JPH10176262A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
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- JPH10176262A JPH10176262A JP35352396A JP35352396A JPH10176262A JP H10176262 A JPH10176262 A JP H10176262A JP 35352396 A JP35352396 A JP 35352396A JP 35352396 A JP35352396 A JP 35352396A JP H10176262 A JPH10176262 A JP H10176262A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板に堆積する粒子の入射角を制限することに
よって高品位の膜質を有する薄膜を形成しうる蒸着装置
を提供する。 【解決手段】真空下で搬送される基板５上に蒸着材料
(例えば、ＭｇＯ)を蒸着して薄膜を形成するための蒸着
装置で、基板５に付着する蒸着材料の粒子１０の入射角
θ2、θ3が所定の角度より大きくならないように当該粒
子の入射角を規制する入射角規制手段を設ける。入射角
規制手段として、蒸着材料の蒸発源８に対し、基板５の
搬送方向の上流側及び下流側に基板５に対する入射角θ
3 が３５度より大きい蒸着材料の粒子１０を遮る蒸着材
遮蔽板１１ａ、１１ｂを設ける。また、基板５の搬送方
向と直交する方向に複数の蒸発源８ａ〜８ｄを配し、各
蒸発源８ａ〜８ｄの間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９
ｂ、９ｃを設け、基板５に対する入射角θ2 が３５度よ
り大きい蒸着材料の粒子10を遮るようにする。
よって高品位の膜質を有する薄膜を形成しうる蒸着装置
を提供する。 【解決手段】真空下で搬送される基板５上に蒸着材料
(例えば、ＭｇＯ)を蒸着して薄膜を形成するための蒸着
装置で、基板５に付着する蒸着材料の粒子１０の入射角
θ2、θ3が所定の角度より大きくならないように当該粒
子の入射角を規制する入射角規制手段を設ける。入射角
規制手段として、蒸着材料の蒸発源８に対し、基板５の
搬送方向の上流側及び下流側に基板５に対する入射角θ
3 が３５度より大きい蒸着材料の粒子１０を遮る蒸着材
遮蔽板１１ａ、１１ｂを設ける。また、基板５の搬送方
向と直交する方向に複数の蒸発源８ａ〜８ｄを配し、各
蒸発源８ａ〜８ｄの間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９
ｂ、９ｃを設け、基板５に対する入射角θ2 が３５度よ
り大きい蒸着材料の粒子10を遮るようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を搬送しなが
ら薄膜を形成する通過型の蒸着装置に関し、特にＰＤＰ
（プラズマディスプレイパネル）の誘電体保護膜を形成
するための蒸着装置に関する。
ら薄膜を形成する通過型の蒸着装置に関し、特にＰＤＰ
（プラズマディスプレイパネル）の誘電体保護膜を形成
するための蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、大面積の基板へ薄膜を形成する蒸
着装置としては、一般に基板通過方式を採用した蒸着装
置が用いられている。
着装置としては、一般に基板通過方式を採用した蒸着装
置が用いられている。
【０００３】図９（ａ）（ｂ）に、従来の基板通過方式
の蒸着装置の概略構成を示す。図９（ａ）（ｂ）に示す
ように、この蒸着装置１０１は、概略、蒸着室１０２
と、その両側に搬送室１０３、１０４が設けられ、これ
らは図示しない真空排気系に連結されている。そして、
蒸着すべき例えばガラスからなる基板１０５が搬送室１
０３から蒸着室１０２に連続的にｘ方向に搬送され、こ
の蒸着室１０２を通過して搬送室１０４に向って搬送さ
れる。
の蒸着装置の概略構成を示す。図９（ａ）（ｂ）に示す
ように、この蒸着装置１０１は、概略、蒸着室１０２
と、その両側に搬送室１０３、１０４が設けられ、これ
らは図示しない真空排気系に連結されている。そして、
蒸着すべき例えばガラスからなる基板１０５が搬送室１
０３から蒸着室１０２に連続的にｘ方向に搬送され、こ
の蒸着室１０２を通過して搬送室１０４に向って搬送さ
れる。
【０００４】一方、蒸着室１０２の下方には、水冷銅ハ
ース１０７に４つの蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０８
ｃ、１０８ｄが設けられる。そして、２つの電子銃１０
６ａ、１０６ｂから各蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄに対して電子ビームを照射することによ
りそれぞれの蒸着材料を蒸発させ、基板１０５上に蒸着
を行う。
ース１０７に４つの蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０８
ｃ、１０８ｄが設けられる。そして、２つの電子銃１０
６ａ、１０６ｂから各蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄに対して電子ビームを照射することによ
りそれぞれの蒸着材料を蒸発させ、基板１０５上に蒸着
を行う。
【０００５】かかる蒸着装置１０１を用いれば、蒸着す
べき基板１０５の幅が１ｍ以上ある場合であっても、基
板１０５の搬送方向と直交する方向（ｙ方向）に４つの
蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄが設け
られていることから、基板１０５の幅方向の膜厚分布を
均一にすることができる。
べき基板１０５の幅が１ｍ以上ある場合であっても、基
板１０５の搬送方向と直交する方向（ｙ方向）に４つの
蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄが設け
られていることから、基板１０５の幅方向の膜厚分布を
均一にすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の蒸着
装置１０１の場合、各蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄから蒸発した蒸着材料の粒子１１０は、
基板１０５に対して垂直に入射した粒子と、基板１０５
に対して大きな入射角で入射した粒子が混入した状態で
蒸着膜が形成される。例えば、図１０（ａ）（ｂ）に示
すように、従来の蒸着装置１０１の場合、各蒸発源１０
８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄかから飛び出す蒸
着材料の粒子１１０の角度は、θ1＝７°、θ2＝６５°、
θ3＝５５°、θ4＝３５°、θ5＝４２°で、最大入射
角は６５°にもなる。
装置１０１の場合、各蒸発源１０８ａ、１０８ｂ、１０
８ｃ、１０８ｄから蒸発した蒸着材料の粒子１１０は、
基板１０５に対して垂直に入射した粒子と、基板１０５
に対して大きな入射角で入射した粒子が混入した状態で
蒸着膜が形成される。例えば、図１０（ａ）（ｂ）に示
すように、従来の蒸着装置１０１の場合、各蒸発源１０
８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄかから飛び出す蒸
着材料の粒子１１０の角度は、θ1＝７°、θ2＝６５°、
θ3＝５５°、θ4＝３５°、θ5＝４２°で、最大入射
角は６５°にもなる。
【０００７】このような大きな入射角を持つ蒸着材料の
粒子１１０が膜中に入射した場合、特にＭｇＯ膜の場合
には、膜の結晶性の低下や膜密度の低下が生じる。Ｍｇ
Ｏ膜は、交流型プラズマディスプレイパネル用の誘電体
保護膜として用いられる場合があるが、その場合には、
プラズマディスプレイパネルの放電電圧が上昇するとと
もに、パネルとしての寿命が低下するという欠点があっ
た。
粒子１１０が膜中に入射した場合、特にＭｇＯ膜の場合
には、膜の結晶性の低下や膜密度の低下が生じる。Ｍｇ
Ｏ膜は、交流型プラズマディスプレイパネル用の誘電体
保護膜として用いられる場合があるが、その場合には、
プラズマディスプレイパネルの放電電圧が上昇するとと
もに、パネルとしての寿命が低下するという欠点があっ
た。
【０００８】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、基板に堆積する蒸着材
料の粒子の入射角を制限することによって高品位の膜質
を有する薄膜を形成しうる蒸着装置を提供することを目
的とするものである。
解決するためになされたもので、基板に堆積する蒸着材
料の粒子の入射角を制限することによって高品位の膜質
を有する薄膜を形成しうる蒸着装置を提供することを目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、真空下で搬送される基体上
に蒸着材料を蒸着して薄膜を形成するための蒸着装置で
あって、上記基体に付着する蒸着材料の粒子の入射角が
所定の角度より大きくならないように当該粒子の入射角
を規制する入射角規制手段を設けたことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、真空下で搬送される基体上
に蒸着材料を蒸着して薄膜を形成するための蒸着装置で
あって、上記基体に付着する蒸着材料の粒子の入射角が
所定の角度より大きくならないように当該粒子の入射角
を規制する入射角規制手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、入射角規制手段として、
基体に対する入射角が所定の角度より大きい蒸着材料の
粒子を遮る蒸着材遮蔽部材を設けることも効果的であ
る。
請求項１記載の発明において、入射角規制手段として、
基体に対する入射角が所定の角度より大きい蒸着材料の
粒子を遮る蒸着材遮蔽部材を設けることも効果的であ
る。
【００１１】また、請求項３記載の発明のように、請求
項２記載の発明において、蒸着材料の蒸発源に対し、基
体の搬送方向の上流側及び下流側に蒸着材遮蔽部材を設
けることも効果的である。
項２記載の発明において、蒸着材料の蒸発源に対し、基
体の搬送方向の上流側及び下流側に蒸着材遮蔽部材を設
けることも効果的である。
【００１２】さらに、請求項４記載の発明のように、請
求項２又は３のいずれか１項記載の発明において、基体
の搬送方向に対して交差方向に複数の蒸発源を配すると
ともに、当該交差方向について、上記各蒸発源について
の蒸着材遮蔽部材を設けることも効果的である。
求項２又は３のいずれか１項記載の発明において、基体
の搬送方向に対して交差方向に複数の蒸発源を配すると
ともに、当該交差方向について、上記各蒸発源について
の蒸着材遮蔽部材を設けることも効果的である。
【００１３】さらにまた、請求項５記載の発明のよう
に、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、
蒸着材料としてＭｇＯを用い、基体に対するＭｇＯの粒
子の入射角が３５度より大きくならないように当該粒子
の入射角を規制することも効果的である。
に、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、
蒸着材料としてＭｇＯを用い、基体に対するＭｇＯの粒
子の入射角が３５度より大きくならないように当該粒子
の入射角を規制することも効果的である。
【００１４】請求項１記載の発明の場合、基体に付着す
る蒸着材料の粒子の入射角が所定の角度より大きくなら
ないように当該粒子の入射角が規制されるため、従来技
術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度の低下といっ
た問題を回避することができる。
る蒸着材料の粒子の入射角が所定の角度より大きくなら
ないように当該粒子の入射角が規制されるため、従来技
術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度の低下といっ
た問題を回避することができる。
【００１５】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、入射角規制手段として、
基体に対する入射角が所定の角度より大きい蒸着材料の
粒子を遮る蒸着材遮蔽部材を設ければ、基体に対する入
射角が所定の角度より大きい蒸着材料の粒子は基体に到
達せず、容易に蒸着材料の粒子の入射角を規制すること
ができる。
請求項１記載の発明において、入射角規制手段として、
基体に対する入射角が所定の角度より大きい蒸着材料の
粒子を遮る蒸着材遮蔽部材を設ければ、基体に対する入
射角が所定の角度より大きい蒸着材料の粒子は基体に到
達せず、容易に蒸着材料の粒子の入射角を規制すること
ができる。
【００１６】また、請求項３記載の発明のように、請求
項２記載の発明において、蒸着材料の蒸発源に対し、基
体の搬送方向の上流側及び下流側に蒸着材遮蔽部材を設
ければ、基体の搬送方向について、基体に対する蒸着材
料の粒子の入射角を規制することができる。
項２記載の発明において、蒸着材料の蒸発源に対し、基
体の搬送方向の上流側及び下流側に蒸着材遮蔽部材を設
ければ、基体の搬送方向について、基体に対する蒸着材
料の粒子の入射角を規制することができる。
【００１７】さらに、請求項４記載の発明のように、請
求項２又は３のいずれか１項記載の発明において、基体
の搬送方向に対して交差方向に複数の蒸発源を配すると
ともに、当該交差方向について、上記各蒸発源について
の蒸着材遮蔽部材を設ければ、各蒸発源から蒸発する蒸
着材料の粒子の基体に対する入射角を規制することがで
き、その結果、基体が大きい場合であっても、蒸着膜の
結晶性の低下や膜密度の低下といった問題を生じさせる
ことなく、均一な膜厚分布の膜を形成することができ
る。
求項２又は３のいずれか１項記載の発明において、基体
の搬送方向に対して交差方向に複数の蒸発源を配すると
ともに、当該交差方向について、上記各蒸発源について
の蒸着材遮蔽部材を設ければ、各蒸発源から蒸発する蒸
着材料の粒子の基体に対する入射角を規制することがで
き、その結果、基体が大きい場合であっても、蒸着膜の
結晶性の低下や膜密度の低下といった問題を生じさせる
ことなく、均一な膜厚分布の膜を形成することができ
る。
【００１８】さらにまた、請求項５記載の発明のよう
に、請求項１乃至４のいずれか１項記載の発明におい
て、蒸着材料としてＭｇＯを用い、基体に対するＭｇＯ
の粒子の入射角が３５度より大きくならないように当該
粒子の入射角を規制すれば、例えば、プラズマディスプ
レイパネルの保護膜を形成した場合において、放電電圧
の上昇を防止することができるとともに、パネルの寿命
を延ばすことができる。
に、請求項１乃至４のいずれか１項記載の発明におい
て、蒸着材料としてＭｇＯを用い、基体に対するＭｇＯ
の粒子の入射角が３５度より大きくならないように当該
粒子の入射角を規制すれば、例えば、プラズマディスプ
レイパネルの保護膜を形成した場合において、放電電圧
の上昇を防止することができるとともに、パネルの寿命
を延ばすことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る蒸着装置の好
ましい実施の形態を図１〜図８を参照して詳細に説明す
る。
ましい実施の形態を図１〜図８を参照して詳細に説明す
る。
【００２０】図１（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の蒸着
装置の概略構成を示すものである。図１（ａ）（ｂ）に
示すように、この蒸着装置１は、概略、蒸着室２と、そ
の両側に搬送室３、４が設けられ、これらは図示しない
真空排気系に連結されている。そして、蒸着すべき例え
ばガラスからなる基板５が搬送室３から蒸着室２にｘ方
向に搬送され、この蒸着室２で蒸着された後に搬送室４
に向って搬送されるように構成される。この場合、図１
（ｂ）に示すように、多数の基板５が連続して蒸着室２
を通過するように構成されている。
装置の概略構成を示すものである。図１（ａ）（ｂ）に
示すように、この蒸着装置１は、概略、蒸着室２と、そ
の両側に搬送室３、４が設けられ、これらは図示しない
真空排気系に連結されている。そして、蒸着すべき例え
ばガラスからなる基板５が搬送室３から蒸着室２にｘ方
向に搬送され、この蒸着室２で蒸着された後に搬送室４
に向って搬送されるように構成される。この場合、図１
（ｂ）に示すように、多数の基板５が連続して蒸着室２
を通過するように構成されている。
【００２１】一方、蒸着室２の下方には、水冷銅ハース
７によって加熱される４つの蒸発源８（８ａ、８ｂ、８
ｃ、８ｄ）が設けられる。なお、本実施の形態の場合、
各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの蒸着材料としては、
例えばＭｇＯが用いられる。そして、蒸着室２の下方に
２つの電子銃６ａ、６ｂが設けられ、これらの電子銃６
ａ、６ｂから各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄに対して
電子ビームＥＢを照射することにより各蒸着材料を蒸発
させ、基板上に蒸着を行うようになっている。
７によって加熱される４つの蒸発源８（８ａ、８ｂ、８
ｃ、８ｄ）が設けられる。なお、本実施の形態の場合、
各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの蒸着材料としては、
例えばＭｇＯが用いられる。そして、蒸着室２の下方に
２つの電子銃６ａ、６ｂが設けられ、これらの電子銃６
ａ、６ｂから各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄに対して
電子ビームＥＢを照射することにより各蒸着材料を蒸発
させ、基板上に蒸着を行うようになっている。
【００２２】ここで、電子銃６ａ、６ｂとしては、例え
ば２点ジャンピング式のピアス式電子銃が用いられ、一
方の電子銃６ａによって蒸発源８ａ、８ｂに電子ビーム
ＥＢを照射するとともに、他方の電子銃６ｂによって蒸
発源８ｃ、８ｄに電子ビームＥＢを照射するように構成
される。
ば２点ジャンピング式のピアス式電子銃が用いられ、一
方の電子銃６ａによって蒸発源８ａ、８ｂに電子ビーム
ＥＢを照射するとともに、他方の電子銃６ｂによって蒸
発源８ｃ、８ｄに電子ビームＥＢを照射するように構成
される。
【００２３】一方、本実施の形態においては、基板５に
付着する蒸着材料の粒子１０の入射角が所定の角度より
大きくならないように、以下のような手段が設けられて
いる。
付着する蒸着材料の粒子１０の入射角が所定の角度より
大きくならないように、以下のような手段が設けられて
いる。
【００２４】まず、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すよ
うに、蒸着室２内の各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの
間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃが設けられ
る。これらの蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃは、それぞ
れ基板５の搬送方向と平行にに配置され、その上端部が
各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄより上方に位置するよ
うに構成される。そして、これらの蒸着材遮蔽板９ａ、
９ｂ、９ｃによって、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
から蒸発した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、
１０ｄが遮蔽され、これらの基板５の搬送方向と直交す
る方向（図１（ａ）のｙ方向）についての出射角θ2、
即ち基板５に対する入射角θ2が所定の角度より大きい
蒸着材料の粒子１０が基板５に到達しないようになって
いる。ここで、本実施の形態の場合は、θ2は３５°で
ある。
うに、蒸着室２内の各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの
間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃが設けられ
る。これらの蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃは、それぞ
れ基板５の搬送方向と平行にに配置され、その上端部が
各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄより上方に位置するよ
うに構成される。そして、これらの蒸着材遮蔽板９ａ、
９ｂ、９ｃによって、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
から蒸発した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、
１０ｄが遮蔽され、これらの基板５の搬送方向と直交す
る方向（図１（ａ）のｙ方向）についての出射角θ2、
即ち基板５に対する入射角θ2が所定の角度より大きい
蒸着材料の粒子１０が基板５に到達しないようになって
いる。ここで、本実施の形態の場合は、θ2は３５°で
ある。
【００２５】一方、両側の蒸発源８ａ、８ｄから蒸発し
た蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｄの基板５の端部に対す
る入射角θ1 は、従来例と同様に７°となるようになっ
ている。
た蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｄの基板５の端部に対す
る入射角θ1 は、従来例と同様に７°となるようになっ
ている。
【００２６】また、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの基板５の搬送
方向上流側及び下流側であって、基板５の近傍には、水
平方向にそれぞれ蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂが設けら
れている。そして、これらの蒸着材遮蔽板１１ａ、１１
ｂによって、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄから蒸発
した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄが
遮蔽され、これらの基板５の搬送方向の上流側及び下流
側の出射角θ3、即ち基板５に対する入射角θ3が所定の
角度より大きい蒸着材料の粒子１０が基板５に到達しな
いようになっている。ここで、本実施の形態の場合は、
θ2と同様、θ3は３５°である。
うに、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの基板５の搬送
方向上流側及び下流側であって、基板５の近傍には、水
平方向にそれぞれ蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂが設けら
れている。そして、これらの蒸着材遮蔽板１１ａ、１１
ｂによって、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄから蒸発
した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄが
遮蔽され、これらの基板５の搬送方向の上流側及び下流
側の出射角θ3、即ち基板５に対する入射角θ3が所定の
角度より大きい蒸着材料の粒子１０が基板５に到達しな
いようになっている。ここで、本実施の形態の場合は、
θ2と同様、θ3は３５°である。
【００２７】このような構成を有する本実施の形態にお
いて、ｘ方向に基板５を搬送しつつ各電子銃６ａ、６ｂ
から電子ビームＥＢを各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
に照射すると、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄから蒸
発した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ
は、蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃによって規制される
とともに、蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂによって規制さ
れ、それぞれの基板５に対する入射角θ2、θ3が３５°
より大きくなることはない。
いて、ｘ方向に基板５を搬送しつつ各電子銃６ａ、６ｂ
から電子ビームＥＢを各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ
に照射すると、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄから蒸
発した蒸着材料の粒子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ
は、蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃによって規制される
とともに、蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂによって規制さ
れ、それぞれの基板５に対する入射角θ2、θ3が３５°
より大きくなることはない。
【００２８】その結果、本実施の形態によれば、従来技
術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度の低下といっ
た問題は回避することができ、高品位の蒸着膜を形成す
ることができる。よって、本実施の形態によるＭｇＯ膜
をプラズマディスプレイパネルの保護膜として用いた場
合には、放電電圧の上昇を防止し、パネルの寿命を延ば
すことができる。
術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度の低下といっ
た問題は回避することができ、高品位の蒸着膜を形成す
ることができる。よって、本実施の形態によるＭｇＯ膜
をプラズマディスプレイパネルの保護膜として用いた場
合には、放電電圧の上昇を防止し、パネルの寿命を延ば
すことができる。
【００２９】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
上述の実施の形態の場合は、各蒸発源８ａ、８ｂ、８
ｃ、８ｄの間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃ
を設け、また、基板５の近傍でその搬送方向上流側及び
下流側に板状の蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂを設けるよ
うにしたが、本発明はこれに限られず、基板５に対する
入射角θ2及びθ3が３５°より大きくならない限り、種
々の形状、配置のものを設けることができる。
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
上述の実施の形態の場合は、各蒸発源８ａ、８ｂ、８
ｃ、８ｄの間に衝立状の蒸着材遮蔽板９ａ、９ｂ、９ｃ
を設け、また、基板５の近傍でその搬送方向上流側及び
下流側に板状の蒸着材遮蔽板１１ａ、１１ｂを設けるよ
うにしたが、本発明はこれに限られず、基板５に対する
入射角θ2及びθ3が３５°より大きくならない限り、種
々の形状、配置のものを設けることができる。
【００３０】また、上述の実施の形態においては、２点
ジャンピング方式の２台のピアス式電子銃６ａ、６ｂを
配置するようにしたが、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８
ｄに対応してトランスバース式の電子銃を４台配置する
ようにしてもよい。
ジャンピング方式の２台のピアス式電子銃６ａ、６ｂを
配置するようにしたが、各蒸発源８ａ、８ｂ、８ｃ、８
ｄに対応してトランスバース式の電子銃を４台配置する
ようにしてもよい。
【００３１】さらに、蒸発源の数も４つに限られず、こ
れより増加又は減少させることも可能であるが、その場
合には、それに応じて蒸着材遮蔽板９の数を増減させる
ことが必要である。
れより増加又は減少させることも可能であるが、その場
合には、それに応じて蒸着材遮蔽板９の数を増減させる
ことが必要である。
【００３２】さらにまた、本発明は基板５上にＭｇＯ膜
を形成する場合のみならず、ＳiＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3、ＺｒＯ2、ＺｎＯ等の酸化物皮膜やＭｇＦ等の沸化物
皮膜を形成する際にも同様の効果が得られるものであ
る。
を形成する場合のみならず、ＳiＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3、ＺｒＯ2、ＺｎＯ等の酸化物皮膜やＭｇＦ等の沸化物
皮膜を形成する際にも同様の効果が得られるものであ
る。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに詳細
に説明する。
に説明する。
【００３４】図１に示す構成を有する蒸着装置１を用
い、表１に示す条件で形成したＭｇＯ膜のＸ線回折パタ
ーンを測定した。その結果を図３及び図４に示す。ま
た、膜密度を求めるための一つの指針となる膜屈折率の
結果も図３及び図４中に示す。
い、表１に示す条件で形成したＭｇＯ膜のＸ線回折パタ
ーンを測定した。その結果を図３及び図４に示す。ま
た、膜密度を求めるための一つの指針となる膜屈折率の
結果も図３及び図４中に示す。
【００３５】なお、膜評価の測定位置は、図２（ａ）
（ｂ）に示すように、基板５の中央部及び基板５の端
部の２箇所を評価した。
（ｂ）に示すように、基板５の中央部及び基板５の端
部の２箇所を評価した。
【００３６】
【表１】
【００３７】本発明に係る蒸着装置１の場合は、基板５
の搬送方向（ｘ方向）及びこれと直交する方向（ｙ方
向）の両方において蒸着材料の粒子１０の入射角θ3、
θ2を３５°までの範囲内に制限することにより、図３
及び図４に示すように、基板５の中央部、基板５の端部
の両方において蒸着膜の回折強度は大きく、しかも、
（１１１）面に優先配向していることから、結晶性の改
善がなされていることが推察される。
の搬送方向（ｘ方向）及びこれと直交する方向（ｙ方
向）の両方において蒸着材料の粒子１０の入射角θ3、
θ2を３５°までの範囲内に制限することにより、図３
及び図４に示すように、基板５の中央部、基板５の端部
の両方において蒸着膜の回折強度は大きく、しかも、
（１１１）面に優先配向していることから、結晶性の改
善がなされていることが推察される。
【００３８】さらに、本実施例の場合、屈折率は、１．
６８以上とバルクの場合の１．７０とほぼ同等の値が得
られ、膜密度は低下していないものと推察される。
６８以上とバルクの場合の１．７０とほぼ同等の値が得
られ、膜密度は低下していないものと推察される。
【００３９】一方、比較例として、図８に示す構成を有
する蒸着装置を用い、上記実施例と同様の条件で形成し
たＭｇＯ膜のＸ線回折パターンと膜屈折率を測定した。
その結果を図５及び図６に示す。
する蒸着装置を用い、上記実施例と同様の条件で形成し
たＭｇＯ膜のＸ線回折パターンと膜屈折率を測定した。
その結果を図５及び図６に示す。
【００４０】図５及び図６から理解されるように、従来
の蒸着装置１０１を用いて形成したＭｇＯ膜の中央部で
は、（１１１）面及び（１００）面の反射からなる回折
線ピークが得られた。それらは、比較的回折線ピーク強
度が小さく、結晶性の低い膜であることが推察される。
さらに、基板１０５の端部においては、その中央部より
も回折線強度の小さい膜となることが判明した。
の蒸着装置１０１を用いて形成したＭｇＯ膜の中央部で
は、（１１１）面及び（１００）面の反射からなる回折
線ピークが得られた。それらは、比較的回折線ピーク強
度が小さく、結晶性の低い膜であることが推察される。
さらに、基板１０５の端部においては、その中央部より
も回折線強度の小さい膜となることが判明した。
【００４１】一方、膜屈折率についても、バルクの場合
の１．７０に比べ１．５９と小さい値を示しており、膜
密度が低下していることが推察される。
の１．７０に比べ１．５９と小さい値を示しており、膜
密度が低下していることが推察される。
【００４２】さらに、実施例及び比較例の蒸着装置によ
ってＭｇＯ膜を形成し、その放電電圧を測定した。その
結果を図７及び図８に示す。なお、図７及び図８中、曲
線Ａ、Ｃはそれぞれ点火電圧を示し、曲線Ｂ、Ｄはそれ
ぞれ消灯電圧を示す。
ってＭｇＯ膜を形成し、その放電電圧を測定した。その
結果を図７及び図８に示す。なお、図７及び図８中、曲
線Ａ、Ｃはそれぞれ点火電圧を示し、曲線Ｂ、Ｄはそれ
ぞれ消灯電圧を示す。
【００４３】図７から明らかなように、本発明の蒸着装
置によって形成した場合は、点火放電電圧が低く、寿命
についても１０００時間以上安定して放電電圧に異常の
ないＭｇＯ膜を得ることができた。
置によって形成した場合は、点火放電電圧が低く、寿命
についても１０００時間以上安定して放電電圧に異常の
ないＭｇＯ膜を得ることができた。
【００４４】一方、図８から明らかなように、従来技術
の蒸着装置によって形成したＭｇＯ膜は、点火放電電圧
が上記実施例よりも約１０Ｖ高く、かつ、長時間の放電
寿命テストで膜の劣化に起因すると思われる放電電圧の
緩やかな上昇が見られた。
の蒸着装置によって形成したＭｇＯ膜は、点火放電電圧
が上記実施例よりも約１０Ｖ高く、かつ、長時間の放電
寿命テストで膜の劣化に起因すると思われる放電電圧の
緩やかな上昇が見られた。
【００４５】このように、基板５に対するＭｇＯ粒子の
入射角を３５°以内に制限した本実施例の蒸着装置によ
れば、点火放電電圧が低く、かつ、１０００時間以上の
寿命を有するＡＣ型ＰＤＰ用の誘電体保護膜を容易に形
成することができる。
入射角を３５°以内に制限した本実施例の蒸着装置によ
れば、点火放電電圧が低く、かつ、１０００時間以上の
寿命を有するＡＣ型ＰＤＰ用の誘電体保護膜を容易に形
成することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
に付着する蒸着材料の粒子の入射角が所定の角度より大
きくならないように当該粒子の入射角を規制することに
より、従来技術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度
の低下といった問題を回避することができ、高品位の蒸
着膜を形成することができる。
に付着する蒸着材料の粒子の入射角が所定の角度より大
きくならないように当該粒子の入射角を規制することに
より、従来技術のような蒸着膜の結晶性の低下や膜密度
の低下といった問題を回避することができ、高品位の蒸
着膜を形成することができる。
【００４７】したがって、本発明によって形成したＭｇ
Ｏ膜をプラズマディスプレイパネルの保護膜として用い
た場合には、放電電圧の上昇を防止し、パネルの寿命を
延ばすことができる。
Ｏ膜をプラズマディスプレイパネルの保護膜として用い
た場合には、放電電圧の上昇を防止し、パネルの寿命を
延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）：本発明に係る蒸着装置の一実施の形態
の概略構成平面図 （ｂ）：同実施の形態の概略構成を示す側面図
の概略構成平面図 （ｂ）：同実施の形態の概略構成を示す側面図
【図２】（ａ）：本発明の作用を示すための正面説明図 （ｂ）：本発明の作用を示すための要部側面説明図
【図３】本発明によって形成したＭｇＯ膜の中央部のＸ
線回折スペクトルの例
線回折スペクトルの例
【図４】本発明によって形成したＭｇＯ膜の端部のＸ線
回折スペクトルの例
回折スペクトルの例
【図５】従来技術によって形成したＭｇＯ膜の中央部の
Ｘ線回折スペクトルの例
Ｘ線回折スペクトルの例
【図６】従来技術によって形成したＭｇＯ膜の端部のＸ
線回折スペクトルの例
線回折スペクトルの例
【図７】本発明によって形成したＭｇＯ膜の放電電圧の
一例を示すグラフ
一例を示すグラフ
【図８】従来技術によって形成したＭｇＯ膜の放電電圧
の一例を示すグラフ
の一例を示すグラフ
【図９】（ａ）：従来例に係る蒸着装置の概略構成を示
す平面図 （ｂ）：同従来例の概略構成を示す側面図
す平面図 （ｂ）：同従来例の概略構成を示す側面図
【図１０】（ａ）：従来技術の作用を示すための正面説
明図 （ｂ）：従来技術の作用を示すための要部側面説明図
明図 （ｂ）：従来技術の作用を示すための要部側面説明図
１……蒸着装置 ２……蒸着室 ３、４……搬送室
５……基板 ６（６ａ、６ｂ）……電子銃 ８
(８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ)……蒸発源 ９ａ、９ｂ、
９ｃ）……蒸着材遮蔽板 １０（１０ａ、１０ｂ、１
０ｃ、１０ｄ）……蒸着材料の粒子 １１ａ、１１ｂ
……蒸着材遮蔽板 ＥＢ……電子ビーム
５……基板 ６（６ａ、６ｂ）……電子銃 ８
(８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ)……蒸発源 ９ａ、９ｂ、
９ｃ）……蒸着材遮蔽板 １０（１０ａ、１０ｂ、１
０ｃ、１０ｄ）……蒸着材料の粒子 １１ａ、１１ｂ
……蒸着材遮蔽板 ＥＢ……電子ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉内 利春 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 松浦 正道 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】真空下で搬送される基体上に蒸着材料を蒸
着して薄膜を形成するための蒸着装置であって、 上記基体に付着する蒸着材料の粒子の入射角が所定の角
度より大きくならないように当該粒子の入射角を規制す
る入射角規制手段を設けたことを特徴とする蒸着装置。 - 【請求項２】入射角規制手段として、基体に対する入射
角が所定の角度より大きい蒸着材料の粒子を遮る蒸着材
遮蔽部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の蒸着
装置。 - 【請求項３】蒸着材料の蒸発源に対し、基体の搬送方向
の上流側及び下流側に蒸着材遮蔽部材を設けたことを特
徴とする請求項２記載の蒸着装置。 - 【請求項４】基体の搬送方向に対して交差方向に複数の
蒸発源を配するとともに、当該交差方向について、上記
各蒸発源についての蒸着材遮蔽部材を設けたことを特徴
とする請求項２又は３のいずれか１項記載の蒸着装置。 - 【請求項５】蒸着材料がＭｇＯであり、基体に対するＭ
ｇＯの粒子の入射角が３５度より大きくならないように
当該粒子の入射角を規制することを特徴とする請求項１
乃至４のいずれか１項記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35352396A JP3847871B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35352396A JP3847871B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10176262A true JPH10176262A (ja) | 1998-06-30 |
| JP3847871B2 JP3847871B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=18431419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35352396A Expired - Fee Related JP3847871B2 (ja) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3847871B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083546A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置とその製造方法 |
| JP2002129311A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法 |
| JP2007227359A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Canon Inc | 蒸着装置および蒸着方法 |
| JP2008261058A (ja) * | 2001-02-08 | 2008-10-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置及び発光装置の作製方法 |
| KR101023006B1 (ko) | 2007-11-21 | 2011-03-22 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | 인라인 필름 형성 장치 |
| JP2012097338A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Kaneka Corp | 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法 |
| KR101191750B1 (ko) | 2011-06-20 | 2012-10-16 | 주식회사 선익시스템 | 2 이상의 증발원을 이용한 박막증착장치 |
| JP2012233214A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Ulvac Japan Ltd | 電子ビーム蒸着装置 |
| CN103094486A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102084707B1 (ko) * | 2012-12-03 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원, 이를 포함한 증착 장치 및 증착 방법 |
-
1996
- 1996-12-17 JP JP35352396A patent/JP3847871B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007227359A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Canon Inc | 蒸着装置および蒸着方法 |
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| CN103094486A (zh) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置 |
| CN103094486B (zh) * | 2011-10-28 | 2016-08-17 | 乐金显示有限公司 | 发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置 |
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