JPH10190052A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

Info

Publication number
JPH10190052A
JPH10190052A JP34108596A JP34108596A JPH10190052A JP H10190052 A JPH10190052 A JP H10190052A JP 34108596 A JP34108596 A JP 34108596A JP 34108596 A JP34108596 A JP 34108596A JP H10190052 A JPH10190052 A JP H10190052A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
impurity
semiconductor
substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34108596A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3643665B2 (ja
Inventor
Hiroshi Nakatsu
弘志 中津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP34108596A priority Critical patent/JP3643665B2/ja
Priority to US08/992,635 priority patent/US6081540A/en
Priority to TW086119212A priority patent/TW350145B/zh
Priority to DE19756856A priority patent/DE19756856B4/de
Priority to CN97108578A priority patent/CN1111913C/zh
Priority to KR1019970075496A priority patent/KR100329053B1/ko
Publication of JPH10190052A publication Critical patent/JPH10190052A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3643665B2 publication Critical patent/JP3643665B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/8242—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP characterised by the dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板１上に、この半導体基板１と格子
不整合の状態で発光層４が形成された半導体発光素子で
あって、高効率の発光が得られるものを提供する。 【解決手段】 発光層の母体をなす半導体材料に、発光
再結合中心として働く不純物をドープする。例えば、半
導体基板をＧaＰ基板１、発光層４の母体をなす半導体
材料を(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰとする。この(ＡlxＧ
a1-x)1-yＩnyＰ材料に、ドナー準位を形成する第１の不
純物として窒素、酸素、セレン、硫黄またはテルルをド
ープするとともに、アクセプタ準位を形成する第２の不
純物としてマグネシウム、亜鉛またはカドミウムをドー
プする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体発光素子に
関する。代表的には、ＡlＧaＩnＰ系材料からなる発光
層を有する発光ダイオードに関する。
【０００２】なお、この明細書を通して、「ＡlＧaＩn
Ｐ系材料」とは(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰの混晶比x，yを
０≦x，y≦１の範囲で変化させたものを意味する。
【０００３】
【従来の技術】(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ材料は、Ｉn混晶
比y＝０.５１においてＧaＡs基板と格子整合するととも
に、そのＩn混晶比y＝０.５１においてＡl混晶比x＝０
〜０.７の範囲で直接遷移型になり、赤から緑までの広
い波長領域において高輝度の発光が得られる。そこで最
近、発光ダイオードの材料として広く用いられるように
なってきた。例えば図８に示すように、そのような(Ａl
xＧa1-x)1-yＩnyＰ系発光ダイオードとして、n型ＧaＡs
基板２１２上にn型ＧaＡsバッファ層２１１、n型(Ａlx
Ｇa1-x)1-yＩnyＰクラッド層２０３、ノンドープ(Ａlx
Ｇa1-x)1-yＩnyＰ活性層２１０、p型(ＡlxＧa1-x)1-yＩ
nyＰクラッド層２０５、p型ＧaＰ電流拡散層２０６を順
に積層したものが知られている。注入キャリアを活性層
２１０に有効に閉じ込めるために、クラッド層２０３，
２０５のバンドギャップは活性層２１０のバンドギャッ
プよりも大きく設定されている（タブルヘテロ（ＤＨ）
構造）。なお、ＧaＡs基板２１２の裏面にはn側電極２
０７、電流拡散層２０６の表面にはｐ側電極２０８がそ
れぞれ設けられている。Ｉnの混晶比yはＧaＡs基板と格
子整合するy＝０.５１に設定されているので、発光に寄
与する(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ材料（活性層２１０およ
びクラッド層２０３，２０５）の結晶性が良好になる。
この結果、図９(a)のエネルギバンド図から分かるよう
に、活性層２１０の伝導帯の底（エネルギ値Ｅc）付近
の形状、価電子帯の頂上（エネルギ値Ｅv）付近の形状
はいずれも放物線状になり、図９(b)に示すように、こ
れらのバンド端Ｅc，Ｅvに対して伝導帯および価電子帯
内におけるキャリアの状態密度Ｇ(Ｅ)のピークＰ10，Ｐ
20が接近した状態となっている。したがって、(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰ活性層２１０自体は比較的高い内部量子
効率（pn接合付近で電気が光に変えられる効率をい
う。）を示すことができる。
【０００４】しかしながら、図８の構造では、ＧaＡs基
板のバンドギャップが１.４２eＶであるため、赤から緑
までの発光が吸収されて、光出力が半分以下に低下する
という問題がある。発光材料がＧaＰ，ＧaＡsＰ，ＡlＧ
aＡs等からなる場合はＧaＡs基板が発光波長に対して透
明であるから基板の光吸収による問題は考えられなかっ
たが、発光材料が(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰからなる場合
は、ＧaＡs基板を使用している限り、このような基板に
よる光吸収が生じて外部量子効率（外部に取り出される
光の効率をいう。単に「効率」、「発光効率」というこ
とがある。）が低下する。
【０００５】基板による光吸収を避けるために、図１０
に示すように、n型ＧaＡs基板３０１上にn型ＧaＡsバッ
ファ層３１１、n型ブラッグ反射層(ＤＢＲ層)３１３、n
型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰクラッド層３０３、ノンドー
プ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性層３１０、p型(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰクラッド層３０５、p型ＧaＰ電流拡散層
３０６を順に積層したものが提案されている(Ａppl．Ｐ
hys．Ｌett．，vol．６１，Ｎo１５（１９９２）p１７
７５−１７７７)。この発光ダイオードは、ＧaＡs基板
３０１とn型クラッド層３０３との間に、屈折率が異な
る２種の半導体層を適当な層厚で交互に組み合わせてな
るＤＢＲ層３１３を設けて、活性層３１０が発した光を
このＤＢＲ層３１３によって上方へ、ＧaＡs基板３０１
側に達しないように反射しようとするものである。ま
た、図１１に示すように、図示しないＧaＡs基板上にn
型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰクラッド層４０３、ノンドー
プ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性層４１０、p型(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰクラッド層４０５、p型ＧaＰ電流拡散層
４０６を順に積層した後、上記ＧaＡs基板をエッチング
によって取り去り、クラッド層４０３の露出面（接合
部）４２０に、赤から緑までの発光波長に対して透明で
あるＧaＰ基板（バンドギャップが２.２７eＶ）４１４
を接合したものが提案されている(Ａppl．Ｐhys．Ｌet
t．，vol．６４，Ｎo２１（１９９４）p２８３９−２８
４１)。
【０００６】しかしながら、図１０の発光ダイオードで
は、活性層３１０から下方へ出射された光の全てをＤＢ
Ｒ層３１３によって反射できるわけではなく、その光の
一部はＤＢＲ層３１３を透過してＧaＡs基板３０１に吸
収される。このため、図８の発光ダイオードに比して、
発光効率が１.５倍程度にしか向上しない。
【０００７】一方、図１１の発光ダイオードでは、Ｇa
Ｐ基板４１４を接合する技術が難しく、大量生産には適
していない。
【０００８】このような背景の下で、従来より、(Ａlx
Ｇa1-x)1-yＩnyＰ材料をＧaＡs基板上に成長させるので
はなく、(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ材料の発光波長（６５
０〜５５０nm）に対して透明である基板、代表的には上
述のＧaＰ基板（バンドギャップが２.２７eＶ）上に成
長させる手段が考えられている。すなわち、図６に示す
ように、n型ＧaＰ基板１０１上にn型ＧaＩnＰバッファ
層１０４、n型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰクラッド層１０
３、ノンドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性層１１０、p
型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰクラッド層１０５、p型ＧaＰ
電流拡散層１０６を成長させたものが考えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示すように、ＧaＰの格子定数５.４５１Å近傍には(Ａl
xＧa1-x)1-yＩnyＰ材料が直接遷移できる領域は存在し
ない。このため、ＧaＰ基板１０１上にＧaＰ基板と格子
整合する(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ材料を成長させたとし
ても、高効率の発光を望むことはできない。一方、Ｇa
Ｐ基板の格子定数５.４５１Åに比べてＧaＡs基板の格
子定数５.６５３Åは約３.６％大きいため、ＧaＰ基板
１０１上にＧaＡs基板と格子整合する(ＡlxＧa1-x)1-y
ＩnyＰ材料１０３，１１０および１０５を成長させた場
合、たとえ格子定数差を緩和するためにＧaＩnＰバッフ
ァ層１０４を介在させたとしても、成長した(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰ材料１０３，１１０および１０５に、い
わゆるミスフィット転位(misfit dislocation：格子不
整合に伴う転位)が多くなって非発光再結合中心が増加
し、発光の遷移確率が小さくなる。すなわち、基板上に
格子定数が異なる結晶を成長させるので、成長した結晶
格子の周期性が乱れ、明確な禁制帯が存在できない。こ
のため、図７(a)に示すように、活性層１１０の伝導帯
の底（Ｅc）付近や価電子帯の頂上（Ｅv）付近が放物線
状にならず、数十meＶ程度のテイル（裾）を持ち、図７
(b)に示すように、伝導帯および価電子帯内におけるキ
ャリアの状態密度Ｇ(Ｅ)のピークＰ10，Ｐ20に対してテ
イルの先端（必ずしも位置が明瞭ではない）Ｅc＃，Ｅv
＃が離間した状態となる。この結果、注入されたキャリ
アはバンド端Ｅc，Ｅv付近では再結合しにくくなり、発
光の遷移確率が小さくなる。したがって、ＧaＰ基板１
０１上にＧaＡs基板と格子整合する(ＡlxＧa1-x)1-yＩn
yＰ材料１０３，１１０および１０５を成長させて作製
した直接遷移型の発光ダイオードでは、高効率の発光が
困難となる。実際に、図８の発光ダイオードに比して、
発光効率は２桁以上落ちてしまう。
【００１０】このように従来は、半導体基板が発光波長
に対して透明であっても、半導体基板と格子不整合の状
態で発光層（活性層）を成長させた半導体発光素子で
は、高効率の発光が得られないという問題があった。
【００１１】そこで、この発明の目的は、半導体基板上
に、この半導体基板と格子不整合の状態で発光層（活性
層）が形成された半導体発光素子であって、高効率の発
光が得られるものを提供することにある。
【００１２】特に、この発明の目的は、ＧaＰ基板上に
ＡlＧaＩnＰ系材料を母体とする発光層が形成された半
導体発光素子であって、赤から緑までの波長領域におい
て高効率の発光が得られるものを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の半導体発光素子は、半導体基板上
に、この半導体基板によって実質的に吸収されない波長
の光を発する発光層が、上記半導体基板と格子不整合の
状態で形成された半導体発光素子において、上記発光層
の母体をなす半導体材料に、発光再結合中心として働く
不純物が含まれていることを特徴とする。
【００１４】この請求項１の半導体発光素子では、発光
再結合中心として働く不純物は、上記発光層の母体をな
す半導体材料の禁制帯内でバンド端から離れた位置に不
純物準位を形成し得る。その場合、上記半導体基板との
格子不整合によって上記発光層の母体をなす半導体材料
のバンド端がテイルを持ったとしても、上記不純物準位
を介する発光再結合はそのテイルの影響を受けにくい。
したがって、内部量子効率が高まる。また、上記発光層
が発した光は上記半導体基板に実質的に吸収されない、
つまり半導体基板内で価電子帯の頂上から伝導帯の底へ
の遷移を起こすような光吸収が生じないので、外部量子
効率が低下することもない。したがって、全体としての
発光効率が高まる。
【００１５】請求項２に記載の半導体発光素子は、請求
項１に記載の半導体発光素子において、上記不純物とし
て、ドナー準位を形成する第１の不純物と、アクセプタ
準位を形成する第２の不純物との２種類が含まれている
ことを特徴とする。
【００１６】この請求項２の半導体発光素子では、第１
の不純物が形成するドナー準位と第２の不純物が形成す
るアクセプタ準位との間で、発光再結合が生じる。した
がって、上記第１の不純物、第２の不純物のいずれか一
方のみが含まれている場合に比して内部量子効率が高く
なり、全体としての発光効率がさらに高まる。
【００１７】請求項３に記載の半導体発光素子は、請求
項１または２に記載の半導体発光素子において、上記第
１の不純物が形成するドナー準位は、上記母体をなす半
導体材料の伝導帯の端から３０meＶ乃至２００meＶの範
囲内に位置し、上記第２の不純物が形成するアクセプタ
準位は、上記母体をなす半導体材料の価電子帯の端から
３０meＶ乃至２００meＶの範囲内に位置することを特徴
とする。
【００１８】ここで、発光層の母体をなす半導体材料の
伝導帯の端、価電子帯の端とは、それぞれ発光層が半導
体基板と格子整合して形成されている場合の伝導帯の
端、価電子帯の端を意味している。すなわち、上記第１
の不純物が形成するドナー準位および上記第２の不純物
が形成するアクセプタ準位を、上記母体をなす半導体材
料の本来のバンド端を基準として規定している。
【００１９】この請求項３に記載の半導体発光素子で
は、上記第１の不純物が形成するドナー準位は上記母体
をなす半導体材料の伝導帯の端から３０meＶ以上離間
し、上記第２の不純物が形成するアクセプタ準位は上記
母体をなす半導体材料の価電子帯の端から３０meＶ以上
離間しているので、半導体基板と発光層との格子不整合
によって上記母体をなす半導体材料の伝導帯の端、価電
子帯の端がそれぞれ数十meＶ程度のテイルを持ったとし
ても、上記第１の不純物が形成するドナー準位と上記第
２の不純物が形成するアクセプタ準位との間の発光再結
合は殆どそのテイルの影響を受けない。また、上記第１
の不純物が形成するドナー準位は上記母体をなす半導体
材料の伝導帯の端から２００meＶ以内に位置し、上記第
２の不純物が形成するアクセプタ準位は上記母体をなす
半導体材料の価電子帯の端から２００meＶ以内に位置し
ているので、これらの第１の不純物、第２の不純物は発
光再結合中心として有効に働く。したがって、上記第１
の不純物が形成するドナー準位と第２の不純物が形成す
るアクセプタ準位との間の発光再結合によって、内部量
子効率がさらに高まる。この結果、全体としての発光効
率がさらに高まる。
【００２０】請求項４に記載の半導体発光素子は、Ｇa
Ｐ基板上に、ＡlＧaＩnＰ系材料を母体とする発光層
を、上記ＧaＰ基板と格子不整合の状態で成長させた半
導体発光素子において、上記発光層の母体をなすＡlＧa
ＩnＰ系材料に、ドナー準位を形成する第１の不純物と
して窒素、酸素、セレン、硫黄またはテルルが含まれ、
かつ、アクセプタ準位を形成する第２の不純物としてマ
グネシウム、亜鉛またはカドミウムが含まれていること
を特徴とする。
【００２１】この請求項４の半導体発光素子では、第１
の不純物としての窒素、酸素、セレン、硫黄またはテル
ルが上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料の伝導帯の端か
ら３０meＶ乃至２００meＶの範囲内にドナー準位を形成
し、第２の不純物としてのマグネシウム、亜鉛またはカ
ドミウムが上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料の価電子
帯の端から３０meＶ乃至２００meＶの範囲内にアクセプ
タ準位を形成する。上記第１の不純物が形成するドナー
準位は上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料の伝導帯の端
から３０meＶ以上離間し、上記第２の不純物が形成する
アクセプタ準位は上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料の
価電子帯の端から３０meＶ以上離間しているので、Ｇa
Ｐ基板と発光層との格子不整合によって上記母体をなす
ＡlＧaＩnＰ系材料の伝導帯の端、価電子帯の端がそれ
ぞれ約数十meＶ程度のテイルを持ったとしても、上記第
１の不純物が形成するドナー準位と上記第２の不純物が
形成するアクセプタ準位との間の発光再結合は殆どその
テイルの影響を受けない。また、上記第１の不純物が形
成するドナー準位は上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料
の伝導帯の端から２００meＶ以内に位置し、上記第２の
不純物が形成するアクセプタ準位は上記母体をなすＡl
ＧaＩnＰ系材料の価電子帯の端から２００meＶ以内に位
置しているので、これらの第１の不純物、第２の不純物
は発光再結合中心として有効に働く。したがって、上記
第１の不純物が形成するドナー準位と第２の不純物が形
成するアクセプタ準位との間の発光再結合によって、内
部量子効率が高まる。また、上記第１の不純物が形成す
るドナー準位と上記第２の不純物が形成するアクセプタ
準位との間のエネルギ差に応じて上記発光層が発した赤
から緑までの波長の光は上記ＧaＰ基板に実質的に吸収
されない（ＧaＰ基板はＡlＧaＩnＰ系材料の発光波長で
ある６５０nm〜５５０nmに対して透明である）ので、外
部量子効率が低下することもない。したがって、全体と
しての発光効率が高まり、赤から緑までの波長帯域にお
いて高輝度の発光が得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を詳
細に説明する。
【００２３】(第１の実施形態)図１はこの発明の第１の
実施形態のＡlＧaＩnＰ系発光ダイオードの断面構造を
示している。この発光ダイオードは、(００１)面から
[１１０]方向に１５°傾いた面を有するn型ＧaＰ基板１
上に、例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）
により、n型ＩnＧaＰバッファ層２、Ｓiドープ(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝０.５１)クラッド層３、
発光層としての窒素・亜鉛ドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩny
Ｐ(x＝０.５、y＝０.５１)活性層４、Ｚnドープ(ＡlxＧ
a1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝０.５１)クラッド層５、
ＺnドープＧaＰ電流拡散層６を順に成長させた後、Ｇa
Ｐ基板１の裏面にn側電極７、電流拡散層６の表面にｐ
側電極８をそれぞれ設けて構成されている。１５°オフ
の基板１を用いたが、(１００)面ジャスト(just)の基板
でもよい。活性層４の母体をなす(ＡlxＧa1-x)1-yＩny
Ｐ材料への不純物ドーピング濃度は、ドナー準位を形成
する第１の不純物としての窒素が１×１０17〜１×１０
19cm-3、アクセプタ準位を形成する第２の不純物として
のＺnが１×１０17〜１×１０18cm-3の範囲内とする。
【００２４】ＧaＰ基板１上に格子不整合の状態で(Ａlx
Ｇa1-x)1-yＩnyＰ系材料３，４および５を成長させてい
るので、図２(a)のエネルギバンド図に示すように、活
性層４の伝導帯の底（エネルギ値Ｅc）付近や価電子帯
の頂上（エネルギ値Ｅv）付近が放物線状にならず、数
十meＶ程度のテイル（裾）を持ち、図２(b)に示すよう
に、伝導帯および価電子帯内におけるキャリアの状態密
度Ｇ(Ｅ)のピークＰ10，Ｐ20に対してテイルの先端（必
ずしも位置が明瞭ではない）が離間した状態となる。こ
のため、通常のバンド端発光の遷移確率は比較的小さ
い。
【００２５】しかし、この発光ダイオードでは、活性層
４において、第１の不純物としての窒素が母体(ＡlxＧa
1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.５、y＝０.５１)の伝導帯の端
（底）Ｅcから３０meＶだけ離れた位置にドナー準位Ｅ
(N)を形成し、第２の不純物としての亜鉛が母体(ＡlxＧ
a1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.５、y＝０.５１)の価電子帯の端
（頂上）から６０meＶだけ離れた位置にアクセプタ準位
Ｅ(Zn)を形成する（図２(b)中のＰ1，Ｐ2がこれらのド
ナー準位Ｅ(N)，アクセプタ準位Ｅ(Zn)に対応する状態
密度Ｇ(Ｅ)のピークを示している。）。上記窒素が形成
するドナー準位Ｅ(N)、上記亜鉛が形成するアクセプタ
準位Ｅ(Zn)はそれぞれバンド端Ｅc，Ｅvから３０meＶ以
上離間しているので、上記窒素が形成するドナー準位Ｅ
(N)と上記亜鉛が形成するアクセプタ準位Ｅ(Zn)との間
の発光再結合は殆ど上記テイルの影響を受けない。ま
た、上記窒素が形成するドナー準位Ｅ(N)、上記亜鉛が
形成するアクセプタ準位Ｅ(Zn)はそれぞれバンド端Ｅ
c，Ｅvから２００meＶ以内に位置しているので、これら
の窒素、亜鉛は発光再結合中心として有効に働く。した
がって、上記窒素が形成するドナー準位Ｅ(N)と上記亜
鉛が形成するアクセプタ準位Ｅ(Zn)との間の発光再結合
によって、内部量子効率が高まる。また、活性層４は上
記窒素が形成するドナー準位Ｅ(N)と上記亜鉛が形成す
るアクセプタ準位Ｅ(Zn)との間のエネルギ差ΔＥ1に応
じた波長の光を発するが、この活性層４が発した光はＧ
aＰ基板１に実質的に吸収されない（ＧaＰ基板はＡlＧa
ＩnＰ系材料の発光波長である６５０nm〜５５０nmに対
して透明である）ので、外部量子効率が低下することも
ない。したがって、全体としての発光効率を高めること
ができる。
【００２６】実際に、この第１実施形態の発光ダイオー
ドでは、上記窒素が形成するドナー準位Ｅ(N)と上記亜
鉛が形成するアクセプタ準位Ｅ(Zn)との間のエネルギ差
ΔＥ1＝２.１６eＶに応じて、発光波長が５７４nmにな
った。そして、このときの発光効率として１.０％が得
られた。これに対して、図８に示したようなＧaＡs基板
上にＡlＧaＩnＰ系材料を成長させた格子整合型の発光
ダイオードでは、ノンドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活
性層２１０の混晶比がx＝０.５、y＝０.５１のときバン
ドギャップＥg（＝２.２５eＶ）に応じて発光波長が５
５０nmとなる。そして、そのときの発光効率は０.１％
である。したがって、活性層の混晶比x，yを同じにして
比較した場合、第１実施形態の構造のものは、図８の発
光ダイオードに比して発光効率を１０倍に向上できるこ
とが分かった。また、図８に示したようなＧaＡs基板上
にＡlＧaＩnＰ系材料を成長させた格子整合型の発光ダ
イオードでは、ノンドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性
層２１０の混晶比がx＝０.３８、y＝０.５１のとき、そ
れに応じて発光波長が５７２nmとなる。そして、そのと
きの発光効率は０.３５％である。したがって、発光波
長を略同じにして比較した場合、第１実施形態の構造の
ものは、図８の発光ダイオードに比して発光効率を約３
倍に向上できることが分かった。
【００２７】また、活性層４に窒素をドープすることは
短波長化のためにも有利である。これは、活性層４のＡ
ｌ混晶比をx＝０.７５と大きくして間接遷移領域（図５
参照）に入っても、窒素ドーピングによって等電子準位
が形成されて、直接遷移化し、発光の遷移確率が高くな
るからである。実際にx＝０.７５，ｙ＝０.５１のと
き、発光波長５５５nmで発光効率０.２％が得られた。
【００２８】(第２の実施形態)図３はこの発明の第２の
実施形態のＡlＧaＩnＰ系発光ダイオードの断面構造を
示している。この発光ダイオードは、(００１)面から
[１１０]方向に１５°傾いた面を有するn型ＧaＰ基板１
１上に、例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長
法）により、n型ＩnＧaＰバッファ層１２、Ｓiドープ
(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝０.５１)クラッ
ド層１３、発光層としてのＳe・Ｍgドープ(ＡlxＧa1-x)
1-yＩnyＰ(x＝０.５、y＝０.５１)活性層１４、Ｚnドー
プ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝０.５１)クラ
ッド層１５、ＺnドープＧaＰ電流拡散層１６を順に成長
させた後、ＧaＰ基板１１の裏面にn側電極１７、電流拡
散層１６の表面にｐ側電極１８をそれぞれ設けて構成さ
れている。第１の実施形態と同様に１５°オフの基板１
を用いたが、(１００)面ジャスト(just)の基板でもよ
い。活性層１４の母体をなす(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ材
料への不純物ドーピング濃度は、ドナー準位を形成する
第１の不純物としてのＳeが１×１０17〜１×１０19cm
-3、アクセプタ準位を形成する第２の不純物としてのＭ
gが１×１０17〜１×１０18cm-3の範囲内とする。
【００２９】ＧaＰ基板１１上に格子不整合の状態で(Ａ
lxＧa1-x)1-yＩnyＰ系材料１３，１４および１５を成長
させているので、図４(a)のエネルギバンド図に示すよ
うに、活性層１４の伝導帯の底（エネルギ値Ｅc）付近
や価電子帯の頂上（エネルギ値Ｅv）付近が放物線状に
ならず、数十meＶ程度のテイル（裾）を持ち、図４(b)
に示すように、伝導帯および価電子帯内におけるキャリ
アの状態密度Ｇ(Ｅ)のピークＰ10，Ｐ20に対してテイル
の先端（必ずしも位置が明瞭ではない）が離間した状態
となる。このため、通常のバンド端発光の遷移確率は比
較的小さい。
【００３０】しかし、この発光ダイオードでは、活性層
１４において、第１の不純物としてのＳeが母体(ＡlxＧ
a1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.５、y＝０.５１)の伝導帯の端
（底）Ｅcから１９０meＶだけ離れた位置にドナー準位
Ｅ(Se)を形成し、第２の不純物としてのＭgが母体(Ａlx
Ｇa1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.５、y＝０.５１)の価電子帯の
端（頂上）から６４meＶだけ離れた位置にアクセプタ準
位Ｅ(Mg)を形成する（図４(b)中のＰ1，Ｐ2がこれらの
ドナー準位Ｅ(Se)，アクセプタ準位Ｅ(Mg)に対応する状
態密度Ｇ(Ｅ)のピークを示している。）。上記Ｓeが形
成するドナー準位Ｅ(Se)、上記Ｍgが形成するアクセプ
タ準位Ｅ(Mg)はそれぞれバンド端Ｅc，Ｅvから３０meＶ
以上離間しているので、上記Ｓeが形成するドナー準位
Ｅ(Se)と上記Ｍgが形成するアクセプタ準位Ｅ(Mg)との
間の発光再結合は殆ど上記テイルの影響を受けない。ま
た、上記Ｓeが形成するドナー準位Ｅ(Se)、上記Ｍgが形
成するアクセプタ準位Ｅ(Mg)はそれぞれバンド端Ｅc，
Ｅvから２００meＶ以内に位置しているので、これらの
Ｓe、Ｍgは発光再結合中心として有効に働く。したがっ
て、上記Ｓeが形成するドナー準位Ｅ(Se)と上記Ｍgが形
成するアクセプタ準位Ｅ(Mg)との間の発光再結合によっ
て、内部量子効率が高まる。また、活性層１４は上記Ｓ
eが形成するドナー準位Ｅ(Se)と上記Ｍgが形成するアク
セプタ準位Ｅ(Mg)との間のエネルギ差ΔＥ2に応じた波
長の光を発するが、この活性層１４が発した光はＧaＰ
基板１１に実質的に吸収されない（ＧaＰ基板はＡlＧa
ＩnＰ系材料の発光波長である６５０nm〜５５０nmに対
して透明である）ので、外部量子効率が低下することも
ない。したがって、全体としての発光効率を高めること
ができる。
【００３１】実際に、この第２実施形態の発光ダイオー
ドでは、上記Ｓeが形成するドナー準位Ｅ(Se)と上記Ｍg
が形成するアクセプタ準位Ｅ(Mg)との間のエネルギ差Δ
Ｅ2＝２.００eＶに応じて、発光波長が６２１nmになっ
た。そして、このときの発光効率として４.５％が得ら
れた。これに対して、図８に示したようなＧaＡs基板上
にＡlＧaＩnＰ系材料を成長させた格子整合型の発光ダ
イオードでは、ノンドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性
層２１０の混晶比がx＝０.５、y＝０.５１のときバンド
ギャップＥg（＝２.２５eＶ）に応じて発光波長が５５
０nmとなる。そして、そのときの発光効率は０.１％で
ある。したがって、活性層の混晶比x，yを同じにして比
較した場合、第２実施形態の構造のものは、図８の発光
ダイオードに比して発光効率を１０倍に向上できること
が分かった。また、図８に示したようなＧaＡs基板上に
ＡlＧaＩnＰ系材料を成長させた格子整合型の発光ダイ
オードでは、ノンドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ活性層
２１０の混晶比がx＝０.０８、y＝０.５１のとき、それ
に応じて発光波長が６３５nmとなる。そして、そのとき
の発光効率は０.１５％である。したがって、発光波長
を略同じにして比較した場合、第２実施形態の構造のも
のは、図８の発光ダイオードに比して発光効率を３倍に
向上できることが分かった。
【００３２】なお、ドナー準位を形成する第１の不純物
としては窒素、セレン以外に、硫黄またはテルル等を用
いることができ、アクセプタ準位を形成する第２の不純
物としては亜鉛、マグネシウム以外にカドミウム等を用
いることができる。
【００３３】また、電流拡散層６，１６の材料として
は、ＧaＰに代えてＡlＧaＡs等を用いることができる。
【００３４】第１、第２の実施形態の発光ダイオード
は、活性層がエネルギギャップの大きいクラッド層で挟
まれたダブルヘテロ型のものとしたが、当然ながらそれ
に限られるものではない。この発明は、シングルヘテロ
型発光ダイオードやホモ接合型発光ダイオードその他の
半導体発光素子に広く適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の半
導体発光素子は、半導体基板上に、この半導体基板によ
って実質的に吸収されない波長の光を発する発光層が、
上記半導体基板と格子不整合の状態で形成されており、
発光再結合中心として働く不純物が上記発光層の母体を
なす半導体材料の禁制帯内でバンド端から離れた位置に
不純物準位を形成するので、上記半導体基板との格子不
整合によって上記発光層の母体をなす半導体材料のバン
ド端がテイルを持ったとしても、上記不純物準位を介す
る発光再結合はそのテイルの影響を受けにくい。したが
って、内部量子効率が高まる。また、上記発光層が発し
た光は上記半導体基板に実質的に吸収されないので、外
部量子効率が低下することもない。したがって、全体と
しての発光効率を高めることができる。
【００３６】請求項２に記載の半導体発光素子では、上
記不純物として、ドナー準位を形成する第１の不純物
と、アクセプタ準位を形成する第２の不純物との２種類
が含まれているので、第１の不純物が形成するドナー準
位と第２の不純物が形成するアクセプタ準位との間で、
発光再結合が生じる。したがって、上記第１の不純物、
第２の不純物のいずれか一方のみが含まれている場合に
比して内部量子効率が高くなり、全体としての発光効率
がさらに高まる。
【００３７】請求項３に記載の半導体発光素子は、上記
第１の不純物が形成するドナー準位は、上記母体をなす
半導体材料の伝導帯の端から３０meＶ乃至２００meＶの
範囲内に位置し、上記第２の不純物が形成するアクセプ
タ準位は、上記母体をなす半導体材料の価電子帯の端か
ら３０meＶ乃至２００meＶの範囲内に位置するので、半
導体基板と発光層との格子不整合によって上記母体をな
す半導体材料の伝導帯の端、価電子帯の端がそれぞれ数
十meＶ程度のテイルを持ったとしても、上記第１の不純
物が形成するドナー準位と上記第２の不純物が形成する
アクセプタ準位との間の発光再結合は殆どそのテイルの
影響を受けない。また、これらの第１の不純物、第２の
不純物は発光再結合中心として有効に働く。したがっ
て、上記第１の不純物が形成するドナー準位と第２の不
純物が形成するアクセプタ準位との間の発光再結合によ
って、内部量子効率がさらに高まる。この結果、全体と
しての発光効率をさらに高めることができる。
【００３８】請求項４に記載の半導体発光素子は、Ｇa
Ｐ基板上に、ＡlＧaＩnＰ系材料を母体とする発光層
を、上記ＧaＰ基板と格子不整合の状態で成長させた半
導体発光素子において、上記発光層の母体をなすＡlＧa
ＩnＰ系材料に、ドナー準位を形成する第１の不純物と
して窒素、酸素、セレン、硫黄またはテルルが含まれ、
かつ、アクセプタ準位を形成する第２の不純物としてマ
グネシウム、亜鉛またはカドミウムが含まれているの
で、第１の不純物としての窒素、酸素、セレン、硫黄ま
たはテルルが上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料の伝導
帯の端から３０meＶ乃至２００meＶの範囲内にドナー準
位を形成し、第２の不純物としてのマグネシウム、亜鉛
またはカドミウムが上記母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料
の価電子帯の端から３０meＶ乃至２００meＶの範囲内に
アクセプタ準位を形成する。したがって、ＧaＰ基板と
発光層との格子不整合によって上記母体をなすＡlＧaＩ
nＰ系材料の伝導帯の端、価電子帯の端がそれぞれ約数
十meＶ程度のテイルを持ったとしても、上記第１の不純
物が形成するドナー準位と上記第２の不純物が形成する
アクセプタ準位との間の発光再結合は殆どそのテイルの
影響を受けない。また、これらの第１の不純物、第２の
不純物は発光再結合中心として有効に働く。したがっ
て、上記第１の不純物が形成するドナー準位と第２の不
純物が形成するアクセプタ準位との間の発光再結合によ
って、内部量子効率が高まる。また、上記第１の不純物
が形成するドナー準位と上記第２の不純物が形成するア
クセプタ準位との間のエネルギ差に応じて上記発光層が
発した赤から緑までの波長の光は上記ＧaＰ基板に実質
的に吸収されないので、外部量子効率が低下することも
ない。したがって、全体としての発光効率が高まり、赤
から緑までの波長帯域において高輝度の発光を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例による構造図である。
【図２】 本発明の第１の実施例によるバンド状態図と
キャリアの状態密度分布である。
【図３】 本発明の第２の実施例による構造図である。
【図４】 本発明の第２の実施例によるバンド状態図と
キャリアの状態密度分布である。
【図５】 発光層の半導体材料と基板の格子定数とエネ
ルギーギャップの関係図である。
【図６】 ＧaＰ基板上の発光ダイオードの構造図であ
る。
【図７】 ＧaＰ基板上の発光ダイオードのバンド図と
キャリアの状態密度分布である。
【図８】 従来例による発光ダイオードの構造図(１)で
ある。
【図９】 従来例による発光ダイオードのバンド状態図
とキャリアの状態密度分布である。
【図１０】 従来例による発光ダイオードの構造図(２)
である。
【図１１】 従来例による発光ダイオードの構造図(３)
である。
【符号の説明】
１，１１ n型ＧaＰ基板 ２，１２ n型ＧaＡsＰバッファ層 ３，１３ n型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝
０.５１)クラッド層 ４ 窒素・亜鉛ドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.
５、y＝０.５１)活性層 ５，１５ p型(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝１.０、y＝
０.５１)クラッド層 ６，１６ p型ＧaＰ電流拡散層 ７，１７ n型電極 ８，１８ p型電極 １４ Ｓe・Ｍgドープ(ＡlxＧa1-x)1-yＩnyＰ(x＝０.
５、y＝０.５１)活性層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に、この半導体基板によっ
    て実質的に吸収されない波長の光を発する発光層が、上
    記半導体基板と格子不整合の状態で形成された半導体発
    光素子において、 上記発光層の母体をなす半導体材料に、発光再結合中心
    として働く不純物が含まれていることを特徴とする半導
    体発光素子。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体発光素子におい
    て、 上記不純物として、ドナー準位を形成する第１の不純物
    と、アクセプタ準位を形成する第２の不純物との２種類
    が含まれていることを特徴とする半導体発光素子。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体発光素
    子において、 上記第１の不純物が形成するドナー準位は、上記母体を
    なす半導体材料の伝導帯の端から３０meＶ乃至２００me
    Ｖの範囲内に位置し、 上記第２の不純物が形成するアクセプタ準位は、上記母
    体をなす半導体材料の価電子帯の端から３０meＶ乃至２
    ００meＶの範囲内に位置することを特徴とする半導体発
    光素子。
  4. 【請求項４】 ＧaＰ基板上に、ＡlＧaＩnＰ系材料を母
    体とする発光層を、上記ＧaＰ基板と格子不整合の状態
    で成長させた半導体発光素子において、 上記発光層の母体をなすＡlＧaＩnＰ系材料に、ドナー
    準位を形成する第１の不純物として窒素、酸素、セレ
    ン、硫黄またはテルルが含まれ、かつ、アクセプタ準位
    を形成する第２の不純物としてマグネシウム、亜鉛また
    はカドミウムが含まれていることを特徴とする半導体発
    光素子。
JP34108596A 1996-12-20 1996-12-20 半導体発光素子 Expired - Lifetime JP3643665B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34108596A JP3643665B2 (ja) 1996-12-20 1996-12-20 半導体発光素子
US08/992,635 US6081540A (en) 1996-12-20 1997-12-18 Semiconductor light emitting device with high light emission efficiency
TW086119212A TW350145B (en) 1996-12-20 1997-12-18 Semiconductor light emitting device with high light emission efficiency
DE19756856A DE19756856B4 (de) 1996-12-20 1997-12-19 Halbleiterlichtemissionsvorrichtung mit hoher Lichtemissionswirksamkeit
CN97108578A CN1111913C (zh) 1996-12-20 1997-12-20 具有高发光效率的半导体发光器件
KR1019970075496A KR100329053B1 (ko) 1996-12-20 1997-12-20 고발광효율을갖는반도체발광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34108596A JP3643665B2 (ja) 1996-12-20 1996-12-20 半導体発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10190052A true JPH10190052A (ja) 1998-07-21
JP3643665B2 JP3643665B2 (ja) 2005-04-27

Family

ID=18343119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34108596A Expired - Lifetime JP3643665B2 (ja) 1996-12-20 1996-12-20 半導体発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6081540A (ja)
JP (1) JP3643665B2 (ja)
KR (1) KR100329053B1 (ja)
CN (1) CN1111913C (ja)
DE (1) DE19756856B4 (ja)
TW (1) TW350145B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121095A (ja) * 2005-10-31 2006-05-11 Kansai Electric Power Co Inc:The パワー半導体素子
JP2007507083A (ja) * 2003-06-27 2007-03-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光半導体素子
WO2012120798A1 (ja) * 2011-03-09 2012-09-13 信越半導体株式会社 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW413972B (en) * 1998-04-22 2000-12-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Semiconductor laser device
ATE263433T1 (de) * 1998-07-17 2004-04-15 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement für hohe sperrspannungen
US20010020703A1 (en) * 1998-07-24 2001-09-13 Nathan F. Gardner Algainp light emitting devices with thin active layers
WO2000033388A1 (en) * 1998-11-24 2000-06-08 Massachusetts Institute Of Technology METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES
US6469314B1 (en) * 1999-12-21 2002-10-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin multi-well active layer LED with controlled oxygen doping
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP2001291895A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Sharp Corp 半導体発光素子
US6744798B2 (en) * 2000-10-10 2004-06-01 Agency Of Industrial Science And Technology Surface-type light amplifer device and method of manufacture thereof
DE60136101D1 (de) * 2001-02-09 2008-11-20 Midwest Research Inst Isoelektronische kodotierung
US7968362B2 (en) 2001-03-27 2011-06-28 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6765232B2 (en) * 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US7180100B2 (en) * 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6563142B2 (en) * 2001-07-11 2003-05-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Reducing the variation of far-field radiation patterns of flipchip light emitting diodes
WO2004017433A1 (en) 2002-08-02 2004-02-26 Massachusetts Institute Of Technology Yellow-green light emitting diodes and laser based on strained-ingap quantum well grown on a transparent indirect bandgap substrate
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
US7528417B2 (en) * 2003-02-10 2009-05-05 Showa Denko K.K. Light-emitting diode device and production method thereof
JP4154731B2 (ja) * 2004-04-27 2008-09-24 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
JP4092658B2 (ja) * 2004-04-27 2008-05-28 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
US20070096121A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Ni Ying C Light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2008091862A (ja) * 2006-09-08 2008-04-17 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226918A (ja) * 1987-03-16 1988-09-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd 燐化砒化ガリウム混晶エピタキシヤルウエ−ハ
JPH04257276A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Mitsubishi Cable Ind Ltd 半導体素子
JP2680762B2 (ja) * 1991-12-25 1997-11-19 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3209786B2 (ja) * 1992-04-09 2001-09-17 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP2560963B2 (ja) * 1993-03-05 1996-12-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2773597B2 (ja) * 1993-03-25 1998-07-09 信越半導体株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US6015719A (en) * 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007507083A (ja) * 2003-06-27 2007-03-22 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光半導体素子
KR101087803B1 (ko) * 2003-06-27 2011-11-29 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 광방출 반도체소자
JP2006121095A (ja) * 2005-10-31 2006-05-11 Kansai Electric Power Co Inc:The パワー半導体素子
WO2012120798A1 (ja) * 2011-03-09 2012-09-13 信越半導体株式会社 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR100329053B1 (ko) 2002-08-27
DE19756856B4 (de) 2008-06-26
US6081540A (en) 2000-06-27
JP3643665B2 (ja) 2005-04-27
CN1185663A (zh) 1998-06-24
DE19756856A1 (de) 1998-07-02
CN1111913C (zh) 2003-06-18
TW350145B (en) 1999-01-11
KR19980064764A (ko) 1998-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3643665B2 (ja) 半導体発光素子
US6548834B2 (en) Semiconductor light emitting element
US5466950A (en) Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means
JP3250438B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
US5153889A (en) Semiconductor light emitting device
JPH08330630A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP3152708B2 (ja) 半導体発光素子
JPH0897468A (ja) 半導体発光素子
US12087877B2 (en) Light-emitting element
JPS61144078A (ja) 半導体発光素子
JPH10215028A (ja) 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子
JPH11220172A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH077849B2 (ja) 半導体発光素子
JP3635727B2 (ja) 半導体発光ダイオード
JP3267250B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP3141888B2 (ja) 半導体発光素子
JP3057547B2 (ja) 緑色発光ダイオード
JP2680762B2 (ja) 半導体発光素子
JP3207618B2 (ja) 半導体装置
JP2002033509A (ja) 発光ダイオード
JP2006270073A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2004179247A (ja) 半導体発光素子
JP2004297060A (ja) 発光ダイオード素子とその製造方法
JP3674410B2 (ja) 化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイ
JPH08306957A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041228

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050131

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110204

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130204

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130204

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term