場合は、測定光束９の集光位置が所定の
位置となる様に前記ステージ８を手動、自動により傾き
調整する。
【００２３】上記傾き検出系２２は２組設けられ、２方
向の傾斜が検出される。傾き検出系２２を２組設けるこ
とで試料１２の２方向の傾きが検出され、２組の傾き検
出系２２からの検出結果に基づき電子ビームに対して試
料１２が垂直となる様に調整することが可能となる。
向の傾斜が検出される。傾き検出系２２を２組設けるこ
とで試料１２の２方向の傾きが検出され、２組の傾き検
出系２２からの検出結果に基づき電子ビームに対して試
料１２が垂直となる様に調整することが可能となる。
【００２４】前記高さ検出系２１を１組、傾き検出系２
２を２組設けることで試料１２の高さ位置、傾きの調整
が行われる。調整手順としては、先ず高さ検出系２１で
試料の高さ位置を検出、調整し、次に傾き検出系２２で
２方向の傾きを検出、調整することで電子顕微鏡に対す
る試料１２の位置調整が完了する。
２を２組設けることで試料１２の高さ位置、傾きの調整
が行われる。調整手順としては、先ず高さ検出系２１で
試料の高さ位置を検出、調整し、次に傾き検出系２２で
２方向の傾きを検出、調整することで電子顕微鏡に対す
る試料１２の位置調整が完了する。
【００２５】図５は他の実施の形態を示すものであり、
該他の実施の形態では前記測定光用開口１０の形状をス
リット状とした測定光用開口２５を穿設したものであ
る。
該他の実施の形態では前記測定光用開口１０の形状をス
リット状とした測定光用開口２５を穿設したものであ
る。
【００２６】測定光用開口２５の形状をスリット状とす
ることで位置合わせの為の測定光束の試料への入射角は
ある範囲内で自由に設定できるので、電子顕微鏡を構成
する他の部品の配置の自由度が大きくなり、装置全体を
コンパクトにすることも可能となる。
ることで位置合わせの為の測定光束の試料への入射角は
ある範囲内で自由に設定できるので、電子顕微鏡を構成
する他の部品の配置の自由度が大きくなり、装置全体を
コンパクトにすることも可能となる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、試料と
磁界レンズとの間に平板の減速電極が配置されている電
子顕微鏡に於いて、減速電極に測定光束が通過する測定
光用開口を明けたので、電子ビームが通過する電子ビー
ム通過開口の径を大きくする必要がなく、分解能を落と
すことなく試料の位置合わせを高精度に行うことがで
き、スループットが向上するという優れた効果を発揮す
る。
磁界レンズとの間に平板の減速電極が配置されている電
子顕微鏡に於いて、減速電極に測定光束が通過する測定
光用開口を明けたので、電子ビームが通過する電子ビー
ム通過開口の径を大きくする必要がなく、分解能を落と
すことなく試料の位置合わせを高精度に行うことがで
き、スループットが向上するという優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本実施の形態に使用される減速電極を示し、図
１のＡ−Ａ矢視図である。
１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】本実施の形態で使用される高さ検出系を示す説
明図である。
明図である。
【図４】本実施の形態で使用される傾き検出系を示す説
明図である。
明図である。
【図５】他の実施の形態に使用される減速電極を示し、
図１のＡ−Ａ矢視相当図である。
図１のＡ−Ａ矢視相当図である。
【図６】従来例を示す概略構成図である。
【図７】該従来例に使用される減速電極を示し、図６の
Ｂ−Ｂ矢視相当図である。
Ｂ−Ｂ矢視相当図である。
【図８】他の従来例を示す概略構成図である。
【図９】他の従来例に使用される減速電極を示し、図８
のＣ−Ｃ矢視相当図である。
のＣ−Ｃ矢視相当図である。
１ 電子銃 ２ 絞り ３ 偏向器 ４ 磁界レンズ ５ 減速電極 ６ 電子ビーム通過開口 ７ 電子光学系 ８ ステージ ９ 測定光束 １０ 測定光用開口 １１ 磁気ヨーク １２ 試料 １３ 位置測定光源 １４ 集光レンズ １５ 集光レンズ １６ 受光器 １７ 位置測定光源 １８ 集光レンズ １９ 集光レンズ ２０ 受光器 ２１ 高さ検出系 ２２ 傾き検出系 ２５ 測定光用開口
Claims (4)
- 【請求項１】 減速電極を持つ静電レンズと磁界レンズ
から構成され電子ビームを試料に向け照射する為の電子
光学系と、前記試料に対し斜め方向から測定光束を照射
し該試料から反射された前記測定光束を検出して試料の
高さ方向位置を検出する為の試料位置検出系とを有する
電子顕微鏡に於いて、前記減速電極の前記電子光学系の
光軸外の位置に電子ビームの通過開口とは別に前記測定
光束を通過させる為の測定光用開口を設けたことを特徴
とする電子顕微鏡。 - 【請求項２】 前記測定光用開口は、電子光学系の光軸
に対して対称な位置に設けられた少なくとも一対の開口
部とから成る請求項１の電子顕微鏡。 - 【請求項３】 減速電極を持つ静電レンズと磁界レンズ
から構成され電子ビームを試料に向け照射する為の電子
光学系と、前記試料に対し斜め方向から測定光束を照射
し該試料から反射された前記測定光束を検出して試料の
傾きを検出する為の少なくとも２つの検出系とを有する
電子顕微鏡に於いて、前記減速電極の前記電子光学系の
光軸外の位置に電子ビームの通過開口とは別に前記測定
光束を通過させる為の測定光用開口を設けたことを特徴
とする電子顕微鏡。 - 【請求項４】 前記測定光用開口は、前記検出系のそれ
ぞれに対応して前記電子光学系の光軸を中心として対称
な位置に設けられた一対の開口部から構成された請求項
３の電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8337599A JPH10172497A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8337599A JPH10172497A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172497A true JPH10172497A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18310170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8337599A Pending JPH10172497A (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172497A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243487A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| WO2025157580A1 (en) * | 2024-01-26 | 2025-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Time-division multiplexing wafer z tilt-height sensor for charged particle beam focusing |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP8337599A patent/JPH10172497A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243487A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| WO2025157580A1 (en) * | 2024-01-26 | 2025-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Time-division multiplexing wafer z tilt-height sensor for charged particle beam focusing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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