JPH1019781A - ポリ塩化ビフェニルの分解反応進行度の測定方法およびポリ塩化ビフェニル分解装置 - Google Patents
ポリ塩化ビフェニルの分解反応進行度の測定方法およびポリ塩化ビフェニル分解装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のPCB分解装置における分解反応進行
度の測定の困難性を解消し、分解反応進行中に反応溶液
を一定量取り出し、PCB分解進行度を連続的かつリア
ルタイムに定量できるPCBの分解方法、ならびにそれ
を利用した装置の提供。 【解決手段】 ポリ塩化ビフェニルの分解過程におい
て、ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフェ
ニルを励起させる400nm以上450nm未満の励起
光、またはポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起させ
る300nm以上400nm未満の励起光を照射して4
50nm以上600nm以下の発光強度を測定し、得ら
れる測定値に基づいて、または、その両者の比に基づい
て当該液中のポリ塩化ビフェニルの存在量を定量するこ
と、を特徴とするポリ塩化ビフェニルの分解反応進行度
の測定方法、ならびにその測定方法によりポリ塩化ビフ
ェニルを定量する装置を具備するポリ塩化ビフェニルの
分解装置。
度の測定の困難性を解消し、分解反応進行中に反応溶液
を一定量取り出し、PCB分解進行度を連続的かつリア
ルタイムに定量できるPCBの分解方法、ならびにそれ
を利用した装置の提供。 【解決手段】 ポリ塩化ビフェニルの分解過程におい
て、ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフェ
ニルを励起させる400nm以上450nm未満の励起
光、またはポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起させ
る300nm以上400nm未満の励起光を照射して4
50nm以上600nm以下の発光強度を測定し、得ら
れる測定値に基づいて、または、その両者の比に基づい
て当該液中のポリ塩化ビフェニルの存在量を定量するこ
と、を特徴とするポリ塩化ビフェニルの分解反応進行度
の測定方法、ならびにその測定方法によりポリ塩化ビフ
ェニルを定量する装置を具備するポリ塩化ビフェニルの
分解装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポリ塩化ビフェニル
を分解して、無害化する分解装置に関するものである。
を分解して、無害化する分解装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ボリ塩化ビフェニル(以下PCB
(Polychlorobiphenyl)と略記する)は化学工業の分野で
広く使われてきた。このPCBは、特に熱容量が小さ
く、絶縁性が高いという特徴を有するために、コンデン
サー、変圧器およびその他の絶縁油や熱媒体等に使用さ
れてきた。しかし、近年、人体に対して有害であるうえ
に人体に吸収された場合には生物濃縮されるということ
がわかり、我が国では1972年に法律で製造および使
用が禁止され、高温焼却が唯一の安全な処分方法として
定められた。しかし、このPCBは不十分な処理条件で
処理をすると、猛毒のダイオキシンが発生する可能性が
あるため、焼却炉の立地が難しく、1988〜89年に
鐘淵化学工業が5500トンを焼却したという報告があ
るだけで、その後の処分の目処はほとんど立っていない
のが現状である。このように処分に付すことができない
PCBは、1993年から通産省通達で各保有者が保管
するように義務づけられている。
(Polychlorobiphenyl)と略記する)は化学工業の分野で
広く使われてきた。このPCBは、特に熱容量が小さ
く、絶縁性が高いという特徴を有するために、コンデン
サー、変圧器およびその他の絶縁油や熱媒体等に使用さ
れてきた。しかし、近年、人体に対して有害であるうえ
に人体に吸収された場合には生物濃縮されるということ
がわかり、我が国では1972年に法律で製造および使
用が禁止され、高温焼却が唯一の安全な処分方法として
定められた。しかし、このPCBは不十分な処理条件で
処理をすると、猛毒のダイオキシンが発生する可能性が
あるため、焼却炉の立地が難しく、1988〜89年に
鐘淵化学工業が5500トンを焼却したという報告があ
るだけで、その後の処分の目処はほとんど立っていない
のが現状である。このように処分に付すことができない
PCBは、1993年から通産省通達で各保有者が保管
するように義務づけられている。
【0003】以上の経緯より、現在は他の手法によるP
CBの無害化方法が検討されている。これまでに提案さ
れている手法は、例えば光化学的方法で脱塩素反応を起
こしてビフェニル化する方法や微生物、例えばシュード
モナス属、で分解する方法、超臨界水を利用し、化学的
に分解する方法等であり、これらの方法によれば、ダイ
オキシンが発生する心配もない。
CBの無害化方法が検討されている。これまでに提案さ
れている手法は、例えば光化学的方法で脱塩素反応を起
こしてビフェニル化する方法や微生物、例えばシュード
モナス属、で分解する方法、超臨界水を利用し、化学的
に分解する方法等であり、これらの方法によれば、ダイ
オキシンが発生する心配もない。
【0004】これらの方法の中で、例えば紫外線照射に
よる脱塩素反応を利用したPCBの分解方法において
は、脱塩素反応容器から紫外線照射された反応液を取り
出し、濃縮及び共存する定量妨害成分除去等の前処理操
作をした後、ガスクロマトグラフィー等により反応液中
に存在しているPCBを定量して、脱塩素反応の進行を
確認していた。
よる脱塩素反応を利用したPCBの分解方法において
は、脱塩素反応容器から紫外線照射された反応液を取り
出し、濃縮及び共存する定量妨害成分除去等の前処理操
作をした後、ガスクロマトグラフィー等により反応液中
に存在しているPCBを定量して、脱塩素反応の進行を
確認していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このP
CB定量方法は反応系より反応液を搬出して行う必要が
あり、また、前処理が複雑で処理時間も必要とされるた
めに反応進行度を連続的かつリアルタイムに定量するこ
とは困難であるという問題があった。
CB定量方法は反応系より反応液を搬出して行う必要が
あり、また、前処理が複雑で処理時間も必要とされるた
めに反応進行度を連続的かつリアルタイムに定量するこ
とは困難であるという問題があった。
【0006】
[発明の概要] <要旨>本発明によるポリ塩化ビフェニルの分解反応進
行度の測定方法は、ポリ塩化ビフェニルの分解過程にお
いて、ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフ
ェニルを励起させる400nm以上450nm未満の励
起光、またはポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起さ
せる300nm以上400nm未満の励起光を照射して
450nm以上600nm以下の発光強度を測定し、得
られる測定値に基づいて当該液中のポリ塩化ビフェニル
の存在量を定量すること、を特徴とするものである。
行度の測定方法は、ポリ塩化ビフェニルの分解過程にお
いて、ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフ
ェニルを励起させる400nm以上450nm未満の励
起光、またはポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起さ
せる300nm以上400nm未満の励起光を照射して
450nm以上600nm以下の発光強度を測定し、得
られる測定値に基づいて当該液中のポリ塩化ビフェニル
の存在量を定量すること、を特徴とするものである。
【0007】また、本発明によるもう一つのポリ塩化ビ
フェニルの分解反応進行度の測定方法は、ポリ塩化ビフ
ェニルの分解過程において、ポリ塩化ビフェニルを含有
する液にポリ塩化ビフェニルを励起させる400nm以
上450nm未満の励起光を照射したときの450nm
以上600nm以下の発光強度と、ポリ塩化ビフェニル
の分解生成物を励起させる300nm以上400nm未
満の励起光を照射したときの450nm以上600nm
以下の発光強度とを測定し、それらの比から当該液中の
ポリ塩化ビフェニルの存在量を定量すること、を特徴と
するものである。
フェニルの分解反応進行度の測定方法は、ポリ塩化ビフ
ェニルの分解過程において、ポリ塩化ビフェニルを含有
する液にポリ塩化ビフェニルを励起させる400nm以
上450nm未満の励起光を照射したときの450nm
以上600nm以下の発光強度と、ポリ塩化ビフェニル
の分解生成物を励起させる300nm以上400nm未
満の励起光を照射したときの450nm以上600nm
以下の発光強度とを測定し、それらの比から当該液中の
ポリ塩化ビフェニルの存在量を定量すること、を特徴と
するものである。
【0008】また、本発明のポリ塩化ビフェニルの分解
装置は、上記の測定方法によりポリ塩化ビフェニルを定
量する装置を具備すること、を特徴とするものである。
装置は、上記の測定方法によりポリ塩化ビフェニルを定
量する装置を具備すること、を特徴とするものである。
【0009】<効果>本発明は、励起スペクトル(詳細
後記)でポリ塩化ビフェニルとその分解生成物とを識別
しうるという従来未知であると信じられる発見に基づく
ものである。
後記)でポリ塩化ビフェニルとその分解生成物とを識別
しうるという従来未知であると信じられる発見に基づく
ものである。
【0010】このような発見に基づく本発明によれば、
従来のPCB分解装置における分解反応進行度の測定の
困難性を解消し、分解反応進行中に反応溶液を一定量取
り出し、PCB分解進行度を連続的かつリアルタイムに
定量できるPCBの分解方法、ならびにそれを利用した
装置を提供することができる。
従来のPCB分解装置における分解反応進行度の測定の
困難性を解消し、分解反応進行中に反応溶液を一定量取
り出し、PCB分解進行度を連続的かつリアルタイムに
定量できるPCBの分解方法、ならびにそれを利用した
装置を提供することができる。
【0011】[発明の具体的説明] <励起スペクトル法/測定原理>本発明は、その量を測
定しようとする対象物に特定波長の光を照射してそのエ
ネルギー順位を特異的に上昇させ、その結果発生する当
該対象物からの発光強度を測定して、当該対象物の量を
知ることからなる、励起スペクトル法に関する。
定しようとする対象物に特定波長の光を照射してそのエ
ネルギー順位を特異的に上昇させ、その結果発生する当
該対象物からの発光強度を測定して、当該対象物の量を
知ることからなる、励起スペクトル法に関する。
【0012】光化学的、化学的あるいは微生物的にPC
Bから塩素基を脱離させてビフェニルに分解する手法に
おいて分解の進行度を判断しようとする場合、分解反応
系から反応溶液を抽出することは、安全衛生的、またコ
スト的に望ましくない。その点を解決する最も有効な手
法の一つとして光学的な測定手法が考えられる。光学的
手法には、吸収スペクトル法、発光スペクトル法、励起
スペクトル法、光散乱法、赤外吸収法およびその他があ
るが、PCBの分解反応における残存PCBを定量する
ためには、光散乱法は感度が十分に高くなく、赤外吸収
法または吸収スペクトル法は、溶液中の濃度やサンプリ
ング光が透過する距離が限定されるために適用が困難で
あり、さらに、吸収スペクトル法または発光スペクトル
法は、溶媒等の種々の有機分子の吸収帯が塩素数の異な
る各種PCBやビフェニル、分解生成物の吸収帯と重な
っているためにそれらを判別することは困難であった。
Bから塩素基を脱離させてビフェニルに分解する手法に
おいて分解の進行度を判断しようとする場合、分解反応
系から反応溶液を抽出することは、安全衛生的、またコ
スト的に望ましくない。その点を解決する最も有効な手
法の一つとして光学的な測定手法が考えられる。光学的
手法には、吸収スペクトル法、発光スペクトル法、励起
スペクトル法、光散乱法、赤外吸収法およびその他があ
るが、PCBの分解反応における残存PCBを定量する
ためには、光散乱法は感度が十分に高くなく、赤外吸収
法または吸収スペクトル法は、溶液中の濃度やサンプリ
ング光が透過する距離が限定されるために適用が困難で
あり、さらに、吸収スペクトル法または発光スペクトル
法は、溶媒等の種々の有機分子の吸収帯が塩素数の異な
る各種PCBやビフェニル、分解生成物の吸収帯と重な
っているためにそれらを判別することは困難であった。
【0013】これらに対して、今回、特定の波長で励起
し、特定の波長で発光強度を測定する励起スペクトル法
によれば、PCBと分解生成物とを区別して定量するこ
とができることがわかった。
し、特定の波長で発光強度を測定する励起スペクトル法
によれば、PCBと分解生成物とを区別して定量するこ
とができることがわかった。
【0014】例として、PCBと三塩化ベンゼン(以下
3MCBと略記する)のイソプロピルアルコール(以下
IPAと略記する)溶液に紫外線を照射して光分解させ
る場合を示す。発光測定波長を480nmに固定し、励
起波長を300〜470nmの範囲で変化させた場合の
励起スペクトルは図1に示す通りである。紫外線照射を
行った場合、経時的に310〜380nmの励起スペク
トル強度が増え、390〜460nmの励起スペクトル
強度が減少している。それぞれの時刻における試料につ
いて、GC−MSガスクロマトグラフィースペクトルに
よりPCBの定量を行ったところ、この340nm近傍
の励起スペクトルピークは3MCBが脱塩素した後の生
成物に帰属するものであり、425nm近傍はPCBに
帰属するものであることがわかった。
3MCBと略記する)のイソプロピルアルコール(以下
IPAと略記する)溶液に紫外線を照射して光分解させ
る場合を示す。発光測定波長を480nmに固定し、励
起波長を300〜470nmの範囲で変化させた場合の
励起スペクトルは図1に示す通りである。紫外線照射を
行った場合、経時的に310〜380nmの励起スペク
トル強度が増え、390〜460nmの励起スペクトル
強度が減少している。それぞれの時刻における試料につ
いて、GC−MSガスクロマトグラフィースペクトルに
よりPCBの定量を行ったところ、この340nm近傍
の励起スペクトルピークは3MCBが脱塩素した後の生
成物に帰属するものであり、425nm近傍はPCBに
帰属するものであることがわかった。
【0015】このように励起スペクトルでPCBと分解
生成物とを識別できるということは、本発明者らの知る
限り、報告されておらず、新しい知見である。
生成物とを識別できるということは、本発明者らの知る
限り、報告されておらず、新しい知見である。
【0016】ところで、励起スペクトルは、蛍光または
リン光などを発する発光体物質に対して、励起光の波長
を変化させながら特定の測定波長における発光強度を測
定するものであり、発光エネルギーに関与する励起エネ
ルギーの依存性を示すものともいえる。すなわち、一種
の吸収スペクトルと考えることもできるが、この方法に
よれば、特定の波長で発光する種だけが限定的に測定
(定量)できるという点、濃度やサンプリング光透過距
離が限定されないという点で吸収スペクトル法よりも優
れている。
リン光などを発する発光体物質に対して、励起光の波長
を変化させながら特定の測定波長における発光強度を測
定するものであり、発光エネルギーに関与する励起エネ
ルギーの依存性を示すものともいえる。すなわち、一種
の吸収スペクトルと考えることもできるが、この方法に
よれば、特定の波長で発光する種だけが限定的に測定
(定量)できるという点、濃度やサンプリング光透過距
離が限定されないという点で吸収スペクトル法よりも優
れている。
【0017】励起スペクトルの測定は周知の方法で行う
ことができる。一般に、稀薄溶液においては、試料の入
ったセルに励起光を照射し、その直角方向から発光を測
定する。これに対して、溶液の濃度が高い場合、励起光
による発光が、さらに溶液(溶質)に吸収されてしま
い、発光強度が小さく測定されることが起こり得る(こ
の現象は「再吸収」と呼ばれる)。このような場合は、
試料の入ったセルに励起光を照射し、その照射された表
面近傍からの発光を測定することにより、再吸収の効果
を低減させて測定することができる。その他、溶液の条
件に合わせて、通常知られている方法から最適な方法を
選ぶことができる。
ことができる。一般に、稀薄溶液においては、試料の入
ったセルに励起光を照射し、その直角方向から発光を測
定する。これに対して、溶液の濃度が高い場合、励起光
による発光が、さらに溶液(溶質)に吸収されてしま
い、発光強度が小さく測定されることが起こり得る(こ
の現象は「再吸収」と呼ばれる)。このような場合は、
試料の入ったセルに励起光を照射し、その照射された表
面近傍からの発光を測定することにより、再吸収の効果
を低減させて測定することができる。その他、溶液の条
件に合わせて、通常知られている方法から最適な方法を
選ぶことができる。
【0018】PCBを脱塩素反応により分解しようとす
る場合、その反応液にはPCBと反応生成物(ほとんど
がビフェニルに転換すると思われる)の両方が含まれ
る。前記した通り、この反応液中のPCB量は、400
nm以上450nm未満の励起光による、450nm以
上600nm以下の発光強度を測定することにより定量
することができる。一方、反応生成物の量は300nm
以上400nm未満の励起光による、450nm以上6
00nm以下の発光強度を測定することにより定量する
ことができる。PCBの脱塩素反応において、PCBそ
のもの、またはその反応生成物のうち、どちらかが定量
できればPCBの存在量が定量できる。さらに、励起ス
ペクトルにおいては、測定系の感度変化の影響があるた
め、この影響を最低限に抑えるために、400nm以上
450nm未満の励起光による450nm以上600n
m以下の発光強度と、300nm以上400nm未満の
励起光による450nm以上600nm以下の発光強度
とを測定し、その強度比をとることにより、より精度よ
くPCB存在量を測定できる。なお、ここでPCBを励
起させるための励起光は415nm以上435nm未満
の波長の光であることが好ましく、PCBの分解生成物
を励起させるための励起光は330nm以上350nm
未満であることが好ましく、さらにこれらの励起光によ
る化合物の発光を測定する波長は470nm以上490
nm以下であることが好ましい。
る場合、その反応液にはPCBと反応生成物(ほとんど
がビフェニルに転換すると思われる)の両方が含まれ
る。前記した通り、この反応液中のPCB量は、400
nm以上450nm未満の励起光による、450nm以
上600nm以下の発光強度を測定することにより定量
することができる。一方、反応生成物の量は300nm
以上400nm未満の励起光による、450nm以上6
00nm以下の発光強度を測定することにより定量する
ことができる。PCBの脱塩素反応において、PCBそ
のもの、またはその反応生成物のうち、どちらかが定量
できればPCBの存在量が定量できる。さらに、励起ス
ペクトルにおいては、測定系の感度変化の影響があるた
め、この影響を最低限に抑えるために、400nm以上
450nm未満の励起光による450nm以上600n
m以下の発光強度と、300nm以上400nm未満の
励起光による450nm以上600nm以下の発光強度
とを測定し、その強度比をとることにより、より精度よ
くPCB存在量を測定できる。なお、ここでPCBを励
起させるための励起光は415nm以上435nm未満
の波長の光であることが好ましく、PCBの分解生成物
を励起させるための励起光は330nm以上350nm
未満であることが好ましく、さらにこれらの励起光によ
る化合物の発光を測定する波長は470nm以上490
nm以下であることが好ましい。
【0019】発光強度の測定値は対象発光源化合物(す
なわちPCBまたはその脱塩素化物、特にビフェニル)
の量と比例しているが、対象化合物の絶対値を知る必要
があれば、予備実験によって(発光強度)対(含量)の
検量線を作成して、それによればよい。検量線との照合
をコンピューター化することも可能であって、特にその
場合はリアルタイムでPCBの分解を追跡モニターする
ことができる。
なわちPCBまたはその脱塩素化物、特にビフェニル)
の量と比例しているが、対象化合物の絶対値を知る必要
があれば、予備実験によって(発光強度)対(含量)の
検量線を作成して、それによればよい。検量線との照合
をコンピューター化することも可能であって、特にその
場合はリアルタイムでPCBの分解を追跡モニターする
ことができる。
【0020】<ポリ塩化ビフェニルの分解>上記のよう
な原理によって反応の進行を追跡すべきPCBの分解
は、その分解手段の種類およびその対象の種類を含め
て、合目的的な任意のものであり得る。
な原理によって反応の進行を追跡すべきPCBの分解
は、その分解手段の種類およびその対象の種類を含め
て、合目的的な任意のものであり得る。
【0021】すなわち、先ず、本発明の方法、ならびに
装置において、PCBを分解させる反応は、いかなるも
のも用いることができる。具体的には、光化学的方法、
微生物で分解する方法、化学的に分解する方法およびそ
の他があるが、光化学的方法が好ましく、特に紫外線照
射による分解方法が好ましい。
装置において、PCBを分解させる反応は、いかなるも
のも用いることができる。具体的には、光化学的方法、
微生物で分解する方法、化学的に分解する方法およびそ
の他があるが、光化学的方法が好ましく、特に紫外線照
射による分解方法が好ましい。
【0022】分解させるべき対象PCBは、その使用履
歴に応じて種々のものがあり得るが、絶縁油や熱媒体と
して使用されたものが多いことから、PCBを比較的高
濃度で含む液体の形態が代表的である。
歴に応じて種々のものがあり得るが、絶縁油や熱媒体と
して使用されたものが多いことから、PCBを比較的高
濃度で含む液体の形態が代表的である。
【0023】本発明の対象としてのPCBは、採用した
具体的な分解手段に応じて各種の濃度のものであり得る
が、分解手段が光化学的方法である場合は、PCB反応
液の濃度は、一般に10重量%以下、好ましくは1〜5
重量%、である。この低レベルのPCB濃度は、本発明
の励起スペクトル法を実施する場合にも好ましい。
具体的な分解手段に応じて各種の濃度のものであり得る
が、分解手段が光化学的方法である場合は、PCB反応
液の濃度は、一般に10重量%以下、好ましくは1〜5
重量%、である。この低レベルのPCB濃度は、本発明
の励起スペクトル法を実施する場合にも好ましい。
【0024】本発明によるPCBの分解反応進行度の測
定方法は、この方法をPCBの分解装置に組み入れるこ
とで、特別な前処理を必要とせず、リアルタイムでPC
Bの存在量を測定することができ、必要かつ十分な分解
反応処理を行うことができる。
定方法は、この方法をPCBの分解装置に組み入れるこ
とで、特別な前処理を必要とせず、リアルタイムでPC
Bの存在量を測定することができ、必要かつ十分な分解
反応処理を行うことができる。
【0025】そのようないわば分解モニター装置は、合
目的的な任意のものがあり得るが、基本的には反応液の
採取装置、励起光照射および発光強度測定装置、および
測定値解析装置からなる。
目的的な任意のものがあり得るが、基本的には反応液の
採取装置、励起光照射および発光強度測定装置、および
測定値解析装置からなる。
【0026】
【実施例】まず、塩素基濃度が40000ppmのPC
Bと塩素基濃度が80000ppmの3MCBを含有す
るIPA溶液10cm3 に低圧水銀ランプで紫外線を照
射しながら、経時的にサンプリングを行い、その溶液の
励起スペクトルを測定した。励起スペクトルは425n
mの励起光を用いた場合と、337nmの励起光を用い
た場合との2つの場合について測定し、その比をもって
数値化した。また、同時にそれぞれの時点で溶液をガス
クロマトグラフで測定して、残存塩素基濃度を測定し
た。これによって、励起スペクトルと残存塩素基濃度の
キャリブレーションができた。このキャリブレーション
を下記の分解装置に適用してPCBの光分解装置を作製
した。
Bと塩素基濃度が80000ppmの3MCBを含有す
るIPA溶液10cm3 に低圧水銀ランプで紫外線を照
射しながら、経時的にサンプリングを行い、その溶液の
励起スペクトルを測定した。励起スペクトルは425n
mの励起光を用いた場合と、337nmの励起光を用い
た場合との2つの場合について測定し、その比をもって
数値化した。また、同時にそれぞれの時点で溶液をガス
クロマトグラフで測定して、残存塩素基濃度を測定し
た。これによって、励起スペクトルと残存塩素基濃度の
キャリブレーションができた。このキャリブレーション
を下記の分解装置に適用してPCBの光分解装置を作製
した。
【0027】図2にその装置の模式図を示す。分解装置
には、PCBのIPA溶液を入れ、分解反応させる反応
槽1、PCBを分解するための紫外線の線源である低圧
水銀灯2、溶液の励起スペクトルを測定する蛍光分光光
度計3、分光光度計から得られる励起スペクトルからP
CBの存在濃度を計算するパーソナルコンピューター
4、分光光度計へサンプリング液を搬入するためのパイ
プ5が備わっている。
には、PCBのIPA溶液を入れ、分解反応させる反応
槽1、PCBを分解するための紫外線の線源である低圧
水銀灯2、溶液の励起スペクトルを測定する蛍光分光光
度計3、分光光度計から得られる励起スペクトルからP
CBの存在濃度を計算するパーソナルコンピューター
4、分光光度計へサンプリング液を搬入するためのパイ
プ5が備わっている。
【0028】この分解装置の反応槽1に、塩素基濃度が
40000ppmのPCBと塩素基濃度が80000p
pmの3MCBを含有するIPA溶液10cm3 を注入
し、低圧水銀灯により紫外線を照射してPCBを光分解
した。この時、パーソナルコンピューター4には残存塩
素基濃度がしだいに減少していくことが示された(図
3)。確認のために、経時サンプリングを行って、溶液
中のPCB濃度をGC−MSガスクロマトグラフィーマ
ススペクトルにより別に測定したが、図3に示された塩
素基濃度存在率と同様の履歴を示した。
40000ppmのPCBと塩素基濃度が80000p
pmの3MCBを含有するIPA溶液10cm3 を注入
し、低圧水銀灯により紫外線を照射してPCBを光分解
した。この時、パーソナルコンピューター4には残存塩
素基濃度がしだいに減少していくことが示された(図
3)。確認のために、経時サンプリングを行って、溶液
中のPCB濃度をGC−MSガスクロマトグラフィーマ
ススペクトルにより別に測定したが、図3に示された塩
素基濃度存在率と同様の履歴を示した。
【0029】なお、ここで紫外線照射開始後、一時的に
残存塩素基濃度が増加するという結果が得られた。この
原因は不明であるが、励起スペクトルから見積もった残
存塩素基濃度は、GC−MSガスクロマトグラフィーマ
ススペクトルの測定結果と一致しており、励起スペクト
ルによる残存塩素基濃度の見積もりは正しいものと思わ
れる。
残存塩素基濃度が増加するという結果が得られた。この
原因は不明であるが、励起スペクトルから見積もった残
存塩素基濃度は、GC−MSガスクロマトグラフィーマ
ススペクトルの測定結果と一致しており、励起スペクト
ルによる残存塩素基濃度の見積もりは正しいものと思わ
れる。
【0030】
【発明の効果】本発明により、従来のPCB分解装置に
おける分解反応進行度の測定の困難性を解消し、PCB
分解進行度を連続的かつリアルタイムに定量できるPC
Bの分解方法、ならびにそれを利用した装置が提供され
ることは、[発明の概要]の項に前記したとおりであ
る。
おける分解反応進行度の測定の困難性を解消し、PCB
分解進行度を連続的かつリアルタイムに定量できるPC
Bの分解方法、ならびにそれを利用した装置が提供され
ることは、[発明の概要]の項に前記したとおりであ
る。
【図1】PCBを含有する液に紫外線を照射した場合の
励起スペクトルの変化(観測波長480nm)。
励起スペクトルの変化(観測波長480nm)。
【図2】本発明によるPCB分解装置の模式図。
【図3】実施例1において測定した、紫外線照射エネル
ギーと、励起スペクトル強度および励起スペクトル強度
の比との関係を示す図。
ギーと、励起スペクトル強度および励起スペクトル強度
の比との関係を示す図。
1 PCB分解反応槽 2 低圧水銀灯 3 蛍光分光光度計 4 コンピューター 5 反応液採取パイプ
フロントページの続き (72)発明者 青 木 延 忠 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 島 田 秀 樹 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 田 嶋 直 樹 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 鵜 木 和 夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (7)
- 【請求項1】ポリ塩化ビフェニルの分解過程において、
ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフェニル
を励起させる400nm以上450nm未満の励起光を
照射して450nm以上600nm以下の発光強度を測
定し、得られる測定値に基づいて当該液中のポリ塩化ビ
フェニルの存在量を定量することを特徴とする、ポリ塩
化ビフェニルの分解反応進行度の測定方法。 - 【請求項2】ポリ塩化ビフェニルの分解過程において、
ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフェニル
の分解生成物を励起させる300nm以上400nm未
満の励起光を照射して450nm以上600nm以下の
発光強度を測定し、得られる測定値に基づいて当該液中
のポリ塩化ビフェニルの分解生成物の存在量を定量する
ことを特徴とする、ポリ塩化ビフェニルの分解反応進行
度の測定方法。 - 【請求項3】ポリ塩化ビフェニルの分解過程において、
ポリ塩化ビフェニルを含有する液にポリ塩化ビフェニル
を励起させる400nm以上450nm未満の励起光を
照射したときの450nm以上600nm以下の発光強
度と、ポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起させる3
00nm以上400nm未満の励起光を照射したときの
450nm以上600nm以下の発光強度とを測定し、
それらの比から当該液中のポリ塩化ビフェニルの存在量
を定量することを特徴とする、ポリ塩化ビフェニルの分
解反応進行度の測定方法。 - 【請求項4】(1)ポリ塩化ビフェニルの分解反応を行
う装置と、(2)ポリ塩化ビフェニルを含有する液に、
ポリ塩化ビフェニルを励起させる400nm以上450
nm未満の励起光を照射して450nm以上600nm
以下の発光強度を測定し、得られる測定値に基づいて当
該液中のポリ塩化ビフェニルの存在量を定量する装置
と、を具備してなることを特徴とする、ポリ塩化ビフェ
ニルの分解装置。 - 【請求項5】(1)ポリ塩化ビフェニルの分解反応を行
う装置と、(2)ポリ塩化ビフェニルを含有する液に、
ポリ塩化ビフェニルの分解生成物を励起させる300n
m以上400nm未満の励起光を照射して450nm以
上600nm以下の発光強度を測定し、得られる測定値
に基づいて当該液中のポリ塩化ビフェニルの存在量を定
量する装置と、を具備してなることを特徴とする、ポリ
塩化ビフェニルの分解装置。 - 【請求項6】(1)ポリ塩化ビフェニルの分解反応を行
う装置と、(2)ポリ塩化ビフェニルを含有する液に、
ポリ塩化ビフェニルを励起させる400nm以上450
nm未満の励起光を照射したときの450nm以上60
0nm以下の発光強度と、ポリ塩化ビフェニルの分解生
成物を励起させる300nm以上400nm未満の励起
光を照射したときの450nm以上600nm以下の発
光強度とを測定し、それらの比からポリ塩化ビフェニル
の存在量を定量する装置と、を具備してなることを特徴
とする、ポリ塩化ビフェニルの分解装置。 - 【請求項7】ポリ塩化ビフェニルの分解反応が、光化学
反応によるものである、請求項4〜6のいずれか1項に
記載のポリ塩化ビフェニルの分解装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17243996A JP3392642B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ポリ塩化ビフェニルの無害化システムおよびポリ塩化ビフェニルの存在量を定量する装置 |
| US08/886,542 US5937267A (en) | 1996-07-02 | 1997-07-01 | System, device and method for quantification of polychlorobiphenyls |
| DE19728182A DE19728182C2 (de) | 1996-07-02 | 1997-07-02 | Vorrichtung und Verfahren zur quantitativen Bestimmung von Polychlorbiphenylen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17243996A JP3392642B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ポリ塩化ビフェニルの無害化システムおよびポリ塩化ビフェニルの存在量を定量する装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019781A true JPH1019781A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3392642B2 JP3392642B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=15942011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17243996A Expired - Fee Related JP3392642B2 (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | ポリ塩化ビフェニルの無害化システムおよびポリ塩化ビフェニルの存在量を定量する装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5937267A (ja) |
| JP (1) | JP3392642B2 (ja) |
| DE (1) | DE19728182C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001233794A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Toshiba Corp | ポリ塩化ビフェニールの分解反応進行度の測定方法とポリ塩化ビフェニールの脱塩素化方法 |
| JP2017156166A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 一般財団法人電力中央研究所 | 絶縁油量測定方法、ポリ塩化ビフェニル量測定方法、及びポリ塩化ビフェニル無害化判定方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1311832A1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-05-21 | Lattice Intellectual Property Limited | Method and apparatus for detecting chemical contamination |
| JP4139854B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2008-08-27 | 關嗣 國分 | Pcbの分解処理装置 |
| CN102441331B (zh) * | 2010-09-30 | 2013-08-14 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281826A (en) * | 1991-12-23 | 1994-01-25 | Electric Power Research Institute, Inc. | Video fluorescence monitor for determination of spill outlines |
| JPH06262171A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Toshiba Corp | ハロゲン系有機化合物の分解装置 |
| JP3398414B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2003-04-21 | 東京電力株式会社 | 有害塩素化合物の無害化処理装置 |
-
1996
- 1996-07-02 JP JP17243996A patent/JP3392642B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-01 US US08/886,542 patent/US5937267A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-02 DE DE19728182A patent/DE19728182C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001233794A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Toshiba Corp | ポリ塩化ビフェニールの分解反応進行度の測定方法とポリ塩化ビフェニールの脱塩素化方法 |
| JP2017156166A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 一般財団法人電力中央研究所 | 絶縁油量測定方法、ポリ塩化ビフェニル量測定方法、及びポリ塩化ビフェニル無害化判定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19728182C2 (de) | 1999-12-30 |
| US5937267A (en) | 1999-08-10 |
| DE19728182A1 (de) | 1998-01-08 |
| JP3392642B2 (ja) | 2003-03-31 |
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Legal Events
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