JPH10197647A - Ｘ線画像検出器 - Google Patents
Ｘ線画像検出器Info
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- JPH10197647A JPH10197647A JP9004667A JP466797A JPH10197647A JP H10197647 A JPH10197647 A JP H10197647A JP 9004667 A JP9004667 A JP 9004667A JP 466797 A JP466797 A JP 466797A JP H10197647 A JPH10197647 A JP H10197647A
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- Japan
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- amorphous silicon
- semiconductor layer
- ray image
- light
- ray
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Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、不要な光電子の発生が抑えられ、
残像の発生が抑制されＸ線画像の画質が向上するＸ線画
像検出器を提供することを目的とする。 【解決手段】この発明のＸ線画像検出器は基板４上に画
素電極１１を含む回路が形成され、この回路上にアモル
ファス状半導体層８，９，１０からなる光検出層とＸ線
を光に変換する蛍光体層５とが積層形成されてなり、さ
らに光検出層と蛍光体層との間で且つ画素電極に対応す
る領域以外の部分に光を遮断する金属膜６が形成されて
なることにより、上記の目的を達成することが出来る。
残像の発生が抑制されＸ線画像の画質が向上するＸ線画
像検出器を提供することを目的とする。 【解決手段】この発明のＸ線画像検出器は基板４上に画
素電極１１を含む回路が形成され、この回路上にアモル
ファス状半導体層８，９，１０からなる光検出層とＸ線
を光に変換する蛍光体層５とが積層形成されてなり、さ
らに光検出層と蛍光体層との間で且つ画素電極に対応す
る領域以外の部分に光を遮断する金属膜６が形成されて
なることにより、上記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、放射線としての
Ｘ線により得られる画像を電気的画像信号に変換するＸ
線画像検出器に係わり、特にＸ線源から出力されて対象
物を透過したＸ線強度分布を電気信号に変換する光検出
層付近の改良に関する。
Ｘ線により得られる画像を電気的画像信号に変換するＸ
線画像検出器に係わり、特にＸ線源から出力されて対象
物を透過したＸ線強度分布を電気信号に変換する光検出
層付近の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、人体あるいは物体の内部構造を
調べるためにＸ線が有用であり、人体や物体に照射され
たＸ線の透過濃度分布、すなわちＸ線強度分布またはＸ
線画像を、可視光像またはＸ線の透過濃度分布に変換す
るための装置が広く利用されている。Ｘ線画像を可視光
像または電気画像信号に変換するための装置としては、
従来から利用されているＸ線像増強管（Ｘ線イメージ
管）に加えて、Ｘ線画像検出器が開発されている。
調べるためにＸ線が有用であり、人体や物体に照射され
たＸ線の透過濃度分布、すなわちＸ線強度分布またはＸ
線画像を、可視光像またはＸ線の透過濃度分布に変換す
るための装置が広く利用されている。Ｘ線画像を可視光
像または電気画像信号に変換するための装置としては、
従来から利用されているＸ線像増強管（Ｘ線イメージ
管）に加えて、Ｘ線画像検出器が開発されている。
【０００３】Ｘ線画像検出器は、二次元状に配置された
複数の画素を有し、それぞれの画素から電気信号を取り
出し可能に形成された画像取り出し部と、外部から入射
されたＸ線を線−光変換し、更に光−電子変換して画像
取り出し部に出力すべき容量を保持するＸ線−電子変換
部を有している。
複数の画素を有し、それぞれの画素から電気信号を取り
出し可能に形成された画像取り出し部と、外部から入射
されたＸ線を線−光変換し、更に光−電子変換して画像
取り出し部に出力すべき容量を保持するＸ線−電子変換
部を有している。
【０００４】このＸ線−電子変換部は、外部から入射さ
れたＸ線を光に変換する蛍光体層とこの蛍光体層により
Ｘ線−光変換された可視光の光強度に対応する光電子を
生成する光電変換膜を有している。
れたＸ線を光に変換する蛍光体層とこの蛍光体層により
Ｘ線−光変換された可視光の光強度に対応する光電子を
生成する光電変換膜を有している。
【０００５】この光電変換膜は、蛍光体層に対向され画
素全体に電圧を供給する透明導電膜、漏れ電流を抑制す
るＰ型アモルファスシリコン半導体層、透明導電膜とＰ
型アモルファスシリコン半導体層を通過した可視光に対
応する光電子を生成し画像取り出し部に向けて加速する
真性アモルファスシリコン半導体層、高抵抗であり電極
からの漏れ電流を抑制する真性アモルファスシリコン−
炭素半導体層を有している。
素全体に電圧を供給する透明導電膜、漏れ電流を抑制す
るＰ型アモルファスシリコン半導体層、透明導電膜とＰ
型アモルファスシリコン半導体層を通過した可視光に対
応する光電子を生成し画像取り出し部に向けて加速する
真性アモルファスシリコン半導体層、高抵抗であり電極
からの漏れ電流を抑制する真性アモルファスシリコン−
炭素半導体層を有している。
【０００６】画像取り出し部は、真性アモルファスシリ
コン−炭素半導体層と接続され、光電子を捕獲する画素
電極、画素電極で捕獲された光電子を保持するコンデン
サ、コンデンサに蓄積された光電子を画素電極を単位と
した画素ごとに出力するための制御素子、すなわちＴＦ
Ｔ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）構造を
有している。
コン−炭素半導体層と接続され、光電子を捕獲する画素
電極、画素電極で捕獲された光電子を保持するコンデン
サ、コンデンサに蓄積された光電子を画素電極を単位と
した画素ごとに出力するための制御素子、すなわちＴＦ
Ｔ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）構造を
有している。
【０００７】画素電極は、画像取り出し部およびＸ線−
電子変換部を保持するガラス基板に形成され、ＴＦＴの
ソースに接続された電極と絶縁膜を介してコンデンサを
形成している。
電子変換部を保持するガラス基板に形成され、ＴＦＴの
ソースに接続された電極と絶縁膜を介してコンデンサを
形成している。
【０００８】このようなＸ線画像検出器においては、外
部より入射されたＸ線は、蛍光体層によりＸ線から光
（可視光）に変換され、透明導電膜およびＰ型アモルフ
ァスシリコン半導体層を通り、真性アモルファスシリコ
ン半導体層に入射する。真性アモルファスシリコン半導
体層に入射した可視光は光電子に変化され、Ｐ型アモル
ファスシリコン半導体層と画素電極の間に印可されてい
る電位差により加速される。このとき電子は画素電極
へ、正孔はＰ型アモルファスシリコン半導体層へ、それ
ぞれ導かれる。
部より入射されたＸ線は、蛍光体層によりＸ線から光
（可視光）に変換され、透明導電膜およびＰ型アモルフ
ァスシリコン半導体層を通り、真性アモルファスシリコ
ン半導体層に入射する。真性アモルファスシリコン半導
体層に入射した可視光は光電子に変化され、Ｐ型アモル
ファスシリコン半導体層と画素電極の間に印可されてい
る電位差により加速される。このとき電子は画素電極
へ、正孔はＰ型アモルファスシリコン半導体層へ、それ
ぞれ導かれる。
【０００９】画素電極に到達した電子すなわち各画素に
入射したＸ線画像のＸ線強度に対応する量の電荷は、各
画素に接続されているＴＦＴがオンされる（コンデンサ
に蓄積された電荷の取り出しが外部から指示される）ま
での間、コンデンサに蓄えられる。
入射したＸ線画像のＸ線強度に対応する量の電荷は、各
画素に接続されているＴＦＴがオンされる（コンデンサ
に蓄積された電荷の取り出しが外部から指示される）ま
での間、コンデンサに蓄えられる。
【００１０】このような構造により、入射Ｘ線画像の強
弱に対応する量を有する電荷が画素ごとのコンデンサに
蓄えられた状態で、選択電極により選択された画素に対
応するＴＦＴがオンされると、読み出し電極を通じてコ
ンデンサに蓄えられている電荷が外部に取り出される。
これにより、入射Ｘ線画像のＸ線強度の応じた電気信号
を得ることができる。この電気信号は、図示しない画像
処理部の所定の規則に基づいて対象物をＸ線により撮影
した画像として再生されて、表示装置に表示される。
弱に対応する量を有する電荷が画素ごとのコンデンサに
蓄えられた状態で、選択電極により選択された画素に対
応するＴＦＴがオンされると、読み出し電極を通じてコ
ンデンサに蓄えられている電荷が外部に取り出される。
これにより、入射Ｘ線画像のＸ線強度の応じた電気信号
を得ることができる。この電気信号は、図示しない画像
処理部の所定の規則に基づいて対象物をＸ線により撮影
した画像として再生されて、表示装置に表示される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したＸ線画像検出
器によると、透明導電膜、Ｐ型アモルファスシリコン半
導体層、真性アモルファスシリコン半導体層、真性アモ
ルファスシリコン−炭素半導体層および画素電極からな
る光電変換膜においては、内部に発生した光電子を電極
に導くために、画素電極と透明導電膜に電位差を印加し
ている。画素電極は各画素ごとに集められた光電子が隣
接する画素電極への漏洩を防止するため、各画素間には
十分な間隔が設けられている。このため、画素間上の真
性アモルファスシリコン半導体層には印加される電位差
が弱くなり、そこで発生した光電子は電位差による移動
が遅く、比較的長時間、真性アモルファスシリコン半導
体層内に残留することになる。外部から入射したＸ線画
像は蛍光体層により可視光に変換され、透明導電膜を通
過し光電変換膜に入射する。この際、画素電極間上のア
モルファスシリコン半導体層に入射した可視光は、光電
子に変換されるが画素電極に移動するまでに時間がかか
り、画像信号では残像となってしまう。この残像は、画
像品位を著しく悪化させる原因となる。
器によると、透明導電膜、Ｐ型アモルファスシリコン半
導体層、真性アモルファスシリコン半導体層、真性アモ
ルファスシリコン−炭素半導体層および画素電極からな
る光電変換膜においては、内部に発生した光電子を電極
に導くために、画素電極と透明導電膜に電位差を印加し
ている。画素電極は各画素ごとに集められた光電子が隣
接する画素電極への漏洩を防止するため、各画素間には
十分な間隔が設けられている。このため、画素間上の真
性アモルファスシリコン半導体層には印加される電位差
が弱くなり、そこで発生した光電子は電位差による移動
が遅く、比較的長時間、真性アモルファスシリコン半導
体層内に残留することになる。外部から入射したＸ線画
像は蛍光体層により可視光に変換され、透明導電膜を通
過し光電変換膜に入射する。この際、画素電極間上のア
モルファスシリコン半導体層に入射した可視光は、光電
子に変換されるが画素電極に移動するまでに時間がかか
り、画像信号では残像となってしまう。この残像は、画
像品位を著しく悪化させる原因となる。
【００１２】この発明は、以上のような不都合を解決す
るものであり、不要な光電子の発生が抑えられ、残像の
発生が抑制されＸ線画像の画質が向上するＸ線画像検出
器を提供することを目的とする。
るものであり、不要な光電子の発生が抑えられ、残像の
発生が抑制されＸ線画像の画質が向上するＸ線画像検出
器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に画
素電極を含む回路が形成され、この回路上にアモルファ
ス状半導体層からなる光検出層とＸ線を光に変換する蛍
光体層とが積層形成されてなり、さらに光検出層と蛍光
体層との間で且つ画素電極に対応する領域以外の部分に
光を遮断する金属膜が形成されてなるＸ線画像検出器で
ある。
素電極を含む回路が形成され、この回路上にアモルファ
ス状半導体層からなる光検出層とＸ線を光に変換する蛍
光体層とが積層形成されてなり、さらに光検出層と蛍光
体層との間で且つ画素電極に対応する領域以外の部分に
光を遮断する金属膜が形成されてなるＸ線画像検出器で
ある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施の形態について詳細に説明する。この発明によ
るＸ線画像検出器は図１に示すように構成され、Ｘ線画
像検出器１は、外部から入射されたＸ線ＲをＸ線−光変
換し、さらに光−電子変換するＸ線−電子変換部２なら
びにＸ線−電子変換部２により光電子に変換されたＸ線
画像を電気信号として取り出す画像取り出し部３を有し
ている。なお、Ｘ線−電子変換部２と画像取り出し部３
は、ガラス基板４上に一体的に形成されている。
の一実施の形態について詳細に説明する。この発明によ
るＸ線画像検出器は図１に示すように構成され、Ｘ線画
像検出器１は、外部から入射されたＸ線ＲをＸ線−光変
換し、さらに光−電子変換するＸ線−電子変換部２なら
びにＸ線−電子変換部２により光電子に変換されたＸ線
画像を電気信号として取り出す画像取り出し部３を有し
ている。なお、Ｘ線−電子変換部２と画像取り出し部３
は、ガラス基板４上に一体的に形成されている。
【００１５】このＸ線−電子変換部２は、外部から入射
されたＸ線を光に変換する蛍光体層５と、蛍光体層５に
よりＸ線−光変換された可視光の光強度の対応する光電
子を生成する光電変換膜２１とにより構成されている。
されたＸ線を光に変換する蛍光体層５と、蛍光体層５に
よりＸ線−光変換された可視光の光強度の対応する光電
子を生成する光電変換膜２１とにより構成されている。
【００１６】この光電変換膜２１は、蛍光体層５に対向
形成された金属膜６、透明導電膜７、Ｐ型アモルファス
シリコン半導体層８、透明導電膜７とＰ型アモルファス
シリコン半導体層８を通過した可視光に対応する光電子
を生成し画像取り出し部３に向けて案内（加速）する真
性アモルファスシリコン半導体層９および高抵抗半導体
層である真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０
が順に積層されたものである。上記のＰ型アモルファス
シリコン半導体層８，真性アモルファスシリコン半導体
層９，真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０に
より光検出層（図に符号なし）が構成されている。そし
て動作時には、金属膜６の空隙を通り、透明導電膜７、
Ｐ型アモルファスシリコン半導体膜８を通り、真性アモ
ルファスシリコン半導体膜９に案内された可視光の光強
度に対応する光電子を出力する。なお、金属膜６は光検
出層と蛍光体層５との間で且つ画素電極（後述）に対応
する領域以外の部分に形成されている。すなわち、金属
膜６はガラス基板４面に対して垂直方向から見た状態
で、以下に説明する画素電極が形成される領域と重なり
合わない領域にのみ、形成されている。
形成された金属膜６、透明導電膜７、Ｐ型アモルファス
シリコン半導体層８、透明導電膜７とＰ型アモルファス
シリコン半導体層８を通過した可視光に対応する光電子
を生成し画像取り出し部３に向けて案内（加速）する真
性アモルファスシリコン半導体層９および高抵抗半導体
層である真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０
が順に積層されたものである。上記のＰ型アモルファス
シリコン半導体層８，真性アモルファスシリコン半導体
層９，真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０に
より光検出層（図に符号なし）が構成されている。そし
て動作時には、金属膜６の空隙を通り、透明導電膜７、
Ｐ型アモルファスシリコン半導体膜８を通り、真性アモ
ルファスシリコン半導体膜９に案内された可視光の光強
度に対応する光電子を出力する。なお、金属膜６は光検
出層と蛍光体層５との間で且つ画素電極（後述）に対応
する領域以外の部分に形成されている。すなわち、金属
膜６はガラス基板４面に対して垂直方向から見た状態
で、以下に説明する画素電極が形成される領域と重なり
合わない領域にのみ、形成されている。
【００１７】画像取り出し部３は光電変換膜２１の真性
アモルファスシリコン−炭素半導体層１０と電気的に接
続され、真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０
に到達した光電子を捕獲する画素電極１１、画素電極１
１で捕獲された光電子を画素電極１１を単位とした画素
ごとに出力するための制御素子すなわちＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）構造１２と画素ごとに捕獲された光電子を
出力時まで保持するコンデンサ１３を有している。
アモルファスシリコン−炭素半導体層１０と電気的に接
続され、真性アモルファスシリコン−炭素半導体層１０
に到達した光電子を捕獲する画素電極１１、画素電極１
１で捕獲された光電子を画素電極１１を単位とした画素
ごとに出力するための制御素子すなわちＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）構造１２と画素ごとに捕獲された光電子を
出力時まで保持するコンデンサ１３を有している。
【００１８】ＴＦＴ構造１２は、ガラス基板４上に形成
されたゲート電極１４、ゲート電極１４を覆う絶縁膜１
５上の所定の領域に形成された半導体膜１６、ドレイン
電極１７、絶縁膜１５上で画素電極１１と接続可能に形
成されたソース電極１８を有している。なお、ドレイン
電極１６およびゲート電極１４は、それぞれ図２に示す
駆動回路の読み出し電極２３および選択電極２２に接続
されている。
されたゲート電極１４、ゲート電極１４を覆う絶縁膜１
５上の所定の領域に形成された半導体膜１６、ドレイン
電極１７、絶縁膜１５上で画素電極１１と接続可能に形
成されたソース電極１８を有している。なお、ドレイン
電極１６およびゲート電極１４は、それぞれ図２に示す
駆動回路の読み出し電極２３および選択電極２２に接続
されている。
【００１９】ソース電極１８とガラス基板４との間に
は、画素電極１１で捕獲された光電子により発生される
電荷を保持するコンデンサ１３を形成する電源電極１９
が配置されている。なお、電源電極１９は、図２に示し
た駆動回路において電源２４と接続され、所定の電圧が
印加される。
は、画素電極１１で捕獲された光電子により発生される
電荷を保持するコンデンサ１３を形成する電源電極１９
が配置されている。なお、電源電極１９は、図２に示し
た駆動回路において電源２４と接続され、所定の電圧が
印加される。
【００２０】次に、上述したＸ線画像検出器の製造方法
について説明する。まず、ガラス基板４上に、たとえば
アルミニウム（Ａｌ）等により、電源電極１９およびゲ
ート電極１４（選択電極２２）を形成する。続いて、絶
縁膜１５を全域に形成し、平面的に見た状態でゲート電
極１４と少なくとも一部が重なるように、半導体膜（チ
ャネル領域）１６を形成する。
について説明する。まず、ガラス基板４上に、たとえば
アルミニウム（Ａｌ）等により、電源電極１９およびゲ
ート電極１４（選択電極２２）を形成する。続いて、絶
縁膜１５を全域に形成し、平面的に見た状態でゲート電
極１４と少なくとも一部が重なるように、半導体膜（チ
ャネル領域）１６を形成する。
【００２１】次に、絶縁膜１５上に平面的に見た状態で
半導体膜（チャネル領域）１６と少なくとも一部が重な
るように、ドレイン電極１７（読み出し電極２３）およ
びソース電極１８を形成し、再び、絶縁膜１５’を全域
に形成する。ここで、ソース電極１８の任意の位置に対
してスルーホール（符号なし）を形成し、平面的に見た
状態でソース電極１８の少なくとも一部が重なるよう、
画素電極１１を形成する。なお、ここまでのプロセス
は、周知の液晶表示パネルの製造工程に類似した工程に
より、容易に達成される。
半導体膜（チャネル領域）１６と少なくとも一部が重な
るように、ドレイン電極１７（読み出し電極２３）およ
びソース電極１８を形成し、再び、絶縁膜１５’を全域
に形成する。ここで、ソース電極１８の任意の位置に対
してスルーホール（符号なし）を形成し、平面的に見た
状態でソース電極１８の少なくとも一部が重なるよう、
画素電極１１を形成する。なお、ここまでのプロセス
は、周知の液晶表示パネルの製造工程に類似した工程に
より、容易に達成される。
【００２２】続いて、少なくとも画素電極１１の全域
を、たとえばＣＶＤ装置により真性アモルファスシリコ
ン−炭素半導体層１０で覆い、真性アモルファスシリコ
ン半導体層９を全域に積層し、さらにＰ型アモルファス
シリコン半導体層８を形成することにより、フォトダイ
オード特性を示すフォトダイオード構造２０を形成す
る。その後、Ｐ型アモルファスシリコン半導体層８上
に、透明導電膜７を形成する。その後、透明導電膜７上
に、たとえばモリブデン（Ｍｏ）等により光を遮断する
金属膜６を全面に形成する。
を、たとえばＣＶＤ装置により真性アモルファスシリコ
ン−炭素半導体層１０で覆い、真性アモルファスシリコ
ン半導体層９を全域に積層し、さらにＰ型アモルファス
シリコン半導体層８を形成することにより、フォトダイ
オード特性を示すフォトダイオード構造２０を形成す
る。その後、Ｐ型アモルファスシリコン半導体層８上
に、透明導電膜７を形成する。その後、透明導電膜７上
に、たとえばモリブデン（Ｍｏ）等により光を遮断する
金属膜６を全面に形成する。
【００２３】上記工程を終了した段階で、画像検出領域
内の画素電極１１と平面的に重なり合う領域に積層され
た金属膜６を除去することにより、光電変換膜２１を形
成する。
内の画素電極１１と平面的に重なり合う領域に積層され
た金属膜６を除去することにより、光電変換膜２１を形
成する。
【００２４】次に、蛍光体層５を透明導電膜７を含む金
属膜６上に積層することにより、Ｘ線画像検出器１が完
成する。以下、上述したＸ線画像検出器によりＸ線画像
を電気信号として出力する方法について説明する。
属膜６上に積層することにより、Ｘ線画像検出器１が完
成する。以下、上述したＸ線画像検出器によりＸ線画像
を電気信号として出力する方法について説明する。
【００２５】図示しない対象物を通過したＸ線すなわち
対象物の特性に基づいて、Ｘ線濃度が変化されたＸ線画
像Ｒは、Ｘ線−電子変換部２の蛍光体層５に入射し、蛍
光体層５でＸ線強度に対応する輝度の可視光Ｌに変換さ
れ、蛍光体層５から射出される。
対象物の特性に基づいて、Ｘ線濃度が変化されたＸ線画
像Ｒは、Ｘ線−電子変換部２の蛍光体層５に入射し、蛍
光体層５でＸ線強度に対応する輝度の可視光Ｌに変換さ
れ、蛍光体層５から射出される。
【００２６】蛍光体層１１を射出した可視光Ｌは、金属
膜６により不必要な光を遮断した後、透明導電膜７とＰ
型アモルファスシリコン半導体層８を通り真性アモルフ
ァスシリコン半導体層９に案内され、光強度に対応した
光電子Ｐに変換される。
膜６により不必要な光を遮断した後、透明導電膜７とＰ
型アモルファスシリコン半導体層８を通り真性アモルフ
ァスシリコン半導体層９に案内され、光強度に対応した
光電子Ｐに変換される。
【００２７】真性アモルファスシリコン半導体層９で生
成された光電子Ｐは、Ｐ型アモルファスシリコン半導体
層８と画素電極１１との間に印加されている電位差によ
り加速され、電子は画素電極１１へ、正孔はＰ型アモル
ファスシリコン半導体層８へ、それぞれ到達する。
成された光電子Ｐは、Ｐ型アモルファスシリコン半導体
層８と画素電極１１との間に印加されている電位差によ
り加速され、電子は画素電極１１へ、正孔はＰ型アモル
ファスシリコン半導体層８へ、それぞれ到達する。
【００２８】画素電極１１に到達した電子は、ＴＦＴ構
造１２がオフの間すなわちＴＦＴ構造１２がオンされる
までの間、電源電極１９に印可されているバイアス電圧
と共にコンデンサ１３に蓄えられる。
造１２がオフの間すなわちＴＦＴ構造１２がオンされる
までの間、電源電極１９に印可されているバイアス電圧
と共にコンデンサ１３に蓄えられる。
【００２９】このようにしてコンデンサ１３に蓄えられ
た電荷は、選択電極２２により選択された画素に対応す
るＴＦＴ構造１２がオンされた場合にのみ、入射Ｘ線画
像Ｒの強度に対応する電荷として、読み出し電極２３を
通じて外部に取り出される。
た電荷は、選択電極２２により選択された画素に対応す
るＴＦＴ構造１２がオンされた場合にのみ、入射Ｘ線画
像Ｒの強度に対応する電荷として、読み出し電極２３を
通じて外部に取り出される。
【００３０】この場合、平面で見た場合、画素電極１１
と重なり合わない領域の真性アモルファスシリコン半導
体層９には電界が印加されないため、発生した光電子は
比較的長時間残留して残像の原因となるが、金属膜６に
より蛍光体層５からの光が電界を印加している領域にの
み入射するため、平面からみた場合、画素電極１１領域
以外の真性アモルファスシリコン半導体層９内での光電
子の発生を抑えることができ、残像の少ない高品位のＸ
線画像を再生できる。
と重なり合わない領域の真性アモルファスシリコン半導
体層９には電界が印加されないため、発生した光電子は
比較的長時間残留して残像の原因となるが、金属膜６に
より蛍光体層５からの光が電界を印加している領域にの
み入射するため、平面からみた場合、画素電極１１領域
以外の真性アモルファスシリコン半導体層９内での光電
子の発生を抑えることができ、残像の少ない高品位のＸ
線画像を再生できる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
光検出層と蛍光体層との間で且つ画素電極に対応する領
域以外の部分に光を遮断する金属膜が形成されているの
で、光電変換膜内に存在する無電界領域に光が殆ど入射
しない。その結果、不要な光電子の発生が抑えられ、残
像の発生が抑制されＸ線画像の画質が向上する。
光検出層と蛍光体層との間で且つ画素電極に対応する領
域以外の部分に光を遮断する金属膜が形成されているの
で、光電変換膜内に存在する無電界領域に光が殆ど入射
しない。その結果、不要な光電子の発生が抑えられ、残
像の発生が抑制されＸ線画像の画質が向上する。
【図１】この発明の一実施の形態に係るＸ線画像検出器
の１画素の構造を示す概略断面図。
の１画素の構造を示す概略断面図。
【図２】図１に示した画素がマトリックス状に配置され
たＸ線画像検出器の一例を示す駆動回路図。
たＸ線画像検出器の一例を示す駆動回路図。
１…Ｘ線画像検出器、２…Ｘ線−電子変換部、３…画像
取り出し部、４…ガラス基板、５…蛍光体層、６…金属
膜、７…透明導電膜、８…Ｐ型アモルファスシリコン半
導体層、９…真性アモルファスシリコン半導体層、１０
…真性アモルファスシリコン−炭素半導体層、１１…画
素電極、１２…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）構造、１３
…コンデンサ、１４…ゲート電極（選択電極）、１５…
絶縁膜、１６…半導体膜（チャネル領域）、１７…ドレ
イン電極（読み出し電極）、１８…ソース電極、１９…
電源電極、２０…フォトダイオード構造、２１…光電変
換膜、２２…選択電極、２３…読み出し電極、２４…電
源、２５…画素（一単位）。
取り出し部、４…ガラス基板、５…蛍光体層、６…金属
膜、７…透明導電膜、８…Ｐ型アモルファスシリコン半
導体層、９…真性アモルファスシリコン半導体層、１０
…真性アモルファスシリコン−炭素半導体層、１１…画
素電極、１２…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）構造、１３
…コンデンサ、１４…ゲート電極（選択電極）、１５…
絶縁膜、１６…半導体膜（チャネル領域）、１７…ドレ
イン電極（読み出し電極）、１８…ソース電極、１９…
電源電極、２０…フォトダイオード構造、２１…光電変
換膜、２２…選択電極、２３…読み出し電極、２４…電
源、２５…画素（一単位）。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に画素電極を含む回路が形成さ
れ、該回路上にアモルファス状半導体層からなる光検出
層とＸ線を光に変換する蛍光体層とが積層形成されてな
るＸ線画像検出器において、 上記光検出層と上記蛍光体層との間で且つ上記画素電極
に対応する領域以外の部分に光を遮断する金属膜が形成
されてなることを特徴とするＸ線画像検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004667A JPH10197647A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Ｘ線画像検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004667A JPH10197647A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Ｘ線画像検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197647A true JPH10197647A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11590274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9004667A Pending JPH10197647A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Ｘ線画像検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197647A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000035480A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-02-02 | Ftni Inc | 放射線医学用間接ｘ線画像検出器 |
| JP2001284562A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | Ｘ線検出装置用アレイ基板およびその検査方法 |
| KR100488949B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-05-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 |
| KR100490512B1 (ko) * | 2001-10-03 | 2005-05-19 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｘ선 평면 검출기 |
| US20220352213A1 (en) * | 2020-09-18 | 2022-11-03 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
| JP2023065433A (ja) * | 2014-06-11 | 2023-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP9004667A patent/JPH10197647A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000035480A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-02-02 | Ftni Inc | 放射線医学用間接ｘ線画像検出器 |
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| US20220352213A1 (en) * | 2020-09-18 | 2022-11-03 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
| US11862641B2 (en) * | 2020-09-18 | 2024-01-02 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
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