JPH10178512A

JPH10178512A - 密着型イメージセンサ

Info

Publication number: JPH10178512A
Application number: JP8337828A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Onishi; 弘朗大西
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1998-06-30
Anticipated expiration: 2016-12-18
Also published as: JP3696707B2

Abstract

(57)【要約】【課題】凹凸のある被読取面の画像を正確に読み取る
ことができる密着型イメージセンサを提供する。【解決手段】読取時に被読取面１１に表面が当接する
カバーガラス２と、カバーガラス２を支持するケース１
と、カバーガラス２を介して被読取面１１を照射する発
光ダイオードチップ７と、被読取面１１で反射してカバ
ーガラス２を通過した反射光を受光するＭＯＳ型イメー
ジセンサチップ６とを有する密着型イメージセンサであ
って、カバーガラス２の表面における被読取面１１から
の反射光の入射位置付近、すなわちカバーガラス２の突
出部２ａが、その周辺部よりも被読取面１１側に突出し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、原稿などの被読
取面に密着させることにより、被読取面の画像を読み取
って電気信号に変換する、密着型イメージセンサに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ファクシミリ装置などにおいて
も、原稿を読み取るためのイメージセンサ部分を取り外
して、ハンディタイプのイメージセンサとして使用する
ことにより、書籍などの画像を読み取ることができるよ
うに工夫された製品が市場に登場しており、ハンディタ
イプとして使用可能なイメージセンサの需要は増大する
ものと考えられる。

【０００３】しかも、従来のハンディタイプの複写装置
とは異なり、ファクシミリ装置の場合、Ａ４サイズある
いはＢ４サイズなどの大きな原稿を読み取る必要がある
ので、イメージセンサの長さが長くなり、全体的に大型
化してしまうが、これはハンディタイプとしては不都合
であり、長さ以外の要素を極力小型化することが強く要
望されている。

【０００４】イメージセンサとしては、一般にＣＣＤが
用いられる縮小結像方式のものと、一般にホトトランジ
スタなどが用いられる密着方式のものとがあるが、縮小
結像方式では光路長が長くなって大型化するので、ハン
ディタイプのイメージセンサとしては好ましくない。す
なわち、ハンディタイプのイメージセンサとしては、小
型化が可能な密着型イメージセンサが好ましい。

【０００５】従来の密着型イメージセンサは、一般に図
２３に示すような構成であった。すなわち、ケース８１
により、カバーガラス８２、ロッドレンズ８３、第１の
基板８４、および第２の基板８５が支持されている。第
１の基板８４の上面には、ＭＯＳ型イメージセンサチッ
プ８６が搭載されており、第２の基板８５の上面には、
発光ダイオードチップ８７が搭載されている。発光ダイ
オードチップ８１の発光面から放射された光は、カバー
ガラス８２の上面に接触している原稿などの被読取面で
反射し、その反射光がロッドレンズ８３によりＭＯＳ型
イメージセンサチップ８６の受光面に結像されることに
より、ＭＯＳ型イメージセンサチップ８６から被読取面
の画像に応じた電気信号が出力される。すなわち、被読
取面がカバーガラス８２の上面に接触するので、カバー
ガラス８２の上面に線状に形成される、被読取面からの
反射光の入射位置８８における画像をＭＯＳ型イメージ
センサチップ８６の受光面に結像させるように、ロッド
レンズ８３の配置位置が調整されている。

【０００６】このような従来の密着型イメージセンサで
は、プラテンローラにより原稿を強固に保持して原稿の
被読取面を読み取る方式の場合、特に問題は無いが、密
着型イメージセンサを手で持って被読取面に押し付け、
被読取面上を移動させる、いわゆるハンディタイプとし
て使用する場合、被読取面が凹状の曲面であったり、あ
るいは微小な凹凸があったりすれば、焦点ずれが発生
し、鮮明な再生画像を得ることができないという問題が
あった。

【０００７】すなわち、図２４に示すように、密着型イ
メージセンサ９１のカバーガラス８２を被読取面９２に
接触させながら矢印方向に移動させるものとすると、密
着型イメージセンサ９１の入射位置８８を含む平面が非
常に広いため、被読取面９２に密着型イメージセンサ９
１の長さ方向と平行な複数の凹凸が存在する場合、それ
らの凹凸により、密着型イメージセンサ９１が被読取面
９２の複数の凸部の突出端に乗ってしまい、入射位置８
８と凹部の底との間に隙間Ｌができる。この隙間Ｌの長
さがロッドレンズ８３の焦点深度を越えると、ＭＯＳ型
イメージセンサチップ８６の受光面に被読取面９２の画
像が正しく結像されなくなり、正確な読み取りができな
くなるのである。

【０００８】一般的な密着型イメージセンサの場合、焦
点深度は０．６ｍｍ程度であるから、被読取面に高低差
０．６ｍｍ程度を越える複数の凹凸があれば焦点ずれを
発生することになる。

【０００９】なお、縮小結像方式のイメージセンサの場
合、焦点深度が２ｍｍ程度と比較的大きいので、被読取
面の凹凸に対しては好都合であるが、既述のように小型
化が困難であるのでハンディタイプのイメージセンサと
しては好ましくない。

【００１０】

【発明の開示】本願発明は、上記した事情のもとで考え
出されたものであって、凹凸のある被読取面の画像を正
確に読み取ることができる密着型イメージセンサを提供
することを、その課題とする。

【００１１】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【００１２】本願発明の第１の側面によれば、読取時に
被読取面を照射する発光手段と、被読取面で反射した反
射光を受光する受光手段とを有する密着型イメージセン
サであって、被読取面からの反射光の入射位置付近に、
被読取面側に突出する突出部を設けたことを特徴とす
る、密着型イメージセンサが提供される。

【００１３】このようにすれば、被読取面に密着型イメ
ージセンサの長さ方向と平行な複数の凹凸があったとし
ても、読取時に突出部が被読取面の凹部に入り込むの
で、焦点ずれを良好に回避でき、被読取面の画像を正確
に読み取ることができることから、鮮明な再生画像を得
られる。

【００１４】すなわち、入射位置付近に突出部を設けた
場合、被読取面の凹凸の有無に係わらず、突出部の突出
端が被読取面に接触するので、被読取面の読取位置と受
光手段の受光面との距離が常にほぼ一定ということにな
り、焦点ずれを生じることがないのである。

【００１５】本願発明の第２の側面によれば、読取時に
被読取面に表面が当接する透明体と、透明体を支持する
ケースと、透明体を介して被読取面を照射する発光手段
と、被読取面で反射して透明体を通過した反射光を受光
する受光手段とを有する密着型イメージセンサであっ
て、透明体の表面における被読取面からの反射光の入射
位置付近が、その周辺部よりも被読取面側に突出してい
ることを特徴とする、密着型イメージセンサが提供され
る。

【００１６】このようにすれば、被読取面に凹凸があっ
たとしても、読取時に透明体の入射位置付近が被読取面
の凹部に入り込むので、凹部の底と入射位置との間に隙
間が生じることによる焦点ずれを良好に回避できる。こ
の結果、被読取面の画像を正確に読み取ることができ、
鮮明な再生画像を得られる。

【００１７】好ましい実施の形態によれば、透明体はほ
ぼ平板状であり、その表面の一部に透明な帯状の突出部
を設け、この突出部の表面に入射位置を設定する。

【００１８】このようにすれば、透明体の幅を突出部の
幅よりも大きくでき、透明体の幅が小さくなり過ぎるこ
とがないので、組み立て時における透明体の取扱が容易
である。

【００１９】好ましい他の実施の形態によれば、突出部
の表面は、幅方向の少なくとも一部が曲面状に突出して
おり、その突出端に入射位置を設定する。

【００２０】このようにすれば、読取時に入射位置を被
読取面の凹部の底にさらに接近させることができるの
で、焦点ずれを一層良好に防止できる。

【００２１】好ましい他の実施の形態によれば、透明体
は帯状であり、その表面がケースの表面よりも突出する
ように、ケースに透明体を取り付け、透明体の表面に入
射位置を設定する。

【００２２】このようにすれば、透明体の表面の一部に
突出部を形成する必要がなく、透明体の製造が容易であ
る。

【００２３】好ましい他の実施の形態によれば、透明体
の表面は、幅方向の少なくとも一部が曲面状に突出して
おり、その突出端に入射位置を設定する。

【００２４】このようにすれば、読取時に入射位置を被
読取面の凹部の底にさらに接近させることができるの
で、焦点ずれを一層良好に防止できる。

【００２５】好ましい他の実施の形態によれば、透明体
は、ケースの上面に取り付けられており、ケースの上面
は、透明体の幅方向両側のうちの少なくとも一方が、透
明体から遠ざかるにしたがってケースの下面に近づくよ
うに傾斜している。

【００２６】このようにすれば、読取時にケースの上面
が邪魔にならず、透明体を凹部の底まで挿入することが
できるので、焦点ずれを一層良好に防止できる。

【００２７】好ましい他の実施の形態によれば、ケース
の表面は断面ほぼ矩形であり、その矩形の４つの角部の
うちの１つに透明体が配置されている。

【００２８】このようにすれば、透明体をケースの上面
から突出させたり、ケースの上面を傾斜させたりするこ
となく、そのようにした場合と同様の効果が得られる。

【００２９】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。

【００３１】図１は、本願発明に係る密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図であって、断面矩形のケース１内
の空間には、透明体の一例としてのカバーガラス２、ロ
ッドレンズ３、第１の基板４、および第２の基板５が設
置されている。第１の基板４には、受光手段の一例とし
ての複数のＭＯＳ型イメージセンサチップ６が搭載され
ている。第２の基板５には、発光手段の一例としての複
数の発光ダイオードチップ７が搭載されている。カバー
ガラス２の上面には、突出部２ａが一体に突設されてお
り、この突出部２ａを除いて、カバーガラス２の上面は
ケース１の上面とほぼ面一である。

【００３２】ケース１は、たとえば樹脂製であり、カバ
ーガラス２、ロッドレンズ３、第１の基板４、および第
２の基板５を保持している。カバーガラス２は、ガラス
からなり、ケミカルエッチングあるいは研削などによ
り、帯状でかつ下広がり状の突出部２ａが形成されてい
る。突出部２ａは、カバーガラス２の長さ方向全長ある
いはほぼ全長にわたって形成されており、その突出端は
カバーガラス２の上面と平行な平面状である。突出部２
ａの幅方向両側面は、平面状であるが、外向きに突出し
た曲面状であってもよい。読取時には、突出部２ａの突
出端が、被読取面１１に接触する。ロッドレンズ３は、
たとえばセルフォックレンズアレイからなり、被読取面
１１からの反射光をＭＯＳ型イメージセンサチップ６の
受光面に結像させる。第１の基板４は、ＭＯＳ型イメー
ジセンサチップ６を支持するとともに、ＭＯＳ型イメー
ジセンサチップ６に対する電源や各種信号の入出力のた
めの配線パターンを備えている。第２の基板５は、発光
ダイオードチップ７を支持するとともに、発光ダイオー
ドチップ７に電源を供給するための配線パターンを備え
ている。各ＭＯＳ型イメージセンサチップ６は、多数の
受光面を有しており、被読取面１１からの反射光を受光
して、それに応じた電気信号を出力する。複数のＭＯＳ
型イメージセンサチップ６は、それら全部の受光面がほ
ぼ等ピッチになるように、第１の基板４の長さ方向に沿
って一列に配置されている。各発光ダイオードチップ７
は、被読取面１１を照射するための光を放射する。複数
の発光ダイオードチップ７は、第２の基板５の長さ方向
に沿って概ね等ピッチで配列されている。

【００３３】読取時に発光ダイオードチップ７から放射
された光は、カバーガラス２を通過して被読取面１１で
反射し、カバーガラス２を通過してロッドレンズ３に入
射する。この反射光は、ロッドレンズ３によりＭＯＳ型
イメージセンサチップ６の受光面に結像される。これに
よりＭＯＳ型イメージセンサチップ６からは、被読取面
１１の１ライン分の画像に応じた電気信号が出力され
る。したがって、カバーガラス２の突出部２ａを被読取
面１１に接触させた状態で密着型イメージセンサを移動
させることにより、被読取面１１の画像を読み取ること
ができる。

【００３４】すなわち、被読取面１１からの反射光が入
射するライン状の入射位置１２は、カバーガラス２の突
出部２ａの突出端に形成され、この入射位置１２におけ
る画像がＭＯＳ型イメージセンサチップ６の受光面に結
像されるように、ロッドレンズ３の位置が調整されてい
る。

【００３５】この密着型イメージセンサは、被読取面か
らの反射光の光軸と直交し、かつ被読取面からの反射光
の透明体への入射位置を含む仮想平面を想定したとき
に、入射位置付近以外の全ての部分が、仮想平面に対し
て受光手段側に所定距離以上離れて位置しているという
ことができる。具体的には、被読取面１１からの反射光
の光軸１３と直交し、かつ被読取面１１からの反射光の
カバーガラス２への入射位置１２を含む仮想平面を想定
したときに、入射位置１２付近以外の全ての部分が、仮
想平面に対してＭＯＳ型イメージセンサチップ６側に所
定距離以上離れて位置しているということである。ちな
みに、図１においては、仮想平面は被読取面１１に一致
しており、入射位置１２付近とは、突出部２ａに相当す
る。

【００３６】このような密着型イメージセンサを手で持
って、図２に示すように、カバーガラス２の突出部２ａ
の突出端を被読取面１１に接触させながら、矢印方向に
移動させると、被読取面１１に密着型イメージセンサの
長さ方向と平行な複数の凹凸が存在していても、被読取
面１１の凹部１１ａに突出部２ａが入り込む。したがっ
て、被読取面１１の凹部１１ａの底と突出部２ａの突出
端に形成される入射位置１２との間にロッドレンズ３の
焦点深度を越える隙間があくことがなく、焦点ずれを生
じることがない。

【００３７】カバーガラス２の突出部２ａの幅や高さ
は、被読取面１１の凹凸の高低差に応じて適宜決定すれ
ばよいが、一般的には、突出部２ａの幅は５ｍｍ以下に
なるものと考えられる。もちろん、密着型イメージセン
サの長さは、原稿の読取幅に応じて決定される。

【００３８】なお、突出部２ａを一体に形成したカバー
ガラス２の代わりに、図３に示すように、平板状の透明
な樹脂板１５に帯状のガラス１６を嵌め込んだカバーガ
ラス１７を用いてもよい。

【００３９】また、断面台形の突出部２ａを突設したカ
バーガラス２の代わりに、図４に示すように、表面の全
体が曲面状の突出部２１ａを突設したカバーガラス２１
を用いてもよいし、図５に示すように、表面の一部が曲
面状の突出部２２ａを突設したカバーガラス２２を用い
てもよい。突出部２１ａ，２２ａの曲面は、断面が円の
一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入
射位置１２は、突出部２１ａ，２２ａの突出端である曲
面の突出端に設定される。

【００４０】また、突出部２ａを一体に形成したカバー
ガラス２の代わりに、図６に示すように、突出部２ａと
同程度の幅のカバーガラス２５を用い、上面がケース１
の上面から突出するようにカバーガラス２５をケース１
に取り付けてもよい。

【００４１】また、上半部の断面形状が台形のカバーガ
ラス２５の代わりに、図７に示すように、ケース１の上
面から突出する部分の表面の全体が曲面状のカバーガラ
ス２６を用いてもよいし、図８に示すように、ケース１
の上面から突出する部分の表面の一部が曲面状のカバー
ガラス２７を用いてもよい。カバーガラス２６，２７の
曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部
であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス２６，
２７の突出端である曲面の突出端に設定される。

【００４２】また、上面が水平なケース１の代わりに、
図９に示すように、上面の幅方向一端部が斜面３１ａに
なったケース３１を用いてもよい。この斜面３１ａは、
カバーガラス３２から遠ざかるにしたがってケース３１
の下面に近づくように傾斜している。この場合、図９に
示すように、幅方向の断面形状が台形のカバーガラス３
２を用い、カバーガラス３２の幅方向一端側の側面３２
ａとケース３１の斜面３１ａとを面一にしておけば、カ
バーガラス３２の上面を被読取面１１の凹部１１ａにさ
らに深く挿入できるので好ましい。

【００４３】また、幅方向の断面形状が台形のカバーガ
ラス３２の代わりに、図１０に示すように、略上半部の
全体が曲面状のカバーガラス３３を用いてもよいし、図
１１に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス
３４を用いてもよい。カバーガラス３３，３４の曲面
は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であ
ってもよい。入射位置１２は、カバーガラス３３，３４
の曲面の突出端に設定される。

【００４４】また、上面の幅方向一端部が斜面３１ａに
なったケース３１の代わりに、図１２に示すように、カ
バーガラス３２の幅方向両側が斜面３５ａ，３５ｂにな
ったケース３５を用いてもよい。このようにすれば、カ
バーガラス３２の上面を被読取面１１の凹部１１ａに一
層深く挿入できる。この密着型イメージセンサにおいて
は、ＭＯＳ型イメージセンサチップ６と発光ダイオード
チップ７とが共通の基板３９に搭載されており、発光ダ
イオードチップ７からの光は導光板３８により被読取面
に導かれる。

【００４５】また、幅方向の断面形状が台形のカバーガ
ラス３２の代わりに、図１３に示すように、略上半部の
全体が曲面状のカバーガラス３６を用いてもよいし、図
１４に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス
３７を用いてもよい。カバーガラス３６，３７の曲面
は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であ
ってもよい。入射位置１２は、カバーガラス３６，３７
の曲面の突出端に設定される。

【００４６】また、カバーガラス３２の幅方向両側が斜
面３５ａ，３５ｂになったケース３５の代わりに、図１
５に示すように、角部にカバーガラス４１を保持できる
ケース４２を用いてもよい。このケース４２は断面ほぼ
矩形であり、その矩形の４つの角部のうちの１つにカバ
ーガラス４１が配置されている。カバーガラス４１は、
幅方向の断面形状が矩形である。このような密着型イメ
ージセンサにおいても、図１６に示すように、カバーガ
ラス４１の表面を被読取面１１に接触させながら矢印方
向に移動させることにより、カバーガラス４１が被読取
面１１の凹部１１ａに嵌まり込む。

【００４７】また、幅方向の断面形状が矩形のカバーガ
ラス４１の代わりに、図１７に示すように、略上半部の
全体が曲面状のカバーガラス４３を用いてもよいし、図
１８に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス
４４を用いてもよい。カバーガラス４３，４４の曲面
は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であ
ってもよい。入射位置１２は、カバーガラス４３，４４
の曲面の突出端に設定される。

【００４８】また、ロッドレンズ３を下面に対して傾斜
状に支持するケース４２の代わりに、図１９に示すよう
に、ロッドレンズ３を下面に対して垂直に支持するケー
ス５１を用いてもよい。カバーガラス５３は、幅方向の
断面形状がほぼ矩形である。この密着型イメージセンサ
においては、被読取面１１からの反射光の光軸１３がカ
バーガラス５３の裏面で屈曲しているのに対して、被読
取面１１への入射光の光軸５２が、発光ダイオードチッ
プ７から被読取面１１まで一直線である。この密着型イ
メージセンサにおいては、被読取面への入射光の光軸と
直交し、かつ被読取面からの反射光の透明体へのライン
状の入射位置を含む仮想平面を想定したときに、透明体
の表面に形成される入射位置付近以外の全ての部分が、
仮想平面に対して受光手段側に所定距離以上離れて位置
しているということができる。具体的には、被読取面１
１への入射光の光軸５２と直交し、かつ被読取面からの
反射光のカバーガラス４１へのライン状の入射位置１２
を含む仮想平面を想定したときに、カバーガラス５３の
表面に形成される入射位置１２付近以外の全ての部分
が、仮想平面に対してＭＯＳ型イメージセンサチップ６
側に所定距離以上離れて位置しているということであ
る。ちなみに、図１９においては、仮想平面はカバーガ
ラス５３の表面に一致しており、入射位置１２付近と
は、カバーガラス５３に相当する。

【００４９】また、幅方向の断面形状がほぼ矩形のカバ
ーガラス５３の代わりに、図２０に示すように、略上半
部の全体が曲面状のカバーガラス５５を用いてもよい
し、図２１に示すように、上面の一部が曲面状のカバー
ガラス５６を用いてもよい。カバーガラス５５，５６の
曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部
であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス５５，
５６の曲面の突出端に設定される。

【００５０】なお、被読取面への入射光の光軸と被読取
面からの反射光の光軸との双方が透明体の裏面で屈曲す
る場合には、透明体の表面において被読取面への入射光
の光軸と被読取面からの反射光の光軸とがなす角度を２
等分する直線と直交し、かつ被読取面からの反射光の透
明体へのライン状の入射位置を含む仮想平面を想定した
ときに、透明体の表面に形成される入射位置付近以外の
全ての部分が、仮想平面に対して受光手段側に所定距離
以上離れて位置するように構成すればよい。具体的に
は、被読取面への入射光の光軸と被読取面からの反射光
の光軸との双方がカバーガラスの裏面で屈曲する場合に
は、カバーガラスの表面において被読取面への入射光の
光軸と被読取面からの反射光の光軸とがなす角度を２等
分する直線と直交し、かつ被読取面からの反射光のカバ
ーガラスへのライン状の入射位置を含む仮想平面を想定
したときに、カバーガラスの表面に形成される入射位置
付近以外の全ての部分が、仮想平面に対してＭＯＳ型イ
メージセンサチップ側に所定距離以上離れて位置するよ
うに構成するのである。

【００５１】また、カバーガラス２５の上面をケース１
の上面から突出させる代わりに、図２２に示すように、
カバーガラス６１の幅方向両側に位置する突出部６２
ａ，６２ｂを有するカバー６２を用いてもよい。突出部
６２ａ，６２ｂは、カバー６２の長さ方向全長あるいは
ほぼ全長にわたって形成されている。このような密着型
イメージセンサにおいても、突出部６２ａ，６２ｂの突
出端が被読取面１１に接触するので、図６に示す密着型
イメージセンサと同様の効果を得ることができる。

【００５２】なお、カバーガラスの幅方向両側に、それ
ぞれケースの長さ方向適当間隔おきに突出部を突設して
もよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図２】図１に示す密着型イメージセンサの使用状態の
説明図である。

【図３】図１に示す密着型イメージセンサにおけるカバ
ーガラスの変形例の説明図である。

【図４】別の実施形態における密着型イメージセンサの
幅方向の断面図である。

【図５】さらに別の実施形態における密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図である。

【図６】さらに別の実施形態における密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図である。

【図７】さらに別の実施形態における密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図である。

【図８】さらに別の実施形態における密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図である。

【図９】さらに別の実施形態における密着型イメージセ
ンサの幅方向の断面図である。

【図１０】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１１】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１２】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１３】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１４】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１５】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１６】図１５に示す密着型イメージセンサの使用状
態の説明図である。

【図１７】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１８】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図１９】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図２０】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図２１】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図２２】さらに別の実施形態における密着型イメージ
センサの幅方向の断面図である。

【図２３】従来の密着型イメージセンサの幅方向の断面
図である。

【図２４】図２３に示す密着型イメージセンサの使用状
態の説明図である。

【符号の説明】

１ケース２カバーガラス２ａ突出部３ロッドレンズ４第１の基板５第２の基板６ＭＯＳ型イメージセンサチップ７発光ダイオードチップ１１被読取面１１ａ凹部１２入射位置１３光軸１７カバーガラス２１カバーガラス２１ａ突出部２２カバーガラス２２ａ突出部２５カバーガラス２６カバーガラス２７カバーガラス３１ケース３１ａ斜面３２カバーガラス３３カバーガラス３４カバーガラス３５ケース３５ａ斜面３５ｂ斜面３６カバーガラス３７カバーガラス４１カバーガラス４２ケース４３カバーガラス４４カバーガラス５１ケース５２光軸５３カバーガラス５５カバーガラス５６カバーガラス６１カバーガラス６２ケース６２ａ突出部６２ｂ突出部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】読取時に被読取面を照射する発光手段
と、前記被読取面で反射した反射光を受光する受光手段とを
有する密着型イメージセンサであって、前記被読取面からの反射光の入射位置付近に、前記被読
取面側に突出する突出部を設けたことを特徴とする、密
着型イメージセンサ。
【請求項２】読取時に被読取面に表面が当接する透明
体と、前記透明体を支持するケースと、前記透明体を介して前記被読取面を照射する発光手段
と、前記被読取面で反射して前記透明体を通過した反射光を
受光する受光手段とを有する密着型イメージセンサであ
って、前記透明体の表面における前記被読取面からの反射光の
入射位置付近が、その周辺部よりも前記被読取面側に突
出していることを特徴とする、密着型イメージセンサ。
【請求項３】前記透明体はほぼ平板状であり、その表
面の一部に透明な帯状の突出部を設け、この突出部の表
面に前記入射位置を設定した、請求項２に記載の密着型
イメージセンサ。
【請求項４】前記突出部の表面は、幅方向の少なくと
も一部が曲面状に突出しており、その突出端に前記入射
位置を設定した、請求項３に記載の密着型イメージセン
サ。
【請求項５】前記透明体は帯状であり、その表面が前
記ケースの表面よりも突出するように、前記ケースに前
記透明体を取り付け、前記透明体の表面に前記入射位置
を設定した、請求項２に記載の密着型イメージセンサ。
【請求項６】前記透明体の表面は、幅方向の少なくと
も一部が曲面状に突出しており、その突出端に前記入射
位置を設定した、請求項５に記載の密着型イメージセン
サ。
【請求項７】前記透明体は、前記ケースの上面に取り
付けられており、前記ケースの上面は、前記透明体の幅方向両側のうちの
少なくとも一方が、前記透明体から遠ざかるにしたがっ
て前記ケースの下面に近づくように傾斜している、請求
項５または請求項６に記載の密着型イメージセンサ。
【請求項８】前記ケースの表面は断面ほぼ矩形であ
り、その矩形の４つの角部のうちの１つに前記透明体が
配置されている、請求項５または請求項６に記載の密着
型イメージセンサ。