JPH10190945A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構成によって、受光素子に対するノイズ
光の入力に起因する読み取り画像品質の低下をなくすと
ともに、部品点数を削減してよりコスト低減を達成でき
る密着型イメージセンサを提供する。 【解決手段】ケーシング21と、このケーシングの上面に
取付けられたガラスカバー22と、複数のイメージセンサ
チップ25が搭載された基板24と、上記ガラスカバー22上
の原稿を照明するための発光素子28と、を備え、上記ガ
ラスカバー22上の原稿からの反射光を上記複数のイメー
ジセンサチップ25上の受光素子に集束させるようにした
密着型イメージセンサ20であって、上記発光素子28は上
記複数のイメージセンサチップ25が搭載された基板24と
同一の基板上に搭載されている一方、上記基板24におけ
る上記イメージセンサチップ25の周囲表面は低反射色を
有しているとともに、上記基板24における上記発光素子
28の周囲表面は高反射色を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願発明は、ケーシングの外面に
設定された画像読み取り面上を接触搬送される原稿の画
像を１ラインごとに読み取るように構成された密着型イ
メージセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の密着型イメージセンサ１
０の一般的構成例を図９および図１０に示す。断面矩形
をしたケーシング１１の上面には、透明ガラスカバー１
２からなる原稿読み取り面１２ａが設けられている。こ
の原稿読み取り面１２ａに接触させられながら、プラテ
ン１３によってバックアップされた原稿Ｄが副走査方向
に搬送される。ケーシング１１の底面には、基板１４上
に搭載された複数個のイメージセンサチップ１５が配置
されている。このイメージセンサチップ１５は、たとえ
ば１個につき９６個等間隔に並ぶ受光素子１５ａが一体
に造り込まれた半導体素子であって、所定の配線パター
ンが施された基板１４上にチップボンディングされると
ともに、上面の端子パッドと基板上の配線パターンとの
間がワイヤボンディング１６によって結線される。たと
えばＡ４幅の原稿を２００ドット／１ｍｍの読み取り密
度を達成するためには、上記イメージセンサチップが読
み取り幅方向 (図９の画面と直交する方向) に１８個長
手方向に密接させて搭載されることになる。

【０００３】原稿読み取り面１２ａに設定された読み取
りラインＬと上記のように配置されたイメージセンサチ
ップ１５（より具体的にはその上面に並ぶ受光素子）と
の間には、上記読み取りラインＬに沿った原稿Ｄの画像
を正立等倍に上記イメージセンサチップ１５上に集束さ
せるためのロッドレンズアレイ１７が配置されている。

【０００４】上記ロッドレンズアレイ１７に対するケー
シング１１の側方空間には、上記読み取りラインＬ上の
原稿Ｄを照明するための光源として、複数個の光源素子
１８が基板１９に搭載された恰好で配置される。この光
源素子としては従来、いわゆるチップ型のＬＥＤが採用
される場合が多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来の密着
型イメージセンサ１０には、次のような解決するべき課
題がある。

【０００６】第１に、イメージセンサチップ１５を搭載
する基板１４と、光源としてのチップ型ＬＥＤ１８を搭
載するための基板１９とが別部材であるため、部品点数
が多く、組立工数が多い。

【０００７】第２に、イメージセンサチップ１５を搭載
する基板１４をたとえばセラミック基板で形成する場
合、セラミック基板は通常白色系の表面を有しているた
めに、図１０に詳示するように、この基板１４の表面で
反射した光がさらにイメージセンサチップ１５と基板１
４とを電気的に接続するためのワイヤ１６に反射してこ
れがノイズ光としてイメージセンサチップ１５の受光素
子１５ａに入力されてしまうことがあり、このことは、
読み取り画像品質の低下をもたらす。

【０００８】第３に、上記イメージセンサチップ１５を
搭載する基板を白色系のセラミック基板で形成する場
合、セラミック基板を透過した外部光が上記イメージセ
ンサチップ１５に対するノイズ光として作用することが
あり、このことも、読み取り画像品質の低下をもたら
す。

【０００９】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、簡単な構成によって、受光素子
に対するノイズ光の入力に起因する読み取り画像品質の
低下をなくすとともに、部品点数を削減してよりコスト
低減を達成できる密着型イメージセンサを提供すること
をその課題としている。

【００１０】

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を採用した。

【００１１】すなわち、本願発明に係る密着型イメージ
センサは、ケーシングと、このケーシングの上面に取付
けられたガラスカバーと、複数のイメージセンサチップ
が搭載された基板と、上記ガラスカバー上の原稿を照明
するための発光素子と、を備え、上記ガラスカバー上の
原稿からの反射光を上記複数のイメージセンサチップ上
の受光素子に集束させるようにした密着型イメージセン
サであって、上記発光素子は上記複数のイメージセンサ
チップが搭載された基板と同一の基板上に搭載されてい
る一方、上記基板における上記イメージセンサチップの
周囲表面は低反射色を有しているとともに、上記基板に
おける上記発光素子の周囲表面は高反射色を有している
ことを特徴としている。ここで、高反射色とは、たとえ
ば白色等の明色を意味し、低反射色とは、たとえば黒色
等の暗色を意味する。

【００１２】本願発明においては、イメージセンサチッ
プが搭載される基板におけるイメージセンサチップの周
囲が黒色等の低反射色で形成されているので、ガラスカ
バー上の原稿から反射した光の一部が基板に到達したと
しても、この光がさらに基板で反射することが少なく、
したがって、従来のように基板で反射した光がさらにイ
メージセンサチップと基板とをつなぐワイヤで反射して
受光素子にノイズ光として入力されるということを極力
回避することができる。

【００１３】さらに、本願発明においては、イメージセ
ンサチップが搭載される基板と同一基板に発光素子が搭
載されているので、図９に示した構造の従来例に比較
し、部品点数の削減、組立工数の削減を図ることができ
る。

【００１４】さらに、本願発明においては、上記のよう
にイメージセンサチップが搭載される基板と同一基板に
搭載される発光素子の周囲を白色等の高反射色で形成し
ているので、発光素子が発した光が基板に到達した場合
にこの光をさらにガラスカバー上の原稿に向けて反射す
ることができるので、それだけ照明効率が高まり、イメ
ージセンサチップと同一基板に搭載することによって発
光素子の原稿からの距離が遠ざかることに起因する照明
効率の低下を補償することができる。

【００１５】好ましい実施形態においては、上記基板は
白色系のセラミック基板が用いられており、上記高反射
色は、上記セラミック基板の表面および／または上記発
光素子を搭載するために上記基板上に形成された銀・白
金ペーストによる配線パターンとによって形成されてお
り、上記低反射色は、上記基板の表面に施された黒色系
の保護層によって形成されている。

【００１６】セラミック基板は、電子部品搭載用の基板
として通常選択しうるものである。そして、回路構成
上、このような基板には当然に配線パターンがたとえば
導体ペーストを用いた厚膜印刷によって形成される。し
たがって、上記のような高反射色を達成するためには、
基板の材質の選択、配線パターンを形成するための導体
ペーストの選択によって達成されるのであって、なんら
製造工数の増加を招くものではない。また、基板上の配
線パターンは、通常、ガラスペーストを厚膜印刷するこ
とによる保護層によって覆われる。上記実施形態におい
てはしたがって、このようなガラスペーストをたとえば
黒色の不透明ガラスペーストを選択することによって達
成できるのであって、なんら製造工数の増加を招くもの
ではない。

【００１７】好ましい実施形態においてはさらに、上記
発光素子は、上記基板上に所定ピッチで配置された複数
個のＬＥＤチップによって形成されている。すなわち、
この実施形態においては、イメージセンサチップを搭載
する基板と同一の基板に発光素子を搭載するにあたり、
ＬＥＤのベアチップを採用することにより、イメージセ
ンサチップのチップボンディング、あるいはワイヤボン
ディングと同様の手法あるいは装置を用いて、たとえば
イメージセンサチップを搭載するのと同一の工程におい
て、発光素子を基板上に搭載することができる。また、
ＬＥＤのベアチップを光源素子として採用することによ
り、いわゆるチップ型のＬＥＤに比較して、ロスが少な
くなり、それだけ原稿照明の効率を高めることができ
る。

【００１８】好ましい実施形態においてはさらに、上記
光源素子としての複数個のＬＥＤチップは、透明の保護
コートによって連続的に覆われており、かつ、上記基板
における上記各ＬＥＤチップを中心として少なくともＬ
ＥＤチップの配設ピッチの略３／５の径の領域内を高反
射色としている。

【００１９】ベアチップないしボンディングワイヤの保
護を行うため、たとえばシリコーンポリマーからなる透
明の保護層によって上記ＬＥＤのベアチップが覆われ
る。このような保護層の屈折率は概ね１．４であり、し
たがって、ＬＥＤのベアチップが発した光のうち、上記
保護層の表面境界に対していわゆる臨界入射角よりも大
きな角度で入射した光は、保護層の外部に出ることなく
全反射する。こうして全反射した光は基板表面に戻され
るが、本願発明では、この基板表面を上述したように高
反射色で形成しているため、基板表面に到達した光をさ
らに外部に向けて照射することができるのである。実験
によれば、少なくともＬＥＤチップの配設ピッチの略３
／５の径の領域内の基板表面を高反射色としておけば、
上記のように保護層の表面境界面で外部にでることなく
全反射させられた光を過不足なく外部に向けて放射する
ことがしできることが判明している。

【００２０】好ましい実施形態においてはさらに、上記
ケーシング内には、上記ガラスカバー上の原稿の画像を
上記複数のイメージセンサチップ上の受光素子に正立等
倍に集束させるためのレンズアレイと、上記発光素子が
発する光を上記ガラスカバー上の原稿に導くための導光
部材とが設けられている。

【００２１】レンズアレイを採用する場合、ガラスカバ
ー上の原稿読取面と受光素子としてのイメージセンサチ
ップとの間には一定の距離を必要とするため、イメージ
センサチップと同一基板に発光素子を配置する場合に発
光素子から上記原稿読み取り面までの距離が長くなる
が、この実施形態においては、導光部材を採用すること
により、発光素子から発する光のケーシング内での無駄
な拡散を抑え、効率よく原稿照明を行うことができる。

【００２２】好ましい実施形態においてはさらに、上記
基板の裏面の一部または全部が遮光層で覆われている。

【００２３】イメージセンサチップを搭載するための基
板を白色のセラミック基板とする場合、このセラミック
基板は、若干の光透過を許す。本実施形態においては、
このようなセラミック基板の裏面の一部または全部、す
なわち、少なくともイメージセンサチップが搭載される
部位と対応する所定の範囲を遮光層で覆っているので、
このような密着型イメージセンサが組み込まれる機器内
の光源や室内光が基板を通してケーシング内に侵入し、
イメージセンサチップにノイズ光として入力されること
を極力防止することができ、このこともまた、本願発明
にかかる密着型イメージセンサの画像読み取り品質の向
上に大きく寄与する。なお、上記のような遮光層は、黒
色塗装、黒色印刷、黒色のテープの貼付等によって簡単
に達成することができる。

【００２４】本願発明のその他の特徴および利点は、図
面を参照して以下に行う詳細な説明から、より明らかと
なろう。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の密着型イメージ
センサ２０の好ましい実施形態を、図面を参照しつつ具
体的に説明する。

【００２６】図１は好ましい実施形態に係る密着型イメ
ージセンサ２０の構成部品を分解した状態で示す斜視
図、図２は平面図、図３は図２のIII −III 線に沿う断
面図、図４は図２のIV−IV線に沿う断面図、図５は図２
のＶ−Ｖ線に沿う断面図、図６はヘッド基板の部分拡大
平面図、図７は図６のVII −VII 線に沿う拡大断面図、
図８は図６のVIII−VIII線に沿う拡大断面図である。

【００２７】この密着型イメージセンサ２０は、略矩形
の断面形状と、所定の長手寸法を有するケーシング２１
を有しており、このケーシング２１は、たとえば黒色の
樹脂を用いた成形品として構成することができる。この
ケーシング２１は、図３によく表れているように、上下
に貫通する内部空間をもち、上部開口を封鎖するように
して、ガラスカバー２２が取付けられている。このガラ
スカバー２２は、原稿読み取り面２２ａとして機能し、
この原稿読み取り面に接触させられながら、プラテン２
３によってバックアップされた原稿Ｄが副走査方向に搬
送される。また、上記ケーシング２１の下部開口を封鎖
するようにして、後述するヘッド基板２４が取付けられ
ている。

【００２８】このヘッド基板２４は、白色系のセラミッ
ク基板を使用して構成されたものであり、その上面にお
ける幅方向一側寄りには、複数個のイメージセンサチッ
プ２５が長手方向に密接するようにして搭載されてい
る。このイメージセンサチップ２５は、たとえば１個に
つき９６個等間隔に並ぶ受光素子が一体に造り込まれた
半導体素子であって、所定の配線パターンが施された上
記基板２４上にチップボンディングされるとともに、上
面の端子パッドと基板上の配線パターンとの間がワイヤ
ボンディング２６されている。また、幅方向他側寄りに
は、照明光源としてのＬＥＤのベアチップ２８が所定間
隔で複数個搭載されている。この場合も、所定の配線パ
ターンが施された基板上に上記ベアチップがチップボン
ディング２９されるとともに、上面端子パッドと配線パ
ターンとの間がワイヤボンディング２９によって結線さ
れている。

【００２９】そして、このケーシング２１の内部空間に
は、上記ＬＥＤからの光を効率的に上記ガラスカバー２
２上の原稿に照射するための透明樹脂製の導光部材３０
が設けられているとともに、上記ガラスカバー２２上に
設定された読み取りラインＬに沿う原稿Ｄの画像を正立
等倍に上記イメージセンサチップ２５に集束させるため
のロッドレンズアレイ２７が設けられている。

【００３０】上記ロッドレンズアレイ２７は、ケーシン
グ２１内に形成した溝状ホルダ部３１に上方から挿入す
るようにして保持されている。溝状ホルダ部３１は、ロ
ッドレンズアレイ２７の平面形態と対応する凹陥溝３１
ａを有しており、その底部には、ロッドレンズアレイ２
７を透過した光を通過させてその下方に配置される複数
のイメージセンサチップ２５上に至らせるためのスリッ
ト３２が形成されている。

【００３１】上記導光部材３０は、上記ロッドレンズア
レイ２７の光軸の延長線上に設定されている読み取りラ
インＬから側方に変位した位置において上記ヘッド基板
２４に搭載されたＬＥＤベアチップ２８から発する光
を、プリズム効果によって効率的に上記読み取りライン
Ｌないしはその近傍領域に導くための部材である。この
導光部材３０は、上記ＬＥＤベアチップ２８の配置と対
応して開口する透孔窓３３が形成された底壁３４と、ケ
ーシング２１の一側内壁２１ａと、上記溝状ホルダ部３
１の外壁３１ｂとで囲まれた空間に嵌め込むようにして
取付けられる。

【００３２】図１、図２および図５に表れているよう
に、上記導光部材３０の両端部には、上記ケーシングの
一側内壁２１ａと上記溝状ホルダ部３１の外壁３１ｂと
の間に嵌合しうる所定の上下寸法を有する嵌合ブロック
３０ａが一体に形成されており、この嵌合ブロック３０
ａから、上記ロッドレンズアレイ２７の両端部上面を押
圧するための押圧片３０ｂが一体延出形成されている。

【００３３】ところで、上記ヘッド基板２４には、複数
のイメージセンサチップ２５を搭載するための配線パタ
ーン３５および上記光源としてのＬＥＤベアチップ２８
を搭載するための配線パターン３６が形成される。本実
施形態においては、これらの配線パターン３５，３６
を、とくに銀・白金ペーストを用いた厚膜印刷法によっ
て形成する。このように形成された配線パターンの表面
は、白色の色彩を呈する。その結果、上記ヘッド基板が
白色系のセラミック基板であることとその上に印刷形成
された配線パターンが白色を呈することとあいまって、
このように配線パターン３５，３６が形成された段階で
のヘッド基板２４の上面の色彩は、白色を呈する。

【００３４】上記ヘッド基板２４は、上記のようにして
配線パターン１２，３５，３６が形成された後の工程に
おいて、配線パターンにおけるワイヤボンディングする
べき部位、あるいは端子として露出させておくべき部位
を残して、ガラスペーストを厚膜印刷することによる保
護層で覆われるが、上記実施形態においてはとくに、イ
メージセンサチップ２５を搭載するべき所定の領域につ
いては、図７に示すように、黒色のガラスペーストを用
いた保護層３７とする。その結果、ヘッド基板２４の表
面のうち、イメージセンサチップ２５を搭載するべき領
域の表面は、黒色を呈することになる。一方、光源とし
てのＬＥＤベアチップ２８が搭載されるべき領域の表面
は、前述したように、白色を呈することになる。なお、
黒色のガラスペーストとしては、たとえば、酸化鉄粉末
を含有するガラスペーストが用いられる。

【００３５】上記のように形成されたヘッド基板２４の
所定部位には、複数個のイメージセンサチップ２５およ
び複数個のＬＥＤベアチップ２８が、チップボンダによ
ってボンディングされるとともに、ワイヤボンダによっ
て、各チップの上面パッドと配線パターンとの間が金線
などの金属細線によって結線される。そして、各チップ
およびボンディングワイヤを保護するために、たとえば
透明なシリコーンポリマーによる保護コーティング３８
がなされる。なお、本実施形態における上記ヘッド基板
の裏面には、図８に表れているように、黒色塗装などか
らなる遮光層３９が形成されている。

【００３６】上記構成の密着型イメージセンサ２０は、
次のようにして組み立てることができる。まず、ケーシ
ング２１の溝状ホルダ部３１にロッドレンズアレイ２７
を上から嵌め込む。次に、上記導光部材３０を、上記ケ
ーシング内壁２１ａとホルダ部外壁３１ｂとで囲まれた
空間に上から嵌め込む。導光部材３０は、その両端部に
形成された嵌合ブロック３０ａが上記空間にぴったりと
嵌まり込むことにより、定位置に保持される。そして、
この導光部材３０の両端の嵌合ブロック３０ａに形成し
た押圧片３０ｂが上記ロッドレンズアレイ２７の両端部
上面を押圧する。これにより、ロッドレンズアレイ２７
は、安定的かつ確実に定位置に保持される。

【００３７】上記ガラスカバー２２は、上記ケーシング
２１の上面開口に嵌め込むようにして、たとえば接着に
よって固定される。上記ヘッド基板２４は、上記ケーシ
ング２１の下面開口に嵌め込むようにして、止め金具４
０によって固定される。この止め金具４０は、図１およ
び図４に表れているように、バネ板部材を断面略Ｍ字状
に折曲形成したものであって、その脚部４０ａに形成し
た係合穴４０ｂがケーシング２１の両側面に形成した係
合突起４１に係合する。上記形態を有する密着型イメー
ジセンサ２０においては、受光素子としてのイメージセ
ンサチップ２５と、照明光源としてのＬＥＤベアチップ
２８とが同一のセラミック基板２４上に搭載されている
ので、部品点数が少なく、上記したように組立も簡単で
ある。

【００３８】次に、上記構成を備える密着型イメージセ
ンサ２０の作用について説明する。

【００３９】照明光源であるＬＥＤベアチップ２８が発
した光は、導光部材３０のプリズム効果によってガラス
カバー２２上の読み取りラインＬに沿う細幅の領域に向
けて照射され、ガラスカバー２２上の原稿Ｄを効率的に
照明する。

【００４０】図７に詳示するように、上記各ＬＥＤベア
チップ２８は、透明なシリコーンポリマーからなる保護
層３８によって連続的に覆われている。この保護層３８
の屈折率は１．４程度であるので、上記ＬＥＤベアチッ
プ２８から放射状に広がって進む光のうち、保護層３８
の境界面において臨界入射角よりも小さい角度で入射す
る光はそのまま保護層３８の外部に放射されるが、上記
臨界入射角よりも大きい角度で入射する光は、保護層３
８の外部に出ることなく上記境界面において全反射させ
られ、保護層３８の内部に戻る。ところで、上記構成に
おいては、ＬＥＤベアチップ２８の近傍におけるヘッド
基板表面は前述したように白色の高反射色としてあるの
で、上記のように境界面で全反射させられて保護層３８
の内部に戻り、かつヘッド基板２４の表面に到達した光
の多くは、基板表面に吸収されることなく乱反射させら
れ、再び保護層の境界面を透過して外部に射出されるこ
とになる。実験によれば、ＬＥＤベアチップ２８を中心
として、このチップの配設ピッチＰの３／５の径の範囲
内の白色基板表面で反射した光が、照明光量アップに寄
与することが判っている。したがって、上記各ＬＥＤベ
アチップ２８を中心として、少なくともその配設ピッチ
Ｐの３／５の径の範囲における基板表面は、白色等の高
反射色としておくことが、本願発明の利点を享受する上
で必要であるといえる。

【００４１】上記のようにして照明された原稿Ｄの読み
取りラインＬに沿う画像が、ロッドレンズアレイ２７に
よって複数個のイメージセンサチップ２５上の受光素子
２５ａに正立等倍に集束させられる。各イメージセンサ
チップ２５は、すべての発光素子からの出力をシリアル
に出力することにより、上記ライン上の画像データを読
み出す。このとき、読み取りラインＬをはずれた部位で
の原稿からの反射光もまたロッドレンズアレイ２７を介
して基板２４の表面に到達させられるが、上記実施形態
においては、基板２４の表面における上記イメージセン
サチップ２５搭載部位の周囲が黒色の低反射色とされて
いるので、上記のように基板表面に到達させられた光は
反射させられることなく基板２４に吸収される。したが
って、図９を参照して従来の問題として指摘したよう
に、基板表面かからの反射光がボンディングワイヤで反
射してイメージセンサチップにノイズ光として入力さ
れ、読み取り画像品質を低下させるといったことを効果
的に回避することができる。

【００４２】また、実施形態においては、上記セラミッ
ク基板２４の裏面を遮光層３９で覆っているので、この
ような密着型イメージセンサ２０が組み込まれる機器内
の光源や室内光が基板を通してケーシング内に侵入し、
イメージセンサチップ２５にノイズ光として入力される
ことを極力防止することができ、このこともまた、本願
発明に係る密着型イメージセンサの画像読み取り品質の
向上に大きく寄与する。

【００４３】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
形態に限定されるものではない。ヘッド基板の所定領域
を低反射色とするための手法、光反射色とするための手
法は問われない。また、低反射色としては、かならずし
も黒色である必要はなく、また、高反射色としても、か
ならずしも白色である必要はない。

【００４４】実施形態においては、光源が発する光を効
率的にガラスカバー上の原稿に導くための導光部材を用
いているが、このような導光部材を設けるか否かは選択
事項であり、また、導光部材の形態も、実施形態のもの
に限定されない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の好ましい実施形態に係る密着型イメ
ージセンサの構成部品を分解した状態で示す斜視図であ
る。

【図２】図１に示す密着型イメージセンサの平面図であ
る。

【図３】図２のIII −III 線に沿う断面図である。

【図４】図２のIV−IV線に沿う断面図である。

【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。

【図６】本願発明に係るヘッド基板の部分拡大平面図で
ある。

【図７】図６のVII −VII 線に沿う拡大断面図である。

【図８】図６のVIII−VIII線に沿う拡大断面図である。

【図９】従来の密着型イメージセンサの一般的構成を示
す断面図である。

【図１０】従来例の問題点の説明図である。

【符号の説明】

２０ 密着型イメージセンサ ２１ ケーシング ２２ ガラスカバー ２４ ヘッド基板 ２５ イメージセンサチップ ２７ ロッドレンズアレイ ２８ ベアチップＬＥＤ（発光素子） ３０ 導光部材 ３９ 遮光層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ケーシングと、このケーシングの上面に
   取付けられたガラスカバーと、複数のイメージセンサチ
   ップが搭載された基板と、上記ガラスカバー上の原稿を
   照明するための発光素子と、を備え、上記ガラスカバー
   上の原稿からの反射光を上記複数のイメージセンサチッ
   プ上の受光素子に集束させるようにした密着型イメージ
   センサであって、 上記発光素子は上記複数のイメージセンサチップが搭載
   された基板と同一の基板上に搭載されている一方、 上記基板における上記イメージセンサチップの周囲表面
   は低反射色を有しているとともに、上記基板における上
   記発光素子の周囲表面は高反射色を有していることを特
   徴とする、密着型イメージセンサ。
2. 【請求項２】 上記基板は白色系のセラミック基板が用
   いられており、上記高反射色は、上記セラミック基板の
   表面および／または上記発光素子を搭載するために上記
   基板上に形成された銀・白金ペーストによる配線パター
   ンとによって形成されており、上記低反射色は、上記基
   板の表面に施された黒色系の保護層によって形成されて
   いる、請求項１に記載の密着型イメージセンサ。
3. 【請求項３】 上記発光素子は、上記基板上に所定ピッ
   チで配置された複数個のＬＥＤチップによって形成され
   ている、請求項１または請求項２に記載の密着型イメー
   ジセンサ。
4. 【請求項４】 上記複数個のＬＥＤチップは、透明の保
   護コートによって連続的に覆われており、かつ、上記基
   板における上記各ＬＥＤチップを中心として少なくとも
   ＬＥＤチップの配設ピッチの略３／５の径の領域内を高
   反射色としている、請求項３に記載の密着型イメージセ
   ンサ。
5. 【請求項５】 上記ケーシング内には、上記ガラスカバ
   ー上の原稿の画像を上記複数のイメージセンサチップ上
   の受光素子に正立等倍に集束させるためのレンズアレイ
   と、上記発光素子が発する光を上記ガラスカバー上の原
   稿に導くための導光部材とが設けられている、請求項１
   ないし請求項４のいずれかに記載の密着型イメージセン
   サ。
6. 【請求項６】 上記基板の裏面の一部または全部は遮光
   層で覆われている、請求項２ないし請求項５のいずれか
   に記載の密着型イメージセンサ。