JPH10173019A - 半導体の検査方法 - Google Patents
半導体の検査方法Info
- Publication number
- JPH10173019A JPH10173019A JP33337896A JP33337896A JPH10173019A JP H10173019 A JPH10173019 A JP H10173019A JP 33337896 A JP33337896 A JP 33337896A JP 33337896 A JP33337896 A JP 33337896A JP H10173019 A JPH10173019 A JP H10173019A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- inspection
- signal
- inspection method
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査感度を向上する。
【解決手段】 半導体装置の製造工程内で、画像信号又
は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥
を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウ
エハ中心からの距離ｒ、回転角θの関数を設定する。
は散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥
を抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウ
エハ中心からの距離ｒ、回転角θの関数を設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の検査方
法及び検査装置に関する。
法及び検査装置に関する。
【０００２】半導体装置の製造工程内で、比較画像処理
を用いて回路パターン等の欠陥を検出する検査装置とし
て、日立東京エレクトロニクス（株）社製自動外観検査
装置ＷＩ８８０等があり、又、散乱・回折光を用いて回
路パターン等の検陥、特にパーティクルを検出する検査
装置として、日立電子エンジニアリング（株）製ＩＳ２
３００等がある。
を用いて回路パターン等の欠陥を検出する検査装置とし
て、日立東京エレクトロニクス（株）社製自動外観検査
装置ＷＩ８８０等があり、又、散乱・回折光を用いて回
路パターン等の検陥、特にパーティクルを検出する検査
装置として、日立電子エンジニアリング（株）製ＩＳ２
３００等がある。
【０００３】前者の検査装置は、ウエハに白色光を照射
し、パターンの濃淡画像を検出器に取り込む。この画像
信号と遅延メモリに記憶しておいた隣接するチップもし
くはショットの画像信号との差分を取り、所定の閾値と
比較し、閾値より大きいものを異物・欠陥として検出す
る。この処理を検査ステージをｘ−ｙスキャン（ｘ方向
にスキャン、ｙ方向にステップ送り）することにより、
ウエハ全面に対して行う。
し、パターンの濃淡画像を検出器に取り込む。この画像
信号と遅延メモリに記憶しておいた隣接するチップもし
くはショットの画像信号との差分を取り、所定の閾値と
比較し、閾値より大きいものを異物・欠陥として検出す
る。この処理を検査ステージをｘ−ｙスキャン（ｘ方向
にスキャン、ｙ方向にステップ送り）することにより、
ウエハ全面に対して行う。
【０００４】後者の検査装置は、ウエハに単色光を照射
し、パターンの散乱・回折光を検出器に取り込む。この
信号と遅延メモリに記憶しておいた隣接するチップもし
くはショットの信号との差分を取り、所定の閾値と比較
し、閾値より大きいものを異物・欠陥として検出する。
この処理を検査ステージをｘ−ｙスキャン（ｘ方向にス
キャン、ｙ方向にステップ送り）することにより、ウエ
ハ全面に対して行う。
し、パターンの散乱・回折光を検出器に取り込む。この
信号と遅延メモリに記憶しておいた隣接するチップもし
くはショットの信号との差分を取り、所定の閾値と比較
し、閾値より大きいものを異物・欠陥として検出する。
この処理を検査ステージをｘ−ｙスキャン（ｘ方向にス
キャン、ｙ方向にステップ送り）することにより、ウエ
ハ全面に対して行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】実際の加工・成膜・研
磨プロセスは、膜厚がウエハ中心から同心円状の分布を
持つことが多い。つまり、パターン信号レベルや色調も
同心円状に変化し、特に前者はウエハ周辺部で高くなる
傾向がある。この問題に対し、従来の検査技術ではウエ
ハ面内で単一の閾値を用いて検査を行っているため、閾
値は最もパターン信号の高いところで律速され、検査感
度を上げることができなかった。また、隣接チップ、シ
ョット間の差分信号も色調の変化の激しいウエハ周辺部
で大きくなり、検査感度を律速していた。本発明の目的
は、検査感度を向上することにある。
磨プロセスは、膜厚がウエハ中心から同心円状の分布を
持つことが多い。つまり、パターン信号レベルや色調も
同心円状に変化し、特に前者はウエハ周辺部で高くなる
傾向がある。この問題に対し、従来の検査技術ではウエ
ハ面内で単一の閾値を用いて検査を行っているため、閾
値は最もパターン信号の高いところで律速され、検査感
度を上げることができなかった。また、隣接チップ、シ
ョット間の差分信号も色調の変化の激しいウエハ周辺部
で大きくなり、検査感度を律速していた。本発明の目的
は、検査感度を向上することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の検査方法は、
ウエハ全面に渡ってステージを走査するステージ制御部
及びステージ駆動部、検出器に入射した画像信号をメモ
リに蓄えたり、差信号を取る画像信号処理部、信号の分
布をｒ−θ座標系に変換する演算部、信号分布から検査
閾値を設定する検査条件設定部により達成される。
ウエハ全面に渡ってステージを走査するステージ制御部
及びステージ駆動部、検出器に入射した画像信号をメモ
リに蓄えたり、差信号を取る画像信号処理部、信号の分
布をｒ−θ座標系に変換する演算部、信号分布から検査
閾値を設定する検査条件設定部により達成される。
【０００７】請求項２の検査方法は、ウエハ全面に渡っ
てステージを走査するステージ制御部及びステージ駆動
部、ウエハ中心からの距離ｒが等しいチップまたはショ
ット同士の差画像を取る画像信号処理部により達成され
る。
てステージを走査するステージ制御部及びステージ駆動
部、ウエハ中心からの距離ｒが等しいチップまたはショ
ット同士の差画像を取る画像信号処理部により達成され
る。
【０００８】請求項１の検査方法では、パターン信号異
物・欠陥検出閾値を信号分布から検査閾値を設定する検
査条件設定部でウエハ中心からｒの距離、回転角θによ
って決定することにより、最もパターン信号の高いとこ
ろで律速されることなく各領域で最適な閾値を設定する
ことが可能になり、検査感度を上げることができる。
物・欠陥検出閾値を信号分布から検査閾値を設定する検
査条件設定部でウエハ中心からｒの距離、回転角θによ
って決定することにより、最もパターン信号の高いとこ
ろで律速されることなく各領域で最適な閾値を設定する
ことが可能になり、検査感度を上げることができる。
【０００９】請求項２の検査方法は、ウエハ中心からの
距離ｒが等しいチップまたはショット同士の差画像を取
る画像信号処理部により、色調の等しいチップまたはシ
ョット同士の比較を行うことが可能になり、プロセスに
よる影響を低減でき検査感度を向上することができる。
距離ｒが等しいチップまたはショット同士の差画像を取
る画像信号処理部により、色調の等しいチップまたはシ
ョット同士の比較を行うことが可能になり、プロセスに
よる影響を低減でき検査感度を向上することができる。
【００１０】
（実施例１）以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１はウエハ１上のチップ２と従来のｘ−ｙ直交座
標系とｒ−θ回転座標系の関係を示したものである。図
２は本発明の装置構成図である。今回例として示すのは
白色光を使った外観検査装置である。白色光源３の光は
ミラー４で曲げられステージ５上のウエハ１に照射す
る。ウエハ上のパターンの画像は対物レンズ６を通り、
検出器７に入射する。入射した光は光電変換され信号記
憶部８に記憶される。演算部９でこの信号と予め記憶し
てあった同一パターンの信号の差を取り、差信号と閾値
テーブル１０の値を比較し、閾値以上の信号を異物・欠
陥として検出する。ステージ制御部１１でステージ駆動
部１２を駆動し、処理をウエハ全面について行う。閾値
の決定は次の様に行う。ウエハの一部分もしくは全面を
スキャンし、位置と差信号レベルの関係を得る。この
時、座標系はｒ−θ座標系を用いる。結果を図示したの
が図３である。各位置での信号レベルに対してオフセッ
トを加算した値をその位置の閾値とする。この例を図４
に示す。このような閾値の設定は各プロセスについて１
回のみでも各ウエハごとに行っても良い。検査条件の入
力は操作部１５で行う。
る。図１はウエハ１上のチップ２と従来のｘ−ｙ直交座
標系とｒ−θ回転座標系の関係を示したものである。図
２は本発明の装置構成図である。今回例として示すのは
白色光を使った外観検査装置である。白色光源３の光は
ミラー４で曲げられステージ５上のウエハ１に照射す
る。ウエハ上のパターンの画像は対物レンズ６を通り、
検出器７に入射する。入射した光は光電変換され信号記
憶部８に記憶される。演算部９でこの信号と予め記憶し
てあった同一パターンの信号の差を取り、差信号と閾値
テーブル１０の値を比較し、閾値以上の信号を異物・欠
陥として検出する。ステージ制御部１１でステージ駆動
部１２を駆動し、処理をウエハ全面について行う。閾値
の決定は次の様に行う。ウエハの一部分もしくは全面を
スキャンし、位置と差信号レベルの関係を得る。この
時、座標系はｒ−θ座標系を用いる。結果を図示したの
が図３である。各位置での信号レベルに対してオフセッ
トを加算した値をその位置の閾値とする。この例を図４
に示す。このような閾値の設定は各プロセスについて１
回のみでも各ウエハごとに行っても良い。検査条件の入
力は操作部１５で行う。
【００１１】図５は請求項２の比較チップ例を表したも
のである。ウエハ中心から等距離にあるチップ比較単位
としている。Ａ同士、Ｂ同士が比較される。
のである。ウエハ中心から等距離にあるチップ比較単位
としている。Ａ同士、Ｂ同士が比較される。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、同心円状に変化するパ
ターン信号、色調に影響されずに高感度検査を行うこと
ができる。
ターン信号、色調に影響されずに高感度検査を行うこと
ができる。
【図１】ｘ−ｙ座標系とｒ−θ座標系の関係の説明図。
【図２】装置のブロック図。
【図３】ウエハ内位置と差信号のレベルの関係の説明
図。
図。
【図４】閾値テーブルの説明図。
【図５】実施例２の比較チップ例の説明図。
１…ウエハ、２…チップ、３…白色光源、４…ミラー、
５…ステージ、６…対物レンズ、７…検出器、８…信号
記憶部、９…演算部、１０…閾値テーブル、１１…ステ
ージ制御部、１２…ステージ駆動部、１３…画像信号処
理部、１４…制御部。
５…ステージ、６…対物レンズ、７…検出器、８…信号
記憶部、９…演算部、１０…閾値テーブル、１１…ステ
ージ制御部、１２…ステージ駆動部、１３…画像信号処
理部、１４…制御部。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置の製造工程内で、画像信号又は
散乱・回折光信号を所定の閾値と比較し、異物・欠陥を
抽出する検査方法において、異物・欠陥検出閾値をウエ
ハ中心からの距離ｒ、回転角θの関数を設定することを
特徴とする半導体の検査方法。 - 【請求項２】請求項１において、上記ウエハ中心からの
距離ｒのチップまたはショット同士の比較を行う異物・
欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33337896A JPH10173019A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 半導体の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33337896A JPH10173019A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 半導体の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173019A true JPH10173019A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18265454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33337896A Pending JPH10173019A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 半導体の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173019A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002250699A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nec Corp | ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 |
| JP2004093252A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP2012208128A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
| US8525984B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-09-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
| CN107993955A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆边缘缺陷的方法 |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP33337896A patent/JPH10173019A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002250699A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nec Corp | ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 |
| JP2004093252A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| US8525984B2 (en) | 2007-03-28 | 2013-09-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and inspection method |
| JP2012208128A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置 |
| CN107993955A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆边缘缺陷的方法 |
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