JPH10172501A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH10172501A JPH10172501A JP8353471A JP35347196A JPH10172501A JP H10172501 A JPH10172501 A JP H10172501A JP 8353471 A JP8353471 A JP 8353471A JP 35347196 A JP35347196 A JP 35347196A JP H10172501 A JPH10172501 A JP H10172501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビーム電流計測系の異常を速やかに検出す
る。 【解決手段】 ホルダ１８に保持された基板２０に対す
るイオン注入中のビーム電流Ｉを計測する、ビーム電流
計測器２６等から成るビーム電流計測系の他に、ファラ
デー装置３０、第２ビーム電流計測器４０、記憶装置４
２、演算回路４４および比較回路４６を設けた。ファラ
デー装置３０は、偏向手段を兼ねるＸ走査電極６によっ
て待機方向Ｂに向けられたイオンビーム２を受ける。第
２ビーム電流計測器４０は、ファラデー装置３０に流れ
るビーム電流を計測する。記憶装置４２は、第２ビーム
電流計測器４０で計測したイオン注入前のビーム電流Ｉ
0 を記憶する。演算回路４４は、記憶装置４２に記憶し
たイオン注入前のビーム電流Ｉ0 と、イオン注入中にビ
ーム電流計測器２６で計測するビーム電流Ｉとの比率Ｋ
を求める。比較回路４６は、演算回路４４で求めた比率
Ｋが基準範囲Ｒ外になったときに警報信号Ｓを出力す
る。これによって、ビーム電流計測系の異常を注入中に
速やかに検出することができる。
る。 【解決手段】 ホルダ１８に保持された基板２０に対す
るイオン注入中のビーム電流Ｉを計測する、ビーム電流
計測器２６等から成るビーム電流計測系の他に、ファラ
デー装置３０、第２ビーム電流計測器４０、記憶装置４
２、演算回路４４および比較回路４６を設けた。ファラ
デー装置３０は、偏向手段を兼ねるＸ走査電極６によっ
て待機方向Ｂに向けられたイオンビーム２を受ける。第
２ビーム電流計測器４０は、ファラデー装置３０に流れ
るビーム電流を計測する。記憶装置４２は、第２ビーム
電流計測器４０で計測したイオン注入前のビーム電流Ｉ
0 を記憶する。演算回路４４は、記憶装置４２に記憶し
たイオン注入前のビーム電流Ｉ0 と、イオン注入中にビ
ーム電流計測器２６で計測するビーム電流Ｉとの比率Ｋ
を求める。比較回路４６は、演算回路４４で求めた比率
Ｋが基準範囲Ｒ外になったときに警報信号Ｓを出力す
る。これによって、ビーム電流計測系の異常を注入中に
速やかに検出することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を１枚ずつ
ホルダに保持して基板に１枚ずつイオン注入を行う、い
わゆる枚葉式のイオン注入装置に関し、より具体的に
は、そのビーム電流計測系の異常を速やかに検出する手
段に関する。
ホルダに保持して基板に１枚ずつイオン注入を行う、い
わゆる枚葉式のイオン注入装置に関し、より具体的に
は、そのビーム電流計測系の異常を速やかに検出する手
段に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオン注入装置の従来例を図３
に示す。このイオン注入装置は、図示しないイオン源か
ら引き出され、かつ必要に応じて質量分離、加速、集束
等の行われたスポット状のイオンビーム２を、一組のＹ
走査電極４によってＹ方向（例えば垂直方向）に走査
し、かつ一組のＸ走査電極６によってＸ方向（例えば水
平方向）に走査して、ホルダ１８に１枚ずつ保持される
基板（例えば半導体ウェーハ）２０に照射して、当該基
板２０にイオン注入を行うよう構成されている。
に示す。このイオン注入装置は、図示しないイオン源か
ら引き出され、かつ必要に応じて質量分離、加速、集束
等の行われたスポット状のイオンビーム２を、一組のＹ
走査電極４によってＹ方向（例えば垂直方向）に走査
し、かつ一組のＸ走査電極６によってＸ方向（例えば水
平方向）に走査して、ホルダ１８に１枚ずつ保持される
基板（例えば半導体ウェーハ）２０に照射して、当該基
板２０にイオン注入を行うよう構成されている。
【０００３】上記Ｘ走査電極６は、この例では、イオン
ビーム２を、イオン注入時はホルダ１８上の基板２０に
入射する注入方向Ａ（図中に実線で示す方向）に向け、
イオン注入の前および後は同基板２０に入射しない待機
方向Ｂ（図中に２点鎖線で示す方向）に向ける偏向手段
を兼ねている。即ち、Ｘ走査電極６は、イオン注入時
は、イオンビーム２をその待機方向Ｂ（この例では直進
方向）から所定の角度α（例えば７度程度）だけＸ方向
に偏向させかつそこを中心にしてＸ方向に走査し、１枚
の基板２０に対するイオン注入の前および後は、イオン
ビーム２を全く偏向させずに待機方向Ｂに直進させる。
このようなビーム偏向の切り換えは、具体的には、Ｘ走
査電極６に印加する電圧の切り換えによって行うことが
できる。この待機方向Ｂ上には、この例では、イオンビ
ーム２を受け止めてそれが不所望な場所に当たるのを防
止するビームダンプ２８が設けられている。
ビーム２を、イオン注入時はホルダ１８上の基板２０に
入射する注入方向Ａ（図中に実線で示す方向）に向け、
イオン注入の前および後は同基板２０に入射しない待機
方向Ｂ（図中に２点鎖線で示す方向）に向ける偏向手段
を兼ねている。即ち、Ｘ走査電極６は、イオン注入時
は、イオンビーム２をその待機方向Ｂ（この例では直進
方向）から所定の角度α（例えば７度程度）だけＸ方向
に偏向させかつそこを中心にしてＸ方向に走査し、１枚
の基板２０に対するイオン注入の前および後は、イオン
ビーム２を全く偏向させずに待機方向Ｂに直進させる。
このようなビーム偏向の切り換えは、具体的には、Ｘ走
査電極６に印加する電圧の切り換えによって行うことが
できる。この待機方向Ｂ上には、この例では、イオンビ
ーム２を受け止めてそれが不所望な場所に当たるのを防
止するビームダンプ２８が設けられている。
【０００４】ホルダ１８は、図４中に矢印Ｄで示すよう
に、回転軸２２によって、基板２０にイオン注入を行う
ための起立状態と、基板２０の交換を行うための倒した
状態とに回転させられる。
に、回転軸２２によって、基板２０にイオン注入を行う
ための起立状態と、基板２０の交換を行うための倒した
状態とに回転させられる。
【０００５】ホルダ１８の周りからその上流側にかけ
て、イオンビーム２が基板２０やホルダ１８等に当たっ
た際に放出される二次電子がアースへ逃げるのを防止し
てイオンビーム２のビーム電流の計測を正確に行うため
のファラデーケージ８が設けられている。このファラデ
ーケージ８の上流側には、イオンビーム２を整形するマ
スク４８と、ファラデーケージ８からの二次電子の上流
側への漏れを防止するサプレッサ電極５０とが配置され
ている。サプレッサ電極５０にはサプレッサ電源５２か
ら負電圧が印加される。
て、イオンビーム２が基板２０やホルダ１８等に当たっ
た際に放出される二次電子がアースへ逃げるのを防止し
てイオンビーム２のビーム電流の計測を正確に行うため
のファラデーケージ８が設けられている。このファラデ
ーケージ８の上流側には、イオンビーム２を整形するマ
スク４８と、ファラデーケージ８からの二次電子の上流
側への漏れを防止するサプレッサ電極５０とが配置され
ている。サプレッサ電極５０にはサプレッサ電源５２か
ら負電圧が印加される。
【０００６】更にこの例では、必須ではないけれども、
ファラデーケージ８内におけるホルダ１８の上流側に、
回転軸１６によって矢印Ｃのように起立状態と倒した状
態（図１および図３はこの倒した状態を示す）とに回転
させられるフラッグ１０が設けられており、その孔１２
の背面側には絶縁物１３を介してファラデーカップ１４
が設けられている。このファラデーカップ１４とフラッ
グ１０との間には、ファラデーカップ１４からの二次電
子の漏れを防止するサプレッサ電極１５が配置されてお
り、このサプレッサ電極１５にはこの例では上述したサ
プレッサ電源５２から負電圧が印加される。
ファラデーケージ８内におけるホルダ１８の上流側に、
回転軸１６によって矢印Ｃのように起立状態と倒した状
態（図１および図３はこの倒した状態を示す）とに回転
させられるフラッグ１０が設けられており、その孔１２
の背面側には絶縁物１３を介してファラデーカップ１４
が設けられている。このファラデーカップ１４とフラッ
グ１０との間には、ファラデーカップ１４からの二次電
子の漏れを防止するサプレッサ電極１５が配置されてお
り、このサプレッサ電極１５にはこの例では上述したサ
プレッサ電源５２から負電圧が印加される。
【０００７】そしてファラデーケージ８はそのまま、か
つフラッグ１０、ファラデーカップ１４およびホルダ１
８は切換スイッチ２４を経由して、それらに流れるイオ
ンビーム２のビーム電流Ｉを計測するビーム電流計測器
２６に接続されている。
つフラッグ１０、ファラデーカップ１４およびホルダ１
８は切換スイッチ２４を経由して、それらに流れるイオ
ンビーム２のビーム電流Ｉを計測するビーム電流計測器
２６に接続されている。
【０００８】上記イオン注入装置の全体的な動作例を説
明すると、通常は、複数枚の基板２０に対する一連のイ
オン注入処理を行う前に、所定の注入条件に装置を立ち
上げるために、イオンビーム２の調整等が行われる。そ
の場合は、イオンビーム２を前述した注入方向Ａに向
け、かつフラッグ１０を起立させて、走査されていない
スポット状のイオンビーム２をファラデーカップ１４で
受けてそこに流れる電流をビーム電流計測器２６で計測
してイオンビーム２のビーム電流Ｉを計測したり、ある
いは走査されているイオンビーム２をフラッグ１０で受
けてイオンビーム２の走査波形の調整等を行ったりす
る。切換スイッチ２４は計測したいものの側に切り換え
ておく。
明すると、通常は、複数枚の基板２０に対する一連のイ
オン注入処理を行う前に、所定の注入条件に装置を立ち
上げるために、イオンビーム２の調整等が行われる。そ
の場合は、イオンビーム２を前述した注入方向Ａに向
け、かつフラッグ１０を起立させて、走査されていない
スポット状のイオンビーム２をファラデーカップ１４で
受けてそこに流れる電流をビーム電流計測器２６で計測
してイオンビーム２のビーム電流Ｉを計測したり、ある
いは走査されているイオンビーム２をフラッグ１０で受
けてイオンビーム２の走査波形の調整等を行ったりす
る。切換スイッチ２４は計測したいものの側に切り換え
ておく。
【０００９】装置の立ち上げ調整完了後、基板２０にイ
オン注入を行うときは、フラッグ１０を倒し、代わりに
ホルダ１８を起立させて、それに保持された基板２０に
イオンビームをＸＹ方向に走査しながら照射する。この
とき、基板２０に対するイオン注入量を計測するため
に、切換スイッチ２４をホルダ１８側に切り換えて、ホ
ルダ１８に流れるイオンビーム２のビーム電流Ｉをビー
ム電流計測器２６によって計測する。
オン注入を行うときは、フラッグ１０を倒し、代わりに
ホルダ１８を起立させて、それに保持された基板２０に
イオンビームをＸＹ方向に走査しながら照射する。この
とき、基板２０に対するイオン注入量を計測するため
に、切換スイッチ２４をホルダ１８側に切り換えて、ホ
ルダ１８に流れるイオンビーム２のビーム電流Ｉをビー
ム電流計測器２６によって計測する。
【００１０】１枚の基板２０に対するイオン注入が完了
して、ホルダ１８に対して、注入済の基板２０と次の未
注入の基板２０とを入れ換える間は、上記のように立ち
上げたイオンビーム２の状態を維持するために、イオン
源からのイオンビーム２の引き出しを中止することはせ
ずイオンビーム２を引き出したままにしておいて、イオ
ンビーム２を前述した待機方向Ｂに向けておく。そして
ホルダ１８に対する基板２０の入れ換えが完了したら、
イオンビーム２を再び注入方向Ａに向けてイオン注入を
開始する。以降は、所望枚数の基板２０のイオン注入が
完了するまで上記と同様の動作が繰り返される。
して、ホルダ１８に対して、注入済の基板２０と次の未
注入の基板２０とを入れ換える間は、上記のように立ち
上げたイオンビーム２の状態を維持するために、イオン
源からのイオンビーム２の引き出しを中止することはせ
ずイオンビーム２を引き出したままにしておいて、イオ
ンビーム２を前述した待機方向Ｂに向けておく。そして
ホルダ１８に対する基板２０の入れ換えが完了したら、
イオンビーム２を再び注入方向Ａに向けてイオン注入を
開始する。以降は、所望枚数の基板２０のイオン注入が
完了するまで上記と同様の動作が繰り返される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おいては、イオンビーム２のビーム電流Ｉの計測系は一
系統であるため、そのビーム電流計測系で何か異常があ
ったとしても、それを検出することができず、注入中の
ビーム電流Ｉの誤計測によって誤注入（過少注入や過多
注入）が生じ、不良注入の基板２０が続出するという問
題がある。
おいては、イオンビーム２のビーム電流Ｉの計測系は一
系統であるため、そのビーム電流計測系で何か異常があ
ったとしても、それを検出することができず、注入中の
ビーム電流Ｉの誤計測によって誤注入（過少注入や過多
注入）が生じ、不良注入の基板２０が続出するという問
題がある。
【００１２】そこでこの発明は、ビーム電流計測系の異
常を速やかに検出することを主たる目的とする。
常を速やかに検出することを主たる目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明のイオン注入装
置は、前記待機方向に向けられたイオンビームを受ける
ファラデー装置と、このファラデー装置に流れるビーム
電流を計測する第２ビーム電流計測器と、この第２ビー
ム電流計測器で計測したイオン注入前のビーム電流を記
憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶したイオン注入
前のビーム電流とイオン注入中に前記ビーム電流計測器
で計測するビーム電流との比率を求める演算回路と、こ
の演算回路で求めた比率を予め設定された基準範囲と比
較して、当該比率が基準範囲外になったときに警報信号
を出力する比較回路とを備えることを特徴としている。
置は、前記待機方向に向けられたイオンビームを受ける
ファラデー装置と、このファラデー装置に流れるビーム
電流を計測する第２ビーム電流計測器と、この第２ビー
ム電流計測器で計測したイオン注入前のビーム電流を記
憶する記憶装置と、この記憶装置に記憶したイオン注入
前のビーム電流とイオン注入中に前記ビーム電流計測器
で計測するビーム電流との比率を求める演算回路と、こ
の演算回路で求めた比率を予め設定された基準範囲と比
較して、当該比率が基準範囲外になったときに警報信号
を出力する比較回路とを備えることを特徴としている。
【００１４】上記ファラデー装置とホルダとには、注入
前および注入中の違いはあるけれども、通常は同一条件
のイオンビームが入射する。従って、上記ビーム電流計
測器および第２ビーム電流計測器で計測するビーム電流
の比率は、通常は所定の基準範囲内に納まる。この比率
が上記演算回路によって求められる。
前および注入中の違いはあるけれども、通常は同一条件
のイオンビームが入射する。従って、上記ビーム電流計
測器および第２ビーム電流計測器で計測するビーム電流
の比率は、通常は所定の基準範囲内に納まる。この比率
が上記演算回路によって求められる。
【００１５】基板へのイオン注入中にそのビーム電流計
測系に異常が生じてそれで計測するビーム電流が正常で
なくなると、上記比率は上記基準範囲外になり、それが
比較回路で検出され、この比較回路から警報信号が出力
される。このようにして、ビーム電流計測系の異常を基
板に対するイオン注入中に速やかに検出することがで
き、注入不良品の続出を未然に防止することができる。
測系に異常が生じてそれで計測するビーム電流が正常で
なくなると、上記比率は上記基準範囲外になり、それが
比較回路で検出され、この比較回路から警報信号が出力
される。このようにして、ビーム電流計測系の異常を基
板に対するイオン注入中に速やかに検出することがで
き、注入不良品の続出を未然に防止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を部分的に示す概略平面図である。図２
は、図１中のファラデー装置の具体例を拡大して示す縦
断面図である。図３および図４に示した従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の一例を部分的に示す概略平面図である。図２
は、図１中のファラデー装置の具体例を拡大して示す縦
断面図である。図３および図４に示した従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１７】この実施例においては、従来のビームダン
プ２８の代わりに、Ｘ走査電極６によって前述した待機
方向Ｂに向けられたイオンビーム２を受けるファラデー
装置３０を設けている。
プ２８の代わりに、Ｘ走査電極６によって前述した待機
方向Ｂに向けられたイオンビーム２を受けるファラデー
装置３０を設けている。
【００１８】このファラデー装置３０は、この例では図
２に示すように、Ｙ走査電極４によってＹ方向に走査さ
れた縦に細長いイオンビーム２を必要形状に整形するマ
スク３２と、その下流側に設けられていてイオンビーム
２を受けるファラデーカップ３８と、このファラデーカ
ップ３８とマスク３２との間に設けられていてイオンビ
ーム２がファラデーカップ３８に当たった際に放出され
る二次電子がファラデーカップ３８外に漏れ出るのを抑
制するサプレッサ電極３４と、このサプレッサ電極３４
に負電圧を印加するサプレッサ電源３６とを備えてい
る。このファラデー装置３０をファラデーカップ３８だ
けで構成しても良いけれども、上記のような構造にする
方が、二次電子の漏れを抑えてイオンビーム２のビーム
電流計測をより正確に行うことができるので好ましい。
２に示すように、Ｙ走査電極４によってＹ方向に走査さ
れた縦に細長いイオンビーム２を必要形状に整形するマ
スク３２と、その下流側に設けられていてイオンビーム
２を受けるファラデーカップ３８と、このファラデーカ
ップ３８とマスク３２との間に設けられていてイオンビ
ーム２がファラデーカップ３８に当たった際に放出され
る二次電子がファラデーカップ３８外に漏れ出るのを抑
制するサプレッサ電極３４と、このサプレッサ電極３４
に負電圧を印加するサプレッサ電源３６とを備えてい
る。このファラデー装置３０をファラデーカップ３８だ
けで構成しても良いけれども、上記のような構造にする
方が、二次電子の漏れを抑えてイオンビーム２のビーム
電流計測をより正確に行うことができるので好ましい。
【００１９】上記ファラデー装置３０（より具体的には
そのファラデーカップ３８）には、当該ファラデー装置
３０に流れるイオンビーム２のビーム電流を計測する第
２ビーム電流計測器４０が接続されている。この第２ビ
ーム電流計測器４０は、例えば上記ビーム電流計測器２
６と同一構成の物で良い。
そのファラデーカップ３８）には、当該ファラデー装置
３０に流れるイオンビーム２のビーム電流を計測する第
２ビーム電流計測器４０が接続されている。この第２ビ
ーム電流計測器４０は、例えば上記ビーム電流計測器２
６と同一構成の物で良い。
【００２０】上記第２ビーム電流計測器４０には記憶装
置４２が接続されている。この記憶装置４２には、第２
ビーム電流計測器４０で計測した、基板２０に対するイ
オン注入前の、より具体的には前述した装置の立ち上げ
調整完了後イオン注入前のイオンビーム２のビーム電流
Ｉ0 が取り込まれ、記憶される。
置４２が接続されている。この記憶装置４２には、第２
ビーム電流計測器４０で計測した、基板２０に対するイ
オン注入前の、より具体的には前述した装置の立ち上げ
調整完了後イオン注入前のイオンビーム２のビーム電流
Ｉ0 が取り込まれ、記憶される。
【００２１】この記憶装置４２と前述したビーム電流計
測器２６に演算回路４４が接続されている。この演算回
路４４は、記憶装置４２に記憶したイオン注入前のビー
ム電流Ｉ0 と、基板２０に対するイオン注入中にビーム
電流計測器２６で計測するビーム電流Ｉとの比率Ｋ（例
えばＫ＝Ｉ／Ｉ0 ）を求める。
測器２６に演算回路４４が接続されている。この演算回
路４４は、記憶装置４２に記憶したイオン注入前のビー
ム電流Ｉ0 と、基板２０に対するイオン注入中にビーム
電流計測器２６で計測するビーム電流Ｉとの比率Ｋ（例
えばＫ＝Ｉ／Ｉ0 ）を求める。
【００２２】この演算回路４４には比較回路４６が接続
されている。この比較回路４６は、演算回路４４で求め
た比率Ｋを、予め設定された基準範囲Ｒと比較して、当
該比率Ｋが基準範囲Ｒ外になったときに警報信号Ｓを出
力する。この比較回路４６は、例えばウインドウコンパ
レータであり、入力される上記比率Ｋが、上記基準範囲
Ｒの下限値Ｒ1 よりも小さいか上限値Ｒ2 よりも大きく
なったときに上記警報信号Ｓを出力する。
されている。この比較回路４６は、演算回路４４で求め
た比率Ｋを、予め設定された基準範囲Ｒと比較して、当
該比率Ｋが基準範囲Ｒ外になったときに警報信号Ｓを出
力する。この比較回路４６は、例えばウインドウコンパ
レータであり、入力される上記比率Ｋが、上記基準範囲
Ｒの下限値Ｒ1 よりも小さいか上限値Ｒ2 よりも大きく
なったときに上記警報信号Ｓを出力する。
【００２３】上記ファラデー装置３０と基板２０を保持
したホルダ１８とには、注入前および注入中の違いはあ
るけれども、前述したように通常は同一条件の、即ち立
ち上げ調整完了状態のイオンビーム２が入射する。従っ
て、上記ビーム電流計測器２６および第２ビーム電流計
測器４０で計測するビーム電流の比率Ｋは、通常は一定
値になる。具体的には、ホルダ１８で受けるイオンビー
ム２の面積とファラデーカップ３８で受けるイオンビー
ム２の面積とが同一であればＫ＝１となり、同一でなけ
ればＫ≠１の一定値となる。また、イオンビーム２の若
干の変動や、計測誤差を考慮しても、上記比率Ｋは通常
は所定の基準範囲Ｒ内に納まる。この比率Ｋが、ホルダ
１８上の所定の基板２０に対するイオン注入中に上記演
算回路４４によって求められる。
したホルダ１８とには、注入前および注入中の違いはあ
るけれども、前述したように通常は同一条件の、即ち立
ち上げ調整完了状態のイオンビーム２が入射する。従っ
て、上記ビーム電流計測器２６および第２ビーム電流計
測器４０で計測するビーム電流の比率Ｋは、通常は一定
値になる。具体的には、ホルダ１８で受けるイオンビー
ム２の面積とファラデーカップ３８で受けるイオンビー
ム２の面積とが同一であればＫ＝１となり、同一でなけ
ればＫ≠１の一定値となる。また、イオンビーム２の若
干の変動や、計測誤差を考慮しても、上記比率Ｋは通常
は所定の基準範囲Ｒ内に納まる。この比率Ｋが、ホルダ
１８上の所定の基板２０に対するイオン注入中に上記演
算回路４４によって求められる。
【００２４】基板２０へのイオン注入中に、その上記フ
ァラデーケージ８、ホルダ１８、ビーム電流計測器２６
等から成るビーム電流計測系に異常が生じてそれで計測
するビーム電流Ｉが正常でなくなると、上記比率Ｋは上
記基準範囲Ｒ外になり、それが比較回路４６で検出さ
れ、この比較回路４６から警報信号Ｓが出力される。こ
のようにして、ビーム電流計測系の異常を、基板２０に
対するイオン注入中に速やかに検出することができる。
ある基板２０に対するイオン注入中に異常を検出して
も、その基板２０に対して注入不良が生じるのを防止す
ることは難しいけれども、少なくともそれ以降の基板２
０に対して、誤計測によって注入不良が生じるのを未然
に防止することができる。従って、注入不良品の続出を
未然に防止することができる。
ァラデーケージ８、ホルダ１８、ビーム電流計測器２６
等から成るビーム電流計測系に異常が生じてそれで計測
するビーム電流Ｉが正常でなくなると、上記比率Ｋは上
記基準範囲Ｒ外になり、それが比較回路４６で検出さ
れ、この比較回路４６から警報信号Ｓが出力される。こ
のようにして、ビーム電流計測系の異常を、基板２０に
対するイオン注入中に速やかに検出することができる。
ある基板２０に対するイオン注入中に異常を検出して
も、その基板２０に対して注入不良が生じるのを防止す
ることは難しいけれども、少なくともそれ以降の基板２
０に対して、誤計測によって注入不良が生じるのを未然
に防止することができる。従って、注入不良品の続出を
未然に防止することができる。
【００２５】なお、上記比較回路４６から出力される警
報信号Ｓの用い方としては、当該警報信号Ｓに基づいて
運転員等に警報を出すだけでも良いし、更に進んで、当
該警報信号Ｓに基づいて基板２０に対するイオン注入を
自動的に停止させるようにしても良い。
報信号Ｓの用い方としては、当該警報信号Ｓに基づいて
運転員等に警報を出すだけでも良いし、更に進んで、当
該警報信号Ｓに基づいて基板２０に対するイオン注入を
自動的に停止させるようにしても良い。
【００２６】また、以上の例では、フラッグ１０および
ファラデーカップ１４を設け、かつビーム電流計測器２
６を共用するための切換スイッチ２４を設けているけれ
ども、これらを設けるか否かは、この発明の本質に影響
するものではなく、任意である。
ファラデーカップ１４を設け、かつビーム電流計測器２
６を共用するための切換スイッチ２４を設けているけれ
ども、これらを設けるか否かは、この発明の本質に影響
するものではなく、任意である。
【００２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ビーム
電流計測系の異常を基板に対する注入中に速やかに検出
することができるので、注入不良品の続出を未然に防止
することができ、イオン注入装置としての信頼性も向上
する。
電流計測系の異常を基板に対する注入中に速やかに検出
することができるので、注入不良品の続出を未然に防止
することができ、イオン注入装置としての信頼性も向上
する。
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を部分的
に示す概略平面図である。
に示す概略平面図である。
【図２】図１中のファラデー装置の具体例を拡大して示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す概
略平面図である。
略平面図である。
【図４】図１および図３中のファラデーケージ周りを拡
大して示す縦断面図である。
大して示す縦断面図である。
２ イオンビーム ６ Ｘ走査電極（偏向手段） １８ ホルダ ２０ 基板 ２６ ビーム電流計測器 ３０ ファラデー装置 ４０ 第２ビーム電流計測器 ４２ 記憶装置 ４４ 演算回路 ４６ 比較回路 Ａ 注入方向 Ｂ 待機方向
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン注入すべき基板保持用のホルダ
と、イオン注入中にこのホルダに流れるビーム電流を計
測するビーム電流計測器と、イオンビームを、イオン注
入時は前記ホルダ上の基板に入射する注入方向に向け、
イオン注入の前および後は同基板に入射しない待機方向
に向ける偏向手段とを備えるイオン注入装置において、
前記待機方向に向けられたイオンビームを受けるファラ
デー装置と、このファラデー装置に流れるビーム電流を
計測する第２ビーム電流計測器と、この第２ビーム電流
計測器で計測したイオン注入前のビーム電流を記憶する
記憶装置と、この記憶装置に記憶したイオン注入前のビ
ーム電流とイオン注入中に前記ビーム電流計測器で計測
するビーム電流との比率を求める演算回路と、この演算
回路で求めた比率を予め設定された基準範囲と比較し
て、当該比率が基準範囲外になったときに警報信号を出
力する比較回路とを備えることを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35347196A JP3440734B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35347196A JP3440734B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172501A true JPH10172501A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3440734B2 JP3440734B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18431084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35347196A Expired - Fee Related JP3440734B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440734B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076329A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion doping apparatus, ion doping method, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device |
| WO2006008543A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method of determining dose uniformity of a scanning ion implanter |
| US7005657B1 (en) | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
| US7102146B2 (en) | 2004-06-03 | 2006-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
| WO2007013869A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-02-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
| JP2008536309A (ja) * | 2005-04-02 | 2008-09-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置 |
-
1996
- 1996-12-16 JP JP35347196A patent/JP3440734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076329A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion doping apparatus, ion doping method, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device |
| US7745803B2 (en) | 2004-02-03 | 2010-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion doping apparatus, ion doping method, semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
| US7102146B2 (en) | 2004-06-03 | 2006-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
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| WO2006084143A3 (en) * | 2005-02-04 | 2007-11-01 | Varian Semiconductor Equipment | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
| JP2008530785A (ja) * | 2005-02-04 | 2008-08-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ビームグリッチを回復するための高速ビーム偏向部を有するウェハ走査イオン注入器 |
| JP2008536309A (ja) * | 2005-04-02 | 2008-09-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置 |
| WO2007013869A1 (en) * | 2005-06-06 | 2007-02-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3440734B2 (ja) | 2003-08-25 |
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