JPH10188876A - スパッタイオンポンプ - Google Patents
スパッタイオンポンプInfo
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- JPH10188876A JPH10188876A JP34712396A JP34712396A JPH10188876A JP H10188876 A JPH10188876 A JP H10188876A JP 34712396 A JP34712396 A JP 34712396A JP 34712396 A JP34712396 A JP 34712396A JP H10188876 A JPH10188876 A JP H10188876A
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- Japan
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- anode
- cathode
- ion pump
- sputter ion
- cathodes
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- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】二つの陰極の間にマルチセルアノードを成す陽
極を配置したスパッタイオンポンプにおいて、両陰極間
の距離を一定に保って排気速度を高めること。 【解決手段】本発明の超高真空用のスパッタイオンポン
プは、陽極の長さをＬ、一方の陰極と陽極との間の間隔
をＤ1、他方の陰極と陽極との間の間隔をＤ2とする時、
0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１を満たすように構成したこと
を特徴とする。
極を配置したスパッタイオンポンプにおいて、両陰極間
の距離を一定に保って排気速度を高めること。 【解決手段】本発明の超高真空用のスパッタイオンポン
プは、陽極の長さをＬ、一方の陰極と陽極との間の間隔
をＤ1、他方の陰極と陽極との間の間隔をＤ2とする時、
0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１を満たすように構成したこと
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超高真空用のスパッ
タイオンポンプに関するものである。
タイオンポンプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来公知のスパッタイオンポンプは図５
に示すように二枚の陰極板Ｃ、Ｃの間に多数の中空円筒
状体を並置して形成したいわゆるマルチセルアノードと
呼ばれる陽極Ａを配置し、ペニング放電を利用して陰極
板をスパッタし、活性面を生成し、この活性面にガス分
子を吸着したり埋め込み、或るいは陽極面に捕捉するな
どしてガスを排気するように構成されている。マルチセ
ルアノードを構成する陽極構造としては図示した中空円
筒状体の他に多角形中空体や図６に示すように複数枚の
板部材を上下に重ね、各板部材にそれぞれ同心状に多数
の穴を設け、各板部材を同電位に保つようにしたものな
ども知られている。
に示すように二枚の陰極板Ｃ、Ｃの間に多数の中空円筒
状体を並置して形成したいわゆるマルチセルアノードと
呼ばれる陽極Ａを配置し、ペニング放電を利用して陰極
板をスパッタし、活性面を生成し、この活性面にガス分
子を吸着したり埋め込み、或るいは陽極面に捕捉するな
どしてガスを排気するように構成されている。マルチセ
ルアノードを構成する陽極構造としては図示した中空円
筒状体の他に多角形中空体や図６に示すように複数枚の
板部材を上下に重ね、各板部材にそれぞれ同心状に多数
の穴を設け、各板部材を同電位に保つようにしたものな
ども知られている。
【０００３】現在のスパッタイオンポンプは1970年代に
研究開発され完成されたもので、当時のポンプの排気領
域は10-3Pa〜10-9Pa程度であり、超高真空排気を行う場
合には、スパッタイオンポンプとロータリポンプまたは
ソープションポンプとを組み合わせて用いていた。その
後、1990年代になると、ターボ分子ポンプが普及するよ
うになり、粗引はターボ分子ポンプにより10-5Paまで引
き、その後はスパッタイオンポンプで排気する方法が主
流となってきた。そしてスパッタイオンポンプとして
は、限界圧を下げること、すなわち10-10Paまで排気で
きること及び10-9Pa〜10-7Pa領域で排気速度が最大とな
ることが要求されてきた。限界圧を下げる方法としては
従来、磁場の強さ(Ｂ)と陽極の中空円筒の径(ｄ)との積
(Ｂ)×(ｄ)を増大させて陰極放射電子の電離衝突頻度を
高めることが知られている（例えば雑誌“真空”第13巻
第７号第230頁参照）。一方、J. Vac. Sci. Technol.,
Vol. 11, No. 6 には、スパッタイオンポンプの排気速
度は陽極の長さ(Ｌ)と陽極の中空円筒の径(ｄ)とに比例
していることが示されている。一般に、磁石の性能が一
定であるとすると、磁石間の距離を小さくすれば、磁場
の強さを増大させることができるが、そのためには、陽
極の長さ(Ｌ)を短くする必要があり、その結果ポンプの
排気速度は低下することになる。一方、陽極の中空円筒
の径(ｄ)を大きくすると、限られた磁場範囲に陽極の中
空円筒の介在数が減少し、この場合もポンプの排気速度
は低下することになる。これらのことから、従来の方法
では限界圧力を下げるためには排気速度を犠牲にしなけ
ればならない。
研究開発され完成されたもので、当時のポンプの排気領
域は10-3Pa〜10-9Pa程度であり、超高真空排気を行う場
合には、スパッタイオンポンプとロータリポンプまたは
ソープションポンプとを組み合わせて用いていた。その
後、1990年代になると、ターボ分子ポンプが普及するよ
うになり、粗引はターボ分子ポンプにより10-5Paまで引
き、その後はスパッタイオンポンプで排気する方法が主
流となってきた。そしてスパッタイオンポンプとして
は、限界圧を下げること、すなわち10-10Paまで排気で
きること及び10-9Pa〜10-7Pa領域で排気速度が最大とな
ることが要求されてきた。限界圧を下げる方法としては
従来、磁場の強さ(Ｂ)と陽極の中空円筒の径(ｄ)との積
(Ｂ)×(ｄ)を増大させて陰極放射電子の電離衝突頻度を
高めることが知られている（例えば雑誌“真空”第13巻
第７号第230頁参照）。一方、J. Vac. Sci. Technol.,
Vol. 11, No. 6 には、スパッタイオンポンプの排気速
度は陽極の長さ(Ｌ)と陽極の中空円筒の径(ｄ)とに比例
していることが示されている。一般に、磁石の性能が一
定であるとすると、磁石間の距離を小さくすれば、磁場
の強さを増大させることができるが、そのためには、陽
極の長さ(Ｌ)を短くする必要があり、その結果ポンプの
排気速度は低下することになる。一方、陽極の中空円筒
の径(ｄ)を大きくすると、限られた磁場範囲に陽極の中
空円筒の介在数が減少し、この場合もポンプの排気速度
は低下することになる。これらのことから、従来の方法
では限界圧力を下げるためには排気速度を犠牲にしなけ
ればならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
ような従来のスパッタイオンポンプにおいては、一つの
陽極セル（放電区）の排気速度Ｓ1はセルの半径をｒaと
すると、 Ｓ1∝Ｌｒa 2 で計算し、設計されている。従ってｎ個の放電区で構成
されたスパッタイオンポンプの排気速度Ｓ0はＳ0＝ｎＳ
1である。しかし、実際には陽極と二つの陰極との間の
隙間のコンダクタンスの影響で排気速度Ｓ0はｎＳ1より
低下することになる。従ってスパッタイオンポンプの排
気速度を高めるためには、陽極の長さ(Ｌ)及び各陰極と
陽極との隙間(Ｄ1)、(Ｄ2)の両方とも大きくしなければ
ならない。しかしながら、(Ｌ)＋(Ｄ1)＋(Ｄ2)を大きく
とると、上述のように磁場の強さは弱くなる。そのた
め、従来のスパッタイオンポンプでは、(Ｌ)＋(Ｄ1)＋
(Ｄ2)を一定とする条件の下でできるだけ陽極の長さ
(Ｌ)を大きくするように設計されている。すなわち従来
のスパッタイオンポンプは全て、(Ｌ)＞(Ｄ1)＋(Ｄ2)の
条件を満たすようにされている。
ような従来のスパッタイオンポンプにおいては、一つの
陽極セル（放電区）の排気速度Ｓ1はセルの半径をｒaと
すると、 Ｓ1∝Ｌｒa 2 で計算し、設計されている。従ってｎ個の放電区で構成
されたスパッタイオンポンプの排気速度Ｓ0はＳ0＝ｎＳ
1である。しかし、実際には陽極と二つの陰極との間の
隙間のコンダクタンスの影響で排気速度Ｓ0はｎＳ1より
低下することになる。従ってスパッタイオンポンプの排
気速度を高めるためには、陽極の長さ(Ｌ)及び各陰極と
陽極との隙間(Ｄ1)、(Ｄ2)の両方とも大きくしなければ
ならない。しかしながら、(Ｌ)＋(Ｄ1)＋(Ｄ2)を大きく
とると、上述のように磁場の強さは弱くなる。そのた
め、従来のスパッタイオンポンプでは、(Ｌ)＋(Ｄ1)＋
(Ｄ2)を一定とする条件の下でできるだけ陽極の長さ
(Ｌ)を大きくするように設計されている。すなわち従来
のスパッタイオンポンプは全て、(Ｌ)＞(Ｄ1)＋(Ｄ2)の
条件を満たすようにされている。
【０００５】そこで、本発明は、従来の技術の問題点を
解決して、陰極間の距離を一定とする条件の下で従来の
スパッタイオンポンプで達成できるレベルより高い排気
速度を得ることができるスパッタイオンポンプを提供す
ることを目的としている。
解決して、陰極間の距離を一定とする条件の下で従来の
スパッタイオンポンプで達成できるレベルより高い排気
速度を得ることができるスパッタイオンポンプを提供す
ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、二つの陰極の間にマルチセルア
ノードを成す陽極を配置したスパッタイオンポンプにお
いて、陽極の長さをＬ、一方の陰極と陽極との間の間隔
をＤ1、他方の陰極と陽極との間の間隔をＤ2とする時、
0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１を満たすように各陰極及び陽
極を構成したことを特徴としている。
めに、本発明によれば、二つの陰極の間にマルチセルア
ノードを成す陽極を配置したスパッタイオンポンプにお
いて、陽極の長さをＬ、一方の陰極と陽極との間の間隔
をＤ1、他方の陰極と陽極との間の間隔をＤ2とする時、
0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１を満たすように各陰極及び陽
極を構成したことを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して本発
明の実施の形態について説明する。図１には本発明の概
念を示すスパッタイオンポンプの要部を概略的に示し、
二つの陰極板１とこれら陰極板１間に配置された陽極２
とから成っている。陽極２は、多数の筒状体2aを並置し
てマルチセルアノードとして構成されている。図示した
ように、陽極２の長さをＬとし、一方の陰極１と陽極２
との間の間隔をＤ1とし、また他方の陰極１と陽極２と
の間の間隔をＤ2とする時、両陰極１間の距離を一定に
保って、 0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１ の関係が満たされるように、二つの陰極板１及び陽極２
は相互に位置決めされかつ寸法決めされる。ここで、Ｄ
1、Ｄ2はそれぞれ正確には陽極の一端面と陰極との間隔
の平均値を意味するものとする。陽極２を構成している
多数の筒状体2aの各々は、図２のＡに示す円形筒体、Ｂ
及びＣに示す多角形筒体、Ｄに示す縦に割れ目の入った
円形筒体、Ｅに示すこれら筒体を上下に二段以上重ねも
の等として適当に実施することができる。代りに、陽極
２は、図３に示すように、網状体を複数枚重ねて構成す
ることもできる。さらに図６の従来例のように、複数個
の穴をあけた板状部材を複数枚上下に重ねて陽極を構成
することもでき、この場合には上下の各板状部材の各対
応した穴は同じ軸線上に位置するようされる。
明の実施の形態について説明する。図１には本発明の概
念を示すスパッタイオンポンプの要部を概略的に示し、
二つの陰極板１とこれら陰極板１間に配置された陽極２
とから成っている。陽極２は、多数の筒状体2aを並置し
てマルチセルアノードとして構成されている。図示した
ように、陽極２の長さをＬとし、一方の陰極１と陽極２
との間の間隔をＤ1とし、また他方の陰極１と陽極２と
の間の間隔をＤ2とする時、両陰極１間の距離を一定に
保って、 0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１ の関係が満たされるように、二つの陰極板１及び陽極２
は相互に位置決めされかつ寸法決めされる。ここで、Ｄ
1、Ｄ2はそれぞれ正確には陽極の一端面と陰極との間隔
の平均値を意味するものとする。陽極２を構成している
多数の筒状体2aの各々は、図２のＡに示す円形筒体、Ｂ
及びＣに示す多角形筒体、Ｄに示す縦に割れ目の入った
円形筒体、Ｅに示すこれら筒体を上下に二段以上重ねも
の等として適当に実施することができる。代りに、陽極
２は、図３に示すように、網状体を複数枚重ねて構成す
ることもできる。さらに図６の従来例のように、複数個
の穴をあけた板状部材を複数枚上下に重ねて陽極を構成
することもでき、この場合には上下の各板状部材の各対
応した穴は同じ軸線上に位置するようされる。
【０００８】このように構成した本発明のスパッタイオ
ンポンプにおいては、上記の関係0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)
＜１を満たすことにより、各陰極１と陽極２との間隔Ｄ
1、Ｄ2は従来のスパッタイオンポンプの場合より大きく
なり、これらの間隔のコンダクタンスの影響は小さく、
従って有効排気速度は大きくなる。一方、陽極の長さＬ
が短くなると、磁場と電場で拘束された電子は陽極２中
だけでなく、各陰極１と陽極２との間の隙間に広がり、
そしてこれらの隙間の電圧は陽極２より低いので、電場
の拘束能力は弱く、しかも磁場は比較的強くしているた
めこれらの隙間に電子雲が広がり、電子雲の体積が大き
くなる。すなわち陽極２の両端面から電子雲が溢れでて
くる。その結果、イオン化能率が向上することになる。
こうして隙間に大きく成長した電子雲によりイオン化さ
れたガス分子は磁場の作用により各陰極１に垂直にでは
なく斜めに入射し、それにより陰極に対するスパッタ効
率が高くなり、結果として排気速度が大きくなる。図４
には実験結果の一例を示し、排気速度が陽極の長さと陰
極−陽極間の間隔との関係によりどのように変化するが
示され、縦軸はＬ／(Ｄ1＋Ｄ2)の値を変化させた時の排
気速度ＳをＬ＝(Ｄ1＋Ｄ2)の時の排気速度Ｓ0で割った
ものある。Ｓ／Ｓ0のピークは陽極２を構成している各
筒体2aの直径及び内部の圧力を適当に設定することによ
り、Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)の0.01〜１の間で移動させることが
できる。ところで図示例では二極型スパッタイオンポン
プに実施した場合について説明してきたが、当然本発明
は他の形式、例えば三極型のものにも応用することがで
きる。また、本発明においては低い圧力で排気するた
め、強い磁場と穴の半径の大きい陽極構造とするのが望
ましい。
ンポンプにおいては、上記の関係0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)
＜１を満たすことにより、各陰極１と陽極２との間隔Ｄ
1、Ｄ2は従来のスパッタイオンポンプの場合より大きく
なり、これらの間隔のコンダクタンスの影響は小さく、
従って有効排気速度は大きくなる。一方、陽極の長さＬ
が短くなると、磁場と電場で拘束された電子は陽極２中
だけでなく、各陰極１と陽極２との間の隙間に広がり、
そしてこれらの隙間の電圧は陽極２より低いので、電場
の拘束能力は弱く、しかも磁場は比較的強くしているた
めこれらの隙間に電子雲が広がり、電子雲の体積が大き
くなる。すなわち陽極２の両端面から電子雲が溢れでて
くる。その結果、イオン化能率が向上することになる。
こうして隙間に大きく成長した電子雲によりイオン化さ
れたガス分子は磁場の作用により各陰極１に垂直にでは
なく斜めに入射し、それにより陰極に対するスパッタ効
率が高くなり、結果として排気速度が大きくなる。図４
には実験結果の一例を示し、排気速度が陽極の長さと陰
極−陽極間の間隔との関係によりどのように変化するが
示され、縦軸はＬ／(Ｄ1＋Ｄ2)の値を変化させた時の排
気速度ＳをＬ＝(Ｄ1＋Ｄ2)の時の排気速度Ｓ0で割った
ものある。Ｓ／Ｓ0のピークは陽極２を構成している各
筒体2aの直径及び内部の圧力を適当に設定することによ
り、Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)の0.01〜１の間で移動させることが
できる。ところで図示例では二極型スパッタイオンポン
プに実施した場合について説明してきたが、当然本発明
は他の形式、例えば三極型のものにも応用することがで
きる。また、本発明においては低い圧力で排気するた
め、強い磁場と穴の半径の大きい陽極構造とするのが望
ましい。
【０００９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、二つの陰極の間にマルチセルアノードを成す陽極を
配置したスパッタイオンポンプにおいて、陽極の長さを
Ｌ、一方の陰極と陽極との間の間隔をＤ1、他方の陰極
と陽極との間の間隔をＤ2とする時、0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋
Ｄ2)＜１を満たすように各陰極及び陽極を構成している
ので、有効排気速度を大きくすることができ、従来のも
のに比べて約２倍まで高めることができるようになる。
ば、二つの陰極の間にマルチセルアノードを成す陽極を
配置したスパッタイオンポンプにおいて、陽極の長さを
Ｌ、一方の陰極と陽極との間の間隔をＤ1、他方の陰極
と陽極との間の間隔をＤ2とする時、0.01＜Ｌ／(Ｄ1＋
Ｄ2)＜１を満たすように各陰極及び陽極を構成している
ので、有効排気速度を大きくすることができ、従来のも
のに比べて約２倍まで高めることができるようになる。
【図１】 本発明のスパッタイオンポンプの概念を示す
概略線図。
概略線図。
【図２】 Ａ〜Ｅは本発明のスパッタイオンポンプに使
用され得る陽極構造の種々の例を示す概略斜視図。
用され得る陽極構造の種々の例を示す概略斜視図。
【図３】 本発明のスパッタイオンポンプに使用され得
る陽極構造の別の例を示す概略斜視図。
る陽極構造の別の例を示す概略斜視図。
【図４】 本発明のスパッタイオンポンプの排気速度の
実験例を示すグラフ。
実験例を示すグラフ。
【図５】 従来の二極型スパッタイオンポンプの一例を
示す概略斜視図。
示す概略斜視図。
【図６】 従来の二極型スパッタイオンポンプにおける
別の陽極構造を示す概略斜視図。
別の陽極構造を示す概略斜視図。
１：陰極 ２：陽極 2a：陽極を構成している筒体
フロントページの続き (72)発明者 沈 国華 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 中嶋 克次 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 三保 裕之 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 高木 望 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 二つの陰極の間にマルチセルアノードを
成す陽極を配置したスパッタイオンポンプにおいて、陽
極の長さをＬ、一方の陰極と陽極との間の間隔をＤ1、
他方の陰極と陽極との間の間隔をＤ2とする時、0.01＜
Ｌ／(Ｄ1＋Ｄ2)＜１を満たすように各陰極及び陽極を構
成したことを特徴とするスパッタイオンポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34712396A JPH10188876A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | スパッタイオンポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34712396A JPH10188876A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | スパッタイオンポンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188876A true JPH10188876A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18388066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34712396A Pending JPH10188876A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | スパッタイオンポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10188876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238648A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | スパッタイオンポンプ |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34712396A patent/JPH10188876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238648A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | スパッタイオンポンプ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041008 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060320 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060830 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061215 |