JPH10188341A

JPH10188341A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH10188341A
Application number: JP8338199A
Authority: JP
Inventors: Yuuki Suzuki; 夕起鈴木; Yuko Okamoto; 祐子岡本; Michikazu Horie; 通和堀江; Yutaka Kurose; 裕黒瀬; Shuichi Maeda; 修一前田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1998-07-21
Anticipated expiration: 2016-12-18
Also published as: JP3666152B2

Abstract

(57)【要約】【課題】短波長記録に好適な、高反射率の高容量光記
録媒体を得る。【解決手段】特定の透明基板上に、熱分析で、主減量
開始温度よりも低い温度における減量が実質的になく、
かつ、主減量過程での減量の傾きが２％／℃以上で、そ
の総減量％が３０％以上である有機色素を含有する記録
層、金属反射層、保護層の順に積層した光記録媒体にお
いて、記録層が下記の（１）もしくは（２）の条件を満
たす光記録媒体。（１）示差熱分析での発熱のピークの大きさがー１０μ
Ｖ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下であり、ピーク幅が
２０℃以下であること。（２）示差熱分析での発熱ピークの大きさが１０μＶ／
ｍｇ以上３０μＶ／ｍｇ以下である有機色素からなる記
録層の上に、室温近傍での比電気抵抗値の逆数が０．２
０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩｃｍ以下であり、再
生光±５ｎｍでの屈折率が０．１以上、０．２以下で、
消衰係数が３以上、５以下である金属反射層を有するこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
レーザー光により記録できる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度記録のため、レーザー光の
発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎ
ｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒
体が求められている。かかる状況においては、さまざま
な記録媒体があるが、その中で、有機色素系光記録媒体
は安価でプロセス上容易であるという特長を有する。こ
のような短波長用途の有機色素媒体の色素としては、シ
アニン等が提案されており、特開平６−３３６０８６号
公報、特開平７−１６１０６８号公報、特開平７−２６
２６０４号公報、特開平７−１２５４４１号公報、特開
平７−２６６７０５号公報等がある。記録部では、７８
０ｎｍでのＣＤ−Ｒと同様に、色素の熱分解による光学
定数と膜厚の減少と基板の軟化による変形等が生じてい
ると考えられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、記録時に、色素の分解のみか、基板の変形の両方
により記録変調度を得ているが、記録部の変形が大き
く、溝上記録の場合には隣接の溝間部に及ぶ大きなビッ
トが形成されるため、クロストークが問題となる。これ
を解決すべく本発明者らは、特願平７ー２１３５０１号
等において、減量が急峻で大きい色素を主成分あるいは
添加することにより、記録部分の光学的変化領域を十分
小さくし、かつ、記録変調度が十分大きく、反射率が高
く大きな記録信号強度を得ること、及び、そのような要
件を満たす色素の骨格について提案した。しかし、より
トラックピッチを狭くし、溝幅を狭くして片面約５ギガ
バイト以上の高容量化を目的とする場合にはクロストー
クが十分小さくならない場合が生じることがあった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、高密度記
録を実現するために良好なクロストークの小さい微小記
録部を形成し、かつ、高い変調度、高い反射率を可能と
する媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達した。すな
わち本発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、熱重
量分析で、主減量開始温度よりも低い温度における減量
が実質的になく、かつ、主減量開始温度での減量の傾き
が２％／℃以上で、その総減量％が３０％以上である有
機色素を含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積
層した５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下で記録再生する
光記録媒体が下記の（１）もしくは（２）の条件を満た
すことである。

【０００５】（１）示差熱分析での発熱のピークの大き
さがー１０μＶ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下であ
り、ピーク幅が２０℃以下であること。（２）示唆熱分析での発熱のピークの大きさが１０μＶ
／ｍｇ以上３０μＶ／ｍｇ以下である有機色素から成る
記録層の上に、室温近傍での比電気抵抗値の逆数が０．
２０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩｃｍ以下であり、
再生光波長±５ｎｍでの屈折率が０．１以上、０．２以
下で、消衰係数が３以上、５以下である金属反射層を有
すること。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し膜厚が減少し、
光学特性が変化することにより戻り光の位相が変化し、
反射率が変化したところを記録部とするものである。

【０００７】本発明において、透明基板としては、厚さ
０．６±０．０３ｍｍで、ポリカーボネート、ポリメタ
クリレート、非晶質ポリオレフィン等の樹脂やガラス等
の公知のが用いられ、サーボ用の案内溝を有している。
その溝は、深さは、通常１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以
下、好ましくは、１４０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下で、
溝幅は、通常０．２μｍ以上、０．４μｍ以下、トラッ
クピッチは、通常０．７μｍ以上、１μｍ以下であり、
溝形状はＵ字溝が好ましい。溝の深さは、１００ｎｍ未
満の場合には、記録時に十分な変化がおきず、十分な記
録変調度が得られない場合がある。２００ｎｍを越える
と、溝部と溝間部の反射率差が大きすぎるため、溝上記
録の場合には反射率が低くなりすぎるので良くない。溝
幅は、０．２μｍ未満では十分なトラッキングエラー信
号振幅を得ることが困難となる恐れがある上に、基板の
溝転写率が低くなるため好ましくない。また、０．４μ
ｍを越える溝幅の場合には、記録した時に記録部が横に
広がりやすくなるので好ましくない。さらに、溝幅は狭
いほど高い記録変調度を得るには有利である。しかし、
前述のように、クロストークが大きくなる傾向がある。
本発明では０．２〜０．３μｍの狭い溝幅の溝上で記録
する場合に特に効果的である。トラックピッチは、高容
量化の用途には、０．７μｍ以上、１μｍ以下が好まし
い。なお、溝形状は、１μｍ以上のピッチの場合には、
Ｈｅ−Ｃｄレーザーによる光学測定により求め、それよ
りもトラックピッチが狭い場合には、ＳＴＭやＡＦＭで
プロファイルを測定して求める。なお本件に関しては、
ＳＴＭとＡＦＭで求めた。

【０００８】記録層は、通常、有機色素等をエタノー
ル、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶か
した溶液をスピンコートして得られる。この溶媒として
は、沸点が１００℃以上、１５０℃である溶媒で炭素数
が３以上のフッ素系アルコール、すなわち、１Ｈ，１
Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロパノール、１Ｈ，１Ｈ，
５Ｈ−オクタフルオロペンタノール、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ
−ヘキサフルオロブタノール等が好ましく用いられる。
沸点が１００℃未満の場合には、スピンコート時に溶媒
が速く気化するため、ディスクの半径４０ｍｍより外周
側に塗布液がゆきつかず、半径方向の膜厚分布が極めて
大きくなり、良好な特性が得られないことがあるので好
ましくない。また、沸点が１５０℃を越える場合には、
蒸発に時間がかかる上に、膜中に溶媒が残留しやすく、
この様な場合には、良好な記録ジッターが得られないこ
とが多いので好ましくない。膜厚は溝間部で５０ｎｍ以
上、１００ｎｍ以下程度が好ましく、溝部で９０ｎｍ以
上、１８０ｎｍ以下が好ましい。溝間部、溝部の記録層
膜厚がこの範囲よりも薄い場合には膜厚が薄すぎて十分
な記録変調度が得られない恐れがある。また、この範囲
を越えると、膜厚が厚すぎて記録部がトラック方向、ラ
ンド方向に広がりやすく、ジッターやクロストークが大
きくなる恐れがある。実際には溝部膜厚と溝間部の膜厚
を正確に知ることは困難であり、一般的には溝間部の膜
厚で代用されることが多いが（例えば特開平４ー１０９
４４１号公報、特開平４ー１８２９４４号公報等）、溝
部の膜厚と溝間部の膜厚比は、塗布溶媒、スピンコート
回転数、風速、温度、溶液濃度、溶液粘度等の成膜の条
件と、溝深さ、溝幅などにより変わるため、溝部と溝間
部の平均膜厚や、溝間部の膜厚と塗布膜の溝深さのみで
溝部膜厚を知ることは困難である。それに対し、塗布膜
の溝深さと基板の溝深さの比と溝間部の膜厚、そして基
板の溝深さがわかれば、溝部の膜厚が得られるわけであ
る。この塗布膜の溝深さは基板の溝深さの５０％以上、
８０％以下であることが好ましい。この範囲未満では溝
部膜厚が厚すぎるため反射率が低くなり、トッラキング
エラー信号も十分とれない恐れがある。また、８０％を
越えると溝部膜厚が薄すぎて十分な記録変調度が得られ
ない恐れがある。なお、この基板の溝深さと塗布膜の溝
深さの比はそれぞれをＡＦＭ（あるいはＳＴＭ）で同じ
測定条件で測定して得た深さから求められる。また、溝
間部の膜厚は鏡面基板上に成膜し、塗布開始部分を反射
層成膜後に３次元表面粗さ計で測定し、溝間部の膜厚を
求めることが出来る。本発明における膜厚（溝部）の範
囲は、図１に示すように、反射率の１つ目の山の領域を
カバーするものであり、例えば、特開平４ー１０９４４
１号公報のｎ_abs・ｄ／λ（ｄを記録層の膜厚）であらわ
すと、図１のごとくになる。この記録層の溝部膜厚の範
囲は、従来、ＣＤ−Ｒにおいて溝間部の膜厚で代表され
る”膜厚”に相当する範囲であり、本発明はＣＤ−Ｒよ
りも一山浅い範囲であり、これが５００ｎｍ以上、７０
０ｎｍ以下であるが記録再生用高反射率高容量記録媒体
の満たすべき好ましい条件である。なお、図１（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は、波長６４０ｎｍでの屈折率ｎが２.
４、消衰係数ｋが０.０５とｎ＝２.３、ｋ＝０.０５、
ｎ＝２.６、ｋ＝０.０８の場合について波長６４０ｎｍ
でのディスク反射率（金属反射層をｎ＝０.１６６、ｋ
＝３.１５、膜厚１００ｎｍとした）の計算を示す。ま
た、図２には、反射率が６０％以上となるｎ_abs・ｄ／λ
(ｄを記録層膜厚）と消衰係数ｋの範囲を示した。これ
らの反射率は、溝の形状を含めない反射率なので、実際
の溝上での反射率はこの値の８割程度とみなせる。な
お、このような光学特性を満たす色素の単層膜は、その
再生波長に最も近接する短波長側の吸収極大、あるい
は、吸収の肩を、再生波長よりも４０ｎｍ〜６０ｎｍ短
波長側に有する。

【０００９】光学記録に用いられる有機色素としては、
フタロシアニン系色素、シアニン色素、含金属アゾ系色
素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン等が
提案されているが、記録層を構成する有機色素の熱的特
性は記録特性に大きく影響する。短波長用途として充分
な特性を得るためには、熱重量分析における、主減量過
程での減量が、温度に対してシャープであることが必要
である。なぜならば、主減量過程の反応により、有機色
素膜は分解し、膜厚の減少と光学定数の変化をおこす。
その結果、光学的な意味でのビット（記録部）が形成さ
れる。この時、色素の再生光波長での屈折率が２.２以
上、２.８以下、好ましくは２.４以上、２.８以下、消
衰係数ｋが０.０３以上、０.０９以下、好ましくは、
０.０３以上、０.０６以下の範囲のものであると、ディ
スクの反射率が大いため、記録前後の反射率コントラス
トの大きいものが得られるため好ましい。また、多くの
場合、記録ビットの下の基板が記録時の色素層の熱吸収
による昇温で変形し、図３のごとくに溝幅が広がる。本
発明ではその変形の大きさ(記録部の溝幅）が未記録部
の溝幅の１.０〜１.５、すなわち、Ｗ₁／Ｗ₀＝１以上、
１.５以下である。１.５を越える場合にはトラックピッ
チを０.８μｍ以下まで狭くするとクロストークが大き
くなりジッターを劣化させるので好ましくない。また、
記録層である色素層が光を吸収してビットが形成される
ので、主減量が温度に対して緩慢である場合、すなわ
ち、広い温度範囲にわたって減量が起こる場合には、記
録層の光学変化と膜厚の変化が広い領域にわたって形成
されることになる。高密度対応のビット長記録の場合に
はビット同志が重なりあうためジッター、ビットの分解
能が悪くなり、極めて不利である。それ故、温度に対し
て、急峻な減量を起こす色素が求められるのである。本
発明においては、減量の過程が２段階になっている色素
を用いた場合、すなはち、主減量開始温度よりも低い温
度領域で減量がある色素を用いた場合も、同様な理由で
不利である。本発明では、主減量過程での減量の傾きが
２％／℃以上であり、その過程での総減量％が３０％以
上、好ましくは、減量の傾きは１０％／℃以上であり、
総減量％は３５％以上である。減量の傾きが上記範囲未
満では、十分小さく、ランド方向に広がらない細い記録
部が形成できなくなり、ジッター、ビットの分解能が悪
くなり、高密度対応の短ビット長記録が困難である。ま
た、総減量％が３０％未満の場合には記録前後の十分な
反射率コントラストが得られず、記録変調度が小さいた
めに十分な短ビット特性が得られない。さらに、狭いト
ラックピッチでのクロストークが十分小さい記録媒体を
得るためには、色素の主減量過程での発熱ピークの大き
さが−１０μＶ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下、好ま
しくは−５μＶ／ｍｇ以上、５μＶ／ｍｇ以下である。
この範囲を越える場合には、溝幅を０.３μｍ以下に狭
めた場合のクロストークが５０％を越えてしまい、良好
なジッター特性が得られない。この範囲未満の場合、吸
熱性が大きすぎて記録感度が悪くなる。さらに、この発
熱、吸熱のピーク幅が２０℃以下であることが好まし
い。この範囲を越えると、エッジが急峻な良好な記録マ
ークが形成されにくい。また、色素の主減量開始温度は
１５０℃以上、３４０℃以下、好ましくは、１５０℃以
上、２００℃以下である。

【００１０】本発明において、減量の傾きは、以下の如
くして求める。（図３を参照。）質量Ｍ₀の有機色素を
窒素中で１０℃／分で昇温する。昇温に従って、質量は
当初微量ずつ減少し、ほぼ直線ａ−ｂの減量線を描き、
ついで急激に減量し始め、１５％以上の減量をほぼ直線
ｄ₁ −ｄ₂ に沿って減量する。これが主減量過程であ
り、主減量開始温度は、Ｔ₁ のことである。その後、ほ
ぼ直線ｃ−ｃで示される減量過程におちつく。直線ｄ₁
−ｄ₂ と直線ｃ−ｃとの交点における温度をＴ₂ 、重量
をｍ₂ とし、初期重量をｍ₁ とすれば、ここでいう減量
の傾きとは、

【００１１】

【数１】（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）／（Ｔ₂ −Ｔ₁ ）（℃）で示される値で、総重量に対する減量％（総減量％）
は、

【００１２】

【数２】（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）で示される値である。なお、図４に示されるような場合
には、主減量過程の減量の傾きは

【００１３】

【数３】（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）／（Ｔ₂ −Ｔ₁ ）（℃）とし、総重量に対する減量％（総減量％）は、

【００１４】

【数４】（ｍ₁ −ｍ₃ ）（％）で示される値とする。

【００１５】また、本発明における発熱量は以下のよう
にして求める。上記減量曲線とともに、図５のような示
差熱曲線（ＤＴＡ曲線）が得られる。なお、サンプルの
リファレンスはサンプルの入っていないアルミ容器であ
り、流量２００ｍＬ／分の窒素中で毎分１０℃の昇温速
度で加熱する。ここで、本測定で用いるアルミ容器は直
径５ｍｍφ、高さ２．５ｍｍの容器であり、サンプルは
その容器に粉末状態で入れる。サンプル量はアルミ容器
の高さの８０％を越えない量を目安とする。データサン
プリング間隔は１秒毎とした。

【００１６】図に示すように、ＴＧ曲線の急峻な減量に
対応する時間の近傍に、ＤＴＡでは発熱あるいは、吸熱
のピークが生じる。発熱（吸熱）のピーク値は図中のＣ
Ｈをさし、本件ではリファレンスとサンプルのアルミ容
器の底のまん中で測定した白金ロジウム熱電対（白金：
ロジウム＝８７：１３）の起電圧差を温度差の表示と
し、そのピーク値を測定サンプルの重さで割った値を求
めた。なお、ピークが２つに分かれている場合には大き
い方の値をとった。ピーク幅は図中Ｂ’とＤ’の時間差
（分）に昇温速度の１０℃をかけて”ピーク幅（℃）”
を求めた。以上の条件を満たす色素としては

【００１７】

【化２】

【００１８】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜６の
直鎖または分岐アルキル基、または炭素数３〜６の環状
アルキル基を表し、Ｒ²、Ｒ³は炭素数１〜６の直鎖また
は分岐のアルキル基、またはメトキシエチル基、エトキ
シエチル基を表す。Ｙ¹はヒドロキシル基、カルボキシ
ル基を表し、Ｙ²は炭素数１〜６の直鎖または分岐のハ
ロゲン原子で置換されていても良いアルキル基、ＸとＺ
はシアノ基、カルボン酸誘導体基などの電子吸引基を表
す。Ｍ²⁺はニッケル、コバルト、銅等の２価のイオンを
表す。）が特に好ましい。例えば、

【００１９】

【化３】

【００２０】

【化４】

【００２１】

【化５】

【００２２】

【化６】

【００２３】等が挙げられる。しかしながら、有機色素
は、発熱量が１０μＶ／ｍｇ以下の色素で記録層として
良好な特性を示す色素ばかりではない。従って、発熱量
が１０μＶ／ｍｇを超え、３０μＶ／ｍｇ以下の有機色
素の場合には、その色素層の上の金属反射層を、室温近
傍での比電気抵抗値の逆数が０．２０／μΩｃｍ以上、
０．３０／μΩｃｍ以下であるものとすることにより得
られる”記録層の記録時の熱の急冷効果”を利用する。
すなはち、ウィーデマンーフランツ則により示されるよ
うに、電気伝導度と熱伝導度との間には比例関係がある
ため、薄膜の熱伝導度の大小を電気伝導度から推測でき
る。本件では、スライドガラス上に約１００ｎｍの金属
膜をスパッタしたものを四端子法で表面抵抗Ｒを測定
し、比電気抵抗の逆数（電気伝導度）＝（π／ｌｎ２）
・Ｒ・ｔ（ここで、ｔは膜厚）より比電気抵抗の逆
数、すなわち、電気伝導度を決定した。本件の範囲は金
よりも熱伝導度の大きいものであり、それは、比電気抵
抗値の逆数が０．２０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩ
ｃｍ以下である。さらに、金属反射層として、ディスク
の反射率を充分高いものとする必要があるため、再生光
波長±５ｎｍでの屈折率、消衰係数がそれぞれ、０．１
以上、０．２以下、３以上、５以下である。具体的には
銀とその合金が挙げられる。この組み合わせにより、急
冷現象がおきて記録ビットが隣接トラックの方向に広が
るのを抑制でき、その結果、クロストークを低減でき
る。尚、本件では、比電気抵抗値の逆数は、金と銀とで
それぞれ、０．１５／μΩｃｍと０．２７／μΩｃｍで
あった。

【００２４】金属反射層は、記録層を透過したレーザー
光を効率良く反射する金属膜であり、５００ｎｍ以上、
７００ｎｍ以下で反射率が低下しないために、記録再生
波長±５ｎｍの波長領域の光の屈折率が０．１以上、
０．２以下、消衰係数ｋが３以上、５以下であるものが
好ましい。好ましい金属反射膜として、特に銀を主成分
とした金属反射膜が好ましい。なぜならば、銀は金属で
もとくに熱伝導度が大きいため、記録層の記録時の昇温
を急激に冷却する効果があり、そのために基板の変形が
溝間部に大きく広がることを抑制し、クロストークが小
さくなる。また銀は、金、アルミ合金などに比べると反
射率が大きいため、短ビット記録をした時により大きな
信号振幅が得られ、これを反射層とした場合には短ビッ
ト特性が良好となる。対候性の向上のために、また、熱
伝導度の微調整のために、銀に、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ｓ
ｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｍｏの添加元素を３原子％以下の
範囲で加えることが好ましい。。金属反射層の膜厚は、
好ましくは８０ｎｍ以上で、記録層の変形を抑制しすぎ
たり、記録感度を悪化させすぎない程度の膜厚が好まし
い。

【００２５】本発明の光学記録媒体においては、反射層
の上に保護層を積層し、記録部の金属反射層の穴の発生
を防止したり、変形の非対称性を抑制する効果を有して
いる。保護層としては紫外線硬化接続が好ましい。ま
た、通常は、１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上の膜厚
にして、酸素による硬化抑制等がおこらないようにす
る。さらにその上にホットメルトや紫外線硬化の接着剤
を１０〜２０μｍ設けて２枚の貼り合わせをしてもよ
い。以下本発明を実施例を用いてより詳細に説明する
が、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定さ
れるものではない。

【００２６】

【実施例】

実施例１溝深さ１５０ｎｍ、溝幅（溝の半値幅）０．２５μｍ
（０．８０μｍピッチ）（以上、ＡＦＭでの測定結果）
のＵ字型案内溝を有する厚さ０.６ｍｍのポリカーボネ
ート基板上に下記構造式〔ＩＶ〕

【００２７】

【化７】

【００２８】で示される含金属アゾ色素０．０６ｇをオ
クタフルオロペンタノール（ＯＦＰ）５ｇに溶解し、８
００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のオーブンで１時
間アニール処理し、記録層とした。この色素の減量特性
は図２に示されるタイプであり、主減量過程での減量が
４７.０％で、温度差が７．１℃で、減量の傾きは６．
６％／℃（主減量開始温度は３１３℃）、総減量％は５
９.７％、発熱ピーク値は＋３.４μＶ／ｍｇ、ピーク幅
は１４.７℃であった。熱重量分析、示差熱分析ははセ
イコー電子工業製の示差熱天秤（「ＳＳＣ５２００Ｈ」
シリーズ「ＴＧ−ＤＴＡ−３２０」）を用いて測定し
た。この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎと消衰係数
ｋはそれぞれ２.２と０.０６であり、吸収の肩は５７７
ｎｍであった。

【００２９】この記録層の上に金を１００ｎｍの厚さだ
けスパッタし、その状態で塗布膜の溝深さをＡＦＭで測
定したところ、基板の溝深さの５５％であった。なお、
記録層の溝間部膜厚は８０ｎｍであった（従って、溝部
膜厚は１４０ｎｍ）。この金属層の上にＵＶ硬化樹脂
（大日本インキ製「ＳＤ−３１８」）を約３μｍスピン
コートして紫外線ランプで硬化してディスクを作製し
た。同じ様にして作製したディスクどうしをホットメル
ト方式で接着した。この貼り合わせディスクを６４０ｎ
ｍの半導体レーザー評価機（開口数ＮＡ＝０．６）で、
ＣＤ−Ｒの４倍速対応ＥＦＭ信号（ｎー１）Ｔを線速度
２.７ｍ／ｓで記録したところ、７.４ｍＷでアイの中心
が１１Ｔ波形の中心に位置する良好なアイパターンが得
られた。この記録条件でＩtop＝５０％、Ｉ₁₁/Ｉ_top＝
６８％で、３Ｔジッターは９ｎｓであった。この条件で
記録した溝部に隣接する溝間部（ランド上）で再生した
ところ、信号振幅は溝部での再生振幅の３８％であり、
両側のトラックの記録によるジッターの劣化は１ｎｓと
十分小さなクロストーク特性を示した。このディスクの
貼り合わせ面をはがし、両面テープで反射膜を剥離し、
エタノールで色素を洗い流して記録部下の基板の変形を
ＡＦＭで観察したところ、２０ｎｍ程度の凸部が形成さ
れ、溝幅の変形は未記録部の溝幅の１.１倍と、十分ス
マートな記録マークが形成されていた。

【００３０】実施例２〜５、比較例１〜３以下の実施例、比較例で用いた基板、ＵＶ硬化樹脂層は
すべて実施例１と同様であり、実施例５を除いては反射
層が金１００ｎｍであり（実施例５は、銀１００ｎ
ｍ）、色素は下記構造式のものに変え、記録条件はすべ
ての例で全く同様とした。特性は表−１に示すとおりで
あり、表中でクロストークと示しているのは、両側の溝
上に記録した時の、溝間部での再生信号振幅/溝上再生
信号振幅（％）の値である。いずれも、溝間部の膜厚は
８０ｎｍ〜９０ｎｍであり、塗布膜の溝深さは基板のそ
れの５５％〜６０％で、結局溝部の膜厚は１３０ｎｍ〜
１４０ｎｍであった。なお、いずれも記録は、アイの中
心が１１Ｔ波形の中心に位置するアイパターンが得られ
る記録パワーで行った。なお、ＤＴＡによる発熱量の測
定に用いた試料量は、各図７〜１４のチャート上部に示
す。

【００３１】

【化８】

【００３２】

【化９】

【００３３】

【表１】

【００３４】尚、記録パワーは実施例１〜６でそれぞれ
７．４、６．６、８．６、６．４、６．５、６．５ｍＷ
であり、比較例１〜３でそれぞれ７．２、７．０、７．
２ｍＷであった。比較例４基板の溝幅を０．３５μｍに変えた他は実施例６と同様
にしてディスクを作成した。このディスクを実施例６と
同様に記録したところ、Ｉ₁₁／Ｉ_topは５４％しか得ら
れず、実施例６に比べはるかに小さいものであった。こ
のことから、溝幅が狭いほど大きい記録変調度が得られ
ることがわかる。

【００３５】

【発明の効果】トラックピッチ、溝幅が十分小さくても
クロストークが小さい、良好な短ビットを形成し短波長
記録に好適な、高反射率の高容量光記録媒体を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本件でのｎ_abs・ｄ／λの範囲と反射率を示す計
算結果の説明図。

【図２】反射率６０％以上となる、本件でのｎ_abs・ｄ／
λと消衰係数ｋの範囲を示す説明図。

【図３】記録部と未記録部の基板の溝幅を示す説明図。

【図４】有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、
減量の傾きを求める方法を説明するための示差熱天秤の
チャートの説明図。

【図５】図４と異なる、有機色素の主減量過程、主減量
過程の総減量、減量の傾きを求める方法を説明するため
の示唆熱天秤のチャートの説明図。

【図６】示差熱分析での発熱（吸熱）ピーク値、ピーク
幅を求める方法を説明するための示差熱天秤のチャート
の説明図。

【図７】実施例１の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図８】実施例２の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図９】実施例３の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図１０】実施例４の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図１１】実施例５の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図１２】実施例６及び比較例４の色素の示差熱天秤の
チャート図。

【図１３】比較例１の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図１４】比較例２の色素の示差熱天秤のチャート図。

【図１５】比較例３の色素の示差熱天秤のチャート図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者黒瀬裕神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者前田修一神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社横浜総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トラックピッチが０．７μｍ以上１．０μ
ｍ以下で、深さが１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であ
り、幅（溝深さが半分になるところの溝幅）が０．２〜
０．４μｍの記録再生光案内用の溝が形成された透明基
板上に、少なくとも、熱分析で、主減量開始温度よりも
低い温度における減量が実質的になく、かつ、主減量過
程での減量の傾きが２％／℃以上で、その総減量％が３
０％以上である有機色素を含有する記録層、金属反射
層、保護層の順に積層した光記録媒体において、記録層
が下記の（１）もしくは（２）の条件を満たすことを特
徴とする、波長５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下で記録
再生する光記録媒体。（１）示差熱分析での発熱のピークの大きさがー１０μ
Ｖ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下であり、ピーク幅が
２０℃以下であること。（２）示差熱分析での発熱ピークの大きさが１０μＶ／
ｍｇ以上３０μＶ／ｍｇ以下である有機色素からなる記
録層の上に、室温近傍での比電気抵抗値の逆数が０．２
０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩｃｍ以下であり、再
生光±５ｎｍでの屈折率が０．１以上、０．２以下で、
消衰係数が３以上、５以下である金属反射層を有するこ
と。
【請求項２】記録を溝上で行い、記録部下の基板の溝幅
（Ｗ₁）が、未記録部の溝幅（Ｗ₀）に対して１倍以上、
１.５倍以下である請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】記録層単層の再生光波長±５ｎｍでの屈折
率ｎが２.２以上、２.８以下であり、消衰係数が０.０
３以上、０.０９以下である請求項１または２に記載の
光記録媒体。
【請求項４】記録層の溝間上の膜厚が５０ｎｍ以上、１
００ｎｍ以下であり、記録層塗布膜の溝深さが、透明基
板の溝深さの５０％以上、８０％以下であることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒
体。
【請求項５】記録層を構成する色素が下記の構造式
［Ｉ］〜［III］のいずれかで表される化合物である請
求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。【化１】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜６の直鎖または分
岐アルキル基、または、炭素数３〜６の環状アルキル基
を表し、Ｒ²、Ｒ³は炭素数１〜６の直鎖または、分岐の
アルキル基、またはメトキシエチル基、エトキシエチル
基を表す。Ｙ¹はヒドロキシル基、カルボキシル基を表
し、Ｙ²は炭素数１〜６の直鎖または分岐のハロゲン原
子で置換されていても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｚは
シアノ基、カルボン酸エステル基、または炭素数１〜６
の直鎖または分岐のアルキル基を表す。Ｍ²⁺はニッケ
ル、コバルト、銅の２価のイオンを表す。）
【請求項６】該金属反射層がＴｉ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｔａ，
Ｐｄ，Ｎｉ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃ，Ｂ，Ｓｕ，
Ｐ，Ｚｎ，Ｍｏからなる群より選ばれる添加元素を０〜
３原子％含有する銀である請求項１乃至５のいずれか１
項に記載の光記録媒体。
【請求項７】該基板の厚さが０.６ｍｍ±０.０３ｍｍで
あり、基板の案内溝のトラックピッチが０．７μｍ以
上、１．０μｍ以下であり、溝深さが１００ｎｍ以上、
２００ｎｍ以下で、溝幅（溝深さが半分になるところの
溝幅）が０．２μｍ以上、０．３μｍ以下である請求項
１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項８】該保護層が主として紫外線硬化樹脂からな
る請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光記録媒体。