JPH1017784A - Chlorogallium phthalocyanine crystal and production of dispersion liquid of the crystal - Google Patents
Chlorogallium phthalocyanine crystal and production of dispersion liquid of the crystalInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 100
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 10
- RZVCEPSDYHAHLX-UHFFFAOYSA-N 3-iminoisoindol-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=NC(=N)C2=C1 RZVCEPSDYHAHLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000008213 purified water Substances 0.000 claims description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 15
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- NQMUGNMMFTYOHK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(OC)=CC=CC2=C1 NQMUGNMMFTYOHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010040880 Skin irritation Diseases 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000036556 skin irritation Effects 0.000 description 2
- 231100000475 skin irritation Toxicity 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSZXAFXFTLXUFV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)C1=CC=CC=C1 BSZXAFXFTLXUFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGYGETOMCSJHJU-UHFFFAOYSA-N 2-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(Cl)=CC=C21 CGYGETOMCSJHJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical group N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHYFYQKMYMKPKD-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[SiH2]CCCN AHYFYQKMYMKPKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTKKGHVQPVOXIL-UHFFFAOYSA-N 3h-isoindol-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=NCC2=C1 MTKKGHVQPVOXIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N Benzal chloride Chemical compound ClC(Cl)C1=CC=CC=C1 CAHQGWAXKLQREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDGIFZCOIOUIL-UHFFFAOYSA-N CCCCO[Zr](OCCCC)OCCCC Chemical compound CCCCO[Zr](OCCCC)OCCCC KFDGIFZCOIOUIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical group O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010070835 Skin sensitisation Diseases 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- JGGQWILNAAODRS-UHFFFAOYSA-N n-methyl-4-[4-(methylamino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(NC)=CC=C1C1=CC=C(NC)C=C1 JGGQWILNAAODRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N phthalimide Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 231100000370 skin sensitisation Toxicity 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた電子写真特
性を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方
法、及びその結晶分散液の製造方法に関するものであ
る。[0001] The present invention relates to a method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal having excellent electrophotographic properties, and a method for producing a crystal dispersion thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子写真感光体に用いる光導電物質とし
ては、種々の無機系及び有機系の光導電物質が知られて
いる。有機系光導電物質は、それを電子写真感光体に使
用した場合、膜の透明性、良好な成膜性及び可撓性を有
し、無公害であり、コストが比較的低い等の利点を有し
ているため、従来から種々のものが提案されている。ま
た、従来の有機光導電物質について、その感光波長領域
を、近赤外線の半導体レーザーの波長域にまで伸ばすこ
とにより、レーザープリンター、デジタル複写機、ファ
クシミリ等のデジタル記録用の感光体として使用する要
求が高まっており、半導体レーザー用の有機系光導電物
質として幾つかのものが提案されている。特に、フタロ
シアニン化合物については、その結晶型と電子写真特性
について多くの報告がなされている。2. Description of the Related Art Various inorganic and organic photoconductive materials have been known as photoconductive materials for use in electrophotographic photosensitive members. When the organic photoconductive material is used for an electrophotographic photoreceptor, it has advantages such as transparency of a film, good film forming property and flexibility, non-pollution and relatively low cost. Therefore, various things have been conventionally proposed. In addition, by extending the photosensitive wavelength range of conventional organic photoconductive materials to the wavelength range of near-infrared semiconductor lasers, there is a demand for using them as photoconductors for digital recording such as laser printers, digital copiers, and facsimile machines. And several organic photoconductive materials for semiconductor lasers have been proposed. In particular, many reports have been made on the phthalocyanine compound regarding its crystal form and electrophotographic properties.
【0003】一般に、フタロシアニン化合物は、その製
造方法または処理方法の相違により、幾つかの結晶型に
分かれること及びその結晶型が異なるとフタロシアニン
化合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすことが知ら
れている。フタロシアニン化合物の結晶型については、
例えば、無金属フタロシアニンについてみると、α、
β、ε、π、τ及びx等の結晶型が知られているが、こ
れらは光感度の点で十分ではなく、また、繰り返し特性
や環境安定性も満足なものが得られていない。[0003] In general, phthalocyanine compounds are known to be divided into several crystal forms due to differences in the production method or treatment method, and that different crystal forms have a significant effect on the photoelectric conversion characteristics of the phthalocyanine compound. I have. Regarding the crystal form of the phthalocyanine compound,
For example, looking at metal-free phthalocyanine, α,
Crystal forms such as β, ε, π, τ, and x are known, but these are not sufficient in terms of photosensitivity, and no satisfactory repetition characteristics and environmental stability have been obtained.
【0004】一方、クロロガリウムフタロシアニンに関
しても、その結晶型と電子写真特性について多くの報告
がなされており、特開平5−194523号公報及び特
開平5−98181号公報には、CuKα特性X線に対
するブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、1
6.6°、25.5°及び28.3°に強い回折ピーク
を有する高感度なクロロガリウムフタロシアニン結晶及
びそれを用いた電子写真感光体は、感度、繰り返し特性
及び環境安定性に優れていることが記載されている。On the other hand, with respect to chlorogallium phthalocyanine, many reports have been made on its crystal form and electrophotographic properties. JP-A-5-194523 and JP-A-5-98181 disclose CuKα characteristic X-rays. 7.4 ° of Bragg angle (2θ ± 0.2 °), 1
A highly sensitive chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 6.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° and an electrophotographic photoreceptor using the same are excellent in sensitivity, repetition characteristics and environmental stability. It is described.
【0005】上記クロロガリウムフタロシアニン結晶の
代表的な製造方法として、1,3−ジイミノイソインド
リンを三塩化ガリウムと有機溶剤中で加熱縮合させて得
られるCuKα特性X線に対するブラッグ角度(2θ±
0.2°)の27.1°に強い回折ピークを有するクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を、乾式粉砕した後、適
当な有機溶剤中で湿式粉砕して結晶変換させる方法が知
られている。As a typical method for producing the chlorogallium phthalocyanine crystal, a Bragg angle (2θ ± 2) with respect to CuKα characteristic X-ray obtained by heating and condensing 1,3-diiminoisoindoline with gallium trichloride in an organic solvent is used.
A method is known in which a chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 27.1 ° (0.2 °) is dry-ground and then wet-ground in an appropriate organic solvent to convert the crystal.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法のように、結晶変換工程において乾式粉砕を行うと、
クロロガリウムフタロシアニン結晶の中に含まれる1,
3−ジイミノイソインドリン、3−イミノイソインドリ
ン、フタルイミド等の不純物が、粉砕により結晶粒子の
表面上に露出することになる。このため、その取扱い中
に結晶が飛散して人体や衣服等に付着すると、上記の不
純物は強度の皮膚刺激性及び皮膚感作性を有するもので
あるから、皮膚のかぶれや炎症を起こすことがあり、安
全上の問題を有していた。また、CuKα特性X線に対
するブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、1
6.6°、25.5°及び28.3°に強い回折ピーク
を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶は、水、有
機溶剤等を用いて洗浄したものでも、微粒子であって浮
遊し易いものであるため、その分散液を作製するには取
扱いが容易でないという問題があった。However, when dry grinding is performed in the crystal conversion step as in the above method,
1, contained in chlorogallium phthalocyanine crystal
Impurities such as 3-diiminoisoindoline, 3-iminoisoindoline, and phthalimide are exposed on the surface of the crystal particles by the pulverization. Therefore, if crystals are scattered and adhere to the human body or clothes during handling, the above impurities have strong skin irritation and skin sensitization, and may cause skin irritation and irritation. And had safety issues. In addition, a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 °, 1
A chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 6.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° is a fine particle and easily floats even if washed with water, an organic solvent, or the like. In addition, there is a problem that handling of the dispersion is not easy.
【0007】本発明は、従来の技術における上記した実
情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目
的は、クロロガリウムフタロシアニン結晶中に含まれる
不純物の飛散を防止し、取扱い作業時の安全を確保した
CuKα特性X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2
°)の7.4°、16.6°、25.5°及び28.3
°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の製造方法を提供することにある。本発明の他
の目的は、良好な電子写真特性を有し、結晶微粒子の取
扱いが困難な上記した結晶を含む分散液の安全で容易な
製造方法を提供することにある。[0007] The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances in the prior art. That is, an object of the present invention is to prevent the impurities contained in the chlorogallium phthalocyanine crystal from scattering, and to secure the safety during the handling operation by using the Bragg angle (2θ ± 0.2) for the CuKα characteristic X-ray.
°) 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3.
It is an object of the present invention to provide a method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at °. It is another object of the present invention to provide a safe and easy method for producing a dispersion containing the above-mentioned crystals, which has good electrophotographic properties and in which handling of crystal fine particles is difficult.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、1,3−
ジイミノイソインドリン及び三塩化ガリウムから得られ
るCuKα特性X線に対するブラッグ角度(2θ±0.
2°)の27.1°に強い回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を用いて、特定の条件下に、
洗浄処理及び粉砕処理を行って結晶変換して得られるブ
ラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、16.6
°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを有す
るクロロガリウムフタロシアニン結晶は、製造工程中に
おいて、特定の処理条件の下に、洗浄処理及び粉砕処理
を行うことにより、安全に製造できること、さらには、
この結晶が良好な電子写真特性を示すことを確認し、本
発明を完成するに至った。Means for Solving the Problems The present inventors have developed a 1,3-
Bragg angle (2θ ± 0,5) for CuKα characteristic X-rays obtained from diiminoisoindoline and gallium trichloride.
Using a chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 27.1 ° (2 °), under certain conditions,
A Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 ° or 16.6 obtained by performing a crystal conversion by performing a washing process and a pulverizing process.
The chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at °, 25.5 ° and 28.3 ° can be safely manufactured by performing washing and pulverization under specific processing conditions during the manufacturing process. ,Moreover,
It was confirmed that the crystals exhibited good electrophotographic properties, and the present invention was completed.
【0009】すなわち、本発明のクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の製造方法は、CuKα特性X線に対する
ブラッグ角度(2θ±0.2°)の27.1°に強い回
折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニンを、精
製水とともに湿式粉砕処理を行い、濾別した後、有機溶
剤を用いて湿式粉砕処理を行うことによりCuKα特性
X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4
°、16.6°、25.5°及び28.3°に強い回折
ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶に結
晶変換することを特徴とする。上記のCuKα特性X線
に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の27.1°
に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニ
ンとしては、1,3−ジイミノイソインドリンと三塩化
ガリウムを有機溶剤中で加熱縮合し、得られた反応生成
物を精製水で洗浄させて得られたものを乾燥させること
なく用いることが好ましい。本発明のクロロガリウムフ
タロシアニン結晶分散液の製造方法は、1,3−ジイミ
ノイソインドリンと三塩化ガリウムを有機溶剤中で加熱
縮合し、得られた反応生成物を精製水により洗浄させて
製造されるCuKα特性X線に対するブラッグ角度(2
θ±0.2°)の27.1°に強い回折ピークを有する
クロロガリウムフタロシアニン結晶を、乾燥させること
なく精製水とともに湿式粉砕処理を行い、濾別した後、
有機溶剤を用いて湿式粉砕処理して得られたスラリー
に、合成樹脂の有機溶剤溶液を混合して分散させること
を特徴とする。That is, according to the method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal of the present invention, chlorogallium phthalocyanine having a strong diffraction peak at a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 27.1 ° with respect to CuKα characteristic X-rays is converted into purified water. And wet filtration using an organic solvent, thereby obtaining a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 with respect to CuKα characteristic X-rays.
It is characterized in that it is converted into chlorogallium phthalocyanine crystals having strong diffraction peaks at °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °. 27.1 ° of the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to the above-mentioned CuKα characteristic X-ray
Chlorogallium phthalocyanine having a strong diffraction peak is obtained by heating 1,3-diiminoisoindoline and gallium trichloride in an organic solvent and condensing the obtained reaction product with purified water. Is preferably used without drying. The method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal dispersion of the present invention is produced by heating and condensing 1,3-diiminoisoindoline and gallium trichloride in an organic solvent, and washing the obtained reaction product with purified water. Angle to the CuKα characteristic X-ray (2
The chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 27.1 ° (θ ± 0.2 °) is subjected to a wet grinding treatment together with purified water without drying, followed by filtration.
An organic solvent solution of a synthetic resin is mixed and dispersed in a slurry obtained by wet grinding using an organic solvent.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明は、CuKα特性X線に対す
るブラッグ角度(2θ±0.2°)の27.1°に強い
回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶
を原料として、CuKα特性X線に対するブラッグ角度
(2θ±0.2°)の7.4°、16.6°、25.5
°及び28.3°に強い回折ピークを有するクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を製造する方法及び得られた結
晶を含む分散液を製造する方法である。Embodiments of the present invention will be described below in detail. The present invention uses, as a raw material, a chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 27.1 ° of the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to CuKα characteristic X-rays, and the Bragg angle (2θ ± 0. 2 °) 7.4 °, 16.6 °, 25.5
A method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 0 ° and 28.3 °, and a method for producing a dispersion containing the obtained crystal.
【0011】本発明において、上記の原料とするCuK
α特性X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の
27.1°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフ
タロシアニン結晶としては、1,3−ジイミノイソイン
ドリンを三塩化ガリウムと有機溶剤中で加熱縮合させて
得られるものを使用することが好ましい。特に、この反
応生成物溶液を、濾別し、次いで有機溶剤及び精製水で
順次洗浄して得られる湿ケーキ状のクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶を使用することが好ましい。原料クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の製造及び洗浄に使用する
有機溶剤としては、α−クロロナフタレン、β−クロロ
ナフタレン、メトキシナフタレン、ジフェニルエタン、
エチレングリコール、ジアルキルエーテル、キノリン、
スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジクロロベンゼ
ン、ジクロロトルエン等の反応不活性な高沸点の溶媒が
望ましい。また、上記の加熱縮合温度は、130〜22
0℃の範囲であり、好ましくは140〜180℃の範囲
が選択される。[0011] In the present invention, the above-mentioned raw material CuK
As the chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 27.1 ° of the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to the α characteristic X-ray, 1,3-diiminoisoindoline is prepared by adding gallium trichloride and an organic solvent to each other. It is preferable to use one obtained by heat condensation. In particular, it is preferable to use wet cake-like chlorogallium phthalocyanine crystals obtained by filtering the reaction product solution, and then successively washing with an organic solvent and purified water. Organic solvents used for the production and washing of the raw material chlorogallium phthalocyanine crystal include α-chloronaphthalene, β-chloronaphthalene, methoxynaphthalene, diphenylethane,
Ethylene glycol, dialkyl ether, quinoline,
A reaction-inactive high-boiling point solvent such as sulfolane, dimethyl sulfoxide, dichlorobenzene, dichlorotoluene and the like is desirable. Further, the above heat condensation temperature is 130 to 22.
It is in the range of 0 ° C, preferably in the range of 140 to 180 ° C.
【0012】まず、本発明においては、上記した原料ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を、精製水で洗浄した
後、乾燥させることなく精製水とともに湿式粉砕処理を
行う。この精製水を用いる湿式粉砕において、クロロガ
リウムフタロシアニン結晶と精製水との使用割合は、ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶1部に対し、精製水
0.1〜100部、好ましくは1〜10部が選択され
る。湿式粉砕に使用される装置としては、振動ミル、自
動乳鉢、サンドミル、ダイノーミル、スエコミル、コボ
ールミル、アトライター、遊星ボールミル、ボールミ
ル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機等が挙げられ
る。また、湿式粉砕に使用する溶剤としては、ベンジル
アルコール、イソプロピルアルコール、n−ブタノー
ル、グリセリン、シクロヘキサノン、トルエン、テトラ
ヒドロフラン、水、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジメ
チルスルホキシド等が挙げられる。洗浄及び湿式粉砕に
おける精製水としては、純粋、蒸留水、イオン交換水等
の伝導度10.0μS/cm以下、好ましくは1.0μ
S/cm以下のものが使用できる。First, in the present invention, the above-mentioned raw material chlorogallium phthalocyanine crystal is washed with purified water, and then subjected to wet pulverization together with purified water without drying. In the wet grinding using the purified water, the use ratio of the chlorogallium phthalocyanine crystal and the purified water is such that 0.1 to 100 parts, preferably 1 to 10 parts, of the purified water is selected with respect to 1 part of the chlorogallium phthalocyanine crystal. . Examples of the apparatus used for wet pulverization include a vibration mill, an automatic mortar, a sand mill, a dyno mill, a Sueco mill, a Koball mill, an attritor, a planetary ball mill, a ball mill, a high-pressure homogenizer, and an ultrasonic disperser. Examples of the solvent used for wet pulverization include benzyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butanol, glycerin, cyclohexanone, toluene, tetrahydrofuran, water, ethyl acetate, n-butyl acetate, dimethyl sulfoxide and the like. As purified water in washing and wet grinding, conductivity of pure, distilled water, ion-exchanged water or the like is 10.0 μS / cm or less, preferably 1.0 μS / cm.
S / cm or less can be used.
【0013】次に、上記の精製水を用いる湿式粉砕処理
を行った後、得られた粉砕処理溶液を濾別し、続いて、
有機溶剤を用いる湿式粉砕処理を行うことにより、結晶
性が良好であり、粒径の整ったCuKα特性X線に対す
るブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、16.
6°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニン結晶を得ることがで
きる。この湿式粉砕に使用される有機溶媒としては、酢
酸n−ブチル、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
有機溶剤を用いる湿式粉砕には、クロロガリウムフタロ
シアニン結晶と有機溶剤の使用割合は特に制限されない
が、両者の接触効率からすると1:5〜1:100の範
囲が好ましい。また、湿式粉砕に使用される装置として
は、上記粉砕装置を用いるか、または、攪拌槽内で攪拌
混合する方法が好ましい。Next, after performing the above-mentioned wet pulverization treatment using purified water, the obtained pulverization treatment solution is separated by filtration.
By performing wet pulverization using an organic solvent, the crystallinity is good, and the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) for CuKα characteristic X-rays having uniform particle diameters of 7.4 ° and 16.
A chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 6 °, 25.5 ° and 28.3 ° can be obtained. Examples of the organic solvent used for this wet pulverization include n-butyl acetate, dimethyl sulfoxide and the like.
In wet grinding using an organic solvent, the use ratio of the chlorogallium phthalocyanine crystal and the organic solvent is not particularly limited, but a contact ratio of 1: 5 to 1: 100 is preferable from the viewpoint of the contact efficiency between the two. Further, as a device used for wet pulverization, a method in which the above-described pulverizing device is used or a method of stirring and mixing in a stirring tank is preferable.
【0014】本発明は、上述のように、原料クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を精製水とともに湿式粉砕処理
し、濾別した後、次いで有機溶剤とともに湿式粉砕処理
することによって、結晶型が変換されて、CuKα特性
X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4
°、16.6°、25.5°及び28.3°に強い回折
ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶が得
られる。According to the present invention, as described above, the raw material chlorogallium phthalocyanine crystal is wet-pulverized with purified water, separated by filtration, and then wet-pulverized with an organic solvent, whereby the crystal form is converted to CuKα. 7.4 of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to characteristic X-ray
A chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° is obtained.
【0015】本発明においては、上記のクロロガリウム
フタロシアニン結晶を製造する際に、有機溶剤を用いて
湿式粉砕処理を行った後、乾燥させることなく、得られ
たスラリーに、合成樹脂の有機溶剤溶液を混合して分散
させることにより、CuKα特性X線に対するブラッグ
角度(2θ±0.2°)の7.4°、16.6°、2
5.5°及び28.3°に強い回折ピークを有するクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶の分散液が得られる。使
用される合成樹脂としては、電子写真感光体の電荷発生
層に使用される結着樹脂として周知のもの、例えば、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリビ
ニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、酢酸ビ
ニル重合体、またはそれらの共重合体、セルロースエス
テル、セルロースエーテル、ポリブタジエン、ポリウレ
タン、エポキシ樹脂等が挙げられる。In the present invention, when the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine crystal is produced, it is subjected to a wet pulverization treatment using an organic solvent, and then, without drying, the slurry obtained is mixed with an organic solvent solution of a synthetic resin. Are mixed and dispersed to obtain a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 °, 16.6 °, 2 ° with respect to the CuKα characteristic X-ray.
A dispersion of chlorogallium phthalocyanine crystals having strong diffraction peaks at 5.5 ° and 28.3 ° is obtained. As the synthetic resin used, those well-known as a binder resin used in the charge generation layer of the electrophotographic photoreceptor, for example, polycarbonate, polystyrene, polyester, polyvinyl butyral, methacrylate polymer, vinyl acetate polymer, Or, a copolymer thereof, a cellulose ester, a cellulose ether, a polybutadiene, a polyurethane, an epoxy resin, and the like can be given.
【0016】また、この結着樹脂の溶解に用いる溶剤と
しては、メタノール、エタノール、n−ブタノール、ベ
ンジルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロ
ロホルム、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベン
ゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
の有機溶剤またはこれらの混合溶剤を挙げることができ
る。Solvents used for dissolving the binder resin include methanol, ethanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, and n-butyl acetate. , Dioxane, tetrahydrofuran, methylene chloride, chloroform, benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dimethylformamide, dimethylacetamide and the like, or a mixed solvent thereof.
【0017】本発明の製造方法において、湿式粉砕処理
に用いる有機溶剤は、結着樹脂の有機溶剤溶液に用いる
有機溶剤と同一のものとすると、感光体を作製する場
合、その層形成工程をより簡略化できることから好まし
い。In the production method of the present invention, when the organic solvent used for the wet pulverization treatment is the same as the organic solvent used for the organic solvent solution of the binder resin, when forming the photoreceptor, the layer forming step is more simplified. This is preferable because it can be simplified.
【0018】次に、本発明の製造方法により得られるク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を、電子写真感光体の
感光層における光導電物質として使用する場合について
説明する。本発明において、クロロガリウムフタロシア
ニン結晶は、電子写真感光体の感光層が、単層構造のも
の、または電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のもの等の何如なるものにも適用することがで
きる。導電性支持体としては、従来から使用されている
ものであれば、何如なるものを用いてもよい。また、導
電性支持体の表面は、必要に応じて、画質に影響を及ぼ
さない範囲で各種の処理、例えば、表面の陽極酸化処
理、液体ホーニング等による粗面化処理、薬品処理、着
色処理等を行うことができる。Next, the case where the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained by the production method of the present invention is used as a photoconductive substance in a photosensitive layer of an electrophotographic photosensitive member will be described. In the present invention, the chlorogallium phthalocyanine crystal may be any one such as a photosensitive layer of an electrophotographic photosensitive member having a single-layer structure or a laminated structure having a function separated into a charge generation layer and a charge transport layer. Can be applied. Any conductive support may be used as long as it is conventionally used. In addition, the surface of the conductive support may be subjected to various kinds of treatments, if necessary, within a range that does not affect the image quality, such as surface anodic oxidation treatment, surface roughening treatment by liquid honing, chemical treatment, coloring treatment, and the like. It can be performed.
【0019】積層型感光体の場合には、導電性支持体上
に、少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とを積層した感
光層が設けられるが、その積層の順序はいずれが支持体
側にあってもよい。電荷発生層は、上記方法で得られた
クロロガリウムフタロシアニン結晶と適当な結着樹脂溶
液とから構成される。また、電荷発生材料としては、ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶のほかに、他の公知の
電荷発生材料を併用してもよい。さらに、結着樹脂とし
ては、公知のものを適宜使用することができる。電荷発
生材料と結着樹脂の配合比は、40:1〜1:4、好ま
しくは20:1〜1:2である。電荷発生材料の比率が
高すぎる場合には、塗布溶液の安定性が低下し、また、
低すぎる場合には、感度が低下するため、上記の範囲に
設定するのが好ましい。In the case of a laminated photoreceptor, a photosensitive layer having at least a charge generation layer and a charge transport layer laminated on a conductive support is provided. Is also good. The charge generation layer is composed of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained by the above method and a suitable binder resin solution. As the charge generation material, other known charge generation materials may be used in addition to the chlorogallium phthalocyanine crystal. Further, as the binder resin, a known resin can be appropriately used. The compounding ratio of the charge generation material to the binder resin is from 40: 1 to 1: 4, preferably from 20: 1 to 1: 2. If the ratio of the charge generation material is too high, the stability of the coating solution is reduced, and
If the temperature is too low, the sensitivity is lowered. Therefore, it is preferable to set the temperature in the above range.
【0020】電荷発生材料の分散に使用される溶剤とし
ては、結着樹脂を溶解するものの中から適宜選択するこ
とができる。その分散手段としては、サンドミル、コロ
イドミル、アトライター、ボールミル、ダイノーミル、
高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コボールミル、ロ
ールミル等の装置が利用できる。塗布方法としては、ブ
レードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、
スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビード
コーティング法、カーテンコーティング法等の方法を用
いることができる。電荷発生層の膜厚は、0.01〜5
μm、好ましくは0.03〜2μm程度である。また、
本発明の製造方法により得られるクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の分散液を用いて電荷発生層を形成する場
合にも、同様の条件が採用される。The solvent used for dispersing the charge generating material can be appropriately selected from those which dissolve the binder resin. The dispersing means include a sand mill, a colloid mill, an attritor, a ball mill, a dyno mill,
Devices such as a high-pressure homogenizer, an ultrasonic disperser, a coball mill, and a roll mill can be used. Application methods include blade coating, wire bar coating,
Spray coating, dip coating, bead coating, curtain coating, and other methods can be used. The thickness of the charge generation layer is 0.01 to 5
μm, preferably about 0.03 to 2 μm. Also,
The same conditions are employed when forming a charge generation layer using a dispersion of chlorogallium phthalocyanine crystals obtained by the production method of the present invention.
【0021】電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂と
から構成されるもので、電荷輸送材料は公知のものが適
宜使用できる。この結着樹脂に用いるものとしては、例
えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレ
ン、ポリエステル、スチレン−アクリロニトリル共重合
体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エステル、スチレ
ン−メタクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン等
があげられる。電荷輸送材料と結着樹脂の配合比(重
量)は、5:1〜1:5の範囲、好ましくは3:1〜
1:3の範囲である。電荷輸送材料の比率が高すぎる場
合には、電荷輸送層の機械的強度が低下し、一方、低す
ぎる場合には、感度が低下するから、上記の範囲に設定
することが好ましい。また、電荷輸送材料が成膜性を有
する場合には、上記結着樹脂を用いなくてもよい。The charge transport layer is composed of a charge transport material and a binder resin, and known charge transport materials can be used as appropriate. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, polystyrene, polyester, styrene-acrylonitrile copolymer, polysulfone, polymethacrylate, styrene-methacrylate copolymer, and polyolefin. The compounding ratio (weight) of the charge transport material and the binder resin is in the range of 5: 1 to 1: 5, preferably 3: 1 to 1: 1.
The range is 1: 3. If the ratio of the charge transporting material is too high, the mechanical strength of the charge transporting layer decreases, while if it is too low, the sensitivity decreases, so that it is preferable to set the ratio in the above range. When the charge transporting material has a film-forming property, the binder resin may not be used.
【0022】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂とを適当な溶剤に溶解し、塗布することによって形成
されるが、これらの塗布方法としては、電荷発生層につ
いて述べたと同様の方法を用いることができる。電荷輸
送層の膜厚は、5〜50μmの範囲、好ましくは10〜
40μmの範囲になるように形成させることが好まし
い。The charge transport layer is formed by dissolving the charge transport material and the binder resin in an appropriate solvent and applying the solution. The coating method is the same as that described for the charge generation layer. Can be used. The thickness of the charge transport layer is in the range of 5 to 50 μm, preferably 10 to 50 μm.
It is preferable to form it so as to have a range of 40 μm.
【0023】電子写真感光体の感光層が単層構造の場合
には、感光層はクロロガリウムフタロシアニン結晶及び
電荷輸送材料が結着樹脂に分散された光導電層より形成
される。この場合、電荷輸送材料としては、公知のもの
が適宜使用することができ、また、結着樹脂としては、
上記したものと同様のものを使用することができるか
ら、感光層は、上記したいずれかの方法によって形成す
ることができる。この際、電荷輸送材料と結着樹脂との
配合(重量)比は、1:20〜5:1の範囲に設定する
ことが好ましく、また、クロロガリウムフタロシアニン
と電荷輸送材料との配合(重量)比は、1:10〜1
0:1の範囲に設定するのが好ましい。When the photosensitive layer of the electrophotographic photosensitive member has a single-layer structure, the photosensitive layer is formed of a chlorogallium phthalocyanine crystal and a photoconductive layer in which a charge transport material is dispersed in a binder resin. In this case, as the charge transporting material, known materials can be appropriately used, and as the binder resin,
Since the same material as described above can be used, the photosensitive layer can be formed by any of the methods described above. At this time, the blending (weight) ratio of the charge transporting material to the binder resin is preferably set in a range of 1:20 to 5: 1, and the blending (weight) of chlorogallium phthalocyanine and the charge transporting material is preferably set. The ratio is 1: 10-1
It is preferable to set the range of 0: 1.
【0024】また、電子写真感光体には、必要に応じ
て、感光層と支持体との間に下引き層を設けてもよい。
下引き層は、支持体からの不必要な電荷の注入を阻止す
るために有効なものであり、感光体の帯電性を向上させ
る作用を有し、また、感光層と導電性支持体との接着性
をも向上させる作用を有している。さらに、耐刷性等を
向上させるために、感光層の上に保護層を設けてもよ
い。The electrophotographic photosensitive member may be provided with an undercoat layer between the photosensitive layer and the support, if necessary.
The undercoat layer is effective for preventing unnecessary charge injection from the support, has an effect of improving the chargeability of the photoreceptor, and has a function of contacting the photosensitive layer with the conductive support. It also has the function of improving the adhesiveness. Further, a protective layer may be provided on the photosensitive layer in order to improve printing durability and the like.
【0025】[0025]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、実施例等において、「部」は「重量部」を意
味する。 合成例1(原料クロロガリウムフタロシアニン結晶の合
成) 1,3−ジイミノイソインドリン30部及び三塩化ガリ
ウム9.1部を、ジメチルスルホキシド230部中に入
れて、160℃において4時間反応させた後、生成物を
濾別し、これをジメチルスルホキシド、続いてイオン交
換水で洗浄することにより、湿ケーキ状のクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶30部(固形分濃度90%)を得
た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末
X線回折図を、図1に示す。この結晶は、CuKα特性
X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の27.
1°に強い回折ピークを有するものであった。The present invention will be described below in detail with reference to examples. In Examples, “parts” means “parts by weight”. Synthesis Example 1 (Synthesis of raw material chlorogallium phthalocyanine crystal) 30 parts of 1,3-diiminoisoindoline and 9.1 parts of gallium trichloride were put in 230 parts of dimethyl sulfoxide, and reacted at 160 ° C. for 4 hours. The product was separated by filtration and washed with dimethyl sulfoxide and then with ion-exchanged water to obtain 30 parts of a chlorogallium phthalocyanine crystal in a wet cake form (solid content: 90%). FIG. 1 shows a powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal. This crystal has a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 27 with respect to CuKα characteristic X-rays.
It had a strong diffraction peak at 1 °.
【0026】実施例1 合成例で得られた湿ケーキ状のクロロガリウムフタロシ
アニン2部及びイオン交換水8部を、10mmφのメノ
ウ製ビーズ25個とともにメノウ製ポット(容積80m
l)に入れた。これを遊星型ボールミル(FRITSC
H、Pulaerisette製)に装着し、100時
間湿式粉砕を行い、濾別した後、ジメチルスルホキシド
600部を用いて洗浄した。得られた湿ケーキ8部にジ
メチルスルホキシド17部を混合し、スラリー(固形分
濃度8%)を得た。このスラリー25部を5mmφのガ
ラスビーズ100部とともに、室温において24時間ボ
ールミリング処理した後、濾別し、イオン交換水600
部で洗浄した。得られた湿ケーキを乾燥させることによ
り、クロロガリウムフタロシアニン結晶1.6部を得
た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末
X線回折図を、図2に示す。この結晶は、CuKα特性
X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4
°、16.6°、25.5°及び28.3°に強い回折
ピークを有するものであった。この製造方法では、粉砕
工程中にクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉体が飛
散して作業者やその衣服に付着することはなく、安全に
結晶変換を行うことができた。Example 1 2 parts of the wet cake-like chlorogallium phthalocyanine and 8 parts of ion-exchanged water obtained in the synthesis example were put together with 25 agate beads of 10 mmφ in an agate pot (capacity: 80 m).
l). This is a planetary ball mill (FRITSC)
H, manufactured by Puraerisette), wet pulverized for 100 hours, filtered, and washed with 600 parts of dimethyl sulfoxide. 17 parts of dimethyl sulfoxide was mixed with 8 parts of the obtained wet cake to obtain a slurry (solid content concentration: 8%). After 25 parts of the slurry was ball-milled at room temperature for 24 hours together with 100 parts of 5 mmφ glass beads, the slurry was separated by filtration and ion-exchanged water 600 parts.
Washed in part. By drying the obtained wet cake, 1.6 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. FIG. 2 shows an X-ray powder diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal. This crystal has a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 with respect to CuKα characteristic X-rays.
°, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° had strong diffraction peaks. In this production method, the chlorogallium phthalocyanine crystal powder was not scattered during the pulverization process and did not adhere to the worker or his clothes, and the crystal conversion could be performed safely.
【0027】実施例2 合成例で得られた湿ケーキ状のクロロガリウムフタロシ
アニン2部及びイオン交換水8部を、10mmφのメノ
ウ製ビーズ25個とともにメノウ製ポット(容積80m
l)に入れた。これを遊星型ボールミル(FRITSC
H、Pulaerisette製)に装着し、100時
間湿式粉砕を行い、濾別した後、酢酸n−ブチル600
部を用いて洗浄した。得られた湿ケーキ8部に酢酸n−
ブチル17部を混合し、スラリー(固形分濃度8%)を
得た。このスラリー25部を5mmφのガラスビーズ1
00部とともに室温において24時間ボールミリング処
理した後、濾別して、湿ケーキ(固形分濃度40%)を
得た。得られた湿ケーキ2.5部を、予めポリビニルブ
チラール(商品名:エスレックBM−S、積水化学工業
社製)1部を酢酸n−ブチル49部に溶解した溶液と混
合した後、5時間サンドミルで分散させ、これを酢酸n
−ブチルで希釈し、固形分濃度3.0重量%の電荷発生
層用塗布液を調整した。なお、分散後の上記クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図は、図2と同
一のスペクトルを示した。また、クロロガリウムフタロ
シアニン結晶の作製及び分散工程中に、クロロガリウム
フタロシアニン結晶の粉体が飛散して衣服や人体に付着
することはなく、安全にクロロガリウムフタロシアニン
結晶の電荷発生層用塗布液を得ることができた。Example 2 2 parts of the wet cake-like chlorogallium phthalocyanine and 8 parts of ion-exchanged water obtained in the synthesis example were put together with 25 agate beads of 10 mmφ in an agate pot (capacity: 80 m).
l). This is a planetary ball mill (FRITSC)
H, manufactured by Puraerisette), and wet-pulverized for 100 hours, filtered and then n-butyl acetate 600
Washed using 8 parts of acetic acid n-
17 parts of butyl were mixed to obtain a slurry (solid content concentration: 8%). 25 parts of this slurry was mixed with 5 mmφ glass beads 1
After ball milling at room temperature for 24 hours together with 00 parts, the mixture was separated by filtration to obtain a wet cake (solid content concentration: 40%). 2.5 parts of the obtained wet cake was previously mixed with a solution prepared by dissolving 1 part of polyvinyl butyral (trade name: Eslec BM-S, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) in 49 parts of n-butyl acetate, and then sand-milled for 5 hours. And disperse this in n-acetic acid.
The solution was diluted with -butyl to prepare a charge generation layer coating solution having a solid content of 3.0% by weight. Note that the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal after dispersion showed the same spectrum as in FIG. Also, during the process of preparing and dispersing the chlorogallium phthalocyanine crystal, the powder of the chlorogallium phthalocyanine crystal does not scatter and adhere to clothes or the human body, and a coating liquid for the charge generation layer of the chlorogallium phthalocyanine crystal is obtained safely. I was able to.
【0028】比較例 合成例で得られた湿ケーキ状クロロガリウムフタロシア
ニン結晶2部を乾燥した後、10mmφのメノウ製ビー
ズ25個とともにメノウ製ポット(容積80ml)に入
れた。これを遊星型ボールミル(FRITSCH、Pu
laerisette製)に装着し、60時間乾式粉砕
してクロロガリウムフタロシアニン結晶1.8部を得
た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末
X線回折図を、図3に示す。Comparative Example 2 parts of the wet cake-like chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in the synthesis example were dried, and then placed in an agate pot (capacity: 80 ml) together with 25 agate beads of 10 mmφ. This is a planetary ball mill (FRITSCH, Pu
laelisette) and dry-pulverized for 60 hours to obtain 1.8 parts of chlorogallium phthalocyanine crystal. FIG. 3 shows a powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal.
【0029】得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶1部とジメチルスルホキシド12部を5mmφのガラ
スビーズ100部とともに室温において24時間ボール
ミリング処理を行った。次いで、湿式粉砕した後、イオ
ン交換水で洗浄し、湿ケーキを乾燥することによりクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶0.9部を得た。得られ
たクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図
は、図2と同一のスペクトルを示した。また、この製造
方法では、その工程中、特に、乾式粉砕後のクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶のポットからの取出し及びボー
ルミル容器への投入の際に、クロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉体が飛散して周囲が汚染されたほか、作業
者及びその衣服に付着していることが確認された。One part of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal and 12 parts of dimethyl sulfoxide were subjected to ball milling together with 100 parts of 5 mmφ glass beads at room temperature for 24 hours. Next, after wet pulverization, it was washed with ion-exchanged water and the wet cake was dried to obtain 0.9 part of chlorogallium phthalocyanine crystal. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal showed the same spectrum as in FIG. In addition, in this production method, during the process, particularly when the chlorogallium phthalocyanine crystal after dry milling is taken out of the pot and put into the ball mill container, the powder of the chlorogallium phthalocyanine crystal is scattered and the surroundings are contaminated. In addition, it was confirmed that it adhered to workers and their clothes.
【0030】作製例1 まず、ポリビニルブチラール(商品名:エスレックBM
−1、積水化学工業社製)8部をn−ブチルアルコール
152部に添加して攪拌溶解し、5重量%のポリビニル
ブチラール溶液を調整した。次に、トリブトキシジルコ
ニウム・アセチルアセトネートの50%トルエン溶液
(商品名:ZC540、松本交商社製)100部、γ−
アミノプロピルエトキシシラン(商品名:A1100、
日本ユニカー社製)10部及びn−ブチルアルコール1
30部を混合した溶液を、上記ポリビニルブチラール溶
液中に加えてスターラーで攪拌し、下引き層形成用塗布
液を調整した。この塗布液を40×319mmのアルミ
ニウムパイプ上に浸漬塗布し、150℃において10分
間加熱乾燥し、厚さ1.0μmの下引き層を形成した。
また、予め上記したポリビニルブチラール(商品名:エ
スレックBM−S、積水化学工業社製)1部を酢酸n−
ブチル49部に溶解した溶液に、実施例1で得たクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶1部を加えて5時間サンド
ミルにより分散し、その後、酢酸n−ブチルで希釈し、
固形分濃度3.0重量%の電荷発生層形成用塗布液を調
整した。この塗布液を上記の下引き層の上にリング塗布
機によって塗布し、100℃において10分間加熱乾燥
し、厚さ0.20μmの電荷発生層を形成した。なお、
分散後の上記クロロガリウムフタロシアニン結晶は、そ
の粉末X線回折図により分散前の結晶型と同じであるこ
とを確認した。次に、電荷発生層の上に、電荷輸送層を
形成した。すなわち、N,N′−ビス−(p−トリル)
−N,N′−ビス−(p−エチルフェニル)−3,3′
−ジメチルベンジジン4部を電荷輸送材料とし、ポリカ
ーボネートZ樹脂6部とともに、モノクロロベンゼン4
0部に溶解させ、得られた溶液を上記の電荷発生層の上
に浸漬塗布装置によって塗布し、115℃において60
分間加熱乾燥し、厚さ18μmの電荷輸送層を形成させ
ることにより、電子写真感光体を作製した。Production Example 1 First, polyvinyl butyral (trade name: Eslec BM)
(1. Sekisui Chemical Co., Ltd.) (8 parts) was added to n-butyl alcohol (152 parts) with stirring and dissolved to prepare a 5% by weight polyvinyl butyral solution. Next, 100 parts of a 50% toluene solution of tributoxy zirconium acetylacetonate (trade name: ZC540, manufactured by Matsumoto Kosho Co., Ltd.), γ-
Aminopropylethoxysilane (trade name: A1100,
10 parts by Nippon Unicar) and n-butyl alcohol 1
A solution obtained by mixing 30 parts was added to the polyvinyl butyral solution, and the mixture was stirred with a stirrer to prepare a coating liquid for forming an undercoat layer. This coating solution was applied onto a 40 × 319 mm aluminum pipe by dip coating, and dried by heating at 150 ° C. for 10 minutes to form an undercoat layer having a thickness of 1.0 μm.
In addition, 1 part of the above-mentioned polyvinyl butyral (trade name: Esrec BM-S, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.)
To a solution dissolved in 49 parts of butyl, 1 part of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 1 was added, dispersed by a sand mill for 5 hours, and then diluted with n-butyl acetate.
A coating solution for forming a charge generation layer having a solid content of 3.0% by weight was prepared. This coating solution was applied on the undercoat layer by a ring coater, and dried by heating at 100 ° C. for 10 minutes to form a charge generation layer having a thickness of 0.20 μm. In addition,
The chlorogallium phthalocyanine crystal after dispersion was confirmed to be the same as the crystal form before dispersion by its powder X-ray diffraction pattern. Next, a charge transport layer was formed on the charge generation layer. That is, N, N'-bis- (p-tolyl)
-N, N'-bis- (p-ethylphenyl) -3,3 '
4 parts of dimethylbenzidine as a charge transport material, together with 6 parts of polycarbonate Z resin,
0 parts, and the obtained solution is applied on the above-mentioned charge generating layer by a dip coating apparatus.
After heating and drying for a minute to form a charge transport layer having a thickness of 18 μm, an electrophotographic photosensitive member was produced.
【0031】作製例2 電荷発生層形成用塗布液として、実施例2で得られた塗
布液を使用したこと以外は、作製例1とすべて同様にし
て電子写真感光体を作製した。 作製例3 作製例1において、電荷発生材料として使用する実施例
1で得たクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、
比較例で得たクロロガリウムフタロシアニン結晶を用い
たこと以外は、作製例1とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。Preparation Example 2 An electrophotographic photosensitive member was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that the coating liquid obtained in Example 2 was used as a coating liquid for forming a charge generation layer. Production Example 3 In Production Example 1, instead of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 1 used as a charge generation material,
An electrophotographic photosensitive member was produced in the same manner as in Production Example 1, except that the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example was used.
【0032】上記作製例1〜3で得られた電子写真感光
体の電子写真特性を評価するために、レーザープリンタ
ー(XP−11:富士ゼロックス社製)を用いて、以下
の測定を行った。この操作は、20℃、50%RHの環
境下において、グリッド印加電圧−600Vのスコロト
ロン帯電器で帯電し(A)、780nmの半導体レーザ
ーを用いて、1秒後に7.0mJ/m2 の光を照射して
放電を行い(B)、さらに、3秒後に50mJ/m2 の
赤色LED光を照射して除電を行う(C)というプロセ
スによって、各部の電位を測定した。この場合、電子写
真感光体としては、(A)の電位VH は、高いほど感光
体の受容電位が高いために、コントラストを高くするこ
とが可能であり、(B)の電位VL は、低いほど高感度
であり、また、(C)VRPの電位は、低いほど残留電位
が少なく、画像メモリーやカブリが少ない感光体である
と評価することができる。また、10,000回の繰り
返し帯電・露光後の各部の電位の測定も行った。これら
の結果を表1に示す。In order to evaluate the electrophotographic characteristics of the electrophotographic photoreceptors obtained in Preparation Examples 1 to 3, the following measurements were performed using a laser printer (XP-11, manufactured by Fuji Xerox Co., Ltd.). This operation is performed under the environment of 20 ° C. and 50% RH by charging with a scorotron charger with a grid application voltage of −600 V (A), and using a 780 nm semiconductor laser, after 1 second, emitting 7.0 mJ / m 2 of light. To discharge electricity (B), and after 3 seconds, irradiate red LED light of 50 mJ / m 2 to remove electricity (C), and the potential of each part was measured. In this case, as for the electrophotographic photoreceptor, the higher the potential VH of (A), the higher the potential of the photoreceptor, the higher the contrast. Therefore, the lower the potential VL of (B), the lower the potential VH of (B). The photoreceptor has high sensitivity, and the lower the potential of (C) VRP, the lower the residual potential, and it can be evaluated that the photoreceptor has less image memory and less fog. In addition, the potential of each part after 10,000 times of repeated charging and exposure was also measured. Table 1 shows the results.
【0033】[0033]
【表1】 表中、◎は粉体の飛散なしであり、○は粉体の飛散殆ど
なしであり、×は人体、服に粉体が付着するである。[Table 1] In the table, ◎ indicates that the powder was not scattered, ○ indicates that the powder was almost not scattered, and X indicates that the powder was attached to the human body and clothes.
【0034】表1に見られるように、実施例1で得たク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を感光層に用いる作製
例1の電子写真感光体及び実施例2で得たクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の分散液を感光層に用いる作製例
2の電子写真感光体は、共に良好な帯電性及び光感度を
有するとともに、残留電位が低いものであり、繰り返し
特性にも優れている。また、この結晶及びその分散液を
用いて電子写真感光体を作製する際には、粉体の飛散が
なく安定であった。As shown in Table 1, the electrophotographic photoreceptor of Preparation Example 1 using the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 1 for the photosensitive layer and the dispersion of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 2 were exposed to light. The electrophotographic photoreceptor of Production Example 2 used for the layer has good charging properties and photosensitivity, low residual potential, and excellent repetition characteristics. Further, when an electrophotographic photoreceptor was produced using the crystal and its dispersion, the powder was not scattered and was stable.
【0035】[0035]
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶の製造工程中において、その結
晶中の不純物の飛散を防止し、取扱い作業時の安全を保
持して容易にクロロガリウムフタロシアニン結晶を製造
できる。また、本発明の製造方法により得られるクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶は、優れた電子写真特性を
有しており、この結晶を感光層に含有させた電子写真感
光体は、高い光感度を有するとともに、良好な帯電性及
び低い残留電位を持つものであり、サイクル安定性の良
好な電子写真特性を示すという優れたものである。According to the production method of the present invention, it is possible to prevent scattering of impurities in the chlorogallium phthalocyanine crystal during the production process of the chlorogallium phthalocyanine crystal, and to easily maintain the safety during the handling operation and easily maintain the chlorogallium phthalocyanine crystal. Can be manufactured. Further, the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained by the production method of the present invention has excellent electrophotographic properties, and the electrophotographic photoreceptor containing this crystal in the photosensitive layer has high photosensitivity and good It has excellent chargeability and low residual potential, and exhibits excellent electrophotographic properties with good cycle stability.
【図1】 合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図を示す。FIG. 1 shows a powder X-ray diffraction diagram of a chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in a synthesis example.
【図2】 実施例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。FIG. 2 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 1.
【図3】 比較例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図を示す。FIG. 3 shows a powder X-ray diffraction diagram of a chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in a comparative example.
Claims (3)
(2θ±0.2°)の27.1°に強い回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンを、精製水とともに
湿式粉砕処理を行い、濾別した後、有機溶剤を用いて湿
式粉砕処理を行うことによりCuKα特性X線に対する
ブラッグ角度(2θ±0.2°)の7.4°、16.6
°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを有す
るクロロガリウムフタロシアニン結晶に結晶変換させる
ことを特徴とするクロロガリウムフタロシアニン結晶の
製造方法。1. A chlorogallium phthalocyanine having a strong diffraction peak at a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 27.1 ° with respect to CuKα characteristic X-rays is subjected to a wet pulverization treatment together with purified water, followed by filtration. By performing wet grinding using an organic solvent, a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of 7.4 ° and 16.6 with respect to CuKα characteristic X-rays is obtained.
A method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal, which comprises converting a chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at °, 25.5 ° and 28.3 °.
(2θ±0.2°)の27.1°に強い回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンとして、1,3−ジ
イミノイソインドリンと三塩化ガリウムを有機溶剤中で
加熱縮合し、得られた反応生成物を精製水で洗浄して得
られたものを乾燥させることなく用いることを特徴とす
る請求項1に記載のクロロガリウムフタロシアニン結晶
の製造方法。2. As chlorogallium phthalocyanine having a strong diffraction peak at 27.1 ° of Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to CuKα characteristic X-ray, 1,3-diiminoisoindoline and gallium trichloride are used as organic substances. The method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal according to claim 1, wherein the reaction product obtained by heat condensation in a solvent is washed with purified water, and the obtained product is used without drying.
化ガリウムを有機溶剤中で加熱縮合し、得られた反応生
成物を精製水により洗浄させて製造されるCuKα特性
X線に対するブラッグ角度(2θ±0.2°)の27.
1°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を、乾燥させることなく精製水とともに湿式
粉砕処理を行い、濾別した後、有機溶剤を用いて湿式粉
砕処理して得られたスラリーに、合成樹脂の有機溶剤溶
液を混合して分散させることを特徴とするクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶分散液の製造方法。3. A Bragg angle for CuKα characteristic X-rays produced by condensing 1,3-diiminoisoindoline and gallium trichloride by heating in an organic solvent, and washing the obtained reaction product with purified water. 2θ ± 0.2 °) 27.
A chlorogallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 1 ° is subjected to wet grinding with purified water without drying, filtered, and then subjected to wet grinding with an organic solvent to obtain a slurry. A method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal dispersion, comprising mixing and dispersing an organic solvent solution of
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17445896A JPH1017784A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Chlorogallium phthalocyanine crystal and production of dispersion liquid of the crystal |
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|---|---|---|---|
| JP17445896A JPH1017784A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Chlorogallium phthalocyanine crystal and production of dispersion liquid of the crystal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1017784A true JPH1017784A (en) | 1998-01-20 |
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| JP17445896A Pending JPH1017784A (en) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | Chlorogallium phthalocyanine crystal and production of dispersion liquid of the crystal |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH1017784A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6447967B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine crystal, production process therefor, and electrophotographic photosensitive member, process cartridge and apparatus using the crystal |
| US6492080B1 (en) * | 2001-03-23 | 2002-12-10 | Xerox Corporation | Process for tuning photoreceptor sensitivity |
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1996
- 1996-07-04 JP JP17445896A patent/JPH1017784A/en active Pending
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