JPH10172875A - 露光パターンデータ補正方法 - Google Patents
露光パターンデータ補正方法Info
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- JPH10172875A JPH10172875A JP8331328A JP33132896A JPH10172875A JP H10172875 A JPH10172875 A JP H10172875A JP 8331328 A JP8331328 A JP 8331328A JP 33132896 A JP33132896 A JP 33132896A JP H10172875 A JPH10172875 A JP H10172875A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】近接効果によるパターンの寸法精度の劣化を防
止するための露光パターンデータ補正方法に関し、同一
プレート上に様々な寸法のパターンを有する場合におい
ても、全ての寸法のパターンについて寸法精度の高いパ
ターンを形成することができるようにし、しかも、露光
パターンの補正量を算出するための演算処理時間を短縮
する。 【解決手段】ステップＳ４−において、露光パターン
のＸ軸方向の設計寸法Ｌ X及びＹ軸方向の設計寸法ＬYに
対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、露光パターンのＸ軸方向
の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと、実測によ
る寸法誤差量との関係を近似したΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1
＋Ｃ3ＬX -2、ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2なる式で
算出する。
止するための露光パターンデータ補正方法に関し、同一
プレート上に様々な寸法のパターンを有する場合におい
ても、全ての寸法のパターンについて寸法精度の高いパ
ターンを形成することができるようにし、しかも、露光
パターンの補正量を算出するための演算処理時間を短縮
する。 【解決手段】ステップＳ４−において、露光パターン
のＸ軸方向の設計寸法Ｌ X及びＹ軸方向の設計寸法ＬYに
対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、露光パターンのＸ軸方向
の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと、実測によ
る寸法誤差量との関係を近似したΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1
＋Ｃ3ＬX -2、ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2なる式で
算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光技術を
用いてパターンを形成する場合における近接効果による
パターンの寸法精度の劣化を防止するための露光パター
ンデータ補正方法に関する。
用いてパターンを形成する場合における近接効果による
パターンの寸法精度の劣化を防止するための露光パター
ンデータ補正方法に関する。
【０００２】近年、半導体デバイスにおけるパターンの
微細化に伴い、レチクルパターンを作成する場合におい
ても、近接効果の影響によるパターンの寸法精度の劣化
が問題となってきている。
微細化に伴い、レチクルパターンを作成する場合におい
ても、近接効果の影響によるパターンの寸法精度の劣化
が問題となってきている。
【０００３】近接効果の要因としては、電子線の後方散
乱以外に、ガラス基板が関与する熱的要因や、電子線露
光装置のコラム下部からの二次電子照射があるが、特
に、高感度レジストを使用する場合には、ガラス基板が
関与する熱的要因や、電子線露光装置のコラム下部から
の二次電子照射の影響を無視することができない。
乱以外に、ガラス基板が関与する熱的要因や、電子線露
光装置のコラム下部からの二次電子照射があるが、特
に、高感度レジストを使用する場合には、ガラス基板が
関与する熱的要因や、電子線露光装置のコラム下部から
の二次電子照射の影響を無視することができない。
【０００４】
【従来の技術】従来、レチクルパターンを作成するため
に使用される電子線露光装置は、熱対策として、ウエハ
に対して直接露光を行う電子線露光装置に比べて電子線
の加速電圧を低くされていたが、このことが、後方散乱
電子を抑えることにもつながり、近接効果を低減するこ
とができた。
に使用される電子線露光装置は、熱対策として、ウエハ
に対して直接露光を行う電子線露光装置に比べて電子線
の加速電圧を低くされていたが、このことが、後方散乱
電子を抑えることにもつながり、近接効果を低減するこ
とができた。
【０００５】しかし、同一の露光条件及び同一の露光後
処理条件（現像処理やエッチング処理などの条件）の下
で、様々な寸法のパターンを形成する場合、微細なパタ
ーンほど露光量不足になり、設計寸法に対する寸法精度
の劣化が問題となり、ウエハに対する電子線直接露光技
術において使用されている近接効果補正プログラムがレ
チクルパターンを作成する場合にも必要となってきてい
る。
処理条件（現像処理やエッチング処理などの条件）の下
で、様々な寸法のパターンを形成する場合、微細なパタ
ーンほど露光量不足になり、設計寸法に対する寸法精度
の劣化が問題となり、ウエハに対する電子線直接露光技
術において使用されている近接効果補正プログラムがレ
チクルパターンを作成する場合にも必要となってきてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来からウエハに対す
る電子線直接露光技術において使用されてきた近接効果
補正プログラムは、電子線露光装置の露光エネルギー及
び露光時間、パターンの大きさ及び間隔を考慮して、各
パターンを補正し易いように分割し、その後に、分割し
たパターンの大きさ及び露光量の補正を行うものであっ
た。
る電子線直接露光技術において使用されてきた近接効果
補正プログラムは、電子線露光装置の露光エネルギー及
び露光時間、パターンの大きさ及び間隔を考慮して、各
パターンを補正し易いように分割し、その後に、分割し
たパターンの大きさ及び露光量の補正を行うものであっ
た。
【０００７】ここに、レチクルは、露光面積が大きく、
露光パターンデータ数が多いため、ウエハに対する電子
線直接露光技術において使用されている近接効果補正プ
ログラムをレチクル作成用の露光パターンデータの補正
に利用する場合には、露光パターンの設計寸法及び露光
量の補正量を算出するための計算機による演算処理に要
する時間が掛かり過ぎるという問題点があった。
露光パターンデータ数が多いため、ウエハに対する電子
線直接露光技術において使用されている近接効果補正プ
ログラムをレチクル作成用の露光パターンデータの補正
に利用する場合には、露光パターンの設計寸法及び露光
量の補正量を算出するための計算機による演算処理に要
する時間が掛かり過ぎるという問題点があった。
【０００８】本発明は、かかる点に鑑み、同一プレート
上に寸法劣化が問題となる微細パターンを含む様々な寸
法のパターンを形成する場合においても、全ての寸法の
パターンについて、寸法精度の高いパターンを形成する
ことができ、しかも、露光パターンの設計寸法及び露光
量の補正値を算出するために必要とされる計算機による
演算処理時間を短縮することができるようにした露光パ
ターンデータ補正方法を提供することを目的とする。
上に寸法劣化が問題となる微細パターンを含む様々な寸
法のパターンを形成する場合においても、全ての寸法の
パターンについて、寸法精度の高いパターンを形成する
ことができ、しかも、露光パターンの設計寸法及び露光
量の補正値を算出するために必要とされる計算機による
演算処理時間を短縮することができるようにした露光パ
ターンデータ補正方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明中、第１の発明
（請求項１記載の露光パターンデータ補正方法）は、電
子線露光装置用の露光パターンデータに含まれる露光パ
ターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸
法ＬYに対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、露光パターンの
Ｘ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと実
測による寸法誤差量（但し、寸法誤差量は、設計寸法か
ら実測値を差し引いた値である。）との関係を近似した ΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2 ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2 なる式（但し、Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3は実測結果から得られる
パラメータである。）で算出して露光パターンのＸ軸方
向の設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始点座標
を補正し、露光パターンデータを補正するというもので
ある。
（請求項１記載の露光パターンデータ補正方法）は、電
子線露光装置用の露光パターンデータに含まれる露光パ
ターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸
法ＬYに対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、露光パターンの
Ｘ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと実
測による寸法誤差量（但し、寸法誤差量は、設計寸法か
ら実測値を差し引いた値である。）との関係を近似した ΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2 ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2 なる式（但し、Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3は実測結果から得られる
パラメータである。）で算出して露光パターンのＸ軸方
向の設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始点座標
を補正し、露光パターンデータを補正するというもので
ある。
【００１０】この第１の発明によれば、補正量ΔＬX、
ΔＬYを算出する式は、露光パターンのＸ軸方向の設計
寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと、実測による寸法
誤差量との関係を近似したものであることから、同一プ
レート上に寸法劣化が問題となる微細パターンを含む様
々な寸法のパターンを形成する場合においても、全ての
寸法のパターンについて、寸法精度の高いパターンを形
成することができるように、露光パターンのＸ軸方向の
設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始点座標を補
正することができる。
ΔＬYを算出する式は、露光パターンのＸ軸方向の設計
寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法ＬYと、実測による寸法
誤差量との関係を近似したものであることから、同一プ
レート上に寸法劣化が問題となる微細パターンを含む様
々な寸法のパターンを形成する場合においても、全ての
寸法のパターンについて、寸法精度の高いパターンを形
成することができるように、露光パターンのＸ軸方向の
設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始点座標を補
正することができる。
【００１１】また、この第１の発明によれば、補正量Δ
ＬX、ΔＬYを算出する式は、簡素なものであり露光量補
正を必要としないので、寸法補正量及び露光量補正量を
算出するために必要とされる計算機による演算処理時間
を短縮することができる。
ＬX、ΔＬYを算出する式は、簡素なものであり露光量補
正を必要としないので、寸法補正量及び露光量補正量を
算出するために必要とされる計算機による演算処理時間
を短縮することができる。
【００１２】本発明中、第２の発明（請求項２記載の露
光パターンデータ補正方法）は、第１の発明において、
露光パターンの始点座標の補正は、ΔＬXが正の値の場
合には、露光パターンのＸ軸方向の両端の位置をパター
ン外側方向にΔＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場
合には、露光パターンのＸ軸方向の両端の位置をパター
ン内側方向にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正
の値の場合には、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置
をパターン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負
の値の場合には、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置
をパターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正することによ
り行うというものである。
光パターンデータ補正方法）は、第１の発明において、
露光パターンの始点座標の補正は、ΔＬXが正の値の場
合には、露光パターンのＸ軸方向の両端の位置をパター
ン外側方向にΔＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場
合には、露光パターンのＸ軸方向の両端の位置をパター
ン内側方向にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正
の値の場合には、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置
をパターン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負
の値の場合には、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置
をパターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正することによ
り行うというものである。
【００１３】この第２の発明によれば、近接効果、特
に、微細パターン露光時の露光量不足（内部近接効果）
によるパターンの寸法精度の劣化を効率的に防止して寸
法精度の高いパターンを形成することができるように露
光パターンの始点座標を補正することができ、しかも、
補正方法を簡素化して、露光量補正を削除したことで、
補正量を算出するために必要とされる計算機による演算
処理時間を短縮することができる。
に、微細パターン露光時の露光量不足（内部近接効果）
によるパターンの寸法精度の劣化を効率的に防止して寸
法精度の高いパターンを形成することができるように露
光パターンの始点座標を補正することができ、しかも、
補正方法を簡素化して、露光量補正を削除したことで、
補正量を算出するために必要とされる計算機による演算
処理時間を短縮することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態を概
略的に示すフローチャートであり、本発明の実施の一形
態を実行する場合には、その前提として、まず、露光パ
ターンデータの作成処理を行い（ステップＳ１）、作成
した露光パターンデータのパターン寸法情報の確認を行
う（ステップＳ２）。
略的に示すフローチャートであり、本発明の実施の一形
態を実行する場合には、その前提として、まず、露光パ
ターンデータの作成処理を行い（ステップＳ１）、作成
した露光パターンデータのパターン寸法情報の確認を行
う（ステップＳ２）。
【００１５】ここに、図２は露光パターンデータの一例
の一部分を図形的に示す図であり、点線１〜７で区切ら
れた領域８〜１３は、電子線露光装置のビーム偏向可能
範囲で決められたパターン発生領域であるフィールドと
呼ばれる領域である。
の一部分を図形的に示す図であり、点線１〜７で区切ら
れた領域８〜１３は、電子線露光装置のビーム偏向可能
範囲で決められたパターン発生領域であるフィールドと
呼ばれる領域である。
【００１６】露光パターンデータは、このように電子線
露光装置に特有なフィールドという領域の１つ１つを単
位として、パターンの形状、始点座標、寸法、露光量補
正係数を情報として持つものとして作成されることにな
る。
露光装置に特有なフィールドという領域の１つ１つを単
位として、パターンの形状、始点座標、寸法、露光量補
正係数を情報として持つものとして作成されることにな
る。
【００１７】そして、ステップＳ２が終了した場合に
は、寸法補正処理を行うか否かを判断し（ステップＳ
３）、寸法補正処理を行う場合（ステップＳ３でＹＥＳ
の場合）には、寸法補正処理を行う（ステップＳ４）。
は、寸法補正処理を行うか否かを判断し（ステップＳ
３）、寸法補正処理を行う場合（ステップＳ３でＹＥＳ
の場合）には、寸法補正処理を行う（ステップＳ４）。
【００１８】ここに、ステップＳ４の寸法補正処理にお
いては、各パターンの寸法補正量の算出、各パター
ンの始点座標の補正値の算出、露光パターンデータへ
の補正値の書込み、及び、補正された露光パターンデ
ータの出力処理を順に行うようにする。
いては、各パターンの寸法補正量の算出、各パター
ンの始点座標の補正値の算出、露光パターンデータへ
の補正値の書込み、及び、補正された露光パターンデ
ータの出力処理を順に行うようにする。
【００１９】そして、ステップＳ４における寸法補正処
理手順が終了した場合には、補正された露光パターンデ
ータを電子線露光装置に送り（ステップＳ５）、処理を
終了する。
理手順が終了した場合には、補正された露光パターンデ
ータを電子線露光装置に送り（ステップＳ５）、処理を
終了する。
【００２０】これに対して、ステップＳ３でＮＯの場
合、即ち、寸法補正処理を行わない場合には、寸法補正
処理を行うことなく、作成された露光パターンデータを
電子線露光装置に送り（ステップＳ５）、処理を終了す
る。
合、即ち、寸法補正処理を行わない場合には、寸法補正
処理を行うことなく、作成された露光パターンデータを
電子線露光装置に送り（ステップＳ５）、処理を終了す
る。
【００２１】ここに、ステップＳ４−においては、設
計された露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ
軸方向の設計寸法ＬYに対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、
露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の
設計寸法ＬYと実測による寸法誤差量（但し、寸法誤差
量は、設計寸法から実測値を差し引いた値である。）と
の関係を近似した ΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2 （１） ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2 （２） なる式で算出するようにする。
計された露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ
軸方向の設計寸法ＬYに対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、
露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の
設計寸法ＬYと実測による寸法誤差量（但し、寸法誤差
量は、設計寸法から実測値を差し引いた値である。）と
の関係を近似した ΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2 （１） ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2 （２） なる式で算出するようにする。
【００２２】これら式（１）、式（２）において、
Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3はパラメータであり、これらＣ1、Ｃ2、
Ｃ3は、実際のレチクルを作成する場合と同一のレジス
トを使用して、実際のレチクルを作成する場合と同一の
露光条件及び同一の露光後処理条件においてテスト用の
レチクルパターンを形成し、設計寸法と実測による寸法
誤差量との関係を求め、設計寸法を式（１）のＬXに代
入し、実測による寸法誤差を式（１）のΔＬXに代入す
ることにより求めることができる。
Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3はパラメータであり、これらＣ1、Ｃ2、
Ｃ3は、実際のレチクルを作成する場合と同一のレジス
トを使用して、実際のレチクルを作成する場合と同一の
露光条件及び同一の露光後処理条件においてテスト用の
レチクルパターンを形成し、設計寸法と実測による寸法
誤差量との関係を求め、設計寸法を式（１）のＬXに代
入し、実測による寸法誤差を式（１）のΔＬXに代入す
ることにより求めることができる。
【００２３】ここに、Ｃ1はプロセス条件（レジストの
種別、現像やエッチング等の条件）による寸法変化に関
するパラメータ、Ｃ2及びＣ3はレジストの解像力特性、
レジストの膜厚、電子線露光装置の条件（電子線の加速
電圧等）による電子の前方散乱、後方散乱、反射電子の
かぶりに関する総露光エネルギーに関するパラメータで
ある。
種別、現像やエッチング等の条件）による寸法変化に関
するパラメータ、Ｃ2及びＣ3はレジストの解像力特性、
レジストの膜厚、電子線露光装置の条件（電子線の加速
電圧等）による電子の前方散乱、後方散乱、反射電子の
かぶりに関する総露光エネルギーに関するパラメータで
ある。
【００２４】なお、実験結果からの推察では、Ｃ2は前
方散乱の拡がりを表わすパラメータ、Ｃ3は後方散乱、
反射電子によるエネルギーの嵩上げを表わすパラメータ
と考えられる。
方散乱の拡がりを表わすパラメータ、Ｃ3は後方散乱、
反射電子によるエネルギーの嵩上げを表わすパラメータ
と考えられる。
【００２５】図３はパラメータＣ1、Ｃ2、Ｃ3の具体的
算出例を示す図であり、横軸にテスト用のレチクルに形
成されたパターンの設計寸法ＬXを表示し、縦軸にテス
ト用のレチクルに形成されたパターンの実測による寸法
誤差量、即ち、必要とされる寸法補正量ΔＬXを表示し
ている。但し、寸法誤差量は、（［設計寸法］−［実測
値］）で求めている。
算出例を示す図であり、横軸にテスト用のレチクルに形
成されたパターンの設計寸法ＬXを表示し、縦軸にテス
ト用のレチクルに形成されたパターンの実測による寸法
誤差量、即ち、必要とされる寸法補正量ΔＬXを表示し
ている。但し、寸法誤差量は、（［設計寸法］−［実測
値］）で求めている。
【００２６】図３中、□はテスト用のレチクルに形成さ
れたパターンの設計寸法ＬXと実測による寸法誤差量と
の関係をプロットしたものであり、曲線１４は、テスト
用のレチクルに形成されたパターンの設計寸法ＬXと実
測による寸法誤差量との関係を近似した式であるΔＬX
＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2を示しており、この例の場
合には、Ｃ1＝−０.０３、Ｃ2＝０.１０９、Ｃ3＝０.０
１１となる。
れたパターンの設計寸法ＬXと実測による寸法誤差量と
の関係をプロットしたものであり、曲線１４は、テスト
用のレチクルに形成されたパターンの設計寸法ＬXと実
測による寸法誤差量との関係を近似した式であるΔＬX
＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2を示しており、この例の場
合には、Ｃ1＝−０.０３、Ｃ2＝０.１０９、Ｃ3＝０.０
１１となる。
【００２７】また、図４はステップＳ４−で行われる
露光パターンの始点座標の補正値の算出方法を説明する
ための図であり、１５は寸法補正前の露光パターン、１
６は寸法補正前の露光パターン１５の始点座標、１７は
寸法補正後の露光パターン、１８は寸法補正後の露光パ
ターン１７の始点座標を示している。
露光パターンの始点座標の補正値の算出方法を説明する
ための図であり、１５は寸法補正前の露光パターン、１
６は寸法補正前の露光パターン１５の始点座標、１７は
寸法補正後の露光パターン、１８は寸法補正後の露光パ
ターン１７の始点座標を示している。
【００２８】即ち、本発明の実施の一形態においては、
始点座標の補正値は、ΔＬXが正の値の場合には、露光
パターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方
向にΔＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、
露光パターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン内
側方向にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値
の場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置
をパターン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負
の値の場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の
位置をパターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正すること
により算出するようにする。
始点座標の補正値は、ΔＬXが正の値の場合には、露光
パターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方
向にΔＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、
露光パターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン内
側方向にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値
の場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置
をパターン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負
の値の場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の
位置をパターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正すること
により算出するようにする。
【００２９】このように、本発明の実施の一形態によれ
ば、補正量ΔＬX、ΔＬYを求める式（１）、式（２）
は、実際のレチクルを作成する場合と同一のレジストを
使用して、実際のレチクルを作成する場合と同一の露光
条件及び同一の露光後処理条件においてテスト用のレチ
クルパターンを形成し、設計寸法ＬX、ＬYと実測による
寸法誤差量との関係を近似したものとし、しかも、始点
座標の補正は、ΔＬXが正の値の場合には、露光パター
ン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、露光パ
ターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン内側方向
にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値の場合
には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置をパタ
ーン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負の値の
場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置を
パターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正することにより
行うとしているので、同一プレート上に寸法劣化が問題
となる微細パターンを含む様々な寸法のパターンを形成
する場合においても、微細パターンの露光量不足による
寸法精度の劣化を効率的に防止して、全ての寸法のパタ
ーンについて、寸法精度の高いパターンを形成すること
ができる。
ば、補正量ΔＬX、ΔＬYを求める式（１）、式（２）
は、実際のレチクルを作成する場合と同一のレジストを
使用して、実際のレチクルを作成する場合と同一の露光
条件及び同一の露光後処理条件においてテスト用のレチ
クルパターンを形成し、設計寸法ＬX、ＬYと実測による
寸法誤差量との関係を近似したものとし、しかも、始点
座標の補正は、ΔＬXが正の値の場合には、露光パター
ン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、露光パ
ターン１５のＸ軸方向の両端の位置をパターン内側方向
にΔＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値の場合
には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置をパタ
ーン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負の値の
場合には、露光パターン１５のＹ軸方向の両端の位置を
パターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正することにより
行うとしているので、同一プレート上に寸法劣化が問題
となる微細パターンを含む様々な寸法のパターンを形成
する場合においても、微細パターンの露光量不足による
寸法精度の劣化を効率的に防止して、全ての寸法のパタ
ーンについて、寸法精度の高いパターンを形成すること
ができる。
【００３０】ちなみに、表１は、０.５〜１０μｍのパ
ターンの設計寸法からの誤差の最大値と最小値の幅を寸
法誤差の幅として、本発明の実施の一形態による寸法補
正の有無と寸法誤差の幅との関係を示すものである。
ターンの設計寸法からの誤差の最大値と最小値の幅を寸
法誤差の幅として、本発明の実施の一形態による寸法補
正の有無と寸法誤差の幅との関係を示すものである。
【００３１】
【表１】
【００３２】また、本発明の実施の一形態によれば、露
光パターンの設計寸法ＬX、ＬYの補正量ΔＬX、ΔＬYを
求める式（１）、式（２）は、簡素なものとされている
ので、補正量ΔＬX、ΔＬYを求めるために必要とされる
計算機による演算処理時間を短縮することができる。
光パターンの設計寸法ＬX、ＬYの補正量ΔＬX、ΔＬYを
求める式（１）、式（２）は、簡素なものとされている
ので、補正量ΔＬX、ΔＬYを求めるために必要とされる
計算機による演算処理時間を短縮することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明中、第１の発明
（請求項１記載の露光パターンデータ補正方法）によれ
ば、補正量ΔＬX、ΔＬYを算出する式は、露光パターン
のＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法Ｌ
Yと、実測による寸法誤差量との関係を近似したものと
され、しかも、簡素なものとされているので、同一プレ
ート上に露光量不足で寸法劣化を引き起こす微細パター
ンを含む様々な寸法のパターンを形成する場合において
も、全ての寸法のパターンについて、寸法精度の高いパ
ターンを形成することができるように、露光パターンの
Ｘ軸方向の設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始
点座標を補正することができ、しかも、補正量ΔＬX、
ΔＬYを算出するために必要とされる計算機による演算
処理時間を短縮することができる。
（請求項１記載の露光パターンデータ補正方法）によれ
ば、補正量ΔＬX、ΔＬYを算出する式は、露光パターン
のＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方向の設計寸法Ｌ
Yと、実測による寸法誤差量との関係を近似したものと
され、しかも、簡素なものとされているので、同一プレ
ート上に露光量不足で寸法劣化を引き起こす微細パター
ンを含む様々な寸法のパターンを形成する場合において
も、全ての寸法のパターンについて、寸法精度の高いパ
ターンを形成することができるように、露光パターンの
Ｘ軸方向の設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始
点座標を補正することができ、しかも、補正量ΔＬX、
ΔＬYを算出するために必要とされる計算機による演算
処理時間を短縮することができる。
【００３４】また、第１の発明によれば、露光量を補正
していないので、周囲のパターンへの近接効果の影響を
再度考える必要がなく、この点からしても、演算処理時
間の短縮を図ることができる。
していないので、周囲のパターンへの近接効果の影響を
再度考える必要がなく、この点からしても、演算処理時
間の短縮を図ることができる。
【００３５】本発明中、第２の発明（請求項２記載の露
光パターンデータ補正方法）によれば、露光パターンの
始点座標の補正は、ΔＬXが正の値の場合には、露光パ
ターンのＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、露光パ
ターンのＸ軸方向の両端の位置をパターン内側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値の場合に
は、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置をパターン外
側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負の値の場合に
は、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置をパターン内
側方向にΔＬY／２ずつ修正することにより行うとして
いるので、近接効果、特に、微細パターン露光時の露光
量不足によるパターンの寸法精度の劣化を効率的に防止
して寸法精度の高いパターンを形成することができ、し
かも、補正方法を簡素化して、露光量補正を削除したこ
とで、補正量ΔＬX、ΔＬYを算出するために必要とされ
る計算機による演算処理時間を短縮することができる。
光パターンデータ補正方法）によれば、露光パターンの
始点座標の補正は、ΔＬXが正の値の場合には、露光パ
ターンのＸ軸方向の両端の位置をパターン外側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正し、ΔＬXが負の値の場合には、露光パ
ターンのＸ軸方向の両端の位置をパターン内側方向にΔ
ＬX／２ずつ修正すると共に、ΔＬYが正の値の場合に
は、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置をパターン外
側方向にΔＬY／２ずつ修正し、ΔＬYが負の値の場合に
は、露光パターンのＹ軸方向の両端の位置をパターン内
側方向にΔＬY／２ずつ修正することにより行うとして
いるので、近接効果、特に、微細パターン露光時の露光
量不足によるパターンの寸法精度の劣化を効率的に防止
して寸法精度の高いパターンを形成することができ、し
かも、補正方法を簡素化して、露光量補正を削除したこ
とで、補正量ΔＬX、ΔＬYを算出するために必要とされ
る計算機による演算処理時間を短縮することができる。
【図１】図１は本発明の実施の一形態を概略的に示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図２】露光パターンデータの一例の一部分を図形的に
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の実施の一形態で使用する近似式のパラ
メータＣ1、Ｃ2、Ｃ3の具体的算出例を示す図である。
メータＣ1、Ｃ2、Ｃ3の具体的算出例を示す図である。
【図４】図１は本発明の実施の一形態で行われる露光パ
ターンの始点座標の補正値の算出方法を説明するための
図である。
ターンの始点座標の補正値の算出方法を説明するための
図である。
８〜１３ フィールド
Claims (2)
- 【請求項１】電子線露光装置用の露光パターンデータに
含まれる露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ
軸方向の設計寸法ＬYに対する補正量ΔＬX、ΔＬYを、
前記露光パターンのＸ軸方向の設計寸法ＬX及びＹ軸方
向の設計寸法ＬYと実測による寸法誤差量（但し、寸法
誤差量は、設計寸法から実測値を差し引いた値であ
る。）との関係を近似した ΔＬX＝Ｃ1＋Ｃ2ＬX -1＋Ｃ3ＬX -2 ΔＬY＝Ｃ1＋Ｃ2ＬY -1＋Ｃ3ＬY -2 なる式（但し、Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3は実測結果から得られる
パラメータである。）で算出して前記露光パターンのＸ
軸方向の設計寸法ＬX、Ｙ軸方向の設計寸法ＬY及び始点
座標を補正し、前記露光パターンデータを補正すること
を特徴とする露光パターンデータ補正方法。 - 【請求項２】前記露光パターンの始点座標の補正は、前
記ΔＬXが正の値の場合には、前記露光パターンのＸ軸
方向の両端の位置をパターン外側方向にΔＬX／２ずつ
修正し、前記ΔＬXが負の値の場合には、前記露光パタ
ーンのＸ軸方向の両端の位置をパターン内側方向にΔＬ
X／２ずつ修正すると共に、前記ΔＬYが正の値の場合に
は、前記露光パターンのＹ軸方向の両端の位置をパター
ン外側方向にΔＬY／２ずつ修正し、前記ΔＬYが負の値
の場合には、前記露光パターンのＹ軸方向の両端の位置
をパターン内側方向にΔＬY／２ずつ修正することによ
り行うことを特徴とする請求項１記載の露光パターンデ
ータ補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331328A JPH10172875A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 露光パターンデータ補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331328A JPH10172875A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 露光パターンデータ補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172875A true JPH10172875A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18242462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8331328A Withdrawn JPH10172875A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 露光パターンデータ補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374635B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 |
| KR100393227B1 (ko) * | 2001-07-21 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 리소그래피시 선폭변화를 보정하여 노광하는 방법및 이를 기록한 기록매체 |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP8331328A patent/JPH10172875A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374635B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 |
| KR100393227B1 (ko) * | 2001-07-21 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 리소그래피시 선폭변화를 보정하여 노광하는 방법및 이를 기록한 기록매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |