JPH10190224A

JPH10190224A - 多層プリント配線板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH10190224A
Application number: JP35795996A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1996-12-27
Filing date: 1996-12-27
Publication date: 1998-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ヒートサイクルに起因するバイアホール上の
層間絶縁層のクラックやバイアホールと下層導体回路の
剥離を抑制する。【解決手段】バイアホールを電解めっき膜と無電解め
っき膜により構成し、下層導体回路のうちバイアホール
と接続する部分に粗化層を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板とその製造方法に関し、特にはピール強度の低下を招
くことなく、ヒートサイクル時におけるクラックの発生
を抑制した多層プリント配線板とその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶縁材層
の表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗
化面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成
部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回
路パターンを形成する。そして、このような工程を複数
回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ配線基
板が得られるのである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層プリント配線板では、導体回路はめっきレジス
トの非形成部分に設けられ、めっきレジストは内層にそ
のまま残存する。ＩＣチップ等を搭載すると、ヒートサ
イクル時にＩＣチップと樹脂絶縁層との熱膨張率の差に
より、基板が反り、めっきレジストと導体回路間の密着
がないことから、これらの境界部分に応力が集中してこ
の境界部分に接触する層間絶縁層にクラックが発生して
しまう。

【０００４】このような問題を解決するためには、めっ
きレジストを除去し、その後導体回路表面に粗化層を設
けておく方法がある。例えば、特開平６−２８３８６０
号公報記載の技術によれば、内層のめっきレジストを除
去して、無電解めっき膜からなる導体回路表面に銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層を設け、層間剥離を防止す
る技術が開示されている。しかしながら、バイアホール
に接触している層間樹脂絶縁層にクラックが発生する場
合が見られ、このようバイアホールと接触する部分のク
ラックを抑制する方法が必要であった。

【０００５】また、このようなクラックを抑制する場合
でも、下層導体回路とバイアホールの接続を確保する必
要があった。本願発明は、他の特性、特にバイアホール
と下層導体回路の密着を維持したまま、ヒートサイクル
時に発生する層間絶縁層のクラックを防止することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨構成は以下
のとおりである。下層導体回路が設けられた基板上に層間絶縁層が形成
され、その層間絶縁層上に上層導体回路が形成されてな
り、上層導体回路と下層導体回路がバイアホールで接続
した多層プリント配線板において、前記バイアホール
は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、該下層導
体回路は、バイアホールと接続する部分の表面には粗化
層が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきから
なる。基板上に下層導体回路を形成し、ついでこの下層導体
回路表面を粗化処理し、次に基板上に層間絶縁層を設
け、この層間絶縁層にバイアホール用の孔を形成し、さ
らに、層間絶縁層上に無電解めっきを施した後、めっき
レジストを設け、電解めっきを施し、めっきレジストを
除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解めっ
き膜からなる上層導体回路およびバイアホールを形成す
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合金めっきによ
り形成される。

【０００７】バイアホールが電解めっき膜と無電解めっ
き膜が構成され、より内層側に、無電解めっき膜が形成
され、より外層側に電解めっき膜が形成されている（図
１８、図１９の拡大図参照）。電解めっき膜は無電解め
っき膜より柔らかく展性に富み、このため、ヒートサイ
クル時に基板にそりが発生しても、層間樹脂絶縁層の寸
法変化にバイアホールが追従でき、またバイアホールの
内層側はより硬い無電解めっき膜で形成されており、こ
の無電解めっき膜が下層導体回路と粗化層を介して密着
するため、ヒートサイクル時に下層導体回路との剥離が
生じないのである。

【０００８】なお、粗化層がくい込む金属層は、硬い方
がよい。ひきはがしの力が加わった場合に、金属層での
破壊が生じにくいからである。バイアホールが電解めっ
き膜のみで構成されている場合は、粗化層を介して下層
導体回路と密着していても電解めっき膜自体が柔らかく
ヒートサイクルにより剥離しやすい。また、バイアホー
ルが無電解めっき膜のみで構成されている場合は、層間
樹脂絶縁層の寸法変化に対応できず、バイアホール上の
層間樹脂絶縁層にクラックが発生してしまう。

【０００９】このように、本願発明では、バイアホール
が電解めっき膜と無電解めっき膜で構成され、そのバイ
アホールが下層導体回路と粗化層を介して接続した構成
を採用するため、バイアホール上の層間樹脂絶縁層のク
ラック発生とバイアホールと下層導体回路との剥離を同
時に防止できるのである。本願発明では、バイアホール
表面には粗化層が設けられていてもよい。層間樹脂絶縁
層と強固に密着し、層間樹脂絶縁層の寸法変化に導体回
路がより追従しやすくなる。

【００１０】このため、ＩＣチップを搭載し、−５５℃
〜１２５℃のヒートサイクル試験を行った場合でも導体
回路を起点とする層間樹脂絶縁層のクラックの発生を抑
制でき、また剥離も見られない。

【００１１】本願発明では、バイアホールが接続する下
層導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなる
ことが望ましい。また、より内層側に無電解めっき膜
が、より外層側には電解めっき膜が設けられている。下
層導体回路の内層側は層間樹脂絶縁層と密着することに
なるため、ピール強度確保のためにより硬い無電解めっ
き膜が望ましく、逆側はバイアホールと接続するため寸
法変化に対する追従性に優れる電解めっき膜が望まし
い。なお、層間樹脂絶縁層が粗化されている場合、この
粗化層にくい込むめっき膜は硬い方がよい。この理由
は、ひき剥がしの力が加わった場合に、めっき膜の部分
で破壊が生じにくいからである。

【００１２】本願発明における粗化面は、バイアホール
と接続する部分のみならず、下層導体回路全面に形成さ
れていてもよい。層間絶縁層との密着に優れるからであ
る。本願発明における前記粗化層は、エッチング処理、
研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成された銅
の粗化面又もしくはめっき被膜により形成された粗化面
であることが望ましい。特に粗化層は、銅−ニッケル−
リンからなる合金層であることが望ましい。

【００１３】前記合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２
wt％であることが望ましい。これらの組成割合のとき
に、針状の構造を有するからである。

【００１４】なお、針状結晶を形成できるＣｕ−Ｎｉ−
Ｐの組成を三成分系の三角図（図１８）に示す。（Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｐ）＝（１００，０，０）、（９０，１０，
０）、（９０，０，１０）で囲まれる範囲がよい。

【００１５】前記酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。

【００１６】前記粗化層は、１〜５μｍがよい。厚すぎ
ると粗化層自体が損傷、剥離しやすく、薄すぎると密着
性が低下するからである。

【００１７】前記無電解めっき膜の厚さは、１〜５μｍ
がよい。厚すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下
し、逆に薄すぎるとピール強度の低下を招き、また電解
めっきを施す場合、抵抗値が大きくなり、めっき膜の厚
さにバラツキが発生してしまうからである。

【００１８】また、前記電解めっき膜の厚さは、１０〜
２０μｍがよい。厚すぎるとピール強度の低下を招き、
薄すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからで
ある。

【００１９】本願発明では、少なくとも側面に粗化層が
形成されていることが望ましい。ヒートサイクルにより
層間樹脂絶縁層に生じるクラックは、導体回路側面と樹
脂絶縁層との密着不良に起因するからである。

【００２０】本発明では、上記配線基板を構成する層間
樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが
望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理され
た酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あ
るいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散さ
れてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理すること
により、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つ
ぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。

【００２１】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、から選ばれるいずれか
少なくとも１種を用いることが望ましい。これらは、よ
り複雑なアンカーを形成できるからである。

【００２２】次に、本発明にかかるプリント配線板を製
造する一方法について説明する。（１）まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成し
た配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの
形成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるい
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック
基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を
形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここ
に無電解めっきするか、もしくは全面無電解めっき、め
っきレジスト形成、電解めっき後、めっきレジスト除
去、エッチング処理し、電解めっき膜と無電解めっき膜
からなる導体回路を形成する方法がある。

【００２３】さらに、上記配線基板の下層導体回路表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成する。粗化
層は、無電解めっきにより形成される。めっき液組成と
しては、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン
酸イオン濃度は、それぞれ２．２×１０^-2〜４．１×１
０^-2ｍｏｌ／ｌ、２．２×１０^-3〜４．１×１０^-3ｍｏ
ｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌであることが望
ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造
になるため、アンカー効果に優れるからである。無電解
めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加え
てもよい。

【００２４】粗化層の形成方法としては、この他に前述
した酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチング
して粗化面を形成する方法などがある。なお、コア基板
には、スルーホールが形成され、このスルーホールを介
して表面と裏面の配線層を電気的に接続することができ
る。また、スルーホールおよびコア基板の導体回路間に
は樹脂が充填されて、平滑性を確保してもよい（図１〜
図４）。

【００２５】（２）次に、前記（１）で作製した配線基
板の上に、層間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明で
は、層間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着
剤を用いることが望ましい（図５）。

【００２６】（３）形成した無電解めっき用接着剤層を
乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用開口を設
ける。感光性樹脂の場合は、露光，現像してから熱硬化
することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化
したのちレーザー加工することにより、前記接着剤層に
バイアホール形成用の開口部を設ける（図６）。

【００２７】（４）次に、硬化した前記接着剤層の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によっ
て溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する（図７）。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるい
は蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用い
ることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホール
から露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩
（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望まし
い。

【００２８】（５）次に、接着剤層表面を粗化した配線
基板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イ
オンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一
般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用
する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこ
とが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムが
よい。

【００２９】（６）次に、無電解めっき用接着剤表面に
無電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき膜を形
成する（図８）。無電解めっき膜の厚みは１〜５μｍ、
より望ましくは２〜３μｍである。つぎに、無電解めっ
き膜上にめっきレジストを形成する（図９）。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラックやフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイ
ミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望まし
いが、他に市販品を使用することもできる。

【００３０】（７）次に、めっきレジスト非形成部に電
解めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形
成する（図１０）。ここで、上記無電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。

【００３１】（８）さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき膜
を溶解除去して、独立した導体回路とする（図１１）。

【００３２】（９）次に導体回路の表面に粗化層を形成
する（図１２）。粗化層の形成方法としては、エッチン
グ処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。
酸化還元処理は、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ
₂（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ＰＯ₄（６ｇ／ｌ）を酸化浴
（黒化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄（５
ｇ／ｌ）を還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合
金層による粗化層を形成する場合は無電解めっきにより
析出させる。

【００３３】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１〜６．０ｇ／
ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１
００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．
０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。

【００３４】（１０）次に、この基板上に層間樹脂絶縁
層として、無電解めっき用接着剤層を形成する（図１
３）。（１１）さらに、（３）〜（８）の工程を繰り返
してさらに上層の導体回路を設ける（図１４〜１７）。

【００３５】（１２）次に、ソルダーレジスト組成物の
塗膜を乾燥し、この塗膜に、開口部を描画したフォトマ
スクフィルムを載置して露光、現像処理することによ
り、導体回路のうちパッド部分を露出させた開口部を形
成する。ここで、前記開口部の開口径は、パッドの径よ
りも大きくすることができ、パッドを完全に露出させて
もよい。

【００３６】（１１）次に、前記開口部から露出した前
記パッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成する。

【００３７】（１２）次に、前記開口部から露出した前
記パッド部上にはんだ体を供給する。はんだ体の供給方
法としては、はんだ転写法や印刷法を用いることができ
る。ここで、はんだ転写法は、プリプレグにはんだ箔を
貼合し、このはんだ箔を開口部分に相当する箇所のみを
残してエッチングすることによりはんだパターンを形成
してはんだキャリアフィルムとし、このはんだキャリア
フィルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラッ
クスを塗布した後、はんだパターンがパッドに接触する
ように積層し、これを加熱して転写する方法である。一
方、印刷法は、パッドに相当する箇所に貫通孔を設けた
メタルマスクを基板に載置し、はんだペーストを印刷し
て加熱処理する方法である。

【００３８】

【実施例】

（実施例１）（１）厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に18μｍの銅箔がラミネートされてなる銅張積層板を
出発材料とした。この銅張積層板の銅箔を常法に従いパ
ターン状にエッチング、穴明け、無電解めっきを施すこ
とにより、基板の両面に下層導体回路２とスルーホール
を形成した。さらに、下層導体回路間、スルーホール内
にビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した。

【００３９】（２）前記（１）で内層銅パターンを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、
ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路の全表面にCu−Ni−Ｐ合金の厚さ 2.5μｍの粗
化層５（凹凸層）を形成した。

【００４０】（３）ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジ
メチルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル
化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30
重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E
4MZ-CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクト
ン変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート
（東亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量
部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５
重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学
製）0.5 重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹
脂粒子の平均粒径 5.5μｍのものを35重量部、平均粒径
0.5μｍのものを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノル
マルメチルピロリドン）を添加しながら混合し、ホモデ
ィスパー攪拌機で粘度12Pa・ｓに調整し、続いて３本ロ
ールで混練して感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を
得る。

【００４１】（４）前記（３）で得た感光性接着剤溶液
を、前記（２）の処理を終えた基板の両面に、ロールコ
ータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、
60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層６を
形成した。（５）前記（４）で接着剤層６を形成した基板の両面
に、バイアホールが描画されたフォトマスクフィルムを
載置し、紫外線を照射して露光した。

【００４２】（６）露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチ
レングリジメチルエーテル）溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層に 100μｍφのバイアホールとなる
開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて
3000mJ／cm²で露光し、 100℃で１時間、その後 150℃
で５時間にて加熱処理することにより、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れ、開口（バイアホール
形成用開口）を有する厚さ50μｍの接着剤層を形成し
た。なお、バイアホールとなる開口には、粗化層を部分
的に露出させる。

【００４３】（７）前記（５）（６）でバイアホール形
成用開口を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬し、
接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
て、当該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶液
（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した。（８）前記（７）で粗面化処理（粗化深さ５μｍ）を行
った基板に対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付
与することにより、接着剤層およびバイアホール用開口
の表面に触媒核を付与した。

【００４４】（９）以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっ
き膜３を形成した。無電解めっき液ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ硫酸銅２０ｇ／ｌＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ無電解めっき条件７０℃の液温度で３０分

【００４５】（１０）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜に張り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ²で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処
理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト７を設けた。

【００４６】（１１）ついで、以下の条件で電解銅めっ
きを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜４を形成し
た。電解めっき液硫酸銅１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アドテックジャパン製商品名カパラシドＧ
Ｌ）１ｍｌ／ｌ電解めっき条件電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度室温

【００４７】（１２）めっきレジスト７を５％ＫＯＨで
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッッチン
グを行い、無電解めっき膜３を溶解除去して無電解銅め
っき膜と電解銅めっき膜４からなる厚さ１８μｍの導体
回路（バイアホールを含む）を形成した。

【００４８】（１３）導体回路を形成した基板を、硫酸
銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路の表面に厚さ３μｍの銅−ニッ
ケル−リンからなる粗化層５を形成した。粗化層５をＥ
ＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ９
８ｍｏｌ％、Ｎｉ１．５ｍｏｌ％、Ｐ０．５ｍｏｌ％の
組成比を示した。

【００４９】（１４）（４）〜（１２）の工程を繰り返
すことにより、さらに上層の導体回路を形成した。

【００５０】（１５）一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重
量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6
ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本
化薬製、商品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモ
ノマー（共栄社化学製、商品名：DPE6A ） 1.5ｇ、分散
系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）0.71ｇを
混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベ
ンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）を0.2 ｇ加えて、粘度を
25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を
得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL
-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合は
ローターNo.3によった。

【００５１】（１６）基板にソルダーレジスト組成物を
20μｍの厚さで塗布した。（１７）次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、1000mJ／cm²の紫外線で露光し、DMTG現
像処理した。さらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、
120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、
パッド部分が開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジ
スト層（厚み20μｍ）を形成した。

【００５２】（１８）次に、ソルダーレジスト層を形成
した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリ
ウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐ
Ｈ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開
口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層13を形成した。さ
らに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化
アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、
次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき
液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層13
上に厚さ0.03μｍの金めっき層を形成した。

【００５３】（１９）そして、ソルダーレジスト層の開
口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローす
ることによりはんだバンプを形成し、はんだバンプを有
するプリント配線板を製造した。

【００５４】（実施例２）基本的に実施例１と同様であ
るが、粗化をエッチングにより行った。エッチング液
は、メック社製の「デュラボンド」なる商品名のものを
使用した。

【００５５】（比較例）実施例１の（１）、（２）、
（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、（８）の処
理後、ドライフィムフォトレジストをラミネートすると
ともに、露光、現像処理により、めっきレジストを形成
した。ついで、実施例１の（９）を実施後、（１２）の
工程と同様にしてめっきレジストを剥離し、（１３）の
処理を行い導体回路の全表面を粗化し、さらに、同様に
層間樹脂絶縁層、粗化、めっきレジストの形成、無電解
銅めっきを施し、めっきレジストの剥離後、実施例１
の、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１
９）の処理により、はんだバンプを有するプリント配線
板を製造した。

【００５６】実施例、比較例で製造されたプリント配線
板につき、ＩＣチップを実装し、−５５℃で１５分、常
温１０分、１２５℃で１５分でヒートサイクル試験を１
０００回、および２０００回実施した。実施例、比較例
についてバイアホール上における層間樹脂絶縁層のクラ
ックの発生を走査型電子顕微鏡で確認した。また、同様
にバイアホールと下層導体回路との剥離の有無を確認し
た。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板によれば、ヒートサイクル時におけるバイアホール
上の層間樹脂絶縁層に発生するクラックおよびバイアホ
ールの下層導体回路との剥離を同時に抑制して接続信頼
性を向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】〜

【図１７】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図１８】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大
図である。

【図１９】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大
図である。

【図２０】銅−ニッケル−リンの粗化層の組成を表す三
角図

【符号の説明】

１基板２下層導体回路３無電解銅めっき膜４電解銅めっき膜５粗化層６層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）７めっきレジスト２０上層導体回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層導体回路が設けられた基板上に層間
絶縁層が形成され、その層間絶縁層上に上層導体回路が
形成されてなり、上層導体回路と下層導体回路がバイア
ホールで接続した多層プリント配線板において、前記バイアホールは、無電解めっき膜と電解めっき膜か
らなり、該下層導体回路は、少なくともバイアホールと接続する
部分の表面に粗化層が形成されてなることを特徴とする
多層プリント配線板。
【請求項２】前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
金めっきからなる請求項１に記載の多層プリント配線
板。
【請求項３】基板上に下層導体回路を形成し、ついで
この下層導体回路表面のうち、少なくともバイアホール
と接続する部分の表面に粗化処理を施し、次に基板上に
層間絶縁層を設け、この層間絶縁層にバイアホール用の
孔を形成し、さらに、層間絶縁層上に無電解めっきを施した後、めっ
きレジストを設け、電解めっきを施し、めっきレジスト
を除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解め
っき膜からなる上層導体回路およびバイアホールを形成
することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
金めっきにより形成される請求項３に記載の多層プリン
ト配線板の製造方法。