JPH10189702A - ウェハキャリア - Google Patents
ウェハキャリアInfo
- Publication number
- JPH10189702A JPH10189702A JP35082096A JP35082096A JPH10189702A JP H10189702 A JPH10189702 A JP H10189702A JP 35082096 A JP35082096 A JP 35082096A JP 35082096 A JP35082096 A JP 35082096A JP H10189702 A JPH10189702 A JP H10189702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- wafer
- semiconductor wafer
- side wall
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハとキャリア溝部側壁との接触部
近傍に形成される処理液停滞領域を大幅に低減させた、
洗浄やウェットエッチング工程で使用するウェハキャリ
アを提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ２の水平方向の直径に対応
する水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より距離ｈだけ上方の所定
位置（Ｌ2 −Ｌ2 ）にあるウェハキャリア１のキャリア
溝部側壁、即ち側壁部３の側壁柱状部３ｄ表面に凸部４
０を設ける。 【効果】 半導体装置の製造歩留向上が可能となる。
近傍に形成される処理液停滞領域を大幅に低減させた、
洗浄やウェットエッチング工程で使用するウェハキャリ
アを提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ２の水平方向の直径に対応
する水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より距離ｈだけ上方の所定
位置（Ｌ2 −Ｌ2 ）にあるウェハキャリア１のキャリア
溝部側壁、即ち側壁部３の側壁柱状部３ｄ表面に凸部４
０を設ける。 【効果】 半導体装置の製造歩留向上が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハキャリアに関
し、さらに詳しくは、半導体装置の製造における洗浄や
ウェットエッチング工程で使用する、半導体ウェハ収納
用のウェハキャリアに関する。
し、さらに詳しくは、半導体装置の製造における洗浄や
ウェットエッチング工程で使用する、半導体ウェハ収納
用のウェハキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、通常２５
枚程度の半導体ウェハを収納するウェハキャリアに半導
体ウェハを収納し、このウェハキャリアに収納された半
導体ウェハを一つのロット単位として、多数枚の半導体
ウェハを同時に処理する処理作業や各処理工程間の移動
等に、ウェハキャリアが使用される。このウェハキャリ
アの材質や形状は、使用目的に応じて種々のものがあ
り、特に、多数枚の半導体ウェハ処理を同時に行う、洗
浄やウェットエッチング工程に使用するウェハキャリア
は、処理の均一性や耐薬液性等を考慮した形状、材質に
なっている。
枚程度の半導体ウェハを収納するウェハキャリアに半導
体ウェハを収納し、このウェハキャリアに収納された半
導体ウェハを一つのロット単位として、多数枚の半導体
ウェハを同時に処理する処理作業や各処理工程間の移動
等に、ウェハキャリアが使用される。このウェハキャリ
アの材質や形状は、使用目的に応じて種々のものがあ
り、特に、多数枚の半導体ウェハ処理を同時に行う、洗
浄やウェットエッチング工程に使用するウェハキャリア
は、処理の均一性や耐薬液性等を考慮した形状、材質に
なっている。
【０００３】ここで、洗浄やウェットエッチング工程に
使用される、従来例のテフロン製ウェハキャリアの一例
を、図５〜図６を参照して説明する。ここで、図５はウ
ェハキャリア１の概略斜視図であり、図６はウェハキャ
リア１の詳細を説明する図で、（ａ）はウェハキャリア
１に半導体ウェハ２が収納された状態における、半導体
ウェハ２面と平行方向のウェハキャリア１の概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における概略断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における概略断面図、（ｄ）
は（ａ）のＣ−Ｃ部における概略断面図である。
使用される、従来例のテフロン製ウェハキャリアの一例
を、図５〜図６を参照して説明する。ここで、図５はウ
ェハキャリア１の概略斜視図であり、図６はウェハキャ
リア１の詳細を説明する図で、（ａ）はウェハキャリア
１に半導体ウェハ２が収納された状態における、半導体
ウェハ２面と平行方向のウェハキャリア１の概略断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における概略断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における概略断面図、（ｄ）
は（ａ）のＣ−Ｃ部における概略断面図である。
【０００４】ウェハキャリア１の長手方向の両側壁部３
には、図５に示すように、半導体ウェハ２を所定の間隔
を持たせて保持する、ほぼ三角形状をしたキャリア溝部
４が対向して設けられており、この対向する各キャリア
溝部４に半導体ウェハ２が収納される。また、ウェハキ
ャリア１の半導体ウェハ２面に平方方向の両側壁には、
平坦面のキャリアフラット板５と、平坦面の一部に切り
込みのあるキャリアフラット板６が設けられている。
には、図５に示すように、半導体ウェハ２を所定の間隔
を持たせて保持する、ほぼ三角形状をしたキャリア溝部
４が対向して設けられており、この対向する各キャリア
溝部４に半導体ウェハ２が収納される。また、ウェハキ
ャリア１の半導体ウェハ２面に平方方向の両側壁には、
平坦面のキャリアフラット板５と、平坦面の一部に切り
込みのあるキャリアフラット板６が設けられている。
【０００５】洗浄やウェットエッチング工程に使用され
る上述したウェハキャリア１は、半導体ウェハ２の洗浄
効果の均一性や、ウェットエッチングの均一性を考慮し
て、出来るだけ処理液の停滞部分を低減するために、図
６（ａ）に示すような概略断面構造となっている。即
ち、ウェハキャリア１の補強部ともなっている、長手方
向の両側壁の側壁上部３ａ、側壁中央部３ｂおよび側壁
下部３ｃには、三角形状をしたキャリア溝部４（図６
（ｃ）および図６（ｄ）参照）が形成されているが、側
壁上部３ａと側壁中央部３ｂ間、および側壁中央部３ｂ
と側壁下部３ｃ間は三角形状をしたキャリア溝部４底部
が除去され側壁柱状部３ｄが並んだ形状（図６（ｂ）参
照）となっていて、処理液がこの側壁柱状部３ｄ間を横
方向にも移動でき、処理液の停滞部分を低減させる構造
となっている。
る上述したウェハキャリア１は、半導体ウェハ２の洗浄
効果の均一性や、ウェットエッチングの均一性を考慮し
て、出来るだけ処理液の停滞部分を低減するために、図
６（ａ）に示すような概略断面構造となっている。即
ち、ウェハキャリア１の補強部ともなっている、長手方
向の両側壁の側壁上部３ａ、側壁中央部３ｂおよび側壁
下部３ｃには、三角形状をしたキャリア溝部４（図６
（ｃ）および図６（ｄ）参照）が形成されているが、側
壁上部３ａと側壁中央部３ｂ間、および側壁中央部３ｂ
と側壁下部３ｃ間は三角形状をしたキャリア溝部４底部
が除去され側壁柱状部３ｄが並んだ形状（図６（ｂ）参
照）となっていて、処理液がこの側壁柱状部３ｄ間を横
方向にも移動でき、処理液の停滞部分を低減させる構造
となっている。
【０００６】次に、上述したウェハキャリア１を使用す
る、半導体ウェハ２の洗浄やウェットエッチング工程の
製造装置、例えば洗浄装置を、洗浄装置の要部である洗
浄槽部１０を示す図７を参照して説明する。洗浄槽部１
０には、図７に示すように、薬液や純水等の洗浄液１２
を、洗浄液供給部（図示省略）より洗浄槽１１内に送り
込む配管１３が洗浄槽１１底部に設けられ、洗浄槽１１
底部より上方には、配管１３より導入された洗浄液１２
を層流とするための、小孔１４ａを設けた層流板１４が
設けられている。配管１３より導入された洗浄液１２
は、層流板１４を介して層流状となって洗浄槽１１を満
たし、洗浄槽１１側壁の上部よりオーバーフローして、
排液容器（図示省略）に入り、排液容器に設けられた排
液管より排出される。半導体ウェハ２を収納したウェハ
キャリア１は、上述した洗浄槽部１０の層流板１４上に
載置されて、半導体ウェハ２の洗浄が行われる。
る、半導体ウェハ２の洗浄やウェットエッチング工程の
製造装置、例えば洗浄装置を、洗浄装置の要部である洗
浄槽部１０を示す図７を参照して説明する。洗浄槽部１
０には、図７に示すように、薬液や純水等の洗浄液１２
を、洗浄液供給部（図示省略）より洗浄槽１１内に送り
込む配管１３が洗浄槽１１底部に設けられ、洗浄槽１１
底部より上方には、配管１３より導入された洗浄液１２
を層流とするための、小孔１４ａを設けた層流板１４が
設けられている。配管１３より導入された洗浄液１２
は、層流板１４を介して層流状となって洗浄槽１１を満
たし、洗浄槽１１側壁の上部よりオーバーフローして、
排液容器（図示省略）に入り、排液容器に設けられた排
液管より排出される。半導体ウェハ２を収納したウェハ
キャリア１は、上述した洗浄槽部１０の層流板１４上に
載置されて、半導体ウェハ２の洗浄が行われる。
【０００７】また、半導体ウェハ２の洗浄やウェットエ
ッチング工程の製造装置の他の例として、洗浄装置にて
洗浄された半導体ウェハ２を乾燥させるスピンドライア
２０は、図８に示すように、回転体部２１と外壁部２２
とで概略構成されている。回転体部２１はモータ（図示
省略）と直結していて、回転体部２１に設置されるウェ
ハキャリア１に収納された半導体ウェハ２面上の洗浄液
を遠心力により飛散させて乾燥させる。飛散した洗浄液
は外壁部２２に向かい、外壁部２２内壁に沿って下方に
流れて、外壁部２２の下方に設けられた排水管より排出
される。
ッチング工程の製造装置の他の例として、洗浄装置にて
洗浄された半導体ウェハ２を乾燥させるスピンドライア
２０は、図８に示すように、回転体部２１と外壁部２２
とで概略構成されている。回転体部２１はモータ（図示
省略）と直結していて、回転体部２１に設置されるウェ
ハキャリア１に収納された半導体ウェハ２面上の洗浄液
を遠心力により飛散させて乾燥させる。飛散した洗浄液
は外壁部２２に向かい、外壁部２２内壁に沿って下方に
流れて、外壁部２２の下方に設けられた排水管より排出
される。
【０００８】しかしながら、上述した洗浄装置の洗浄槽
部１０に設置されて洗浄する半導体ウェハ２の洗浄効果
の均一性や、上述したスピンドライア２０による半導体
ウェハ２の乾燥の完全性等に関して、上述したウェハキ
ャリア１の構造では未だ不十分である。これは、ウェハ
キャリア１のほぼ三角形状をしたキャリア溝部４に半導
体ウェハ２が収納された状態において、半導体ウェハ２
はキャリア溝部４のいずれか一方の側壁に接触し、この
接触したキャリア溝部４側壁と半導体ウェハ２に挟まれ
た部分に、洗浄液１２の流れが滞る停滞領域がある為で
ある。この半導体ウェハ２とキャリア溝部４側壁とが接
触し、停滞領域の形成される箇所は、側壁部３の側壁中
央部３ｂである。
部１０に設置されて洗浄する半導体ウェハ２の洗浄効果
の均一性や、上述したスピンドライア２０による半導体
ウェハ２の乾燥の完全性等に関して、上述したウェハキ
ャリア１の構造では未だ不十分である。これは、ウェハ
キャリア１のほぼ三角形状をしたキャリア溝部４に半導
体ウェハ２が収納された状態において、半導体ウェハ２
はキャリア溝部４のいずれか一方の側壁に接触し、この
接触したキャリア溝部４側壁と半導体ウェハ２に挟まれ
た部分に、洗浄液１２の流れが滞る停滞領域がある為で
ある。この半導体ウェハ２とキャリア溝部４側壁とが接
触し、停滞領域の形成される箇所は、側壁部３の側壁中
央部３ｂである。
【０００９】上述した洗浄液１２の停滞領域形成状態
を、側壁部３の側壁中央部３ｂ近傍、即ち図６のＰ部の
詳細図である図９を参照して説明する。ここで、図９の
（ａ）は図６のＰ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ
部における概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ部にお
ける概略断面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ部における概
略断面図である。ウェハキャリア１のキャリア溝部４に
収納される半導体ウェハ２は、側壁部３の側壁中央部３
ｂのキャリア溝部４のいずれか一方の側壁に接触した状
態（図９（ｄ）参照）で、図９（ｂ）に示すように傾い
て収納されている。半導体ウェハ２とキャリア溝部４側
壁とが接触している近傍には、図９（ｄ）や図９（ａ）
に示すように、洗浄槽部１０での洗浄時における洗浄液
の流れが滞る領域、又はスピンドライア２０での遠心力
を利用した乾燥時における洗浄液の飛散し難い領域であ
る洗浄液停滞領域３０が形成される。因みに、側壁柱状
部３ｄは、図９（ｃ）に示すようになっていて、半導体
ウェハ２が側壁柱状部３ｄのキャリア溝部４側壁と接触
せず、又キャリア溝部４底部が除去された構造のために
洗浄液１２が横方向にも移動できるため、半導体ウェハ
２の洗浄効果向上が期待できる構造になっている。
を、側壁部３の側壁中央部３ｂ近傍、即ち図６のＰ部の
詳細図である図９を参照して説明する。ここで、図９の
（ａ）は図６のＰ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ
部における概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ部にお
ける概略断面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ部における概
略断面図である。ウェハキャリア１のキャリア溝部４に
収納される半導体ウェハ２は、側壁部３の側壁中央部３
ｂのキャリア溝部４のいずれか一方の側壁に接触した状
態（図９（ｄ）参照）で、図９（ｂ）に示すように傾い
て収納されている。半導体ウェハ２とキャリア溝部４側
壁とが接触している近傍には、図９（ｄ）や図９（ａ）
に示すように、洗浄槽部１０での洗浄時における洗浄液
の流れが滞る領域、又はスピンドライア２０での遠心力
を利用した乾燥時における洗浄液の飛散し難い領域であ
る洗浄液停滞領域３０が形成される。因みに、側壁柱状
部３ｄは、図９（ｃ）に示すようになっていて、半導体
ウェハ２が側壁柱状部３ｄのキャリア溝部４側壁と接触
せず、又キャリア溝部４底部が除去された構造のために
洗浄液１２が横方向にも移動できるため、半導体ウェハ
２の洗浄効果向上が期待できる構造になっている。
【００１０】上述した洗浄液１２の洗浄液停滞領域３０
が形成されて、この部分の洗浄が不完全になったり、又
乾燥が不完全となったりすると、半導体ウェハ表面が汚
染された状態で半導体装置を作製することとなり、半導
体装置の製造歩留が低下するという問題が発生する。
が形成されて、この部分の洗浄が不完全になったり、又
乾燥が不完全となったりすると、半導体ウェハ表面が汚
染された状態で半導体装置を作製することとなり、半導
体装置の製造歩留が低下するという問題が発生する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したウ
ェハキャリアにおける問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハとキャリア
溝部側壁との接触部近傍に形成される処理液停滞領域を
大幅に低減させた、洗浄やウェットエッチング工程で使
用するウェハキャリアを提供することを目的とする。
ェハキャリアにおける問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハとキャリア
溝部側壁との接触部近傍に形成される処理液停滞領域を
大幅に低減させた、洗浄やウェットエッチング工程で使
用するウェハキャリアを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハキャリア
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
半導体ウェハの洗浄およびウエットエッチング工程で使
用するウェハキャリアにおいて、ウェハキャリアに前記
半導体ウェハが収納された状態における、半導体ウェハ
の水平方向の直径に対応する水平位置より上方の所定位
置にあるウェハキャリアのキャリア溝部側壁に凸部を設
けたことを特徴とするものである。
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
半導体ウェハの洗浄およびウエットエッチング工程で使
用するウェハキャリアにおいて、ウェハキャリアに前記
半導体ウェハが収納された状態における、半導体ウェハ
の水平方向の直径に対応する水平位置より上方の所定位
置にあるウェハキャリアのキャリア溝部側壁に凸部を設
けたことを特徴とするものである。
【００１３】本発明によれば、ウェハキャリアに前記半
導体ウェハが収納された状態における、半導体ウェハの
水平方向の直径に対応する水平位置より上方の所定位置
にあるウェハキャリアのキャリア溝部側壁に凸部を設け
たことにより、半導体ウェハの洗浄、又はウエットエッ
チング時に半導体ウェハとキャリア溝部側壁とが接触す
る場所に形成される処理液の停滞領域が大幅に減少す
る。従って、半導体ウェハの洗浄の不完全性やエッチン
グの不均一性等に起因した半導体装置の特性不良等が減
少し、半導体装置の製造歩留が向上する。
導体ウェハが収納された状態における、半導体ウェハの
水平方向の直径に対応する水平位置より上方の所定位置
にあるウェハキャリアのキャリア溝部側壁に凸部を設け
たことにより、半導体ウェハの洗浄、又はウエットエッ
チング時に半導体ウェハとキャリア溝部側壁とが接触す
る場所に形成される処理液の停滞領域が大幅に減少す
る。従って、半導体ウェハの洗浄の不完全性やエッチン
グの不均一性等に起因した半導体装置の特性不良等が減
少し、半導体装置の製造歩留が向上する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図５〜図６中の構成部分と同様の構成
部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図５〜図６中の構成部分と同様の構成
部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１５】本実施の形態例は半導体ウェハの洗浄やウ
エットエッチング工程で使用するウェハキャリアに本発
明を適用した例であり、これを従来例の説明に用いた図
５〜図６と、図１〜図４を参照して説明する。洗浄やウ
エットエッチング工程に使用する、本実施の形態例のウ
ェハキャリア１の基本的構造は、従来例で用いた図５お
よび図６に示したものと同様なので、基本的構造の説明
は省略する。
エットエッチング工程で使用するウェハキャリアに本発
明を適用した例であり、これを従来例の説明に用いた図
５〜図６と、図１〜図４を参照して説明する。洗浄やウ
エットエッチング工程に使用する、本実施の形態例のウ
ェハキャリア１の基本的構造は、従来例で用いた図５お
よび図６に示したものと同様なので、基本的構造の説明
は省略する。
【００１６】まず、本実施の形態例のウェハキャリア１
は、図１に示すように、半導体ウェハ２をウェハキャリ
ア１に収納した状態における、半導体ウェハ２の水平方
向の直径に対応する水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より上方の
所定位置、例えば半導体ウェハ２の周縁部とキャリア溝
部４（図５参照）上部とが平面的に見て交差する位置に
略等しい、例えば交差する位置より２〜３ｍｍ下方の位
置（Ｌ2 −Ｌ2 ）、即ち水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より距
離ｈだけ上方にある位置（Ｌ2 −Ｌ2 ）のキャリア溝部
４側壁、即ち側壁部３の側壁柱状部３ｄ表面に凸部４０
が設けられている。
は、図１に示すように、半導体ウェハ２をウェハキャリ
ア１に収納した状態における、半導体ウェハ２の水平方
向の直径に対応する水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より上方の
所定位置、例えば半導体ウェハ２の周縁部とキャリア溝
部４（図５参照）上部とが平面的に見て交差する位置に
略等しい、例えば交差する位置より２〜３ｍｍ下方の位
置（Ｌ2 −Ｌ2 ）、即ち水平位置（Ｌ1 −Ｌ1 ）より距
離ｈだけ上方にある位置（Ｌ2 −Ｌ2 ）のキャリア溝部
４側壁、即ち側壁部３の側壁柱状部３ｄ表面に凸部４０
が設けられている。
【００１７】次に、上述の凸部４０の詳細を図２〜図４
を参照して説明する。ここで、図２（ａ）は図１のＱ部
の拡大図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＧ−Ｇ部における
概略断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＨ−Ｈ部におけ
る概略断面図、図２（ｄ）は図２（ａ）のＩ−Ｉ部にお
ける概略断面図である。また、図３は、図２（ａ）のＪ
−Ｊ部における概略断面図であり、図４は図２（ａ）の
Ｒ部における側壁柱状部３ｄを横向きにし、等高線を入
れて凸部４０の形状を示した、概略斜視図である。ウェ
ハキャリア１に収納された半導体ウェハ２は、図２
（ｃ）および図３に示すように、側壁柱状部３ｄ表面に
設けられた凸部４０に接触した状態で支持される。従っ
て、図２（ｄ）に示すように、側壁中央部３ｂにおいて
は、半導体ウェハ２がキャリア溝部４側壁に接触しな
い。
を参照して説明する。ここで、図２（ａ）は図１のＱ部
の拡大図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＧ−Ｇ部における
概略断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＨ−Ｈ部におけ
る概略断面図、図２（ｄ）は図２（ａ）のＩ−Ｉ部にお
ける概略断面図である。また、図３は、図２（ａ）のＪ
−Ｊ部における概略断面図であり、図４は図２（ａ）の
Ｒ部における側壁柱状部３ｄを横向きにし、等高線を入
れて凸部４０の形状を示した、概略斜視図である。ウェ
ハキャリア１に収納された半導体ウェハ２は、図２
（ｃ）および図３に示すように、側壁柱状部３ｄ表面に
設けられた凸部４０に接触した状態で支持される。従っ
て、図２（ｄ）に示すように、側壁中央部３ｂにおいて
は、半導体ウェハ２がキャリア溝部４側壁に接触しな
い。
【００１８】三角柱形状をした側壁柱状部３ｄ表面に設
けられた凸部４０の形状は、例えば図４に示すような形
状となっている。即ち半導体ウェハ２をウェハキャリア
１のキャリア溝部４に沿って収納する際に、容易に収納
でき、しかも半導体ウェハ２の洗浄工程等での洗浄槽１
１の洗浄液の流れを大きく乱さないような略三角形状と
なっている。また、この様な形状の凸部４０が、図２
（ａ）および図２（ｂ）に示すような位置にあるため
に、洗浄槽１１（図７参照）等での半導体ウェハ２洗浄
時に洗浄液１２が横方向にも移動できるための半導体ウ
ェハ２の洗浄効果は、従来例と同様に期待できる。
けられた凸部４０の形状は、例えば図４に示すような形
状となっている。即ち半導体ウェハ２をウェハキャリア
１のキャリア溝部４に沿って収納する際に、容易に収納
でき、しかも半導体ウェハ２の洗浄工程等での洗浄槽１
１の洗浄液の流れを大きく乱さないような略三角形状と
なっている。また、この様な形状の凸部４０が、図２
（ａ）および図２（ｂ）に示すような位置にあるため
に、洗浄槽１１（図７参照）等での半導体ウェハ２洗浄
時に洗浄液１２が横方向にも移動できるための半導体ウ
ェハ２の洗浄効果は、従来例と同様に期待できる。
【００１９】上述したウェハキャリア１を用いて、半導
体ウェハ２を洗浄槽１１（図７参照）等での洗浄時、従
来例で説明した洗浄液１２の洗浄液停滞領域３０（図９
（ａ）および図９（ｄ）参照）に対応する上述したウェ
ハキャリア１の洗浄液停滞領域５０は、図２（ａ）およ
び図２（ｃ）に示すようなものとなり、洗浄液停滞領域
５０は大幅に低減される。従って、半導体ウェハ２の洗
浄が不完全となる部分が少なくなり、半導体ウェハ表面
の汚染による半導体装置の特性不良等が減少し、半導体
装置の製造歩留が向上する。また、同様のことが洗浄工
程の乾燥装置であるスピンドライア２０（図８参照）に
おける乾燥時にも言え、半導体ウェハ２の乾燥の不完全
性が少なくなり、半導体ウェハ表面の汚染による半導体
装置の特性不良等が減少し、半導体装置の製造歩留が向
上する。
体ウェハ２を洗浄槽１１（図７参照）等での洗浄時、従
来例で説明した洗浄液１２の洗浄液停滞領域３０（図９
（ａ）および図９（ｄ）参照）に対応する上述したウェ
ハキャリア１の洗浄液停滞領域５０は、図２（ａ）およ
び図２（ｃ）に示すようなものとなり、洗浄液停滞領域
５０は大幅に低減される。従って、半導体ウェハ２の洗
浄が不完全となる部分が少なくなり、半導体ウェハ表面
の汚染による半導体装置の特性不良等が減少し、半導体
装置の製造歩留が向上する。また、同様のことが洗浄工
程の乾燥装置であるスピンドライア２０（図８参照）に
おける乾燥時にも言え、半導体ウェハ２の乾燥の不完全
性が少なくなり、半導体ウェハ表面の汚染による半導体
装置の特性不良等が減少し、半導体装置の製造歩留が向
上する。
【００２０】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、キャリ
ア溝部側壁、即ち側壁部の側壁柱状部表面の二つの表面
に凸部を設けたウェハキャリアについて説明したが、側
壁柱状部表面の一方のみに凸部を設けたウェハキャリア
でもよい。但しウェハキャリアに半導体ウェハを収納す
る際には、半導体装置を作製する半導体ウェハ面が側壁
柱状部表面の凸部と対向する。また、本発明の実施の形
態例では、半導体装置の製造における洗浄工程に用いる
ウェハキャリアとして説明したが、ウエットエッチング
工程に上述したウェハキャリアを用いてもよい。この場
合は、半導体ウェハ面内のエッチングの均一性が向上す
る。更に、本発明の実施の形態例では、凸部の設ける所
定位置を半導体ウェハの周縁部とキャリア溝上部とが平
面的に見て交差する位置より２〜３ｍｍ下方の位置（Ｌ
2 −Ｌ2 ）としたが、この所定位置は半導体ウェハ径に
対応して、適宜変更が可能である。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、キャリ
ア溝部側壁、即ち側壁部の側壁柱状部表面の二つの表面
に凸部を設けたウェハキャリアについて説明したが、側
壁柱状部表面の一方のみに凸部を設けたウェハキャリア
でもよい。但しウェハキャリアに半導体ウェハを収納す
る際には、半導体装置を作製する半導体ウェハ面が側壁
柱状部表面の凸部と対向する。また、本発明の実施の形
態例では、半導体装置の製造における洗浄工程に用いる
ウェハキャリアとして説明したが、ウエットエッチング
工程に上述したウェハキャリアを用いてもよい。この場
合は、半導体ウェハ面内のエッチングの均一性が向上す
る。更に、本発明の実施の形態例では、凸部の設ける所
定位置を半導体ウェハの周縁部とキャリア溝上部とが平
面的に見て交差する位置より２〜３ｍｍ下方の位置（Ｌ
2 −Ｌ2 ）としたが、この所定位置は半導体ウェハ径に
対応して、適宜変更が可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のウェハキャリアは、洗浄液停滞領域が大幅に低減さ
れ、従って半導体ウェハ洗浄の不完全となる部分が少な
くなり、半導体ウェハ表面の汚染による半導体装置の特
性不良等が減少し、半導体装置の製造歩留が向上する。
のウェハキャリアは、洗浄液停滞領域が大幅に低減さ
れ、従って半導体ウェハ洗浄の不完全となる部分が少な
くなり、半導体ウェハ表面の汚染による半導体装置の特
性不良等が減少し、半導体装置の製造歩留が向上する。
【図１】本発明の実施の形態例のウェハキャリアの概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施の形態例のウェハキャリアの詳細
を説明する図で、（ａ）は図１のＱ部の拡大図、（ｂ）
は（ａ）のＧ−Ｇ部における概略断面図、（ｃ）は
（ａ）のＨ−Ｈ部における概略断面図、（ｄ）は（ａ）
のＩ−Ｉ部における概略断面図である。
を説明する図で、（ａ）は図１のＱ部の拡大図、（ｂ）
は（ａ）のＧ−Ｇ部における概略断面図、（ｃ）は
（ａ）のＨ−Ｈ部における概略断面図、（ｄ）は（ａ）
のＩ−Ｉ部における概略断面図である。
【図３】図２（ａ）のＪ−Ｊ部における概略断面図であ
る。
る。
【図４】図２（ａ）のＲ部における側壁柱状部３ｄを横
向きにし、等高線を入れて凸部４０の形状を示した、概
略斜視図である。
向きにし、等高線を入れて凸部４０の形状を示した、概
略斜視図である。
【図５】従来例のウェハキャリアの概略斜視図である。
【図６】従来例のウェハキャリアに半導体ウェハを収納
した状態における図で、（ａ）はウェハキャリアの概略
断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における概略断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における概略断面図、
（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ部における概略断面図である。
した状態における図で、（ａ）はウェハキャリアの概略
断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における概略断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における概略断面図、
（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ部における概略断面図である。
【図７】洗浄装置の要部である洗浄槽部の概略断面図で
ある。
ある。
【図８】スピンドライアの概略断面図である。
【図９】従来例のウェハキャリアの詳細を説明する図
で、（ａ）は図６のＰ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ部における概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ部
における概略断面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ部におけ
る概略断面図である。
で、（ａ）は図６のＰ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ部における概略断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ部
における概略断面図、（ｄ）は（ａ）のＦ−Ｆ部におけ
る概略断面図である。
１…ウェハキャリア、２…半導体ウェハ、３…側壁部、
３ａ…側壁上部、３ｂ…側壁中央部、３ｃ…側壁下部、
３ｄ…側壁柱状部、４…キャリア溝部、５，６…キャリ
アフラット板、１０…洗浄槽部、１１…洗浄槽、１２…
洗浄液、１３…配管、１４…層流板、１４ａ…小孔、２
０…スピンドライア、２１…回転体部、２２…外壁部、
３０，５０…洗浄液停滞領域、４０…凸部
３ａ…側壁上部、３ｂ…側壁中央部、３ｃ…側壁下部、
３ｄ…側壁柱状部、４…キャリア溝部、５，６…キャリ
アフラット板、１０…洗浄槽部、１１…洗浄槽、１２…
洗浄液、１３…配管、１４…層流板、１４ａ…小孔、２
０…スピンドライア、２１…回転体部、２２…外壁部、
３０，５０…洗浄液停滞領域、４０…凸部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハの洗浄およびウエットエッ
チング工程で使用するウェハキャリアにおいて、 前記ウェハキャリアに前記半導体ウェハが収納された状
態における、前記半導体ウェハの水平方向の直径に対応
する水平位置より上方の所定位置にある前記ウェハキャ
リアのキャリア溝部側壁に凸部を設けたことを特徴とす
るウェハキャリア。 - 【請求項２】 前記所定位置は、前記ウェハキャリアに
前記半導体ウェハが収納された状態における、前記半導
体ウェハの周縁部と前記キャリア溝部の上部とが平面的
に見て交差する位置に略等しいことを特徴とする、請求
項１に記載のウェハキャリア。 - 【請求項３】 前記凸部は、前記半導体ウェハを前記ウ
ェハキャリアの前記キャリア溝部に収納する方向に対し
て、略三角形状となっていることを特徴とする、請求項
１に記載のウェハキャリア。 - 【請求項４】 前記凸部は、前記キャリア溝部側壁の少
なくとも一方の側壁に設けたことを特徴とする、請求項
１に記載のウェハキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35082096A JPH10189702A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウェハキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35082096A JPH10189702A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウェハキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189702A true JPH10189702A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18413109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35082096A Pending JPH10189702A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | ウェハキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208627A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Seiko Instruments Inc | ウエハキャリアケース |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35082096A patent/JPH10189702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208627A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Seiko Instruments Inc | ウエハキャリアケース |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1319130C (zh) | 半导体基片处理装置及处理方法 | |
| US8043468B2 (en) | Apparatus for and method of processing substrate | |
| KR20170100854A (ko) | 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비 | |
| KR0147043B1 (ko) | 세정장치 및 그 방법 | |
| KR20010049878A (ko) | 습식처리장치 | |
| JP2920165B2 (ja) | 枚葉洗浄用オーバーフロー槽 | |
| TW201914702A (zh) | 基板洗淨方法 | |
| KR100924863B1 (ko) | 반도체 소자 제조용 습식 세정 장치 | |
| JPH11111663A (ja) | 薬液処理装置および薬液処理方法 | |
| JP2762075B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄装置 | |
| JPH10189702A (ja) | ウェハキャリア | |
| JPH0864667A (ja) | 半導体ウェハ用カセット | |
| JP2513843B2 (ja) | 基板ホルダ | |
| JP2837725B2 (ja) | 半導体ウェーハの液体処理装置 | |
| JP3118443B2 (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| JP2840799B2 (ja) | 枚葉式洗浄方法及び装置 | |
| KR101567681B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
| KR20180027911A (ko) | 기판 세정 장치 | |
| KR0178000B1 (ko) | 웨이퍼의 세정 장치 | |
| KR101934518B1 (ko) | 기판 세정 장치 | |
| JP2000021830A (ja) | シリコンウエハの洗浄装置 | |
| JPH11319736A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| JPS58161328A (ja) | 薄片状物品の洗浄装置 | |
| KR200275420Y1 (ko) | 반도체제조용튜브세정장치 | |
| JPH06204198A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 |