JPH10173017A - ダスト粒子測定用標準ウェハ - Google Patents
ダスト粒子測定用標準ウェハInfo
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- JPH10173017A JPH10173017A JP32696496A JP32696496A JPH10173017A JP H10173017 A JPH10173017 A JP H10173017A JP 32696496 A JP32696496 A JP 32696496A JP 32696496 A JP32696496 A JP 32696496A JP H10173017 A JPH10173017 A JP H10173017A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中
あるいは膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得るた
めの標準試料となるダスト粒子測定用標準ウェハを提供
する。 【解決手段】平坦な半導体基板１０上に、上層側に成膜
される被検膜の下地に存在するダスト粒子の大きさの検
出限界を測定する際の測定対象として微小な突起部１０
ａを設けた構成とする。
あるいは膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得るた
めの標準試料となるダスト粒子測定用標準ウェハを提供
する。 【解決手段】平坦な半導体基板１０上に、上層側に成膜
される被検膜の下地に存在するダスト粒子の大きさの検
出限界を測定する際の測定対象として微小な突起部１０
ａを設けた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造に
おいてシリコンウェハ上に付着した粒子を測定する際に
較正するための標準ウェハに関する。
おいてシリコンウェハ上に付着した粒子を測定する際に
較正するための標準ウェハに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、半
導体基板表面や基板上に形成した素子表面へのダスト粒
子の付着や汚染、また、ある程度の深さ方向での不純物
や汚染などの情報を得ることはウェハプロセス上不可欠
なものであり、そのためにさまざまな機器が適用されて
いる。
導体基板表面や基板上に形成した素子表面へのダスト粒
子の付着や汚染、また、ある程度の深さ方向での不純物
や汚染などの情報を得ることはウェハプロセス上不可欠
なものであり、そのためにさまざまな機器が適用されて
いる。
【０００３】上記のような半導体表面やバルクの状態を
分析する方法としては、試料表面にイオンや電子などを
照射し、その応答イオンや電子、またはＸ線などを測定
する方法がある。
分析する方法としては、試料表面にイオンや電子などを
照射し、その応答イオンや電子、またはＸ線などを測定
する方法がある。
【０００４】また、レーザー光などの強い光をウェハ表
面に照射し、ウェハ表面上に存在する付着微粒子などか
らの散乱光を別角度から受光素子や光電子増倍管などで
感知し、電気的なパルスとしてウェハ表面上にある異物
や微粒子などの大きさ、個数、密度分布などを測定す
る、表面付着粒子測定法がある。
面に照射し、ウェハ表面上に存在する付着微粒子などか
らの散乱光を別角度から受光素子や光電子増倍管などで
感知し、電気的なパルスとしてウェハ表面上にある異物
や微粒子などの大きさ、個数、密度分布などを測定す
る、表面付着粒子測定法がある。
【０００５】上記の表面付着粒子測定法においては、従
来、装置の較正のための標準粒子としてＰＳＬ（polyst
yrene latex ）粒子を用いていた。ＰＳＬ粒子は極めて
単分散に近い粒径の粒子で、各種粒子径のものが市販さ
れている。例えば、各種粒子径のＰＳＬ粒子を平坦な試
料ウェハの表面に塗布し、その表面に対する散乱光の検
出限界を調べることにより、試料ウェハ上の付着微粒子
の大きさの検出限界を調べることができる。
来、装置の較正のための標準粒子としてＰＳＬ（polyst
yrene latex ）粒子を用いていた。ＰＳＬ粒子は極めて
単分散に近い粒径の粒子で、各種粒子径のものが市販さ
れている。例えば、各種粒子径のＰＳＬ粒子を平坦な試
料ウェハの表面に塗布し、その表面に対する散乱光の検
出限界を調べることにより、試料ウェハ上の付着微粒子
の大きさの検出限界を調べることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のＰＳ
Ｌ粒子を標準粒子として装置の較正を行う従来の方法に
よると、ＰＳＬ粒子を試料表面に塗布するという手法
上、ＰＳＬ粒子は試料の表面にしか存在していない。試
料表面に付着しているダスト粒子の大きさの検出限界、
即ち試料表面に付着しているダスト粒子の大きさについ
ての装置の分解能は、検出限界にあるＰＳＬ粒子の大き
さとなる。しかし、試料ウェハ表面からある程度の深さ
にある粒子についてはその大きさの検出限界及び装置の
分解能については未知であった。
Ｌ粒子を標準粒子として装置の較正を行う従来の方法に
よると、ＰＳＬ粒子を試料表面に塗布するという手法
上、ＰＳＬ粒子は試料の表面にしか存在していない。試
料表面に付着しているダスト粒子の大きさの検出限界、
即ち試料表面に付着しているダスト粒子の大きさについ
ての装置の分解能は、検出限界にあるＰＳＬ粒子の大き
さとなる。しかし、試料ウェハ表面からある程度の深さ
にある粒子についてはその大きさの検出限界及び装置の
分解能については未知であった。
【０００７】パターン欠陥を誘発するのは膜上のダスト
粒子のみならず、膜中、膜下にあるダスト粒子も同様で
ある。しかしながら、試料表面からある程度の深さ方向
にある、膜中あるいは膜下のダスト粒子については、そ
の管理が重要であるにもかかわらず、その検出がされて
いるのかどうか確認できないでいた。
粒子のみならず、膜中、膜下にあるダスト粒子も同様で
ある。しかしながら、試料表面からある程度の深さ方向
にある、膜中あるいは膜下のダスト粒子については、そ
の管理が重要であるにもかかわらず、その検出がされて
いるのかどうか確認できないでいた。
【０００８】試料表面からある程度の深さ方向にある、
膜中あるいは膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得
る方法として、半導体素子などが何も形成されていない
裸のシリコン基板上にＰＳＬ粒子を塗布し、さらにＰＳ
Ｌ粒子を被覆してレジスト材を塗布したり、絶縁材料や
金属材料などをＣＶＤなどにより堆積させることによ
り、ＣＶＤ膜などの下層にＰＳＬ粒子を有する標準試料
を作成する方法もあるが、ＰＳＬ粒子を塗布した試料を
ＣＶＤ／拡散炉／コーターに入れることはＣＶＤ／拡散
炉／コーターをＰＳＬ粒子で汚染させることがあるの
で、安易に実施することはできない。
膜中あるいは膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得
る方法として、半導体素子などが何も形成されていない
裸のシリコン基板上にＰＳＬ粒子を塗布し、さらにＰＳ
Ｌ粒子を被覆してレジスト材を塗布したり、絶縁材料や
金属材料などをＣＶＤなどにより堆積させることによ
り、ＣＶＤ膜などの下層にＰＳＬ粒子を有する標準試料
を作成する方法もあるが、ＰＳＬ粒子を塗布した試料を
ＣＶＤ／拡散炉／コーターに入れることはＣＶＤ／拡散
炉／コーターをＰＳＬ粒子で汚染させることがあるの
で、安易に実施することはできない。
【０００９】本発明は、上記諸問題を鑑みなされたもの
で、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の検出限界を得るための標準試料とな
るダスト粒子測定用標準ウェハを提供することを目的と
する。
で、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の検出限界を得るための標準試料とな
るダスト粒子測定用標準ウェハを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のダスト粒子測定用標準ウェハは、平坦な半
導体基板上に、上層側に成膜される被検膜の下地に存在
するダスト粒子の大きさの検出限界を測定する際の測定
対象として微小な突起部を設けた構成とする。
め、本発明のダスト粒子測定用標準ウェハは、平坦な半
導体基板上に、上層側に成膜される被検膜の下地に存在
するダスト粒子の大きさの検出限界を測定する際の測定
対象として微小な突起部を設けた構成とする。
【００１１】本発明のダスト粒子測定用標準ウェハの微
小な突起部は、従来のＰＳＬ粒子に相当するものであ
り、この微小な突起部を被覆して上層にレジスト膜を塗
布したり、絶縁材料や金属材料などをＣＶＤなどにより
堆積させることにより、ＣＶＤ膜など被検膜の下層に突
起部を有する標準試料とする。被検膜の下側にある突起
部の大きさの検出限界を調べれば、被検膜中の検出限界
はそれより大きいことから、結果として被検膜中の検出
限界を調べることができる。
小な突起部は、従来のＰＳＬ粒子に相当するものであ
り、この微小な突起部を被覆して上層にレジスト膜を塗
布したり、絶縁材料や金属材料などをＣＶＤなどにより
堆積させることにより、ＣＶＤ膜など被検膜の下層に突
起部を有する標準試料とする。被検膜の下側にある突起
部の大きさの検出限界を調べれば、被検膜中の検出限界
はそれより大きいことから、結果として被検膜中の検出
限界を調べることができる。
【００１２】本発明のダスト粒子測定用標準ウェハは、
ＰＳＬ粒子を塗布していないので、ＣＶＤ／拡散炉／コ
ーターを汚染させることがない。
ＰＳＬ粒子を塗布していないので、ＣＶＤ／拡散炉／コ
ーターを汚染させることがない。
【００１３】微小な突起部が半導体基板と同一の素材
と、異なる素材とを選択することができる。
と、異なる素材とを選択することができる。
【００１４】微小な突起部が半導体基板と同一の素材で
ある場合には、半導体基板上に目的とする突起部の径に
合わせてレジスト材をパターニングし、目的とする突起
部の高さの分だけエッチングするという、単純な工程で
半導体基板上に目的とする突起部を形成することができ
る。
ある場合には、半導体基板上に目的とする突起部の径に
合わせてレジスト材をパターニングし、目的とする突起
部の高さの分だけエッチングするという、単純な工程で
半導体基板上に目的とする突起部を形成することができ
る。
【００１５】微小な突起部が半導体基板と異なる素材で
ある場合には、半導体基板上に目的とする突起部の高さ
に合わせて突起部の素材をＣＶＤなどにより堆積させ、
さらにそのＣＶＤ膜上に目的とする突起部の径に合わせ
てレジスト材をパターニングし、半導体基板が露出する
までエッチングすることにより半導体基板上に目的とす
る突起部を形成することができる。微小な突起部が半導
体基板と同一の素材である場合に比べて工程の数が多い
ものの、突起部の素材をいろいろ選択することにより、
突起部の光の屈折率、透過率、反射率などを変えること
ができ、より詳細な情報を得ることができる。
ある場合には、半導体基板上に目的とする突起部の高さ
に合わせて突起部の素材をＣＶＤなどにより堆積させ、
さらにそのＣＶＤ膜上に目的とする突起部の径に合わせ
てレジスト材をパターニングし、半導体基板が露出する
までエッチングすることにより半導体基板上に目的とす
る突起部を形成することができる。微小な突起部が半導
体基板と同一の素材である場合に比べて工程の数が多い
ものの、突起部の素材をいろいろ選択することにより、
突起部の光の屈折率、透過率、反射率などを変えること
ができ、より詳細な情報を得ることができる。
【００１６】前記微小な突起部が半導体基板上に２００
０〜３０００個／６ｍｍφの密度で設けられていること
が好ましい。突起部の密度が低すぎるとＳ／Ｎ比が悪く
なり、また突起部を正しく検出するためには突起部間の
間隔がある程度以上必要であり、両者を満足する領域と
して、２０００〜３０００個／６ｍｍφの密度領域が好
ましい。
０〜３０００個／６ｍｍφの密度で設けられていること
が好ましい。突起部の密度が低すぎるとＳ／Ｎ比が悪く
なり、また突起部を正しく検出するためには突起部間の
間隔がある程度以上必要であり、両者を満足する領域と
して、２０００〜３０００個／６ｍｍφの密度領域が好
ましい。
【００１７】前記微小な突起部の大きさが径０．１５２
〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍであること
が好ましい。この突起部はダスト粒子をみたてたもので
あり、ダスト粒子に近い大きさであることが好ましい。
製造上問題となりうる、管理すべきダスト粒子の大きさ
は、例えば直径１．０μｍ程度のものがあり、従来用い
ていたＰＳＬ粒子の径は０．１５２〜３．０μｍであっ
た。従って突起部の大きさの好ましい範囲も径０．１５
２〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍとなる。
〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍであること
が好ましい。この突起部はダスト粒子をみたてたもので
あり、ダスト粒子に近い大きさであることが好ましい。
製造上問題となりうる、管理すべきダスト粒子の大きさ
は、例えば直径１．０μｍ程度のものがあり、従来用い
ていたＰＳＬ粒子の径は０．１５２〜３．０μｍであっ
た。従って突起部の大きさの好ましい範囲も径０．１５
２〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のダスト粒子測定
用標準ウェハの実施の形態について図面を参照して説明
する。
用標準ウェハの実施の形態について図面を参照して説明
する。
【００１９】第１実施例 図１（ｄ）に本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
断面図を示す。半導体基板１０上に、半導体基板と同じ
シリコンからなっている微小な突起部１０ａが、半導体
基板と一体になって形成されている。突起部１０ａの大
きさは、例えば径ａは１．０μｍ、高さｂは１．０μｍ
で形成されており、その大きさの突起部１０ａは、半導
体基板１０上に例えば２５００個／６ｍｍφの密度で形
成されているが、所望する大きさや密度を選択すること
ができ、大きさの好ましい範囲は径ａが０．１５２〜
３．０μｍ、高さｂが０．１５２〜３．０μｍであり、
各種大きさの突起部を有する標準ウェハを作ることがで
きる。また、好ましい突起部の密度の範囲は２０００〜
３０００個／６ｍｍφである。
断面図を示す。半導体基板１０上に、半導体基板と同じ
シリコンからなっている微小な突起部１０ａが、半導体
基板と一体になって形成されている。突起部１０ａの大
きさは、例えば径ａは１．０μｍ、高さｂは１．０μｍ
で形成されており、その大きさの突起部１０ａは、半導
体基板１０上に例えば２５００個／６ｍｍφの密度で形
成されているが、所望する大きさや密度を選択すること
ができ、大きさの好ましい範囲は径ａが０．１５２〜
３．０μｍ、高さｂが０．１５２〜３．０μｍであり、
各種大きさの突起部を有する標準ウェハを作ることがで
きる。また、好ましい突起部の密度の範囲は２０００〜
３０００個／６ｍｍφである。
【００２０】上記の本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハは、図１（ｅ）に示すように、突起部を被覆して全
面に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２０を被検層と
して堆積する。この上方からレーザー光などの強い光を
照射し、散乱光を別角度から受光素子や光電子増倍管な
どで感知し、電気的なパルスとして突起部の大きさ、個
数、密度分布などをすることができる。各種大きさの突
起部を有する標準ウェハについて、その突起部が検出可
能か調べることにより、被検膜中及び膜下にあるダスト
粒子の検出限界を調べることができる。
ェハは、図１（ｅ）に示すように、突起部を被覆して全
面に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２０を被検層と
して堆積する。この上方からレーザー光などの強い光を
照射し、散乱光を別角度から受光素子や光電子増倍管な
どで感知し、電気的なパルスとして突起部の大きさ、個
数、密度分布などをすることができる。各種大きさの突
起部を有する標準ウェハについて、その突起部が検出可
能か調べることにより、被検膜中及び膜下にあるダスト
粒子の検出限界を調べることができる。
【００２１】突起部を被覆する被検層としては、酸化シ
リコンや窒化シリコンなどの絶縁体や、レジスト膜、ポ
リシリコンや金属などの導電体など、半導体製造プロセ
スにおいて使用する全ての材料を対象とすることができ
る。被検膜の膜種や膜厚が変わると、突起部上の盛り上
がり部分の大きさ（径ｃと高さｄ）が変わるので、それ
ぞれの条件での異なる検出限界を調べることができ、そ
の検出条件内の各膜種、膜厚について、標準試料として
使用することができる。
リコンや窒化シリコンなどの絶縁体や、レジスト膜、ポ
リシリコンや金属などの導電体など、半導体製造プロセ
スにおいて使用する全ての材料を対象とすることができ
る。被検膜の膜種や膜厚が変わると、突起部上の盛り上
がり部分の大きさ（径ｃと高さｄ）が変わるので、それ
ぞれの条件での異なる検出限界を調べることができ、そ
の検出条件内の各膜種、膜厚について、標準試料として
使用することができる。
【００２２】上記の本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハは、ＰＳＬ粒子を塗布していないので、ＣＶＤ／拡
散炉／コーターを汚染させることなく、試料表面からあ
る程度の深さ方向にある、膜中あるいは膜下のダスト粒
子の検出限界を得るための標準試料とすることができ
る。
ェハは、ＰＳＬ粒子を塗布していないので、ＣＶＤ／拡
散炉／コーターを汚染させることなく、試料表面からあ
る程度の深さ方向にある、膜中あるいは膜下のダスト粒
子の検出限界を得るための標準試料とすることができ
る。
【００２３】また、上記ダスト粒子測定用標準ウェハ上
に堆積させた被検膜を除去することにより、もう一度異
なる被検層を堆積可能であり、この繰り返しによって何
回でも使用することができる。
に堆積させた被検膜を除去することにより、もう一度異
なる被検層を堆積可能であり、この繰り返しによって何
回でも使用することができる。
【００２４】次に、本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハの製造方法について説明する。まず、図１（ａ）に
示すように、何も加工していない、裸の半導体基板１０
を準備する。次に、図１（ｂ）に示すように、所望する
突起部の径に合わせて、半導体基板１０上にレジスト膜
Ｒをパターニングする。
ェハの製造方法について説明する。まず、図１（ａ）に
示すように、何も加工していない、裸の半導体基板１０
を準備する。次に、図１（ｂ）に示すように、所望する
突起部の径に合わせて、半導体基板１０上にレジスト膜
Ｒをパターニングする。
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
膜Ｒにそって例えば反応性イオンエッチングを行い、所
望する突起部の高さが得られたところでエッチングを終
了させ、例えば円柱状の突起部１０ａを形成する。次
に、図１（ｄ）に示すように、レジスト膜Ｒを除去する
ことにより、本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハが
完成する。
膜Ｒにそって例えば反応性イオンエッチングを行い、所
望する突起部の高さが得られたところでエッチングを終
了させ、例えば円柱状の突起部１０ａを形成する。次
に、図１（ｄ）に示すように、レジスト膜Ｒを除去する
ことにより、本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハが
完成する。
【００２６】本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
製造方法においては、半導体基板上に目的とする突起部
の径に合わせてレジスト材をパターニングし、目的とす
る突起部の高さの分だけエッチングするという単純な工
程で、半導体基板上に所望の大きさと密度を有する突起
部を形成することができる。
製造方法においては、半導体基板上に目的とする突起部
の径に合わせてレジスト材をパターニングし、目的とす
る突起部の高さの分だけエッチングするという単純な工
程で、半導体基板上に所望の大きさと密度を有する突起
部を形成することができる。
【００２７】第２実施例 図２（ｅ）に本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
断面図を示す。半導体基板１０上に、半導体基板と異な
る素材で、例えば酸化シリコンからなっている微小な突
起部２１ａが、半導体基板上に形成されている。突起部
２１ａの大きさと密度については、第１実施例の突起部
と同様に形成される。
断面図を示す。半導体基板１０上に、半導体基板と異な
る素材で、例えば酸化シリコンからなっている微小な突
起部２１ａが、半導体基板上に形成されている。突起部
２１ａの大きさと密度については、第１実施例の突起部
と同様に形成される。
【００２８】次に、本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハの製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、何も加工していない、裸の半導体基板１０
を準備する。次に、図２（ｂ）に示すように、例えば酸
化シリコンをＣＶＤにより堆積し、突起部用絶縁膜２１
を形成する。
ェハの製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に
示すように、何も加工していない、裸の半導体基板１０
を準備する。次に、図２（ｂ）に示すように、例えば酸
化シリコンをＣＶＤにより堆積し、突起部用絶縁膜２１
を形成する。
【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、所望する
突起部の径に合わせて、突起部用絶縁膜２１上にレジス
ト膜Ｒをパターニングする。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、レジスト膜Ｒにそって例えば反応性イオンエッチ
ングを行い、半導体基板１０が露出したところでエッチ
ングを終了させ、例えば円柱状の突起部２１ａを形成す
る。次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト膜Ｒを除
去することにより、本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハが完成する。
突起部の径に合わせて、突起部用絶縁膜２１上にレジス
ト膜Ｒをパターニングする。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、レジスト膜Ｒにそって例えば反応性イオンエッチ
ングを行い、半導体基板１０が露出したところでエッチ
ングを終了させ、例えば円柱状の突起部２１ａを形成す
る。次に、図２（ｅ）に示すように、レジスト膜Ｒを除
去することにより、本実施例のダスト粒子測定用標準ウ
ェハが完成する。
【００３０】本実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
突起部は、第１実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
突起部と異なる材料からなっており、その材料として
は、上記の酸化シリコンの他、窒化シリコンなどの絶縁
体や、ポリシリコンや金属などの導電体などを使用する
ことができる。このように突起部の材料を変えることに
より、突起部の光に対する反射率、屈折率及び透過率を
変えることが可能となり、これらを複合的に観測するこ
とにより膜中及び膜下にあるダスト粒子についてより詳
細な情報を得ることができる。具体的には、例えば半導
体プロセスにおいて何度も用いられ成膜対象がそれぞれ
異なるＣＶＤ工程において、ＣＶＤ装置内でダストとな
る可能性が強い材料個々に検出限界を調べることによっ
て各ＣＶＤ工程のダストカウントデータの精度を向上さ
せることができる。
突起部は、第１実施例のダスト粒子測定用標準ウェハの
突起部と異なる材料からなっており、その材料として
は、上記の酸化シリコンの他、窒化シリコンなどの絶縁
体や、ポリシリコンや金属などの導電体などを使用する
ことができる。このように突起部の材料を変えることに
より、突起部の光に対する反射率、屈折率及び透過率を
変えることが可能となり、これらを複合的に観測するこ
とにより膜中及び膜下にあるダスト粒子についてより詳
細な情報を得ることができる。具体的には、例えば半導
体プロセスにおいて何度も用いられ成膜対象がそれぞれ
異なるＣＶＤ工程において、ＣＶＤ装置内でダストとな
る可能性が強い材料個々に検出限界を調べることによっ
て各ＣＶＤ工程のダストカウントデータの精度を向上さ
せることができる。
【００３１】上記のように、本発明のダスト粒子測定用
標準ウェハによれば、ＰＳＬ粒子を塗布していないの
で、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得るための標準
試料とすることができ、これにより膜中、膜下のダスト
粒子についても適切な管理を行うことができる。
標準ウェハによれば、ＰＳＬ粒子を塗布していないの
で、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の大きさの検出限界を得るための標準
試料とすることができ、これにより膜中、膜下のダスト
粒子についても適切な管理を行うことができる。
【００３２】本発明の本発明のダスト粒子測定用標準ウ
ェハは、上記の実施の形態に限定されない。例えば、突
起太形成するためのエッチングは反応性イオンエッチン
グ以外の異方性エッチングや、等方性のエッチングでも
よい。半導体基板と異なる材料で突起部を形成する場合
に、単層構成の突起部用絶縁膜を形成しているが、電導
層でもよく、さらに絶縁膜と電導層などの積層体とする
こともできる。また、突起部の形状としては円柱状に限
ることもなく、直方体状や、下方に行くほど断面積が拡
がる円錐台形状など、実際のダスト形状に合わせて様々
な形をとることができる。さらに、突起部の大きさは径
０．１５２〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍ
が好ましいが、今後、さらに微細な構造の半導体装置を
製造するにあたってはさらに細かいダスト粒子も管理す
る必要があり、その場合には例えば０．１μｍ以下の
径、高さの突起部も使用することができる。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であ
る。
ェハは、上記の実施の形態に限定されない。例えば、突
起太形成するためのエッチングは反応性イオンエッチン
グ以外の異方性エッチングや、等方性のエッチングでも
よい。半導体基板と異なる材料で突起部を形成する場合
に、単層構成の突起部用絶縁膜を形成しているが、電導
層でもよく、さらに絶縁膜と電導層などの積層体とする
こともできる。また、突起部の形状としては円柱状に限
ることもなく、直方体状や、下方に行くほど断面積が拡
がる円錐台形状など、実際のダスト形状に合わせて様々
な形をとることができる。さらに、突起部の大きさは径
０．１５２〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍ
が好ましいが、今後、さらに微細な構造の半導体装置を
製造するにあたってはさらに細かいダスト粒子も管理す
る必要があり、その場合には例えば０．１μｍ以下の
径、高さの突起部も使用することができる。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であ
る。
【００３３】
【発明の効果】本発明のダスト粒子測定用標準ウェハ
は、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の検出限界を得るための標準試料とす
ることができ、これにより膜中、膜下のダスト粒子につ
いても適切な管理を行うことができる。
は、ＣＶＤ／拡散炉／コーターを汚染させることなく、
試料表面からある程度の深さ方向にある、膜中あるいは
膜下のダスト粒子の検出限界を得るための標準試料とす
ることができ、これにより膜中、膜下のダスト粒子につ
いても適切な管理を行うことができる。
【図１】図１は本発明の第１実施例のダスト粒子測定用
標準ウェハの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は半
導体基板の断面図であり、（ｂ）はレジスト形成工程ま
で、（ｃ）はエッチング工程まで、（ｄ）レジスト除去
工程まで、（ｅ）は突起部を被覆して絶縁膜を堆積する
工程までを示す。
標準ウェハの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は半
導体基板の断面図であり、（ｂ）はレジスト形成工程ま
で、（ｃ）はエッチング工程まで、（ｄ）レジスト除去
工程まで、（ｅ）は突起部を被覆して絶縁膜を堆積する
工程までを示す。
【図２】図１は本発明の第２実施例のダスト粒子測定用
標準ウェハの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は半
導体基板の断面図であり、（ｂ）は突起部用絶縁膜を堆
積する工程まで、（ｃ）はレジスト形成工程まで、
（ｄ）はエッチング工程まで、（ｅ）レジスト除去工程
までを示す。
標準ウェハの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は半
導体基板の断面図であり、（ｂ）は突起部用絶縁膜を堆
積する工程まで、（ｃ）はレジスト形成工程まで、
（ｄ）はエッチング工程まで、（ｅ）レジスト除去工程
までを示す。
１０…半導体基板、１０ａ…突起部、２０、…絶縁膜、
２１…突起部用絶縁膜、２１ａ…突起部、Ｒ…レジスト
２１…突起部用絶縁膜、２１ａ…突起部、Ｒ…レジスト
Claims (5)
- 【請求項１】平坦な半導体基板上に、上層側に成膜され
る被検膜の下地に存在するダスト粒子の大きさの検出限
界を測定する際の測定対象として微小な突起部を設けた
ダスト粒子測定用標準ウェハ。 - 【請求項２】前記微小な突起部が半導体基板と同一の素
材からなる請求項１記載のダスト粒子測定用標準ウェ
ハ。 - 【請求項３】前記微小な突起部が半導体基板と異なる素
材からなる請求項１記載のダスト粒子測定用標準ウェ
ハ。 - 【請求項４】前記微小な突起部が半導体基板上に２００
０〜３０００個／６ｍｍφの密度で設けられた請求項１
記載のダスト粒子測定用標準ウェハ。 - 【請求項５】前記微小な突起部の大きさが径０．１５２
〜３．０μｍ、高さ０．１５２〜３．０μｍである請求
項１記載のダスト粒子測定用標準ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32696496A JPH10173017A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | ダスト粒子測定用標準ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32696496A JPH10173017A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | ダスト粒子測定用標準ウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173017A true JPH10173017A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18193766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32696496A Pending JPH10173017A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | ダスト粒子測定用標準ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173017A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009282087A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 |
| CN111900196A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-11-06 | 中国科学院微电子研究所 | 校准片及其制造方法 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32696496A patent/JPH10173017A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009282087A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 薄膜欠陥検査用標準基板、その製造方法、および薄膜欠陥検査方法 |
| CN111900196A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-11-06 | 中国科学院微电子研究所 | 校准片及其制造方法 |
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