JPH10204328A - 反射防止コーティング組成物 - Google Patents
反射防止コーティング組成物Info
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- JPH10204328A JPH10204328A JP9188850A JP18885097A JPH10204328A JP H10204328 A JPH10204328 A JP H10204328A JP 9188850 A JP9188850 A JP 9188850A JP 18885097 A JP18885097 A JP 18885097A JP H10204328 A JPH10204328 A JP H10204328A
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- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、特に遠紫外用に反射防止組成物
（ＡＲＣ）として使用するのに適する新規の光吸収性架
橋型組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の反射防止組成物は、概ね、架橋
剤、及び反射された遠紫外露光照射光を効果的に吸収す
る新規のＡＲＣ樹脂バインダーからなる組成物である。
（ＡＲＣ）として使用するのに適する新規の光吸収性架
橋型組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の反射防止組成物は、概ね、架橋
剤、及び反射された遠紫外露光照射光を効果的に吸収す
る新規のＡＲＣ樹脂バインダーからなる組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板から上塗りさ
れたフォトレジスト層（ｏｖｅｒｃｏａｔｅｄｐｈｏｔ
ｏｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ）への露光照射光の後戻り
による反射を減少させる組成物に関する。より詳細に
は、本発明は、遠紫外の露光照射光を効果的に吸収する
樹脂バインダー組成物を含む反射防止被覆組成物に関す
る。
れたフォトレジスト層（ｏｖｅｒｃｏａｔｅｄｐｈｏｔ
ｏｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ）への露光照射光の後戻り
による反射を減少させる組成物に関する。より詳細に
は、本発明は、遠紫外の露光照射光を効果的に吸収する
樹脂バインダー組成物を含む反射防止被覆組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、基板に画像を転写す
るために使用する感光膜である。フォトレジストの被覆
層は基板の上に形成され、次いで、フォトレジスト層は
フォトマスクを通して活性化された照射源に露光され
る。フォトマスクは、活性化された照射に対して不透明
な領域と活性化された照射に対して透明な別の領域とを
有する。活性化された照射に露光されると、フォトレジ
スト被膜が光に誘起された化学的変性（ｐｈｏｔｏｉｎ
ｄｕｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｔｒａｎｓｆｏｒｍａ
ｔｉｏｎ）を生じ、それによってフォトマスクのパター
ンがフォトレジストにコーティングされた基板に転写さ
れる。露光の後、フォトレジストを現像すると、基板の
選択的加工が可能なレリーフ画像が得られる。
るために使用する感光膜である。フォトレジストの被覆
層は基板の上に形成され、次いで、フォトレジスト層は
フォトマスクを通して活性化された照射源に露光され
る。フォトマスクは、活性化された照射に対して不透明
な領域と活性化された照射に対して透明な別の領域とを
有する。活性化された照射に露光されると、フォトレジ
スト被膜が光に誘起された化学的変性（ｐｈｏｔｏｉｎ
ｄｕｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｔｒａｎｓｆｏｒｍａ
ｔｉｏｎ）を生じ、それによってフォトマスクのパター
ンがフォトレジストにコーティングされた基板に転写さ
れる。露光の後、フォトレジストを現像すると、基板の
選択的加工が可能なレリーフ画像が得られる。
【０００３】フォトレジストはポジ型でもネガ型でも可
能である。大抵のネガ型フォトレジストの場合、活性化
された照射に露光されるフォトレジスト被覆層の部分
は、フォトレジスト組成物の感光性化合物と、フォトレ
ジスト組成物の重合可能な試薬との間の反応において重
合又は架橋を行う。従って、露光された被覆部分は露光
されない部分よりも現像溶液に溶解しにくくなる。ポジ
型の場合は、露光された部分は現像溶液に、より溶解し
やすくなり、一方、対照的に露光されない領域は，現像
ではより溶解しにくくなる。フォトレジスト組成物は当
業者には公知であり、デフォレスト（Ｄｅｆｏｒｅｓ
ｔ）による「フォトレジスト材料及び方法（Ｐｈｏｔｏ
ｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｓ
ｅｓｓｅｓ）」（ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ
Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９７５）の第２
章、及び、モーリー（Ｍｏｒｅａｙ）の「半導体リソグ
ラフィー、原理、及び、材料（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ
Ｐｒａｃｔｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，
Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）の第２
章及び第４章に記載されていて、この両文献については
は、フォトレジスト組成物及びその製法及び使用法に関
し、本発明においても参照している。
能である。大抵のネガ型フォトレジストの場合、活性化
された照射に露光されるフォトレジスト被覆層の部分
は、フォトレジスト組成物の感光性化合物と、フォトレ
ジスト組成物の重合可能な試薬との間の反応において重
合又は架橋を行う。従って、露光された被覆部分は露光
されない部分よりも現像溶液に溶解しにくくなる。ポジ
型の場合は、露光された部分は現像溶液に、より溶解し
やすくなり、一方、対照的に露光されない領域は，現像
ではより溶解しにくくなる。フォトレジスト組成物は当
業者には公知であり、デフォレスト（Ｄｅｆｏｒｅｓ
ｔ）による「フォトレジスト材料及び方法（Ｐｈｏｔｏ
ｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｓ
ｅｓｓｅｓ）」（ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ
Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９７５）の第２
章、及び、モーリー（Ｍｏｒｅａｙ）の「半導体リソグ
ラフィー、原理、及び、材料（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ
Ｐｒａｃｔｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，
Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）の第２
章及び第４章に記載されていて、この両文献については
は、フォトレジスト組成物及びその製法及び使用法に関
し、本発明においても参照している。
【０００４】フォトレジストの主な用途は半導体製造に
おいてであり、１つの目的は、シリコン又はヒ化ガリウ
ムなどのような高度に研磨された半導体の薄片を、回路
としての機能を発現させるために、好ましくはミクロン
又はサブミクロンの幾何学的な模様の、電子の伝導通路
の複雑なマトリックスに変換することである。適切にフ
ォトレジストを加工することがこの目的を達成するため
の鍵である。種々のフォトレジスト加工工程の間には強
い相互依存性があるが、高解像度のフォトレジスト画像
を得るにあたっては露光がより重要な工程の１つである
と考えられている。しばしば、フォトレジストを露光す
るために使用する活性化された照射光の反射が、フォト
レジスト層においてパターン化された画像の解像度の限
度を呈することがある。照射光が基板／フォトレジスト
界面から反射すると、露光の間フォトレジストの中の照
射強度が変化することがあり、それによって現像時にフ
ォトレジストの線幅が不均一になる。照射光が基板／フ
ォトレジスト界面から露光の目的としないフォトレジス
ト領域へ散乱することもあり、この場合も線幅がばらつ
くことになる。一般的に散乱や反射の程度は領域によっ
てまちまちであり、これによっても線幅が不均一にな
る。
おいてであり、１つの目的は、シリコン又はヒ化ガリウ
ムなどのような高度に研磨された半導体の薄片を、回路
としての機能を発現させるために、好ましくはミクロン
又はサブミクロンの幾何学的な模様の、電子の伝導通路
の複雑なマトリックスに変換することである。適切にフ
ォトレジストを加工することがこの目的を達成するため
の鍵である。種々のフォトレジスト加工工程の間には強
い相互依存性があるが、高解像度のフォトレジスト画像
を得るにあたっては露光がより重要な工程の１つである
と考えられている。しばしば、フォトレジストを露光す
るために使用する活性化された照射光の反射が、フォト
レジスト層においてパターン化された画像の解像度の限
度を呈することがある。照射光が基板／フォトレジスト
界面から反射すると、露光の間フォトレジストの中の照
射強度が変化することがあり、それによって現像時にフ
ォトレジストの線幅が不均一になる。照射光が基板／フ
ォトレジスト界面から露光の目的としないフォトレジス
ト領域へ散乱することもあり、この場合も線幅がばらつ
くことになる。一般的に散乱や反射の程度は領域によっ
てまちまちであり、これによっても線幅が不均一にな
る。
【０００５】また、活性化された照射（光）の反射は当
業者には“定常波効果”（ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ
ｅｆｆｅｃｔ）として知られている。露光装置のレン
ズの色収差の影響をなくすために、フォトレジスト投映
技術（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）では単色光又は準単色光が通
常使用される。しかしながら、単色光又は準単色光がフ
ォトレジスト露光に使用されると、フォトレジスト／基
板界面における照射光反射によって、有益な干渉と有害
な干渉とが特に顕著になる。そのような場合、反射光は
入射光と干渉してフォトレジストの内部に定常波を形成
する。大きい振幅の定常波が最小波において露光不足の
フオトレジストの薄い層を作るので、反射性の大きい基
板領域の場合には問題は更に深刻になる。露光不足の層
は、フォトレジスト画像に縁部尖鋭化の問題（ｅｄｇｅ
ａｃｕｉｔｙ ｐｒｏｂｌｅｍｓ）を起し、フォトレ
ジストの完全な現像を阻害する。フォトレジストを露光
するのに要する時間は、フォトレジストの量が増加する
と露光するのに要する全照射量が増加するので、通常フ
ォトレジストの厚さに対し増加する関数となる。しかし
ながら、定常波効果のために、露光時間はフォトレジス
トの厚さにより最大値と最小値の間を変化する調和的な
要素をさらに含んでいる。もしフォトレジストの厚さが
不均一な場合は、線幅が変動することになるので問題は
更に深刻となる。
業者には“定常波効果”（ｓｔａｎｄｉｎｇ ｗａｖｅ
ｅｆｆｅｃｔ）として知られている。露光装置のレン
ズの色収差の影響をなくすために、フォトレジスト投映
技術（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）では単色光又は準単色光が通
常使用される。しかしながら、単色光又は準単色光がフ
ォトレジスト露光に使用されると、フォトレジスト／基
板界面における照射光反射によって、有益な干渉と有害
な干渉とが特に顕著になる。そのような場合、反射光は
入射光と干渉してフォトレジストの内部に定常波を形成
する。大きい振幅の定常波が最小波において露光不足の
フオトレジストの薄い層を作るので、反射性の大きい基
板領域の場合には問題は更に深刻になる。露光不足の層
は、フォトレジスト画像に縁部尖鋭化の問題（ｅｄｇｅ
ａｃｕｉｔｙ ｐｒｏｂｌｅｍｓ）を起し、フォトレ
ジストの完全な現像を阻害する。フォトレジストを露光
するのに要する時間は、フォトレジストの量が増加する
と露光するのに要する全照射量が増加するので、通常フ
ォトレジストの厚さに対し増加する関数となる。しかし
ながら、定常波効果のために、露光時間はフォトレジス
トの厚さにより最大値と最小値の間を変化する調和的な
要素をさらに含んでいる。もしフォトレジストの厚さが
不均一な場合は、線幅が変動することになるので問題は
更に深刻となる。
【０００６】さらに、基板の微細構造（ｓｕｂｓｔｒａ
ｔｅ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）の変化は、解像度を低下
させる反射の問題（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ−ｌｉｍｉｔ
ｉｎｇ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｐｒｏｂｌｅｍｓ）を
も発生させる。基板上のどの画像も、種々の制御されな
い方向への散乱又は反射による照射光の侵入が生じ、フ
ォトレジストの現像の不均一性が引き起こされることに
なる。より複雑な回路を設計しようとするために基板の
微細構造が更に複雑になるにつれて、反射光の影響は更
に重要になる。例えば、多くのマイクロエレクトロニク
ス基板で使用される金属接続部は、その微細構造及び高
反射性の領域であるために特に問題となる。
ｔｅ ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）の変化は、解像度を低下
させる反射の問題（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ−ｌｉｍｉｔ
ｉｎｇ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｐｒｏｂｌｅｍｓ）を
も発生させる。基板上のどの画像も、種々の制御されな
い方向への散乱又は反射による照射光の侵入が生じ、フ
ォトレジストの現像の不均一性が引き起こされることに
なる。より複雑な回路を設計しようとするために基板の
微細構造が更に複雑になるにつれて、反射光の影響は更
に重要になる。例えば、多くのマイクロエレクトロニク
ス基板で使用される金属接続部は、その微細構造及び高
反射性の領域であるために特に問題となる。
【０００７】半導体デバイスが高密度となっている最近
の傾向から、産業界では露光源の波長を、遠紫外（ＤＵ
Ｖ）光（３００ｎｍ以下の波長）、ＫｒＦエキシマーレ
ーザー光（２４８．４ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザ
ー光（１９３ｎｍ）、電子ビーム及び軟Ｘ線へと短くす
る動きがある。フォトレジスト被膜をイメージングする
ために短くした波長を使用することから、結果として基
底となる基板の表面と同様にレジスト表面上からも反射
が一般的に増加した。従って、より短い波長を使用する
ことが基板表面からの反射の問題を大きくしてきた。反
射光の問題を少なくするため使用される別の手法では、
基板表面とフォトレジスト被覆層との間に挿入する照射
光吸収層を使用してきた。例えば、ＰＣＴ出願公開公報
第９０／０３５９８号（ＷＯ９０／０３５９８）、ＥＰ
Ｏ出願公開公報第０６３９９４１号（ＥＰ，Ａ１，０６
３９，９４１）及び米国特許第４，９１０，１２２号、
同第４，３７０，４０５号及び同第４，３６２，８０９
号には、反射防止（ハレーション防止）組成物及びその
使用法が開示されている。このような層は、前記文献中
では反射防止層又はＡＲＣ（反射防止組成物）とも表現
されている。
の傾向から、産業界では露光源の波長を、遠紫外（ＤＵ
Ｖ）光（３００ｎｍ以下の波長）、ＫｒＦエキシマーレ
ーザー光（２４８．４ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザ
ー光（１９３ｎｍ）、電子ビーム及び軟Ｘ線へと短くす
る動きがある。フォトレジスト被膜をイメージングする
ために短くした波長を使用することから、結果として基
底となる基板の表面と同様にレジスト表面上からも反射
が一般的に増加した。従って、より短い波長を使用する
ことが基板表面からの反射の問題を大きくしてきた。反
射光の問題を少なくするため使用される別の手法では、
基板表面とフォトレジスト被覆層との間に挿入する照射
光吸収層を使用してきた。例えば、ＰＣＴ出願公開公報
第９０／０３５９８号（ＷＯ９０／０３５９８）、ＥＰ
Ｏ出願公開公報第０６３９９４１号（ＥＰ，Ａ１，０６
３９，９４１）及び米国特許第４，９１０，１２２号、
同第４，３７０，４０５号及び同第４，３６２，８０９
号には、反射防止（ハレーション防止）組成物及びその
使用法が開示されている。このような層は、前記文献中
では反射防止層又はＡＲＣ（反射防止組成物）とも表現
されている。
【０００８】前記のヨーロッパ特許出願公開公報第６３
９９４１号（Ａ１）のＡＲＣは、分子中に少なくとも１
個のグリシジル基を持つ化合物、少なくとも１個のグリ
シジル基を持つ化合物と架橋するように誘導された少な
くとも１個のアントラセン誘導体、及び溶媒を含有す
る。使用にあたっては、反射防止被膜を基板上に塗布し
た後に硬化させ、それによってアントラセン誘導体はグ
リシジル置換基を持つ化合物と架橋剤として作用する。
この開示されたＡＲＣは、特に安定性又はコンシステン
シー（ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｃｙ）に関して、幾つかの欠
点を示すことがある。特に、グリシジル置換基を持つ化
合物は比較的反応しやすく、例えば、グリシジル基は互
いに、又はアントラセン誘導体と反応する場合がある。
このことは、貯蔵期間中に被膜特性を変えるＡＲＣ塗料
溶液の粘度が変化することである。使用にあたっては、
記載されているＡＲＣ類は基板上で塗布された後、アン
トラセン誘導体とグリシジルを含む化合物のグリシジル
基との間で架橋が起こり、硬化される。硬化条件には、
１５０〜２３０℃の温度、最高３０分間加熱することが
含まれる。これらの温度において、アントラセン誘導体
は塗布組成物の溶媒と共にこの被覆層から蒸発又は昇華
することができる。アントラセン誘導体は発色団でもあ
り架橋剤でもあるから、ＡＲＣの中でこの誘導体の濃度
が下がると、予測不能な吸収特性や予測不能な溶解性を
示すことがある。シップレー社（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃ
ｏ．）のヨーロッパ特許出願公開公報第５４２００８号
（ＥＰ，Ａ１，５４２，００８）には樹脂バインダーと
架橋剤化合物とから成る極めて有用なハレーション防止
（反射防止）組成物が開示されている。
９９４１号（Ａ１）のＡＲＣは、分子中に少なくとも１
個のグリシジル基を持つ化合物、少なくとも１個のグリ
シジル基を持つ化合物と架橋するように誘導された少な
くとも１個のアントラセン誘導体、及び溶媒を含有す
る。使用にあたっては、反射防止被膜を基板上に塗布し
た後に硬化させ、それによってアントラセン誘導体はグ
リシジル置換基を持つ化合物と架橋剤として作用する。
この開示されたＡＲＣは、特に安定性又はコンシステン
シー（ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｃｙ）に関して、幾つかの欠
点を示すことがある。特に、グリシジル置換基を持つ化
合物は比較的反応しやすく、例えば、グリシジル基は互
いに、又はアントラセン誘導体と反応する場合がある。
このことは、貯蔵期間中に被膜特性を変えるＡＲＣ塗料
溶液の粘度が変化することである。使用にあたっては、
記載されているＡＲＣ類は基板上で塗布された後、アン
トラセン誘導体とグリシジルを含む化合物のグリシジル
基との間で架橋が起こり、硬化される。硬化条件には、
１５０〜２３０℃の温度、最高３０分間加熱することが
含まれる。これらの温度において、アントラセン誘導体
は塗布組成物の溶媒と共にこの被覆層から蒸発又は昇華
することができる。アントラセン誘導体は発色団でもあ
り架橋剤でもあるから、ＡＲＣの中でこの誘導体の濃度
が下がると、予測不能な吸収特性や予測不能な溶解性を
示すことがある。シップレー社（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃ
ｏ．）のヨーロッパ特許出願公開公報第５４２００８号
（ＥＰ，Ａ１，５４２，００８）には樹脂バインダーと
架橋剤化合物とから成る極めて有用なハレーション防止
（反射防止）組成物が開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】先行技術におけるＡＲ
Ｃ組成物が多くの反射防止用途に有効であることが見出
されている一方で、該組成物は、例えば反射防止組成物
をレジスト組成物と共に使用してサブミクロン又はサブ
ハーフミクロンスケールの図形をパターン化する等の際
に、幾つかの性能上の制約があるという問題がある。特
に、先行技術における幾つかの反射防止組成物の使用に
より、当業者には“ノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）”
として公知の、現像されたレジストレリーフ画像のアン
ダーカットが起こることがあった。別の問題には“フー
チング（ｆｏｏｔｉｎｇ）”、即ち現像中の不十分な洗
浄によりレリーフ画像側壁が上方に行くにつれ細くなっ
てしまう現象を生じる。ノッチングもフーチングも、生
地基板上にパターン化された画像の解像度を低化させる
ことがある。従って、新規の反射防止コーティング組成
物を得ることが望まれていた。
Ｃ組成物が多くの反射防止用途に有効であることが見出
されている一方で、該組成物は、例えば反射防止組成物
をレジスト組成物と共に使用してサブミクロン又はサブ
ハーフミクロンスケールの図形をパターン化する等の際
に、幾つかの性能上の制約があるという問題がある。特
に、先行技術における幾つかの反射防止組成物の使用に
より、当業者には“ノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）”
として公知の、現像されたレジストレリーフ画像のアン
ダーカットが起こることがあった。別の問題には“フー
チング（ｆｏｏｔｉｎｇ）”、即ち現像中の不十分な洗
浄によりレリーフ画像側壁が上方に行くにつれ細くなっ
てしまう現象を生じる。ノッチングもフーチングも、生
地基板上にパターン化された画像の解像度を低化させる
ことがある。従って、新規の反射防止コーティング組成
物を得ることが望まれていた。
【００１０】
【課題を解決しようとする手段】本発明は、ＡＲＣとし
て使用するために、特に遠紫外用に使用するために、好
適な新規の光吸収性架橋組成物を提供する。本発明のＡ
ＲＣ類は、通常、架橋剤及び遠紫外露光照射光を効果的
に吸収してこの照射光の反射を減少させる樹脂バインダ
ーを有する。本発明のＡＲＣ類の樹脂バインダーは、上
塗りされたレジスト組成物の露光照射光のための発色団
である少なくとも１種の成分、即ち露光照射光を吸収す
ることができ、それによって反射を減少させることがで
きる成分を含む。例えば、遠紫外（ＤＵＶ）フォトレジ
ストと共に使用する好ましい反射防止組成物の場合、好
ましい発色団としては、アントラセニル、特に、一般式
−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｎアントラセン（式中、ｎは
１から約６までの整数）で示される基のようなアルキレ
ンアントラセンエステルが挙げられる。他の好ましい発
色団としては、キノリニル、及び、ヒドロキシキノリニ
ル、フェナントレニル及びアクリジン基のような環置換
型キノリニル誘導体が挙げられる。好ましくは樹脂の単
位の約５ないし９０パーセント、より好ましくは約１０
ないし８０パーセントがこのような発色団から成る。本
発明の好ましい樹脂バインダーは、２４８ｎｍにおいて
少なくとも約４ユニット／μの光学密度を持つ。さら
に、好ましい樹脂バインダーとしては、例えば、当該樹
脂上のヒドロキシ又はカルボキシ成分、又は、酸の存在
下などの条件下でそのような反応性の基を生成し得る例
えばエステルのような“マスクされた（ｍａｓｋｅ
ｄ）”成分によって、架橋剤成分と反応することもでき
るものである。
て使用するために、特に遠紫外用に使用するために、好
適な新規の光吸収性架橋組成物を提供する。本発明のＡ
ＲＣ類は、通常、架橋剤及び遠紫外露光照射光を効果的
に吸収してこの照射光の反射を減少させる樹脂バインダ
ーを有する。本発明のＡＲＣ類の樹脂バインダーは、上
塗りされたレジスト組成物の露光照射光のための発色団
である少なくとも１種の成分、即ち露光照射光を吸収す
ることができ、それによって反射を減少させることがで
きる成分を含む。例えば、遠紫外（ＤＵＶ）フォトレジ
ストと共に使用する好ましい反射防止組成物の場合、好
ましい発色団としては、アントラセニル、特に、一般式
−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｎアントラセン（式中、ｎは
１から約６までの整数）で示される基のようなアルキレ
ンアントラセンエステルが挙げられる。他の好ましい発
色団としては、キノリニル、及び、ヒドロキシキノリニ
ル、フェナントレニル及びアクリジン基のような環置換
型キノリニル誘導体が挙げられる。好ましくは樹脂の単
位の約５ないし９０パーセント、より好ましくは約１０
ないし８０パーセントがこのような発色団から成る。本
発明の好ましい樹脂バインダーは、２４８ｎｍにおいて
少なくとも約４ユニット／μの光学密度を持つ。さら
に、好ましい樹脂バインダーとしては、例えば、当該樹
脂上のヒドロキシ又はカルボキシ成分、又は、酸の存在
下などの条件下でそのような反応性の基を生成し得る例
えばエステルのような“マスクされた（ｍａｓｋｅ
ｄ）”成分によって、架橋剤成分と反応することもでき
るものである。
【００１１】発色団成分を含む反射防止組成物樹脂バイ
ンダーとしては、好ましくはコポリマーであり、そし
て、少なくとも１種が発色団基を含む少なくとも２種の
異なるモノマーを重合することによって調製される。こ
の調製方法は、予め調製されたポリマーに発色団を付加
して機能化するよりも明らかに優れている方法であるこ
とが見出された。例えば、本発明のこの調製方法では、
少なくとも１つの精製工程を省略し得るだけではなく、
予め調製されたポリマーに発色団をグラフト化する追加
の反応工程も省略することができる。さらに、この調製
方法では生成された樹脂の組成物の正確な調整も可能で
ある。
ンダーとしては、好ましくはコポリマーであり、そし
て、少なくとも１種が発色団基を含む少なくとも２種の
異なるモノマーを重合することによって調製される。こ
の調製方法は、予め調製されたポリマーに発色団を付加
して機能化するよりも明らかに優れている方法であるこ
とが見出された。例えば、本発明のこの調製方法では、
少なくとも１つの精製工程を省略し得るだけではなく、
予め調製されたポリマーに発色団をグラフト化する追加
の反応工程も省略することができる。さらに、この調製
方法では生成された樹脂の組成物の正確な調整も可能で
ある。
【００１２】また、本発明のこの調製方法では、ポリマ
ー上の発色団の量の良好な制御も可能である。対照的
に、予め調製された樹脂上に発色団をグラフト化する場
合には、発色団の含有率が異なるポリマーからなる樹脂
混合物がしばしば得られる。発色団の差によって露光照
射光が本質的に不規則な反射を引き起こす結果となるの
で、このような発色団の含有量の違いが上塗りされたフ
ォトレジスト層にパターン化された画像の解像度を低下
させることになる。本発明の調製方法によって、さら
に、極めて種々のタイプのポリマーを調製できる。予め
調製されたポリマーの少なくとも数種のタイプに発色団
単位をグラフト化することは、特に大量生産において
は、極めて困難か又は不可能に近い。例えば、反応を完
結して所望の材料から望ましくない生成物を除去しなけ
ればならないような反応を取り扱うことは特に困難であ
る。
ー上の発色団の量の良好な制御も可能である。対照的
に、予め調製された樹脂上に発色団をグラフト化する場
合には、発色団の含有率が異なるポリマーからなる樹脂
混合物がしばしば得られる。発色団の差によって露光照
射光が本質的に不規則な反射を引き起こす結果となるの
で、このような発色団の含有量の違いが上塗りされたフ
ォトレジスト層にパターン化された画像の解像度を低下
させることになる。本発明の調製方法によって、さら
に、極めて種々のタイプのポリマーを調製できる。予め
調製されたポリマーの少なくとも数種のタイプに発色団
単位をグラフト化することは、特に大量生産において
は、極めて困難か又は不可能に近い。例えば、反応を完
結して所望の材料から望ましくない生成物を除去しなけ
ればならないような反応を取り扱うことは特に困難であ
る。
【００１３】さらに、本発明は、レリーフ画像を形成す
る方法、及び、本発明のＡＲＣ組成物単独の、或いはフ
ォトレジスト組成物と組み合わせた被覆基板を含有する
新規製品を形成する方法も提供する。本発明の他の態様
は以下に開示されている。
る方法、及び、本発明のＡＲＣ組成物単独の、或いはフ
ォトレジスト組成物と組み合わせた被覆基板を含有する
新規製品を形成する方法も提供する。本発明の他の態様
は以下に開示されている。
【００１４】
【発明の態様】本発明の反射防止組成物の樹脂バインダ
ー成分は、遠紫外画像作製システムと共に使用するのが
好ましく、遠紫外領域（典型的には、約１００から３０
０ｎｍ）における反射を効果的に吸収する。従って、該
樹脂バインダー成分は、遠紫外発色団である単位、即ち
遠紫外照射光を吸収する単位を含むことが好ましい。高
共役型成分が通常発色団として好適である。芳香族、特
に多環式炭化水素又は複素環単位が一般的に好ましい遠
紫外発色団であって、例えば、該芳香族は、各環の員数
が３ないし８員環であり、各環当たり０ないし３個の
Ｎ、Ｏ又はＳ原子の付いた２から３ないし４個の縮合型
又は分離型環を有する。このような発色団には、置換又
は非置換型フェナントリル、置換又は非置換型アントラ
ル、置換又は非置換型アクリジン、置換又は非置換型ナ
フチル、置換又は非置換型キノリニル、及び、ヒドロキ
シキノリニルのような環置換型キノリニル類等が挙げら
れる。置換又は非置換型アントラシル基が特に好まし
い。例えば、好ましい樹脂バインダーとしては、ペンダ
ントなアントラシル基を持ち、特に次式（Ｉ）で示され
るアクリル系樹脂が挙げられる。
ー成分は、遠紫外画像作製システムと共に使用するのが
好ましく、遠紫外領域（典型的には、約１００から３０
０ｎｍ）における反射を効果的に吸収する。従って、該
樹脂バインダー成分は、遠紫外発色団である単位、即ち
遠紫外照射光を吸収する単位を含むことが好ましい。高
共役型成分が通常発色団として好適である。芳香族、特
に多環式炭化水素又は複素環単位が一般的に好ましい遠
紫外発色団であって、例えば、該芳香族は、各環の員数
が３ないし８員環であり、各環当たり０ないし３個の
Ｎ、Ｏ又はＳ原子の付いた２から３ないし４個の縮合型
又は分離型環を有する。このような発色団には、置換又
は非置換型フェナントリル、置換又は非置換型アントラ
ル、置換又は非置換型アクリジン、置換又は非置換型ナ
フチル、置換又は非置換型キノリニル、及び、ヒドロキ
シキノリニルのような環置換型キノリニル類等が挙げら
れる。置換又は非置換型アントラシル基が特に好まし
い。例えば、好ましい樹脂バインダーとしては、ペンダ
ントなアントラシル基を持ち、特に次式（Ｉ）で示され
るアクリル系樹脂が挙げられる。
【００１５】
【化６】
【００１６】式中、各Ｒ及びＲ１は、各々独立して、水
素、又は置換又は非置換の１個から約８個の炭素原子の
アルキル基で、好ましくは置換又は非置換のＣ１−６ア
ルキルであり、各Ｒ２は、独立して、置換又は非置換の
１個ないし約１０個の炭素原子、更に一般的には１個な
いし約６個の炭素原子のアルキル基であり、各Ｒ３は、
独立して、ハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又はＢｒ）、１個な
いし約８個の炭素原子からなるアルキル基、１個ないし
約８個の炭素原子からなるアルコキシ基、２個ないし約
８個の炭素原子からなるアルケニル基、２個ないし約８
個の炭素原子からなるアルキニル基、シアノ基、ニトロ
基などの基であり、ｍは、０（アントラシル環が完全に
水素置換されている場合）から９までの整数であって、
ｍは０、１又は２が好ましく、ｘは、ポリマー中のアル
キルアクリレート単位のモル分率又はパーセントであっ
て約１０から約８０パーセントが好ましく、そして、ｙ
は、ポリマー中のアントラセン単位のモル分率又はパー
セントであって、約５ないし１０から約９０パーセント
が好ましい。）
素、又は置換又は非置換の１個から約８個の炭素原子の
アルキル基で、好ましくは置換又は非置換のＣ１−６ア
ルキルであり、各Ｒ２は、独立して、置換又は非置換の
１個ないし約１０個の炭素原子、更に一般的には１個な
いし約６個の炭素原子のアルキル基であり、各Ｒ３は、
独立して、ハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又はＢｒ）、１個な
いし約８個の炭素原子からなるアルキル基、１個ないし
約８個の炭素原子からなるアルコキシ基、２個ないし約
８個の炭素原子からなるアルケニル基、２個ないし約８
個の炭素原子からなるアルキニル基、シアノ基、ニトロ
基などの基であり、ｍは、０（アントラシル環が完全に
水素置換されている場合）から９までの整数であって、
ｍは０、１又は２が好ましく、ｘは、ポリマー中のアル
キルアクリレート単位のモル分率又はパーセントであっ
て約１０から約８０パーセントが好ましく、そして、ｙ
は、ポリマー中のアントラセン単位のモル分率又はパー
セントであって、約５ないし１０から約９０パーセント
が好ましい。）
【００１７】このポリマーは、所望ならば、他のモノマ
ー単位を含んでもよいが、少なくとも約１０モルパーセ
ントのアントラセン単位を含むのが好ましい。ヒドロキ
シアルキル基は特に好ましいＲ２基であり、Ｒ２は２−
ヒドロキシエチレン（−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）のような一
級のヒドロキシ基を有するアルキル基であることがより
好ましい。該樹脂バインダーは９−（メチレン）アント
ラセンエステル（アントラセン−９−イルメチルエステ
ル）単位を含むのが好ましい。別の好ましい樹脂バイン
ダーは、ヒドロキシキノリニルのような少なくとも１個
のＮ、Ｏ又はＳ環原子を持つ、置換又は非置換のキノリ
ニル又はキノリニル誘導体からなるものである。このポ
リマーは、ポリマー骨格から吊り下がる（ペンダント
な）カルボキシおよび／またはアルキルエステル単位の
ような別の単位を含んでよい。特に好ましいＡＲＣ樹脂
バインダーとしては次式（ＩＩ）で示されるアクリル系
ポリマーが挙げられる。
ー単位を含んでもよいが、少なくとも約１０モルパーセ
ントのアントラセン単位を含むのが好ましい。ヒドロキ
シアルキル基は特に好ましいＲ２基であり、Ｒ２は２−
ヒドロキシエチレン（−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）のような一
級のヒドロキシ基を有するアルキル基であることがより
好ましい。該樹脂バインダーは９−（メチレン）アント
ラセンエステル（アントラセン−９−イルメチルエステ
ル）単位を含むのが好ましい。別の好ましい樹脂バイン
ダーは、ヒドロキシキノリニルのような少なくとも１個
のＮ、Ｏ又はＳ環原子を持つ、置換又は非置換のキノリ
ニル又はキノリニル誘導体からなるものである。このポ
リマーは、ポリマー骨格から吊り下がる（ペンダント
な）カルボキシおよび／またはアルキルエステル単位の
ような別の単位を含んでよい。特に好ましいＡＲＣ樹脂
バインダーとしては次式（ＩＩ）で示されるアクリル系
ポリマーが挙げられる。
【００１８】
【化７】
【００１９】式中、各Ｒ４及びＲ５は、各々独立して、
水素、又は、置換又は非置換の１個から約８個の炭素原
子のアルキル基で、好ましくは置換又は非置換のＣ
１−６アルキル基であり、各Ｒ６は、独立して、置換又
は非置換の１個ないし約１０個の炭素原子、更に一般的
には１個ないし約６個の炭素原子のアルキル基であり、
Ｗは、結合手、又は、置換又は非置換の１個ないし約４
個の炭素原子のアルキレン基であって、好ましくは結合
手であり、Ｚは、炭素、窒素、酸素又は硫黄原子であ
り、各Ｒ７は、独立して、ハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又は
Ｂｒ）、１個ないし約８個の炭素原子のアルキル基、１
個ないし約８個の炭素原子のアルコキシ基、２個ないし
約８個の炭素原子のアルケニル基、２個ないし約８個の
炭素原子のアルキニル基、シアノ基、ニトロ基などの基
で、ｎは、０（この環が完全に水素置換されている場
合）から９までの整数であって、ｎは０、１又は２が好
ましい。ｘ’は、ポリマー中のアルキルアクリレート単
位のモル分率又はパーセントであって、１０〜約８０パ
ーセントが好ましく、そして、ｙ’は、ポリマー中のキ
ノリニル又はヒドロキシキノリニル単位のモル分率又は
パーセントであって、約５〜約９０パーセントが好まし
い。該ポリマーは、所望ならば、他のモノマー単位を含
んでもよいが、少なくとも約１０モルパーセントのキノ
リニルおよび／またはヒドロキシキノリニル単位を含む
のが好ましい。ヒドロキシアルキルは特に好ましいＲ６
基であり、特に、アルキルが、Ｒ６は２−ヒドロキシエ
チルであるような一級のヒドロキシ基を有するのが好ま
しい。
水素、又は、置換又は非置換の１個から約８個の炭素原
子のアルキル基で、好ましくは置換又は非置換のＣ
１−６アルキル基であり、各Ｒ６は、独立して、置換又
は非置換の１個ないし約１０個の炭素原子、更に一般的
には１個ないし約６個の炭素原子のアルキル基であり、
Ｗは、結合手、又は、置換又は非置換の１個ないし約４
個の炭素原子のアルキレン基であって、好ましくは結合
手であり、Ｚは、炭素、窒素、酸素又は硫黄原子であ
り、各Ｒ７は、独立して、ハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又は
Ｂｒ）、１個ないし約８個の炭素原子のアルキル基、１
個ないし約８個の炭素原子のアルコキシ基、２個ないし
約８個の炭素原子のアルケニル基、２個ないし約８個の
炭素原子のアルキニル基、シアノ基、ニトロ基などの基
で、ｎは、０（この環が完全に水素置換されている場
合）から９までの整数であって、ｎは０、１又は２が好
ましい。ｘ’は、ポリマー中のアルキルアクリレート単
位のモル分率又はパーセントであって、１０〜約８０パ
ーセントが好ましく、そして、ｙ’は、ポリマー中のキ
ノリニル又はヒドロキシキノリニル単位のモル分率又は
パーセントであって、約５〜約９０パーセントが好まし
い。該ポリマーは、所望ならば、他のモノマー単位を含
んでもよいが、少なくとも約１０モルパーセントのキノ
リニルおよび／またはヒドロキシキノリニル単位を含む
のが好ましい。ヒドロキシアルキルは特に好ましいＲ６
基であり、特に、アルキルが、Ｒ６は２−ヒドロキシエ
チルであるような一級のヒドロキシ基を有するのが好ま
しい。
【００２０】前述の置換基（即ち、置換基Ｒ１からＲ７
及びＷまで）は、ハロゲン（特に、Ｆ、Ｃｌ又はＢ
ｒ）；シアノ；ヒドロキシ、ニトロ、アシル又はその類
縁体のようなアルカノイル基、例えば、Ｃ１−６アルカ
ノイル基；１個ないし約８個の炭素原子を持つアルキル
基；少なくとも１個の不飽和結合を有する２個ないし約
８個の炭素原子を持つアルケニル又はアルキニル基；１
個ないし約６個の炭素を持つアルコシキ基等の少なくと
も１個の好適な基により少なくとも１個の置換可能な位
置で置換されてもよい。
及びＷまで）は、ハロゲン（特に、Ｆ、Ｃｌ又はＢ
ｒ）；シアノ；ヒドロキシ、ニトロ、アシル又はその類
縁体のようなアルカノイル基、例えば、Ｃ１−６アルカ
ノイル基；１個ないし約８個の炭素原子を持つアルキル
基；少なくとも１個の不飽和結合を有する２個ないし約
８個の炭素原子を持つアルケニル又はアルキニル基；１
個ないし約６個の炭素を持つアルコシキ基等の少なくと
も１個の好適な基により少なくとも１個の置換可能な位
置で置換されてもよい。
【００２１】前述のように、ＡＲＣ樹脂バインダーは、
異なる少なくとも２種のモノマーを重合することによっ
て合成することが好ましく、その場合には少なくとも１
種のモノマーが発色団基、例えばアントラセニル、キノ
リニル又はヒドロキシキノリニル基を含んでいることが
好ましい。反応温度は、使用する特定の試薬の反応性、
及び反応溶媒（溶媒を使用する場合）の沸点によって変
動し得るが、例えば、ラジカル開始剤の存在下で、好ま
しくは不活性雰囲気（例えば、Ｎ２又はアルゴン）下、
約７０℃以上のような加熱された温度で、種々の単位を
提供する複数のモノマーを反応させることによるフリー
ラジカル重合が好適に行われる。反応条件は後述の実施
例を参照されたい。本発明の開示に基づき、当業者は経
験的にあらゆる特定の系に対しても好適な反応温度を決
めることができる。望むならば、反応溶媒を使用しても
よい。好適な溶媒としては、プロパノール及びブタノー
ルのようなアルコール、並びにベンゼン、クロロベンゼ
ン、トルエン及びキシレンのような芳香族溶媒等が挙げ
られる。ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド
及びＴＨＦ等も好適である。また、重合反応は無溶媒
で、好適に進めることができる。種々のフリーラジカル
開始剤を使って本発明のコポリマーを調製してもよい。
例えば、アゾ−ビス−２，２’−イソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）及び１，１’−アゾビス（シクロヘキサン
カルボニトリル）のようなアゾ化合物を使用してもよ
い。過酸化物、過酸エステル、過酸及び過硫酸塩も使用
してよい。また、特に好ましいとはいえないが、予め調
製した樹脂に発色団単位を用いて機能化することもでき
る。例えば、グリシジルノボラックのようなグリシジル
フェノール樹脂をアントラニルカルボン酸と反応させる
ことができる。
異なる少なくとも２種のモノマーを重合することによっ
て合成することが好ましく、その場合には少なくとも１
種のモノマーが発色団基、例えばアントラセニル、キノ
リニル又はヒドロキシキノリニル基を含んでいることが
好ましい。反応温度は、使用する特定の試薬の反応性、
及び反応溶媒（溶媒を使用する場合）の沸点によって変
動し得るが、例えば、ラジカル開始剤の存在下で、好ま
しくは不活性雰囲気（例えば、Ｎ２又はアルゴン）下、
約７０℃以上のような加熱された温度で、種々の単位を
提供する複数のモノマーを反応させることによるフリー
ラジカル重合が好適に行われる。反応条件は後述の実施
例を参照されたい。本発明の開示に基づき、当業者は経
験的にあらゆる特定の系に対しても好適な反応温度を決
めることができる。望むならば、反応溶媒を使用しても
よい。好適な溶媒としては、プロパノール及びブタノー
ルのようなアルコール、並びにベンゼン、クロロベンゼ
ン、トルエン及びキシレンのような芳香族溶媒等が挙げ
られる。ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド
及びＴＨＦ等も好適である。また、重合反応は無溶媒
で、好適に進めることができる。種々のフリーラジカル
開始剤を使って本発明のコポリマーを調製してもよい。
例えば、アゾ−ビス−２，２’−イソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）及び１，１’−アゾビス（シクロヘキサン
カルボニトリル）のようなアゾ化合物を使用してもよ
い。過酸化物、過酸エステル、過酸及び過硫酸塩も使用
してよい。また、特に好ましいとはいえないが、予め調
製した樹脂に発色団単位を用いて機能化することもでき
る。例えば、グリシジルノボラックのようなグリシジル
フェノール樹脂をアントラニルカルボン酸と反応させる
ことができる。
【００２２】該ＡＲＣ樹脂バインダーは、約１，０００
ないし約１０，０００，０００ダルトン、更に一般的に
は約５，０００ないし約１，０００，０００ダルトンの
重量平均分子量（Ｍｗ）、及び約５００ないし約１，０
００，０００ダルトンの数平均分子量（Ｍｎ）を持つこ
とが好ましい。本発明のポリマーの分子量（ＭｗでもＭ
ｎでも）はゲル浸透クロマトグラフィによって測定する
のが好ましい。
ないし約１０，０００，０００ダルトン、更に一般的に
は約５，０００ないし約１，０００，０００ダルトンの
重量平均分子量（Ｍｗ）、及び約５００ないし約１，０
００，０００ダルトンの数平均分子量（Ｍｎ）を持つこ
とが好ましい。本発明のポリマーの分子量（ＭｗでもＭ
ｎでも）はゲル浸透クロマトグラフィによって測定する
のが好ましい。
【００２３】本発明の樹脂バインダーは、１００から約
３００ｎｍの領域内のような遠紫外波長で良好な吸光度
を示すのが好ましい。より詳細には、本発明の好ましい
樹脂バインダーは、約２４８ｎｍにおいてミクロン当た
り少なくとも約３光度単位（吸光度単位／μ）の光学密
度、好ましくは２４８ｎｍにおいてミクロン当たり約５
〜２０以上の吸光度単位、より好ましくは２４８ｎｍに
おいてミクロン当たり約８〜１６以上の吸光度単位を持
つ。特定の樹脂の発色団単位のパーセントを増やすこと
によって該樹脂の吸光度値を高めることができる。
３００ｎｍの領域内のような遠紫外波長で良好な吸光度
を示すのが好ましい。より詳細には、本発明の好ましい
樹脂バインダーは、約２４８ｎｍにおいてミクロン当た
り少なくとも約３光度単位（吸光度単位／μ）の光学密
度、好ましくは２４８ｎｍにおいてミクロン当たり約５
〜２０以上の吸光度単位、より好ましくは２４８ｎｍに
おいてミクロン当たり約８〜１６以上の吸光度単位を持
つ。特定の樹脂の発色団単位のパーセントを増やすこと
によって該樹脂の吸光度値を高めることができる。
【００２４】また、本発明の反射防止組成物は、多環式
発色団単位を持つ樹脂と共存する共樹脂（ｃｏ−ｒｅｓ
ｉｎ）として又はＡＲＣ樹脂バインダー成分の単独樹脂
として、多環式発色団単位を有していない樹脂を含有す
ることができる。例えば、ポリ（ビニルフェノール）よ
うなフェノール樹脂、ノボラック樹脂、及び、本発明の
ＡＲＣ類の樹脂バインダー成分の中で使用され得るフォ
トレジスト樹脂として以下に記されるような他の樹脂等
がある。
発色団単位を持つ樹脂と共存する共樹脂（ｃｏ−ｒｅｓ
ｉｎ）として又はＡＲＣ樹脂バインダー成分の単独樹脂
として、多環式発色団単位を有していない樹脂を含有す
ることができる。例えば、ポリ（ビニルフェノール）よ
うなフェノール樹脂、ノボラック樹脂、及び、本発明の
ＡＲＣ類の樹脂バインダー成分の中で使用され得るフォ
トレジスト樹脂として以下に記されるような他の樹脂等
がある。
【００２５】本発明の反射防止組成物の樹脂バインダー
の濃度は、比較的広い範囲で変化させることができ、樹
脂バインダーは、通常、ＡＲＣの全乾燥成分の約５０か
ら９５重量パーセント、更に一般的には全乾燥成分（溶
媒キャリヤを除いた全成分）の約６０から９０重量パー
セントまでの濃度で使用される。本発明のＡＲＣ類は、
さらに架橋剤成分をも含む。種々の架橋剤を使用するこ
とができ、その中には前記のシップレー社（Ｓｈｉｐｌ
ｅｙ Ｃｏ．）のヨーロッパ特許出願第５４２００８号
に開示されているＡＲＣ架橋剤類も挙げられる。架橋剤
としては、メトキシメチル化グリコウリル（ｇｌｙｃｏ
ｕｒｉｌ）のような低塩基度の架橋剤が特に好ましい。
より好ましい架橋剤としては、次式（ＩＩＩ）で示され
るメトキシメチル化グリコウリルがある。
の濃度は、比較的広い範囲で変化させることができ、樹
脂バインダーは、通常、ＡＲＣの全乾燥成分の約５０か
ら９５重量パーセント、更に一般的には全乾燥成分（溶
媒キャリヤを除いた全成分）の約６０から９０重量パー
セントまでの濃度で使用される。本発明のＡＲＣ類は、
さらに架橋剤成分をも含む。種々の架橋剤を使用するこ
とができ、その中には前記のシップレー社（Ｓｈｉｐｌ
ｅｙ Ｃｏ．）のヨーロッパ特許出願第５４２００８号
に開示されているＡＲＣ架橋剤類も挙げられる。架橋剤
としては、メトキシメチル化グリコウリル（ｇｌｙｃｏ
ｕｒｉｌ）のような低塩基度の架橋剤が特に好ましい。
より好ましい架橋剤としては、次式（ＩＩＩ）で示され
るメトキシメチル化グリコウリルがある。
【００２６】
【化８】
【００２７】該メトキシメチル化グリコウリルは公知の
手順で調製できる。この化合物は、アメリカンシアナミ
ド社（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）
からパウダーリンク（Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ）１１７４
の商品名で市販されている。他の適当な低塩基度架橋剤
としては、ヒドロキシ化合物、特に、フェニル、又は少
なくとも１個のヒドロキシもしくはＣ１−８ヒドロキシ
アルキル置換基のようなヒドロキシアルキル置換基を持
つ芳香族、又は、他の芳香族等のような多官能化合物が
挙げられる。フェノール化合物としては、ジメタノール
フェノール（Ｃ６Ｈ３（ＣＨ２ＯＨ）２ＯＨ）、及び隣
接する（環の１−２の位置の原子）ヒドロキシ及びヒド
ロキシアルキル置換基を持つ他の化合物、特に少なくと
も１個のメタノール又は他のヒドロキシアルキル環置換
基及びヒドロキシアルキル置換基に隣接する少なくとも
１個のヒドロキシを持つフェニルまたは他の芳香族化合
物等が好ましい。
手順で調製できる。この化合物は、アメリカンシアナミ
ド社（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）
からパウダーリンク（Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ）１１７４
の商品名で市販されている。他の適当な低塩基度架橋剤
としては、ヒドロキシ化合物、特に、フェニル、又は少
なくとも１個のヒドロキシもしくはＣ１−８ヒドロキシ
アルキル置換基のようなヒドロキシアルキル置換基を持
つ芳香族、又は、他の芳香族等のような多官能化合物が
挙げられる。フェノール化合物としては、ジメタノール
フェノール（Ｃ６Ｈ３（ＣＨ２ＯＨ）２ＯＨ）、及び隣
接する（環の１−２の位置の原子）ヒドロキシ及びヒド
ロキシアルキル置換基を持つ他の化合物、特に少なくと
も１個のメタノール又は他のヒドロキシアルキル環置換
基及びヒドロキシアルキル置換基に隣接する少なくとも
１個のヒドロキシを持つフェニルまたは他の芳香族化合
物等が好ましい。
【００２８】本発明の反射防止組成物で使用されるメト
キシメチル化グリコウリルのような低塩基度架橋剤が、
上塗りされたフォトレジストのレリーフ画像のアンダー
カット又はフーチングを実質的に減少させるか又は消失
さえもさせること（ＳＥＭ検査）も含めて極めて優れた
リトグラフ機能特性を提供し得ることが見出された。Ａ
ＲＣ被覆層を硬化させる間、該グリコウリル化合物の反
応に対し触媒又は促進作用を引き起こすために、本発明
の反射防止組成物は、好ましくは、さらに酸又は酸発生
剤化合物を含有させるのがよい。好ましくは、酸発生化
合物としては、光分解又は熱処理時に酸を発生する酸発
生化合物を使用することがよい。熱による酸発生剤とし
ては、熱処理時に酸を発生する化合物を使用することが
好ましい。２，４，４，６−テトラブロムシクロヘキサ
ジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジル
トシレート及び有機スルホン酸の他のアルキルエステル
等のような種々の公知の熱による酸発生剤を使用するこ
とが好ましい。活性化時にスルホン酸を発生する化合物
が通常好適である。一般的に熱による酸発生剤は、好ま
しくは反射防止組成物の全乾燥成分の約０．５から１５
重量パーセント、より好ましくは全乾燥成分の約２重量
パーセントの濃度で反射防止組成物の中に存在するのが
よい。
キシメチル化グリコウリルのような低塩基度架橋剤が、
上塗りされたフォトレジストのレリーフ画像のアンダー
カット又はフーチングを実質的に減少させるか又は消失
さえもさせること（ＳＥＭ検査）も含めて極めて優れた
リトグラフ機能特性を提供し得ることが見出された。Ａ
ＲＣ被覆層を硬化させる間、該グリコウリル化合物の反
応に対し触媒又は促進作用を引き起こすために、本発明
の反射防止組成物は、好ましくは、さらに酸又は酸発生
剤化合物を含有させるのがよい。好ましくは、酸発生化
合物としては、光分解又は熱処理時に酸を発生する酸発
生化合物を使用することがよい。熱による酸発生剤とし
ては、熱処理時に酸を発生する化合物を使用することが
好ましい。２，４，４，６−テトラブロムシクロヘキサ
ジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジル
トシレート及び有機スルホン酸の他のアルキルエステル
等のような種々の公知の熱による酸発生剤を使用するこ
とが好ましい。活性化時にスルホン酸を発生する化合物
が通常好適である。一般的に熱による酸発生剤は、好ま
しくは反射防止組成物の全乾燥成分の約０．５から１５
重量パーセント、より好ましくは全乾燥成分の約２重量
パーセントの濃度で反射防止組成物の中に存在するのが
よい。
【００２９】光による酸発生剤も反射防止組成物で使用
してもよく、例えばオニウム塩、１，１−ビス［ｐ−ク
ロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエタンのよう
なハロゲン化非イオン系の光による酸発生剤、及びフォ
トレジスト組成物で使用するために本明細書に開示され
ている他の光による酸発生剤等が挙げられる。一般的
に、反射防止組成物の中での光による酸発生剤の適当な
量は、通常反射防止組成物の全乾燥成分の約１から１５
重量パーセントの範囲が好適である。光による酸発生剤
を含む反射防止組成物の場合は、この組成物の被覆層を
光によって酸を発生させるのに効果的な量で活性化照射
光に露光した後、この被覆層を硬化させるのに充分な温
度で露光後（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ）ベーキング
を行う。しかしながら、本発明の通常の好ましい実施態
様では、反射防止組成物は、光による酸発生剤を完全に
又は少なくとも本質的に含まずに（例えば、全乾燥成分
基準で約１重量パーセント未満）、酸又は熱による酸発
生剤を酸の供給源として使用し、露光工程を使用するこ
となく、ＡＲＣを熱的に硬化させる。また、前述のよう
に、酸発生剤よりはむしろ酸をＡＲＣの中へ単に調製す
る場合があり、特に、ＡＲＣの使用前に酸が組成物成分
の望ましくない反応を促進しないように酸の存在で硬化
させるのに加熱を必要とするＡＲＣ類の場合などがあ
る。好適な酸としては、例えば、トルエンスルホン酸、
及びスルホン酸のようなスルホン酸類、トリフリック
（ｔｒｉｆｌｉｃ）酸のような強酸、又はそれらの混合
物等が挙げられる。
してもよく、例えばオニウム塩、１，１−ビス［ｐ−ク
ロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエタンのよう
なハロゲン化非イオン系の光による酸発生剤、及びフォ
トレジスト組成物で使用するために本明細書に開示され
ている他の光による酸発生剤等が挙げられる。一般的
に、反射防止組成物の中での光による酸発生剤の適当な
量は、通常反射防止組成物の全乾燥成分の約１から１５
重量パーセントの範囲が好適である。光による酸発生剤
を含む反射防止組成物の場合は、この組成物の被覆層を
光によって酸を発生させるのに効果的な量で活性化照射
光に露光した後、この被覆層を硬化させるのに充分な温
度で露光後（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ）ベーキング
を行う。しかしながら、本発明の通常の好ましい実施態
様では、反射防止組成物は、光による酸発生剤を完全に
又は少なくとも本質的に含まずに（例えば、全乾燥成分
基準で約１重量パーセント未満）、酸又は熱による酸発
生剤を酸の供給源として使用し、露光工程を使用するこ
となく、ＡＲＣを熱的に硬化させる。また、前述のよう
に、酸発生剤よりはむしろ酸をＡＲＣの中へ単に調製す
る場合があり、特に、ＡＲＣの使用前に酸が組成物成分
の望ましくない反応を促進しないように酸の存在で硬化
させるのに加熱を必要とするＡＲＣ類の場合などがあ
る。好適な酸としては、例えば、トルエンスルホン酸、
及びスルホン酸のようなスルホン酸類、トリフリック
（ｔｒｉｆｌｉｃ）酸のような強酸、又はそれらの混合
物等が挙げられる。
【００３０】本発明の反射防止組成物は、また、上塗り
されたフォトレジスト層を露光するのに使用する照射光
を吸収する追加の染料化合物を含んでもよい。必要に応
じて使用する他の添加剤には、表面平滑化剤が挙げら
れ、例えばユニオンカーバイド社（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒ
ｂｉｄｅ）のシルウェット（Ｓｉｌｗｅｔ）７６０４の
商品名で市販されている平滑化剤、又はスリーエム社
（３Ｍ）から市販されている界面活性剤ＦＣ１７１があ
る。液状コーティング組成物を作るのには、反射防止組
成物の成分を好適な溶媒に溶解させるが、その溶媒とし
ては、例えば酪酸エチル、２−メトキシエチルエーテル
（ジグリム）、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、及びプロピレングルコールモノメチルエーテルのよ
うな少なくとも１種のグリコールエーテル；メトキシブ
タノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノー
ル、及びエトキシプロパノールのようなエーテル成分も
ヒドロキシ成分も持つ溶媒；メチルセロソルブアセター
ト、エチルセロソルブアセタート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセタート、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセタートのようなエステル
類、並びに二塩基酸エステル、炭酸プロピレン及びガン
マーブチロラクトンのような他の溶媒である。溶媒中の
乾燥成分の濃度は、塗布方法のような幾つかの因子によ
って決まる。一般的に、反射防止組成物の固形分は反射
防止組成物の全量の約０．５から２０重量パーセントの
間の値をとり、好ましくは反射防止組成物の全量の約２
から１０重量パーセントまで変化する。
されたフォトレジスト層を露光するのに使用する照射光
を吸収する追加の染料化合物を含んでもよい。必要に応
じて使用する他の添加剤には、表面平滑化剤が挙げら
れ、例えばユニオンカーバイド社（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒ
ｂｉｄｅ）のシルウェット（Ｓｉｌｗｅｔ）７６０４の
商品名で市販されている平滑化剤、又はスリーエム社
（３Ｍ）から市販されている界面活性剤ＦＣ１７１があ
る。液状コーティング組成物を作るのには、反射防止組
成物の成分を好適な溶媒に溶解させるが、その溶媒とし
ては、例えば酪酸エチル、２−メトキシエチルエーテル
（ジグリム）、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、及びプロピレングルコールモノメチルエーテルのよ
うな少なくとも１種のグリコールエーテル；メトキシブ
タノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノー
ル、及びエトキシプロパノールのようなエーテル成分も
ヒドロキシ成分も持つ溶媒；メチルセロソルブアセター
ト、エチルセロソルブアセタート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセタート、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセタートのようなエステル
類、並びに二塩基酸エステル、炭酸プロピレン及びガン
マーブチロラクトンのような他の溶媒である。溶媒中の
乾燥成分の濃度は、塗布方法のような幾つかの因子によ
って決まる。一般的に、反射防止組成物の固形分は反射
防止組成物の全量の約０．５から２０重量パーセントの
間の値をとり、好ましくは反射防止組成物の全量の約２
から１０重量パーセントまで変化する。
【００３１】ポジ型及びネガ型の光による酸発生組成物
を含めて、種々のフォトレジスト組成物が、本発明の反
射防止組成物と共に使用できる。本発明のフォトレジス
トは、一般的に樹脂バインダー及び感光性成分、光によ
る酸発生剤化合物を有する。該フォトレジスト樹脂バイ
ンダーは、画像レジスト組成物に対するアルカリ性水溶
液による現像可能性を付与する官能基を持つのが好まし
い。好ましくは、ヒドロキシ又はカルボキシレートのよ
うな極性官能基を有する樹脂バインダーであって、該樹
脂バインダーはレジストをアルカリ水溶液で現像可能に
する程の充分な量を該レジスト組成物の中で使用され
る。
を含めて、種々のフォトレジスト組成物が、本発明の反
射防止組成物と共に使用できる。本発明のフォトレジス
トは、一般的に樹脂バインダー及び感光性成分、光によ
る酸発生剤化合物を有する。該フォトレジスト樹脂バイ
ンダーは、画像レジスト組成物に対するアルカリ性水溶
液による現像可能性を付与する官能基を持つのが好まし
い。好ましくは、ヒドロキシ又はカルボキシレートのよ
うな極性官能基を有する樹脂バインダーであって、該樹
脂バインダーはレジストをアルカリ水溶液で現像可能に
する程の充分な量を該レジスト組成物の中で使用され
る。
【００３２】通常好ましいレジスト樹脂バインダーは、
ノボラック樹脂として当業者には公知のフェノールアル
デヒド縮合物、アルケニルフェノールのホモポリマー又
はコポリマー、並びにＮ−ヒドロキシフェニル−マレイ
ミドのホモポリマー及びコポリマーを含めたフェノール
樹脂である。ノボラック樹脂を形成するためにアルデヒ
ド、特にホルムアルデヒドとの縮合に好適なフェノール
類の例としては、フェノール；ｍ−クレゾール；ｏ−ク
レゾール；ｐ−クレゾール；２，４−キシレノール；
２，５−キシレノール；３，４−キシレノール；３，５
−キシレノール；チモール、及びそれらの混合物が挙げ
られる。酸触媒型縮合反応によって、分子量（Ｍｗ）で
約５００から１００，０００ダルトンまで変えることが
でき、好適なノボラックが形成される。ポリ（ビニルフ
ェノール）は、例えば米国特許第４，４３９，５１６号
に開示されているような方法で調製してよい。好ましい
樹脂バインダー及びその調製法も米国特許第５，１２
８，２３０号に開示されている。
ノボラック樹脂として当業者には公知のフェノールアル
デヒド縮合物、アルケニルフェノールのホモポリマー又
はコポリマー、並びにＮ−ヒドロキシフェニル−マレイ
ミドのホモポリマー及びコポリマーを含めたフェノール
樹脂である。ノボラック樹脂を形成するためにアルデヒ
ド、特にホルムアルデヒドとの縮合に好適なフェノール
類の例としては、フェノール；ｍ−クレゾール；ｏ−ク
レゾール；ｐ−クレゾール；２，４−キシレノール；
２，５−キシレノール；３，４−キシレノール；３，５
−キシレノール；チモール、及びそれらの混合物が挙げ
られる。酸触媒型縮合反応によって、分子量（Ｍｗ）で
約５００から１００，０００ダルトンまで変えることが
でき、好適なノボラックが形成される。ポリ（ビニルフ
ェノール）は、例えば米国特許第４，４３９，５１６号
に開示されているような方法で調製してよい。好ましい
樹脂バインダー及びその調製法も米国特許第５，１２
８，２３０号に開示されている。
【００３３】ポリ（ビニルフェノール）は触媒の存在下
で、対応するモノマーのブロック重合、乳化重合又は溶
液重合によって生成されてよい。ポリビニルフェノール
の製造に有用なビニルフェノール類は、例えば市販され
ているクマリン又は置換型クマリンを加水分解した後、
生成するヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸することにより調
製してよい。さらに、有用なビニルフェノール類は、対
応するヒドロキシアルキルフェノールの脱水又は置換型
もしくは非置換型ヒドロキシベンズアルデヒドをマロン
酸と反応させて生成するヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸に
よっても調製されてよい。これらのビニルフェノール類
から調製された好ましいポリビニルフェノール樹脂は、
約２，０００から約６０，０００ダルトンまでの分子量
（Ｍｗ）範囲を持つ。
で、対応するモノマーのブロック重合、乳化重合又は溶
液重合によって生成されてよい。ポリビニルフェノール
の製造に有用なビニルフェノール類は、例えば市販され
ているクマリン又は置換型クマリンを加水分解した後、
生成するヒドロキシケイ皮酸を脱炭酸することにより調
製してよい。さらに、有用なビニルフェノール類は、対
応するヒドロキシアルキルフェノールの脱水又は置換型
もしくは非置換型ヒドロキシベンズアルデヒドをマロン
酸と反応させて生成するヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸に
よっても調製されてよい。これらのビニルフェノール類
から調製された好ましいポリビニルフェノール樹脂は、
約２，０００から約６０，０００ダルトンまでの分子量
（Ｍｗ）範囲を持つ。
【００３４】フェノールと、非芳香族環式アルコール単
位を含むコポリマーも、本発明のレジスト用として好ま
しい樹脂バインダーであり、ノボラック又はポリ（ビニ
ルフェノール）樹脂の部分水素添加によって好適に調製
してよい。フォトレジスト組成物の中のこのようなコポ
リマー及びその使用法は、サッカレー（Ｔｈａｃｋｅｒ
ａｙ ｅｔａｌ．）の米国特許第５，１２８，２３２号
に開示されている。更に好ましい樹脂バインダーとして
は、ビスヒドロキシメチル化化合物、及びブロック型ノ
ボラック樹脂から形成される樹脂が挙げられる。フォト
レジスト組成物の中におけるこれらの樹脂及びそれらの
使用法は米国特許第５，１３０，４１０号及び米国特許
第５，１２８，２３０号に開示されている。加えて、フ
ォトレジスト組成物のリトグラフィ特性を更に制御する
ため、同類又は異なる化合物の２種以上の樹脂バインダ
ーを配合又は一緒に組み合わせることができる。例え
ば、樹脂の配合物を使用すると、光速度（ｐｈｏｔｏｓ
ｐｅｅｄ）及び熱特性を調節でき、また現像液中のレジ
ストの溶解挙動を制御できる。
位を含むコポリマーも、本発明のレジスト用として好ま
しい樹脂バインダーであり、ノボラック又はポリ（ビニ
ルフェノール）樹脂の部分水素添加によって好適に調製
してよい。フォトレジスト組成物の中のこのようなコポ
リマー及びその使用法は、サッカレー（Ｔｈａｃｋｅｒ
ａｙ ｅｔａｌ．）の米国特許第５，１２８，２３２号
に開示されている。更に好ましい樹脂バインダーとして
は、ビスヒドロキシメチル化化合物、及びブロック型ノ
ボラック樹脂から形成される樹脂が挙げられる。フォト
レジスト組成物の中におけるこれらの樹脂及びそれらの
使用法は米国特許第５，１３０，４１０号及び米国特許
第５，１２８，２３０号に開示されている。加えて、フ
ォトレジスト組成物のリトグラフィ特性を更に制御する
ため、同類又は異なる化合物の２種以上の樹脂バインダ
ーを配合又は一緒に組み合わせることができる。例え
ば、樹脂の配合物を使用すると、光速度（ｐｈｏｔｏｓ
ｐｅｅｄ）及び熱特性を調節でき、また現像液中のレジ
ストの溶解挙動を制御できる。
【００３５】本発明のＡＲＣ類と共に使用するフォトレ
ジストの１つの好適な部類としては“従来型”ポジ型レ
ジストであって、このレジストは、光による酸発生剤、
及びノボラックもしくはポリ（ビニルフェノール）又は
それらの部分水素添加誘導体のような樹脂バインダー成
分を有しており、感光性成分が溶解速度禁止剤として作
用する。該レジストの被覆層の感光性化は、結果として
感光性成分から酸性物質へ変化させ、（非活性型）感光
性成分だけを含む領域よりもこの酸性光生成物を含む被
覆層の領域が現像液のアルカリ性水溶液に比較的よく溶
けるようにする。これらのポジ型レジストの中で一般的
に使用される感光性成分は、２，１，４−ジアゾナフト
キノンスルホン酸エステル及び２，１，５−ジアゾナフ
トキノンスルホン酸エステルのようなキノンジアジド類
である。
ジストの１つの好適な部類としては“従来型”ポジ型レ
ジストであって、このレジストは、光による酸発生剤、
及びノボラックもしくはポリ（ビニルフェノール）又は
それらの部分水素添加誘導体のような樹脂バインダー成
分を有しており、感光性成分が溶解速度禁止剤として作
用する。該レジストの被覆層の感光性化は、結果として
感光性成分から酸性物質へ変化させ、（非活性型）感光
性成分だけを含む領域よりもこの酸性光生成物を含む被
覆層の領域が現像液のアルカリ性水溶液に比較的よく溶
けるようにする。これらのポジ型レジストの中で一般的
に使用される感光性成分は、２，１，４−ジアゾナフト
キノンスルホン酸エステル及び２，１，５−ジアゾナフ
トキノンスルホン酸エステルのようなキノンジアジド類
である。
【００３６】本発明の特に好ましい態様では、本発明の
ＡＲＣ類を化学的に増幅されたポジ型レジスト組成物と
共に使用する。そのようなレジスト組成物の多くが、例
えば、米国特許第４，９６８，５８１号；第４，８８
３，７４０号；第４，８１０，６１３号；及び第４，４
９１，６２８号；に記載されていて、化学的に増幅され
たポジ型レジストの調整法及び使用について開示してい
る。本発明のＡＲＣと共に使用するための特に好ましい
化学増幅型フォトレジストは、光による酸発生剤と樹脂
バインダーの混合物を有し、該樹脂バインダーはフェノ
ール単位も非フェノール単位も含むコポリマーを有す
る。例えば、そのようなコポリマーの１つの好ましい部
類は、そのコポリマーの非フェノール単位にのみ実質的
に、本質的に又は完全に酸に不安定な基を持っている。
１つの特に好ましいコポリマー樹脂バインダーは、次式
で表される繰り返し単位ｘとｙを持っている。
ＡＲＣ類を化学的に増幅されたポジ型レジスト組成物と
共に使用する。そのようなレジスト組成物の多くが、例
えば、米国特許第４，９６８，５８１号；第４，８８
３，７４０号；第４，８１０，６１３号；及び第４，４
９１，６２８号；に記載されていて、化学的に増幅され
たポジ型レジストの調整法及び使用について開示してい
る。本発明のＡＲＣと共に使用するための特に好ましい
化学増幅型フォトレジストは、光による酸発生剤と樹脂
バインダーの混合物を有し、該樹脂バインダーはフェノ
ール単位も非フェノール単位も含むコポリマーを有す
る。例えば、そのようなコポリマーの１つの好ましい部
類は、そのコポリマーの非フェノール単位にのみ実質的
に、本質的に又は完全に酸に不安定な基を持っている。
１つの特に好ましいコポリマー樹脂バインダーは、次式
で表される繰り返し単位ｘとｙを持っている。
【００３７】
【化９】
【００３８】（式中、ヒドロキシル基は、コポリマー全
体にわたってオルト、メタ又はパラ位のいずれにも存在
し、そして、Ｒ’は１個ないし約１８個の炭素原子、さ
らに代表的には１個から約６ないし８個の炭素原子を持
つ置換型もしくは非置換型アルキルである。ｔｅｒｔ−
ブチルが通常好ましいＲ’基である。Ｒ’基を必要に応
じて、例えば１個以上のハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又はＢ
ｒ）、Ｃ１−８アルコキシ、Ｃ２−８アルケニル等によ
って置換してよい。該単位ｘ及びｙはこのポリマーの中
で規則的に交互でもよいし、或いはポリマー全体にラン
ダムに散在していてもよい。）
体にわたってオルト、メタ又はパラ位のいずれにも存在
し、そして、Ｒ’は１個ないし約１８個の炭素原子、さ
らに代表的には１個から約６ないし８個の炭素原子を持
つ置換型もしくは非置換型アルキルである。ｔｅｒｔ−
ブチルが通常好ましいＲ’基である。Ｒ’基を必要に応
じて、例えば１個以上のハロゲン（特にＦ、Ｃｌ又はＢ
ｒ）、Ｃ１−８アルコキシ、Ｃ２−８アルケニル等によ
って置換してよい。該単位ｘ及びｙはこのポリマーの中
で規則的に交互でもよいし、或いはポリマー全体にラン
ダムに散在していてもよい。）
【００３９】このようなコポリマーは、容易に作ること
ができる。例えば、前式の樹脂の場合、ビニルフェノー
ルと、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート等のような置換型
もしくは非置換型アルキルアクリレートとを、当業者に
は公知のフリーラジカル条件下で縮合できる。該置換型
エステル成分、即ちＲ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、該アクリ
レート単位の成分は該樹脂の酸に不安定な基として作用
して、該樹脂を含むフォトレジストの被覆層を露光する
と、光による酸誘発型の開裂（）が起こる。該コポリマ
ーは、好ましくは約８，０００から約５０，０００のＭ
ｗ、より好ましくは約１５，０００から約３０，０００
のＭｗを有し、約３以下、より好ましくは約２以下の分
子量分布を有する。非フェノール系樹脂、例えばｔｅｒ
ｔ−ブチルアクリレート、又はｔｅｒｔ−ブチルメタク
リレートのようなアルキルアクリレートと、ビニルノル
ボルニル又はビニルシクロヘキサノール化合物のような
ビニル脂環式とのコポリマーも、本発明の組成物の樹脂
バインダーとして使用してよい。このようなコポリマー
は、また、前記フリーラジカル重合又は別の公知の手順
で調製してもよく、約８，０００から約５０，０００の
Ｍｗ、及び約３以下の分子量分布を持つのが好適であろ
う。化学増幅型の更に好ましいポジ型レジストは、シン
タ（Ｓｉｎｔａ ｅｔ ａｌ．）等の米国特許第５，２
５８，２５７号に開示されている。
ができる。例えば、前式の樹脂の場合、ビニルフェノー
ルと、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート等のような置換型
もしくは非置換型アルキルアクリレートとを、当業者に
は公知のフリーラジカル条件下で縮合できる。該置換型
エステル成分、即ちＲ’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、該アクリ
レート単位の成分は該樹脂の酸に不安定な基として作用
して、該樹脂を含むフォトレジストの被覆層を露光する
と、光による酸誘発型の開裂（）が起こる。該コポリマ
ーは、好ましくは約８，０００から約５０，０００のＭ
ｗ、より好ましくは約１５，０００から約３０，０００
のＭｗを有し、約３以下、より好ましくは約２以下の分
子量分布を有する。非フェノール系樹脂、例えばｔｅｒ
ｔ−ブチルアクリレート、又はｔｅｒｔ−ブチルメタク
リレートのようなアルキルアクリレートと、ビニルノル
ボルニル又はビニルシクロヘキサノール化合物のような
ビニル脂環式とのコポリマーも、本発明の組成物の樹脂
バインダーとして使用してよい。このようなコポリマー
は、また、前記フリーラジカル重合又は別の公知の手順
で調製してもよく、約８，０００から約５０，０００の
Ｍｗ、及び約３以下の分子量分布を持つのが好適であろ
う。化学増幅型の更に好ましいポジ型レジストは、シン
タ（Ｓｉｎｔａ ｅｔ ａｌ．）等の米国特許第５，２
５８，２５７号に開示されている。
【００４０】本発明のＡＲＣと共に使用するための好ま
しいネガ型レジスト組成物としては、酸に曝されると、
硬化、架橋又は固化する物質と、光による酸発生剤との
混合物を有する。特に好ましいネガ型レジスト組成物と
しては、本発明の、フェノール樹脂のような樹脂バイン
ダー、架橋剤成分及び感光性組成物を有する。このよう
な組成物及びその使用法は、サッカレー（Ｔｈａｃｋｅ
ｒａｙ ｅｔ ａｌ．）等のヨーロッパ特許出願第０１
６４２４８号及び第０２３２９７２号及び米国特許第
５，１２８，２３２号に開示されている。樹脂バインダ
ー成分として使用するのに好ましいフェノール樹脂に
は、前述のようなノボラックとポリ（ビニルフェノー
ル）類が挙げられる。好ましい架橋剤としては、メラミ
ン、グリコウリル、ベンゾグアナミン基物質及び尿素基
物質を含めて、アミン基物質等が挙げられる。メラミン
−ホルムアルデヒド樹脂が通常最も好ましい。このよう
な架槁剤には、例えばシメル（Ｃｙｍｅｌ）３００、３
０１、及び３０３の商品名でアメリカンシアナミド社
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）から
発売されているメラミン樹脂を市販品として購入でき
る。グリコウリル樹脂は、シメル（Ｃｙｍｅｌ）１１７
０、１１７１、１１７２、パウダーリンク（Ｐｏｗｄｅ
ｒｌｉｎｋ）１１７４の商品名でアメリカンシアナミド
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）から
発売され、尿素基樹脂は、ビートル（Ｂｅｅｔｌｅ）６
０、６５及び８０の商品名で発売され、そしてベンゾグ
アナミン樹脂はシメル（Ｃｙｍｅｌ）１１２３及び１１
２５の商品名で発売されている。
しいネガ型レジスト組成物としては、酸に曝されると、
硬化、架橋又は固化する物質と、光による酸発生剤との
混合物を有する。特に好ましいネガ型レジスト組成物と
しては、本発明の、フェノール樹脂のような樹脂バイン
ダー、架橋剤成分及び感光性組成物を有する。このよう
な組成物及びその使用法は、サッカレー（Ｔｈａｃｋｅ
ｒａｙ ｅｔ ａｌ．）等のヨーロッパ特許出願第０１
６４２４８号及び第０２３２９７２号及び米国特許第
５，１２８，２３２号に開示されている。樹脂バインダ
ー成分として使用するのに好ましいフェノール樹脂に
は、前述のようなノボラックとポリ（ビニルフェノー
ル）類が挙げられる。好ましい架橋剤としては、メラミ
ン、グリコウリル、ベンゾグアナミン基物質及び尿素基
物質を含めて、アミン基物質等が挙げられる。メラミン
−ホルムアルデヒド樹脂が通常最も好ましい。このよう
な架槁剤には、例えばシメル（Ｃｙｍｅｌ）３００、３
０１、及び３０３の商品名でアメリカンシアナミド社
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）から
発売されているメラミン樹脂を市販品として購入でき
る。グリコウリル樹脂は、シメル（Ｃｙｍｅｌ）１１７
０、１１７１、１１７２、パウダーリンク（Ｐｏｗｄｅ
ｒｌｉｎｋ）１１７４の商品名でアメリカンシアナミド
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｙａｎａｍｉｄ Ｃｏ．）から
発売され、尿素基樹脂は、ビートル（Ｂｅｅｔｌｅ）６
０、６５及び８０の商品名で発売され、そしてベンゾグ
アナミン樹脂はシメル（Ｃｙｍｅｌ）１１２３及び１１
２５の商品名で発売されている。
【００４１】本発明のＡＲＣ類と共に使用される好適な
レジストの光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄｇｅｎｅｒ
ａｔｏｒ）化合物としては、米国特許第４，４４２，１
９７号、第４，６０３，１０１号及び第４，６２４，９
１２号に開示されているようなオニウム塩；及びサッカ
レー等（Ｔｈａｃｋｅｒａｙ ｅｔ ａｌ）の米国特許
第５，１２８，２３２号に開示されているハロゲン化感
光性化合物のような非イオン系有機感光性化合物、並び
にスルホン化エステル及びスルホニルオキシケトンを含
めたスルホン酸の光による酸発生剤等が挙げられる。ベ
ンゾイントシレート、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアルフ
ァ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセタート及
びｔｅｒｔ−ブチルアルファ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−アセタートを含む好適なスルホナートＰＡ
ＧＳの開示については、「ジャーナル オブ フォトポ
リマー サイエンス アンド テクノロジー」（Ｊ．ｏ
ｆＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ４（３）：３３７−３４０，１
９９１）を参照されたい。好ましいスルホナートＰＡＧ
類はシンタ（Ｓｉｎｔａ ｅｔ ａｌ）の米国特許第
５，３４４，７４２号にも開示されている。
レジストの光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄｇｅｎｅｒ
ａｔｏｒ）化合物としては、米国特許第４，４４２，１
９７号、第４，６０３，１０１号及び第４，６２４，９
１２号に開示されているようなオニウム塩；及びサッカ
レー等（Ｔｈａｃｋｅｒａｙ ｅｔ ａｌ）の米国特許
第５，１２８，２３２号に開示されているハロゲン化感
光性化合物のような非イオン系有機感光性化合物、並び
にスルホン化エステル及びスルホニルオキシケトンを含
めたスルホン酸の光による酸発生剤等が挙げられる。ベ
ンゾイントシレート、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアルフ
ァ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセタート及
びｔｅｒｔ−ブチルアルファ−（ｐ−トルエンスルホニ
ルオキシ）−アセタートを含む好適なスルホナートＰＡ
ＧＳの開示については、「ジャーナル オブ フォトポ
リマー サイエンス アンド テクノロジー」（Ｊ．ｏ
ｆＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ４（３）：３３７−３４０，１
９９１）を参照されたい。好ましいスルホナートＰＡＧ
類はシンタ（Ｓｉｎｔａ ｅｔ ａｌ）の米国特許第
５，３４４，７４２号にも開示されている。
【００４２】本発明のＡＲＣと共に使用するフォトレジ
ストは、また、他の物質をも含むことができる。例え
ば、必要に応じた他の添加剤として光化学作用（ａｃｔ
ｉｎｉｃ）を持つ染料及びコントラスト向上用染料、条
線防止剤、可塑剤、増速剤等が挙げられる。例えば、レ
ジスト染料乾燥成分の全重量の５〜３０重量パーセント
の量のような比較的高濃度で存在することがある充填剤
や染料を除いて、このような必要に応じた添加剤はフォ
トレジスト組成物の低濃度で存在するのが普通である。
好適なグリコウリルのような低塩基度架橋剤を含む本発
明のＡＲＣ類は、トリフリック酸、スルホン酸ショウノ
ウもしくは他のスルホン酸、又は約２以下のｐＫａ（２
５℃）を持つ他の酸のような強酸光生成物を露光時に発
生するフォトレジストと用いると特に有用である。理論
に縛られることなく、より塩基性の架橋剤を含む同類の
ＡＲＣと比べ、レジストから移動してＡＲＣ層の中に残
る光発生型強酸はかなり少ないことから、本発明のＡＲ
Ｃ類は、そのような強酸レジストと共に用いると特に有
効であると考えられる。即ち、本発明の低塩基度架橋剤
は、より塩基性のＡＲＣ架橋剤ほどではないが、上塗り
されたレジスト層の光発生型強酸と結合する。この結
果、レジスト層からの酸の消失は減り、フーチングのよ
うな解像度上の問題は減少する。
ストは、また、他の物質をも含むことができる。例え
ば、必要に応じた他の添加剤として光化学作用（ａｃｔ
ｉｎｉｃ）を持つ染料及びコントラスト向上用染料、条
線防止剤、可塑剤、増速剤等が挙げられる。例えば、レ
ジスト染料乾燥成分の全重量の５〜３０重量パーセント
の量のような比較的高濃度で存在することがある充填剤
や染料を除いて、このような必要に応じた添加剤はフォ
トレジスト組成物の低濃度で存在するのが普通である。
好適なグリコウリルのような低塩基度架橋剤を含む本発
明のＡＲＣ類は、トリフリック酸、スルホン酸ショウノ
ウもしくは他のスルホン酸、又は約２以下のｐＫａ（２
５℃）を持つ他の酸のような強酸光生成物を露光時に発
生するフォトレジストと用いると特に有用である。理論
に縛られることなく、より塩基性の架橋剤を含む同類の
ＡＲＣと比べ、レジストから移動してＡＲＣ層の中に残
る光発生型強酸はかなり少ないことから、本発明のＡＲ
Ｃ類は、そのような強酸レジストと共に用いると特に有
効であると考えられる。即ち、本発明の低塩基度架橋剤
は、より塩基性のＡＲＣ架橋剤ほどではないが、上塗り
されたレジスト層の光発生型強酸と結合する。この結
果、レジスト層からの酸の消失は減り、フーチングのよ
うな解像度上の問題は減少する。
【００４３】使用にあたっては、本発明の反射防止組成
物は、スピンコーチングのような種々の方法のいずれか
によって基板へ塗布層として塗布される。反射防止組成
物は、通常約０．０２と０．５μｍの間の乾燥層の厚
さ、好ましくは約０．０４と０．２０μｍの間の乾燥層
の厚さで基板に塗布される。該基板は、フォトレジスト
を関連するプロセスにおいて従来から使用されているい
ずれの基板でも好適である。例えば、該基板としては、
シリコン、二酸化シリコン、又はアルミニウム−酸化ア
ルミニウムのマイクロ電子ウエハー等が可能である。ヒ
化ガリウム、セラミック、石英、又は銅基板も使用して
よい。液晶ディスプレー、又は、例えば、ガラス基板、
インジウム酸化錫コーティング基板等の他の平板パネル
ディスプレー用に使用される基板も好ましく使用され
る。
物は、スピンコーチングのような種々の方法のいずれか
によって基板へ塗布層として塗布される。反射防止組成
物は、通常約０．０２と０．５μｍの間の乾燥層の厚
さ、好ましくは約０．０４と０．２０μｍの間の乾燥層
の厚さで基板に塗布される。該基板は、フォトレジスト
を関連するプロセスにおいて従来から使用されているい
ずれの基板でも好適である。例えば、該基板としては、
シリコン、二酸化シリコン、又はアルミニウム−酸化ア
ルミニウムのマイクロ電子ウエハー等が可能である。ヒ
化ガリウム、セラミック、石英、又は銅基板も使用して
よい。液晶ディスプレー、又は、例えば、ガラス基板、
インジウム酸化錫コーティング基板等の他の平板パネル
ディスプレー用に使用される基板も好ましく使用され
る。
【００４４】好ましくはフォトレジスト組成物がＡＲＣ
上に塗布される前に反射防止性層を硬化するのがよい。
硬化条件は、ＡＲＣの組成物によって変化する。従っ
て、この組成物が酸又は酸発生剤を含まない場合は、硬
化温度及び条件は、酸又は酸発生剤化合物を含む組成物
の場合よりも厳しい。代表的な硬化条件は約１２０℃〜
２２５℃、約０．５ないし４０分間である。硬化条件と
しては、ＡＲＣ被覆層を、フォトレジスト溶媒だけでな
くアルカリ性現像水溶液にも実質的に不溶にさせるのが
好ましい。更に、前述のように、ＡＲＣが光による酸発
生剤を含む場合、この組成物被覆層は、活性化照射の有
効量にこの被覆層を露光することによって、少なくとも
部分的には、硬化させ（例えば、約１０ないし３００ｍ
Ｊ／ｃｍ２）、次いで５０〜２２５℃で後露光ベーキン
グ（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅｂａｋｅ）をする。こ
のような硬化の後に、フォトレジストをＡＲＣの表面に
塗布する。ＡＲＣの塗布と同様に、回転、浸漬、メニス
カス（ｍｅｎｉｓｃｕｓ）又はロール塗布によるような
通常のいずれの手段によってもフォトレジストを塗布で
きる。塗布の後は、一般的にフォトレジスト被覆層を加
熱によって乾燥して、好ましくはレジスト層が不粘着性
になるまで溶媒を除去する。最も好ましくは、ＡＲＣ層
とフォトレジスト層が本質的に混じり合わないようにす
るべきである。
上に塗布される前に反射防止性層を硬化するのがよい。
硬化条件は、ＡＲＣの組成物によって変化する。従っ
て、この組成物が酸又は酸発生剤を含まない場合は、硬
化温度及び条件は、酸又は酸発生剤化合物を含む組成物
の場合よりも厳しい。代表的な硬化条件は約１２０℃〜
２２５℃、約０．５ないし４０分間である。硬化条件と
しては、ＡＲＣ被覆層を、フォトレジスト溶媒だけでな
くアルカリ性現像水溶液にも実質的に不溶にさせるのが
好ましい。更に、前述のように、ＡＲＣが光による酸発
生剤を含む場合、この組成物被覆層は、活性化照射の有
効量にこの被覆層を露光することによって、少なくとも
部分的には、硬化させ（例えば、約１０ないし３００ｍ
Ｊ／ｃｍ２）、次いで５０〜２２５℃で後露光ベーキン
グ（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅｂａｋｅ）をする。こ
のような硬化の後に、フォトレジストをＡＲＣの表面に
塗布する。ＡＲＣの塗布と同様に、回転、浸漬、メニス
カス（ｍｅｎｉｓｃｕｓ）又はロール塗布によるような
通常のいずれの手段によってもフォトレジストを塗布で
きる。塗布の後は、一般的にフォトレジスト被覆層を加
熱によって乾燥して、好ましくはレジスト層が不粘着性
になるまで溶媒を除去する。最も好ましくは、ＡＲＣ層
とフォトレジスト層が本質的に混じり合わないようにす
るべきである。
【００４５】次に、従来の方法で、マスクを通して活性
化照射でレジスト層をイメージングする。レジスト系の
感光性成分を効果的に活性化するために充分な露光エネ
ルギーによって、レジスト被覆層にパターン化された画
像が作製される。より詳しくは、該露光エネルギーは、
露光機器によるが、一般的に約３から３００ｍＪ／ｃｍ
２の範囲である。被覆層の露光された領域と露光されな
い領域の間の溶解度の差を作り出すためには、即ちその
差を明確にするためには、露光されたレジスト層に後露
光ベーキングを施してもよい。例えば、ネガ型の酸硬化
型フォトレジストは酸促進型架槁反応を行うために一般
的に露光後、加熱を必要とし、一方、多くの化学増幅型
ポジ型レジストは酸促進型非保護反応を行うために露光
後の加熱を必要とする。一般的に、露光後のベーキング
条件としては、約５０℃以上の温度、より詳しくは約５
０℃〜１６０℃の範囲の温度が挙げられる。
化照射でレジスト層をイメージングする。レジスト系の
感光性成分を効果的に活性化するために充分な露光エネ
ルギーによって、レジスト被覆層にパターン化された画
像が作製される。より詳しくは、該露光エネルギーは、
露光機器によるが、一般的に約３から３００ｍＪ／ｃｍ
２の範囲である。被覆層の露光された領域と露光されな
い領域の間の溶解度の差を作り出すためには、即ちその
差を明確にするためには、露光されたレジスト層に後露
光ベーキングを施してもよい。例えば、ネガ型の酸硬化
型フォトレジストは酸促進型架槁反応を行うために一般
的に露光後、加熱を必要とし、一方、多くの化学増幅型
ポジ型レジストは酸促進型非保護反応を行うために露光
後の加熱を必要とする。一般的に、露光後のベーキング
条件としては、約５０℃以上の温度、より詳しくは約５
０℃〜１６０℃の範囲の温度が挙げられる。
【００４６】次いで、露光されたレジスト被覆層は現像
されるが、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等を例とする無機アルカリのような水
性現像液を用いるのが好ましい。別の方法として、有機
現像液を使用できる。一般的に、現像は当業者によく知
られている方法による。現像に続き、現像した露光被覆
層領域を更に硬化させるために、しばしば酸硬化型フォ
トレジストの最終ベーキングが約１００〜１５０℃まで
の温度で数分間行われる。次に、現像された基板はフォ
トレジストの露出された基板領域に、選択的加工、例え
ば当業者に公知の手順に従って、フォトレジストの露出
された基板領域を化学的エッチング又はメッキをするこ
とができる。好適なエッチング剤としては、フッ化水素
酸エッチング溶液、及び酸素プラズマエッチング剤のよ
うなプラズマガスエッチング剤が挙げられる。プラズマ
ガスエッチング剤は架橋されたハレーション防止被覆層
を除去する。以下の非限定的な実施例は本発明を説明す
るためのものであり、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
されるが、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウ
ム、アンモニア水等を例とする無機アルカリのような水
性現像液を用いるのが好ましい。別の方法として、有機
現像液を使用できる。一般的に、現像は当業者によく知
られている方法による。現像に続き、現像した露光被覆
層領域を更に硬化させるために、しばしば酸硬化型フォ
トレジストの最終ベーキングが約１００〜１５０℃まで
の温度で数分間行われる。次に、現像された基板はフォ
トレジストの露出された基板領域に、選択的加工、例え
ば当業者に公知の手順に従って、フォトレジストの露出
された基板領域を化学的エッチング又はメッキをするこ
とができる。好適なエッチング剤としては、フッ化水素
酸エッチング溶液、及び酸素プラズマエッチング剤のよ
うなプラズマガスエッチング剤が挙げられる。プラズマ
ガスエッチング剤は架橋されたハレーション防止被覆層
を除去する。以下の非限定的な実施例は本発明を説明す
るためのものであり、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
【００４７】
【実施例】実施例１〜６ ：好ましいＡＲＣ樹脂バインダーの調製 １．発色団を含むモノマーの調製 Ａ．クロロキシンメタクリレートの調製 磁気式撹はん機及び窒素導入口付きの５００ｍｌ丸底フ
ラスコに、５，７−ジクロロ−８−ヒドロキシキノリン
（クロロキシン）５．０ｇ（０．０２３４モル）、メタ
クリル酸２．０１（０．０２３４モル）、塩化メチレン
５００ｍｌ、４−ジメチルアミノ−ピリジン（ＤＭＡ
Ｐ）１．４３ｇ（０．５当量）、及び１−（３−ジメチ
ルアミノプロピル）−３−エチルカルボイミド（ＥＤＣ
Ｉ）６．７２ｇを装入した。この反応混合物を窒素雰囲
気下で２５℃で１２時間、撹はんした。この生成物をカ
ラムクロマトグラフィ（塩化メチレン）で精製すると、
淡黄色固体を得た（収率６７％）。 Ｂ． メチルアントラセンメタクリレートの調製 メチルアントラセンメタクリレート（ＣＨ３Ｃ（＝ＣＨ
２）ＣＯ２ＣＨ２−９−アントラセン）を、「マクロモ
レキュールズ」（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１７
（２）：２３５１９８４）に開示されている方法で調製
した。
ラスコに、５，７−ジクロロ−８−ヒドロキシキノリン
（クロロキシン）５．０ｇ（０．０２３４モル）、メタ
クリル酸２．０１（０．０２３４モル）、塩化メチレン
５００ｍｌ、４−ジメチルアミノ−ピリジン（ＤＭＡ
Ｐ）１．４３ｇ（０．５当量）、及び１−（３−ジメチ
ルアミノプロピル）−３−エチルカルボイミド（ＥＤＣ
Ｉ）６．７２ｇを装入した。この反応混合物を窒素雰囲
気下で２５℃で１２時間、撹はんした。この生成物をカ
ラムクロマトグラフィ（塩化メチレン）で精製すると、
淡黄色固体を得た（収率６７％）。 Ｂ． メチルアントラセンメタクリレートの調製 メチルアントラセンメタクリレート（ＣＨ３Ｃ（＝ＣＨ
２）ＣＯ２ＣＨ２−９−アントラセン）を、「マクロモ
レキュールズ」（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１７
（２）：２３５１９８４）に開示されている方法で調製
した。
【００４８】２．樹脂の調製 ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）／メチル
アントラセンメタクリレート（ＡＮＴＭＡ）コポリマー
（前記式ＩＩ）を次のように調製した。磁気式撹はん
機、凝縮器、窒素導入及び真空接続口付きの３００ｍｌ
の３Ｎの丸底フラスコに、ＨＥＭＡ（蒸留による精製済
み）１６．０ｇ（０．１２２９モル）、メチルアントラ
センメタクリレート８．４９ｇ（０．０３０７モル）、
ＡＩＢＮ ０．２４４９ｇ（１重量％）、及びＴＨＦ１
８０ｍｌを装入した。窒素でパージしながら、反応フラ
スコを液体窒素の中で急冷した。この反応フラスコの内
容物が凍結すると、反応フラスコを真空にした後、窒素
でパージした（３回）。この反応混合物を還流下で１８
時間撹はんした。淡黄色ポリマーを３０００ｍｌのエー
テルの中で沈澱させて、濾過した後、真空下で５０℃で
乾燥すると、−ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ
２ＯＨ）−単位が８１モルパーセント及び−ＣＨ２Ｃ
（ＣＨ３）（ＣＯ２ＣＨ２−９−アントラセン）単位が
１９モルパーセントで、Ｍｎが２２９５、Ｍｗが１９１
５０及びＴｇが１０１℃のＨＥＭＡ／ＡＮＴＭＡコポリ
マーを得た（収率８６％）。追加のＨＥＭＡ／ＡＮＴＭ
Ａコポリマー、及び、ＨＥＭＡ／クロロキシンメタクリ
レートコポリマー（実施例２−６の樹脂）を、ＨＥＭＡ
／クロロキシンメタクリレートコポリマーの調製の場合
には、メチルアントラセンメタクリレートをクロロキシ
ンメタクリレートに置き換えて同様な手順で調製した。
アントラセンメタクリレート（ＡＮＴＭＡ）コポリマー
（前記式ＩＩ）を次のように調製した。磁気式撹はん
機、凝縮器、窒素導入及び真空接続口付きの３００ｍｌ
の３Ｎの丸底フラスコに、ＨＥＭＡ（蒸留による精製済
み）１６．０ｇ（０．１２２９モル）、メチルアントラ
センメタクリレート８．４９ｇ（０．０３０７モル）、
ＡＩＢＮ ０．２４４９ｇ（１重量％）、及びＴＨＦ１
８０ｍｌを装入した。窒素でパージしながら、反応フラ
スコを液体窒素の中で急冷した。この反応フラスコの内
容物が凍結すると、反応フラスコを真空にした後、窒素
でパージした（３回）。この反応混合物を還流下で１８
時間撹はんした。淡黄色ポリマーを３０００ｍｌのエー
テルの中で沈澱させて、濾過した後、真空下で５０℃で
乾燥すると、−ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＣＯ２ＣＨ２ＣＨ
２ＯＨ）−単位が８１モルパーセント及び−ＣＨ２Ｃ
（ＣＨ３）（ＣＯ２ＣＨ２−９−アントラセン）単位が
１９モルパーセントで、Ｍｎが２２９５、Ｍｗが１９１
５０及びＴｇが１０１℃のＨＥＭＡ／ＡＮＴＭＡコポリ
マーを得た（収率８６％）。追加のＨＥＭＡ／ＡＮＴＭ
Ａコポリマー、及び、ＨＥＭＡ／クロロキシンメタクリ
レートコポリマー（実施例２−６の樹脂）を、ＨＥＭＡ
／クロロキシンメタクリレートコポリマーの調製の場合
には、メチルアントラセンメタクリレートをクロロキシ
ンメタクリレートに置き換えて同様な手順で調製した。
【００４９】実施例７〜１４は、本発明のＡＲＣ類の調
製及び使用法に関する。実施例７ 本発明の好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合
することにより調製した。成分の量は液状反射防止被覆
組成物の全重量基準として、重量部で表している。 （１）樹脂バインダー：ポリマー ２．３３％（約４％
のグリシジル基がＯＨ置換し、そして約８０％のＯＨ基
が−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセンによって置
換されたノボラック基樹脂） （２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．
６１％（アメリカンシアナミド社製） （３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．０６％ （４）溶媒：乳酸エチル １８％；シクロヘキサノン
１０％；及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
６８．９７％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板に３１００ｒｐｍでスピンコーチングした後、真
空加熱板上で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この
時に生成した厚さは６００オングストロームであった。
このＡＲＣ層の上に、市販のＤＵＶネガ型フォトレジス
ト（ＩＢＭ社製でＣＧＲ２４８の商品名で販売されてい
る）を、９５℃、６０秒間の真空加熱板ベーキングの後
で、８９００オングストロームの厚さになるまで塗布し
た。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用いて、細い線及
び細い間隔でパターン化されたマスクを通して、９ｍＪ
／ｃｍ２の照射量で上塗りされたレジスト層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で９５℃で６０秒間ベーキング
し、次にＭＦ７０２現像液（シップレー社：アルカリ水
溶液）で４０秒間現像した。レジストのフーチングを断
面ＳＥＭによって測定すると、個々の線に対しても肉厚
線に対しても幅０．２７μｍで、平均１２ｎｍであっ
た。
製及び使用法に関する。実施例７ 本発明の好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合
することにより調製した。成分の量は液状反射防止被覆
組成物の全重量基準として、重量部で表している。 （１）樹脂バインダー：ポリマー ２．３３％（約４％
のグリシジル基がＯＨ置換し、そして約８０％のＯＨ基
が−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセンによって置
換されたノボラック基樹脂） （２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．
６１％（アメリカンシアナミド社製） （３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．０６％ （４）溶媒：乳酸エチル １８％；シクロヘキサノン
１０％；及びプロピレングリコールモノメチルエーテル
６８．９７％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板に３１００ｒｐｍでスピンコーチングした後、真
空加熱板上で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この
時に生成した厚さは６００オングストロームであった。
このＡＲＣ層の上に、市販のＤＵＶネガ型フォトレジス
ト（ＩＢＭ社製でＣＧＲ２４８の商品名で販売されてい
る）を、９５℃、６０秒間の真空加熱板ベーキングの後
で、８９００オングストロームの厚さになるまで塗布し
た。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用いて、細い線及
び細い間隔でパターン化されたマスクを通して、９ｍＪ
／ｃｍ２の照射量で上塗りされたレジスト層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で９５℃で６０秒間ベーキング
し、次にＭＦ７０２現像液（シップレー社：アルカリ水
溶液）で４０秒間現像した。レジストのフーチングを断
面ＳＥＭによって測定すると、個々の線に対しても肉厚
線に対しても幅０．２７μｍで、平均１２ｎｍであっ
た。
【００５０】実施例８ 更に好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は反射防止被覆組成物の
全固形分（溶媒を除く全成分）基準として、重量部で表
している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ２．３３％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、そして約８０％のＯＨ基が
−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセンによって置換
されたノボラック基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．６
１％（アメリカン シアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．０６％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１ ０．０３％（３Ｍ社製） ５）溶媒： 乳酸エチル １８％；シクロヘキサノン
１０％；及び プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル ６８．９７％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で２０
５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は６００オングストロームであった。このＡＲＣ層の上
にＤＵＶネガ型フォトレジストの被覆層を塗布した。こ
のレジストは以下のものを含んでいた（重量パーセント
で表した量）：即ち、１２％のメシル化ポリ（ビニルフ
ェノール）（Ｍｗ＝５０００）８８．３４％；トリアリ
ールスルホニウムトリフラート２．６５％；Ｐｏｗｄｅ
ｒｌｉｎｋ １１７４ ８．８３％；水酸化テトラブチ
ルアンモニウム ０．１７７％；シルウェット ７６０
４、 ０．２％；９０℃で６０秒間の真空加熱板ベーキ
ングの後で、厚さが７５７５オングストロームになる乳
酸エチル溶媒。メシル化ポリ（ビニルフェノール）の調
製は、１９９６年５月７日に発行された米国特許第５，
５１４，５２０号に記載されている。ＩＳＩ ＸＬＳ投
影ステッパーを用いて、細い線及び細い間隔でパターン
化されたマスクを通して、１７．９ｍＪ／ｃｍ２の照射
量で上塗りされたレジスト層をＫｒＦエキシマー照射光
（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウェハーを真空加
熱板上で１３０℃で６０秒間ベーキングし、次にＣＤ２
６（シップレー社製）現像液で３５秒間現像した。レジ
ストのフーチングを断面ＳＥＭによって測定すると、個
々の線に対しても肉厚線に対しても幅０．２５μｍで、
平均６ｎｍであった。
ことにより調製した。成分の量は反射防止被覆組成物の
全固形分（溶媒を除く全成分）基準として、重量部で表
している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ２．３３％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、そして約８０％のＯＨ基が
−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセンによって置換
されたノボラック基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．６
１％（アメリカン シアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．０６％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１ ０．０３％（３Ｍ社製） ５）溶媒： 乳酸エチル １８％；シクロヘキサノン
１０％；及び プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル ６８．９７％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で２０
５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は６００オングストロームであった。このＡＲＣ層の上
にＤＵＶネガ型フォトレジストの被覆層を塗布した。こ
のレジストは以下のものを含んでいた（重量パーセント
で表した量）：即ち、１２％のメシル化ポリ（ビニルフ
ェノール）（Ｍｗ＝５０００）８８．３４％；トリアリ
ールスルホニウムトリフラート２．６５％；Ｐｏｗｄｅ
ｒｌｉｎｋ １１７４ ８．８３％；水酸化テトラブチ
ルアンモニウム ０．１７７％；シルウェット ７６０
４、 ０．２％；９０℃で６０秒間の真空加熱板ベーキ
ングの後で、厚さが７５７５オングストロームになる乳
酸エチル溶媒。メシル化ポリ（ビニルフェノール）の調
製は、１９９６年５月７日に発行された米国特許第５，
５１４，５２０号に記載されている。ＩＳＩ ＸＬＳ投
影ステッパーを用いて、細い線及び細い間隔でパターン
化されたマスクを通して、１７．９ｍＪ／ｃｍ２の照射
量で上塗りされたレジスト層をＫｒＦエキシマー照射光
（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウェハーを真空加
熱板上で１３０℃で６０秒間ベーキングし、次にＣＤ２
６（シップレー社製）現像液で３５秒間現像した。レジ
ストのフーチングを断面ＳＥＭによって測定すると、個
々の線に対しても肉厚線に対しても幅０．２５μｍで、
平均６ｎｍであった。
【００５１】実施例９ 本発明のより好ましい反射防止組成物を、下記の成分を
混合することにより調製した。成分の量は液体反射防止
被覆組成物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（２６モル％）と２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（７４モル％）のコポリマー ２．６２％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４、
０．３６％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸架橋剤：２−ニトロベンジルトシレート
０．０２％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００３％（３Ｍ社製
フッ化アルキルエステル） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９６％；シクロヘキサノン １．０％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成したＡＲ
Ｃ被膜層の厚さは７４０オングストロームであった。こ
のＡＲＣ層の上に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト
（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製、ＵＶＩＩＨＳの商品名で販売さ
れている）を、１４０℃、６０秒間の真空加熱板ベーキ
ングの後で、８９００オングストロームの厚さになるま
で塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用いて、
細い線及び細い間隔でパターン化されたマスクを通し
て、１１．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で１３５℃で９０秒間ベーキング
し、次にＣＤ２６（Ｓｈｉｐｌｅｙ）現像液で５０秒間
現像した。個々の線に対しても肉厚線に対してもレジス
トのフーチングを断面ＳＥＭによって測定した。
混合することにより調製した。成分の量は液体反射防止
被覆組成物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（２６モル％）と２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（７４モル％）のコポリマー ２．６２％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４、
０．３６％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸架橋剤：２−ニトロベンジルトシレート
０．０２％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００３％（３Ｍ社製
フッ化アルキルエステル） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９６％；シクロヘキサノン １．０％ この反射防止組成物を、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成したＡＲ
Ｃ被膜層の厚さは７４０オングストロームであった。こ
のＡＲＣ層の上に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト
（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製、ＵＶＩＩＨＳの商品名で販売さ
れている）を、１４０℃、６０秒間の真空加熱板ベーキ
ングの後で、８９００オングストロームの厚さになるま
で塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用いて、
細い線及び細い間隔でパターン化されたマスクを通し
て、１１．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で１３５℃で９０秒間ベーキング
し、次にＣＤ２６（Ｓｈｉｐｌｅｙ）現像液で５０秒間
現像した。個々の線に対しても肉厚線に対してもレジス
トのフーチングを断面ＳＥＭによって測定した。
【００５２】実施例１０ より好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ３．８８％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、約８０％のＯＨ基が−Ｏ
（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセン＋残り約１０％が
９−アントラセンカルボン酸によって置換されたノボラ
ック基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
２％（アメリカンシアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．１０％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１ ０．０５％（３Ｍ社製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９４．９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶
シリコン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上
で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成し
た厚さは９８８オングストロームであった。この層の上
に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＵＶＩＩＨＳ
（シップレー社製）を、１４０℃、６０秒間の真空加熱
板ベーキングの後で、８６２０オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、１１．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫ
ｒＦエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次い
でこのウェハーを真空加熱板上で１４０℃で９０秒間ベ
ーキングし、次にＣＤ２６（シップレー社製）現像液で
５０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭ
によって測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対し
ても幅０．２５μｍで、平均約４ｎｍであった。
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ３．８８％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、約８０％のＯＨ基が−Ｏ
（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセン＋残り約１０％が
９−アントラセンカルボン酸によって置換されたノボラ
ック基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
２％（アメリカンシアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．１０％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１ ０．０５％（３Ｍ社製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９４．９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶
シリコン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上
で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成し
た厚さは９８８オングストロームであった。この層の上
に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＵＶＩＩＨＳ
（シップレー社製）を、１４０℃、６０秒間の真空加熱
板ベーキングの後で、８６２０オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、１１．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫ
ｒＦエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次い
でこのウェハーを真空加熱板上で１４０℃で９０秒間ベ
ーキングし、次にＣＤ２６（シップレー社製）現像液で
５０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭ
によって測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対し
ても幅０．２５μｍで、平均約４ｎｍであった。
【００５３】実施例１１ より好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止性被覆組
成物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ３．８８％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、約４５％のＯＨ基が−Ｏ
（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセン、３５％のＯＨ基
がＣＯＨＣＨ２Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ３＋残り約７％が９−
アントラセンカルボン酸によって置換されたノボラック
基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
２％の（アメリカンシアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．１０％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１（３Ｍ社製） ０．０５％ ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９４．９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶
シリコン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上
で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成し
た厚さは１０９５オングストロームであった。この層の
上に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−
Ｅ（シップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱
板ベーキングの後で、８３９４オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、８．６ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒ
Ｆエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次いで
このウェハーを真空加熱板上で９０℃で６０秒間ベーキ
ングし、次にＭＦ７０２（シップレー社製）現像液で６
０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭに
よって測定すると、個々の線にも肉厚線に対しても幅
０．３０μｍで、平均約５ｎｍであった。
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止性被覆組
成物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：ポリマー ３．８８％（約４％の
グリシジル基がＯＨ置換し、約４５％のＯＨ基が−Ｏ
（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ２−９−アントラセン、３５％のＯＨ基
がＣＯＨＣＨ２Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ３＋残り約７％が９−
アントラセンカルボン酸によって置換されたノボラック
基樹脂） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
２％の（アメリカンシアナミド社製） ３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸 ０．１０％ ４）界面活性剤：ＦＣ１７１（３Ｍ社製） ０．０５％ ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９４．９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶
シリコン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上
で２０５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成し
た厚さは１０９５オングストロームであった。この層の
上に、市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−
Ｅ（シップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱
板ベーキングの後で、８３９４オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、８．６ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒ
Ｆエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次いで
このウェハーを真空加熱板上で９０℃で６０秒間ベーキ
ングし、次にＭＦ７０２（シップレー社製）現像液で６
０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭに
よって測定すると、個々の線にも肉厚線に対しても幅
０．３０μｍで、平均約５ｎｍであった。
【００５４】実施例１２ 更に好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（２４モル％）、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（５４モル％）及びメタクリル酸（２２％）のコポ
リマー ２．５８％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．３
８％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸架橋剤：ベンゾイントシレート ０．０３
８％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００３％（３Ｍ社
製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１７
５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は５９５オングストロームであった。この層の上に、市
販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＵＶＩＩＨＳ（シッ
プレー社）を、１３５℃、６０秒間の真空加熱板による
ベーキングの後で、７９５０オングストロームの厚さに
なるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用
いて、この層をＫｒＦエキシマー照射光（２４８ｎｍ）
に露光した。次でこのウェハーを真空加熱板上で１３０
℃で６０秒間ベーキングし、次にＣＤ２６（シップレー
社）現像液で５０秒間現像した。レジストのフーチング
を断面ＳＥＭによって測定すると、個々の線に対しても
肉厚線に対しても幅０．２５μｍで、平均約１９ｎｍで
あった。
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（２４モル％）、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（５４モル％）及びメタクリル酸（２２％）のコポ
リマー ２．５８％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ ０．３
８％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸架橋剤：ベンゾイントシレート ０．０３
８％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００３％（３Ｍ社
製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９７％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１７
５℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は５９５オングストロームであった。この層の上に、市
販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＵＶＩＩＨＳ（シッ
プレー社）を、１３５℃、６０秒間の真空加熱板による
ベーキングの後で、７９５０オングストロームの厚さに
なるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを用
いて、この層をＫｒＦエキシマー照射光（２４８ｎｍ）
に露光した。次でこのウェハーを真空加熱板上で１３０
℃で６０秒間ベーキングし、次にＣＤ２６（シップレー
社）現像液で５０秒間現像した。レジストのフーチング
を断面ＳＥＭによって測定すると、個々の線に対しても
肉厚線に対しても幅０．２５μｍで、平均約１９ｎｍで
あった。
【００５５】実施例 １３ より好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：コポリマー ３．５８％：メチル
メタクリレート（３９モル％）、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート（２７モル％）、メタクリル酸（７
％）、及びアクリル酸ブチル（２７％） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
％（アメリカン シアナミド社製） ３）加熱型酸発生剤：２−ニトリベンジルトシレート
０．０１８５％ ４）界面活性剤：Ｓｉｌｗｅｔ ０．００２％（Ｕｎｉ
ｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９５％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は１１８０オングストロームであった。この層の上に、
市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−Ｅ（シ
ップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱板によ
るベーキングの後で、８４００オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、６．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒ
Ｆエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次いで
このウェハーを真空加熱板上で９０℃で９０秒間ベーキ
ングし、次にＭＦ３２１（シップレー社製）現像液で６
０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭに
よって測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対して
も幅０．３０μｍで、平均４３ｎｍであった。
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：コポリマー ３．５８％：メチル
メタクリレート（３９モル％）、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート（２７モル％）、メタクリル酸（７
％）、及びアクリル酸ブチル（２７％） ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
％（アメリカン シアナミド社製） ３）加熱型酸発生剤：２−ニトリベンジルトシレート
０．０１８５％ ４）界面活性剤：Ｓｉｌｗｅｔ ０．００２％（Ｕｎｉ
ｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９５％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は１１８０オングストロームであった。この層の上に、
市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−Ｅ（シ
ップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱板によ
るベーキングの後で、８４００オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び細い間隔でパターン化されたマスク
を通して、６．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒ
Ｆエキシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次いで
このウェハーを真空加熱板上で９０℃で９０秒間ベーキ
ングし、次にＭＦ３２１（シップレー社製）現像液で６
０秒間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭに
よって測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対して
も幅０．３０μｍで、平均４３ｎｍであった。
【００５６】実施例１４ より好ましい反射防止組成物を、下記の成分を混合する
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（３２モル％）、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（６８モル％）のコポリマー ３．８％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸発生剤：２−ニトロベンジルトシレート
０．１８５％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００１５％（３Ｍ社
製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９５％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は１０７７オングストロームであった。この層の上に、
市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−Ｅ（シ
ップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱板によ
るベーキングの後で、８４００オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び間隔でパターン化されたマスクを通
して、７．３ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で９０℃で９０秒間ベーキング
し、次にＭＦ３２１（シップレー社製）現像液で６０秒
間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭによっ
て測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対しても幅
０．３０μｍで、平均１２ｎｍであった。
ことにより調製した。成分の量は液体反射防止被覆組成
物の全重量基準として、重量部で表している。 １）樹脂バインダー：９−アントリルメチルメタクリレ
ート（３２モル％）、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート（６８モル％）のコポリマー ３．８％ ２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ １１７４ １．０
％（アメリカンシアナミド社製） ３）加熱型酸発生剤：２−ニトロベンジルトシレート
０．１８５％ ４）界面活性剤：ＦＣ４３１ ０．００１５％（３Ｍ社
製） ５）溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテル
９５％；このＡＲＣを、直径１００ｍｍの単結晶シリコ
ン基板にスピンコーチングした後、真空加熱板上で１５
０℃で６０秒間ベーキングした。この時に生成した厚さ
は１０７７オングストロームであった。この層の上に、
市販のＤＵＶポジ型フォトレジスト、ＡＰＥＸ−Ｅ（シ
ップレー社製）を、９０℃、６０秒間の真空加熱板によ
るベーキングの後で、８４００オングストロームの厚さ
になるまで塗布した。ＩＳＩ ＸＬＳ投影ステッパーを
用いて、細い線及び間隔でパターン化されたマスクを通
して、７．３ｍＪ／ｃｍ２の照射量でこの層をＫｒＦエ
キシマー照射光（２４８ｎｍ）に露光した。次でこのウ
ェハーを真空加熱板上で９０℃で９０秒間ベーキング
し、次にＭＦ３２１（シップレー社製）現像液で６０秒
間現像した。レジストのフーチングを断面ＳＥＭによっ
て測定すると、個々の線に対しても肉厚線に対しても幅
０．３０μｍで、平均１２ｎｍであった。
【００５７】本発明に関する前述の説明は、本発明にお
ける単なる実例に過ぎない。これらに基づいて、変更及
び改良の実施も可能である。
ける単なる実例に過ぎない。これらに基づいて、変更及
び改良の実施も可能である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０３ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者 ジェイムズ マイケル モリ アメリカ合衆国02125マサチューセッツ州 ドーチェスター グランピアン・ウェイ70 フロアー２
Claims (18)
- 【請求項１】 架橋剤、及び、キノリニル基、Ｎ、Ｏ若
しくはＳの環置換基を持つキノリニル誘導体、フェナン
トレニル基、アクリジン基、又は、アルキレンアントラ
セン基を含有してなる樹脂バインダーからなる、上塗り
されたフォトレジスト組成物（ｏｖｅｒｃｏａｔｅｄ
ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）と
共に使用するための反射防止組成物。 - 【請求項２】 樹脂バインダーが２４８ｎｍにおいて少
なくとも約４ユニット／μの光学濃度を持つことを特徴
とする請求項１に記載の反射防止組成物。 - 【請求項３】 樹脂バインダーが、キノリニル基、Ｎ、
ＯもしくはＳの環置換基を持つキノリニル誘導体、フェ
ナントレニル基、アクリジン基又はアルキレンアントラ
セン基を含有する少なくとも１種のモノマーの重合によ
って形成されることを特徴とする請求項１に記載の反射
防止組成物。 - 【請求項４】 前記樹脂バインダーが次式で示されるポ
リマーから成ることを特徴とする請求項１に記載の反射
防止組成物。 【化１】 （式中、各Ｒ及びＲ１は、各々独立して、水素、又は、
置換又は非置換の１個から約８個の炭素原子のアルキル
基であり、 各Ｒ２は、独立して、置換又は非置換の１個ないし約１
０個の炭素原子のアルキル基であり、 各Ｒ３は、独立して、ハロゲン、１個ないし約８個の炭
素原子のアルキル、１個ないし約８個の炭素原子のアル
コキシ、２個ないし約８個の炭素原子のアルケニル、２
個ないし約８個の炭素原子のアルキニル、シアノ、又は
ニトロであり、 ｍは０から９までの整数であり、及び、 ｘは約１０から約８０パーセント、そして、ｙは約５か
ら９０パーセントである。） - 【請求項５】 Ｒ２がヒドロキシアルキルである請求項
４に記載の反射防止組成物。 - 【請求項６】 ｘとｙの和が約１００パーセントである
請求項４に記載の反射防止組成物。 - 【請求項７】 樹脂バインダーが次式で示されるポリマ
ーから成ることを特徴とする請求項１に記載の反射防止
組成物。 【化２】 （式中、ｘ及びｙは各単位のモル分率である。） - 【請求項８】 樹脂バインダーが次式で示されるポリマ
ーであることを特徴とする請求項１に記載の反射防止組
成物。 【化３】 （式中、各Ｒ４及びＲ５は、各々独立して、水素、又
は、置換又は非置換の１個から約８個の炭素原子のアル
キル基であり、 各Ｒ６は、独立して、１個ないし約１０個の炭素原子の
アルキルであり、 Ｗは、結合手、又は、置換又は非置換の１個ないし約４
個の炭素原子のアルキレン基であり、 Ｚは、炭素、窒素、酸素又は硫黄原子であり、 各Ｒ７は、独立して、ハロゲン、１個ないし約８個の炭
素原子のアルキル基、１個ないし約８個の炭素原子のア
ルコキシ基、２個ないし約８個の炭素原子のアルケニル
基、２個ないし約８個の炭素原子のアルキニル基、シア
ノ又はニトロであり、 ｎは、０から７までの整数であり、及び、 ｘ’は、約１０から約８０パーセント、そして、ｙ’
は、約５から９０パーセントである。） - 【請求項９】 樹脂バインダーが次式で示されるポリマ
ーから成ることを特徴とする請求項１に記載の反射防止
組成物。 【化４】 （式中、ｘ及びｙは各単位のモル分率である。） - 【請求項１０】 架橋剤がメトキシメチル化グリコウリ
ルである請求項１に記載の反射防止組成物。 - 【請求項１１】 架橋剤化合物が次式で示される化合物
である請求項１に記載の反射防止組成物。 【化５】 - 【請求項１２】 架橋剤がポリヒドロキシ化合物である
ことを特徴とする請求項１に記載の反射防止組成物。 - 【請求項１３】 架橋剤が、少なくとも１個のヒドロキ
シと少なくとも１個のヒドロキシアルキル置換基を含む
芳香族化合物である請求項１２に記載の反射防止組成
物。 - 【請求項１４】 さらに酸又は酸発生化合物を含有して
なる請求項１に記載の反射防止組成物。 - 【請求項１５】 基板がその上に請求項１の反射防止組
成物の被覆層、及び該反射防止層の上にフォトレジスト
の被覆層からなることを特徴とする被覆された基板。 - 【請求項１６】 （ａ）請求項１の反射防止組成物の層
を基板の上に塗布すること、 （ｂ）該ハレーション防止用組成物層を熱硬化させるこ
と、 （ｃ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物
層を塗布すること、 （ｄ）該フォトレジスト層を活性化照射で露光した後、
該露光フォトレジスト層を現像すること、から成ること
を特徴とするフォトレジストレリーフ画像の形成方法。 - 【請求項１７】 前記活性化照射が遠紫外範囲内であ
り、かつ前記フォトレジストが露光時にスルホン酸を発
生することを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記反射防止組成物が酸又は熱による
酸発生剤も有し、かつ、光による酸発生化合物を本質的
に含まないことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| TW (1) | TW360700B (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10307399A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト用感光性樹脂組成物 |
| JP2000294504A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-10-20 | Shipley Co Llc | フォトレジストレリーフイメージの形成方法 |
| KR20000066808A (ko) * | 1999-04-21 | 2000-11-15 | 김영환 | 유기 난반사 방지용 물질 |
| US6242161B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-05 | Jsr Corporation | Acrylic copolymer and reflection-preventing film-forming composition containing the same |
| JP2002072489A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-03-12 | Shipley Co Llc | 反射防止組成物 |
| WO2003105145A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体 |
| JP2005106837A (ja) * | 2003-04-11 | 2005-04-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジストシステム |
| JP2005514657A (ja) * | 2002-01-09 | 2005-05-19 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ネガ型光像形成性底層反射防止膜本願は２００２年１月９日に出願した米国プロビジョナル出願Ｎｏ．６０／３４７，１３５号の利益を請求するものである。 |
| JP2005517972A (ja) * | 2002-01-09 | 2005-06-16 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ポジ型光像形成性底面反射防止膜 |
| KR100517038B1 (ko) * | 2000-11-09 | 2005-09-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 반사방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 다층포토레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
| JP2006528999A (ja) * | 2003-05-23 | 2006-12-28 | ダウ コーニング コーポレイシヨン | 高い湿式エッチング速度を持つシロキサン樹脂系反射防止被覆組成物 |
| JP2007017976A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法 |
| KR100688594B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| KR100734249B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP2007238957A (ja) * | 2000-10-10 | 2007-09-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 多孔性有機ポリシリカ誘電体形成用の組成物 |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| US7309560B2 (en) | 2002-02-19 | 2007-12-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating |
| JP2008197624A (ja) * | 1999-03-15 | 2008-08-28 | Hynix Semiconductor Inc | 反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子 |
| JP2009514003A (ja) * | 2005-10-31 | 2009-04-02 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜 |
| JP2009543149A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜組成物 |
| KR100974241B1 (ko) | 2008-06-12 | 2010-08-06 | 김광호 | Ｐｄｌｃ를 이용한 광고 스크린장치 |
| JP2014529754A (ja) * | 2011-08-10 | 2014-11-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ネガ型レジスト用の現像可能な底部反射防止コーティング組成物 |
| JP2015524573A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-08-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 現像可能な底部反射防止膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2021138929A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 光学的に透明なせん断増粘流体及びそれを含む光学ディスプレイデバイス |
Families Citing this family (151)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW406215B (en) * | 1996-08-07 | 2000-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Composition for anti-reflective coating material in lithographic process, and process for forming resist pattern |
| US5939236A (en) | 1997-02-07 | 1999-08-17 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions comprising photoacid generators |
| US6303488B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming openings to devices and substrates, exposing material from which photoresist cannot be substantially selectively removed |
| TW473653B (en) * | 1997-05-27 | 2002-01-21 | Clariant Japan Kk | Composition for anti-reflective film or photo absorption film and compound used therein |
| US6033438A (en) * | 1997-06-03 | 2000-03-07 | Sdgi Holdings, Inc. | Open intervertebral spacer |
| TW399234B (en) | 1997-07-02 | 2000-07-21 | Yamaha Corp | Wiring forming method |
| JP3473887B2 (ja) | 1997-07-16 | 2003-12-08 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| JPH1165125A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法 |
| DE19743507A1 (de) * | 1997-10-01 | 1999-04-15 | Basf Drucksysteme Gmbh | Mehrschichtelement zur Herstellung von Druck- oder Reliefformen |
| JP4053631B2 (ja) * | 1997-10-08 | 2008-02-27 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体 |
| US5935760A (en) * | 1997-10-20 | 1999-08-10 | Brewer Science Inc. | Thermosetting polyester anti-reflective coatings for multilayer photoresist processes |
| US6190839B1 (en) * | 1998-01-15 | 2001-02-20 | Shipley Company, L.L.C. | High conformality antireflective coating compositions |
| US7361444B1 (en) * | 1998-02-23 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Multilayered resist systems using tuned polymer films as underlayers and methods of fabrication thereof |
| US6151430A (en) * | 1998-07-08 | 2000-11-21 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Photonic device having an integal guide and method of manufacturing |
| EP1046958B1 (en) * | 1998-07-10 | 2006-04-12 | AZ Electronic Materials USA Corp. | Use of a composition for bottom reflection preventive film |
| US20020102483A1 (en) | 1998-09-15 | 2002-08-01 | Timothy Adams | Antireflective coating compositions |
| JP3852889B2 (ja) | 1998-09-24 | 2006-12-06 | 富士写真フイルム株式会社 | フォトレジスト用反射防止膜材料組成物 |
| US6174311B1 (en) * | 1998-10-28 | 2001-01-16 | Sdgi Holdings, Inc. | Interbody fusion grafts and instrumentation |
| US6495468B2 (en) | 1998-12-22 | 2002-12-17 | Micron Technology, Inc. | Laser ablative removal of photoresist |
| TW476865B (en) * | 1999-01-28 | 2002-02-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Undercoating composition for photolithographic resist |
| US6544717B2 (en) | 1999-01-28 | 2003-04-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Undercoating composition for photolithographic resist |
| US7709177B2 (en) * | 1999-02-23 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Multilayered resist systems using tuned polymer films as underlayers and methods of fabrication thereof |
| US6323287B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-11-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography |
| JP4404282B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2010-01-27 | 大日本印刷株式会社 | ホログラム撮影用乾板の作製方法及び作製装置 |
| KR100395904B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2003-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| EP1048980B1 (de) | 1999-04-28 | 2009-09-30 | Qimonda AG | Bottomresist |
| US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
| KR100310252B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2001-11-14 | 박종섭 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR100492796B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 초미세 패턴의 형성 공정에서 사용되는 반사방지용 수지 |
| US6455228B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-09-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Multilayered body for photolithographic patterning |
| JP5079959B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2012-11-21 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | デュアル・ダマシンプロセス用の改良された充填物質 |
| US20040034134A1 (en) | 1999-08-26 | 2004-02-19 | Lamb James E. | Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes |
| US6346361B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-02-12 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Method for synthesizing polymeric AZO dyes |
| KR100427440B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법 |
| KR100549574B1 (ko) | 1999-12-30 | 2006-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막용 중합체 및 그의 제조방법 |
| US6873387B2 (en) * | 2000-02-28 | 2005-03-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Antireflection film, sheet polarizer and liquid crystal display device |
| EP1143300A1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Shipley Company LLC | Photoresist compositions and use of same |
| FR2803850B1 (fr) * | 2000-06-13 | 2002-05-17 | Hyundai Electronics Ind | Composition de revetement anti-reflechissant, procede de preparation et dispositif a semiconducteur |
| US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
| KR100574486B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100721182B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100687851B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| EP1172695A1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-16 | Shipley Company LLC | Barrier layer |
| US6495305B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-12-17 | Tomoyuki Enomoto | Halogenated anti-reflective coatings |
| JP2004534107A (ja) * | 2001-03-13 | 2004-11-11 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | リトグラフィーに応用するための熱硬化された下部層 |
| TW576859B (en) * | 2001-05-11 | 2004-02-21 | Shipley Co Llc | Antireflective coating compositions |
| KR20020090584A (ko) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사 방지막용 고분자 수지, 및 이를 이용하는ＫｒＦ 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물 |
| KR100351458B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2002-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR100351459B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2002-09-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| TW591341B (en) * | 2001-09-26 | 2004-06-11 | Shipley Co Llc | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
| US20030200835A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-30 | Snecma Services | Diffusion-brazing filler powder for parts made of an alloy based on nickel, cobalt or iron |
| US6815367B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-11-09 | Infineon Technologies Ag | Elimination of resist footing on tera hardmask |
| US8012670B2 (en) | 2002-04-11 | 2011-09-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist systems |
| KR100518533B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 에폭시 링을 포함하는 베이스 폴리머와 실리콘 함유가교제로 이루어지는 네가티브형 레지스트 조성물 및 이를이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| KR100636663B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2006-10-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법 |
| JP3597523B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2004-12-08 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用下地材 |
| US6903023B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-06-07 | International Business Machines Corporation | In-situ plasma etch for TERA hard mask materials |
| US20040067437A1 (en) * | 2002-10-06 | 2004-04-08 | Shipley Company, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| US7323289B2 (en) | 2002-10-08 | 2008-01-29 | Brewer Science Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
| EP1422566A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Multilayer photoresist systems |
| JP2004206082A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-07-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 多層フォトレジスト系 |
| WO2004051740A1 (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 半導体多層配線形成方法 |
| KR100832247B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2008-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 난반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
| US20050004561A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-06 | Lynn Halas | Method for removing hair |
| KR101020164B1 (ko) | 2003-07-17 | 2011-03-08 | 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 | 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법 |
| KR100636938B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2006-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 조성물 |
| US20050074688A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Toukhy Medhat A. | Bottom antireflective coatings |
| US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US7355384B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-04-08 | International Business Machines Corporation | Apparatus, method, and computer program product for monitoring and controlling a microcomputer using a single existing pin |
| US7326523B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Low refractive index polymers as underlayers for silicon-containing photoresists |
| EP1691238A3 (en) | 2005-02-05 | 2009-01-21 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| KR101156969B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
| KR101156973B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
| US7829638B2 (en) * | 2005-05-09 | 2010-11-09 | Cheil Industries, Inc. | Antireflective hardmask composition and methods for using same |
| KR100655064B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-12-06 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
| KR100662542B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용하여 기판 상에패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법 |
| US8137895B2 (en) * | 2005-08-09 | 2012-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for improving photoresist pattern adhesion |
| EP1762895B1 (en) | 2005-08-29 | 2016-02-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective Hard Mask Compositions |
| KR100665758B1 (ko) * | 2005-09-15 | 2007-01-09 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
| KR100697979B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-03-23 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
| US11372330B2 (en) * | 2005-09-27 | 2022-06-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Anti-reflective coating forming composition containing reaction product of isocyanuric acid compound with benzoic acid compound |
| KR100732763B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 중합체, 이를 포함하는 유기 반사 방지막조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법 |
| KR100703007B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴 형성 방법 |
| KR100782437B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-12-05 | 제일모직주식회사 | 액정 배향제 |
| EP1829942B1 (en) * | 2006-02-28 | 2012-09-26 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
| KR100712999B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 중합체, 이를 포함하는 유기 반사 방지막조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법 |
| US7816069B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-10-19 | International Business Machines Corporation | Graded spin-on organic antireflective coating for photolithography |
| WO2008069812A1 (en) * | 2006-12-03 | 2008-06-12 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive polybenzoxazines and methods of making the same |
| WO2008069813A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive polyimides and methods of making the same |
| KR100889173B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2009-03-17 | 주식회사 효성 | 유기 반사방지막 형성용 유기 공중합체, 그의 제조방법 및그를 포함하는 조성물 |
| WO2008080201A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Francisco Mathieu | Copolymer of methyl methacrylate and anthracenyl methacrylate |
| WO2008114411A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Fujitsu Limited | 導電性反射防止膜形成用材料、導電性反射防止膜の形成方法、レジストパターン形成方法、半導体装置、及び磁気ヘッド |
| US20090035704A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Hong Zhuang | Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer |
| US8084862B2 (en) * | 2007-09-20 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Interconnect structures with patternable low-k dielectrics and method of fabricating same |
| US7709370B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Spin-on antireflective coating for integration of patternable dielectric materials and interconnect structures |
| US8618663B2 (en) * | 2007-09-20 | 2013-12-31 | International Business Machines Corporation | Patternable dielectric film structure with improved lithography and method of fabricating same |
| US8088548B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
| JP2009199061A (ja) | 2007-11-12 | 2009-09-03 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
| US8039201B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-10-18 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating composition and process thereof |
| US8029971B2 (en) * | 2008-03-13 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Photopatternable dielectric materials for BEOL applications and methods for use |
| US20100015550A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Weihong Liu | Dual damascene via filling composition |
| US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
| US8519540B2 (en) | 2009-06-16 | 2013-08-27 | International Business Machines Corporation | Self-aligned dual damascene BEOL structures with patternable low- K material and methods of forming same |
| US8659115B2 (en) * | 2009-06-17 | 2014-02-25 | International Business Machines Corporation | Airgap-containing interconnect structure with improved patternable low-K material and method of fabricating |
| US8293451B2 (en) | 2009-08-18 | 2012-10-23 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorbing film compositions |
| US8772376B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-07-08 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorbing film compositions |
| US8163658B2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-04-24 | International Business Machines Corporation | Multiple patterning using improved patternable low-k dielectric materials |
| US8202783B2 (en) | 2009-09-29 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication |
| US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US8377631B2 (en) * | 2009-10-06 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Planarization over topography with molecular glass materials |
| US8637395B2 (en) * | 2009-11-16 | 2014-01-28 | International Business Machines Corporation | Methods for photo-patternable low-k (PPLK) integration with curing after pattern transfer |
| US8367540B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-02-05 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure including a modified photoresist as a permanent interconnect dielectric and method of fabricating same |
| US8323871B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-12-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective hardmask composition and a method of preparing a patterned material using same |
| US8642252B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-02-04 | International Business Machines Corporation | Methods for fabrication of an air gap-containing interconnect structure |
| US8896120B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-11-25 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for air gap integration |
| US8241992B2 (en) | 2010-05-10 | 2012-08-14 | International Business Machines Corporation | Method for air gap interconnect integration using photo-patternable low k material |
| US8373271B2 (en) | 2010-05-27 | 2013-02-12 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure with an oxygen-doped SiC antireflective coating and method of fabrication |
| US8354339B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures |
| US8232198B2 (en) | 2010-08-05 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Self-aligned permanent on-chip interconnect structure formed by pitch splitting |
| US9541834B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Ionic thermal acid generators for low temperature applications |
| US8999625B2 (en) * | 2013-02-14 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes |
| US9017934B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist defect reduction system and method |
| US9256128B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
| US9175173B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Unlocking layer and method |
| US9110376B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
| US8932799B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
| US9354521B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
| US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
| US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
| US9117881B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive line system and process |
| US9341945B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of formation and use |
| US9793131B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-10-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Pattern forming method using resist underlayer film |
| US10036953B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist system and method |
| US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
| KR102255221B1 (ko) | 2013-12-27 | 2021-05-24 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 나노리소그래피용 유기 바닥 반사방지 코팅 조성물 |
| US9761449B2 (en) | 2013-12-30 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gap filling materials and methods |
| KR102233875B1 (ko) | 2013-12-30 | 2021-03-30 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 광산 발생제를 포함하는 반사방지 코팅 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US9599896B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
| US9362120B2 (en) | 2014-03-31 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography process and composition with de-crosslinkable crosslink material |
| US9581908B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
| US11092894B2 (en) | 2014-12-31 | 2021-08-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Method for forming pattern using anti-reflective coating composition comprising photoacid generator |
| US10082734B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composition and method for lithography patterning |
| US10007177B2 (en) | 2015-08-21 | 2018-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to define multiple layer patterns using double exposures |
| JP7486919B2 (ja) | 2016-05-02 | 2024-05-20 | 日産化学株式会社 | 特定の架橋剤を含む保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP7029112B2 (ja) | 2016-09-16 | 2022-03-03 | 日産化学株式会社 | 保護膜形成組成物 |
| US11287741B2 (en) | 2017-05-02 | 2022-03-29 | Nissan Chemical Corporation | Resist underlayer film-forming composition |
| KR102754672B1 (ko) | 2017-05-02 | 2025-01-14 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 과산화수소수용액에 대한 보호막형성 조성물 |
| US11269252B2 (en) | 2019-07-22 | 2022-03-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method for forming pattern using antireflective coating composition including photoacid generator |
| US11977333B2 (en) * | 2019-07-31 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4060656A (en) * | 1973-04-02 | 1977-11-29 | Teijin Limited | Support for photosensitive resin |
| US4064191A (en) * | 1976-03-10 | 1977-12-20 | American Cyanamid Company | Coating composition containing an alkylated glycoluril, a polymeric non-self-crosslinking compound and an acid catalyst |
| DE3039209A1 (de) * | 1980-10-17 | 1982-05-19 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Fotopolymere reliefformen und verfahren zu deren herstellung |
| US4362809A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-07 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4370405A (en) * | 1981-03-30 | 1983-01-25 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| EP0436639B1 (en) * | 1988-09-28 | 1998-01-14 | Brewer Science, Inc. | Multifunctional photolithographic compositions |
| JP2661317B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1997-10-08 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JPH0449272A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Japan Tobacco Inc | 新規な３―ニトロ―２，４，６―トリヒドロキシベンゾイルエステル類とその製造方法及びそれを有効成分として含有する除草剤 |
| CA2071459A1 (en) * | 1991-06-25 | 1992-12-26 | Tokuzo Nozaki | Resin composition for powder coatings |
| JPH0542008A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Yoshida Satoko | ボタン等の取付具 |
| US6165697A (en) * | 1991-11-15 | 2000-12-26 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| NZ242686A (en) * | 1992-05-11 | 1994-12-22 | Carter Holt Harvey Plastic Pro | Milking claw divided into four chambers to reduce likelihood of cross contamination of animal's quarters |
| US5498748A (en) * | 1993-07-20 | 1996-03-12 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Anthracene derivatives |
| US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
| US5693691A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-02 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings compositions |
-
1996
- 1996-06-11 US US08/665,019 patent/US5886102A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-28 DE DE69727620T patent/DE69727620T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-28 EP EP97108605A patent/EP0813114B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-05 TW TW086107773A patent/TW360700B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-10 KR KR1019970023707A patent/KR100729995B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-11 JP JP18885097A patent/JP4145972B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-07 US US08/966,006 patent/US6033830A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10307399A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト用感光性樹脂組成物 |
| US6242161B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-06-05 | Jsr Corporation | Acrylic copolymer and reflection-preventing film-forming composition containing the same |
| JP2000294504A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-10-20 | Shipley Co Llc | フォトレジストレリーフイメージの形成方法 |
| JP2008197624A (ja) * | 1999-03-15 | 2008-08-28 | Hynix Semiconductor Inc | 反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子 |
| KR20000066808A (ko) * | 1999-04-21 | 2000-11-15 | 김영환 | 유기 난반사 방지용 물질 |
| JP2002072489A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-03-12 | Shipley Co Llc | 反射防止組成物 |
| KR100734249B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP2007238957A (ja) * | 2000-10-10 | 2007-09-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 多孔性有機ポリシリカ誘電体形成用の組成物 |
| KR100517038B1 (ko) * | 2000-11-09 | 2005-09-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 반사방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 다층포토레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
| JP2005517972A (ja) * | 2002-01-09 | 2005-06-16 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ポジ型光像形成性底面反射防止膜 |
| JP2005514657A (ja) * | 2002-01-09 | 2005-05-19 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ネガ型光像形成性底層反射防止膜本願は２００２年１月９日に出願した米国プロビジョナル出願Ｎｏ．６０／３４７，１３５号の利益を請求するものである。 |
| US7309560B2 (en) | 2002-02-19 | 2007-12-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| WO2003105145A1 (ja) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の製造方法、光記録媒体製造用スタンパの製造方法、スタンパ、フォトレジスト原盤、スタンパ中間体及び光記録媒体 |
| JP2005106837A (ja) * | 2003-04-11 | 2005-04-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジストシステム |
| JP2006528999A (ja) * | 2003-05-23 | 2006-12-28 | ダウ コーニング コーポレイシヨン | 高い湿式エッチング速度を持つシロキサン樹脂系反射防止被覆組成物 |
| JP4796498B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-10-19 | ダウ コーニング コーポレーション | 高い湿式エッチング速度を持つシロキサン樹脂系反射防止被覆組成物 |
| JP2007017976A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層リソグラフィプロセスにおいて用いられる複素環芳香族構造物を含む基層組成物、リソグラフィ構造物、材料層または材料要素を基板上に形成させる方法 |
| JP2009514003A (ja) * | 2005-10-31 | 2009-04-02 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜 |
| JP2009543149A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション | 反射防止膜組成物 |
| KR100688594B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| KR100974241B1 (ko) | 2008-06-12 | 2010-08-06 | 김광호 | Ｐｄｌｃ를 이용한 광고 스크린장치 |
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