JPH10199864A - 反射防止膜のエッチング方法 - Google Patents
反射防止膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH10199864A JPH10199864A JP9304023A JP30402397A JPH10199864A JP H10199864 A JPH10199864 A JP H10199864A JP 9304023 A JP9304023 A JP 9304023A JP 30402397 A JP30402397 A JP 30402397A JP H10199864 A JPH10199864 A JP H10199864A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- photoresist
- gas
- organic
- reflection film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/286—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials
- H10P50/287—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of organic materials by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2041—Photolithographic processes
- H10P76/2043—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被エッチング層のエッチング時にマスクに用
いられるフォトレジストの厚さを確保するのに適した反
射防止膜のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 被エッチング層上に反射防止膜を形成
し、その上にフォトレジストを塗布した後にそのフォト
レジストをパターニングし、そのパターニングされたフ
ォトレジストをマスクに用いＯ2ガスとＳＯ2ガスとを混
合したプラズマを使用して反射防止膜をエッチングす
る。
いられるフォトレジストの厚さを確保するのに適した反
射防止膜のエッチング方法を提供する。 【解決手段】 被エッチング層上に反射防止膜を形成
し、その上にフォトレジストを塗布した後にそのフォト
レジストをパターニングし、そのパターニングされたフ
ォトレジストをマスクに用いＯ2ガスとＳＯ2ガスとを混
合したプラズマを使用して反射防止膜をエッチングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に反射防止膜（ＡＲＣ）のエッチング方
法に関する。
方法に係り、特に反射防止膜（ＡＲＣ）のエッチング方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】素子の集積度が増加するに伴い、それぞ
れの要素の大きさが比例して小さくならざるを得ない。
従来の線幅は、１Ｍ級では０．８μｍ、６４Ｍ級では
０．３５μｍ、２５６Ｍ級では０．２５μｍ、そして１
Ｇ級では０．１８μｍに小さくなっている。これによ
り、パターニングのための露光方法も、従来のｉ−ライ
ンからＤＵＶ（深紫外線）の露光方法に転換されてい
る。さらに、１Ｇ級以上ではＸ-ｒａｙ露光方法が採択
されると予想される。
れの要素の大きさが比例して小さくならざるを得ない。
従来の線幅は、１Ｍ級では０．８μｍ、６４Ｍ級では
０．３５μｍ、２５６Ｍ級では０．２５μｍ、そして１
Ｇ級では０．１８μｍに小さくなっている。これによ
り、パターニングのための露光方法も、従来のｉ−ライ
ンからＤＵＶ（深紫外線）の露光方法に転換されてい
る。さらに、１Ｇ級以上ではＸ-ｒａｙ露光方法が採択
されると予想される。
【０００３】一般に、有機反射防止膜は、下記のように
ＡＰ構造(Aromatic Polysulfone Structure)を有する。 即ち、反射防止膜を構成する構成物が上記のようなＡＰ
構造を有する場合に、ＤＵＶマイクロリソグラフィーに
対して有用な反射防止膜として使われる。一般に、ＢＡ
ＲＣ（bottom anti-reflective cccoating）は有機成分
と無機成分とに区分され、有機成分のＡＲＣはフォトレ
ジストのようなＣ、Ｈ、Ｏなどの成分を有し粘度の高い
特性がある。そして、無機成分のＡＲＣはＳｉＯ2 系ま
たはカーボン（Ｃ）系が主成分である。
ＡＰ構造(Aromatic Polysulfone Structure)を有する。 即ち、反射防止膜を構成する構成物が上記のようなＡＰ
構造を有する場合に、ＤＵＶマイクロリソグラフィーに
対して有用な反射防止膜として使われる。一般に、ＢＡ
ＲＣ（bottom anti-reflective cccoating）は有機成分
と無機成分とに区分され、有機成分のＡＲＣはフォトレ
ジストのようなＣ、Ｈ、Ｏなどの成分を有し粘度の高い
特性がある。そして、無機成分のＡＲＣはＳｉＯ2 系ま
たはカーボン（Ｃ）系が主成分である。
【０００４】以下、従来の反射防止膜のエッチング方法
を添付図面に基づいて説明する。図１は、従来の有機反
射防止膜のエッチング方法を示す工程図である。まず、
図１（ａ）に示すように、半導体基板１上に選択的にエ
ッチングしようとする被エッチング層２が形成され、そ
の２上に有機反射防止膜３を形成する。そして、有機反
射防止膜３上にフォトレジスト４を塗布した後、露光及
び現像工程でフォトレジスト４をパターニングする。
を添付図面に基づいて説明する。図１は、従来の有機反
射防止膜のエッチング方法を示す工程図である。まず、
図１（ａ）に示すように、半導体基板１上に選択的にエ
ッチングしようとする被エッチング層２が形成され、そ
の２上に有機反射防止膜３を形成する。そして、有機反
射防止膜３上にフォトレジスト４を塗布した後、露光及
び現像工程でフォトレジスト４をパターニングする。
【０００５】次いで、図１（ｂ）に示すように、Ｏ2プ
ラズマにＮ2またはＦを含む化合物ガスのＮ2、ＣＨ
Ｆ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6 などのガスを添加して、ダウンス
トリーム状のエッチング、または反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）、またはＭＥＲＩＥなどの装備でエッチン
グ工程を行う。このとき、添加されたガスによりフォト
レジスト４の下部の有機反射防止膜３の両側面にはＣＮ
X、ＣＨＦX、ＣＦX などのポリマー４ａが形成される。
同時にフォトレジスト４の露出されている部分が全体的
に削り取られ、損失部が生じて予定の大きさより小さく
なる。特にフォトレジスト４の上側の部分が大きく削り
取られ、三角形状になる。ここで、削り取られたフォト
レジスト４の厚さを“ｂ”、フォトレジスト４による有
効マスクの厚さを“ａ”とすると、ａ／ｂの値は非常に
小さくなる。反射防止膜３の損失は、その上側にあるａ
の部分が小さくなるほど大きくなる。したがって、ａ／
ｂはできる限り大きくすることが望ましい。
ラズマにＮ2またはＦを含む化合物ガスのＮ2、ＣＨ
Ｆ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6 などのガスを添加して、ダウンス
トリーム状のエッチング、または反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）、またはＭＥＲＩＥなどの装備でエッチン
グ工程を行う。このとき、添加されたガスによりフォト
レジスト４の下部の有機反射防止膜３の両側面にはＣＮ
X、ＣＨＦX、ＣＦX などのポリマー４ａが形成される。
同時にフォトレジスト４の露出されている部分が全体的
に削り取られ、損失部が生じて予定の大きさより小さく
なる。特にフォトレジスト４の上側の部分が大きく削り
取られ、三角形状になる。ここで、削り取られたフォト
レジスト４の厚さを“ｂ”、フォトレジスト４による有
効マスクの厚さを“ａ”とすると、ａ／ｂの値は非常に
小さくなる。反射防止膜３の損失は、その上側にあるａ
の部分が小さくなるほど大きくなる。したがって、ａ／
ｂはできる限り大きくすることが望ましい。
【０００６】次いで、図１（ｃ）に示すように、フォト
レジスト４を除去した後、有機反射防止膜３をマスクに
用いて被エッチング層２を選択的に除去すると、従来の
技術による工程が完了される。
レジスト４を除去した後、有機反射防止膜３をマスクに
用いて被エッチング層２を選択的に除去すると、従来の
技術による工程が完了される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の反射
防止膜のエッチング方法は、ａ／ｂの値が非常に小さく
なるので、それに伴ってフォトレジストの有効マスクの
厚さが比例的に小さくなり、反射防止膜の損失が大きく
なり、被エッチング層のエッチング時のマスキングの役
割が不良となる。本発明は、上記の問題点を解決するた
めのもので、反射防止膜のエッチング時にマスクに用い
られるフォトレジストの厚さを確保するようにした反射
防止膜のエッチング方法を提供することにその目的があ
る。
防止膜のエッチング方法は、ａ／ｂの値が非常に小さく
なるので、それに伴ってフォトレジストの有効マスクの
厚さが比例的に小さくなり、反射防止膜の損失が大きく
なり、被エッチング層のエッチング時のマスキングの役
割が不良となる。本発明は、上記の問題点を解決するた
めのもので、反射防止膜のエッチング時にマスクに用い
られるフォトレジストの厚さを確保するようにした反射
防止膜のエッチング方法を提供することにその目的があ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の反射防止膜のエッチング方法は、被エッチ
ング層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォト
レジストを塗布した後にそのフォトレジストをパターニ
ングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジ
ストをマスクに用いＯ2ガスとＳＯ2ガスとを混合したプ
ラズマを使用して反射防止膜をエッチングすることを特
徴とする。
めの本発明の反射防止膜のエッチング方法は、被エッチ
ング層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォト
レジストを塗布した後にそのフォトレジストをパターニ
ングする。さらに、そのパターニングされたフォトレジ
ストをマスクに用いＯ2ガスとＳＯ2ガスとを混合したプ
ラズマを使用して反射防止膜をエッチングすることを特
徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施形態の反射防止
膜のエッチング方法を添付図面に基づき説明する。ま
ず、本実施形態の反射防止膜のエッチング方法では、有
機反射防止膜のエッチング時に、被エッチング層をマス
キングするフォトレジストの有効厚をできるだけ確保す
るために、Ｏ2にＳＯ2ガスを添加した。
膜のエッチング方法を添付図面に基づき説明する。ま
ず、本実施形態の反射防止膜のエッチング方法では、有
機反射防止膜のエッチング時に、被エッチング層をマス
キングするフォトレジストの有効厚をできるだけ確保す
るために、Ｏ2にＳＯ2ガスを添加した。
【００１０】本実施形態の反射防止膜のエッチング方法
を図２に基づき説明する。図２（ａ）に示すように、半
導体基板２１上に形成された絶縁層２２上にエッチング
しようとする被エッチング層２３を形成する。その上に
有機反射防止膜２４を形成した後、その上にフォトレジ
スト２５を塗布し、その後前記フォトレジスト２５を露
光及び現像工程を介してパターニングする。ここで、有
機反射防止膜２４はフォトレジスト２５より薄い厚さと
し、ＡＰ構造を有する。
を図２に基づき説明する。図２（ａ）に示すように、半
導体基板２１上に形成された絶縁層２２上にエッチング
しようとする被エッチング層２３を形成する。その上に
有機反射防止膜２４を形成した後、その上にフォトレジ
スト２５を塗布し、その後前記フォトレジスト２５を露
光及び現像工程を介してパターニングする。ここで、有
機反射防止膜２４はフォトレジスト２５より薄い厚さと
し、ＡＰ構造を有する。
【００１１】そして、図２（ｂ）に示すように、パター
ニングされたフォトレジスト２５をマスクに用いてその
下の有機反射防止膜２４をエッチングする。このとき、
エッチングに使われるガスとしてはＯ2にＳＯ2ガスを混
合したガスを使用し、有機反射防止膜２４とフォトレジ
スト２５のエッチング率はほぼ１：１である。このよう
にＯ2＋ＳＯ2ガスを使用して有機反射防止膜２４をエッ
チングすると、フォトレジスト２５の上部が削り落ちる
量を最小にすることができる。これはＳＯ2 ガスがフォ
トレジスト２５のエッチングを阻止するからである。
ニングされたフォトレジスト２５をマスクに用いてその
下の有機反射防止膜２４をエッチングする。このとき、
エッチングに使われるガスとしてはＯ2にＳＯ2ガスを混
合したガスを使用し、有機反射防止膜２４とフォトレジ
スト２５のエッチング率はほぼ１：１である。このよう
にＯ2＋ＳＯ2ガスを使用して有機反射防止膜２４をエッ
チングすると、フォトレジスト２５の上部が削り落ちる
量を最小にすることができる。これはＳＯ2 ガスがフォ
トレジスト２５のエッチングを阻止するからである。
【００１２】パターニングされたフォトレジスト２５を
マスクにし、Ｏ2ガスとＳＯ2ガスとを含んだ混合ガスの
プラズマを利用して有機反射防止膜２４をエッチングす
るとき、Ｏ2 ガスはフォトレジスト２５と有機反射防止
膜２４をエッチングする機能を果たすが、ＳＯ2 ガスは
フォトレジスト２５と有機反射防止膜２４をエッチング
する機能とともに、フォトレジスト２５のエロージョン
を防止する機能を果たす。また、ＳＯ2 ガスは、フォト
レジスト２５及び有機反射防止膜２４の炭素成分と結合
してＣＳ2 化合物を形成する。この化合物がエッチング
される有機反射防止膜２４の側壁及びフォトレジスト２
５の側壁に付着して、有機反射防止膜２４及びフォトレ
ジスト２５の側面がエッチングされるのを保護するパッ
シベーションの役割をする。ここで、エロージョンと
は、有機反射防止膜のエッチング時に、マスク機能をす
るフォトレジストパターンのエッジ部分などが他の部分
より浸食される現象をいう。通常このエロージョンによ
って適切なフォトレジストのパターンの大きさを維持し
難くなる。
マスクにし、Ｏ2ガスとＳＯ2ガスとを含んだ混合ガスの
プラズマを利用して有機反射防止膜２４をエッチングす
るとき、Ｏ2 ガスはフォトレジスト２５と有機反射防止
膜２４をエッチングする機能を果たすが、ＳＯ2 ガスは
フォトレジスト２５と有機反射防止膜２４をエッチング
する機能とともに、フォトレジスト２５のエロージョン
を防止する機能を果たす。また、ＳＯ2 ガスは、フォト
レジスト２５及び有機反射防止膜２４の炭素成分と結合
してＣＳ2 化合物を形成する。この化合物がエッチング
される有機反射防止膜２４の側壁及びフォトレジスト２
５の側壁に付着して、有機反射防止膜２４及びフォトレ
ジスト２５の側面がエッチングされるのを保護するパッ
シベーションの役割をする。ここで、エロージョンと
は、有機反射防止膜のエッチング時に、マスク機能をす
るフォトレジストパターンのエッジ部分などが他の部分
より浸食される現象をいう。通常このエロージョンによ
って適切なフォトレジストのパターンの大きさを維持し
難くなる。
【００１３】有機反射防止膜２４のエッチング時にＯ2
ガスはフォトレジスト２５及び有機反射防止膜２４と反
応してＣＯまたはＣＯ2ガスとなり、ＳＯ2ガスはフォト
レジスト２５及び有機反射防止膜２４と反応してＣＳ2
となり、そのＣＳ2は蒸気圧力が低いため、排出されな
いでフォトレジストパターン及び有機反射防止膜の側面
に残って、側面のエッチングを防止するパッシベーショ
ンの機能を果たす。結果的に、フォトレジスト２５の損
失（“ｂ”）が少ないというのは、その下部の有機反射
防止膜２４をエッチングする際にマスクに用いられるフ
ォトレジストの有効厚（“ａ”）を最大限で確保できる
ということを意味する。
ガスはフォトレジスト２５及び有機反射防止膜２４と反
応してＣＯまたはＣＯ2ガスとなり、ＳＯ2ガスはフォト
レジスト２５及び有機反射防止膜２４と反応してＣＳ2
となり、そのＣＳ2は蒸気圧力が低いため、排出されな
いでフォトレジストパターン及び有機反射防止膜の側面
に残って、側面のエッチングを防止するパッシベーショ
ンの機能を果たす。結果的に、フォトレジスト２５の損
失（“ｂ”）が少ないというのは、その下部の有機反射
防止膜２４をエッチングする際にマスクに用いられるフ
ォトレジストの有効厚（“ａ”）を最大限で確保できる
ということを意味する。
【００１４】ここで、前述した有機反射防止膜２４をエ
ッチングする工程条件は下記の通りである。前記Ｏ2及
びＳＯ2ガスのそれぞれの流量は５〜５０ｓｃｃｍの範
囲とする。そして、エッチングに応ずる上部のソースパ
ワーは３５０〜４５０Ｗの範囲とし、下部のソースパワ
ーは１００〜３００Ｗの範囲とする。また、エッチング
に応ずる圧力は３〜１０ｍＴの範囲とする。この際、工
程に応ずる最適の条件は、Ｏ2の流量を５〜１５ｓｃｃ
ｍとし、ＳＯ2 の流量を１０〜３０ｓｃｃｍの範囲とす
る。そして上部のソースパワーは４５０Ｗ、下部のソー
スパワーは２５０Ｗ、圧力は５ｍＴとする。このような
工程条件により、有機反射防止膜２４をエッチングした
とき、マスクに使われるフォトレジスト２５の損失の厚
さ“ｂ”と、有効マスクの厚さ“ａ”との比、つまりａ
／ｂ≒１．２となる。
ッチングする工程条件は下記の通りである。前記Ｏ2及
びＳＯ2ガスのそれぞれの流量は５〜５０ｓｃｃｍの範
囲とする。そして、エッチングに応ずる上部のソースパ
ワーは３５０〜４５０Ｗの範囲とし、下部のソースパワ
ーは１００〜３００Ｗの範囲とする。また、エッチング
に応ずる圧力は３〜１０ｍＴの範囲とする。この際、工
程に応ずる最適の条件は、Ｏ2の流量を５〜１５ｓｃｃ
ｍとし、ＳＯ2 の流量を１０〜３０ｓｃｃｍの範囲とす
る。そして上部のソースパワーは４５０Ｗ、下部のソー
スパワーは２５０Ｗ、圧力は５ｍＴとする。このような
工程条件により、有機反射防止膜２４をエッチングした
とき、マスクに使われるフォトレジスト２５の損失の厚
さ“ｂ”と、有効マスクの厚さ“ａ”との比、つまりａ
／ｂ≒１．２となる。
【００１５】次いで、図２（ｃ）はエッチングされた有
機反射防止膜２４をマスクに用いてその下部の被エッチ
ング層２３をエッチングした状態を示す工程断面図であ
る。図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト２５による有効マスクの厚さを最大限で確保でき
るので、有機反射防止膜２４の損失が無く、被エッチン
グ層２３のエッチング時に正確にパターンを形成するこ
とができる。
機反射防止膜２４をマスクに用いてその下部の被エッチ
ング層２３をエッチングした状態を示す工程断面図であ
る。図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト２５による有効マスクの厚さを最大限で確保でき
るので、有機反射防止膜２４の損失が無く、被エッチン
グ層２３のエッチング時に正確にパターンを形成するこ
とができる。
【００１６】次いで、図３は本実施形態と従来の技術に
よるＣＤ損失とａ／ｂ値をグラフで比較して示したもの
である。即ち、従来の有機反射防止膜をエッチングする
ためのエッチングガスとしてＯ2 プラズマを使った場
合、またはＯ2＋Ｎ2プラズマを使った場合の従来の技術
と、本実施形態のＯ2＋ＳＯ2プラズマを使った場合を比
較したものである。図３に示すように、本実施形態のＯ
2＋ＳＯ2プラズマを利用して有機反射防止膜をエッチン
グすると、フォトレジストの損失を少なくして、マスキ
ングの有効の厚さの比（ａ／ｂ）の値をほぼ１．２程度
に大きくすることができるとともに、ＣＤ損失も最小化
することができるのが分かる。
よるＣＤ損失とａ／ｂ値をグラフで比較して示したもの
である。即ち、従来の有機反射防止膜をエッチングする
ためのエッチングガスとしてＯ2 プラズマを使った場
合、またはＯ2＋Ｎ2プラズマを使った場合の従来の技術
と、本実施形態のＯ2＋ＳＯ2プラズマを使った場合を比
較したものである。図３に示すように、本実施形態のＯ
2＋ＳＯ2プラズマを利用して有機反射防止膜をエッチン
グすると、フォトレジストの損失を少なくして、マスキ
ングの有効の厚さの比（ａ／ｂ）の値をほぼ１．２程度
に大きくすることができるとともに、ＣＤ損失も最小化
することができるのが分かる。
【００１７】
【発明の効果】上述したように、本発明の反射防止膜の
エッチング方法は、有機反射防止膜のエッチング時、Ｏ
2ガスとＳＯ2ガスとを混合したガスを使用するので、マ
スクに使われるフォトレジストの損失を最小にすること
ができ、正確なパターンの形成が可能であって、下部の
層をより一層正確にエッチングすることができる。
エッチング方法は、有機反射防止膜のエッチング時、Ｏ
2ガスとＳＯ2ガスとを混合したガスを使用するので、マ
スクに使われるフォトレジストの損失を最小にすること
ができ、正確なパターンの形成が可能であって、下部の
層をより一層正確にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の反射防止膜のエッチング方法を示す工
程断面図。
程断面図。
【図２】 本発明実施形態の反射防止膜のエッチング方
法を示す工程断面図。
法を示す工程断面図。
【図３】 本実施形態と従来の技術のＣＤを比較したグ
ラフ。
ラフ。
２１ 半導体基板 ２２ 絶縁
層 ２３ 被エッチング層 ２４ 反射
防止膜 ２５ フォトレジスト
層 ２３ 被エッチング層 ２４ 反射
防止膜 ２５ フォトレジスト
Claims (4)
- 【請求項１】 有機反射防止膜のエッチングにおいて、 被エッチング層上に反射防止膜を形成する工程と、 前記反射防止膜上にフォトレジストを塗布した後にその
フォトレジストをパターニングする工程と、 そのパターニングされたフォトレジストをマスクに用
い、Ｏ2ガスとＳＯ2ガスとを混合したプラズマを使用し
て前記反射防止膜をエッチングする工程と、を備えるこ
とを特徴とする反射防止膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 基板上に被エッチング層を形成する工程
と、 前記被エッチング層上に有機反射防止膜を形成する工程
と、 前記有機反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成
する工程と、 有機反射防止膜をエッチングする第１ガスと、前記フォ
トレジストパターンのエロージョンを防止する第２ガス
とを含んだガスをプラズマとして使用して、前記有機反
射防止膜をエッチングする工程と、を備えることを特徴
とする反射防止膜のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記第１ガスはＯ2ガス、第２ガスはＳ
Ｏ2ガスを含むことを特徴とする請求項２に記載の反射
防止膜のエッチング方法。 - 【請求項４】 基板上に第１有機膜を形成する工程と、 前記第１有機膜上に第２有機膜を形成する工程と、 前記第１及び第２有機膜をエッチングする第１ガスと、
前記第２有機膜パターンのエロージョンを防止し前記第
１及び第２有機膜をエッチングする第２ガスを含んだガ
スをプラズマとして使用して第１有機膜をエッチングす
る工程と、を備えることを特徴とする反射防止膜のエッ
チング方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR73498/1996 | 1996-12-27 | ||
| KR1019960073498A KR100232187B1 (ko) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 반사방지막 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199864A true JPH10199864A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=19491366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9304023A Pending JPH10199864A (ja) | 1996-12-27 | 1997-11-06 | 反射防止膜のエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6080678A (ja) |
| JP (1) | JPH10199864A (ja) |
| KR (1) | KR100232187B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340557B1 (en) | 1998-04-08 | 2002-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| JP2004087896A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| EP0903777A4 (en) * | 1997-01-21 | 2005-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | PATTERN MOLDING |
| KR100539962B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2005-12-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토레지스트 트리밍 공정을 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2018200925A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100232187B1 (ko) | 1999-12-01 |
| US6080678A (en) | 2000-06-27 |
| KR19980054350A (ko) | 1998-09-25 |
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