JPH10189530A - 回転式基板乾燥装置 - Google Patents
回転式基板乾燥装置Info
- Publication number
- JPH10189530A JPH10189530A JP35489796A JP35489796A JPH10189530A JP H10189530 A JPH10189530 A JP H10189530A JP 35489796 A JP35489796 A JP 35489796A JP 35489796 A JP35489796 A JP 35489796A JP H10189530 A JPH10189530 A JP H10189530A
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- JP
- Japan
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- substrate
- chamber
- cover
- temperature
- gas
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 乾燥工程における基板の乾燥不良を防止する
ことのできる回転式基板乾燥装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 回転式基板乾燥装置は、チャンバ11と
カバー13とにより形成された空間内に、湿度制御およ
び温度制御した外気を供給するための空調ユニット50
を有する。この空調ユニット50は、プレフィルタ54
を通過して供給される外気を冷却することにより除湿す
るための冷却部55と、冷却部57を通過して供給され
る外気を加熱することにより温度制御するための加熱部
56と、ファン57と、化学フィルタ58と、パーティ
クル除去フィルタ59とを備える。
ことのできる回転式基板乾燥装置を提供することを目的
とする。 【解決手段】 回転式基板乾燥装置は、チャンバ11と
カバー13とにより形成された空間内に、湿度制御およ
び温度制御した外気を供給するための空調ユニット50
を有する。この空調ユニット50は、プレフィルタ54
を通過して供給される外気を冷却することにより除湿す
るための冷却部55と、冷却部57を通過して供給され
る外気を加熱することにより温度制御するための加熱部
56と、ファン57と、化学フィルタ58と、パーティ
クル除去フィルタ59とを備える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を回転させることにより、当該基板
に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装
置に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を回転させることにより、当該基板
に付着した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】このような回転式基板乾燥装置として
は、従来、複数の基板を一括して投入するための開口部
を有するチャンバと、このチャンバの開口部を閉止する
ことにより基板の回転乾燥時における液滴の外部への飛
散を防止するためのカバーと、チャンバ内に外気を導入
するためのカバーに付設されたフィルターと、チャンバ
内において複数の基板を保持して回転するための回転手
段と、フィルターから導入された外気をチャンバから排
出するための排気口とを備えるものが知られている。そ
して、この回転式基板乾燥装置においては、回転手段に
保持された基板をチャンバ内において回転させることに
より、回転による遠心力で基板に付着した液滴を除去す
ると共に、回転手段の回転に伴ってフィルターから導入
される外気により基板表面の液滴の乾燥を促進させる構
成となっている。
は、従来、複数の基板を一括して投入するための開口部
を有するチャンバと、このチャンバの開口部を閉止する
ことにより基板の回転乾燥時における液滴の外部への飛
散を防止するためのカバーと、チャンバ内に外気を導入
するためのカバーに付設されたフィルターと、チャンバ
内において複数の基板を保持して回転するための回転手
段と、フィルターから導入された外気をチャンバから排
出するための排気口とを備えるものが知られている。そ
して、この回転式基板乾燥装置においては、回転手段に
保持された基板をチャンバ内において回転させることに
より、回転による遠心力で基板に付着した液滴を除去す
ると共に、回転手段の回転に伴ってフィルターから導入
される外気により基板表面の液滴の乾燥を促進させる構
成となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の回転
式基板乾燥装置においては、回転式基板乾燥装置の設置
場所やその周囲で実行されるプロセス等の影響により、
チャンバ内に導入される外気の温度や湿度が変動する。
また、回転式基板乾燥装置が設置されるクリーンルーム
自体の温度や湿度が変動する場合がある。さらに、基板
洗浄装置等と回転式基板乾燥装置とを組み合わせたイン
ラインタイプの基板処理装置においては、基板洗浄装置
において使用される薬液や純水のミストやベーパの影響
を受け、回転式基板乾燥装置のチャンバに導入される外
気の温度や湿度の変動はより大きいものとなる。
式基板乾燥装置においては、回転式基板乾燥装置の設置
場所やその周囲で実行されるプロセス等の影響により、
チャンバ内に導入される外気の温度や湿度が変動する。
また、回転式基板乾燥装置が設置されるクリーンルーム
自体の温度や湿度が変動する場合がある。さらに、基板
洗浄装置等と回転式基板乾燥装置とを組み合わせたイン
ラインタイプの基板処理装置においては、基板洗浄装置
において使用される薬液や純水のミストやベーパの影響
を受け、回転式基板乾燥装置のチャンバに導入される外
気の温度や湿度の変動はより大きいものとなる。
【0004】このような温度や湿度の変動があった場合
には、乾燥後の基板の状態が不均一となり、極端な場合
においては、基板が十分に乾燥されないこともある。こ
のような乾燥不良が生じた場合においては、基板の酸化
によるウォーターマーク等が発生し、後工程である基板
の成膜処理工程において成膜不良等を引き起こし、当該
基板により製造される製品の歩留まりを低下させるとい
う問題を生ずる。
には、乾燥後の基板の状態が不均一となり、極端な場合
においては、基板が十分に乾燥されないこともある。こ
のような乾燥不良が生じた場合においては、基板の酸化
によるウォーターマーク等が発生し、後工程である基板
の成膜処理工程において成膜不良等を引き起こし、当該
基板により製造される製品の歩留まりを低下させるとい
う問題を生ずる。
【0005】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、乾燥工程における基板の乾燥不良を防
止することのできる回転式基板乾燥装置を提供すること
を目的とする。
れたものであり、乾燥工程における基板の乾燥不良を防
止することのできる回転式基板乾燥装置を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基板を回転させることにより基板に付着した液滴を
除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、基板
を通過させるための開口部を有するチャンバと、前記開
口部を閉鎖するためのカバーと、前記チャンバとカバー
とにより形成された空間内に湿度制御され、かつ、温度
制御された気体を供給する気体供給手段とを備えること
を特徴とする。
は、基板を回転させることにより基板に付着した液滴を
除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置において、基板
を通過させるための開口部を有するチャンバと、前記開
口部を閉鎖するためのカバーと、前記チャンバとカバー
とにより形成された空間内に湿度制御され、かつ、温度
制御された気体を供給する気体供給手段とを備えること
を特徴とする。
【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記気体供給手段は、前記チャンバと
カバーとにより形成された空間内に導入される気体を湿
度制御および温度制御するための空調ユニットを有し、
当該空調ユニットは、そこに導入される気体を冷却する
ことにより除湿する冷却部と、前記冷却部により除湿さ
れた気体を加熱する加熱部とを備えている。
の発明において、前記気体供給手段は、前記チャンバと
カバーとにより形成された空間内に導入される気体を湿
度制御および温度制御するための空調ユニットを有し、
当該空調ユニットは、そこに導入される気体を冷却する
ことにより除湿する冷却部と、前記冷却部により除湿さ
れた気体を加熱する加熱部とを備えている。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る回転式基
板乾燥装置の側断面図である。
面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る回転式基
板乾燥装置の側断面図である。
【0009】この回転式基板乾燥装置は、基板Wとして
の略円形の半導体ウエハに対して乾燥処理を行うもので
あり、略円筒形のチャンバ11と、チャンバ11の上方
に形成された開口部12を開閉するためのカバー13
と、チャンバ11内に回転可能に設けられた横軸形のロ
ータ14と、ロータ14に着脱自在に架設された基板支
持部15と、基板支持部15を昇降するためにチャンバ
11の下部に昇降自在に配設された支持部昇降機構16
とを備えている。
の略円形の半導体ウエハに対して乾燥処理を行うもので
あり、略円筒形のチャンバ11と、チャンバ11の上方
に形成された開口部12を開閉するためのカバー13
と、チャンバ11内に回転可能に設けられた横軸形のロ
ータ14と、ロータ14に着脱自在に架設された基板支
持部15と、基板支持部15を昇降するためにチャンバ
11の下部に昇降自在に配設された支持部昇降機構16
とを備えている。
【0010】略円筒形のチャンバ11の斜め上方には、
予備室17が、チャンバ11と互いに接続した状態で配
設されている。そして、この予備室17は、配管51を
介して、後程詳細に説明する空調ユニット50と接続さ
れている。
予備室17が、チャンバ11と互いに接続した状態で配
設されている。そして、この予備室17は、配管51を
介して、後程詳細に説明する空調ユニット50と接続さ
れている。
【0011】また、予備室17内には、イオナイザ22
が配設されている。このイオナイザ22は、一対の放電
針に高電圧を印加して放電させ、そこを通過する気体を
イオン化するものであり、後述する基板Wの回転乾燥時
において、窒素ガス等との摩擦により基板Wに生じた静
電気を除去する目的で使用される。
が配設されている。このイオナイザ22は、一対の放電
針に高電圧を印加して放電させ、そこを通過する気体を
イオン化するものであり、後述する基板Wの回転乾燥時
において、窒素ガス等との摩擦により基板Wに生じた静
電気を除去する目的で使用される。
【0012】なお、イオナイザ22を予備室17内に配
設しているのは次のような理由による。すなわち、チャ
ンバ11内にイオナイザ22を設けると、基板Wより飛
散する液滴のハネを発生させ液滴が基板Wに再付着する
ことや、イオナイザ22の周辺に液滴が溜まり汚染物質
が蓄積されるという問題が生ずる。このため、イオナイ
ザ22をチャンバ11内に直接配設するかわりに、チャ
ンバ11と接続する予備室17内に配設しているのであ
る。
設しているのは次のような理由による。すなわち、チャ
ンバ11内にイオナイザ22を設けると、基板Wより飛
散する液滴のハネを発生させ液滴が基板Wに再付着する
ことや、イオナイザ22の周辺に液滴が溜まり汚染物質
が蓄積されるという問題が生ずる。このため、イオナイ
ザ22をチャンバ11内に直接配設するかわりに、チャ
ンバ11と接続する予備室17内に配設しているのであ
る。
【0013】チャンバ11の上方には開口部12が形成
されており、この開口部12の外周部にはパッキング2
3が配設されている。また、開口部12と対向する位置
には、図示しない開閉機構と接続されたカバー13が配
設されている。このため、カバー13が開口部12と対
向した状態においては、開口部12はカバー13とパッ
キング23とにより気密状態で閉鎖される。
されており、この開口部12の外周部にはパッキング2
3が配設されている。また、開口部12と対向する位置
には、図示しない開閉機構と接続されたカバー13が配
設されている。このため、カバー13が開口部12と対
向した状態においては、開口部12はカバー13とパッ
キング23とにより気密状態で閉鎖される。
【0014】チャンバ11の斜め下方には、チャンバ1
1内に供給された気体を排出するための排出口26が配
設されている。この排出口26は、排気ダンパ27を介
してクリーンルーム等に装備された排気ダクトと接続さ
れている。なお、上記排気ダンパ27は、閉鎖時にはそ
の通路を完全に密閉しうるタイプのものが使用されてい
る。
1内に供給された気体を排出するための排出口26が配
設されている。この排出口26は、排気ダンパ27を介
してクリーンルーム等に装備された排気ダクトと接続さ
れている。なお、上記排気ダンパ27は、閉鎖時にはそ
の通路を完全に密閉しうるタイプのものが使用されてい
る。
【0015】ロータ14は間隔を隔てて対向配置された
左右一対の回転フランジ31(図1においては一方のみ
図示)を複数の連結棒33で連結した構造を有する。こ
のロータ14には、複数の基板Wを支持した基板支持部
15をロータ14に固定するための支持部クランプ機構
34と、基板Wを基板支持部15に固定するための基板
クランプ機構35とが設けられている。このロータ14
は、ベルト36を介してモータ37と接続されており、
モータ37の駆動により図1における紙面に垂直な軸を
中心に高速で回転する。
左右一対の回転フランジ31(図1においては一方のみ
図示)を複数の連結棒33で連結した構造を有する。こ
のロータ14には、複数の基板Wを支持した基板支持部
15をロータ14に固定するための支持部クランプ機構
34と、基板Wを基板支持部15に固定するための基板
クランプ機構35とが設けられている。このロータ14
は、ベルト36を介してモータ37と接続されており、
モータ37の駆動により図1における紙面に垂直な軸を
中心に高速で回転する。
【0016】基板支持部15の下方には、基板支持部1
5を昇降するための支持部昇降機構16が配設されてい
る。この支持部昇降機構16は、図示しないエアシリン
ダの駆動を受けて上下移動することにより、基板支持部
15を、そこに支持した複数の基板Wを図示しないチャ
ックとの間で受け渡しする受け渡し位置と、図1に示す
位置との間で昇降させるよう構成されている。
5を昇降するための支持部昇降機構16が配設されてい
る。この支持部昇降機構16は、図示しないエアシリン
ダの駆動を受けて上下移動することにより、基板支持部
15を、そこに支持した複数の基板Wを図示しないチャ
ックとの間で受け渡しする受け渡し位置と、図1に示す
位置との間で昇降させるよう構成されている。
【0017】次に、上述した空調ユニット50の構成に
ついて説明する。図2は空調ユニット50の側断面図で
ある。
ついて説明する。図2は空調ユニット50の側断面図で
ある。
【0018】この空調ユニット50は、導入口52より
導入した外気を湿度制御および温度制御した後に、図1
に示す配管51を介して、チャンバ11とカバー13と
により形成された空間内に供給するためのものであり、
導入口52および排出口53を有する筺体60内に配設
されたプレフィルタ54と、冷却部55と、加熱部56
と、ファン57と、化学フィルタ58と、パーティクル
除去フィルタ59とを備える。
導入した外気を湿度制御および温度制御した後に、図1
に示す配管51を介して、チャンバ11とカバー13と
により形成された空間内に供給するためのものであり、
導入口52および排出口53を有する筺体60内に配設
されたプレフィルタ54と、冷却部55と、加熱部56
と、ファン57と、化学フィルタ58と、パーティクル
除去フィルタ59とを備える。
【0019】前記プレフィルタ54は、導入口52より
筐体60内に導入される外気中における比較的大きなパ
ーティクルを除去するためのものであり、例えばナイロ
ン不織布等により構成されている。
筐体60内に導入される外気中における比較的大きなパ
ーティクルを除去するためのものであり、例えばナイロ
ン不織布等により構成されている。
【0020】冷却部55は、プレフィルタ54を通過し
て供給される外気を冷却することにより除湿するための
ものであり、図示しない冷却水供給部から供給される冷
却水をその内部に通過させることにより外気を冷却する
冷却コイル72と、冷却コイル72内の一端に配設され
た開閉弁73と、第1温度センサ74を有する第1温度
コントローラ75と、筐体60の底部に穿設された図示
しないドレインとを備える。第1温度コントローラ75
は、第1温度センサ74により冷却部55を通過する外
気の温度を測定し、その測定値に基づいて開閉弁73を
駆動して冷却コイル72を通過する冷却水の流路を開閉
制御することにより、冷却部55から加熱部56に至る
外気の温度を、予めオペレータが設定した設定温度に制
御して、加熱部56に至る外気の湿度を制御するよう構
成されている。
て供給される外気を冷却することにより除湿するための
ものであり、図示しない冷却水供給部から供給される冷
却水をその内部に通過させることにより外気を冷却する
冷却コイル72と、冷却コイル72内の一端に配設され
た開閉弁73と、第1温度センサ74を有する第1温度
コントローラ75と、筐体60の底部に穿設された図示
しないドレインとを備える。第1温度コントローラ75
は、第1温度センサ74により冷却部55を通過する外
気の温度を測定し、その測定値に基づいて開閉弁73を
駆動して冷却コイル72を通過する冷却水の流路を開閉
制御することにより、冷却部55から加熱部56に至る
外気の温度を、予めオペレータが設定した設定温度に制
御して、加熱部56に至る外気の湿度を制御するよう構
成されている。
【0021】なお、この実施の形態においては、外気を
冷却することにより除湿するための手段として冷却コイ
ル72等を使用しているが、例えばペルチェ素子等のそ
の他の冷却手段を使用してもよい。また、外気を冷却す
ることなく除湿する吸湿剤等のその他の除湿機構を利用
するようにしてもよい。
冷却することにより除湿するための手段として冷却コイ
ル72等を使用しているが、例えばペルチェ素子等のそ
の他の冷却手段を使用してもよい。また、外気を冷却す
ることなく除湿する吸湿剤等のその他の除湿機構を利用
するようにしてもよい。
【0022】また、第1温度コントローラ75は警報手
段付きのものであり、第1温度センサ74によって測定
された温度が設定範囲から逸脱したとき警報を発する。
段付きのものであり、第1温度センサ74によって測定
された温度が設定範囲から逸脱したとき警報を発する。
【0023】また、第1温度センサ74に代えて加熱部
56に至る外気の湿度を直接測定する湿度センサを用
い、該湿度センサによって測定された測定値に基づいて
開閉弁73を駆動する湿度コントローラを第1温度コン
トローラ75に代えて用いても良い。
56に至る外気の湿度を直接測定する湿度センサを用
い、該湿度センサによって測定された測定値に基づいて
開閉弁73を駆動する湿度コントローラを第1温度コン
トローラ75に代えて用いても良い。
【0024】加熱部56は、冷却部55を通過して供給
される外気を加熱することにより温度制御するためのも
のであり、図示しない温水供給部から供給される温水を
その内部に通過させることにより外気を加熱する加熱コ
イル82と、加熱コイル82内の一端に配設された開閉
弁83と、第2温度センサ84を有する第2温度コント
ローラ85とを備える。第2温度コントローラ85は、
第2温度センサ84により加熱部56を通過する外気の
温度を測定し、その測定値に基づいて開閉弁83を駆動
して加熱コイル82を通過する温水の流路を開閉制御す
ることにより、加熱部56からファン57に至る外気の
温度を、予めオペレータが設定した設定温度に制御する
よう構成されている。
される外気を加熱することにより温度制御するためのも
のであり、図示しない温水供給部から供給される温水を
その内部に通過させることにより外気を加熱する加熱コ
イル82と、加熱コイル82内の一端に配設された開閉
弁83と、第2温度センサ84を有する第2温度コント
ローラ85とを備える。第2温度コントローラ85は、
第2温度センサ84により加熱部56を通過する外気の
温度を測定し、その測定値に基づいて開閉弁83を駆動
して加熱コイル82を通過する温水の流路を開閉制御す
ることにより、加熱部56からファン57に至る外気の
温度を、予めオペレータが設定した設定温度に制御する
よう構成されている。
【0025】また、第2温度コントローラ85は第1温
度コントローラ75同様、警報手段付きのものであり、
第2温度センサ84によって測定された温度が設定範囲
から逸脱したとき警報を発する。
度コントローラ75同様、警報手段付きのものであり、
第2温度センサ84によって測定された温度が設定範囲
から逸脱したとき警報を発する。
【0026】なお、この実施の形態においては、外気を
加熱するための手段として加熱コイル82等を使用して
いるが、例えばヒータ等のその他の加熱手段を使用して
もよい。
加熱するための手段として加熱コイル82等を使用して
いるが、例えばヒータ等のその他の加熱手段を使用して
もよい。
【0027】ファン57は前述した導入口52より外気
を強制的に導入し、排出口53および配管51を介して
チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に
強制的に供給するためのものである。このファン57
は、ファン57と化学フィルタ58との間に形成された
空間92の圧力を測定する圧力センサ93を有する圧力
コントローラ94の制御により駆動する。
を強制的に導入し、排出口53および配管51を介して
チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内に
強制的に供給するためのものである。このファン57
は、ファン57と化学フィルタ58との間に形成された
空間92の圧力を測定する圧力センサ93を有する圧力
コントローラ94の制御により駆動する。
【0028】なお、圧力コントローラ94は警報手段付
きのものであり、圧力センサ93によって測定された圧
力が設定範囲から逸脱したとき警報を発する。
きのものであり、圧力センサ93によって測定された圧
力が設定範囲から逸脱したとき警報を発する。
【0029】なお、図1に示す排出口26は、排気ダン
パ27を介してクリーンルーム等に装備された排気ダク
トと接続されていることから、このファン57を省略す
ることも可能である。但し、このようなファン57を配
設することにより、排気ダクトによる排気条件に変動が
あった場合等においても、この変動により基板Wの乾燥
状態が変動することを防止することが可能となる。
パ27を介してクリーンルーム等に装備された排気ダク
トと接続されていることから、このファン57を省略す
ることも可能である。但し、このようなファン57を配
設することにより、排気ダクトによる排気条件に変動が
あった場合等においても、この変動により基板Wの乾燥
状態が変動することを防止することが可能となる。
【0030】化学フィルタ58は化学吸着フィルタ等と
も呼称され、そこを通過する気体中の化学物質を化学的
に吸着して除去するためのものである。この化学フィル
タ58は、例えば活性炭素やアルミナ等を含む材質から
形成され、そこを通過する気体中の酸やアルカリを除去
するように構成されている。この化学フィルタ58は、
特にこの回転式基板乾燥装置を基板洗浄装置等と組み合
わせて設置した場合等に有効となる。
も呼称され、そこを通過する気体中の化学物質を化学的
に吸着して除去するためのものである。この化学フィル
タ58は、例えば活性炭素やアルミナ等を含む材質から
形成され、そこを通過する気体中の酸やアルカリを除去
するように構成されている。この化学フィルタ58は、
特にこの回転式基板乾燥装置を基板洗浄装置等と組み合
わせて設置した場合等に有効となる。
【0031】パーティクル除去フィルタ59としては、
HEPA(High Efficiency Part
iculate)フィルタまたはULPA(Uitra
High Efficiency Particul
ate)フィルタと呼称されるものが使用される。この
パーティクル除去フィルタ59は、そこを通過する気体
中の微細なパーティクルを除去する機能を有する。
HEPA(High Efficiency Part
iculate)フィルタまたはULPA(Uitra
High Efficiency Particul
ate)フィルタと呼称されるものが使用される。この
パーティクル除去フィルタ59は、そこを通過する気体
中の微細なパーティクルを除去する機能を有する。
【0032】次に、この回転式基板乾燥装置による基板
Wの乾燥動作について説明する。図3および図4は基板
の乾燥動作を示すフローチャートである。
Wの乾燥動作について説明する。図3および図4は基板
の乾燥動作を示すフローチャートである。
【0033】初期状態においては、カバー13と排気ダ
ンパ27とは閉鎖されている。この状態において、排気
ダンパ27を開放する(ステップS1)。また、空調ユ
ニット50を起動する(ステップS2)。
ンパ27とは閉鎖されている。この状態において、排気
ダンパ27を開放する(ステップS1)。また、空調ユ
ニット50を起動する(ステップS2)。
【0034】これに伴い、冷却部55、加熱部56およ
びファン57が駆動し、導入口52より筐体60内に導
入された外気は、先ず冷却部55により冷却されて湿度
制御され、次に加熱部56により加熱されて温度制御さ
れ、さらに化学フィルタ58およびパーティクル除去フ
ィルタ59を通過することにより酸やアルカリ等の化学
成分およびパーティクル等を除去された後、排出口53
および配管51を介してチャンバ11とカバー13とに
より形成された空間内に供給される。これにより、チャ
ンバ11とカバー13とにより形成された空間内は、湿
度制御され、かつ、温度制御された気体によりパージさ
れる。
びファン57が駆動し、導入口52より筐体60内に導
入された外気は、先ず冷却部55により冷却されて湿度
制御され、次に加熱部56により加熱されて温度制御さ
れ、さらに化学フィルタ58およびパーティクル除去フ
ィルタ59を通過することにより酸やアルカリ等の化学
成分およびパーティクル等を除去された後、排出口53
および配管51を介してチャンバ11とカバー13とに
より形成された空間内に供給される。これにより、チャ
ンバ11とカバー13とにより形成された空間内は、湿
度制御され、かつ、温度制御された気体によりパージさ
れる。
【0035】次に、排気ダンパ27を閉鎖すると共に
(ステップS3)、カバー13を開放する(ステップS
4)。そして、基板支持部15を昇降させることによ
り、開口部12を介して、図示しないチャックにより搬
送された複数の基板Wをチャンバ11内に搬入する(ス
テップS5)。
(ステップS3)、カバー13を開放する(ステップS
4)。そして、基板支持部15を昇降させることによ
り、開口部12を介して、図示しないチャックにより搬
送された複数の基板Wをチャンバ11内に搬入する(ス
テップS5)。
【0036】チャンバ11内への基板Wの搬入が完了す
れば、カバー13を閉鎖した後(ステップS6)、排気
ダンパ27を開放する(ステップS7)。この状態にお
いても空調ユニット50は駆動を続けており、チャンバ
11とカバー13とにより形成された空間内には、湿度
制御され、かつ、温度制御された気体が供給されてい
る。
れば、カバー13を閉鎖した後(ステップS6)、排気
ダンパ27を開放する(ステップS7)。この状態にお
いても空調ユニット50は駆動を続けており、チャンバ
11とカバー13とにより形成された空間内には、湿度
制御され、かつ、温度制御された気体が供給されてい
る。
【0037】次に、イオナイザ22を作動させてそこを
通過する気体をイオン化する(ステップS8)。この状
態において、ロータ14を回転させることにより基板W
をその主面の中心部付近を回転中心として回転させ(ス
テップS9)、基板Wに付着した液滴を回転による遠心
力で除去すると共に、配管51より導入される湿度制御
され、かつ、温度制御された気体により基板W表面の液
滴の乾燥を促進させる。これにより、基板Wの乾燥状態
を一定に維持することが可能となり、基板Wの乾燥時に
乾燥不良が生ずることはない。基板Wより除去された液
滴は、気体の流れに乗って排出口26から排出される。
通過する気体をイオン化する(ステップS8)。この状
態において、ロータ14を回転させることにより基板W
をその主面の中心部付近を回転中心として回転させ(ス
テップS9)、基板Wに付着した液滴を回転による遠心
力で除去すると共に、配管51より導入される湿度制御
され、かつ、温度制御された気体により基板W表面の液
滴の乾燥を促進させる。これにより、基板Wの乾燥状態
を一定に維持することが可能となり、基板Wの乾燥時に
乾燥不良が生ずることはない。基板Wより除去された液
滴は、気体の流れに乗って排出口26から排出される。
【0038】この状態で時間Tが経過して基板Wが完全
に乾燥すれば(ステップS10)、ロータ14の回転を
停止する(ステップS11)。また、イオナイザ22を
停止させると共に(ステップS12)、排気ダンパ27
を閉鎖する(ステップS13)。そして、カバー13を
開放し(ステップS14)、支持部昇降機構16で基板
支持部15を上昇させることにより、基板Wをチャンバ
11内より搬出する(ステップS15)。
に乾燥すれば(ステップS10)、ロータ14の回転を
停止する(ステップS11)。また、イオナイザ22を
停止させると共に(ステップS12)、排気ダンパ27
を閉鎖する(ステップS13)。そして、カバー13を
開放し(ステップS14)、支持部昇降機構16で基板
支持部15を上昇させることにより、基板Wをチャンバ
11内より搬出する(ステップS15)。
【0039】基板Wの搬出が完了すれば、空調ユニット
50の駆動を停止すると共に(ステップS16)、カバ
ー13を閉鎖して(ステップS17)処理を終了する。
50の駆動を停止すると共に(ステップS16)、カバ
ー13を閉鎖して(ステップS17)処理を終了する。
【0040】上述した回転式基板乾燥装置においては、
冷却部55により冷却されて湿度制御され、かつ、加熱
部56により加熱されて温度制御された気体が、チャン
バ11とカバー13とにより形成された空間内に供給さ
れ、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間
内は、湿度制御され、かつ、温度制御された気体により
パージされる。このため、基板Wの種類やその表面に形
成された膜の性質に応じた最適湿度および最適温度で基
板Wを乾燥することができる。従って、基板Wの乾燥状
態を再現性も含めて管理することができる。
冷却部55により冷却されて湿度制御され、かつ、加熱
部56により加熱されて温度制御された気体が、チャン
バ11とカバー13とにより形成された空間内に供給さ
れ、チャンバ11とカバー13とにより形成された空間
内は、湿度制御され、かつ、温度制御された気体により
パージされる。このため、基板Wの種類やその表面に形
成された膜の性質に応じた最適湿度および最適温度で基
板Wを乾燥することができる。従って、基板Wの乾燥状
態を再現性も含めて管理することができる。
【0041】また、上述した回転式基板乾燥装置におい
ては、化学フィルタ58およびパーティクル除去フィル
タ59を通過することにより酸やアルカリ等の化学成分
およびパーティクル等を除去された気体が、チャンバ1
1とカバー13とにより形成された空間内に供給され、
チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内は
この気体によりパージされる。従って、例えば酸成分が
基板Wに付着した液滴中に溶け込んで基板Wの表面で酸
化を生じウォータマークを生成する等の化学成分による
乾燥不良を防止することが可能となる。
ては、化学フィルタ58およびパーティクル除去フィル
タ59を通過することにより酸やアルカリ等の化学成分
およびパーティクル等を除去された気体が、チャンバ1
1とカバー13とにより形成された空間内に供給され、
チャンバ11とカバー13とにより形成された空間内は
この気体によりパージされる。従って、例えば酸成分が
基板Wに付着した液滴中に溶け込んで基板Wの表面で酸
化を生じウォータマークを生成する等の化学成分による
乾燥不良を防止することが可能となる。
【0042】なお、上述した実施の形態においては、外
気を湿度制御するために空調ユニット50の冷却部55
を使用しているが、チャンバ11とカバー13とにより
形成された空間内に、計装用エアと呼称されるドライエ
アを温度制御した後導入することにより、冷却部55を
省略するようにしてもよい。また、チャンバ11とカバ
ー13とにより形成された空間内に外気を導入するかわ
りに、湿度制御され、かつ、温度制御された窒素ガス等
の他の気体を導入するようにしてもよい。
気を湿度制御するために空調ユニット50の冷却部55
を使用しているが、チャンバ11とカバー13とにより
形成された空間内に、計装用エアと呼称されるドライエ
アを温度制御した後導入することにより、冷却部55を
省略するようにしてもよい。また、チャンバ11とカバ
ー13とにより形成された空間内に外気を導入するかわ
りに、湿度制御され、かつ、温度制御された窒素ガス等
の他の気体を導入するようにしてもよい。
【0043】また、上述した実施の形態においては、基
板Wをその主面に垂直な軸を回転中心として回転させる
ことにより乾燥する横軸式の基板乾燥装置にこの発明を
適用した場合について説明したが、縦軸式等の他の回転
式基板乾燥装置にこの発明を適用することもできる。
板Wをその主面に垂直な軸を回転中心として回転させる
ことにより乾燥する横軸式の基板乾燥装置にこの発明を
適用した場合について説明したが、縦軸式等の他の回転
式基板乾燥装置にこの発明を適用することもできる。
【0044】さらに、上述した実施の形態においては、
複数の基板Wを直接基板支持部15で支持して回転させ
る構成をとっているが、複数の基板Wをカセットに収納
した状態で回転させる構成としてもよく、さらには、単
一の基板Wをスピンチャック等により保持して回転させ
る回転式基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。
複数の基板Wを直接基板支持部15で支持して回転させ
る構成をとっているが、複数の基板Wをカセットに収納
した状態で回転させる構成としてもよく、さらには、単
一の基板Wをスピンチャック等により保持して回転させ
る回転式基板乾燥装置にこの発明を適用してもよい。
【0045】また、上述した実施の形態においては、基
板Wとして略円形の半導体ウエハを使用した場合につい
て説明したが、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体製
造装置用マスク基板等の他の基板を乾燥する回転式基板
乾燥装置にこの発明を適用することも可能である。
板Wとして略円形の半導体ウエハを使用した場合につい
て説明したが、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体製
造装置用マスク基板等の他の基板を乾燥する回転式基板
乾燥装置にこの発明を適用することも可能である。
【0046】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、チャン
バとカバーとにより形成された空間内に湿度制御され、
かつ、温度制御された気体を供給する気体供給手段を備
えることから、基板を一定の状態で乾燥することが可能
となり、上記空間に導入される外気の温度や湿度の変動
により生ずる乾燥不良を防止することができる。このた
め、成膜不良に起因する製品の歩留まりの低下を防止す
ることが可能となる。
バとカバーとにより形成された空間内に湿度制御され、
かつ、温度制御された気体を供給する気体供給手段を備
えることから、基板を一定の状態で乾燥することが可能
となり、上記空間に導入される外気の温度や湿度の変動
により生ずる乾燥不良を防止することができる。このた
め、成膜不良に起因する製品の歩留まりの低下を防止す
ることが可能となる。
【0047】請求項2に記載の発明によれば、そこに導
入される気体を冷却することにより除湿する冷却部と前
記冷却部により除湿された気体を加熱する加熱部とを備
えた空調ユニットを有していることから、空調ユニット
の冷却部と加熱部とにより、チャンバとカバーとにより
形成された空間内に導入される気体を効率的に湿度制御
および温度制御することができる。このため、外気の温
度や湿度の変動により生ずる乾燥不良を防止することが
でき、成膜不良に起因する製品の歩留まりの低下を防止
することが可能となる。
入される気体を冷却することにより除湿する冷却部と前
記冷却部により除湿された気体を加熱する加熱部とを備
えた空調ユニットを有していることから、空調ユニット
の冷却部と加熱部とにより、チャンバとカバーとにより
形成された空間内に導入される気体を効率的に湿度制御
および温度制御することができる。このため、外気の温
度や湿度の変動により生ずる乾燥不良を防止することが
でき、成膜不良に起因する製品の歩留まりの低下を防止
することが可能となる。
【図1】この発明に係る回転式基板乾燥装置の側断面図
である。
である。
【図2】空調ユニット50の側断面図である。
【図3】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
【図4】基板の乾燥動作を示すフローチャートである。
11 チャンバ 12 開口部 13 カバー 15 基板支持部 17 予備室 26 排出口 27 排気ダンパ 50 空調ユニット 51 配管 52 導入口 53 排出口 54 プレフィルタ 55 冷却部 56 加熱部 57 ファン 58 化学フィルタ 59 パーティクル除去フィルタ 60 筐体 72 冷却コイル 73 開閉弁 74 第1温度センサ 75 第1温度コントローラ 82 加熱コイル 83 開閉弁 84 第2温度センサ 85 第2温度コントローラ W 基板
Claims (2)
- 【請求項1】 基板を回転させることにより基板に付着
した液滴を除去して乾燥させる回転式基板乾燥装置にお
いて、 基板を通過させるための開口部を有するチャンバと、 前記開口部を閉鎖するためのカバーと、 前記チャンバとカバーとにより形成された空間内に湿度
制御され、かつ、温度制御された気体を供給する気体供
給手段と、 を備えることを特徴とする回転式基板乾燥装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の回転式基板乾燥装置に
おいて、 前記気体供給手段は、前記チャンバとカバーとにより形
成された空間内に導入される気体を湿度制御および温度
制御するための空調ユニットを有し、当該空調ユニット
は、そこに導入される気体を冷却することにより除湿す
る冷却部と、前記冷却部により除湿された気体を加熱す
る加熱部とを備える回転式基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35489796A JPH10189530A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 回転式基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35489796A JPH10189530A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 回転式基板乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189530A true JPH10189530A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18440652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35489796A Pending JPH10189530A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 回転式基板乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189530A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518334A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 中空コアスピンドルと、該中空コアスピンドルを含む回転・すすぎ・乾燥モジュール |
| JP2003530714A (ja) * | 2000-03-31 | 2003-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ処理システムおよびウエハを処理するための方法 |
| JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2011187851A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2013206927A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置 |
| KR20190045521A (ko) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 주식회사 앤아이윈 | 온도 및 습도 조절형 ?클린장비용 다층 및 멀티 웨이퍼 공정챔버의 제어장치 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP35489796A patent/JPH10189530A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518334A (ja) * | 1999-12-23 | 2003-06-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 中空コアスピンドルと、該中空コアスピンドルを含む回転・すすぎ・乾燥モジュール |
| JP2003530714A (ja) * | 2000-03-31 | 2003-10-14 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ処理システムおよびウエハを処理するための方法 |
| JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2011187851A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2013206927A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置 |
| KR20190045521A (ko) * | 2017-10-24 | 2019-05-03 | 주식회사 앤아이윈 | 온도 및 습도 조절형 ?클린장비용 다층 및 멀티 웨이퍼 공정챔버의 제어장치 |
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