JPH10206202A - 複合センサ - Google Patents

複合センサ

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JPH10206202A
JPH10206202A JP1117797A JP1117797A JPH10206202A JP H10206202 A JPH10206202 A JP H10206202A JP 1117797 A JP1117797 A JP 1117797A JP 1117797 A JP1117797 A JP 1117797A JP H10206202 A JPH10206202 A JP H10206202A
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diaphragm
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composite sensor
pressure
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Toshio Honma
敏男 本間
Takeshi Abe
毅 阿部
Hiroshi Kodama
博志 小玉
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Nagano Keiki Co Ltd
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Nagano Keiki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構造であり、小型化が容易な複合センサ
の提供。 【解決手段】流体の静圧を受けて変形するダイアフラム
部30の中心部分に、流体の動圧を受けてダイアフラム部
30を変形させるカンチレバー部20を垂直に連結し、ダイ
アフラム部30の機械的変位を検出する複数の歪みゲージ
GP1〜GP4,GF1〜GF4を、ダイアフラム部30の表面に
十文字状に配列する。これにより、流体の圧力(静圧)
測定と、流体の動圧検出に基づく流量測定との両方が可
能となるうえ、ダイアフラム部30およびカンチレバー部
20のみが主要な機械部品となり、簡単な構造となる。ま
た、ダイアフラム部30には、プラズマCVD等で歪みゲ
ージGP1〜GP4,GF1〜GF4を容易に形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】管路等を流れる液体や気体等
の流体について、その流量と圧力とを同時に測定するた
めの複合センサに関する。
【0002】
【背景技術】液体や気体等の流体は、その体積が圧力や
温度等により変動することから、その流量測定において
は、圧力測定と温度測定とを同時に行い、これらの圧力
測定値および温度測定値に基づき、流量測定値を所定の
状態の体積に補正しなければならないことがある。特
に、気体は、その体積が圧力や温度等により、著しく変
動することから、流量測定値を標準状態の体積に補正す
ることが重要となっている。このような補正を伴う流量
測定を行うにあたり、流量センサ、圧力センサおよび温
度センサを別々に設けたのでは、各センサの取付作業が
煩雑となるうえ、場合によっては、望ましい位置に集中
して設けることができず、同じ機材を用いても測定値が
異なってしまう。特に、流量センサと圧力センサとは、
同一箇所に設けることが望ましいが、通常のものは、同
一箇所に設けることが困難となっている。
【0003】そこで、流量センサおよび圧力センサを一
体化し、前述のような問題の解決を図った装置(特階昭
63-70121号公報)が知られている。この装置には、流体
を流通させる筒部の内部に挿入される垂直バーを、前記
筒部の外部において当該筒部と平行に配置される水平バ
ーの中心部に連結したT字形アームが備えられている。
T字形アームの水平バーの両端は、支柱を介して前記筒
部に連結されている。そして、これらの支柱には、第1
および第2の荷重センサがそれぞれ取り付けられてい
る。垂直バーの基端の近傍部分には、流体の流動方向と
平行に形成された鍔状の円盤部が設けられている。ま
た、垂直バーの先端部分には、流体の流動方向と正対す
る受圧面が設けられている。筒部には、垂直バーを挿通
させる開口が設けられている。この開口には、蛇腹筒の
一端が接続されている。この蛇腹筒の他端は、垂直バー
の円盤部で塞がれている。このような装置によれば、流
体の圧力(静圧)が円盤部で受けとめられ、第1および
第2の荷重センサの両方を同方向に変形させるので、こ
れらの荷重センサからの測定値の和に基づいて、流体の
圧力を測定することができる。一方、受圧部で受けとめ
られる流体の動圧は、第1および第2の荷重センサを互
いに逆方向に変形させるので、これらの荷重センサで得
られる測定値の差から、流体の動圧が検出可能となって
いる。そして、検出された動圧に基づいて、流体の流
速、ひいては流量を測定することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような装置では、機械的な構成要素。部品を多く必要と
する構造となっていることから、組立作業に時間がかか
るうえ、荷重センサを支柱に接着剤等で取り付ける取付
作業に時間がかかり、その製造効率がよくないという問
題がある。また、部品を多く必要とする構造であるの
で、全体が大きくなりやすく、小型化が困難であるとい
う問題がある。
【0005】本発明の目的は、簡単な構造であり、小型
化が容易な複合センサを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、測定対象とな
る流体の流量と圧力とを同時に測定するための複合セン
サであって、前記流体が流れる方向と平行に配置される
とともに一面が当該流体に接するダイアフラム部と、こ
のダイアフラム部の前記一面に基端が接合されるととも
に先端が前記流体の流動方向と交差する方向に延びるカ
ンチレバー部と、前記ダイアフラム部の機械的変位に応
じて電気抵抗が変化するとともに当該ダイアフラム部の
表面に放射状に配列されている複数の歪みゲージとを備
えていることを特徴とする。このような本発明では、ダ
イアフラム部で流体の圧力(静圧)を受け、ダイアフラ
ム部の変位を、その表面に設けた歪みゲージで検出する
ことで、流体の圧力測定を行う。一方、流体の動圧は、
カンチレバー部で受けられ、このカンチレバー部がダイ
アフラム部に変位を生じさせ、この変位をダイアフラム
部の歪みゲージで検出する。これにより、流体の動圧検
出を行い、この動圧から流量を測定する。従って、主要
な機械部品としては、ダイアフラム部およびカンチレバ
ー部だけですみ、多くの部品を必要としない簡単な構造
となる。ダイアフラム部が弾性を有する平板状のもので
あることから、その表面に複数の歪みゲージを放射状に
設けるにあたり、真空蒸着法等のPVD(Physical Vap
our Deposition)や、プラズマCVD(Chemical Vapou
r Deposition)等の成膜法が容易に利用でき、歪みゲー
ジの成形の容易化を図ることができる。また、複数の歪
みゲージを放射状に配置することから、各歪みゲージ間
の位置が離隔し、これらの歪みゲージを成形するにあた
り、小型化しても相互に干渉することがなくなり、この
点からも製造が容易となる。
【0007】以上において、前記カンチレバー部には、
前記流体の流動方向と正対し、流動する前記流体を受け
る流体受面が備えられ、前記ダイアフラム部の表面に
は、前記歪みゲージとして、前記流体の圧力を受けるこ
とにより生じる当該ダイアフラム部の変位を検出するた
めに設けられた、複数の第1の歪みゲージと、前記カン
チレバー部の前記流体受面が前記流体を受けることによ
り生じる当該ダイアフラム部の変位を検出するために設
けられた、複数の第2の歪みゲージとが備えられ、前記
第1の歪みゲージは、前記流体の流動方向に直交する方
向に配列され、前記第2の歪みゲージは、前記流体の流
動方向に沿って配列されていることが望ましい。このよ
うにすれば、第1の歪みゲージが流体の圧力検出専用も
のもとなり、かつ、第2の歪みゲージが動圧検出専用の
ものとなり、当該センサからは、圧力信号および動圧信
号が別個に出力され、電気的処理が容易に行えるように
なり、当該センサの後段に接続される演算回路等の構成
が簡単なものとなる。そのうえ、第1の歪みゲージを流
体の流動方向に直交する方向に配列すれば、カンチレバ
ー部が動圧を受けることにより生ずるダイアフラム部の
変位が最小となる部分に、第1の歪みゲージを配置でき
るようになる。これにより、第1の歪みゲージは、動圧
に対する感度が低下するので、同一のダイアフラム部で
流量測定を行っても、その影響が低減される。そして、
第2の歪みゲージを流体の流動方向に直交する方向に配
列すれば、カンチレバー部が動圧を受けることにより生
ずるダイアフラム部の変位が、ダイアフラム部の前後で
逆方向となる位置に、第2の歪みゲージを配置すること
が可能となる。これにより、第2の歪みゲージの出力に
ついて、流体の圧力による成分を相殺することが可能と
なり、同一のダイアフラム部で圧力測定を行っても、そ
の影響が低減される。
【0008】また、前記ダイアフラム部には、中央部分
に厚さ寸法が周辺部分よりも大きい厚肉部が設けられ、
この厚肉部の前記流体が接する面に前記カンチレバー部
の基部が接合され、前記厚肉部の反対側の面に温度に応
じて電気抵抗が変化する温度検出部が設けられているこ
とが好ましい。このようにすれば、ダイアフラム部への
カンチレバー部の連結強度が十分確保されるようにな
り、当該センサの耐久性が確保されるようになるうえ、
流体の圧力などにより、温度検出部に変位が生じること
がなくなり、ダイアフラム部に温度検出部を設けても、
正確な温度測定が行えるようになる。
【0009】さらに、前記ダイアフラム部は、金属製の
ものとされ、このダイアフラム部の前記流体に接しない
面は、二酸化ケイ素の絶縁層で覆われ、前記歪みゲージ
は、前記絶縁層の上に形成されたシリコン薄膜とするこ
とが望ましい。このようにすれば、PVDやCVD等の
製膜法および写真製版の技術を利用することが容易に行
えるようになり、歪みゲージ付のダイアフラム部を超小
型化できるうえに、大量生産することも可能となる。
【0010】また、前記複数の歪みゲージは、前記ダイ
アフラム部の変形により圧縮力を受ける位置、および、
同ダイアフラム部の変形により張力を受ける位置の両方
にそれぞれ設けられていることが好ましい。このように
すれば、カンチレバー部が動圧を受けることにより生ず
るダイアフラム部の変位を第1の歪みゲージが検出して
も、当該変位による電気的な変化を相殺することが可能
となり、同一のダイアフラム部で流量測定を行っている
ことの影響が最小限となる。一方、第2の歪みゲージ
は、流体の圧力により生ずるダイアフラム部の変位を検
出しても、当該変位による電気的な変化を相殺すること
が可能となり、同一のダイアフラム部で圧力測定を行っ
ていることの影響が最小限となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図
面に基づいて説明する。図1および図2には、本実施形
態に係る複合センサ1が示されている。この複合センサ
1は、測定対象となる流体を流通させる配管に接続され
る筒体10に、流量と圧力とを同時に測定するための仕組
みを設けたものである。筒体10の内部には、前述の流体
が通る流路11が設けられ、この流路11両端には、配管を
接続するための接続部12が設けられている。接続部12
は、内周面側の雌ねじ部13と、外周面側の工具係合部14
とを有したものである。雌ねじ部13は、内部に向かって
次第に直径が小さくなったもので、いわゆるテーパー雄
ねじと螺合するようになっている。工具係合部14は、六
角ナット状に形成されたものであり、スパナ等の工具と
係合するようになっている。筒体10の中間部分には、当
該筒体10の側壁15を貫通する開口部16が設けられてい
る。開口部16の周囲には、筒体10の外周面から突出する
立ち上がり部17が設けられている。
【0012】開口部16は、その内部に流路11を横断する
カンチレバー部20が挿入された状態で、円盤状のダイア
フラム部30で塞がれたものとなっている。ダイアフラム
部30の中心部分にカンチレバー部20が連結されるととも
に、ダイアフラム部30がリング状部材31を介して筒体10
の立ち上がり部17に連結されている。ここで、ダイアフ
ラム部30が変形することにより、カンチレバー部20の先
端側が回動するようになっている。また、流路11の内周
面には、 開口部16と対向する部分に凹部18が設けられ
ている。この凹部18は、内部にカンチレバー部20の先端
が挿入され、カンチレバー部20の回動量が過大にならな
いように抑制するストッパーとなっている。
【0013】カンチレバー部20は、その基端がダイアフ
ラム部30に接合されるとともに、先端が流体の流動方向
と交差する方向に延びる棒状のものとなっている。カン
チレバー部20の流路11内に収まる部分には、流体の流動
方向と正対し、当該流体を受ける流体受面21が設けられ
ている。なお、流体受面21は、カンチレバー部20が金属
製の丸棒である場合には、丸棒の所定箇所を押し潰すこ
とにより形成することができる。ダイアフラム部30は、
流路11内の流体が流れる方向と平行に配置されたもので
ある。ダイアフラム部30には、図3および図4に示され
るように、中央部分および周縁部分に、厚さ寸法の大き
い中央厚肉部32および周縁厚肉部33が設けられている。
これらの厚肉部32, 33の間には、厚さ寸法の小さい変形
薄肉部34が設けられている。このうち、中央厚肉部32
は、図中下方の面が流体と接する面となっており、こち
ら側の面に、前述のカンチレバー部20の基部が溶接によ
り接合されている。また、周縁厚肉部33には、筒体10に
溶接されるリング状部材31が、やはり溶接により接合さ
れている。ここで、ダイアフラム部30は、流路11内を流
体の圧力(静圧)およびカンチレバー部30の回動のいず
れによっても、変形薄肉部34が変位を生じるようになっ
ている。
【0014】ダイアフラム部30の流体と接しない面に
は、当該ダイアフラム部30の機械的変位に応じて電気抵
抗が変化する複数の歪みゲージGF1〜GF4, GP1〜GP4
と、温度に応じて電気抵抗が変化する温度検出部GTとが
設けられている。このうち、温度検出部GTは、ダイアフ
ラム部30の中央厚肉部32に設けられている。歪みゲージ
GP1〜GP4, GF1〜GF4は、ダイアフラム部30の変形薄
肉部34に放射状に配列されている。このうち、歪みゲー
ジGP1〜GP4は、流体の圧力を受けることにより生じる
ダイアフラム部30の変位を検出するために設けられた第
1の歪みゲージである。これらの歪みゲージGP1〜GP4
は、図5に示されるように、流体の流動方向に直交する
方向に一列に配列されている。一方、歪みゲージGF1〜
GF4は、カンチレバー部20の流体受面21が流体を受ける
ことにより生じるダイアフラム部30の変位を検出するた
めに設けられた第2の歪みゲージである。これらの歪み
ゲージGF1〜GF4は、流体の流動方向に沿って一列に配
列されている。
【0015】ここで、歪みゲージGP1,GP3は、図6に
示されるように、ダイアフラム部30の変形薄肉部34の内
周縁の近傍位置に設けられている。一方、歪みゲージGP
2,GP4は、変形薄肉部34の外周縁の近傍位置に設けら
れている。これにより、ダイアフラム部30が流体の圧力
(静圧)を受けて図中上方に変形すると、変形薄肉部34
の内周縁近傍の表面は、折れ曲がりの外側の面となるこ
とから、歪みゲージGP1,GP3に張力が加わるようにな
っている。また、ダイアフラム部30が前述の如く変形す
ると、変形薄肉部34の外周縁近傍の表面は、折れ曲がり
の内側の面となることから、歪みゲージGP2,GP4に圧
縮力が加わるようになっている。従って、流体の静圧に
よりダイアフラム部30が変形すると、歪みゲージGP1,
GP3は、電気抵抗が大きくなる一方、歪みゲージGP2,
GP4は、電気抵抗が小さくなるように配置されている。
【0016】歪みゲージGF1,GF3は、図7に示される
ように、ダイアフラム部30の変形薄肉部34の内周縁の近
傍位置に設けられ、歪みゲージGF2,GF4は、変形薄肉
部34の外周縁の近傍位置に設けられている。これによ
り、カンチレバー部20の流体受面21が流体の動圧を受
け、カンチレバー部20の先端が図中左方へ回動するのに
応じて、ダイアフラム部30が変形すると、変形薄肉部34
の図中左側の内周縁近傍および図中右側の外周縁近傍の
表面は、折れ曲がりの外側の面となることから、歪みゲ
ージGF1,GF4には、張力が加わるようになっている。
また、ダイアフラム部30が前述の如く変形すると、変形
薄肉部34の図中左側の外周縁近傍および図中右側の内周
縁近傍の表面は、折れ曲がりの内側の面となることか
ら、歪みゲージGF2,GF3には、圧縮力が加わるように
なっている。従って、流体の動圧によりダイアフラム部
30が変形すると、歪みゲージGF1,GF4は、電気抵抗が
大きくなる一方、歪みゲージGF2,GF3は、電気抵抗が
小さくなるように配置されている。
【0017】さらに、カンチレバー部20が流体の流動方
向と直交する方向へ回動するのに応じて、ダイアフラム
部30が変形すると、歪みゲージGP1〜GP4は、図7に示
される歪みゲージGF1〜GF4を歪みゲージGP1〜GP4に
置き換えた如く、歪みゲージGP1,GP4の電気抵抗が大
きくなる一方、歪みゲージGP2,GP3の電気抵抗が小さ
くなる。また、歪みゲージGF1〜GF4は、流体の静圧を
受けてダイアフラム部30が変形すると、図6に示される
歪みゲージGP1〜GP4を歪みゲージGF1〜GF4に置き換
えた如く、歪みゲージGF1,GF3の電気抵抗が大きくな
る一方、歪みゲージGF2,GF4の電気抵抗が小さくな
る。なお、ダイアフラム部30は、金属製のものとされて
いる。このダイアフラム部30の流体と接しない表面は、
二酸化ケイ素の絶縁層で覆われている。歪みゲージGP1
〜GP4,GF1〜GF4は、前述の絶縁層上にプラズマCV
D法により積層形成したシリコン薄膜を、写真食刻技術
により所定の平面形状に成形したものである。
【0018】図8には、歪みゲージGP1〜GP4の電気結
線が示されている。図において、歪みゲージGP1は、一
端が歪みゲージGP2の一端と、接続点aにおいて接続さ
れ、他端が歪みゲージGP4の一端と、接続点dにおいて
接続されている。歪みゲージGP2の他端は、歪みゲージ
GP3の一端と、接続点bにおいて接続されている。歪み
ゲージGP3の他端は、歪みゲージGP4の他端と、接続点
cにおいて接続されている。このような歪みゲージGP1
〜GP4の接続により、流体の圧力(静圧)を検出する圧
力検出部2が形成されている。圧力検出部2の接続点
b,dには、入力端子41, 42がそれぞれ接続され、これ
らの入力端子41, 42に所定の電圧が印化されるようにな
っている。圧力検出部2の接続点c,aには、出力端子
43, 44がそれぞれ接続され、これらの出力端子43, 44か
ら、流体の圧力に応じた電気信号が出力されるようにな
っている。
【0019】図9には、歪みゲージGF1〜GF4の電気的
な結線が示されている。図において、歪みゲージGF1
は、一端が歪みゲージGF2の一端と、接続点eにおいて
接続され、他端が歪みゲージGF3の一端と、接続点hに
おいて接続されている。歪みゲージGF2の他端は、歪み
ゲージGF4の一端と、接続点fにおいて接続されてい
る。歪みゲージGF4の他端は、歪みゲージGF3の他端
と、接続点gにおいて接続されている。このような歪み
ゲージGF1〜GF4の接続により、流体の静圧から流量を
検出する流量検出部3が形成されている。流量検出部3
の接続点f,hには、入力端子45, 46がそれぞれ接続さ
れ、これらの入力端子45, 46に所定の電圧が印化される
ようになっている。流量検出部3の接続点g,eには、
出力端子47, 48がそれぞれ接続され、これらの出力端子
47, 48から、流体の流量に応じた電気信号が出力される
ようになっている。
【0020】次に、本発明の動作について説明する。い
ま、ダイアフラム部30が流体の圧力を受けて図6の如
く、図中上方に変形したとすると、歪みゲージGP1,GP
3には、張力が加わり、歪みゲージGP2,GP4には、圧
縮力が加わるので、流体の圧力の強さに応じて、歪みゲ
ージGP1,GP3の電気抵抗が大きくなり、歪みゲージGP
2,GP4の電気抵抗が小さくなる。ここで、歪みゲージ
GP1〜GP4は、電気抵抗の変化分の絶対値が等しくなる
ように設定され、その絶対値がΔRであるとすると、図
8の如く、歪みゲージGP1,GP3の変化分は、+ΔRと
なり、歪みゲージGP2,GP4の変化分は、−ΔRとな
る。このため、接続点cの電位は上がり、接続点aの電
位は下がり、これにより、出力端子43, 44の間に、流体
の圧力に応じた電気信号が出力される一方、上述のよう
にダイアフラム部30が変形すると、歪みゲージGF1,GF
3の電気抵抗が大きくなり、歪みゲージGF2,GF4の電
気抵抗が小さくなる。ここで、歪みゲージGF1〜GF4
は、電気抵抗の変化分の絶対値が等しくなるように設定
され、その絶対値がΔRであるとすると、図9の如く、
歪みゲージGF1,GF3の変化分は、+ΔRとなり、歪み
ゲージGF2,GF4の変化分は、−ΔRとなる。このた
め、接続点g,eの電位がともに下がり、これにより、
流体の圧力でダイアフラム部30が変形しても、出力端子
47, 48の間には、何ら電気信号が発生しない。
【0021】次に、カンチレバー部20の流体受面21が流
体の動圧を受け、カンチレバー部20の先端が図中左方へ
回動するのに応じて、図7の如く、ダイアフラム部30が
変形したとすると、歪みゲージGF1,GF4には、張力が
加わり、歪みゲージGF2,GF3には、圧縮力が加わる。
これにより、流体の動圧の大きさに応じて、歪みゲージ
GF1,GF4の電気抵抗が大きくなり、歪みゲージGF2,
GF3の電気抵抗が小さくなる。ここで、歪みゲージGF1
〜GF4は、電気抵抗の変化分の絶対値が等しくなるよう
に設定され、その絶対値がΔrであるとすると、図9の
如く、歪みゲージGF1,GF4の変化分は、+Δrとな
り、歪みゲージGF2,GF3の変化分は、−Δrとなる。
このため、接続点gの電位は上がり、接続点eの電位は
下がり、これにより、出力端子47, 48の間に、流体の動
圧、すなわち流量に応じた電気信号が出力される。一
方、上述のようにダイアフラム部30が変形すると、歪み
ゲージGP1,GP4の電気抵抗が大きくなり、歪みゲージ
GP2,GP3の電気抵抗が小さくなる。ここで、歪みゲー
ジGP1〜GP4は、電気抵抗の変化分の絶対値が等しくな
るように設定され、その絶対値がΔrであるとすると、
図8の如く、歪みゲージGP1,GP4の変化分は、+Δr
となり、歪みゲージGP2,GP3の変化分は、−Δrとな
る。このため、接続点a,cの電位がともに下がり、こ
れにより、流体の動圧でダイアフラム部30が変形して
も、出力端子43, 44の間には、何ら電気信号が発生しな
い。
【0022】前述のような本実施形態によれば、次のよ
うな効果がある。すなわち、ダイアフラム部30で流体の
圧力を受け、ダイアフラム部30の変位を歪みゲージGP1
〜GP4で検出し、また、カンチレバー部20で流体の動圧
を受け、このカンチレバー部20でダイアフラム部30に変
位を生じさせ、この変位を歪みゲージGF1〜GF4で検出
し、さらに、ダイアフラム部30に設けた温度検出部GTで
流体の温度測定を行うようにしたので、流体の圧力、流
量および温度を同時に測定することができる。
【0023】また、ダイアフラム部30およびカンチレバ
ー部20で複合センサ1の主要構造を構成したので、他の
機械要素が不要となって部品数が低減され、複合センサ
1の構造が簡単なものとなり、製造の効率を向上できる
うえ、全体を小型化することができる。
【0024】さらに、ダイアフラム部30を平板状に形成
し、その表面に複数の歪みゲージGP1〜GP4, GF1〜GF
4を形成するにあたり、プラズマCVDおよび写真食刻
技術を利用したので、ダイアフラム部30が著しく小さな
ものであっても、歪みゲージGP1〜GP4, GF1〜GF4の
成形を容易に行うことができる。また、複数の歪みゲー
ジGP1〜GP4, GF1〜GF4を放射状に配置したので、そ
の間隔が拡大され、歪みゲージGP1〜GP4, GF1〜GF4
を成形するにあたり、ダイアフラム部30を超小型化して
も、写真食刻時に、歪みゲージGP1〜GP4, GF1〜GF4
が相互に干渉することがなく、この点からも製造が容易
となる。
【0025】また、歪みゲージGF1〜GF4を流体の流動
方向に沿って配列して、流体の動圧検出専用のものと
し、かつ、歪みゲージGP1〜GP4を流体の流動方向に直
交する方向に配列して、流体の静圧検出専用のものと
し、当該複合センサ1から動圧信号および静圧信号が別
個に出力されようにしたので、これらの信号の電気的処
理が容易となり、当該複合センサ1の後段に接続される
演算回路等の構成を簡単なものとできる。
【0026】さらに、カンチレバー部20に流体の流動方
向と正対して当該流体を受ける流体受面21を設けたこと
から、ダイアフラム部30に接合することによりカンチレ
バー部20を回動可能としても、流体の動圧によるカンチ
レバー部20の回動方向が一方向に決まり、流体の動圧に
よるダイアフラム部30の変位検出を歪みゲージGF1〜GF
4だけで検出することが可能となる。そのうえ、カンチ
レバー部20の前後に歪みゲージGF1〜GF4を配置し、前
後の歪みゲージGF1〜GF4の位置では、ダイアフラム部
30の変位が逆方向となるようにしたので、出力信号は、
流体の圧力による成分が相殺可能となり、流量測定およ
び圧力測定を同一のダイアフラム部30の変位に基づいて
行っても、相互に影響がでることがない。
【0027】特に、歪みゲージGP1,GP3,GF1,GF3
を変形薄肉部34の内周縁の近傍位置に設け、歪みゲージ
GP2,GP4,GF2,GF4を変形薄肉部34の外周縁の近傍
位置に設け、ダイアフラム部30の所定の変形に対して、
歪みゲージGP1,GP3,GF1,GF3には、張力が加わる
ようにするとともに、歪みゲージGP2,GP4,GF2,GF
4には、圧縮力が加わるようにし、かつ、歪みゲージGP
1〜GP4は、流体の動圧による成分が相殺されるように
結線し、歪みゲージGF1〜GF4は、流体の静圧による成
分が相殺されるように結線したので、流量測定および圧
力測定の間で、相互に影響がでることを確実に防止でき
る。
【0028】また、ダイアフラム部30の中央部分に、厚
さ寸法が周辺部分よりも大きい中央厚肉部32を設け、こ
の中央厚肉部32の一方の面にカンチレバー部20の基部を
接合し、中央厚肉部32の他方の面に温度検出部GTを設け
たので、ダイアフラム部30へのカンチレバー部20の連結
強度が十分確保され、複合センサ1の耐久性を向上する
ことができうるうえ、流体の圧力等で温度検出部GTに変
位が生じることがなくなるので、ダイアフラム部30に温
度検出部GTを設けても、流体の圧力等の影響を受けず、
正確に温度を測定できる。
【0029】さらに、ダイアフラム部30を金属製のもの
とし、このダイアフラム部30の表面を二酸化ケイ素の絶
縁層で覆い、この絶縁膜の上にシリコン薄膜製の歪みゲ
ージGP1〜GP4,GF1〜GF4を形成するにあたり、プラ
ズマCVDおよび写真食刻技術を利用したので、歪みゲ
ージ付のダイアフラム部30を超小型化できるうえに、大
量生産することができる。
【0030】以上、本発明について好適な実施形態を挙
げて説明したが、本発明は、この実施形態に限られるも
のでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の改良並びに設計の変更が可能である。例えば、ダイア
フラム部とカンチレバー部との接合部としては、互いの
接合部分を平面とし、これらの平面同士を突き合わせて
接合するものに限らず、図10に示されるように、カン
チレバー部20A の基端をテーパー状に形成し、ダイアフ
ラム部30A の中央厚肉部32A にカンチレバー部20A の基
端に応じたすり鉢状の凹部を設け、カンチレバー部20A
の基端を中央厚肉部32A の凹部に嵌合させた状態で溶接
した接合部でもよい。このようにすれば、ダイアフラム
部30A の周縁厚肉部33A の厚さ寸法が大きく、接合部の
横から水平にした溶接棒4を溶接部に近づけることがで
きなくとも、斜め方向から溶接棒4を接合部に近づける
ことができ、例えば、カンチレバー部20A と所定角度θ
をなすように、溶接棒4を接合部に近づけることが可能
となるので、溶接の便宜を図ることができる。なお、角
度θは、45度前後とするのが好ましい。
【0031】また、歪みゲージの数や配列としては、前
記実施形態で示した数や配列に限らず、二個以上の歪み
ゲージを有していれば、その配列には制限がなく、歪み
ゲージの数や配列は実施に当たり適宜選択できる。しか
しながら、前記実施形態のようにすれば、流量測定およ
び圧力測定の間で、相互に影響がでることを確実に防止
できるという効果が得られる。さらに、温度検出部は、
省略してもよく、設置する場合には、その設置位置は、
ダイアフラム部に限定されず、筒体に設けてもよいが、
ダイアフラム部に設ければ、前述の実施形態の如く製造
が容易となる。また、ダイアフラム部としては、金属製
のものに限らず、セラミック製のものなどでもよく、ダ
イヤフラム部の材質は、実施にあたり適宜選択できる。
さらに、ダイアフラム部の絶縁層は、二酸化ケイ素製の
ものに限らず、合成樹脂製のものでもよい。なお、ダイ
アフラム部の材質として、セラミック製等の電気絶縁体
を採用すれば、絶縁層は省略できる。また、歪みゲージ
としては、シリコン薄膜で形成したものに限らず、金属
皮膜のものなどでもよく、歪みゲージの材質は、実施に
あたり適宜選択できる。
【0032】
【発明の効果】前述のように、本発明によれば、その構
造を簡単なものとできるうえ、製造効率が向上し、か
つ、小型化や量産化を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の全体を示す断面図であ
る。
【図2】図1で示した前記実施形態の側面図である。
【図3】図2のIII − III線における拡大断面図であ
る。
【図4】図1のIV − IV線における拡大断面図である。
【図5】前記実施形態のダイアフラム部を示す拡大平面
図である。
【図6】図5のVI − VI線における拡大断面図である。
【図7】図5のVII − VII線における拡大断面図であ
る。
【図8】本実施例における第1の歪みゲージの結線図で
ある。
【図9】本実施例における第2の歪みゲージの結線図で
ある。
【図10】本発明の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 複合センサ 20 カンチレバー部 21 流体受面 30 ダイアフラム部 32 厚肉部としての中央厚肉部 GP1〜GP4 第1の歪みゲージ GF1〜GF4 第2の歪みゲージ GT 温度検出部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】測定対象となる流体の流量と圧力とを同時
    に測定するための複合センサであって、 前記流体が流れる方向と平行に配置されるとともに一面
    が当該流体に接するダイアフラム部と、 このダイアフラム部の前記一面に基端が接合されるとと
    もに先端が前記流体の流動方向と交差する方向に延びる
    カンチレバー部と、 前記ダイアフラム部の機械的変位に応じて電気抵抗が変
    化するとともに当該ダイアフラム部の表面に放射状に配
    列されている複数の歪みゲージとを備えていることを特
    徴とする複合センサ。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の複合センサにおいて、 前記カンチレバー部には、前記流体の流動方向と正対
    し、流動する前記流体を受ける流体受面が備えられ、 前記ダイアフラム部の表面には、前記歪みゲージとし
    て、 前記流体の圧力を受けることにより生じる当該ダイアフ
    ラム部の変位を検出するために設けられた、複数の第1
    の歪みゲージと、 前記カンチレバー部の前記流体受面が前記流体を受ける
    ことにより生じる当該ダイアフラム部の変位を検出する
    ために設けられた、複数の第2の歪みゲージとが備えら
    れ、 前記第1の歪みゲージは、前記流体の流動方向に直交す
    る方向に配列され、前記第2の歪みゲージは、前記流体
    の流動方向に沿って配列されていることを特徴とする複
    合センサ。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の複合セン
    サにおいて、前記ダイアフラム部には、中央部分に厚さ
    寸法が周辺部分よりも大きい厚肉部が設けられ、この厚
    肉部の前記流体が接する面に前記カンチレバー部の基部
    が接合され、前記厚肉部の反対側の面に温度に応じて電
    気抵抗が変化する温度検出部が設けられていることを特
    徴とする複合センサ。
  4. 【請求項4】請求項1ないし請求項3のいずれかに記載
    の複合センサにおいて、前記ダイアフラム部は、金属製
    のものとされ、このダイアフラム部の前記流体に接しな
    い面は、二酸化ケイ素の絶縁層で覆われ、前記歪みゲー
    ジは、前記絶縁層の上に形成されたシリコン薄膜である
    ことを特徴とする複合センサ。
  5. 【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
    の複合センサにおいて、前記複数の歪みゲージは、前記
    ダイアフラム部の変形により圧縮力を受ける位置、およ
    び、同ダイアフラム部の変形により張力を受ける位置の
    両方にそれぞれ設けられていることを特徴とする複合セ
    ンサ。
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