JPH1020504A - 化学増幅ポジ型レジスト材料 - Google Patents
化学増幅ポジ型レジスト材料Info
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- JPH1020504A JPH1020504A JP8188461A JP18846196A JPH1020504A JP H1020504 A JPH1020504 A JP H1020504A JP 8188461 A JP8188461 A JP 8188461A JP 18846196 A JP18846196 A JP 18846196A JP H1020504 A JPH1020504 A JP H1020504A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】 （Ａ）有機溶剤、（Ｂ）ベース樹脂とし
て式（１）で示される重量平均分子量が３，０００〜３
００，０００である高分子化合物、（Ｃ）酸発生剤、
（Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材
料。 【効果】 化学増幅ポジ型レジスト材料として高エネル
ギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー及びＸ線に感応
し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、し
かも窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤの改善効果にも
優れている。
て式（１）で示される重量平均分子量が３，０００〜３
００，０００である高分子化合物、（Ｃ）酸発生剤、
（Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材
料。 【効果】 化学増幅ポジ型レジスト材料として高エネル
ギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー及びＸ線に感応
し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、し
かも窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤの改善効果にも
優れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遠紫外線、電子
線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有
し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成
できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト
材料に関する。
線、Ｘ線などの高エネルギー線に対して高い感度を有
し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成
できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト
材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められているなか、現在汎用技術として用いられて
いる光露光では、光源の波長に由来する本質的な解像度
の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）もしくは
ｉ線（３６５ｎｍ）を光源とする光露光では、およそ
０．５μｍのパターンルールが限界とされており、これ
を用いて製作したＬＳＩの集積度は、１６ＭビットＤＲ
ＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの量産はすでにこ
の段階まできており、更なる微細化技術の開発が急務と
なっている。
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められているなか、現在汎用技術として用いられて
いる光露光では、光源の波長に由来する本質的な解像度
の限界に近づきつつある。ｇ線（４３６ｎｍ）もしくは
ｉ線（３６５ｎｍ）を光源とする光露光では、およそ
０．５μｍのパターンルールが限界とされており、これ
を用いて製作したＬＳＩの集積度は、１６ＭビットＤＲ
ＡＭ相当までとなる。しかし、ＬＳＩの量産はすでにこ
の段階まできており、更なる微細化技術の開発が急務と
なっている。
【０００３】このような背景により、次世代の微細加工
技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されてい
る。遠紫外線リソグラフィーは、０．３〜０．４μｍの
加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた
場合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形
成が可能になる。近年、遠紫外線の光源として高輝度な
ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を利用する
技術が注目されており、量産技術として用いられるに
は、高解像度、高感度なレジスト材料が要望されてい
る。
技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されてい
る。遠紫外線リソグラフィーは、０．３〜０．４μｍの
加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた
場合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形
成が可能になる。近年、遠紫外線の光源として高輝度な
ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を利用する
技術が注目されており、量産技術として用いられるに
は、高解像度、高感度なレジスト材料が要望されてい
る。
【０００４】このような点から近年開発された酸を触媒
とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７６
６０号、特開昭６３−２７８２９号公報、米国特許第
４，４９１，６２８号、同第５，３１０，６１９号公報
等参照）は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が比
較的高く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィー
に特に有望なレジスト材料として期待されている。この
ような化学増幅ポジ型レジスト材料としては、アルカリ
可溶性のベース樹脂、酸発生剤からなる２成分系、及び
アルカリ可溶性のベース樹脂、酸発生剤、酸不安定基を
有する溶解阻止剤からなる３成分系が知られているが、
特に窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤ（Ｐｏｓｔ Ｅ
ｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ）の改善が望まれている。
とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７６
６０号、特開昭６３−２７８２９号公報、米国特許第
４，４９１，６２８号、同第５，３１０，６１９号公報
等参照）は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が比
較的高く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィー
に特に有望なレジスト材料として期待されている。この
ような化学増幅ポジ型レジスト材料としては、アルカリ
可溶性のベース樹脂、酸発生剤からなる２成分系、及び
アルカリ可溶性のベース樹脂、酸発生剤、酸不安定基を
有する溶解阻止剤からなる３成分系が知られているが、
特に窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤ（Ｐｏｓｔ Ｅ
ｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ）の改善が望まれている。
【０００５】また、水酸基の１０〜６０モル％がｔｅｒ
ｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリヒドロキシ
スチレンと水酸基の１０〜６０モル％がアセタール基で
置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物、更に有
機カルボン酸化合物を含有してなることを特徴とするポ
ジ型レジスト材料（特開平８−１５８６４号公報）が提
案されているが、ポリマー混合物を使用しているために
解像性が不足すること及びここで用いられている有機カ
ルボン酸化合物のなかの１価或いは多価脂肪族カルボン
酸、脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、オキ
シカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸
等はフェニル基を有していないことからポリマーとの相
溶性が劣るために均一に塗布できないという欠点を有し
ている。更に、安息香酸誘導体は波長２４８ｎｍ付近の
吸収が非常に大きいことからレジストの透過率を落とし
解像性を落としてしまい、樹脂成分及び酸発生剤の合計
量に対して１重量％を超えて加えることができないとい
う欠点を有している等のため、窒化膜基板上での裾引き
及びＰＥＤの改善効果がほとんどないことが判った。
ｔ−ブトキシカルボニル基で置換されたポリヒドロキシ
スチレンと水酸基の１０〜６０モル％がアセタール基で
置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物、更に有
機カルボン酸化合物を含有してなることを特徴とするポ
ジ型レジスト材料（特開平８−１５８６４号公報）が提
案されているが、ポリマー混合物を使用しているために
解像性が不足すること及びここで用いられている有機カ
ルボン酸化合物のなかの１価或いは多価脂肪族カルボン
酸、脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、オキ
シカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸
等はフェニル基を有していないことからポリマーとの相
溶性が劣るために均一に塗布できないという欠点を有し
ている。更に、安息香酸誘導体は波長２４８ｎｍ付近の
吸収が非常に大きいことからレジストの透過率を落とし
解像性を落としてしまい、樹脂成分及び酸発生剤の合計
量に対して１重量％を超えて加えることができないとい
う欠点を有している等のため、窒化膜基板上での裾引き
及びＰＥＤの改善効果がほとんどないことが判った。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
微細加工技術に適した高解像性を有し、かつ窒化膜基板
上での裾引き及びＰＥＤの改善効果に優れた化学増幅ポ
ジ型レジスト材料を提供する。
微細加工技術に適した高解像性を有し、かつ窒化膜基板
上での裾引き及びＰＥＤの改善効果に優れた化学増幅ポ
ジ型レジスト材料を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、（Ａ）有機溶剤、（Ｂ）ベース樹脂として下記一般
式（１）で示される重量平均分子量が３，０００〜３０
０，０００の高分子化合物、（Ｃ）酸発生剤、（Ｄ）分
子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合
物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料が、微細
加工技術に適した高解像性を有し、かつ窒化膜基板上で
の裾引き及びＰＥＤの改善効果に優れた化学増幅ポジ型
レジスト材料として好適で、特に遠紫外線リソグラフィ
ーにおいて大いに威力を発揮し得ることを見出した。
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、（Ａ）有機溶剤、（Ｂ）ベース樹脂として下記一般
式（１）で示される重量平均分子量が３，０００〜３０
０，０００の高分子化合物、（Ｃ）酸発生剤、（Ｄ）分
子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合
物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料が、微細
加工技術に適した高解像性を有し、かつ窒化膜基板上で
の裾引き及びＰＥＤの改善効果に優れた化学増幅ポジ型
レジスト材料として好適で、特に遠紫外線リソグラフィ
ーにおいて大いに威力を発揮し得ることを見出した。
【０００８】
【化７】
【０００９】
【化８】
【００１０】本発明の（Ｂ）成分のベース樹脂として上
記一般式（１）で示される重量平均分子量が３，０００
〜３００，０００の高分子化合物、即ち、酸不安定基で
部分置換されたポリヒドロキシスチレン誘導体と、
（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有
する芳香族化合物とを主成分とする化学増幅ポジ型レジ
スト材料は、上記一般式（１）で示されるベース樹脂の
酸不安定基の効果及び（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯ
ＯＨで示される基を有する芳香族化合物の大きなアルカ
リ溶解性により、大きな溶解コントラストを有すると共
に、（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基
を有する芳香族化合物の窒化膜基板及び空気中からの塩
基性不純物の補足効果により、微細加工技術に適した高
解像性を有し、かつ窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤ
の改善効果に優れた化学増幅ポジ型レジスト材料として
好適である。
記一般式（１）で示される重量平均分子量が３，０００
〜３００，０００の高分子化合物、即ち、酸不安定基で
部分置換されたポリヒドロキシスチレン誘導体と、
（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有
する芳香族化合物とを主成分とする化学増幅ポジ型レジ
スト材料は、上記一般式（１）で示されるベース樹脂の
酸不安定基の効果及び（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯ
ＯＨで示される基を有する芳香族化合物の大きなアルカ
リ溶解性により、大きな溶解コントラストを有すると共
に、（Ｄ）成分の分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基
を有する芳香族化合物の窒化膜基板及び空気中からの塩
基性不純物の補足効果により、微細加工技術に適した高
解像性を有し、かつ窒化膜基板上での裾引き及びＰＥＤ
の改善効果に優れた化学増幅ポジ型レジスト材料として
好適である。
【００１１】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、３成分系
（ベース樹脂／酸発生剤／分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示
される基を有する芳香族化合物）もしくは４成分系（ベ
ース樹脂／酸発生剤／分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示され
る基を有する芳香族化合物／塩基性化合物（溶解制御
剤））として用いることができる。好ましくは３成分系
の化学増幅ポジ型レジスト材料として用いることが好適
である。このレジスト材料は、（Ａ）有機溶剤１５０〜
７００部（重量部、以下同じ）、特に２５０〜５００
部、（Ｂ）ベース樹脂７０〜９０部、特に７５〜８５
部、（Ｃ）酸発生剤０．５〜１５部、特に１〜８部、
（Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物０．１〜５部、特に１〜３部、（Ｅ）塩基性
化合物０〜２部、特に０．０１〜１部を混合したものが
好適である。
と、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、３成分系
（ベース樹脂／酸発生剤／分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示
される基を有する芳香族化合物）もしくは４成分系（ベ
ース樹脂／酸発生剤／分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示され
る基を有する芳香族化合物／塩基性化合物（溶解制御
剤））として用いることができる。好ましくは３成分系
の化学増幅ポジ型レジスト材料として用いることが好適
である。このレジスト材料は、（Ａ）有機溶剤１５０〜
７００部（重量部、以下同じ）、特に２５０〜５００
部、（Ｂ）ベース樹脂７０〜９０部、特に７５〜８５
部、（Ｃ）酸発生剤０．５〜１５部、特に１〜８部、
（Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物０．１〜５部、特に１〜３部、（Ｅ）塩基性
化合物０〜２部、特に０．０１〜１部を混合したものが
好適である。
【００１２】ここで、（Ａ）成分の有機溶剤としては、
シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、
４−ヘプタノンなどのケトン類、３−メトキシブタノー
ル、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキ
シ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノー
ルなどのアルコール類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルメ
チルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−メトキシ
エタン）、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエー
テルエチルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−エ
トキシエタン）などのエーテル類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビ
ン酸エチル、酢酸ブチル、メチル−３−メトキシプロピ
オネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、酢酸
ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、β
−メトキシイソ酪酸メチルなどのエステル類が挙げられ
る。これらの中では、レジスト成分の溶解性が優れてい
る１−エトキシ−２−プロパノール、もしくはレジスト
成分の溶解性、安全性が優れているプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート（α型、β型）が好ま
しく使用される。なお、上記有機溶剤は、１種を単独で
又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、
４−ヘプタノンなどのケトン類、３−メトキシブタノー
ル、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキ
シ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノー
ルなどのアルコール類、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルメ
チルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−メトキシ
エタン）、エチレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエー
テルエチルエーテル（１−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−エ
トキシエタン）などのエーテル類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビ
ン酸エチル、酢酸ブチル、メチル−３−メトキシプロピ
オネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、酢酸
ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、β
−メトキシイソ酪酸メチルなどのエステル類が挙げられ
る。これらの中では、レジスト成分の溶解性が優れてい
る１−エトキシ−２−プロパノール、もしくはレジスト
成分の溶解性、安全性が優れているプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート（α型、β型）が好ま
しく使用される。なお、上記有機溶剤は、１種を単独で
又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１３】上記（Ａ）成分としての有機溶剤の配合量
は、レジスト膜厚を０．４〜４μｍにするため、１５０
〜７００部が好ましく、より好ましくは２５０〜５００
部とするもので、１５０部に満たないとレジスト膜厚が
厚すぎて成膜性が悪くなる場合があり、７００部を超え
るとレジスト膜厚が薄すぎる場合がある。
は、レジスト膜厚を０．４〜４μｍにするため、１５０
〜７００部が好ましく、より好ましくは２５０〜５００
部とするもので、１５０部に満たないとレジスト膜厚が
厚すぎて成膜性が悪くなる場合があり、７００部を超え
るとレジスト膜厚が薄すぎる場合がある。
【００１４】（Ｂ）成分のベース樹脂としては、下記一
般式（１）、好ましくは下記一般式（３）で示される重
量平均分子量が３，０００〜３００，０００の高分子化
合物が使用される。
般式（１）、好ましくは下記一般式（３）で示される重
量平均分子量が３，０００〜３００，０００の高分子化
合物が使用される。
【００１５】
【化９】
【００１６】上記式において、Ｒ1は水素原子又はメチ
ル基である。Ｒ2は下記一般式（２）で示される基、Ｒ3
はＲ2とは異なる酸不安定基であり、Ｒ2と異なる限り、
式（２）で示される基であってもよい。
ル基である。Ｒ2は下記一般式（２）で示される基、Ｒ3
はＲ2とは異なる酸不安定基であり、Ｒ2と異なる限り、
式（２）で示される基であってもよい。
【００１７】
【化１０】
【００１８】ここで式（２）において、Ｒ4、Ｒ5はそれ
ぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基、Ｒ6は炭素数１〜１０の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又はＲ
4とＲ5、Ｒ4とＲ6又はＲ5とＲ6とは環を形成してもよ
い。環を形成する場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6はそれぞれ独立
して炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン
基を示す。
ぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基、Ｒ6は炭素数１〜１０の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又はＲ
4とＲ5、Ｒ4とＲ6又はＲ5とＲ6とは環を形成してもよ
い。環を形成する場合、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6はそれぞれ独立
して炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン
基を示す。
【００１９】具体的に式（２）の基としては、１−エト
キシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉｓ
ｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、
１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基、１−ｓｅｃ−ブトキシ
エチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−ｔｅ
ｒｔ−アミロキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピ
ル基、１−シクロヘキシロキシエチル基等の直鎖状もし
くは分岐状アセタール基、テトラヒドロフラニル基、テ
トラヒドロピラニル基等の環状のアセタール基などが挙
げられ、好ましくは１−エトキシエチル基、１−ｎ−ブ
トキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基が挙げ
られる。
キシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉｓ
ｏ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、
１−ｉｓｏ−ブトキシエチル基、１−ｓｅｃ−ブトキシ
エチル基、１−ｔｅｒｔ−ブトキシエチル基、１−ｔｅ
ｒｔ−アミロキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピ
ル基、１−シクロヘキシロキシエチル基等の直鎖状もし
くは分岐状アセタール基、テトラヒドロフラニル基、テ
トラヒドロピラニル基等の環状のアセタール基などが挙
げられ、好ましくは１−エトキシエチル基、１−ｎ−ブ
トキシエチル基、１−エトキシ−ｎ−プロピル基が挙げ
られる。
【００２０】従って、Ｒ2はこれらの基から選ぶことが
でき、Ｒ3もＲ2と異なるようにこれらの基から選ぶこと
ができるほか、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル
基等のｔｅｒｔ−ブチル誘導基、３−オキシシクロヘキ
シル基等のβ−ケトアルキル基等であってもよいが、好
ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である。
でき、Ｒ3もＲ2と異なるようにこれらの基から選ぶこと
ができるほか、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル
基等のｔｅｒｔ−ブチル誘導基、３−オキシシクロヘキ
シル基等のβ−ケトアルキル基等であってもよいが、好
ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である。
【００２１】ｘ、ｙはそれぞれ０又は正数であるが、
ｘ、ｙが同時に０となることはなく、ｚは正数である。
これらの組成比は０≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、好
ましくは０．１≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．４、０≦ｙ
／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、好ましくは０≦ｙ／（ｘ＋
ｙ＋ｚ）≦０．２、０．４≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．
９、好ましくは０．６≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．８で
ある。ｘの全体（ｘ＋ｙ＋ｚ、以下同様）に対する割合
が０．５を、ｙの全体に対する割合が０．５を、ｚの全
体に対する割合が０．９を超えるか、或いはｚの全体に
対する割合が０．４に満たないと、アルカリ溶解速度の
コントラストが小さくなり、解像度が悪くなる場合があ
る。ｘ、ｙ、ｚはその値を上記範囲内で適宜選定するこ
とによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロ
ールを任意に行うことができる。
ｘ、ｙが同時に０となることはなく、ｚは正数である。
これらの組成比は０≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、好
ましくは０．１≦ｘ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．４、０≦ｙ
／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．５、好ましくは０≦ｙ／（ｘ＋
ｙ＋ｚ）≦０．２、０．４≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．
９、好ましくは０．６≦ｚ／（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．８で
ある。ｘの全体（ｘ＋ｙ＋ｚ、以下同様）に対する割合
が０．５を、ｙの全体に対する割合が０．５を、ｚの全
体に対する割合が０．９を超えるか、或いはｚの全体に
対する割合が０．４に満たないと、アルカリ溶解速度の
コントラストが小さくなり、解像度が悪くなる場合があ
る。ｘ、ｙ、ｚはその値を上記範囲内で適宜選定するこ
とによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロ
ールを任意に行うことができる。
【００２２】このような上記式（１）の化合物は、重量
平均分子量が３，０００〜３００，０００、好ましくは
５，０００〜３０，０００である必要がある。重量平均
分子量が３，０００に満たないとレジスト材料が耐熱性
に劣るものとなり、３００，０００を超えるとアルカリ
溶解性が低下し、解像性が悪くなる。
平均分子量が３，０００〜３００，０００、好ましくは
５，０００〜３０，０００である必要がある。重量平均
分子量が３，０００に満たないとレジスト材料が耐熱性
に劣るものとなり、３００，０００を超えるとアルカリ
溶解性が低下し、解像性が悪くなる。
【００２３】更に、本発明のベース樹脂においては、分
子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は低分子量や高分子
量のポリマーが存在し、低分子量のポリマーが多く存在
すると耐熱性が低下する場合があり、高分子量のポリマ
ーが多く存在するとアルカリに対して溶解し難いものを
含み、パターン形成後の裾引きの原因となる場合があ
る。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこの
ような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いこと
から、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト
材料を得るには、ベース樹脂の分子量分布は１．０〜
１．５、特に１．０〜１．３の狭分散であることが好ま
しい。なお、ベース樹脂の添加量は７０〜９０部、特に
７５〜８５部が好適である。
子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は低分子量や高分子
量のポリマーが存在し、低分子量のポリマーが多く存在
すると耐熱性が低下する場合があり、高分子量のポリマ
ーが多く存在するとアルカリに対して溶解し難いものを
含み、パターン形成後の裾引きの原因となる場合があ
る。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこの
ような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いこと
から、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト
材料を得るには、ベース樹脂の分子量分布は１．０〜
１．５、特に１．０〜１．３の狭分散であることが好ま
しい。なお、ベース樹脂の添加量は７０〜９０部、特に
７５〜８５部が好適である。
【００２４】（Ｃ）成分の酸発生剤としては、例えばト
リフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン
酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨード
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルス
ルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブト
キシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニ
ルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−
トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸
トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウ
ム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホ
ニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トル
エンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシク
ロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニル
スルホニウム等のオニウム塩、２−シクロヘキシルカル
ボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２
−ｉｓｏ−プロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンス
ルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体、ビス
（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブ
チルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導
体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスルホ
ン等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，
６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４
−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘
導体、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンス
ルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エ
ステル誘導体、フタルイミド−イル−トリフレート、フ
タルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−
２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５
−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−
トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシ
イミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート等のイミド−イ
ル−スルホネート誘導体等が挙げられるが、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ス
ルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスル
ホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエ
ンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）スルホニウムが好ましく用いられる。なお、上記酸
発生剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用
いることができる。
リフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン
酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨード
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルス
ルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブト
キシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニ
ルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−
トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸
トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウ
ム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホ
ニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル
（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トル
エンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシク
ロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスル
ホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウ
ム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニル
スルホニウム等のオニウム塩、２−シクロヘキシルカル
ボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２
−ｉｓｏ−プロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンス
ルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体、ビス
（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブ
チルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導
体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスルホ
ン等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，
６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４
−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘
導体、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）
ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンス
ルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−
トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エ
ステル誘導体、フタルイミド−イル−トリフレート、フ
タルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−
２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５
−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−
トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシ
イミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート等のイミド−イ
ル−スルホネート誘導体等が挙げられるが、トリフルオ
ロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフ
ルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェ
ニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンス
ルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ス
ルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスル
ホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエ
ンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニ
ル）スルホニウムが好ましく用いられる。なお、上記酸
発生剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用
いることができる。
【００２５】酸発生剤の添加量は、好ましくは０．５〜
１５部、より好ましくは１〜８部である。０．５部より
少ないと感度が悪い場合があり、１５部より多いとアル
カリ溶解速度が低下することによってレジスト材料の解
像性が低下する場合があり、またモノマー成分が過剰と
なるために耐熱性が低下する場合がある。
１５部、より好ましくは１〜８部である。０．５部より
少ないと感度が悪い場合があり、１５部より多いとアル
カリ溶解速度が低下することによってレジスト材料の解
像性が低下する場合があり、またモノマー成分が過剰と
なるために耐熱性が低下する場合がある。
【００２６】（Ｄ）成分は分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示
される基を有する芳香族化合物であり、例えば下記Ｉ群
及びＩＩ群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を使
用することができるが、これらに限定されるものではな
い。 〔Ｉ群〕下記一般式（４）〜（１３）で示される化合物
のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を−Ｒ
13 −ＣＯＯＨ（Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐
状のアルキレン基）により置換してなり、かつ分子中の
フェノール性水酸基Ａと≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基Ｂ
とのモル比率がＢ／（Ａ＋Ｂ）＝０．１〜１．０である
化合物。 〔ＩＩ群〕下記一般式（１４）〜（１５）で示される化
合物。
される基を有する芳香族化合物であり、例えば下記Ｉ群
及びＩＩ群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を使
用することができるが、これらに限定されるものではな
い。 〔Ｉ群〕下記一般式（４）〜（１３）で示される化合物
のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を−Ｒ
13 −ＣＯＯＨ（Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐
状のアルキレン基）により置換してなり、かつ分子中の
フェノール性水酸基Ａと≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基Ｂ
とのモル比率がＢ／（Ａ＋Ｂ）＝０．１〜１．０である
化合物。 〔ＩＩ群〕下記一般式（１４）〜（１５）で示される化
合物。
【００２７】
【化１１】
【００２８】
【化１２】 （但し、式中Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ7、
Ｒ8はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、Ｒ9は水
素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ13）r−ＣＯＯＲ’
基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ13 −ＣＯＯＨ）であり、Ｒ
10は−（ＣＨ2）t−（ｔ＝２〜１０）、炭素数６〜１０
のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原
子又は硫黄原子、Ｒ11は炭素数１〜１０のアルキレン
基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素
原子又は硫黄原子、Ｒ12は水素原子又は炭素数１〜８の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞ
れ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基であ
り、Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキ
レン基、Ｒ14は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基、−Ｒ13−ＣＯＯ
Ｈ基である。ｓは０〜５の整数であり、ｒは０又は１で
ある。ｐ１、ｑ１、ｐ２、ｑ２、ｐ３、ｑ３、ｐ４、ｑ
４はそれぞれｐ１＋ｑ１＝８、ｐ２＋ｑ２＝５、ｐ３＋
ｑ３＝４、ｐ４＋ｑ４＝６を満足し、かつ各フェニル骨
格中に少なくとも１つの水酸基を有するような数であ
る。αは式（９）の化合物を重量平均分子量１，０００
〜５，０００とする数、βは式（１０）の化合物を重量
平均分子量１，０００〜１０，０００とする数であ
る。）
Ｒ8はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、Ｒ9は水
素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ13）r−ＣＯＯＲ’
基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ13 −ＣＯＯＨ）であり、Ｒ
10は−（ＣＨ2）t−（ｔ＝２〜１０）、炭素数６〜１０
のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原
子又は硫黄原子、Ｒ11は炭素数１〜１０のアルキレン
基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素
原子又は硫黄原子、Ｒ12は水素原子又は炭素数１〜８の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞ
れ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基であ
り、Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキ
レン基、Ｒ14は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基、−Ｒ13−ＣＯＯ
Ｈ基である。ｓは０〜５の整数であり、ｒは０又は１で
ある。ｐ１、ｑ１、ｐ２、ｑ２、ｐ３、ｑ３、ｐ４、ｑ
４はそれぞれｐ１＋ｑ１＝８、ｐ２＋ｑ２＝５、ｐ３＋
ｑ３＝４、ｐ４＋ｑ４＝６を満足し、かつ各フェニル骨
格中に少なくとも１つの水酸基を有するような数であ
る。αは式（９）の化合物を重量平均分子量１，０００
〜５，０００とする数、βは式（１０）の化合物を重量
平均分子量１，０００〜１０，０００とする数であ
る。）
【００２９】
【化１３】 （Ｒ7，Ｒ8，Ｒ13，ｒは上記と同様の意味を示す。ｐ
５，ｑ５は、ｐ５≧０、ｑ５≧０で、ｐ５＋ｑ５＝５を
満足する数である。）
５，ｑ５は、ｐ５≧０、ｑ５≧０で、ｐ５＋ｑ５＝５を
満足する数である。）
【００３０】上記（Ｄ）成分として、具体的には下記一
般式Ｉ−１〜１４及びＩＩ−１〜６で示される化合物を
挙げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
般式Ｉ−１〜１４及びＩＩ−１〜６で示される化合物を
挙げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
【００３１】
【化１４】
【００３２】
【化１５】
【００３３】
【化１６】 （但し、Ｒ”は水素原子又はＣＨ2ＣＯＯＨ基を示し、
各化合物においてＲ”の１０〜１００モル％はＣＨ2Ｃ
ＯＯＨ基である。）
各化合物においてＲ”の１０〜１００モル％はＣＨ2Ｃ
ＯＯＨ基である。）
【００３４】
【化１７】
【００３５】なお、上記分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示さ
れる基を有する芳香族化合物は、１種を単独で又は２種
以上を組み合わせて用いることができる。上記分子内に
≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合物の添
加量は、好ましくは０．１〜５部、より好ましくは１〜
３部である。０．１部より少ないと窒化膜基板上での裾
引き及びＰＥＤの改善効果が十分に得られない場合があ
り、５部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場
合がある。
れる基を有する芳香族化合物は、１種を単独で又は２種
以上を組み合わせて用いることができる。上記分子内に
≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合物の添
加量は、好ましくは０．１〜５部、より好ましくは１〜
３部である。０．１部より少ないと窒化膜基板上での裾
引き及びＰＥＤの改善効果が十分に得られない場合があ
り、５部より多いとレジスト材料の解像性が低下する場
合がある。
【００３６】更に、本発明のレジスト材料には、（Ｅ）
添加剤として塩基性化合物を配合することができる。
添加剤として塩基性化合物を配合することができる。
【００３７】この（Ｅ）添加剤として配合される塩基性
化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡
散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適
しており、このような塩基性化合物の配合により、レジ
スト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上
し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性
を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向
上することができる。
化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡
散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適
しており、このような塩基性化合物の配合により、レジ
スト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上
し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性
を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向
上することができる。
【００３８】このような塩基性化合物としては、第１
級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
【００３９】具体的には、第１級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、ｉｓｏ−プロピルアミン、ｎ−ブチルア
ミン、ｉｓｏ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、
ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−
アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチル
アミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミ
ン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミ
ン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第２級の
脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｉｓｏ−プロピルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｉｓｏ−ブチルアミ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジ
シクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、
ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、
ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
テトラエチレンペンタミン等が例示され、第３級の脂肪
族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｉｓｏ−プロピ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｉｓｏ−ブ
チルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチ
ルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルア
ミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミ
ン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシ
ルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペン
タミン等が例示される。
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン、ｉｓｏ−プロピルアミン、ｎ−ブチルア
ミン、ｉｓｏ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、
ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−
アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチル
アミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミ
ン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミ
ン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第２級の
脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｉｓｏ−プロピルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｉｓｏ−ブチルアミ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジ
シクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、
ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、
ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
テトラエチレンペンタミン等が例示され、第３級の脂肪
族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｉｓｏ−プロピ
ルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｉｓｏ−ブ
チルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチ
ルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルア
ミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミ
ン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシ
ルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペン
タミン等が例示される。
【００４０】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族、複素環アミン類の具体例と
しては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチル
アニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、
３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニ
リン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニ
トロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリ
ン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニ
リン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルト
ルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチ
ルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレン
ジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロ
ール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メ
チルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジ
メチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾー
ル誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール
等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチア
ゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニ
ルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導
体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１
−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジ
ン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチル
ピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン
誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリ
ジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリ
ジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチル
ピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、
フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジ
ン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジ
ン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピ
リジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリド
ン、４−ピロリジニピリジン、１−メチル−４−フェニ
ルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、ア
ミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾ
リン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、
ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導
体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導
体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリ
ン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘
導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサ
リン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリ
ジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘
導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０
−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシ
ン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシ
ル誘導体、ウリジン誘導体などが例示される。
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族、複素環アミン類の具体例と
しては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチル
アニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、
３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニ
リン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニ
トロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリ
ン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニ
リン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルト
ルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチ
ルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレン
ジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロ
ール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メ
チルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジ
メチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾー
ル誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール
等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチア
ゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニ
ルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導
体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１
−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジ
ン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチル
ピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン
誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリ
ジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリ
ジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチル
ピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、
フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジ
ン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジ
ン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピ
リジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリド
ン、４−ピロリジニピリジン、１−メチル−４−フェニ
ルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、ア
ミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾ
リン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、
ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導
体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導
体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリ
ン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘
導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサ
リン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリ
ジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘
導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０
−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシ
ン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシ
ル誘導体、ウリジン誘導体などが例示される。
【００４１】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシア
ラニン）などが例示され、スルホニル基を有する含窒素
化合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸ピリジニウムなどが例示され、ヒドロキシ基を
有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含
窒素化合物、アルコール性含窒素化合物として、２−ヒ
ドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリ
ンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、ト
リエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノ
ールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミ
ノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−ア
ミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）
モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、
１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−
（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペ
リジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロ
リジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジ
ノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３
−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、３−クイヌ
クリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピ
ロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−
（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）イソニコチンアミドなどが例示され
る。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセト
アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示
される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシ
ンイミド、マレイミド等が例示される。特にトリエチル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピロリ
ドン、ピリジン、キノリン、ニコチン酸、トリエタノー
ルアミン、ピペリジンエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、サクシンイミド等が好ましい。
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシア
ラニン）などが例示され、スルホニル基を有する含窒素
化合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸ピリジニウムなどが例示され、ヒドロキシ基を
有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含
窒素化合物、アルコール性含窒素化合物として、２−ヒ
ドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリ
ンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、ト
リエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノ
ールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミ
ノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−ア
ミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）
モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、
１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−
（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペ
リジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロ
リジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジ
ノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３
−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、３−クイヌ
クリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピ
ロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−
（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）イソニコチンアミドなどが例示され
る。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセト
アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示
される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシ
ンイミド、マレイミド等が例示される。特にトリエチル
アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピロリ
ドン、ピリジン、キノリン、ニコチン酸、トリエタノー
ルアミン、ピペリジンエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、サクシンイミド等が好ましい。
【００４２】なお、上記塩基性化合物は１種を単独で又
は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合
量は０〜２部、特に０．０１〜１部を混合したものが好
適である。配合量が２部を超えると感度が低下しすぎる
場合がある。
は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合
量は０〜２部、特に０．０１〜１部を混合したものが好
適である。配合量が２部を超えると感度が低下しすぎる
場合がある。
【００４３】本発明のレジスト材料には、上記成分以外
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤、基板よりの乱反射の影響を少なくする
ために慣用されている吸光性材料などの添加剤を添加す
ることができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の
効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。
に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されて
いる界面活性剤、基板よりの乱反射の影響を少なくする
ために慣用されている吸光性材料などの添加剤を添加す
ることができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の
効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。
【００４４】ここで、界面活性剤としては、パーフルオ
ロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化ア
ルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイ
ドなどが挙げられ、吸光性材料としては、ジアリールス
ルホキシド、ジアリールスルホン、９，１０−ジメチル
アントラセン、９−フルオレノン等が挙げられる。
ロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化ア
ルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイ
ドなどが挙げられ、吸光性材料としては、ジアリールス
ルホキシド、ジアリールスルホン、９，１０−ジメチル
アントラセン、９−フルオレノン等が挙げられる。
【００４５】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料を使
用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー
技術を採用して行うことができ、例えば窒化膜基板（チ
タンナイトライド基板、シリコンナイトライド基板等）
上へスピンコーティングし、０．５〜２．０μｍに塗布
して８０〜１２０℃でプリベークした後、遠紫外線、電
子線、Ｘ線等の高エネルギー線を照射して露光後、７０
〜１２０℃で３０〜２００秒間ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）し、次いでアルカリ水溶液で
現像することにより行うことができる。なお、本発明の
レジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜
１９３ｎｍの遠紫外線及びＸ線による微細パターニング
に最適である。
用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー
技術を採用して行うことができ、例えば窒化膜基板（チ
タンナイトライド基板、シリコンナイトライド基板等）
上へスピンコーティングし、０．５〜２．０μｍに塗布
して８０〜１２０℃でプリベークした後、遠紫外線、電
子線、Ｘ線等の高エネルギー線を照射して露光後、７０
〜１２０℃で３０〜２００秒間ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）し、次いでアルカリ水溶液で
現像することにより行うことができる。なお、本発明の
レジスト材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜
１９３ｎｍの遠紫外線及びＸ線による微細パターニング
に最適である。
【００４６】
【発明の効果】本発明のレジスト材料は、化学増幅ポジ
型レジスト材料として高エネルギー線、特にＫｒＦエキ
シマレーザー及びＸ線に感応し、感度、解像性、プラズ
マエッチング耐性に優れ、しかも窒化膜基板上での裾引
き及びＰＥＤの改善効果にも優れている。
型レジスト材料として高エネルギー線、特にＫｒＦエキ
シマレーザー及びＸ線に感応し、感度、解像性、プラズ
マエッチング耐性に優れ、しかも窒化膜基板上での裾引
き及びＰＥＤの改善効果にも優れている。
【００４７】
【実施例】以下、実施例と比較例を示して本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるもの
ではない。なお、各例において部はいずれも重量部であ
る。
的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるもの
ではない。なお、各例において部はいずれも重量部であ
る。
【００４８】［実施例、比較例］下記式（Ｐｏｌｙｍ．
１〜４）で示される部分的に水酸基の水素原子を酸不安
定基で置換したポリヒドロキシスチレン、下記式（ＰＡ
Ｇ．１〜４）で示されるオニウム塩から選ばれる酸発生
剤、下記式（ＡＣＣ．１〜５）で示される分子内に≡Ｃ
−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合物、表１に
示す塩基性化合物、更に界面活性剤フロラード「ＦＣ−
４３０」０．１部を表１に示す溶剤に溶解し、表１に示
す組成でレジスト液を調合した。
１〜４）で示される部分的に水酸基の水素原子を酸不安
定基で置換したポリヒドロキシスチレン、下記式（ＰＡ
Ｇ．１〜４）で示されるオニウム塩から選ばれる酸発生
剤、下記式（ＡＣＣ．１〜５）で示される分子内に≡Ｃ
−ＣＯＯＨで示される基を有する芳香族化合物、表１に
示す塩基性化合物、更に界面活性剤フロラード「ＦＣ−
４３０」０．１部を表１に示す溶剤に溶解し、表１に示
す組成でレジスト液を調合した。
【００４９】これらの各組成物を０．１μｍのテフロン
製フィルターで濾過することによりレジスト液を調製し
た。これをチタンナイトライド基板上へスピンコーティ
ングし、０．７μｍに塗布した。次いで、このチタンナ
イトライド基板を１００℃のホットプレートで９０秒間
ベークした。
製フィルターで濾過することによりレジスト液を調製し
た。これをチタンナイトライド基板上へスピンコーティ
ングし、０．７μｍに塗布した。次いで、このチタンナ
イトライド基板を１００℃のホットプレートで９０秒間
ベークした。
【００５０】次に、エキシマレーザーステッパー（ニコ
ン社、ＮＳＲ ２００５ＥＸ ＮＡ＝０．５）を用いて
露光し、１１０℃で９０秒間ベークを施し、２．３８％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現
像を行うと、ポジ型のパターンを得ることができた。
ン社、ＮＳＲ ２００５ＥＸ ＮＡ＝０．５）を用いて
露光し、１１０℃で９０秒間ベークを施し、２．３８％
のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現
像を行うと、ポジ型のパターンを得ることができた。
【００５１】得られたレジストパターンを次のように評
価した。感度（Ｅｔｈ）を求めた。次に０．２６μｍの
ラインアンドスペースのトップとボトムを１：１で解像
する露光量を最適露光量（感度：Ｅｏｐ）として、この
露光量における分離しているラインアンドスペースの最
小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像した
レジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いて
観察した。レジストのＰＥＤ安定性は、最適露光量で露
光後、放置時間を変えＰＥＢを行い、レジストパターン
の形状の変化が観察された時間、例えば、ラインパター
ンがＴ−トップ形状になったり解像できなくなった時間
で評価した。即ち、この時間が長いほどＰＥＤ安定性に
富む。レジスト材料を表１、実施例、比較例の評価結果
を表２，３に示す。
価した。感度（Ｅｔｈ）を求めた。次に０．２６μｍの
ラインアンドスペースのトップとボトムを１：１で解像
する露光量を最適露光量（感度：Ｅｏｐ）として、この
露光量における分離しているラインアンドスペースの最
小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像した
レジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いて
観察した。レジストのＰＥＤ安定性は、最適露光量で露
光後、放置時間を変えＰＥＢを行い、レジストパターン
の形状の変化が観察された時間、例えば、ラインパター
ンがＴ−トップ形状になったり解像できなくなった時間
で評価した。即ち、この時間が長いほどＰＥＤ安定性に
富む。レジスト材料を表１、実施例、比較例の評価結果
を表２，３に示す。
【００５２】
【化１８】
【００５３】
【化１９】
【００５４】
【化２０】
【００５５】
【化２１】
【００５６】
【表１】 ＤＧＬＭ：２−メトキシエチルエーテル ＥＩＰＡ：１−エトキシ−２−プロパノール ＥＬ／ＢＡ：乳酸エチル（８５重量％）と酢酸ブチル
（１５重量％）の混合溶液 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート
（１５重量％）の混合溶液 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート
【００５７】
【表２】
【００５８】
【表３】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１０月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】
【化１２】 （但し、式中Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、
Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、Ｒ
９は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のア
ルキル基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ１３）ｒ−Ｃ
ＯＯＲ’基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ１３−ＣＯＯＨ）
であり、Ｒ１０は−（ＣＨ２）ｔ−（ｔ＝２〜１０）、
炭素数６〜１０のアリーレン基、カルボニル基、スルホ
ニル基、酸素原子又は硫黄原子、Ｒ１１は炭素数１〜１
０のアルキレン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、カ
ルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子、Ｒ
１２は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状の
アルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換され
たフェニル基又はナフチル基であり、Ｒ１３は炭素数１
〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、Ｒ１４は水
素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基、−Ｒ１３−ＣＯＯＨ基である。ｓ
は０〜５の整数であり、ｒは０又は１である。ｐ１、ｑ
１、ｐ２、ｑ２、ｐ３、ｑ３、ｐ４、ｑ４はそれぞれｐ
１＋ｑ１＝８、ｐ２＋ｑ２＝５、ｐ３＋ｑ３＝４、ｐ４
＋ｑ４＝６を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくと
も１つの水酸基を有するような数である。αは式（９）
の化合物を重量平均分子量１，０００〜５，０００とす
る数、βは式（１０）の化合物を重量平均分子量１，０
００〜１０，０００とする数である。）
Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、Ｒ
９は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のア
ルキル基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ１３）ｒ−Ｃ
ＯＯＲ’基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ１３−ＣＯＯＨ）
であり、Ｒ１０は−（ＣＨ２）ｔ−（ｔ＝２〜１０）、
炭素数６〜１０のアリーレン基、カルボニル基、スルホ
ニル基、酸素原子又は硫黄原子、Ｒ１１は炭素数１〜１
０のアルキレン基、炭素数６〜１０のアリーレン基、カ
ルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子、Ｒ
１２は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状の
アルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換され
たフェニル基又はナフチル基であり、Ｒ１３は炭素数１
〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、Ｒ１４は水
素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基、−Ｒ１３−ＣＯＯＨ基である。ｓ
は０〜５の整数であり、ｒは０又は１である。ｐ１、ｑ
１、ｐ２、ｑ２、ｐ３、ｑ３、ｐ４、ｑ４はそれぞれｐ
１＋ｑ１＝８、ｐ２＋ｑ２＝５、ｐ３＋ｑ３＝４、ｐ４
＋ｑ４＝６を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくと
も１つの水酸基を有するような数である。αは式（９）
の化合物を重量平均分子量１，０００〜５，０００とす
る数、βは式（１０）の化合物を重量平均分子量１，０
００〜１０，０００とする数である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】
【化１４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】
【化１６】 （但し、Ｒ”は水素原子又はＣＨ２ＣＯＯＨ基を示し、
各化合物においてＲ”の１０〜１００モル％はＣＨ２Ｃ
ＯＯＨ基である。）
各化合物においてＲ”の１０〜１００モル％はＣＨ２Ｃ
ＯＯＨ基である。）
Claims (6)
- 【請求項１】 （Ａ）有機溶剤 （Ｂ）ベース樹脂として下記一般式（１）で示される重
量平均分子量が３，０００〜３００，０００である高分
子化合物 【化１】 【化２】 （Ｃ）酸発生剤 （Ｄ）分子内に≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基を有する芳
香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポ
ジ型レジスト材料。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分の高分子化合物が下記一般式
（３）で示される化合物である請求項１記載の化学増幅
ポジ型レジスト材料。 【化３】 （但し、式中Ｒ1、Ｒ2、ｘ、ｙ、ｚは上記と同様の意味
を示す。） - 【請求項３】 （Ｄ）成分の化合物が、下記Ｉ群及びＩ
Ｉ群から選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求
項１又は２記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。 〔Ｉ群〕下記一般式（４）〜（１３）で示される化合物
のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を−Ｒ
13 −ＣＯＯＨ（Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐
状のアルキレン基）により置換してなり、かつ分子中の
フェノール性水酸基Ａと≡Ｃ−ＣＯＯＨで示される基Ｂ
とのモル比率がＢ／（Ａ＋Ｂ）＝０．１〜１．０である
化合物。 〔ＩＩ群〕下記一般式（１４）〜（１５）で示される化
合物。 【化４】 【化５】 （但し、式中Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ7、
Ｒ8はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基であり、Ｒ9は水
素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基又はアルケニル基、或いは−（Ｒ13）r−ＣＯＯＲ’
基（Ｒ’は水素原子又は−Ｒ13 −ＣＯＯＨ）であり、Ｒ
10は−（ＣＨ2）t−（ｔ＝２〜１０）、炭素数６〜１０
のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原
子又は硫黄原子、Ｒ11は炭素数１〜１０のアルキレン
基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素
原子又は硫黄原子、Ｒ12は水素原子又は炭素数１〜８の
直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞ
れ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基であ
り、Ｒ13は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキ
レン基、Ｒ14は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状又は
分岐状のアルキル基又はアルケニル基、−Ｒ13−ＣＯＯ
Ｈ基である。ｓは０〜５の整数であり、ｒは０又は１で
ある。ｐ１、ｑ１、ｐ２、ｑ２、ｐ３、ｑ３、ｐ４、ｑ
４はそれぞれｐ１＋ｑ１＝８、ｐ２＋ｑ２＝５、ｐ３＋
ｑ３＝４、ｐ４＋ｑ４＝６を満足し、かつ各フェニル骨
格中に少なくとも１つの水酸基を有するような数であ
る。αは式（９）の化合物を重量平均分子量１，０００
〜５，０００とする数、βは式（１０）の化合物を重量
平均分子量１，０００〜１０，０００とする数であ
る。） 【化６】 （Ｒ7，Ｒ8，Ｒ13，ｒは上記と同様の意味を示す。ｐ
５，ｑ５は、ｐ５≧０、ｑ５≧０で、ｐ５＋ｑ５＝５を
満足する数である。） - 【請求項４】 （Ｂ）成分のベース樹脂の分子量分布が
１．０〜１．５の狭分散ポリマーである請求項１乃至３
のいずれか１項記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。 - 【請求項５】 （Ｅ）成分として塩基性化合物を配合し
た請求項１乃至４のいずれか１項記載の化学増幅ポジ型
レジスト材料。 - 【請求項６】 （Ｃ）成分の酸発生剤がオニウム塩であ
る請求項１乃至５のいずれか１項記載の化学増幅ポジ型
レジスト材料。
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