JPH10189369A - 非接触型電力伝送装置 - Google Patents

非接触型電力伝送装置

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JPH10189369A
JPH10189369A JP8343213A JP34321396A JPH10189369A JP H10189369 A JPH10189369 A JP H10189369A JP 8343213 A JP8343213 A JP 8343213A JP 34321396 A JP34321396 A JP 34321396A JP H10189369 A JPH10189369 A JP H10189369A
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coil
power transmission
oscillation
transmission coil
transistor
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JP8343213A
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Takashi Urano
高志 浦野
Minoru Takahashi
実 高橋
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は非接触型電力伝送装置に関し、充電部
の高周波発振回路として、ハートレイ発振回路を使用で
きるようにして、部品点数を削減し、ローコスト化する
と共に、損失を低減し、電力伝送効率を改善する。 【解決手段】充電部と被充電部とを着脱可能に分離して
構成し、充電部には送電コイル25と高周波発振回路を
備え、被充電部には受電コイル26を備え、充電部から
被充電部へ非接触で電力を伝送する非接触型電力伝送装
置において、高周波発振回路を発振用コイル27と前記
送電コイル25とを含んだハートレイ発振回路で構成
し、発振用コイル27と送電コイル25とを分離独立し
たコイル部品で構成すると共に、発振用コイル27の少
なくとも一部が、送電コイル25の巻線部分の内側領域
S内に位置し、両コイルが電磁結合可能な状態に配置し
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、充電可能な2次電
池を電源として動作する携帯電話機、PHS電話機(簡
易携帯電話機)、コードレスホン、各種電気機器、或い
は電子機器等に利用可能な非接触型電力伝送装置に関す
る。特に、本発明は充電部から被充電部へ金属接点を介
さず非接触で、電磁誘導作用により電力を伝送する非接
触型電力伝送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】以下、図に基づいて従来例を説明する。 §1:非接触型電力伝送装置の説明・・・図13参照 図13は従来例の説明図(その1)であり、Aは充電
部、被充電部の構成図、Bは充電状態説明図である。従
来、充電部と被充電部とを着脱可能に分離して構成し、
前記充電部に送電コイルと、前記送電コイルを駆動する
ための高周波発振回路を備え、前記被充電部に前記送電
コイルと電磁結合して電圧を誘起させるための受電コイ
ルと、前記受電コイルに誘起した電圧により充電する2
次電池等を備え、前記送電部から受電部へ、金属接点を
介さず非接触で、電磁誘導作用により電力を伝送する非
接触型電力伝送装置が知られていた。
【0003】前記非接触型電力伝送装置の1例(コイル
部分)を図13のAに示す。図13のAに示したよう
に、充電部と被充電部とを着脱可能に分離して構成し、
充電部には送電コイル用ボビン6に巻いた送電コイル
7、及び帰還コイル8が設けてある。この場合、送電コ
イル7と帰還コイル8は1つの送電コイル用ボビン6に
巻いてあり、同軸的に配置されている。また、送電コイ
ル用ボビン6にはコア9が挿入されている。
【0004】そして、充電部には送電コイル7を駆動す
るために駆動回路13が設けてあり、前記駆動回路13
には電源回路や前記高周波発振回路を備え、この高周波
発振回路により送電コイル7を駆動するように構成され
ている。一方、被充電部には、受電コイル用ボビン11
に巻いた受電コイル12が設けてある。
【0005】そして、被充電部内の2次電池を充電する
場合には、図13のBに示したように、充電部の上に被
充電部を載せる。この場合、充電部側ケース3の一部
に、被充電部を載せるための凹部が形成されており、こ
の凹部に被充電部を載せるようになっている。
【0006】この状態で、送電コイル7と受電コイル1
2は対向配置され、最も接近した状態となって充電待機
状態になる。その後、充電部の電源を投入して駆動回路
13を動作させ、前記高周波発振回路により送電コイル
7を駆動すれば、充電部から被充電部へ金属接点を介さ
ず非接触で、電磁誘導作用により電力を伝送し、その電
力を使用して前記2次電池の充電を行う。
【0007】§2:高周波発振回路の説明・・・図14
参照 図14は従来例の説明図(その2)であり、Aは発振原
理図、Bはハートレイ発振回路を示す。前記駆動回路1
3に設けた高周波発振回路としては、例えば、2個のト
ランジスタと、前記送電コイル7を含むLC並列共振回
路を使用したプッシュプル型の高周波発振回路を使用し
ていたが、このような高周波発振回路は部品点数が多く
なる。そこで、LC発振回路の中で最も部品点数の少な
いハートレイ発振回路を使用することが考えられてい
た。
【0008】一般的に、図14のAに示した発振原理図
において、インピーダンスZ1 、Z 2 、Z3 の3つの素
子と、増幅素子であるトランジスタQ1が図示のように
接続されている場合、インピーダンスZ1 の素子が誘導
性素子(又は容量性素子)で、インピーダンスZ2 、Z
3 の素子が容量性素子(又は誘導性素子)であれば、発
振条件を満足し、発振状態を維持できることが知られて
いる。
【0009】そして、インピーダンスZ1 の素子として
容量性素子、インピーダンスZ2 、Z3 の素子として誘
導性素子を使用し、前記各素子とトランジスタQ1を接
続するとハートレイ発振回路を構成することができる。
このようなハートレイ発振回路(自励振型発振回路)を
図14のBに示す。前記ハートレイ発振回路は、第1の
コイルT1と、第2のコイルT2と、コンデンサC1
と、トランジスタQ1により構成され、部品点数が少な
くて済む。しかし、前記充電部の高周波発振回路として
ハートレイ発振回路をそのまま使用することは困難であ
った。以下、その理由を説明する。
【0010】前記充電部の高周波発振回路をハートレイ
発振回路で構成するには、前記送電コイル7を第1のコ
イルT1とし、前記帰還用コイル8を第2のコイルT2
(発振用コイル)として使用することになる。この場
合、第1のコイルT1を第2のコイルT2と電磁結合さ
せて使用するが、電磁誘導により第2のコイルT2に発
生した電圧がトランジスタQ1のベースに印加する(逆
バイアスとして印加する)。
【0011】ところが、第2のコイルT2に発生する電
圧が規定値より大きいと、トランジスタQ1のベースに
過大電圧が印加し、トランジスタQ1を破壊することが
ある。また、第2のコイルT2に発生する電圧が規定値
より小さいと、トランジスタQ1のベースに適正電圧が
印加せず損失が増大する。すなわち、トランジスタQ1
のベースに適切な正帰還電圧が印加すれば損失の少ない
発振動作を行うが、正帰還電圧が小さいと損失が大きく
なる。
【0012】そこで、トランジスタQ1のバイアスを適
正に調整することが必要となるが、従来のコイル配置で
は図13に示したように、前記2つのコイル(T1、T
2)が同一コイルボビンに巻かれており、同軸的に固定
配置されているので、第1のコイルT1と第2のコイル
T2との電磁結合の度合いを調整することはできない。
【0013】また、第1のコイルT1と第2のコイルT
2との電磁結合の度合いを調整するために、第2のコイ
ルT2の巻数を変えることも考えられるが、巻数を変え
ると第2のコイルT2の自己インダクタンス値が変化す
る。ハートレイ発振回路では、第1のコイルT1と第2
のコイルT2の自己インダクタンス値が、或る値の時に
発振条件を満たすので、前記のように第2のコイルT2
の巻数を変えて自己インダクタンス値を変化させると、
前記発振条件を満たさなくなり、発振動作ができなくな
る。従って、トランジスタQ1のバイアスを適正な値に
調整することは困難であり、前記高周波発振回路をハー
トレイ発振回路で構成することは困難であった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の装
置では次のような課題があった。 (1) :ハートレイ発振回路はLC発振回路の内で最も部
品点数が少なくて済む発振回路なので、前記充電部の高
周波発振回路としてハートレイ発振回路を使用すること
が考えられていた。しかし、従来知られていた充電部の
高周波発振回路としてハートレイ発振回路をそのまま使
用することは困難であった。
【0015】すなわち、前記充電部の高周波発振回路を
ハートレイ発振回路で構成するには、前記送電コイル7
を第1のコイルT1とし、帰還用コイル8を第2のコイ
ルT2(発振用コイル)として使用することになる。こ
の場合、第1のコイルT1を第2のコイルT2と電磁結
合させて使用するが、電磁誘導により第2のコイルT2
に発生した電圧がトランジスタQ1のベースに印加す
る。
【0016】そして、第2のコイルT2に発生する電圧
が規定値より大きいと、トランジスタQ1のベースに過
大電圧が印加し、該トランジスタQ1を破壊することが
ある。また、第2のコイルT2に発生する電圧が規定値
より小さいと、トランジスタQ1に適正電圧が印加せ
ず、損失が増大する。すなわち、トランジスタQ1のベ
ースに、適切な正帰還電圧が印加すれば損失の少ない発
振動作を行うが、正帰還電圧が小さいと損失が大きくな
る。
【0017】そこで、トランジスタQ1のバイアスを適
正に調整することが必要となるが、従来のコイル配置で
は2つのコイルが同一コイルボビンに巻かれており、同
軸的に固定配置されているので、第1のコイルT1と第
2のコイルT2との電磁結合の度合いを調整することは
できない。従って、トランジスタQ1のベース電圧を適
正な値に調整することは難しいので、前記高周波発振回
路としてハートレイ発振回路をそのまま使用することは
困難であった。
【0018】(2) :また、従来のコイル配置において、
第1のコイルT1と第2のコイルT2との電磁結合の度
合いを調整するために、第2のコイルT2の巻数を変え
ることも考えられるが、巻数を変えると第2のコイルT
2の自己インダクタンス値が変化する。
【0019】ところが、ハートレイ発振回路では、第1
のコイルT1と第2のコイルT2の自己インダクタンス
値が、或る値の時に発振条件を満たすので、前記のよう
に第2のコイルT2の巻数を変えて自己インダクタンス
値を変化させると、前記発振条件を満たさなくなり、発
振動作ができなくなる。このように、トランジスタQ1
のバイアスを適正な値に調整することが難しいので、前
記高周波発振回路としてハートレイ発振回路をそのまま
使用することは困難であった。
【0020】(3) :前記のように、従来知られていた充
電部の高周波発振回路としてハートレイ発振回路をその
まま使用することは困難なので、部品点数の削減が難し
く、非接触型電力伝送装置のローコスト化を実現するの
は困難であった。
【0021】本発明は、このような従来の課題を解決
し、トランジスタのベースに逆バイアスを印加するコイ
ルの誘起電圧を調整可能にすることで、充電部の高周波
発振回路としてハートレイ発振回路を使用できるように
して、部品点数を削減し、ローコスト化すると共に、ト
ランジスタの逆バイアスを常に最適な値に調整すること
で損失を低減し、電力伝送効率を改善することを目的と
する。
【0022】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図であり、Aは回路図、Bはコイル配置例1、Cはコイ
ル配置例2である。図1において、Q1はトランジス
タ、R1は抵抗、C1、C2、C3、C4はコンデン
サ、25は送電コイル、27は発振用コイル、26は受
電コイル、d1はダイオード、22は2次電池を示す。
また、トランジスタQ1、抵抗R1、コンデンサC1、
C2、送電コイル25、発振用コイル27によりハート
レイ発振回路を構成する。
【0023】本発明は前記目的を達成するため、図1に
示したように、充電部と被充電部とを着脱可能に分離し
て構成し、前記充電部には送電コイル25と、前記送電
コイル25を駆動するための高周波発振回路を備え、前
記被充電部には前記送電コイル25と電磁結合して電圧
を誘起させるための受電コイル26を備え、前記充電部
から被充電部へ非接触で電力を伝送する非接触型電力伝
送装置において、前記高周波発振回路を、発振用コイル
27と前記送電コイル25とを含んだハートレイ発振回
路で構成し、前記送電コイル25と発振用コイル27
は、送電コイル25の巻線面に対して発振用コイル27
の巻線面が平行となるように配置され、かつ、前記発振
用コイル27の少なくとも一部が、前記送電コイル25
の巻線部分の内側領域S内に位置し、両コイルが電磁結
合可能な状態に配置した。
【0024】また、本発明は充電部と被充電部とを着脱
可能に分離して構成し、前記充電部には送電コイル25
と、前記送電コイル25を駆動するための高周波発振回
路を備え、前記被充電部には前記送電コイル25と電磁
結合して電圧を誘起させるための受電コイル26を備
え、前記充電部から被充電部へ非接触で電力を伝送する
非接触型電力伝送装置において、前記高周波発振回路を
発振用コイル27と前記送電コイル25とを含んだハー
トレイ発振回路で構成し、前記送電コイル25と発振用
コイル27は、送電コイル25の巻線面に対して発振コ
イル27の巻線面が垂直方向となるように配置され、か
つ、前記発振用コイル27の少なくとも一部が、前記送
電コイル25の巻線領域内に位置し、前記両コイルが電
磁結合可能な状態に配置した。
【0025】(作用)前記構成に基づく本発明の作用
を、図1に基づいて説明する。先ず、充電部の部品を製
作する場合、発振用コイル27と送電コイル25とを分
離独立したコイル部品として製作する。その後、例えば
プリント基板に送電コイル25と発振用コイル27の位
置決めを行って実装することでコイルユニットを製作す
るが、発振用コイル27の少なくとも一部が、送電コイ
ル25の巻線部分の内側領域S内に位置し、前記両コイ
ルが電磁結合可能な状態に配置する。
【0026】この場合、図1のBに示したように、発振
用コイル27を送電コイル25の巻線部分の内側領域S
内の略中央に位置させたり、図1のCに示したように、
発振用コイル27を送電コイル25の巻線部分の内側領
域S内の片隅(両側の片隅)に位置させたり、或いは前
記各位置の中間の任意の位置に移動させながら、発振用
コイル27の位置を調整することで、トランジスタQ1
に常に最適な逆バイアスが印加するように設定する。
【0027】このようにして送電コイル25に対し発振
用コイル27を最適な位置に設定したコイルユニット、
及び他の部品を充電部に組み込み、更に被充電部にも受
電コイル26や2次電池22等の部品を組み込む。この
ようにして製作した充電部上の所定の位置に、被充電部
を載せ、充電部に電源を投入すると、ハートレイ発振回
路からなる高周波発振回路が発振動作を行う。
【0028】前記のようにしてハートレイ発振回路によ
り送電コイル25を駆動することで、高周波の電磁波を
発生させ、被充電部に対して電磁波による非接触電力伝
送を行う。この時被充電部では送電コイル25からの電
磁誘導作用により受電コイル26に誘導電圧が発生す
る。この誘導電圧により受電コイル26とコンデンサC
3による並列共振回路が共振状態となり受電された電圧
の振幅を拡大する。そして、ダイオードd1により半波
整流され、コンデンサC4により平滑化された直流電圧
を負荷である2次電池22に印加し、2次電池22を充
電する。
【0029】前記のように、トランジスタQ1のベース
に逆バイアスを印加する発振用コイル27の誘起電圧を
調整可能にすることで、充電部の高周波発振回路として
ハートレイ発振回路を使用できるようになる。このた
め、部品点数を削減し、ローコスト化できると共に、ト
ランジスタの逆バイアスを常に最適な値に調整すること
ができるので、損失を低減し、電力伝送効率を改善する
ことが可能になる。
【0030】また、送電コイル25と発振用コイル27
を、送電コイル25の巻線面に対して発振コイル27の
巻線面が垂直方向となるように配置し、かつ、発振用コ
イル27の少なくとも一部が、送電コイル25の巻線領
域内に位置し、前記両コイルが電磁結合可能な状態に配
置した場合にも、前記と同様にして、トランジスタQ1
のベースに逆バイアスを印加する発振用コイル27の誘
起電圧を調整可能にすることができるので、充電部の高
周波発振回路としてハートレイ発振回路を使用できるよ
うになる。
【0031】従って、この場合にも部品点数を削減し、
ローコスト化できると共に、トランジスタの逆バイアス
を常に最適な値に調整することができるので、損失を低
減し、電力伝送効率を改善することが可能になる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を図面に
基づいて詳細に説明する。 §1:非接触型電力伝送装置の具体例の説明・・・図2
参照 図2はコードレスホンの構成図であり、Aは全体図、B
は一部拡大図(Aに示したイの部分の拡大図)である。
本発明に係る非接触型電力伝送装置は、例えば、図2に
示したようなコードレスホンに適用することが可能であ
る。このコードレスホンは、充電器20とコードレスホ
ン子機21を備えている。そして、充電器20を構成す
る充電器ケース24内には送電コイル25と、前記送電
コイル25を駆動するための高周波発振回路と、整流/
平滑回路28やヒューズ29を含む電源回路が設けてあ
る。また、前記電源回路には電源プラグ30が接続され
ている。
【0033】一方、コードレスホン子機21を構成する
コードレスホン子機ケース23内には、前記送電コイル
25と電磁結合して電圧を誘起させるための受電コイル
26と、前記受電コイル26に誘起した電圧により充電
される2次電池22等が設けてある。
【0034】前記2次電池22を充電する場合は、電源
プラグ30を商用電源(50/60HZ 、100V)に
接続し、充電器20上の所定の位置にコードレスホン子
機21を載せる。この状態で充電器20内の高周波発振
回路が発振動作を開始すると、送電コイル25から受電
コイル26へ金属接点を介さず、非接触で電力伝送が行
われる。この時、コードレスホン子機21側では受電コ
イル26に電圧が誘起し、その電圧により2次電池22
を充電する。なお、以下の説明では、充電器20を「充
電部」、コードレスホン子機を「被充電部」とも記す。
【0035】§2:高周波発振回路の説明・・・図3参
照 図3は回路図である。図3に示した回路は、図2に示し
た充電器20(充電部)とコードレスホン子機21(被
充電部)の回路である。前記充電部と被充電部は着脱可
能に分離して構成されており、前記充電部には送電コイ
ル25と、前記送電コイルを駆動するための高周波発振
回路と、電源回路を備え、前記電源回路に電源プラグ3
0が接続されている。
【0036】前記電源回路は、整流/平滑回路28とヒ
ューズ29により構成されており、電源プラグ30を介
して入力された交流電圧が前記整流/平滑回路28に入
力する。この場合、整流/平滑回路28では、入力され
た交流電圧を基に整流/平滑化動作を行い、直流電圧を
出力する。そして整流/平滑回路28の出力を電源とし
て高周波発振回路が動作する。
【0037】また、前記高周波発振回路として、トラン
ジスタQ1と、送電コイル25と、発振用コイル27
と、コンデンサC1、C2と、抵抗R1からなるハート
レイ発振回路を使用し、このハートレイ発振回路により
送電コイル25を駆動するように構成されている。な
お、前記ハートレイ発振回路において、送電コイル2
5、発振用コイル27は、それぞれ図12に示した第1
のコイル25、第2のコイル27に相当する。また、抵
抗R1はトランジスタQ1のベースに直流バイアス電流
を供給するための抵抗であり、コンデンサC2は電源よ
り抵抗R1、発振用コイル27を介して接地側に直流電
流が流れるのを阻止するためのコンデンサである。
【0038】一方、前記被充電部には、前記送電コイル
25と電磁結合して電圧を誘起させるための受電コイル
26と、前記受電コイル26に並列接続され、並列共振
回路を構成するコンデンサC3(並列共振用コンデン
サ)と、整流用のダイオードd1と、平滑用のコンデン
サC4と、2次電池22が設けてある。
【0039】前記ハートレイ発振回路により送電コイル
25を駆動することで、高周波の電磁波を発生させ、被
充電部に対して電磁波による非接触電力伝送を行う。こ
の場合、被充電部では送信コイル25からの電磁誘導作
用により受電コイル26に誘導電圧が発生する。この電
圧により受電コイル26とコンデンサC3による並列共
振回路が共振状態となり受電された電圧の振幅を拡大す
る。そして、ダイオードd1により半波整流され、コン
デンサC4により平滑化された直流電圧を負荷である2
次電池22に印加し、2次電池22を充電する。
【0040】§3:コイルの配置関係の説明・・・図4
参照 図4はコイルの配置例説明図であり、Aは例1、Bは例
2、Cは例3、Dは例4を示す。以下、図4に基づい
て、前記充電部に設けた送電コイル25と発振用コイル
27との配置関係を説明する。前記従来例で説明したよ
うに、充電部の高周波発振回路としてハートレイ発振回
路を使用できるようにするためには、送電コイル25と
発振用コイル27との電磁結合の度合いを調整可能にす
る必要がある。
【0041】そこで、送電コイル25と発振用コイル2
7を分離独立したコイル部品で構成すると共に、発振用
コイル27の少なくとも一部が、送電コイル25の巻線
部分の内側領域S内に位置し、両コイルが電磁結合可能
な状態に配置する。この場合の配置例を図4のA、B、
C、Dに示してある。以下、具体的に説明する。
【0042】この例では、送電コイル25はセメントワ
イヤにより巻かれ、固定化した1部品(ボビンレスの1
コイル部品)として構成され、プリント基板33の一方
の面(表面)の略中央部に接着固定されている。一方、
発振用コイル27は、コイルボビン31にワイヤを巻い
た1部品として構成され、プリント基板33の他方の面
(裏面)に表面実装部品(SMD)として搭載されてい
る。また、プリント基板33の他方の面(裏面)には、
高周波発振回路の他の部品(コンデンサC1、C2、抵
抗R1、トランジスタQ1等)や、電源回路の部品が表
面実装部品として搭載されている。
【0043】なお、この例では、送電コイル25の巻線
面はプリント基板33の表裏面と平行であり、発振用コ
イル27の巻線面もプリント基板33の表裏面と平行で
ある。すなわち、送電コイル25と発振用コイル27
は、送電コイル25の巻線面に対して発振用コイル27
の巻線面が平行となるように配置されている(送電コイ
ル25を縦置きとした場合、発振用コイル27も縦置
き)。
【0044】このようにして、充電部の各部品をプリン
ト基板33に搭載するが、発振用コイル27の搭載位置
を移動させることで、送電コイル25と発振用コイル2
7との電磁結合の度合いを調整できるようにした。この
場合、送電コイル25の平面形状は円形、楕円形、四角
形、多角形等で構成できるが、送電コイル25の巻線部
の内側の領域(円形の空芯コイルでは中空部内)を図示
のように「巻線部分の内側領域S」と定義する。
【0045】そして、発振用コイル27の少なくとも一
部が、送電コイル25の巻線部分の内側領域S内に位置
し、前記両コイルが電磁結合可能な状態に配置され、送
電コイル25の発生する磁束φ[Wb]が発振用コイル
27を貫き、磁束φの向きと発振コイル27の巻線が垂
直になるようにする。
【0046】図4のAは、発振用コイル27が送電コイ
ル25の巻線部分の内側領域S内の略中央に位置してい
る例である。この例では、送電コイル25の発生する磁
束φが発振用コイル27を貫いている。図4のBは、発
振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内側領域
S内の片隅に位置している例である。この例でも、送電
コイル25の発生する磁束φが発振用コイル27を貫い
ている。
【0047】図4のCは、発振用コイル27が送電コイ
ル25の巻線部分の内側領域S外に位置している例であ
る。この例では、送電コイル25の発生する磁束φが発
振用コイル27を殆ど貫いていないため、発振動作は可
能であるが損失が極めて多くなる。図4のDは、発振用
コイル27が送電コイル25の巻線部分の内側領域S外
に位置している例である。この例では、送電コイル25
の発生する磁束φが発振用コイル27を貫いているが、
磁束φの向きが逆向きであり、トランジスタQ1に正常
動作時の正帰還と逆向きの電圧が印加し、発振動作がで
きない。
【0048】以上のように、前記図4のA、Bの状態で
は正常な発振動作を行い、損失も少ないが、図4のCの
状態では発振動作は可能であるが、損失が極めて多くな
る。そして、図4のDの状態では発振用コイル27に誘
起される電圧の向きが、逆向きになり、発振動作が停止
する。従って、前記図4のA、Bのような状態で使用す
る必要がある。
【0049】§4:コイルの配置と高周波発振回路の動
作説明・・・図5参照 図5は高周波発振回路の波形図(その1)であり、Aは
例1、Bは例2である。図5において、IC はトランジ
スタQ1のコレクタ電流、VCEはトランジスタのコレク
タ・エミッタ間電圧、VBEはトランジスタQ1のベース
・エミッタ間電圧、T1〜T5は各タイミング(時
刻)、P0 は損失を示す。
【0050】(1) :例1の説明・・・図5のA参照 図5のAに示した例1は、図3に示した送電コイル25
と発振用コイル27の配置を図4のA、或いはBのよう
に、発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内
側領域S内にある場合の波形図である。この例では、タ
イミングT1〜T2の間でトランジスタQ1はオフ、タ
イミングT2〜T3の間でトランジスタQ1はオン、タ
イミングT3〜T5の間でトランジスタQ1はオフとな
り、発振動作は行われる。
【0051】すなわち、タイミングT1〜T2の間でト
ランジスタQ1には、大きなベース・エミッタ間電圧V
BEが逆バイアスとして印加しており、トランジスタQ1
はオフであり(逆バイアスが深い状態)、トランジスタ
Q1のコレクタ電流IC は殆ど流れず、コレクタ・エミ
ッタ間電圧VCEは大きな値となっている。
【0052】タイミングT2になると、トランジスタQ
1のベース・エミッタ間電圧VBEが正方向バイアス(順
方向バイアス)としてトランジスタQ1に印加し、トラ
ンジスタQ1はオンになり、コレクタ電流IC が流れ始
める。そして、コレクタ電流IC が徐々に大きくなり、
その後、コレクタ電流IC が小さくなって、タイミング
T3でトランジスタQ1はオフになる。以降同様にして
トランジスタQ1はオン/オフを繰り返しながら発振動
作を行う。
【0053】前記動作において、トランジスタQ1はタ
イミングT3でオフになろうとするが、トランジスタQ
1に蓄積されたキャリアの影響により、タイミングT4
までコレクタ電流IC が流れ続ける。このような動作を
行うため、タイミングT3〜T4の間で損失P0 が発生
する。
【0054】しかし、この例では、トランジスタQ1が
オフになるべきタイミングにおいて、トランジスタQ1
のベース・エミッタ間電圧VBEが負の大きな値となり、
トランジスタQ1のベースに逆バイアスとして印加する
ので、コレクタ電流IC が急速に減衰し、トランジスタ
Q1は急速にオフとなる。そのため、損失P0 は極めて
小さく問題はない。すなわち、例1では充電部の高周波
発振回路が低損失で、正常に発振動作を行うことができ
る。
【0055】(2) :例2の説明・・・図5のB参照 図5のBに示した例2は、図3に示した送電コイル25
と発振用コイル27の配置を図4のCのように、発振用
コイル27が送電コイル25の巻線部分の内側領域S内
にない場合の波形図である。この例でも、前記例1と同
様にして、タイミングT1〜T2の間でトランジスタQ
1はオフ、タイミングT2〜T3の間でトランジスタQ
1はオン、タイミングT3〜T5の間でトランジスタQ
1はオフとなり、発振動作は行われる。
【0056】しかし、この例では、トランジスタQ1が
オフになるべき期間、例えば、タイミングT1〜T2
間、或いはタイミングT3〜T5間において、トランジ
スタQ1に逆バイアスとして印加するベース・エミッタ
間電圧VBEが小さい(逆バイアスが浅い状態)。このた
め、例えば、トランジスタQ1がオフになるべきタイミ
ングT3〜T4の間で、長い時間コレクタ電流IC が流
れ続け、損失P0 が極めて大きくなる。
【0057】すなわち、トランジスタQ1をオンからオ
フにする時、トランジスタQ1のベースに逆バイアスを
印加することで、該トランジスタQ1をオフにするが、
前記逆バイアスが小さいと(逆バイアスが浅いと)、ト
ランジスタQ1を急速にオフにできなくなる。そのた
め、トランジスタQ1がオフになるべきタイミングT3
〜T4の間で、長い時間コレクタ電流IC が流れ続け、
損失P0 が極めて大きくなる。
【0058】§5:コイルの配置とトランジスタのバイ
アス調整の説明・・・図6参照 図6は高周波発振回路の波形図(その2)であり、A〜
Dは発振用コイル27の位置を変えた場合のトランジス
タのベース・エミッタ間電圧(VBE)波形を示す。この
ベース・エミッタ間電圧(VBE)波形は、所定の実験条
件を設定し、図3に示した回路の発振用コイル27の位
置を、図4に示したように変化させながら実験を行い、
測定した波形例である。
【0059】(1) :図6のAは、発振用コイル27を図
4のAに示した位置に配置した場合のトランジスタQ1
のベース・エミッタ間電圧(VBE)波形である。この場
合、発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内
側領域S内の略中央に位置しており、送電コイル25の
発生する磁束φが発振用コイル27を貫いている。この
ため、発振用コイル27には十分大きな電圧が発生し、
これがトランジスタQ1のベースに逆バイアスとして印
加している。
【0060】すなわち、トランジスタQ1のベース・エ
ミッタ間電圧VBEは、タイミングT2〜T3の間でVBE
=−8[V]程度と大きくなり、トランジスタQ1のベ
ースに大きな逆バイアス電圧が印加しており(逆バイア
スが深い状態)、発振動作が正常に行われている。
【0061】この実験の場合、高周波発振回路の直流入
力電圧(整流/平滑回路28の直流出力電圧)をVIN
被充電部の出力電圧(コンデンサC4の出力電圧)をV
O 、出力電流(2次電池22の流入電流)をIO とする
と、VIN=14.1[V]、VO =5.9[V]、IO
=130[mA]であった。
【0062】(2) :図6のBは、発振用コイル27を図
4のBに示した位置に配置した場合のトランジスタQ1
のベース・エミッタ間電圧(VBE)波形である。この場
合、発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内
側領域S内の片隅に位置しているが、送電コイル25の
発生する磁束φが発振用コイル27を貫いている。
【0063】このため、タイミングT2〜T3の間で発
振用コイル27には大きな電圧が発生し、これがトラン
ジスタQ1のベースに逆バイアスとして印加している。
すなわち、トランジスタQ1のベース・エミッタ間電圧
BEは、タイミンクT2〜T3の間でVBE=−3[V]
程度となり、この電圧がトランジスタQ1のベースに逆
バイアスとして印加し、発振動作が正常に行われてい
る。ただし、この例では前記図6のAに示した波形に比
べて、逆バイアスは小さくなっている。
【0064】(3) :図6のCは、発振用コイル27を図
4のCに示した位置に配置した場合のトランジスタQ1
のベース・エミッタ間電圧(VBE)波形である。この場
合、発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内
側領域S外に位置しており、送電コイル25の発生する
磁束φが発振用コイル27を殆ど貫いていない。
【0065】このため、タイミングT2からT3の間
で、発振用コイル27には小さな電圧が発生し、これが
トランジスタQ1のベースに逆バイアスとして印加して
いる。すなわち、トランジスタQ1のベース・エミッタ
間電圧VBEは、タイミングT2〜T3の間でVBE=−
0.6[V]程度と極めて小さくなり、発振動作は可能
であるが、損失は極めて大きくなっている。
【0066】(4) :図6のDは、発振用コイル27を図
4のDに示した位置に配置した場合のトランジスタQ1
のベース・エミッタ間電圧(VBE)波形である。この場
合、発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内
側領域S外に位置しており、送電コイル25の発生する
磁束φが発振用コイル27を貫いているが、磁束φの向
きが正帰還の場合と逆向きであり、発振は停止してい
る。
【0067】前記図6のA〜Dに示したように、発振用
コイル27の位置を変えることで、トランジスタQ1の
ベースに逆バイアスとして印加する電圧の大きさを変化
させることができる。従って、発振用コイル27の位置
調整により、トランジスタQ1のバイアスを最適な値に
調整して、最も損失の少ない発振動作を行わせることが
できる。なお、発振用コイル27の位置調整は発振用コ
イル27の組み込み工程で行う。
【0068】§6:電力伝送効率の説明・・・図7、図
8参照 図7は電力伝送効率の説明図(その1)、図8は電力伝
送効率の説明図(その2)である。前記図3に示した高
周波発振回路の発振用コイル27を図4に示したように
移動させた場合の電力伝送効率の変化を実験により確認
した。以下、その実験例について説明する。
【0069】前記実験では、図3に示した回路におい
て、充電部の直流入力電力(整流/平滑回路28の入力
電力)をPIN、被充電部の出力電圧(コンデンサC4の
出力電圧)をVO 、出力電流(2次電池22の流入電
流)をIO 、出力電力をPO 、電力伝送効率をηとし
た。そして、η=PO /PIN={(VO ×IO )/
IN}×100[%]の式により電力伝送効率を求め
た。
【0070】また、図7のBに示したように送電コイル
25の平面図上でX−Y直行座標を設定し、送電コイル
25の中心位置を原点0にする。そして、前記原点0か
ら発振用コイル27の外側位置までの距離をx(+x、
−x)として、xを変えながら実験を行った。その結果
求めた電力伝送効率ηは図7のAに示したように変化し
た。
【0071】図7のAにおいて、xがSの領域内にある
時は、発振用コイル27の位置が送電コイル25の巻線
部分の内側領域内にある状態、すなわち、発振用コイル
27が図4のA、Bに示した位置にある場合である。こ
のように、発振用コイル27の位置が送電コイル25の
巻線部分の内側領域S内にあれば、発振用コイル27の
位置が最適な位置であり、最高効率で電力伝送を行うこ
とができることが分かる。
【0072】また、図7のAにおいて、xがMの領域内
にある時は、発振用コイル27が図4のCに示した位置
にある状態である。この状態では自励発振は可能である
が、損失が極めて多くなり、電力伝送効率も悪化する。
更に、図7のAにおいて、xがNの領域内にある時は、
発振用コイル27が図4のDに示した位置にある状態で
ある。この状態では自励発振が不可能であり、当然、電
力伝送はできなくなる。なお、発振用コイル27が送電
コイル25から極めて遠くに離れ、互いに電磁結合しな
い状態でも発振動作が可能であるが、損失が極めて多く
なり、電力伝送効率も極めて悪くなって、実用に耐えな
い。
【0073】また、前記電力伝送効率ηの比較の為に、
発振用コイル27の位置を図4のA、及びBに示した位
置と、図4のCに示した位置とで実験を行い、図8に示
したデータを得た。図8において、横軸は出力電流IO
[mA]、縦軸は効率η[%]、は発振用コイル27
の位置を図4のA、及びBに示した位置での効率を示
し、は発振用コイル27の位置を図4のCに示した位
置での効率を示している。
【0074】に示した効率ηは出力電流IO の変化に
対し、広い範囲で高効率を示しているが、に示した効
率ηは出力電流IO の変化に対し、全体としてより効
率が低いことが判明した。1例として、出力電流IO
値がIO =130[mA]の場合、の効率ηはη=6
0%であり、の効率ηはη=41%であった。従っ
て、との効率の差は、60−41=19%となり、
の効率が理想的であることが分かる。
【0075】§7:コイル実装例の説明・・・図9、図
10参照 図9は充電部のコイル実装例であり、Aは送電コイルユ
ニット例1(平面図、及び側面図)、Bは送電コイルユ
ニット例2(平面図、及び側面図)、Cは送電コイルユ
ニットと受電コイルの例(斜視図)である。図10は充
電状態でのコイル配置説明図であり、Aは図9のAに示
した送電コイルユニット使用時、Bは図9のBに示した
送電コイルユニット使用時、Cは送電コイル25と受電
コイルに空芯コイルを使用した場合の説明図である。以
下、図9、図10に基づいてコイル実装例を説明する。
【0076】(1) :図9のAに示した送電コイルユニッ
ト例1では、送電コイル25はセメントワイヤにより巻
かれ、固定化した1部品(空芯コイル)として構成さ
れ、プリント基板33の一方の面(表面)の略中央部に
接着固定されている。一方、発振用コイル27は、コイ
ルボビン31にワイヤを巻いた1部品として構成され、
プリント基板33の他方の面(裏面)に表面実装部品
(SMD)として搭載されている。
【0077】更に、プリント基板33の他方の面(裏
面)には、高周波発振回路の他の部品や、電源回路の部
品が表面実装部品として搭載されている。この場合、発
振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内側領域
S内の片隅に位置している例であり、送電コイル25の
発生する磁束φが発振用コイル27を貫く。
【0078】(2) :図9のBに示した送電コイルユニッ
ト例2では、送電コイル25はセメントワイヤにより巻
かれ、固定化した1部品(空芯コイル)として構成さ
れ、プリント基板33の一方の面(表面)の略中央部に
接着固定されている。一方、発振用コイル27も、セメ
ントワイヤにより巻かれ、固定化した1部品(空芯コイ
ル)として構成され、プリント基板33の一方の面(表
面)上であって、前記送電コイル25の中空部内に接着
固定されている。
【0079】更に、プリント基板33の他方の面(裏
面)には、高周波発振回路の他の部品や、電源回路の部
品が表面実装部品として搭載されている。この場合も、
発振用コイル27が送電コイル25の巻線部分の内側領
域S内の片隅に位置している例であり、送電コイル25
の発生する磁束φが発振用コイル27を貫く。
【0080】(3) :図9のCに示した送電コイルユニッ
トと受電コイルの例では、前記図9のA、又はBに示し
た送電コイルユニットを使用する。また、この送電コイ
ルユニットと組み合わせて使用する受電コイル26は、
例えば、セメントワイヤにより巻かれ、固定化した1部
品(空芯コイル)として構成されている。
【0081】(4) :図10のAに示した配置例1では、
前記図9のAに示した送電コイルユニットと、図9のC
に示した受電コイル26の組み合わせによる充電状態で
のコイル配置例を示している。この状態では、発振用コ
イル27が送電コイル25の巻線部分の内側領域S内の
片隅に位置しており、送電コイル25の発生する磁束φ
が発振用コイル27を貫いている。
【0082】(5) :図10のBに示した配置例2では、
前記図9のBに示した送電コイルユニットと、図9のC
に示した受電コイル26の組み合わせによる充電状態で
のコイル配置例を示している。この状態では、プリント
基板33の同一面上に、発振用コイル27と送電コイル
25が配置され、かつ、送電コイル25の中空部内の片
隅に発振用コイル27が配置されている。そして、送電
コイル25の発生する磁束φが発振用コイル27を貫い
ている。
【0083】(6) :図10のCは、図9のAに示した送
電コイルユニットと、図9のCに示した受電コイル26
を組み合わせて使用した例である。この場合、前記送電
コイルユニットは図2に示した充電器ケース24内に取
り付けられ、前記受電コイル26は前記コードレスホン
子機ケース23内に取り付けられている。
【0084】そして、充電器ケース24上にコードレス
ホン子機ケース23を載せて、充電状態にすると、図1
0のCに示したように、送電コイル25と受電コイル2
6が対向した位置に位置決めされ、送電コイル25から
受電コイル26へ非接触電力伝送を行うことが可能にな
る。
【0085】この場合、送電コイル25と受電コイル2
6はコイルボビンを使用せずに、セメントワイヤにより
巻いたコイルを使用しているので、送電コイル25と受
電コイル26との間は、コードレスホン子機ケース23
の厚みと、充電器ケース24の厚みだけとなり、両コイ
ル間の距離が最も小さくなる。このため、電力伝送が効
率良く行える。
【0086】§8:他の実施の形態におけるコイルの配
置関係の説明・・・図11参照 図11は他の実施の形態におけるコイル配置例説明図で
あり、Aは例1、Bは例2、Cは例3、Dは例4、Eは
前記例3の一部拡大図である。以下、図11に基づい
て、他の実施の形態における送電コイル25と発振用コ
イル27との配置関係を説明する。
【0087】前記従来例で説明したように、充電部の高
周波発振回路としてハートレイ発振回路を使用できるよ
うにするためには、送電コイル25と発振用コイル27
との電磁結合の度合いを調整可能にする必要がある。そ
こでこの例では、送電コイル25と発振用コイル27を
分離独立したコイル部品で構成すると共に、送電コイル
25の巻線面に対し発振用コイル27の巻線面が垂直方
向となるように配置し、かつ、前記発振用コイル27の
少なくとも一部が、前記送電コイル25の巻線領域内に
位置し、前記両コイルが電磁結合可能な状態に配置し
た。
【0088】すなわち、送電コイル25の巻線面をプリ
ント基板33の表裏面と平行に配置し、発振用コイル2
7の巻線面をプリント基板33の表裏面と垂直に配置す
る(送電コイル25を縦置きとした場合、発振用コイル
27を横置きにする)。なお、この例では、送電コイル
25の巻線幅Wと発振用コイル27のコイル長Lを等し
く(W=L)したが、任意のサイズで実施可能である。
【0089】この場合の配置例を図11のA、B、C、
Dに示してある。以下、図示のようにX−Y直行座標を
設定し具体的に説明する。この例では、送電コイル25
はセメントワイヤにより巻かれ、固定化した1部品(ボ
ビンレスの1コイル部品)として構成され、プリント基
板33の一方の面(表面)の略中央部に接着固定されて
いる。この場合、プリント基板33、及び送電コイル2
5の巻線面はX軸と平行である。
【0090】一方、発振用コイル27は、円柱のフェラ
イトコア35をセンターポールとして、その周りに巻線
したものを1部品として構成し、プリント基板33の他
方の面(裏面)に表面実装部品(SMD)として搭載さ
れている。また、プリント基板33の他方の面(裏面)
には、高周波発振回路の他の部品(コンデンサC1、C
2、抵抗R1、トランジスタQ1等)や、電源回路の部
品が表面実装部品として搭載されている(図示省略)。
【0091】このようにして、充電部の各部品をプリン
ト基板33に搭載するが、発振用コイル27の搭載位置
を移動させることで、送電コイル25と発振用コイル2
7との電磁結合の度合いを調整できるようにした。この
場合、送電コイル25の平面形状は円形、楕円形、四角
形、多角形等で構成できるが、図11に示した状態で、
送電コイル25の巻線部分の下側の領域(巻線部分のX
軸方向の幅)を「巻線領域M」と定義する。
【0092】図11のAに示した例1は、送電コイル2
5の巻線部分の内側領域Sの中央に発振コイル27を配
置した例である。この場合、送電コイル25で発生し、
発振コイル27付近を通る磁束φの向きはY軸方向であ
り、発振用コイル27の巻線面はY軸と平行に置かれて
いるので、送電コイル25で発生した磁束φは、発振用
コイル27を貫通しない。従って、送電コイル25と発
振用コイル27は電磁結合しておらず、ハートレイ発振
回路のトランジスタタQ1に正帰還も負帰還もかからな
い。この場合、発振動作は可能であるが、損失が多く電
力伝送効率も低下する。
【0093】図11のBに示した例2は、発振用コイル
27が送電コイル25の巻線部分の内側領域Sの片隅に
位置している例である。この例では、送電コイル25の
発生する磁束φが僅かに発振用コイル27を貫いてい
る。この場合、発振動作は可能であるが、損失が多く電
力伝送効率も低下する。
【0094】図11のCに示した例3は、発振用コイル
27が送電コイル25の巻線領域M内に位置する例であ
り、一部拡大図を図11のEに示す。この位置では送電
コイル25で発生した磁束φが発振用コイル27を最も
良く貫通しており、両コイル間の磁気的結合の度合いが
最も高くなっている。従って、トランジスタQ1には正
帰還が最も良くかかり、最も損失の少ない理想的な発振
動作ができる。
【0095】図11のDに示した例4は、発振用コイル
27が送電コイル25の巻線領域Mの外側まではみ出し
ている例である。しかし、発振用コイル27の少なくと
も一部が巻線領域M内にある状態である。この位置で
は、送電コイル25の発生する磁束φが発振用コイル2
7を貫通しているが、発振用コイル27が巻線領域Mか
ら遠ざかるに従って、貫通する磁束φが次第に減少する
位置である。しかし、この位置では発振動作は低損失で
正常に行われるので、前記図11のCの位置と同様に実
施可能である。
【0096】また、発振用コイル27の位置が送電コイ
ル25の巻線領域Mの外側の領域では、トランジスタQ
1に適切な逆バイアスがかからず、損失の多い発振動作
となる。更に、発振用コイル27が前記巻線領域Mから
遠くに離れている場合(例えば、X軸方向に送電コイル
25の径の2倍以上離れている場合)でも発振動作は可
能であるが、損失は多くなり、電力伝送効率も低下す
る。
【0097】以上のように、図11のC、Dの状態では
正常な発振動作を行い、損失も少ないが、図11のA、
Bの状態では発振動作は可能であるが、損失が極めて多
くなる。従って、前記図11のC、Dのような状態で使
用することが望ましい。
【0098】なお、前記他の実施の形態においても、発
振用コイル27の位置を変えることで、トランジスタQ
1のベースに逆バイアスとして印加する電圧の大きさを
変化させることができる。従って、発振用コイル27の
位置調整により、トランジスタQ1のバイアスを最適な
値に調整して、最も損失の少ない発振動作を行わせるこ
とができる。また、発振用コイル27の位置調整は発振
用コイル27の組み込み工程で行う。
【0099】§9:他の実施の形態における電力伝送効
率の説明・・・図12参照 図12は他の実施の形態における電力伝送効率の説明図
である。図3に示した高周波発振回路の発振用コイル2
7を、図11のように移動させた場合の電力伝送効率の
変化を実験により確認した。以下、その実験例について
説明する。
【0100】前記実験では図3に示した回路において、
充電部の直流入力電力(整流/平滑回路28の入力電
力)をPIN、被充電部の出力電圧(コンデンサC4の出
力電圧)をVO 、出力電流(2次電池22の流入電流)
をIO 、出力電力をPO 、電力伝送効率をηとした。そ
して、η=PO /PIN={(VO ×IO )/PIN}×1
00[%]の式により電力伝送効率を求めた。
【0101】また、図12に示したようにX−Y直行座
標を設定し、送電コイル25の中心位置を原点0にす
る。そして、前記原点0から発振用コイル27の外側ま
でのX軸方向の距離x(+x、−x)を変えながら実験
を行った。その結果求めた電力伝送効率ηは図12に示
したように変化した。
【0102】図12において、xがSの領域内にある時
は、発振用コイル27の位置が送電コイル25の巻線部
分の内側領域内にある状態、すなわち、発振用コイル2
7が図11のA、Bに示した位置にある場合である。こ
のように、発振用コイル27の位置が送電コイル25の
巻線部分の内側領域S内にあると、電力伝送効率ηはη
=46%と低かった。
【0103】また、図12において、xがMの領域内に
ある時は、例えば、発振用コイル27が図11のCに示
した位置(送電コイル25の真下)にある状態である。
この状態では送電コイル25で発生した磁束φが発振用
コイル27を最も良く貫通しており、両コイル間の磁気
的結合の度合いが最も高くなっている。
【0104】従って、トランジスタQ1には正帰還が最
も良くかかり、損失が最も少なく、電力伝送効率ηが最
も高くなる。すなわち、この位置では効率ηが最大のη
=60%になる点があり、最も望ましい位置である。な
お、発振用コイル27の少なくとも一部が送電コイル2
5の巻線領域M内にあれば(例えば、図11のDの状
態)、前記と同様に電力伝送効率が高く、損失の少ない
発振動作を行うことが確認できた。
【0105】更に、図12において、x=Nの領域内に
ある時は、発振用コイル27が図11のDに示した位置
より更に遠くに離れた状態である。この状態では送電コ
イル25で発生した磁束φが発振用コイル27を貫通し
ているが、貫通する磁束は減少する。このため、この領
域では電力伝送効率ηもη=46%程度まで低下した。
【0106】(他の実施の形態)以上実施の形態につい
て説明したが、本発明は次のようにしても実施可能であ
る。
【0107】(1) :送電コイル25、発振用コイル2
7、受電コイル26は空芯コイルでも良いが、前記コイ
ル内にコア(例えば、フェライトコア)を挿入しても良
い。 (2) :送電コイル25、発振用コイル27、受電コイル
26は、円形、楕円形、四角形、多角形等、任意の形状
で実施可能である。
【0108】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) :送電コイルに対して発振用コイルの位置を変化さ
せることで、ハートレイ発振回路を構成するトランジス
タの逆バイアスを常に最適な値に調整することが可能と
なる。従って、非接触型電力伝送装置を構成する充電部
の高周波発振回路として、ハートレイ発振回路を使用で
きるので、部品点数を削減し、ローコスト化が可能であ
る。
【0109】(2) :ハートレイ発振回路を構成するトラ
ンジスタの逆バイアスを常に最適な値に調整することが
できるので、損失を低減し、電力伝送効率を改善するこ
とができる。
【0110】(3) :送電コイルに対して発振用コイルの
位置を変化させることで、ハートレイ発振回路を構成す
るトランジスタの逆バイアスを常に最適な値に調整する
ことが可能となる。従って、発振用コイルを小型化して
も損失の少ない発振動作をさせることができる。すなわ
ち、発振用コイルを送電コイルに比べて極めて小さくし
ても、ハートレイ発振回路を低損失で駆動できると共
に、電力伝送効率を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】実施の形態におけるコードレスホンの構成図で
ある。
【図3】実施の形態における回路図である。
【図4】実施の形態におけるコイルの配置例説明図であ
る。
【図5】実施の形態における高周波発振回路の波形図
(その1)である。
【図6】実施の形態における高周波発振回路の波形図
(その2)である。
【図7】実施の形態における電力伝送効率の説明図(そ
の1)である。
【図8】実施の形態における電力伝送効率の説明図(そ
の2)である。
【図9】実施の形態におけるコイル実装例である。
【図10】実施の形態における充電状態でのコイル配置
説明図である。
【図11】他の実施の形態におけるコイル配置例説明図
である。
【図12】他の実施の形態における電力伝送効率説明図
である。
【図13】従来例の説明図(その1)である。
【図14】従来例の説明図(その2)である。
【符号の説明】
20 充電器 21 コードレスホン子機 22 2次電池 23 コードレスホン子機ケース 24 充電器ケース 25 送電コイル 26 受電コイル 27 発振用コイル 28 整流/平滑回路 33 プリント基板 35 フェライトコア

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】充電部と被充電部とを着脱可能に分離して
    構成し、前記充電部には送電コイルと、前記送電コイル
    を駆動するための高周波発振回路を備え、前記被充電部
    には前記送電コイルと電磁結合して電圧を誘起させるた
    めの受電コイルを備え、前記充電部から被充電部へ非接
    触で電力を伝送する非接触型電力伝送装置において、 前記高周波発振回路を発振用コイルと前記送電コイルと
    を含んだハートレイ発振回路で構成し、前記送電コイル
    と発振用コイルは、送電コイルの巻線面に対して発振用
    コイルの巻線面が平行となるように配置され、かつ、前
    記発振用コイルの少なくとも一部が、前記送電コイルの
    巻線部分の内側領域内に位置し、前記両コイルが電磁結
    合可能な状態に配置されていることを特徴とした非接触
    型電力伝送装置。
  2. 【請求項2】充電部と被充電部とを着脱可能に分離して
    構成し、前記充電部には送電コイルと、前記送電コイル
    を駆動するための高周波発振回路を備え、前記被充電部
    には前記送電コイルと電磁結合して電圧を誘起させるた
    めの受電コイルを備え、前記充電部から被充電部へ非接
    触で電力を伝送する非接触型電力伝送装置において、 前記高周波発振回路を発振用コイルと前記送電コイルと
    を含んだハートレイ発振回路で構成し、前記送電コイル
    と発振用コイルは、送電コイルの巻線面に対して発振コ
    イルの巻線面が垂直方向となるように配置され、かつ、
    前記発振用コイルの少なくとも一部が、前記送電コイル
    の巻線領域内に位置し、前記両コイルが電磁結合可能な
    状態に配置されていることを特徴とした非接触型電力伝
    送装置。
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