JPH1019782A - Ｉｃｐ分析装置 - Google Patents
Ｉｃｐ分析装置Info
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- JPH1019782A JPH1019782A JP17358396A JP17358396A JPH1019782A JP H1019782 A JPH1019782 A JP H1019782A JP 17358396 A JP17358396 A JP 17358396A JP 17358396 A JP17358396 A JP 17358396A JP H1019782 A JPH1019782 A JP H1019782A
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- Japan
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- capacitance
- frequency power
- plasma
- induction coil
- variable capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】確実なプラズマ点灯を実現する。
【解決手段】誘導コイル５２ａに並列に接続されてマッ
チングボックス回路１の一部を構成する第２の可変コン
デンサＣ２の容量値を、第２の容量調整手段３により、
プラズマ点灯前、点灯後それぞれの状態に適した容量値
に調整することで、プラズマ点灯前での高周波電力の反
射波の発生を防止する。
チングボックス回路１の一部を構成する第２の可変コン
デンサＣ２の容量値を、第２の容量調整手段３により、
プラズマ点灯前、点灯後それぞれの状態に適した容量値
に調整することで、プラズマ点灯前での高周波電力の反
射波の発生を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣＰ分析装置に
係り、詳しくは高周波電源と誘導コイルとの間のインピ
ーダンス整合を行うマッチングボックス回路に関する。
係り、詳しくは高周波電源と誘導コイルとの間のインピ
ーダンス整合を行うマッチングボックス回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣＰ分析装置として、従来から図３に
示す構成のものがある。このＩＣＰ分析装置は、霧化器
５１とプラズマトーチ５２とからなるイオン源５３を備
えており、試料を霧化器５１で霧化したしたうえでプラ
ズマトーチ５２の誘導コイル５５２ａでプラズマ化す
る。そしてこれにより生成したイオン化試料を減圧室５
４を介して検出部５５に導出する。検出部５５は、イオ
ン収束部５６と検出部本体５７とからなっており、ま
ず、イオン化試料を引出し電極５６ａによって減圧室５
４からイオン収束部５６に引出したうえで、イオンレン
ズ５６ｂで収束させて、検出部本体５７に送り込む。検
出部本体５７では、質量分析計５７ａによって質量分離
を行う。さらに、質量分離を行ったイオン化試料中の特
定元素をエレクトロンマルチプライヤといったイオン検
出器５７ｂで検出する。
示す構成のものがある。このＩＣＰ分析装置は、霧化器
５１とプラズマトーチ５２とからなるイオン源５３を備
えており、試料を霧化器５１で霧化したしたうえでプラ
ズマトーチ５２の誘導コイル５５２ａでプラズマ化す
る。そしてこれにより生成したイオン化試料を減圧室５
４を介して検出部５５に導出する。検出部５５は、イオ
ン収束部５６と検出部本体５７とからなっており、ま
ず、イオン化試料を引出し電極５６ａによって減圧室５
４からイオン収束部５６に引出したうえで、イオンレン
ズ５６ｂで収束させて、検出部本体５７に送り込む。検
出部本体５７では、質量分析計５７ａによって質量分離
を行う。さらに、質量分離を行ったイオン化試料中の特
定元素をエレクトロンマルチプライヤといったイオン検
出器５７ｂで検出する。
【０００３】このように構成されたＩＣＰ分析装置で
は、誘導コイル５２ａに高周波電力を供給する高周波電
源（図３では図示省略）と誘導コイル５２ａとの間のイ
ンピーダンス整合を取るために、図４に示すマッチング
ボックス回路６０が設けられている。マッチングボック
ス回路６０は誘導コイル５２ａに直列に接続された第１
の可変コンデンサＣ１と、誘導コイル５２ａに並列に接
続された第２の可変コンデンサＣ２と、第１の可変コン
デンサＣ１の容量値を変動させる容量調整手段６１とを
備えている。そして、第１の可変コンデンサＣ１の容量
値を変動させることで、誘導コイル５２ａの見かけ上の
インピーダンスを高周波電源６２のインピーダンスに近
づけ、これによって、高周波電源６２と誘導コイル５２
ａとの間に反射波が発生しにくくして、高周波電力供給
の効率を高めている。このようなインピーダンスの調整
は自動化されており、一般にオートチューニングと呼ば
れている。
は、誘導コイル５２ａに高周波電力を供給する高周波電
源（図３では図示省略）と誘導コイル５２ａとの間のイ
ンピーダンス整合を取るために、図４に示すマッチング
ボックス回路６０が設けられている。マッチングボック
ス回路６０は誘導コイル５２ａに直列に接続された第１
の可変コンデンサＣ１と、誘導コイル５２ａに並列に接
続された第２の可変コンデンサＣ２と、第１の可変コン
デンサＣ１の容量値を変動させる容量調整手段６１とを
備えている。そして、第１の可変コンデンサＣ１の容量
値を変動させることで、誘導コイル５２ａの見かけ上の
インピーダンスを高周波電源６２のインピーダンスに近
づけ、これによって、高周波電源６２と誘導コイル５２
ａとの間に反射波が発生しにくくして、高周波電力供給
の効率を高めている。このようなインピーダンスの調整
は自動化されており、一般にオートチューニングと呼ば
れている。
【０００４】なお、第２の可変コンデンサＣ２の容量値
は、プラズマ点灯後において誘導コイル５２ａの見かけ
上のインピーダンスが高周波電源６２に最も近接する値
に、工場出荷時において予め調整されて固定されてお
り、操作者が行うインピーダンス調整において何らかの
不具合が発生しないかぎり、変動されないようになって
いる。
は、プラズマ点灯後において誘導コイル５２ａの見かけ
上のインピーダンスが高周波電源６２に最も近接する値
に、工場出荷時において予め調整されて固定されてお
り、操作者が行うインピーダンス調整において何らかの
不具合が発生しないかぎり、変動されないようになって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして、インピーダンスの調整を行っている従来のＩ
ＣＰ分析装置には、プラズマ点灯時におけるインピーダ
ンス調整が不十分となり、プラズマ点灯ミスが発生する
という問題があった。以下、説明する。
うにして、インピーダンスの調整を行っている従来のＩ
ＣＰ分析装置には、プラズマ点灯時におけるインピーダ
ンス調整が不十分となり、プラズマ点灯ミスが発生する
という問題があった。以下、説明する。
【０００６】誘導コイル５２ａでは、プラズマトーチ５
２に発生するプラズマの有無により、プラズマ点灯前
と、プラズマ点灯後では、その見かけ上の電気定数が変
動し、これにより誘導コイル５２ａの見かけ上のインピ
ーダンスやその調整具合が変化する。そのため、図５に
示すように、プラズマ点灯前と点灯後とでは、第１の可
変コンデンサＣ１の容量値と、高周波電力の反射率との
間の相関特性が異なってしまう。図５は、横軸を第１の
可変コンデンサＣ１の容量値として、縦軸を高周波電源
６２が供給した高周波電力が誘導コイル５２ａの手前で
どの程度反射するかを示す反射率としたグラフであり、
図中、Ａ１がプラズマ点灯前における第１の可変コンデ
ンサＣ１の容量値と高周波電力の反射率との間の相関特
性を示し、Ａ２がプラズマ点灯後の上記相関特性を示し
ている。
２に発生するプラズマの有無により、プラズマ点灯前
と、プラズマ点灯後では、その見かけ上の電気定数が変
動し、これにより誘導コイル５２ａの見かけ上のインピ
ーダンスやその調整具合が変化する。そのため、図５に
示すように、プラズマ点灯前と点灯後とでは、第１の可
変コンデンサＣ１の容量値と、高周波電力の反射率との
間の相関特性が異なってしまう。図５は、横軸を第１の
可変コンデンサＣ１の容量値として、縦軸を高周波電源
６２が供給した高周波電力が誘導コイル５２ａの手前で
どの程度反射するかを示す反射率としたグラフであり、
図中、Ａ１がプラズマ点灯前における第１の可変コンデ
ンサＣ１の容量値と高周波電力の反射率との間の相関特
性を示し、Ａ２がプラズマ点灯後の上記相関特性を示し
ている。
【０００７】これに対して、第２の可変コンデンサＣ２
の容量値は、上述したように、プラズマ点灯後の状態に
おいてインピーダンス調整が最適となるように調整され
ている。そのため、プラズマ点灯後での第１の可変コン
デンサＣ１の容量を最適に調整（容量値をＰ１（図５参
照）にする）すれば、誘導コイル５２ａのインピーダン
スと高周波電源６２のインピーダンスがほぼ一致して反
射波がほとんど発生しなくなる。しかしながら、プラズ
マ点灯前においては、第１の可変コンデンサＣ１の値
を、最適値Ｐ２（誘導コイル５２ａのインピーダンスと
高周波電源６２のインピーダンスとが最も近接する値：
図５参照）に調整しても、完全に反射波を防止すること
ができず、その時の反射率Ｈ１に応じたある程度の反射
波が発生していた。そして、このようにして発生する反
射波により高周波電源６２の電力供給効率が低下する結
果、誘導コイル５２ａに供給される高周波電力が減少し
て、プラズマ点灯ミスが発生することがあり、プラズマ
の無点灯時からプラズマの点灯後までの移行がスムース
に進行しない場合が時として生じていた。
の容量値は、上述したように、プラズマ点灯後の状態に
おいてインピーダンス調整が最適となるように調整され
ている。そのため、プラズマ点灯後での第１の可変コン
デンサＣ１の容量を最適に調整（容量値をＰ１（図５参
照）にする）すれば、誘導コイル５２ａのインピーダン
スと高周波電源６２のインピーダンスがほぼ一致して反
射波がほとんど発生しなくなる。しかしながら、プラズ
マ点灯前においては、第１の可変コンデンサＣ１の値
を、最適値Ｐ２（誘導コイル５２ａのインピーダンスと
高周波電源６２のインピーダンスとが最も近接する値：
図５参照）に調整しても、完全に反射波を防止すること
ができず、その時の反射率Ｈ１に応じたある程度の反射
波が発生していた。そして、このようにして発生する反
射波により高周波電源６２の電力供給効率が低下する結
果、誘導コイル５２ａに供給される高周波電力が減少し
て、プラズマ点灯ミスが発生することがあり、プラズマ
の無点灯時からプラズマの点灯後までの移行がスムース
に進行しない場合が時として生じていた。
【０００８】本発明はこのような問題が鑑み、プラズマ
の点灯を確実にして、プラズマ無点灯時からプラズマの
点灯後までの移行をスムーズに行うことができるＩＣＰ
分析装置の提供を目的としている。
の点灯を確実にして、プラズマ無点灯時からプラズマの
点灯後までの移行をスムーズに行うことができるＩＣＰ
分析装置の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明のＩＣＰ分析装置は、プラズマトーチの誘
導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と前記誘導
コイルとの間に介装されたマッチングボックス回路を備
え、前記マッチングボックス回路は、前記誘導コイルに
直列に接続された第１の容量と、前記誘導コイルに並列
に接続された第２の容量と、前記第１の容量の容量値を
変動させる第１の容量調整手段とを備え、前記第１の容
量調整手段により第１の容量の容量値を調整して前記高
周波電源と前記誘導コイルとの間のインピーダンス整合
を行うＩＣＰ分析装置であって、前記第２の容量の容量
値を、プラズマ点灯前、点灯後それぞれの状態に適した
値に調整する第２の容量調整手段を備えている。
め、本願発明のＩＣＰ分析装置は、プラズマトーチの誘
導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と前記誘導
コイルとの間に介装されたマッチングボックス回路を備
え、前記マッチングボックス回路は、前記誘導コイルに
直列に接続された第１の容量と、前記誘導コイルに並列
に接続された第２の容量と、前記第１の容量の容量値を
変動させる第１の容量調整手段とを備え、前記第１の容
量調整手段により第１の容量の容量値を調整して前記高
周波電源と前記誘導コイルとの間のインピーダンス整合
を行うＩＣＰ分析装置であって、前記第２の容量の容量
値を、プラズマ点灯前、点灯後それぞれの状態に適した
値に調整する第２の容量調整手段を備えている。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明が実施されたＩＣＰ分析装
置は、全体的構成としては、基本的には従来の構成と同
じであるので、その説明は省略する。
置は、全体的構成としては、基本的には従来の構成と同
じであるので、その説明は省略する。
【００１１】本実施の形態のＩＣＰ分析装置では、図１
に示すマッチングボックス回路１の構成に特徴がある。
図１において、マッチングボックス回路１は、高周波電
源６２と誘導コイル５２ａとの間に設けられており、誘
導コイル５２ａに直列に接続された第１の可変コンデン
サＣ１と、誘導コイル５２ａに並列に接続された第２の
可変コンデンサＣ２と、第１の可変コンデンサＣ１の容
量値を変動させる第１の容量調整手段２と、第２の可変
コンデンサＣ２の容量値を変動させる第２の容量調整手
段３とを備えている。
に示すマッチングボックス回路１の構成に特徴がある。
図１において、マッチングボックス回路１は、高周波電
源６２と誘導コイル５２ａとの間に設けられており、誘
導コイル５２ａに直列に接続された第１の可変コンデン
サＣ１と、誘導コイル５２ａに並列に接続された第２の
可変コンデンサＣ２と、第１の可変コンデンサＣ１の容
量値を変動させる第１の容量調整手段２と、第２の可変
コンデンサＣ２の容量値を変動させる第２の容量調整手
段３とを備えている。
【００１２】次に、このＩＣＰ分析装置の動作、特に、
マッチングボックス回路１の動作を説明する。まず、予
め、プラズマ点灯前、およびプラズマ点灯後それぞれに
適した第２の可変コンデンサＣ２の容量を測定する。具
体的にいえば、まず、プラズマ点灯前の状態において、
誘導コイル５２ａの見かけ上のインピーダンスを高周波
電源６２のインピーダンスに最も近接させることができ
る第２の可変コンデンサＣ２の容量値を測定する。さら
には、プラズマ点灯後の状態において、誘導コイル５２
ａの見かけ上のインピーダンスを高周波電源６２のイン
ピーダンスに最も近接させることができる第２の可変コ
ンデンサＣ２の容量値を測定する。
マッチングボックス回路１の動作を説明する。まず、予
め、プラズマ点灯前、およびプラズマ点灯後それぞれに
適した第２の可変コンデンサＣ２の容量を測定する。具
体的にいえば、まず、プラズマ点灯前の状態において、
誘導コイル５２ａの見かけ上のインピーダンスを高周波
電源６２のインピーダンスに最も近接させることができ
る第２の可変コンデンサＣ２の容量値を測定する。さら
には、プラズマ点灯後の状態において、誘導コイル５２
ａの見かけ上のインピーダンスを高周波電源６２のイン
ピーダンスに最も近接させることができる第２の可変コ
ンデンサＣ２の容量値を測定する。
【００１３】このようにして、測定しておいた、第２の
可変コンデンサＣ２のプラズマ点灯前の最適容量値およ
びプラズマ点灯後の最適容量値を第２の容量調整手段３
で記憶しておく。
可変コンデンサＣ２のプラズマ点灯前の最適容量値およ
びプラズマ点灯後の最適容量値を第２の容量調整手段３
で記憶しておく。
【００１４】次に、プラズマ点灯前と、プラズマ点灯後
に分けて、マッチングボックス回路１の動作を説明す
る。
に分けて、マッチングボックス回路１の動作を説明す
る。
【００１５】プラズマ点灯前の動作 まず、第２の容量調整手段３において、記憶しているプ
ラズマ点灯前の最適容量値を呼び出し、その容量値に一
致するように、第２の可変コンデンサＣ２の容量を調整
する。この状態で、高周波電源６２から高周波電力を誘
導コイル５２ａに供給しつつ、第１の容量調整手段２
で、第１の可変コンデンサＣ１の容量を、最も反射波が
生じない値に自動調整（オートチューニング）する。こ
のような状態（プラズマ無点灯で、かつ第２の可変コン
デンサＣ２がプラズマ点灯前の最適容量値である状態）
で第１の可変コンデンサＣ１を自動調整した際の高周波
電力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値との
間の相関特性は、図２において、Ａ３で示されており、
この相関特性Ａ３における第１の可変コンデンサＣ１の
最適容量値Ｐ３での高周波電力の反射率はＨ２となって
いる。
ラズマ点灯前の最適容量値を呼び出し、その容量値に一
致するように、第２の可変コンデンサＣ２の容量を調整
する。この状態で、高周波電源６２から高周波電力を誘
導コイル５２ａに供給しつつ、第１の容量調整手段２
で、第１の可変コンデンサＣ１の容量を、最も反射波が
生じない値に自動調整（オートチューニング）する。こ
のような状態（プラズマ無点灯で、かつ第２の可変コン
デンサＣ２がプラズマ点灯前の最適容量値である状態）
で第１の可変コンデンサＣ１を自動調整した際の高周波
電力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値との
間の相関特性は、図２において、Ａ３で示されており、
この相関特性Ａ３における第１の可変コンデンサＣ１の
最適容量値Ｐ３での高周波電力の反射率はＨ２となって
いる。
【００１６】第１の容量調整手段２が、プラズマ無点灯
状態に適した相関特性Ａ３に沿って、反射波が最も少な
いＨ２となる容量値Ｐ３まで、第１の可変コンデンサＣ
１の容量値を調整し、この状態で、高周波電力を誘導コ
イル５２ａに供給するため、高周波電力は効率よく誘導
コイル５２ａに供給されることになり、点灯ミスを起こ
すことなく、確実にプラズマは点灯される。
状態に適した相関特性Ａ３に沿って、反射波が最も少な
いＨ２となる容量値Ｐ３まで、第１の可変コンデンサＣ
１の容量値を調整し、この状態で、高周波電力を誘導コ
イル５２ａに供給するため、高周波電力は効率よく誘導
コイル５２ａに供給されることになり、点灯ミスを起こ
すことなく、確実にプラズマは点灯される。
【００１７】プラズマ点灯後の動作 プラズマが点灯されたことを、図示しないプラズマセン
サ（プラズマトーチの点火の有無、即ち、アルゴンガス
のプラズマ発生の有無を検知する為のプラズマセンサで
あり、例えばアルゴンの励起による特有の発光により検
知することができるが、他の方式によるものであっても
よい）によって検出すると、第２の容量調整手段３にお
いて、記憶しているプラズマ点灯後の最適容量値を呼び
出し、その容量値に一致するように、第２の可変コンデ
ンサＣ２の容量を調整する。この状態で、高周波電源６
２から高周波電力を誘導コイル５２ａに供給しつつ、第
１の容量調整手段２で、第１の可変コンデンサＣ１の容
量を、最も反射波が生じない値に自動調整（オートチュ
ーニング）する。このような状態（プラズマ点灯状態
で、かつ第２の可変コンデンサＣ２がプラズマ点灯後の
最適容量値である状態）で第１の可変コンデンサＣ１を
自動調整した際の高周波電力の反射率と第１の可変コン
デンサＣ１の容量値との間の相関特性は、図２において
Ａ４で示されており、この相関特性Ａ４における第１の
可変コンデンサＣ１の最適容量値Ｐ４での高周波電力の
反射率はほぼゼロとなっている。
サ（プラズマトーチの点火の有無、即ち、アルゴンガス
のプラズマ発生の有無を検知する為のプラズマセンサで
あり、例えばアルゴンの励起による特有の発光により検
知することができるが、他の方式によるものであっても
よい）によって検出すると、第２の容量調整手段３にお
いて、記憶しているプラズマ点灯後の最適容量値を呼び
出し、その容量値に一致するように、第２の可変コンデ
ンサＣ２の容量を調整する。この状態で、高周波電源６
２から高周波電力を誘導コイル５２ａに供給しつつ、第
１の容量調整手段２で、第１の可変コンデンサＣ１の容
量を、最も反射波が生じない値に自動調整（オートチュ
ーニング）する。このような状態（プラズマ点灯状態
で、かつ第２の可変コンデンサＣ２がプラズマ点灯後の
最適容量値である状態）で第１の可変コンデンサＣ１を
自動調整した際の高周波電力の反射率と第１の可変コン
デンサＣ１の容量値との間の相関特性は、図２において
Ａ４で示されており、この相関特性Ａ４における第１の
可変コンデンサＣ１の最適容量値Ｐ４での高周波電力の
反射率はほぼゼロとなっている。
【００１８】第１の容量調整手段２が、相関特性Ａ４に
おいて、最も反射波が少ない容量値Ｐ４まで、第１の可
変コンデンサＣ１の容量値を調整した状態で、高周波電
力が誘導コイル５２ａに供給されるため、高周波電力は
効率よく誘導コイル５２ａに供給される。
おいて、最も反射波が少ない容量値Ｐ４まで、第１の可
変コンデンサＣ１の容量値を調整した状態で、高周波電
力が誘導コイル５２ａに供給されるため、高周波電力は
効率よく誘導コイル５２ａに供給される。
【００１９】次に、どの程度反射波の発生を防止できる
かを具体的に説明する。図２において、第２の可変コン
デンサＣ２の容量値をプラズマ点灯後の最適容量値にし
ておき、この状態でプラズマ点火を行う、すなわち、プ
ラズマ無点灯で高周波電力を供給すると、そのときの高
周波電力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値
との間の相関特性は、図２でＡ５で示される。この相関
特性Ａ５に沿って第１の可変コンデンサＣ１の容量を最
適容量値Ｐ５にすると、そのときの高周波電力の反射率
はＨ３となる。しかしながら、このマッチングボックス
回路１では、第２の可変コンデンサＣ２の容量値をプラ
ズマ点灯前の最適容量値にしており、その際の高周波電
力の最小反射率は上述したようにＨ２となっている。図
２で明らかなようにＨ３＞Ｈ２であり、Ｈ２を低くでき
る分、本発明の構成が高周波電力の反射を防止できる。
かを具体的に説明する。図２において、第２の可変コン
デンサＣ２の容量値をプラズマ点灯後の最適容量値にし
ておき、この状態でプラズマ点火を行う、すなわち、プ
ラズマ無点灯で高周波電力を供給すると、そのときの高
周波電力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値
との間の相関特性は、図２でＡ５で示される。この相関
特性Ａ５に沿って第１の可変コンデンサＣ１の容量を最
適容量値Ｐ５にすると、そのときの高周波電力の反射率
はＨ３となる。しかしながら、このマッチングボックス
回路１では、第２の可変コンデンサＣ２の容量値をプラ
ズマ点灯前の最適容量値にしており、その際の高周波電
力の最小反射率は上述したようにＨ２となっている。図
２で明らかなようにＨ３＞Ｈ２であり、Ｈ２を低くでき
る分、本発明の構成が高周波電力の反射を防止できる。
【００２０】さらには、第２の可変コンデンサＣ２の容
量値をプラズマ点灯前の最適容量値にしておき、この状
態をプラズマ点火後も維持すると、そのときの高周波電
力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値との間
の相関特性は、図２でＡ６で示される。この相関特性Ａ
６に沿って第１の可変コンデンサＣ１の容量を最適容量
値Ｐ６にすると、そのときの高周波電力の反射率はＨ４
となる。しかしながら、このマッチングボックス回路１
では、第２の可変コンデンサＣ２の容量値をプラズマ点
灯後の最適容量値にしており、その際の高周波電力の最
小反射率は上述したようにほぼゼロとなっている。つま
り、本発明の構成では、プラズマ点灯前の高周波電力の
供給効率を高めたにもかかわらず、プラズマ点灯後で
は、従来どおりの反射波防止性能を維持している。
量値をプラズマ点灯前の最適容量値にしておき、この状
態をプラズマ点火後も維持すると、そのときの高周波電
力の反射率と第１の可変コンデンサＣ１の容量値との間
の相関特性は、図２でＡ６で示される。この相関特性Ａ
６に沿って第１の可変コンデンサＣ１の容量を最適容量
値Ｐ６にすると、そのときの高周波電力の反射率はＨ４
となる。しかしながら、このマッチングボックス回路１
では、第２の可変コンデンサＣ２の容量値をプラズマ点
灯後の最適容量値にしており、その際の高周波電力の最
小反射率は上述したようにほぼゼロとなっている。つま
り、本発明の構成では、プラズマ点灯前の高周波電力の
供給効率を高めたにもかかわらず、プラズマ点灯後で
は、従来どおりの反射波防止性能を維持している。
【００２１】ところで、第２の容量調整手段３は、アナ
ログ回路で構成してもよいし、デジタル回路で構成して
もよく、さらには、手動で調整するように構成してもよ
いのはいうまでもない。
ログ回路で構成してもよいし、デジタル回路で構成して
もよく、さらには、手動で調整するように構成してもよ
いのはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、誘導コイルに供給する高周波電力の供給効
率を向上させることが可能となり、その分、プラズマ点
灯が容易かつ確実となり、プラズマを無点灯状態から点
灯状態にスムーズに移行させることが可能となった。
明によれば、誘導コイルに供給する高周波電力の供給効
率を向上させることが可能となり、その分、プラズマ点
灯が容易かつ確実となり、プラズマを無点灯状態から点
灯状態にスムーズに移行させることが可能となった。
【００２３】また、高周波電力の供給効率が向上したの
で、その分、高周波電源を小型化することができるうえ
に、高周波電力の伝達用等に用いる電気部品として、定
格の低いものを用いることが可能となり、その分、コス
トダウンを図ることができる。
で、その分、高周波電源を小型化することができるうえ
に、高周波電力の伝達用等に用いる電気部品として、定
格の低いものを用いることが可能となり、その分、コス
トダウンを図ることができる。
【００２４】さらには、高周波電力の供給効率が向上し
た分、小さな電力を供給すればよくなり、その分、大き
な電力を供給する場合に比べて電気系のトラブルが減少
するという効果もある。
た分、小さな電力を供給すればよくなり、その分、大き
な電力を供給する場合に比べて電気系のトラブルが減少
するという効果もある。
【図１】本発明の一実施の形態のＩＣＰ分析装置の要部
であるマッチングボックス回路の構成を示す回路図であ
る。
であるマッチングボックス回路の構成を示す回路図であ
る。
【図２】実施の形態のＩＣＰ分析装置における第１の可
変コンデンサの容量値と高周波電力の反射率との関係を
示す線図である。
変コンデンサの容量値と高周波電力の反射率との関係を
示す線図である。
【図３】ＩＣＰ分析装置の全体構成を示す図である。
【図４】従来のＩＣＰ分析装置の要部であるマッチング
ボックス回路の構成を示す回路図である。
ボックス回路の構成を示す回路図である。
【図５】従来のＩＣＰ分析装置における第１の可変コン
デンサの容量値と高周波電力の反射率との関係を示す線
図である。
デンサの容量値と高周波電力の反射率との関係を示す線
図である。
１ マッチングボックス回路 ２ 第１の容量調整手段 ３ 第２の容量調整手段 ５２ａ 誘導コイル ６２ 高周波電源 Ｃ１ 第１の可変コンデンサ Ｃ２ 第２の可変コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマトーチの誘導コイルに高周波電
力を供給する高周波電源と前記誘導コイルとの間に介装
されたマッチングボックス回路を備え、 前記マッチングボックス回路は、前記誘導コイルに直列
に接続された第１の容量と、前記誘導コイルに並列に接
続された第２の容量と、前記第１の容量の容量値を変動
させる第１の容量調整手段とを備え、前記第１の容量調
整手段により第１の容量の容量値を調整して前記高周波
電源と前記誘導コイルとの間のインピーダンス整合を行
うＩＣＰ分析装置であって、 前記第２の容量の容量値を、プラズマ点灯前、点灯後そ
れぞれの状態に適した値に調整する第２の容量調整手段
を備えていることを特徴とするＩＣＰ分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17358396A JPH1019782A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | Ｉｃｐ分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17358396A JPH1019782A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | Ｉｃｐ分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019782A true JPH1019782A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15963274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17358396A Pending JPH1019782A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | Ｉｃｐ分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1019782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT407401B (de) * | 1998-09-18 | 2001-03-26 | Inocon Technologie Gmbh | Verfahren zum härten von oberflächen |
| JP2007205898A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Shimadzu Corp | Ｉｃｐ分析装置 |
| JP2015167070A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 株式会社島津製作所 | 高周波電源装置 |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP17358396A patent/JPH1019782A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT407401B (de) * | 1998-09-18 | 2001-03-26 | Inocon Technologie Gmbh | Verfahren zum härten von oberflächen |
| JP2007205898A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Shimadzu Corp | Ｉｃｐ分析装置 |
| JP2015167070A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 株式会社島津製作所 | 高周波電源装置 |
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