JPH10206809A - 変調方法および半導体光変調器 - Google Patents
変調方法および半導体光変調器Info
- Publication number
- JPH10206809A JPH10206809A JP10011268A JP1126898A JPH10206809A JP H10206809 A JPH10206809 A JP H10206809A JP 10011268 A JP10011268 A JP 10011268A JP 1126898 A JP1126898 A JP 1126898A JP H10206809 A JPH10206809 A JP H10206809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave
- modulator
- diode
- control
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 22
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 241000143437 Aciculosporium take Species 0.000 description 1
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01716—Optically controlled superlattice or quantum well devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光変調器の通過帯域を簡単に拡大し、そのた
めに、とくに電気的変調信号を使用せず、変調すべき波
のバイアス状態を保持する高速光変調器を簡単な方法で
実現し、集積光装置内への高速光変調器の組込みを容易
にし、長寸光ファイバに案内されるソリトンを使用する
通信システム内のソリトンの再同期を簡単に行えるよう
にする。 【解決手段】 本発明によれば電気吸収変調器の半導体
部分を構成することができるダイオード（２）のウェー
ブガイド（４）中に、変調すべき波（ＷＥ）と光学的制
御波（ＷＣ）とを同時に注入し、このダイオードの端子
にあるインピーダンス（Ｒ）が十分に高くて、制御波の
振幅変調を、変調すべき波に伝送することができる。と
くに光ファイバ通信システムで、とりわけソリトンの再
同期に適用される。
めに、とくに電気的変調信号を使用せず、変調すべき波
のバイアス状態を保持する高速光変調器を簡単な方法で
実現し、集積光装置内への高速光変調器の組込みを容易
にし、長寸光ファイバに案内されるソリトンを使用する
通信システム内のソリトンの再同期を簡単に行えるよう
にする。 【解決手段】 本発明によれば電気吸収変調器の半導体
部分を構成することができるダイオード（２）のウェー
ブガイド（４）中に、変調すべき波（ＷＥ）と光学的制
御波（ＷＣ）とを同時に注入し、このダイオードの端子
にあるインピーダンス（Ｒ）が十分に高くて、制御波の
振幅変調を、変調すべき波に伝送することができる。と
くに光ファイバ通信システムで、とりわけソリトンの再
同期に適用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光波を振幅変調す
る、あるいはそのような波のあらかじめ存在する振幅変
調を変更することができる変調器を対象とする。
る、あるいはそのような波のあらかじめ存在する振幅変
調を変更することができる変調器を対象とする。
【０００２】
【従来の技術】変調とはここでは時間の経過とともにこ
の波の振幅が変化することを指す。情報の伝送を可能に
することが変調の目的である典型的な場合には、情報要
素はこの振幅の瞬間値によって直接表すことができる。
しかしながら、変調によって光波をパルス列の形態にす
ることもでき、その場合、情報の要素はこれらパルスの
間の間隔によって表される。
の波の振幅が変化することを指す。情報の伝送を可能に
することが変調の目的である典型的な場合には、情報要
素はこの振幅の瞬間値によって直接表すことができる。
しかしながら、変調によって光波をパルス列の形態にす
ることもでき、その場合、情報の要素はこれらパルスの
間の間隔によって表される。
【０００３】本発明は、変調器を使用してきわめて短い
あるいは高速な光信号上で処理を行わなければならない
場合にとくに適用される。そのためにはこの変調器も高
速であること、すなわち短い応答時間を有することが要
求される。その場合、変調器の通過周波帯は対応する高
周波に到達する。このようなケースは、伝送すべき情報
が、ソリトンを構成するきわめて短い周期のパルスによ
って表される光ファイバ伝送網で発生する。
あるいは高速な光信号上で処理を行わなければならない
場合にとくに適用される。そのためにはこの変調器も高
速であること、すなわち短い応答時間を有することが要
求される。その場合、変調器の通過周波帯は対応する高
周波に到達する。このようなケースは、伝送すべき情報
が、ソリトンを構成するきわめて短い周期のパルスによ
って表される光ファイバ伝送網で発生する。
【０００４】種々の種類の高速光変調器が知られてい
る。
る。
【０００５】このような変調器の第一の種類は逆バイア
ス半導体ダイオードを含む電気吸収変調器である。この
ダイオードは変調すべき光波および電気制御信号を受け
取る。しかしながらその通過帯域は１０または２０ＧＨ
ｚ程度に限定されるため、場合によっては不十分とな
る。この種の変調器はとくにＦ．Ｄｅｖａｕｘらの論文
「Full polarization insensitivity of a 20 Gb/s str
ained-MQW Electroabsorption Modulator」、IEEE Phot
onics Technology Letters Vol 6 no. 10, October 199
4, p. 1203-1206に記載されている。
ス半導体ダイオードを含む電気吸収変調器である。この
ダイオードは変調すべき光波および電気制御信号を受け
取る。しかしながらその通過帯域は１０または２０ＧＨ
ｚ程度に限定されるため、場合によっては不十分とな
る。この種の変調器はとくにＦ．Ｄｅｖａｕｘらの論文
「Full polarization insensitivity of a 20 Gb/s str
ained-MQW Electroabsorption Modulator」、IEEE Phot
onics Technology Letters Vol 6 no. 10, October 199
4, p. 1203-1206に記載されている。
【０００６】知られている第二の高速変調器は順バイア
スダイオードを含む半導体変調器である。このダイオー
ドは変調すべき光波および電気制御信号を受け取る。し
かしながらその通過帯域は２０ＧＨｚ程度に限定され
る。この種の変調器はとくにＪ．Ｃ． Ｓｉｍｏｎらの
論文「Gain and Noise characteristics of a 1.5 オm n
ear travelling wave semiconductor laser amplifie
r」、Electronics LettersVol 25 no. 7, 1989, p. 434
-436に記載されている。
スダイオードを含む半導体変調器である。このダイオー
ドは変調すべき光波および電気制御信号を受け取る。し
かしながらその通過帯域は２０ＧＨｚ程度に限定され
る。この種の変調器はとくにＪ．Ｃ． Ｓｉｍｏｎらの
論文「Gain and Noise characteristics of a 1.5 オm n
ear travelling wave semiconductor laser amplifie
r」、Electronics LettersVol 25 no. 7, 1989, p. 434
-436に記載されている。
【０００７】知られている第三の種類の高速変調器は非
線形ループ光学ミラーである。これはＮＯＬＭという略
語で知られている。これは光ファイバで構成され、光制
御信号を使用する。この信号は変調すべき波の既存変調
から光学的に形成される。より詳細には、光学クロック
再生システムによりこの波からクロックパルスが形成さ
れこのクロックパルスが、変調すべき波のパルスの再同
期を行うための変調器の制御信号となる。この種の変調
器はとくにＳ．Ｂｉｇｏ、Ｏ．Ａｕｄｏｕｉｎおよび
Ｅ．Ｄｅｓｕｒｖｉｒｅの論文「Analysis of soliton
in-line regeneration through two-wavelength nonlin
ear loop mirror as synchronous amplitude/phase mod
ulator」、Elect. Letters, 7th December 1995, Vol 3
1 no. 25,p.2191に記載されている。
線形ループ光学ミラーである。これはＮＯＬＭという略
語で知られている。これは光ファイバで構成され、光制
御信号を使用する。この信号は変調すべき波の既存変調
から光学的に形成される。より詳細には、光学クロック
再生システムによりこの波からクロックパルスが形成さ
れこのクロックパルスが、変調すべき波のパルスの再同
期を行うための変調器の制御信号となる。この種の変調
器はとくにＳ．Ｂｉｇｏ、Ｏ．Ａｕｄｏｕｉｎおよび
Ｅ．Ｄｅｓｕｒｖｉｒｅの論文「Analysis of soliton
in-line regeneration through two-wavelength nonlin
ear loop mirror as synchronous amplitude/phase mod
ulator」、Elect. Letters, 7th December 1995, Vol 3
1 no. 25,p.2191に記載されている。
【０００８】知られている第四の高速変調器は、表面反
射飽和性吸収体、すなわちブラッグの反射体と量子井戸
を含む半導体層の重なりで構成される。二つの外表面の
うちの一つは光を反射するように金属化され、他方は透
明である。変調すべき波と、別の波長を有し光学的制御
信号となる制御波が透明表面を通して同時に注入され
る。変調すべき波はブラッグの反射体では部分反射し、
金属化表面では全反射する。とくに干渉が形成されるこ
とにより、制御波のパワーの増加または減少によって出
力パワーが増加または減少する。この変調器はＨ．Ｔｓ
ｕｄａ、Ａ．Ｈｉｒａｎｏ、Ｒ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ、
Ｋ．ＳａｔｏおよびＫ．Ｈａｇｉｍｏｔｏの論文「3PS,
2.4 Gbits/s All-Optical Pulse Discrimination Expe
riment: All-optical Regenerator based on a High-sp
eed Saturable Absorber Optical Gate」、Proc. 21st
Eur. Conf. on Opt. Comm.(ECOC'95-Brussels) pp 949-
952に記載されている。この種の変調器は、とくに半導
体基板に組み込まれた光装置内に含める場合には、工業
的利用は困難であるものと思われる。
射飽和性吸収体、すなわちブラッグの反射体と量子井戸
を含む半導体層の重なりで構成される。二つの外表面の
うちの一つは光を反射するように金属化され、他方は透
明である。変調すべき波と、別の波長を有し光学的制御
信号となる制御波が透明表面を通して同時に注入され
る。変調すべき波はブラッグの反射体では部分反射し、
金属化表面では全反射する。とくに干渉が形成されるこ
とにより、制御波のパワーの増加または減少によって出
力パワーが増加または減少する。この変調器はＨ．Ｔｓ
ｕｄａ、Ａ．Ｈｉｒａｎｏ、Ｒ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ、
Ｋ．ＳａｔｏおよびＫ．Ｈａｇｉｍｏｔｏの論文「3PS,
2.4 Gbits/s All-Optical Pulse Discrimination Expe
riment: All-optical Regenerator based on a High-sp
eed Saturable Absorber Optical Gate」、Proc. 21st
Eur. Conf. on Opt. Comm.(ECOC'95-Brussels) pp 949-
952に記載されている。この種の変調器は、とくに半導
体基板に組み込まれた光装置内に含める場合には、工業
的利用は困難であるものと思われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、 − 光変調器の通過帯域をシンプルな方法で拡大し、 − そのために、とくに電気的変調信号を使用せず、 − 変調すべき波の偏光状態を保持する高速光変調器を
シンプルな方法で実現し、 − 集積光装置内への高速光変調器の組込みを容易に
し、 − 長寸光ファイバによって案内されるソリトンを使用
する通信システムにおけるソリトンの再同期を簡単に行
えるようにすることをとくに目的とする。
シンプルな方法で実現し、 − 集積光装置内への高速光変調器の組込みを容易に
し、 − 長寸光ファイバによって案内されるソリトンを使用
する通信システムにおけるソリトンの再同期を簡単に行
えるようにすることをとくに目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】これらの目的のため、本
発明は、ウェーブガイドおよび逆バイアス半導体ダイオ
ードが電気吸収変調器の半導体部分を構成することがで
きるように、このダイオード内に形成された同一のウェ
ーブガイド内に、変調すべき波と光学的制御波とを同時
かつ同一直線上で注入することを特徴とし、この制御波
の波長がこの変調すべき波の波長よりも短く、このダイ
オードの端子にあるインピーダンスが十分に高くて、制
御波の振幅変調を変調すべき波に伝送することができる
光変調方法を対象とする。
発明は、ウェーブガイドおよび逆バイアス半導体ダイオ
ードが電気吸収変調器の半導体部分を構成することがで
きるように、このダイオード内に形成された同一のウェ
ーブガイド内に、変調すべき波と光学的制御波とを同時
かつ同一直線上で注入することを特徴とし、この制御波
の波長がこの変調すべき波の波長よりも短く、このダイ
オードの端子にあるインピーダンスが十分に高くて、制
御波の振幅変調を変調すべき波に伝送することができる
光変調方法を対象とする。
【００１１】添付の略図により本発明の種々の実施例を
例として説明する。
例として説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１または図２によれば、本発明
による変調器は半導体ダイオード２を含む。このダイオ
ードはとくに、意図的にはドープされていない非ドープ
層４を含み、この層はｎ型ドープ層６とｐ型ドープ層８
との間に位置する。層４の屈折率は層６および８の屈折
率よりも高いため、層４によって光波ＷＥおよびＷＣを
案内することができる。この層はこれら被案内波のため
の吸収体を構成する。この吸収体は、被案内波長λに応
じて変化する吸収率ＴＡによって規定される比率でこれ
らの波のパワーを吸収する。図３によれば、この変化の
曲線は吸収フロントＦＡを有する。この吸収フロント
は、層６と層８との間の電気ポテンシャルの差の値によ
り波長スペクトル内の下限ＢＬ１またはＢＬ２から上限
ＢＨ１またはＢＨ２までの遷移帯ＢＴ１を占める。この
吸収率は、被案内波長がこの下限未満であるか、この下
限とこの上限との間で増加するか、この上限を上回るか
により、それぞれ、ほぼ最大値ＴＨか、漸減値か、最小
値ＴＬかを有する。
による変調器は半導体ダイオード２を含む。このダイオ
ードはとくに、意図的にはドープされていない非ドープ
層４を含み、この層はｎ型ドープ層６とｐ型ドープ層８
との間に位置する。層４の屈折率は層６および８の屈折
率よりも高いため、層４によって光波ＷＥおよびＷＣを
案内することができる。この層はこれら被案内波のため
の吸収体を構成する。この吸収体は、被案内波長λに応
じて変化する吸収率ＴＡによって規定される比率でこれ
らの波のパワーを吸収する。図３によれば、この変化の
曲線は吸収フロントＦＡを有する。この吸収フロント
は、層６と層８との間の電気ポテンシャルの差の値によ
り波長スペクトル内の下限ＢＬ１またはＢＬ２から上限
ＢＨ１またはＢＨ２までの遷移帯ＢＴ１を占める。この
吸収率は、被案内波長がこの下限未満であるか、この下
限とこの上限との間で増加するか、この上限を上回るか
により、それぞれ、ほぼ最大値ＴＨか、漸減値か、最小
値ＴＬかを有する。
【００１３】この変調器はさらに、 − たとえば、振幅変調ＭＡを受け取り出力波ＷＳを形
成する入力波ＷＥとなる光波を吸収体４に注入するため
の源ＳＥから成る手段 − 以後、この入力波の波長を
搬送波長と呼びλＰで表わすものとし、波長は前記遷移
帯内に一時的に位置する −と、 − ダイオード２用の二つの電気端子１０および１２
と、 − 端子間にこのダイオード２の逆方向にバイアス電圧
を印加しながら電気アセンブリ１４の内部のカップリン
グインピーダンスＲを介して、このダイオードの端子１
０および１２を相互に接続する、ダイオードの外部の電
気アセンブリ１４とを含み、バイアス電圧の制御とカッ
プリングインピーダンス値とを除いては、前記に示す要
素、すなわち端子を有するダイオードと、入力波を注入
する手段と、電気アセンブリとは通常、知られている電
気吸収変調器を構成するものである。
成する入力波ＷＥとなる光波を吸収体４に注入するため
の源ＳＥから成る手段 − 以後、この入力波の波長を
搬送波長と呼びλＰで表わすものとし、波長は前記遷移
帯内に一時的に位置する −と、 − ダイオード２用の二つの電気端子１０および１２
と、 − 端子間にこのダイオード２の逆方向にバイアス電圧
を印加しながら電気アセンブリ１４の内部のカップリン
グインピーダンスＲを介して、このダイオードの端子１
０および１２を相互に接続する、ダイオードの外部の電
気アセンブリ１４とを含み、バイアス電圧の制御とカッ
プリングインピーダンス値とを除いては、前記に示す要
素、すなわち端子を有するダイオードと、入力波を注入
する手段と、電気アセンブリとは通常、知られている電
気吸収変調器を構成するものである。
【００１４】本発明の範囲内ではこの変調器はさらに、
入力波ＷＥと同時に制御波ＷＣを吸収体４に注入するた
めの制御源ＳＣを含む。この制御波は光波である。この
制御波は、常に遷移帯の下限ＢＬ１未満のままである制
御波長λＣを有する。制御波は、入力波に印加すべき振
幅変調を表わす変化を有する制御パワーＰＣを有する。
また、たとえば図３に示す二つの位置ＢＴ１とＢＴ２の
間で前記遷移帯を移動することにより制御パワーの変化
がこの振幅変調を行うように十分に高いカップリングイ
ンピーダンスＲが選択される。
入力波ＷＥと同時に制御波ＷＣを吸収体４に注入するた
めの制御源ＳＣを含む。この制御波は光波である。この
制御波は、常に遷移帯の下限ＢＬ１未満のままである制
御波長λＣを有する。制御波は、入力波に印加すべき振
幅変調を表わす変化を有する制御パワーＰＣを有する。
また、たとえば図３に示す二つの位置ＢＴ１とＢＴ２の
間で前記遷移帯を移動することにより制御パワーの変化
がこの振幅変調を行うように十分に高いカップリングイ
ンピーダンスＲが選択される。
【００１５】遷移帯の移動は、知られている四つの現象
を新しく組み合わせることによって生じる。これらの現
象とは以下の通りである。
を新しく組み合わせることによって生じる。これらの現
象とは以下の通りである。
【００１６】第一のそのような現象は、吸収体の入力部
における制御パワー、すなわち制御波ＷＣのパワーの変
化、たとえば増加に関する。この波のパワーの少なくと
も一部はこの吸収体内に吸収され吸収パワーとなる。制
御パワーが制限される場合、すなわち制御パワーが、そ
れを超えるとこのパワーが増加しても吸収パワーが増加
することがない飽和しきい値より、少なくとも一時的に
低い場合に、この発明の利点が生じる。したがって、こ
のしきい値より下では、制御パワーの増加にともない吸
収パワーが増加する。
における制御パワー、すなわち制御波ＷＣのパワーの変
化、たとえば増加に関する。この波のパワーの少なくと
も一部はこの吸収体内に吸収され吸収パワーとなる。制
御パワーが制限される場合、すなわち制御パワーが、そ
れを超えるとこのパワーが増加しても吸収パワーが増加
することがない飽和しきい値より、少なくとも一時的に
低い場合に、この発明の利点が生じる。したがって、こ
のしきい値より下では、制御パワーの増加にともない吸
収パワーが増加する。
【００１７】知られている第二の現象の範囲内では、吸
収体中に電子−正孔対を生成するために吸収パワーが使
われる。このようにして発生する荷電担体は、外部電気
アセンブリ１４によって印加され、ｎドープ層とＰドー
プ層の間に電界を生じさせるバイアス電圧により、この
吸収体から取り除かれる。これらの荷電担体が取り除か
れるとその結果として、このアセンブリ内を電流が流れ
る。以後、この電流を「光電流」と呼ぶことにする。吸
収パワーが増加するにともないこの光電流の電流値ｉが
増加する。
収体中に電子−正孔対を生成するために吸収パワーが使
われる。このようにして発生する荷電担体は、外部電気
アセンブリ１４によって印加され、ｎドープ層とＰドー
プ層の間に電界を生じさせるバイアス電圧により、この
吸収体から取り除かれる。これらの荷電担体が取り除か
れるとその結果として、このアセンブリ内を電流が流れ
る。以後、この電流を「光電流」と呼ぶことにする。吸
収パワーが増加するにともないこの光電流の電流値ｉが
増加する。
【００１８】オームの法則によって説明される知られて
いる第三の現象によれば、カップリングインピーダンス
内を光電流が流れることにより、このインピーダンスを
有する電気アセンブリによってダイオードの端子間に印
加されるバイアス電圧に影響が及ぼされる。より詳細に
は、光電流の増加によりこの電圧が低下し、この電圧低
下は、この電流値の増加にこのインピーダンスを乗じた
積に等しい。
いる第三の現象によれば、カップリングインピーダンス
内を光電流が流れることにより、このインピーダンスを
有する電気アセンブリによってダイオードの端子間に印
加されるバイアス電圧に影響が及ぼされる。より詳細に
は、光電流の増加によりこの電圧が低下し、この電圧低
下は、この電流値の増加にこのインピーダンスを乗じた
積に等しい。
【００１９】バイアス電圧の変化が吸収波の入力値を表
わす測定信号となる市販の光ダイオードの動作の基本と
なるのは、前記の知られている第一、第二、および第三
の現象を組み合せることである。
わす測定信号となる市販の光ダイオードの動作の基本と
なるのは、前記の知られている第一、第二、および第三
の現象を組み合せることである。
【００２０】本発明はさらに、波長スペクトル内の吸収
前面の位置がバイアス電圧に依存する知られている第四
の現象も利用する。より詳細には、バイアス電圧の低下
によりこの前面が短波長側に移動する。
前面の位置がバイアス電圧に依存する知られている第四
の現象も利用する。より詳細には、バイアス電圧の低下
によりこの前面が短波長側に移動する。
【００２１】図３を参照して、たとえば遷移帯ＢＴ２が
当初搬送波長λＰを含んでいたとすると、遷移帯は次
に、ＢＴ１においてこの搬送波長より短い波長上にのみ
延びる。その結果、入力波は最初は部分的に吸収され
て、その後はもはやほとんど吸収されない。これによ
り、入力波が一定のパワーを有すると仮定した場合、出
力波の出力が増加する。同じ仮定の場合、制御パワーが
低下すると、出力波のパワーは低下する。
当初搬送波長λＰを含んでいたとすると、遷移帯は次
に、ＢＴ１においてこの搬送波長より短い波長上にのみ
延びる。その結果、入力波は最初は部分的に吸収され
て、その後はもはやほとんど吸収されない。これによ
り、入力波が一定のパワーを有すると仮定した場合、出
力波の出力が増加する。同じ仮定の場合、制御パワーが
低下すると、出力波のパワーは低下する。
【００２２】上記に説明した第四の現象は、吸収体４が
中密材料で構成されるか一連の量子井戸および障壁で構
成されるかにより、フランツケルディッシュ効果または
閉じ込めシュタルク効果という名称で知られている。こ
の現象は光制御源を含まない市販の電気吸収変調器の動
作の基本となっている。外部電気アセンブリによってバ
イアス電圧の変化ｙがこの現象に課せられる。電圧の変
化はこのアセンブリを制御する変調信号の変化に忠実に
追従する、すなわちとくに、電圧の変化は光電流の変化
からできる限り独立することが好ましい。この理由か
ら、そのような知られている変調器においてはダイオー
ドの端子の外部の電気アセンブリが有するカップリング
インピーダンスは低くなければならない。反対に、本発
明による変調器においては、光電流の変化によりバイア
ス電圧が十分に大きく変化するように、このインピーダ
ンスは比較的高くなければならない。
中密材料で構成されるか一連の量子井戸および障壁で構
成されるかにより、フランツケルディッシュ効果または
閉じ込めシュタルク効果という名称で知られている。こ
の現象は光制御源を含まない市販の電気吸収変調器の動
作の基本となっている。外部電気アセンブリによってバ
イアス電圧の変化ｙがこの現象に課せられる。電圧の変
化はこのアセンブリを制御する変調信号の変化に忠実に
追従する、すなわちとくに、電圧の変化は光電流の変化
からできる限り独立することが好ましい。この理由か
ら、そのような知られている変調器においてはダイオー
ドの端子の外部の電気アセンブリが有するカップリング
インピーダンスは低くなければならない。反対に、本発
明による変調器においては、光電流の変化によりバイア
ス電圧が十分に大きく変化するように、このインピーダ
ンスは比較的高くなければならない。
【００２３】このインピーダンスは種々の方法で実現す
ることができる。したがってインピーダンスの値は当該
周波数に依存する。この場合、変調器の通過帯域内、す
なわち制御パワーの変化を出力波の出力の変化の形態で
伝送しなければならない周波数域内で、前記に記載の比
較的高いインピーダンスを実現しなければならない。
ることができる。したがってインピーダンスの値は当該
周波数に依存する。この場合、変調器の通過帯域内、す
なわち制御パワーの変化を出力波の出力の変化の形態で
伝送しなければならない周波数域内で、前記に記載の比
較的高いインピーダンスを実現しなければならない。
【００２４】この値の選択にあたっては、少なくとも、
オームを単位とするカップリングインピーダンス（Ｒ）
の絶対値｜ｚ｜とワットを単位とする制御パワーの変化
の振幅ΔＰＣとの間の変調器の通過帯域内では、一般に
一関係式が成り立つものと思われる。この関係式は ｜ｚ｜＝α／ΔＰＣ となり、αは０．０５から２０までの間に含まれる係数
である。この係数はとくに０．１から１０の間、さらに
は０．５から５の間に含まれるべきであると思われる。
オームを単位とするカップリングインピーダンス（Ｒ）
の絶対値｜ｚ｜とワットを単位とする制御パワーの変化
の振幅ΔＰＣとの間の変調器の通過帯域内では、一般に
一関係式が成り立つものと思われる。この関係式は ｜ｚ｜＝α／ΔＰＣ となり、αは０．０５から２０までの間に含まれる係数
である。この係数はとくに０．１から１０の間、さらに
は０．５から５の間に含まれるべきであると思われる。
【００２５】通常、カップリングインピーダンスは抵抗
Ｒの形態を有する。以後、抵抗値もＲで表わすことにす
る。同じく通常、制御パワーは０と最大値ＰＣとの間で
変化するので、この出力の変化の振幅はこの最大値に等
しい。したがって上記関係式はＲ＝α／ＰＣとなる。
Ｒの形態を有する。以後、抵抗値もＲで表わすことにす
る。同じく通常、制御パワーは０と最大値ＰＣとの間で
変化するので、この出力の変化の振幅はこの最大値に等
しい。したがって上記関係式はＲ＝α／ＰＣとなる。
【００２６】パワーＰＣは通常、１から１０ｍＷの間に
含まれとくに５ｍＷ前後の最大値を有する。その結果、
変調器の通過帯域内のカップリングインピーダンスの絶
対値｜ｚ｜は通常、２０から５００Ωの間に含まれ、と
くに、少なくとも５０Ωに等しい。
含まれとくに５ｍＷ前後の最大値を有する。その結果、
変調器の通過帯域内のカップリングインピーダンスの絶
対値｜ｚ｜は通常、２０から５００Ωの間に含まれ、と
くに、少なくとも５０Ωに等しい。
【００２７】バイアス電圧に関しては、バイアス電圧は
通常５Ｖ未満であり、０．５から４Ｖの間に含まれるこ
とが有利である。
通常５Ｖ未満であり、０．５から４Ｖの間に含まれるこ
とが有利である。
【００２８】一般的に、ダイオード２が知られている種
類の電気吸収変調器の半導体チップで構成され、各適用
例について専門家がこの個別の適用例のための種々の電
気的パラメータの適切な値を決定できることが有利であ
ると理解されたい。この目的のため専門家は、これらの
電気吸収変調器の周知の特性と、光電流の電流値への吸
収光パワーの変換の効率Ｋとを考慮することができる。
通常、この効率Ｋは、０．５から１．５Ａ．Ｗ-1の間に
含まれる値をとる。
類の電気吸収変調器の半導体チップで構成され、各適用
例について専門家がこの個別の適用例のための種々の電
気的パラメータの適切な値を決定できることが有利であ
ると理解されたい。この目的のため専門家は、これらの
電気吸収変調器の周知の特性と、光電流の電流値への吸
収光パワーの変換の効率Ｋとを考慮することができる。
通常、この効率Ｋは、０．５から１．５Ａ．Ｗ-1の間に
含まれる値をとる。
【００２９】電気アセンブリ１４は、 − カップリングインピーダンスと比較して低い内部イ
ンピーダンスを有する バイアス電圧を供給する電圧源ＳＰと、− このカップ
リングインピーダンスまたはその大部分となるカップリ
ング抵抗Ｒとを含むことが好ましい。
ンピーダンスを有する バイアス電圧を供給する電圧源ＳＰと、− このカップ
リングインピーダンスまたはその大部分となるカップリ
ング抵抗Ｒとを含むことが好ましい。
【００３０】図１に示す第一の変調器においては、電圧
源ＳＰは分離インダクタ１６を介してダイオード２の端
子１０および１２に接続され、カップリング抵抗Ｒはこ
の電圧源に並列接続される。もちろんこのインダクタン
スは、変調器の通過帯域内に含まれる周波数についてダ
イオードから源ＳＰを分離しながら直流電流を伝搬する
ことができる他の分離要素に置き換えることができる。
源ＳＰは分離インダクタ１６を介してダイオード２の端
子１０および１２に接続され、カップリング抵抗Ｒはこ
の電圧源に並列接続される。もちろんこのインダクタン
スは、変調器の通過帯域内に含まれる周波数についてダ
イオードから源ＳＰを分離しながら直流電流を伝搬する
ことができる他の分離要素に置き換えることができる。
【００３１】図２に示す第二の変調器内では、電圧源Ｓ
Ｐおよびカップリング抵抗Ｒは、ダイオード２の端子１
０と１２の間に直列接続される。
Ｐおよびカップリング抵抗Ｒは、ダイオード２の端子１
０と１２の間に直列接続される。
【００３２】図４によれば、同期再生装置は情報搬送ソ
リトン列２１を受け取る光ファイバ２０を含む。この列
は周波数Ｆでクロックされるが、ソリトンは、線路損を
相殺するために、線路に沿って伝播する間に何度も増幅
されており、とくにジッタの影響を受ける。これらのソ
リトンのエネルギーの一部は入力カプラ２２によって分
流され、その結果分流列２３が形成される。全光学型で
あることが好ましいクロック再生装置２４がこの分流列
を受信する。装置２４はこれに対する応答として、繰り
返し周波数が周波数Ｆである一定間隔のクロックパルス
列Ｈを送出する。これらのパルスは混合カプラ２６によ
り光ファイバ２０内に注入される。このファイバの出口
側では、本発明により作製された変調器２８がソリトン
およびクロックパルスを受信し、この変調器に関し、前
者は前記に記載の入力波ＷＥとなり、後者は制御波ＷＣ
となる。その場合出力波ＷＳは、列２１と同じ情報を搬
送する列ではあるが再生された列を含む。このような装
置は、Ｈ．ＫｕｂｏｔａおよびＭ．Ｎａｇａｚａｗａの
論文「Soliton Transmission control in time andfreq
uency domain」、IEEE J. Quantum Electron vol. 29,
no 7 p. 2189(1993)に記載されている。
リトン列２１を受け取る光ファイバ２０を含む。この列
は周波数Ｆでクロックされるが、ソリトンは、線路損を
相殺するために、線路に沿って伝播する間に何度も増幅
されており、とくにジッタの影響を受ける。これらのソ
リトンのエネルギーの一部は入力カプラ２２によって分
流され、その結果分流列２３が形成される。全光学型で
あることが好ましいクロック再生装置２４がこの分流列
を受信する。装置２４はこれに対する応答として、繰り
返し周波数が周波数Ｆである一定間隔のクロックパルス
列Ｈを送出する。これらのパルスは混合カプラ２６によ
り光ファイバ２０内に注入される。このファイバの出口
側では、本発明により作製された変調器２８がソリトン
およびクロックパルスを受信し、この変調器に関し、前
者は前記に記載の入力波ＷＥとなり、後者は制御波ＷＣ
となる。その場合出力波ＷＳは、列２１と同じ情報を搬
送する列ではあるが再生された列を含む。このような装
置は、Ｈ．ＫｕｂｏｔａおよびＭ．Ｎａｇａｚａｗａの
論文「Soliton Transmission control in time andfreq
uency domain」、IEEE J. Quantum Electron vol. 29,
no 7 p. 2189(1993)に記載されている。
【００３３】図５によれば、クロック再生装置２４は、
モード同期レーザとなる光ファイバループ３１内に分流
列２３などのソリトン列２３を注入するカプラ３０を介
して、この列を受信する。このループは、 − 列２３が前記に記載の制御波となる、本発明にした
がい作製される変調器３２と、 − 前記に記載の繰り返し周波数Ｆに対する共振を発生
させるように遅延が調節される遅延回路３４と、 − 前記に記載の制御波長λＣを中心とするバンドパス
フィルタ３６と、 − ドープ光ファイバ増幅器３８と、 − クロックパルスＨを構成するためにループ３１内を
通る光の一部を分流する出力カプラ４０と、 − ループ３１内の光の伝播方向を規定する光アイソレ
ータ４２とを閉路で直列に含む。
モード同期レーザとなる光ファイバループ３１内に分流
列２３などのソリトン列２３を注入するカプラ３０を介
して、この列を受信する。このループは、 − 列２３が前記に記載の制御波となる、本発明にした
がい作製される変調器３２と、 − 前記に記載の繰り返し周波数Ｆに対する共振を発生
させるように遅延が調節される遅延回路３４と、 − 前記に記載の制御波長λＣを中心とするバンドパス
フィルタ３６と、 − ドープ光ファイバ増幅器３８と、 − クロックパルスＨを構成するためにループ３１内を
通る光の一部を分流する出力カプラ４０と、 − ループ３１内の光の伝播方向を規定する光アイソレ
ータ４２とを閉路で直列に含む。
【００３４】このような装置は、Ｋ．Ｓｍｉｔｈおよび
Ｊ．Ｋ．Ｌｕｃｅｋの論文「All optical clock recove
ry using a mode-locked laser」、Electron. Lett. vo
l. 28, no 19 p.1814 (1992)に記載されている。
Ｊ．Ｋ．Ｌｕｃｅｋの論文「All optical clock recove
ry using a mode-locked laser」、Electron. Lett. vo
l. 28, no 19 p.1814 (1992)に記載されている。
【図１】本発明による第一の変調器を示す図である。
【図２】本発明による第二の変調器を示す図である。
【図３】変調すべき光波の波長を横軸にとり、この波長
に応じた変調器の吸収要素の吸収率の変化を表わす二つ
の曲線を示し、各曲線は電気吸収型の知られている種類
のものとするか、本発明により実施することができる変
調器の、バイアス電圧の二つの値にそれぞれ相当する図
である。
に応じた変調器の吸収要素の吸収率の変化を表わす二つ
の曲線を示し、各曲線は電気吸収型の知られている種類
のものとするか、本発明により実施することができる変
調器の、バイアス電圧の二つの値にそれぞれ相当する図
である。
【図４】ソリトンに適用することができ、本発明による
変調器を使用する全光学同期再生装置を示す図である。
変調器を使用する全光学同期再生装置を示す図である。
【図５】図４の本発明による変調器を使用する再生装置
においてとくに使用することができる全光学クロック再
生装置を示す図である。
においてとくに使用することができる全光学クロック再
生装置を示す図である。
２ 半導体ダイオード ４ 非ドープ層 ６ ｎ型ドープ層 ８ ｐ型ドープ層 １０、１２ 電気端子 １４ 電気アセンブリ １６ 分離インダクタンス ２０ 光ファイバ ２１ 情報搬送ソリトン列 ２２ 入力カプラ ２３ 分流列 ２４ クロック再生装置 ２６ 混合カプラ ２８ 変調器 ３０ カプラ ３１ 光ファイバループ ３２ 変調器 ３４ 遅延回路 ３６ バンドパスフィルタ ３８ ドープ光ファイバ増幅器 ４０ 出力カプラ ４２ 光アイソレータ ＢＬ１、ＢＬ２ 下限 ＢＨ１、ＢＨ２ 上限 ＢＴ１、ＢＴ２ 遷移帯 ＦＡ 吸収フロント Ｈ クロック Ｒ カップリングインピーダンス ＳＣ 制御源 ＳＥ 源 ＳＰ 電圧源 ＴＡ 吸収率 ＴＨ 最大値 ＴＬ 最小値 ＷＥ、ＷＣ 光波 ＷＳ 出力波 λ 被案内波長 λＣ 遷移帯の下限未満のままである波長 λＰ 搬送波長
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セバステイアン・ビゴ フランス国、91120・パレゾー、リユ・サ ント・ジユヌビイエーブ・17
Claims (10)
- 【請求項１】 ウェーブガイド（４）および逆バイアス
半導体ダイオード（２）が電気吸収変調器の半導体部分
を構成することができるように、このダイオード内に形
成される同一のウェーブガイド内に、変調すべき波（Ｗ
Ｅ）と光学的制御波（ＷＣ）とを同時かつ同一直線上で
注入することを特徴とし、この制御波の波長がこの変調
すべき波の波長よりも短く、このダイオードの端子にあ
るインピーダンス（Ｒ）が十分に高くて、制御波の振幅
変調を、変調すべき波に伝送することができる光変調方
法。 - 【請求項２】 ｎ型ドープ層（６）とｐ型ドープ層
（８）との間に位置し、それ自体が光波（ＷＥ、ＷＣ）
を案内することができる非ドープ層（４）を含む半導体
ダイオード（２）であって、この非ドープ層がこれら被
案内波のための吸収体を構成し、この吸収体が、被案内
波長（λ）に応じて変化する吸収率（ＴＡ）を有し、こ
の変化が、波長スペクトル内の下限（ＢＬ１）から上限
（ＢＨ１）までの遷移帯（ＢＴ１）を占める吸収前面
（ＦＡ）を有し、この吸収率が、被案内波長がこの下限
未満であるか、この下限とこの上限との間で増加する
か、それともこの上限を上回るかに応じて、それぞれ、
ほぼ最大値（ＴＨ）、漸減値、あるいは最小値（ＴＬ）
を有し、波長スペクトル内のこの遷移帯の位置がこの吸
収体中に存在する電界に感応する半導体ダイオードと、 振幅変調（ＭＡ）を受け取って出力波（ＷＳ）を形成す
る入力波（ＷＥ）となる光波を前記吸収体（４）に注入
する手段（ＳＥ）であって、この入力波の波長が搬送波
長（λＰ）となり前記遷移帯内に少なくとも一時的に位
置する手段と、 前記ダイオード（２）用の二つの電気端子（１０および
１２）と、 前記端子間に前記ダイオードの逆方向にバイアス電圧を
印加しながら電気アセンブリの内部のカップリングイン
ピーダンス（Ｒ）によって、このダイオードの前記端子
（１０および１２）を相互に接続する、ダイオードの外
部の電気アセンブリ（１４）とを含み、 さらに、前記入力波（ＷＥ）と同時かつ同直線上で制御
波（ＷＣ）を前記吸収体（４）に注入するための制御源
（ＳＣ）を備え、この制御波が、前記遷移帯の前記下限
（ＢＬ１）未満のままである制御波長（λＣ）を有し、
前記入力波に印加すべき前記振幅変調を表わす変化を有
する制限された制御パワー（ＰＣ）を有する光波であ
り、前記遷移帯を移動することにより制御パワーの前記
変化がこの振幅変調を実現するように前記カップリング
インピーダンス（Ｒ）が十分に高いことを特徴とする半
導体光変調器。 - 【請求項３】 αを０．０５から２０の間に含まれる係
数とする時、少なくとも、オーム単位で表したカップリ
ングインピーダンス（Ｒ）の絶対値｜ｚ｜とワット単位
で表した制御パワーの前記変化の振幅ΔＰＣとの間の変
調器の通過帯域内で、 ｜ｚ｜＝α／ΔＰＣ の関係式が成り立つ請求項２に記載の変調器。 - 【請求項４】 前記係数αが０．１から１０の間に含ま
れる請求項３に記載の変調器。 - 【請求項５】 前記制御パワー（ＰＣ）が１から１０ｍ
Ｗの間に含まれる最大値を有する請求項２に記載の変調
器。 - 【請求項６】 前記変調器の通過帯域内の前記カップリ
ングインピーダンスの絶対値｜ｚ｜が２０から５００Ω
の間に含まれる請求項２に記載の変調器。 - 【請求項７】 前記バイアス電圧が５Ｖ未満である請求
項２に記載の変調器。 - 【請求項８】 前記電気アセンブリ（１４）が、 前記カップリングインピーダンスに比べて低い内部イン
ピーダンスを有するバイアス電圧を供給する電圧源（Ｓ
Ｐ）と、 ほぼ前記カップリングインピーダンスとなる接続抵抗
（Ｒ）とを含む請求項２に記載の変調器。 - 【請求項９】 前記電圧源（ＳＰ）が分離要素（１６）
を介して前記ダイオード（２）の端子（１０、１２）に
接続され、前記カップリング抵抗（Ｒ）がこの電圧源に
並列接続される請求項８に記載の変調器。 - 【請求項１０】 前記電圧源（ＳＰ）および前記カップ
リング抵抗（Ｒ）が前記ダイオード（２）の端子（１
０、１２）の間に直列接続される請求項８に記載の変調
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9700682 | 1997-01-23 | ||
| FR9700682A FR2758669B1 (fr) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | Procede de modulation et modulateur optique a semi conducteur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206809A true JPH10206809A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=9502901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10011268A Pending JPH10206809A (ja) | 1997-01-23 | 1998-01-23 | 変調方法および半導体光変調器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6081631A (ja) |
| EP (1) | EP0855611A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10206809A (ja) |
| AU (1) | AU735453B2 (ja) |
| CA (1) | CA2224931A1 (ja) |
| FR (1) | FR2758669B1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6314115B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-11-06 | University Of Central Florida | Hybrid WDM-TDM optical communication and data link |
| US6661816B2 (en) | 1998-06-11 | 2003-12-09 | University Of Central Florida | Multiwavelength modelocked lasers |
| US6801551B1 (en) | 1998-05-15 | 2004-10-05 | University Of Central Florida | Programmable multiwavelength modelocked laser |
| US6542274B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-04-01 | Sprint Communications Company, LP | Method and apparatus for recovering an optical clock signal |
| JP2001147409A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Ddi Corp | 光信号処理装置 |
| WO2002027358A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | The Regents Of The University Of California | Method for optical modulation at periodic optical structure band edges |
| US7711213B2 (en) * | 2007-01-29 | 2010-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanowire-based modulators |
| KR20110050203A (ko) * | 2009-11-06 | 2011-05-13 | 한국전자통신연구원 | 광전 소자 |
| US8805126B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Photonic modulator with forward-and reverse-biased diodes for separate tuning and modulating elements |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| FR2637092B1 (fr) * | 1988-05-11 | 1991-04-12 | Thomson Csf | Modulateur d'onde electromagnetique a puits quantiques couples, et application a un detecteur d'onde electromagnetique |
| US5229622A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-20 | U.S. Philips Corp. | Integrated semiconductor optoelectronic switch |
| JPH03228032A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光方向性結合器 |
| US5048907A (en) * | 1990-02-23 | 1991-09-17 | Amoco Corporation | Electric field induced quantum well waveguides |
| US5126553A (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-30 | Bell Communications Research, Inc. | Bistable optically switchable resonant-tunneling device and its use in signal processing |
| FR2681191A1 (fr) * | 1991-09-06 | 1993-03-12 | France Telecom | Composant integre laser-modulateur a super-reseau tres couple. |
| JP2707898B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1998-02-04 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ |
| US5402259A (en) * | 1993-04-23 | 1995-03-28 | Trw Inc. | Linear electroabsorptive modulator and related method of analog modulation of an optical carrier |
| FR2707766B1 (fr) * | 1993-07-02 | 1995-12-08 | Fabrice Devaux | Modulateur électroabsorbant et générateur d'impulsions optiques le comportant. |
| IT1273064B (it) * | 1994-03-22 | 1997-07-04 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Dispositivo per l'elaborazione ottica di radiazioni luminose |
| US5479539A (en) * | 1994-06-15 | 1995-12-26 | Texas Instruments Incorporated | Integrated optical transmitter and receiver |
| US5754714A (en) * | 1994-09-17 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor optical waveguide device, optical control type optical switch, and wavelength conversion device |
| US5654812A (en) * | 1994-09-17 | 1997-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-receiving device, optoelectronic transmission apparatus, and optical demultiplexing method |
| JP2809124B2 (ja) * | 1995-02-09 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 光半導体集積素子およびその製造方法 |
| JP3458613B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2003-10-20 | Ｋｄｄｉ株式会社 | 波長変換装置及び光演算装置 |
-
1997
- 1997-01-23 FR FR9700682A patent/FR2758669B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-19 AU AU52124/98A patent/AU735453B2/en not_active Ceased
- 1998-01-21 US US09/010,059 patent/US6081631A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-22 CA CA002224931A patent/CA2224931A1/fr not_active Abandoned
- 1998-01-22 EP EP98400126A patent/EP0855611A1/fr not_active Withdrawn
- 1998-01-23 JP JP10011268A patent/JPH10206809A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU5212498A (en) | 1998-07-30 |
| US6081631A (en) | 2000-06-27 |
| AU735453B2 (en) | 2001-07-12 |
| FR2758669A1 (fr) | 1998-07-24 |
| CA2224931A1 (fr) | 1998-07-23 |
| EP0855611A1 (fr) | 1998-07-29 |
| FR2758669B1 (fr) | 1999-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nesset et al. | All-optical wavelength conversion using SOA nonlinearities | |
| US5625722A (en) | Method and apparatus for generating data encoded pulses in return-to-zero format | |
| EP0556974B1 (en) | Optical pulse generator | |
| EP0571134B1 (en) | Optical regenerator circuit | |
| Takeuchi et al. | Very high-speed light-source module up to 40 Gb/s containing an MQW electroabsorption modulator integrated with a DFB laser | |
| CA2164492C (en) | Method of driving semiconductor laser with wide modulation band, optical communication method, semiconductor laser device, node, and optical communication system | |
| EP0718992A1 (fr) | Dispositif de régénération en ligne d'un signal tranmis par solitons via la modulation synchrone des solitons à l'aide d'un miroir optique non-linéaire | |
| JP2002131714A (ja) | 電界吸収型光変調器付き半導体レーザ及びその駆動回路並びに半導体レーザ装置 | |
| JPH10206809A (ja) | 変調方法および半導体光変調器 | |
| Otani et al. | Optical 3R regenerator using wavelength converters based on electroabsorption modulator for all-optical network applications | |
| Daza et al. | All-optical WDM-to-TDM conversion with total capacity of 33 Gb/s for WDM network links | |
| JPH09200127A (ja) | 波長分割多重化ソリトン伝送に於ける信号対雑音比を改善する装置と方法 | |
| KR100562089B1 (ko) | 광수신기의 클락 추출장치 | |
| US6498885B1 (en) | Semiconductor nonlinear waveguide and optical switch | |
| Oxenlowe et al. | All-optical demultiplexing and wavelength conversion in an electroabsorption modulator | |
| US20020018612A1 (en) | Optical NRZ-RZ format converter | |
| Dahdah et al. | All-optical wavelength conversion by EAM with shifted bandpass filter for high bit-rate networks | |
| JPH06265945A (ja) | 光中継装置 | |
| Souli et al. | 20 Gbit/s high-performance integrated MQW TANDEM modulators and amplifier for soliton generation and coding | |
| JPH06141002A (ja) | 光中継装置 | |
| JP4653940B2 (ja) | 通信用光制御装置 | |
| US7356263B2 (en) | Signal processor for converting signal | |
| Nonaka et al. | Direct time-domain optical demultiplexing of 10-Gb/s NRZ signals using side-injection light-controlled bistable laser diode | |
| Dummer et al. | A bit-rate-transparent monolithically integrated wavelength converter | |
| JP3737402B2 (ja) | モード同期集積型半導体レーザーを用いた光信号再生インバータ |