JPH10175160A - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
研磨方法及び研磨装置Info
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- JPH10175160A JPH10175160A JP33558196A JP33558196A JPH10175160A JP H10175160 A JPH10175160 A JP H10175160A JP 33558196 A JP33558196 A JP 33558196A JP 33558196 A JP33558196 A JP 33558196A JP H10175160 A JPH10175160 A JP H10175160A
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- polished
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板やシリコン基板の上に配線部、電
気絶縁膜を形成した電気電子回路構成基板の表面の平坦
化のための研磨加工方法及び装置を提案する。 【解決手段】 小直径部と大直径部で囲まれた面積から
成る研磨面を有した研磨部材を被研磨面上に回転運動と
一軸方向への移動運動を与えるとともに、前記研磨部材
を前記被研磨面に加圧させて研磨操作することにより、
基板表面に電気絶縁膜材料の突起部の研磨除去を表面精
度を損なうことなく加工できる研磨方法を得ることがで
きた。
気絶縁膜を形成した電気電子回路構成基板の表面の平坦
化のための研磨加工方法及び装置を提案する。 【解決手段】 小直径部と大直径部で囲まれた面積から
成る研磨面を有した研磨部材を被研磨面上に回転運動と
一軸方向への移動運動を与えるとともに、前記研磨部材
を前記被研磨面に加圧させて研磨操作することにより、
基板表面に電気絶縁膜材料の突起部の研磨除去を表面精
度を損なうことなく加工できる研磨方法を得ることがで
きた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板やシリコ
ンウエファ等の半導体基板等の平面化の研磨方法及び研
磨装置に関する。
ンウエファ等の半導体基板等の平面化の研磨方法及び研
磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化、大規模化、大面積化
にともない半導体配線の微細化、多層化が進みつつあ
る。平坦な基板上に配線材料や絶縁材料を部分的又は全
面的に配線えお形成するが、多層の配線構造をそのまま
積み上げていくと凹凸段差が大きくなり、配線の断線、
光学投影装置の焦点ずれが起こり、半導体の制作不良を
招く。
にともない半導体配線の微細化、多層化が進みつつあ
る。平坦な基板上に配線材料や絶縁材料を部分的又は全
面的に配線えお形成するが、多層の配線構造をそのまま
積み上げていくと凹凸段差が大きくなり、配線の断線、
光学投影装置の焦点ずれが起こり、半導体の制作不良を
招く。
【０００３】これを解決するために、１層の配線と絶縁
層を形成した面毎の平坦化技術が研究されている。その
１つは、ウエハー基板の研磨技術の応用である、ラップ
盤を用いた方法が開発されている。ラップ盤上に２層パ
ッドを貼り付け、基板を全面均一に加圧して研磨するこ
とにより全面を平坦化する。
層を形成した面毎の平坦化技術が研究されている。その
１つは、ウエハー基板の研磨技術の応用である、ラップ
盤を用いた方法が開発されている。ラップ盤上に２層パ
ッドを貼り付け、基板を全面均一に加圧して研磨するこ
とにより全面を平坦化する。
【０００４】この研磨技術は図５に示すように、研磨前
には基板Ａ上に金属配線Ｂ及び絶縁膜Ｃとなる酸化膜Ｄ
が付着した突起段差Ｅが存在しており、基板表面に剛性
のある研磨シートＦを押し付けることで突起部に圧力が
集中して突起部を選択的に除去して平坦化するものであ
る。
には基板Ａ上に金属配線Ｂ及び絶縁膜Ｃとなる酸化膜Ｄ
が付着した突起段差Ｅが存在しており、基板表面に剛性
のある研磨シートＦを押し付けることで突起部に圧力が
集中して突起部を選択的に除去して平坦化するものであ
る。
【０００５】しかしながら、基板全面では反りがあるた
め、剛性シートをそのまま押し付けると基板の部分接触
研磨状態になり、同一場所が多く研磨加工されてしま
う。
め、剛性シートをそのまま押し付けると基板の部分接触
研磨状態になり、同一場所が多く研磨加工されてしま
う。
【０００６】それを防ぎ、基板全面を均一に研磨加工す
るために、研磨シートの硬さ調整や基板の反りの矯正の
対策を施しているが、研磨面の均一性の確保が困難であ
る。
るために、研磨シートの硬さ調整や基板の反りの矯正の
対策を施しているが、研磨面の均一性の確保が困難であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のラップ研磨装置
では、基板面積が大きくなるとそれに伴い工具面積も大
きくなるが、平面度良く大型研磨工具を制作すること
や、基板全面を同時に均一加圧することが困難になって
くる。
では、基板面積が大きくなるとそれに伴い工具面積も大
きくなるが、平面度良く大型研磨工具を制作すること
や、基板全面を同時に均一加圧することが困難になって
くる。
【０００８】また、部分突起を選択除去するには硬質研
磨シートを用いると、基板の反りに倣って変形させるこ
とが難しく、全面均一加工性を悪くするため、大面積基
板ほど硬いシートの使用ができず、段差が残ったり、部
分突起を除去する研磨量が増大する。
磨シートを用いると、基板の反りに倣って変形させるこ
とが難しく、全面均一加工性を悪くするため、大面積基
板ほど硬いシートの使用ができず、段差が残ったり、部
分突起を除去する研磨量が増大する。
【０００９】また、部分突起のある基板表面の研磨加工
においては、基板の中央部分に研磨液が入りにくく、研
磨熱が溜り、熱による変形を生じる問題もある。
においては、基板の中央部分に研磨液が入りにくく、研
磨熱が溜り、熱による変形を生じる問題もある。
【００１０】本発明は以上述べた、基板表面の大面積化
の伴う問題を解決するための新規な研磨方法及び研磨装
置を提案する。
の伴う問題を解決するための新規な研磨方法及び研磨装
置を提案する。
【００１１】更に、本発明は、特に、被研磨面に凹凸段
差のある被研磨部材の該凸部表面の研磨加工に適した研
磨方法及び研磨装置を提案する。
差のある被研磨部材の該凸部表面の研磨加工に適した研
磨方法及び研磨装置を提案する。
【００１２】特に、本発明は半導体基板のシリコンウエ
ハの表面研磨加工に適する研磨方法及び研磨装置を提案
する。
ハの表面研磨加工に適する研磨方法及び研磨装置を提案
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
のために小直径部と大直径部で囲まれた面積から成る研
磨面を有した研磨部材を被研 磨面上に回転運動と一軸
方向への移動運動を与えるとともに、前記研磨部材を前
記被研磨面に加圧させて研磨操作することを提案して上
記課題を解決する。
のために小直径部と大直径部で囲まれた面積から成る研
磨面を有した研磨部材を被研 磨面上に回転運動と一軸
方向への移動運動を与えるとともに、前記研磨部材を前
記被研磨面に加圧させて研磨操作することを提案して上
記課題を解決する。
【００１４】更に、平面上に被研磨部を形成した被研磨
部材に、端部に研磨部を備えた円筒形状の研磨手段を加
圧し、前記円筒形状研磨手段を回転させつつ、前記被研
磨部の一方向に移動させて研磨するようにした研磨方法
を提案する。
部材に、端部に研磨部を備えた円筒形状の研磨手段を加
圧し、前記円筒形状研磨手段を回転させつつ、前記被研
磨部の一方向に移動させて研磨するようにした研磨方法
を提案する。
【００１５】又、平面上に被研磨部を形成した被研磨部
材の研磨装置において小直径部と大直径部で囲まれた面
積から成る研磨面を有した研磨部材を前記被研磨部材の
被研磨面上に加圧する手段と、前記研磨部材を回転させ
る回転手段と及び、前記研磨部材を一方向に移動させる
手段から成る研磨装置を提案することにより上記課題を
解決する。
材の研磨装置において小直径部と大直径部で囲まれた面
積から成る研磨面を有した研磨部材を前記被研磨部材の
被研磨面上に加圧する手段と、前記研磨部材を回転させ
る回転手段と及び、前記研磨部材を一方向に移動させる
手段から成る研磨装置を提案することにより上記課題を
解決する。
【００１６】又、前記研磨部材に揺動運動を与える揺動
手段を備えた態様の提案によりより高い精度の研磨装置
を提案する。
手段を備えた態様の提案によりより高い精度の研磨装置
を提案する。
【００１７】更に、前記研磨部材は円筒部材の先端部に
形成したこと態様を提案する。
形成したこと態様を提案する。
【００１８】更に又、前記円筒部材先端部の研磨部材は
複層と成し、前記被研磨面と接する面の層は次の層に比
して高い弾性率の材料で構成した態様を提案する。
複層と成し、前記被研磨面と接する面の層は次の層に比
して高い弾性率の材料で構成した態様を提案する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に図を参照して実施例を説明
する。
する。
【００２０】図１は本発明を実施する装置を示し、図に
おいて符号１は被加工物を載せるテーブルであり、その
表面は表面粗さＲａ５μｍ に仕上げられている。
おいて符号１は被加工物を載せるテーブルであり、その
表面は表面粗さＲａ５μｍ に仕上げられている。
【００２１】２は被研磨加工部材であり、該被加工部材
は前記した図５に示したように、シリコン基板，又は、
ガラス基板Ａ上に配線部材Ｂを配線しその上に絶縁膜部
材Ｃを被膜した構成であり、前記テーブル１の上に基板
側を載置する。
は前記した図５に示したように、シリコン基板，又は、
ガラス基板Ａ上に配線部材Ｂを配線しその上に絶縁膜部
材Ｃを被膜した構成であり、前記テーブル１の上に基板
側を載置する。
【００２２】４は図１の研磨装置の基礎台部材であり、
６Ａ，６Ｂは支柱、６Ｃはアーム部材である。８はテー
ブル１をＸ軸方向に移動する前記基礎台４上に載せたＸ
軸ステージ、１０はテーブル１をＹ軸方向に移動するＹ
軸ステージ、Ｍ１、Ｍ２はそれぞれの駆動用モータであ
る。
６Ａ，６Ｂは支柱、６Ｃはアーム部材である。８はテー
ブル１をＸ軸方向に移動する前記基礎台４上に載せたＸ
軸ステージ、１０はテーブル１をＹ軸方向に移動するＹ
軸ステージ、Ｍ１、Ｍ２はそれぞれの駆動用モータであ
る。
【００２３】１２は本発明の研磨加工手段であり、該手
段は図２に示すように、小直径部ｄと大直径部Ｄから成
る円筒部材であり、金属基体上に接着された研磨能力の
ある複層樹脂シートから作られている。
段は図２に示すように、小直径部ｄと大直径部Ｄから成
る円筒部材であり、金属基体上に接着された研磨能力の
ある複層樹脂シートから作られている。
【００２４】１４は前記円筒部材１２の上端部に取り付
けたステンレス等の金属から作られた取付部材であり、
該取付部材１４の上面の中心部分の自在継ぎ手手段１６
を取り付けてある。
けたステンレス等の金属から作られた取付部材であり、
該取付部材１４の上面の中心部分の自在継ぎ手手段１６
を取り付けてある。
【００２５】前記自在継ぎ手手段１６は加圧手段のシリ
ンダ１８のピストン１８Ａと接続している。
ンダ１８のピストン１８Ａと接続している。
【００２６】前記取付部材１４の上面の外周に近い位置
に前記円筒研磨部材１２を回転させる回転駆動用ピン２
０を固定し、該ピン２０は不図示の取り付け部材上に保
持されたモータ２２の回転子に接続されている。
に前記円筒研磨部材１２を回転させる回転駆動用ピン２
０を固定し、該ピン２０は不図示の取り付け部材上に保
持されたモータ２２の回転子に接続されている。
【００２７】２４は前記アーム６Ｃに取り付けたモー
タ、２６は該モータ２４の回転子に取り付けた回転板、
２８は該回転板２６に取り付けた偏芯ピン、３０はクラ
ンクアームであり、該クランクアーム３０は一端を前記
偏芯ピン２８に固定し、他端側を前記シリンダ１８の上
面に固定したピン１８Ｂに取り付ける。
タ、２６は該モータ２４の回転子に取り付けた回転板、
２８は該回転板２６に取り付けた偏芯ピン、３０はクラ
ンクアームであり、該クランクアーム３０は一端を前記
偏芯ピン２８に固定し、他端側を前記シリンダ１８の上
面に固定したピン１８Ｂに取り付ける。
【００２８】３２は研磨液を噴射するノズルである。
【００２９】図３は前記装置の制御のための制御ブロッ
ク図であり、モータ駆動制御手段３４は前記円筒研磨手
段１２の回転を制御する。
ク図であり、モータ駆動制御手段３４は前記円筒研磨手
段１２の回転を制御する。
【００３０】モータ駆動制御手段３６は前記モータ２４
の回転を制御する。
の回転を制御する。
【００３１】３８、４０は夫々、Ｘ，Ｙステージ８、１
０の移動制御する制御手段。
０の移動制御する制御手段。
【００３２】４２は前記加圧手段のシリンダ１８の制御
手段、４４は研磨液の噴射量を制御する手段である。
手段、４４は研磨液の噴射量を制御する手段である。
【００３３】４６は前記各制御手段全体を制御する手段
である。
である。
【００３４】前記円筒研磨部材１２の下端部の前記被研
磨加工部材との接触部分には研磨工具としての研磨シー
トを固着してある。
磨加工部材との接触部分には研磨工具としての研磨シー
トを固着してある。
【００３５】該接触部分の圧力分布は被研磨加工部材２
の基板の反り、つまり、基板の曲率半径と、使用する円
筒部材１２の先端曲率半径と及び、弾性率により決ま
る。
の基板の反り、つまり、基板の曲率半径と、使用する円
筒部材１２の先端曲率半径と及び、弾性率により決ま
る。
【００３６】基板の反り量が１００μｍ程度なら前記工
具接触面を平面にし、ウレタン系の研磨シートで接触幅
の数十ミリの範囲で十分均一の圧力になる。
具接触面を平面にし、ウレタン系の研磨シートで接触幅
の数十ミリの範囲で十分均一の圧力になる。
【００３７】ナイロン、研磨用ピッチ等の硬めの工具で
は数ミリの範囲内で均一の圧力になり、工具の接触部分
の輪帯部分の幅を小さくすることにより、高剛性の工具
を使用することが可能になる。
は数ミリの範囲内で均一の圧力になり、工具の接触部分
の輪帯部分の幅を小さくすることにより、高剛性の工具
を使用することが可能になる。
【００３８】使用する研磨シートの硬さに応じて前記輪
帯の半径の幅を変えることにより均一加圧が可能にな
る。
帯の半径の幅を変えることにより均一加圧が可能にな
る。
【００３９】工具１２の回転方向の圧力分布は、仮に、
完全剛性の円筒平面工具を想定すると、基板に反りがあ
るため３点接触になり、工具の無回転静止状態では不連
続な圧力分布であるが、工具１２を回転することにより
圧力が円周方向に平均化され、均一除去加工ができる。
完全剛性の円筒平面工具を想定すると、基板に反りがあ
るため３点接触になり、工具の無回転静止状態では不連
続な圧力分布であるが、工具１２を回転することにより
圧力が円周方向に平均化され、均一除去加工ができる。
【００４０】軟質ウレタン等の弾性工具を用いた場合に
は荷重により工具が変形し、円周方向に接触幅が広が
り、円周方向の研磨除去加工の均一性は更に良くなる。
は荷重により工具が変形し、円周方向に接触幅が広が
り、円周方向の研磨除去加工の均一性は更に良くなる。
【００４１】図２は研磨工具１２の移動状態を示す模式
図であり、円筒部材の研磨手段１２はモータ２２による
円筒部材の中心軸を中心とした回転運動Ｕ１と、前記モ
ータ２４、クランクアーム３０を主要構成要件とする揺
動手段による揺動運動Ｕ２と、及び、前記Ｘ，Ｙステー
ジによるラップ盤１のＸ，Ｙ軸方向の移動運動Ｕ３の作
用を受ける。
図であり、円筒部材の研磨手段１２はモータ２２による
円筒部材の中心軸を中心とした回転運動Ｕ１と、前記モ
ータ２４、クランクアーム３０を主要構成要件とする揺
動手段による揺動運動Ｕ２と、及び、前記Ｘ，Ｙステー
ジによるラップ盤１のＸ，Ｙ軸方向の移動運動Ｕ３の作
用を受ける。
【００４２】次に、図４のフローチャートを参照して本
装置の操作工程を説明する。
装置の操作工程を説明する。
【００４３】まず、図 に示した被加工部材の基板 を
前記突起部分を上にして前記テーブル上に保持させる。
前記突起部分を上にして前記テーブル上に保持させる。
【００４４】基板は裏側に高摩擦性の弾性シートを介在
させる方法、裏側基準平面に真空吸着する方法等、変形
量を小さくしてテーブル上に保持する。
させる方法、裏側基準平面に真空吸着する方法等、変形
量を小さくしてテーブル上に保持する。
【００４５】次に、シリンダ１８のピストン１８Ａを下
降させて円筒研磨手段１２の下端に取り付けた研磨シー
ト が前記被加工部材 の上面に接触する位置にセット
する。ステップ１
降させて円筒研磨手段１２の下端に取り付けた研磨シー
ト が前記被加工部材 の上面に接触する位置にセット
する。ステップ１
【００４６】被加工部材 の凹凸量、絶縁膜 の硬さ等
の情報に基ずいて、モータ２２、２４の回転量、シリン
ダ１８の加圧力、及び、Ｘ、Ｙステージの移動速度、更
に、研磨液の噴射量、圧力等の研磨加工に必要な情報を
前記制御手段４６に入力する。ステップ２
の情報に基ずいて、モータ２２、２４の回転量、シリン
ダ１８の加圧力、及び、Ｘ、Ｙステージの移動速度、更
に、研磨液の噴射量、圧力等の研磨加工に必要な情報を
前記制御手段４６に入力する。ステップ２
【００４７】上記必要情報の入力後、装置の起動によ
り、前記制御手段４６から各制御手段に前記入力情報に
対応した制御信号が出力し、まず、研磨液の被加工部材
上への噴射が行われ、続いて、モータ２２による円筒研
磨手段１２の回転運動Ｕ１が行われる。ステップ３
り、前記制御手段４６から各制御手段に前記入力情報に
対応した制御信号が出力し、まず、研磨液の被加工部材
上への噴射が行われ、続いて、モータ２２による円筒研
磨手段１２の回転運動Ｕ１が行われる。ステップ３
【００４８】更に、モータ２４の回転による円筒研磨手
段１２の揺動運動Ｕ２が決められた揺動幅で作動し、こ
の前記回転運動と揺動運動により被加工部材表面の研磨
作用が行われる。
段１２の揺動運動Ｕ２が決められた揺動幅で作動し、こ
の前記回転運動と揺動運動により被加工部材表面の研磨
作用が行われる。
【００４９】更に、前記Ｘ，Ｙステージ制御手段４０、
４２によりＸ軸方向への移動と、該Ｘ軸方向への所定距
離の移動後Ｙ軸方向への所定ピッチの移動が行われる。
ステップ４
４２によりＸ軸方向への移動と、該Ｘ軸方向への所定距
離の移動後Ｙ軸方向への所定ピッチの移動が行われる。
ステップ４
【００５０】（実施例１）直径３００ｍｍのガラス製基
板Ａ上に厚さ１μｍの金属配線Ｂと、その上に厚さ１．
２μｍのＳｉ３Ｎ４ から成る電気絶縁膜Ｃを形成した
被加工部材２を用意する。
板Ａ上に厚さ１μｍの金属配線Ｂと、その上に厚さ１．
２μｍのＳｉ３Ｎ４ から成る電気絶縁膜Ｃを形成した
被加工部材２を用意する。
【００５１】研磨手段の円筒部材はステンレスから作ら
れ、内径寸法が４０．０ｍｍ，外径寸法が５０．０ｍ
ｍ、円筒長さ寸法 １０．０ ｍｍであり、該円筒の先端
部に内層が厚み１ｍｍのウレタン繊維不織布を貼り、そ
の上に、外層として厚み０．５ｍｍの発泡ポリウレタン
シートを貼り付ける。
れ、内径寸法が４０．０ｍｍ，外径寸法が５０．０ｍ
ｍ、円筒長さ寸法 １０．０ ｍｍであり、該円筒の先端
部に内層が厚み１ｍｍのウレタン繊維不織布を貼り、そ
の上に、外層として厚み０．５ｍｍの発泡ポリウレタン
シートを貼り付ける。
【００５２】シリンダ１８の荷重は１０００ｇ，円筒研
磨工具１２の回転数は６００ｒｐｍ，揺動手段の揺動幅
は１０ｍｍ に成るように前記モータ２４の回転数を設
定する。
磨工具１２の回転数は６００ｒｐｍ，揺動手段の揺動幅
は１０ｍｍ に成るように前記モータ２４の回転数を設
定する。
【００５３】円筒研磨工具１２の移動運動速度は毎分１
００ｍｍ，送りピッチ幅は１０ｍｍに設定した。研磨液
はアルミナ微粒研磨剤を毎分 １０ｃｃの割合で噴射し
た。
００ｍｍ，送りピッチ幅は１０ｍｍに設定した。研磨液
はアルミナ微粒研磨剤を毎分 １０ｃｃの割合で噴射し
た。
【００５４】前記被加工部材を図１に示した装置に装着
し、前記条件を前記制御手段４６に入力して研磨加工操
作を行った処、工程終了後の被加工部材の形状は、加工
前に基板全面に存在した配線Ｃ上の絶縁膜の突起を配線
Ｂの上面まで研磨して部分的な突起を削除して平坦形状
とすることができた。
し、前記条件を前記制御手段４６に入力して研磨加工操
作を行った処、工程終了後の被加工部材の形状は、加工
前に基板全面に存在した配線Ｃ上の絶縁膜の突起を配線
Ｂの上面まで研磨して部分的な突起を削除して平坦形状
とすることができた。
【００５５】（実施例２）直径１５０ｍｍのシリコン基
板Ａ上に厚さ１μｍの金属配線と、その上に、厚さ１．
２μｍの Ｓｉ３Ｎ４からなる電気絶縁膜Ｃを形成した
被研磨加工部材２を用意する。
板Ａ上に厚さ１μｍの金属配線と、その上に、厚さ１．
２μｍの Ｓｉ３Ｎ４からなる電気絶縁膜Ｃを形成した
被研磨加工部材２を用意する。
【００５６】研磨手段の円筒部材はステンレスから作ら
れ、内径寸法が４０．０ｍｍ，外径寸法が５０．０ｍ
ｍ、円筒長さ寸法１０ｍｍであり、該円筒の先端部に内
層が厚み１ｍｍのウレタン繊維不織布を貼り、その上
に、外層として厚み０．５ｍｍの発泡ポリウレタンシー
トを貼り付ける。
れ、内径寸法が４０．０ｍｍ，外径寸法が５０．０ｍ
ｍ、円筒長さ寸法１０ｍｍであり、該円筒の先端部に内
層が厚み１ｍｍのウレタン繊維不織布を貼り、その上
に、外層として厚み０．５ｍｍの発泡ポリウレタンシー
トを貼り付ける。
【００５７】シリンダ１８の荷重は１０００ｇ，円筒研
磨工具１２の回転数は６００ｒｐｍ，揺動手段の揺動幅
は１０ｍｍに成るように前記モータ２４の回転数を設定
する。
磨工具１２の回転数は６００ｒｐｍ，揺動手段の揺動幅
は１０ｍｍに成るように前記モータ２４の回転数を設定
する。
【００５８】円筒研磨工具１２の移動運動速度は毎分３
０ｍｍ，送りピッチ幅は１０ｍｍに設定した。研磨液は
コロイダルシリカ溶液を毎分２０ｃｃの割合で噴射し
た。
０ｍｍ，送りピッチ幅は１０ｍｍに設定した。研磨液は
コロイダルシリカ溶液を毎分２０ｃｃの割合で噴射し
た。
【００５９】前記被加工部材を図１に示した装置に装着
し、前記条件を前記制御手段４６に入力して研磨加工操
作を行った処、工程終了後の被加工部材の形状は、加工
前に基板全面に存在した配線Ｃ上の絶縁膜の突起を配線
Ｂの上面まで研磨して部分的な突起を削除して平坦形状
とすることができた。
し、前記条件を前記制御手段４６に入力して研磨加工操
作を行った処、工程終了後の被加工部材の形状は、加工
前に基板全面に存在した配線Ｃ上の絶縁膜の突起を配線
Ｂの上面まで研磨して部分的な突起を削除して平坦形状
とすることができた。
【００６０】
【発明の効果】以上のように本発明は、小直径部と大直
径部で囲まれた面積から成る研磨面を有した研磨部材を
被研 磨面上に回転運動と一軸方向への移動運動を与え
るとともに、前記研磨部材を前記被研磨面に加圧させて
研磨操作することにより、基板表面に電気絶縁膜材料の
突起部の研磨除去を表面精度を損なうことなく加工でき
る研磨方法を得ることができた。
径部で囲まれた面積から成る研磨面を有した研磨部材を
被研 磨面上に回転運動と一軸方向への移動運動を与え
るとともに、前記研磨部材を前記被研磨面に加圧させて
研磨操作することにより、基板表面に電気絶縁膜材料の
突起部の研磨除去を表面精度を損なうことなく加工でき
る研磨方法を得ることができた。
【００６１】更に、平面上に被研磨部を形成した被研磨
部材に、端部に研磨部を備えた円筒形状の研磨手段を加
圧し、前記円筒形状研磨手段を回転させつつ、前記被研
磨部の一方向に移動させて研磨するようにしたことによ
り、より平坦精度の高い研磨加工方法が得られた。
部材に、端部に研磨部を備えた円筒形状の研磨手段を加
圧し、前記円筒形状研磨手段を回転させつつ、前記被研
磨部の一方向に移動させて研磨するようにしたことによ
り、より平坦精度の高い研磨加工方法が得られた。
【００６２】又、本発明は平面上に被研磨部を形成した
被研磨部材の研磨装置において小直径部と大直径部で囲
まれた面積から成る研磨面を有した研磨部材を前記被研
磨部材の被研磨面上に加圧する手段と、前記研磨部材を
回転させる手段と、及び、前記研磨部材を一方向に移動
させる手段から成る研磨装置を得ることができた。
被研磨部材の研磨装置において小直径部と大直径部で囲
まれた面積から成る研磨面を有した研磨部材を前記被研
磨部材の被研磨面上に加圧する手段と、前記研磨部材を
回転させる手段と、及び、前記研磨部材を一方向に移動
させる手段から成る研磨装置を得ることができた。
【００６３】前記研磨部材に揺動運動を与える揺動手段
を備えたことにより研磨加工表面の加工精度の均一性の
確保が可能となった。
を備えたことにより研磨加工表面の加工精度の均一性の
確保が可能となった。
【００６４】更に本発明は、前記円筒部材先端部の研磨
部材は複層と成し、前記被研磨面と接する面の層は次の
層に比して高い弾性率の材料で構成し、表面側に高剛性
の研磨シートを用い、基板の部分突起部で高圧力を発生
させて突起を除去することにより被加工表面の平坦化施
用を大きくすることができた。
部材は複層と成し、前記被研磨面と接する面の層は次の
層に比して高い弾性率の材料で構成し、表面側に高剛性
の研磨シートを用い、基板の部分突起部で高圧力を発生
させて突起を除去することにより被加工表面の平坦化施
用を大きくすることができた。
【００６５】又、本発明は円環形状の工具を用いること
により高周速の研磨工具で、基板の反りに対し、均一な
接触圧を得ることができるので短時間で全面均一研磨加
工ができた。
により高周速の研磨工具で、基板の反りに対し、均一な
接触圧を得ることができるので短時間で全面均一研磨加
工ができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨方法を実施する装置構成の説明
図。
図。
【図２】本発明における研磨工具手段の運動を説明する
図。
図。
【図３】図１の装置の制御ブロック図。
【図４】動作を説明するためのフローチャート。
【図５】本発明で研磨加工する被加工部材の構成を説明
する図。
する図。
１ ラップ盤 ２ 被加工部材 ８、１０ Ｘ，Ｙステージ １２ 円筒部材形状の加工工具（研磨手段） １８ シリンダ ２２、２４ モータ
Claims (6)
- 【請求項１】 小直径部と大直径部で囲まれた面積から
成る研磨面を有した研磨部材を被研磨面上に回転運動と
一軸方向への移動運動を与えるとともに、前記研磨部材
を前記被研磨面に加圧させて研磨操作することを特徴と
した研磨方法。 - 【請求項２】 平面上に被研磨部を形成した被研磨部材
に、端部に研磨部を備えた円筒形状の研磨手段を加圧
し、前記円筒形状研磨手段を回転させつつ、前記被研磨
部の一方向に移動させて研磨するようにしたことを特徴
とした研磨方法。 - 【請求項３】 平面上に被研磨部を形成した被研磨部材
の研磨装置であって、小直径部と大直径部で囲まれた面
積から成る研磨面を有した研磨部材を前記被研磨部材の
被研磨面上に加圧する手段と、前記研磨部材を回転させ
る手段と、及び、前記研磨部材を一方向に移動させる手
段から成ることを特徴とした研磨装置。 - 【請求項４】 前記研磨部材に揺動運動を与える揺動手
段を備えたことを特徴とした請求項３に記載の研磨装
置。 - 【請求項５】 前記研磨部材は円筒部材の先端部に形成
したことを特徴とした請求項５記載の研磨装置。 - 【請求項６】 前記円筒部材先端部の研磨部材は複層と
成し、前記被研磨面と接する面の層は次の層に比して高
い弾性率の材料で構成したことを特徴とした請求項５記
載の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33558196A JPH10175160A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33558196A JPH10175160A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 研磨方法及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10175160A true JPH10175160A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18290190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33558196A Pending JPH10175160A (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10175160A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010208015A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム及びその方法 |
| CN108406544A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-08-17 | 汤蒙琪 | 一种机械零件加工用铁质板材表面抛光设备 |
| CN114211388A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 翔实光电科技(昆山)有限公司 | 一种用于ag玻璃透点研磨的研磨装置 |
-
1996
- 1996-12-16 JP JP33558196A patent/JPH10175160A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010208015A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Lg Chem Ltd | フロートガラス研磨システム及びその方法 |
| CN108406544A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-08-17 | 汤蒙琪 | 一种机械零件加工用铁质板材表面抛光设备 |
| CN114211388A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-22 | 翔实光电科技(昆山)有限公司 | 一种用于ag玻璃透点研磨的研磨装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030506 |