JPH10208689A - Electron tube - Google Patents

Electron tube

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JPH10208689A
JPH10208689A JP1277197A JP1277197A JPH10208689A JP H10208689 A JPH10208689 A JP H10208689A JP 1277197 A JP1277197 A JP 1277197A JP 1277197 A JP1277197 A JP 1277197A JP H10208689 A JPH10208689 A JP H10208689A
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container
metal
sealing
electron tube
indium
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Yasuharu Negi
康晴 根木
Toshimitsu Nagai
俊光 永井
Atsushi Kibune
淳 木舩
Hiroshi Hasegawa
寛 長谷川
Shigeru Ichikawa
繁 市川
Hitoshi Kinoshita
仁志 木下
Norio Asakura
憲夫 朝倉
Motohiro Suyama
本比呂 須山
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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron tube having good airtightness and suitable for mass production. SOLUTION: In this electron tube 1, indium 23 stuck to the peripheral wall of the inner wall of a metal support 24 for sealing is interposed between a container 10 and an input face plate 21. The input face plate 21 is pressed against a container 21. Where, a first and a second protrusion parts 71, 72 formed at the end of the container 10 deform the indium 23. Indium 23 pushed out by deformation is pushed into a metal-housing recessed part 73 for sealing provided between the first protrusion part 71 and the second protrusion part 72. Therefore, deformation afforded to the indium 23 surely press-fits indium 23 to the wall faces of the first and the second protrusion part 71, 72 and simultaneously, securely press-fits indium 23 to the wall face of the metal-housing recessed part 73 for sealing as well. The indium 23 positively assures sealing between the input face plate 21 and the container 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、融点以下の温度状
態(例えば常温)に維持された封止用金属(例えばイン
ジウムを主成分とする金属)によって、容器と入力面板
とを接着固定した電子管に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron tube in which a container and an input face plate are bonded and fixed by a sealing metal (for example, a metal mainly containing indium) maintained at a temperature lower than a melting point (for example, normal temperature). It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から存在する電子管として、特開平
4−58444号公報がある。これら公報に開示された
電子管は、コールドインジウム法によって製造されたも
のである。このコールドインジウム法とは、トランスフ
ァー装置と呼ばれる真空装置内で容器と入力面板とをイ
ンジウムを介して接続する際に、インジウムを融点以下
の温度状態(例えば常温)に維持し、インジウムを固体
のままで利用する技術である。そこで、容器と入力面板
とを接合させる際、容器に入力面板を押し付けるように
してインジウムを変形させ、インジウムを容器及び入力
面板に圧着させることで、電子管の真空気密封止を達成
している。また、電子管にコールドインジウム法を適用
した例として、特開昭57−136748号公報、特開
昭54−16167号公報及び特開昭61−21194
1号公報等がある。
2. Description of the Related Art As a conventional electron tube, there is Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-58444. The electron tubes disclosed in these publications are manufactured by the cold indium method. This cold indium method means that when a container and an input face plate are connected via an indium in a vacuum device called a transfer device, the indium is maintained at a temperature lower than a melting point (for example, normal temperature), and the indium remains solid. The technology used in Therefore, when joining the container and the input face plate, the indium is deformed by pressing the input face plate against the container, and the indium is pressed against the container and the input face plate, thereby achieving the vacuum tight sealing of the electron tube. Examples of applying the cold indium method to electron tubes are disclosed in JP-A-57-136748, JP-A-54-16167 and JP-A-61-2194.
No. 1 publication.

【0003】また、電子管にホットインジウム法を適用
した例として、特開平6−318439号公報や特開平
3−133037号公報等がある。ホットインジウム法
とは、トランスファー装置内において、加熱器で溶融さ
せたインジウムにより、容器と入力面板とを接合させる
技術であり、容器側には、溶けたインジウムが流れ出さ
ないためのインジウム溜まり凹部が設けられている。
As examples of applying the hot indium method to an electron tube, there are JP-A-6-318439 and JP-A-3-133037. The hot indium method is a technique in which a container and an input face plate are joined by indium melted by a heater in a transfer device.In the container side, there is an indium accumulation recess for preventing the molten indium from flowing out. Is provided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
コールドインジウム法を適用する電子管は、上述したよ
うに構成されているため、次のような課題が存在してい
た。すなわち、容器の端面及び入力面板の内側表面は、
いずれも略平坦な面として形成されているので、たとえ
入力面板及び容器をインジウムに力強く押し付けるよう
にしても、インジウムとの接触面でなじみ性が悪く、そ
の結果、十分な真空気密が要求される電子管に気密不良
が発生する場合があった。そして、この気密不良に起因
して、大気中の酸素や水分が電子管内に入り込み、光電
面感度の劣化を招来していた。特に、容器の接合端部が
金属材料で形成されている場合には、インジウムとのな
じみ性が悪くなる。
However, the electron tube to which the above-described cold indium method is applied has the following problems because it is configured as described above. That is, the end surface of the container and the inner surface of the input face plate are:
Since both are formed as substantially flat surfaces, even if the input face plate and the container are strongly pressed against indium, they have poor conformability at the contact surface with indium, and as a result, sufficient vacuum tightness is required. In some cases, poor airtightness occurred in the electron tube. Then, due to the poor airtightness, oxygen and moisture in the air enter into the electron tube, causing deterioration of the photocathode sensitivity. In particular, when the joining end of the container is formed of a metal material, the compatibility with indium is deteriorated.

【0005】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、特に、気密性が良く、大量生産に適した
電子管を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an electron tube having good airtightness and suitable for mass production.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る本発明の
電子管は、第1の開口と第1の開口と反対側に位置する
第2の開口とを有する容器と、容器の第1の開口側に設
けられて、入射した光に応じて電子を放出する光電面を
もった入力面板と、容器の第2の開口側に設けられて、
入力面板と共に真空領域を規定するステムとを備え、入
力面板と容器の端部とを対峙させ、加圧変形自在な封止
用金属で入力面板と容器の端部との間を封止し、封止用
金属で封止した部分を環状の封止用金属支持体で外側か
ら包囲した電子管において、容器の端部には、封止用金
属を変形させる封止用金属変形部位が形成され、この封
止用金属変形部位は、入力面板に向けて突出し端部の内
側に位置する環状の第1の突起部と、入力面板に向けて
突出し端部の外側に位置する環状の第2の突起部と、第
1の突起部と第2の突起部との間に設けられた環状の封
止用金属収容凹部とを有したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electron tube comprising: a container having a first opening and a second opening opposite to the first opening; An input faceplate provided on the opening side and having a photocathode that emits electrons in response to incident light, and an input faceplate provided on the second opening side of the container;
With the input face plate and a stem that defines a vacuum area, the input face plate and the end of the container are opposed to each other, and the space between the input face plate and the end of the container is sealed with pressurized and deformable sealing metal, In an electron tube in which the portion sealed with the sealing metal is surrounded from the outside with an annular sealing metal support, at the end of the container, a sealing metal deformation portion for deforming the sealing metal is formed, The metal deformation portion for sealing includes an annular first protrusion protruding toward the input face plate and positioned inside the end portion, and an annular second protrusion protruding toward the input face plate and positioned outside the end portion. And an annular sealing metal housing recess provided between the first projection and the second projection.

【0007】この電子管においては、容器と入力面板と
の間を加圧変形自在な封止用金属(例えばインジウム又
はインジウムの合金)で接合させるにあたって、封止用
金属支持体の内周面に接着させた封止用金属を容器と入
力面板との間に配置させ、容器に対して入力面板を押し
付ける。このとき、容器の端部に形成された第1の突起
部及び第2の突起部が封止用金属を変形させ、この変形
により押し出された封止用金属は、第1の突起部と第2
の突起部との間に設けられた封止用金属収容凹部内に内
に押し込まれる。従って、封止用金属のこのような変形
により、第1及び第2の突起部の壁面に封止用金属が確
実に圧着されると同時に、封止用金属収容凹部の壁面に
も封止用金属が確実に圧着され、入力面板と容器の端部
との間を封止用金属で確実に封止することができる。更
に、封止用金属が加圧変形する際、容器の端部の内側に
位置する環状の第1の突起部により、容器内部に封止用
金属が必要以上に流入するのを適切に阻止することがで
き、また、容器の外周に位置する環状の封止用金属支持
体により、容器外に封止用金属が必要以上にはみ出すの
を適切に阻止することができる。そして、容器の封止用
金属変形部位に第1及び第2の突起部と封止用金属収容
凹部と形成することで、封止用金属変形部位の表面積が
大きくなり、このことが、封止用金属と容器の端部との
接合性を向上させる一因になっている。
In this electron tube, when the container and the input face plate are joined with a sealing metal (for example, indium or an indium alloy) which can be deformed under pressure, the container is bonded to the inner peripheral surface of the sealing metal support. The sealing metal is placed between the container and the input face plate, and the input face plate is pressed against the container. At this time, the first protrusion and the second protrusion formed at the end of the container deform the sealing metal, and the sealing metal extruded by this deformation is combined with the first protrusion and the first protrusion. 2
Is pushed into the sealing metal housing recess provided between the projections. Therefore, due to such deformation of the sealing metal, the sealing metal is securely pressed against the wall surfaces of the first and second projections, and at the same time, the sealing metal is also formed on the wall surface of the sealing metal housing recess. The metal is securely pressed, and the space between the input face plate and the end of the container can be reliably sealed with the sealing metal. Further, when the sealing metal is deformed under pressure, the annular first protrusion located inside the end of the container appropriately prevents the sealing metal from flowing into the container more than necessary. In addition, the annular sealing metal support located on the outer periphery of the container can appropriately prevent the sealing metal from protruding outside the container more than necessary. Then, by forming the first and second protrusions and the sealing metal housing concave portion in the sealing metal deformation portion of the container, the surface area of the sealing metal deformation portion increases, which is This is one factor that improves the bonding between the metal for use and the end of the container.

【0008】この場合、第1又は第2の突起部を、容器
の端面に別体で固定すると好ましい。このような構成を
採用した場合、第1及び第2の突起部に対する封止用金
属のなじみ性を考慮して、第1の突起部の形状と第2の
突起部の形状とを容易に設計変更することができ、一体
成形では不可能な様々な形状や材質の突起部を安価に作
り出すことができる。
In this case, it is preferable that the first or second protrusion is separately fixed to the end face of the container. When such a configuration is adopted, the shape of the first protrusion and the shape of the second protrusion are easily designed in consideration of the conformability of the sealing metal to the first and second protrusions. It can be changed, and projections of various shapes and materials that cannot be formed by integral molding can be produced at low cost.

【0009】また、第2の突起部の先端面は、外方に向
けて切り落とすような傾斜面にすると好ましい。このよ
うな構成を採用した場合、封止用金属を第2の突起部で
変形させる際、第2の突起部の壁面に封止用金属を確実
に沿わせることができ、第2の突起部の壁面に対する封
止用金属の圧着性が向上する。
It is preferable that the tip end surface of the second projection has an inclined surface that is cut off outward. When such a configuration is adopted, when the metal for sealing is deformed by the second protrusion, the metal for sealing can be reliably brought along the wall surface of the second protrusion, and the second protrusion is formed. The pressure-bonding property of the sealing metal to the wall surface of the metal is improved.

【0010】更に、容器の外周壁面に、封止用金属支持
体を収容する環状の切欠き部を形成すると好ましい。こ
のような構成を採用した場合、封止用金属支持体の外周
壁面と容器の外周壁面とを略面一にすることができ、電
子管における外周壁面の凹凸を可能な限り少なくするこ
とができ、引っ掛かりの極めて少ないシンプルな形状の
電子管が可能になる。従って、多数本の電子管を密に配
列する際に好適であり、電子管の汎用性や取り扱い性が
向上する。
[0010] Further, it is preferable to form an annular cutout for accommodating the metal support for sealing on the outer peripheral wall surface of the container. When such a configuration is adopted, the outer peripheral wall surface of the sealing metal support and the outer peripheral wall surface of the container can be substantially flush, and the unevenness of the outer peripheral wall surface of the electron tube can be reduced as much as possible. An electron tube with a simple shape with very little catching becomes possible. Therefore, it is suitable when many electron tubes are arranged densely, and the versatility and handleability of the electron tubes are improved.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による電
子管の好適な実施形態について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of an electron tube according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明に係る電子管の第1実施形
態を示す断面図である。同図に示すように、電子管1は
円筒状の容器10を有し、この容器10は、導電性の良
いコバール金属を利用して、プレス成形又は射出成形又
は切削加工等の様々な一体成形方法により作り出された
リング状のカソード電極11と、電気絶縁性材料(例え
ばセラミック)からなるリング状のバルブ12と、コバ
ール金属からなるリング状の溶接電極13と、バルブ1
2を2分割することで形成された第1バルブ12Aと第
2バルブ12Bとの間で、挟むようにして固定させたコ
バール金属製のリング状中間電極50とから構成され、
これら部材11,12,13及び50は互いに同心状に
積層配置されている。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of an electron tube according to the present invention. As shown in FIG. 1, the electron tube 1 has a cylindrical container 10, and the container 10 is made of various kinds of integral molding methods such as press molding, injection molding, or cutting using Kovar metal having good conductivity. , A ring-shaped bulb 12 made of an electrically insulating material (for example, ceramic), a ring-shaped welding electrode 13 made of Kovar metal, and a bulb 1.
A ring-shaped intermediate electrode 50 made of Kovar metal fixed between the first valve 12A and the second valve 12B formed by dividing 2 into two,
These members 11, 12, 13 and 50 are stacked and arranged concentrically with each other.

【0013】また、中間電極50をもったバルブ12
は、カソード電極11と溶接電極13との間に設けら
れ、バルブ12の一端は、カソード電極11のフラット
な内端面11aに突き合わせた後、ろう付け等で固定さ
れ、バルブ12の他端は、溶接電極13のフラットな内
端面13aに突き合わせた後、ろう付け等で固定されて
いる。また、バルブ12は、第1バルブ12Aと第2バ
ルブ12Bとで中間電極50の外周端部を挟み、接合部
分にろう付け作業を施すことで形成される。従って、ろ
う付け作業により、容器10は簡単に一体化が図られる
ことになる。
The bulb 12 having the intermediate electrode 50
Is provided between the cathode electrode 11 and the welding electrode 13. One end of the bulb 12 is fixed to the flat inner end face 11 a of the cathode electrode 11 by brazing or the like, and the other end of the bulb 12 is After butting against the flat inner end surface 13a of the welding electrode 13, it is fixed by brazing or the like. Further, the bulb 12 is formed by sandwiching the outer peripheral end of the intermediate electrode 50 between the first bulb 12A and the second bulb 12B, and performing a brazing operation on a joint portion. Therefore, the container 10 can be easily integrated by the brazing operation.

【0014】更に、カソード電極11とバルブ12と溶
接電極13の筒状本体13Aとは略同じ外形(この場合
「例えば直径14mmの円形」)に形成されている。従
って、容器10の外面から凹凸を無くすことができ、引
っ掛かりの無いシンプルな形状にすることができる。そ
の結果、狭い空間においても多数本の電子管を密に配列
させることができ、取り扱い易い電子管が可能になり、
しかも高圧に耐え得る構造を可能にしている。なお、リ
ング体をなすカソード電極11、バルブ12、中間電極
50及び溶接電極13の外形は多角形であってもよい。
Further, the cathode electrode 11, the bulb 12, and the cylindrical main body 13A of the welding electrode 13 are formed to have substantially the same outer shape (in this case, for example, a "circle having a diameter of 14 mm"). Therefore, unevenness can be eliminated from the outer surface of the container 10, and a simple shape free from catching can be obtained. As a result, many electron tubes can be arranged densely even in a narrow space, and an electron tube that is easy to handle becomes possible.
Moreover, a structure that can withstand high pressure is made possible. The outer shapes of the cathode electrode 11, the bulb 12, the intermediate electrode 50, and the welding electrode 13 forming a ring may be polygonal.

【0015】カソード電極11の内周壁面11bはバル
ブ12の内周壁面12aより内側に位置し、バルブ12
の内径に対してカソード電極11の内径を小さくしてい
る。従って、後述する光電面22側の意図しない場所で
生じた迷走電子が、バルブ12に衝突するのを防止で
き、迷走電子の衝突により発生するバルブ12の帯電
や、これに起因する電子軌道への影響を無くすことがで
きる。この場合、カソード電極11は、電子管1のフォ
ーカス電極を兼ねているので、所定の電圧を電子管1に
印加したとき、有効径8mmの光電面22から放出した
電子は2mm程度の径に収束しながら、半導体素子40
に入射する必要がある。そこで、カソード電極11は、
内径10mm、長さ3mmが好適であり、セラミック製
の第1及び第2バルブ12A,12Bは、内径11m
m、長さ3mmが好適である。
The inner peripheral wall surface 11b of the cathode electrode 11 is located inside the inner peripheral wall surface 12a of the bulb 12,
The inside diameter of the cathode electrode 11 is smaller than the inside diameter of the cathode electrode 11. Therefore, it is possible to prevent stray electrons generated at an unintended location on the photoelectric surface 22 side, which will be described later, from colliding with the valve 12, and to charge the valve 12 generated by the collision of the stray electrons and to cause an electron trajectory caused by this. The effect can be eliminated. In this case, since the cathode electrode 11 also serves as the focus electrode of the electron tube 1, when a predetermined voltage is applied to the electron tube 1, electrons emitted from the photoelectric surface 22 having an effective diameter of 8 mm converge to a diameter of about 2 mm. , Semiconductor element 40
Need to be incident on Therefore, the cathode electrode 11
The inner diameter is preferably 10 mm and the length is preferably 3 mm. The first and second valves 12A and 12B made of ceramic have an inner diameter of 11 m.
m and a length of 3 mm are preferred.

【0016】前述した中間電極50は、バルブ12の内
周壁面12aから内方に突出し、中間電極50の開口部
50aの内径は、電子軌道に干渉しない範囲内で極力小
さくなっている(好適には7mmである)。従って、迷
走電子によるバルブ12の帯電が防止されると共に、仮
に何らかの理由でバルブ12が帯電しても、電子軌道に
近い空間の電位を中間電極50により固定させているの
で、バルブ12の帯電が電子軌道に悪影響を与えるのを
防止することができる。なお、中間電極50の厚さは、
0.5mmが好適である。
The above-mentioned intermediate electrode 50 projects inward from the inner peripheral wall surface 12a of the bulb 12, and the inner diameter of the opening 50a of the intermediate electrode 50 is as small as possible within a range that does not interfere with the electron trajectory (preferably). Is 7 mm). Therefore, the valve 12 is prevented from being charged by stray electrons, and even if the valve 12 is charged for some reason, the electric potential of the space close to the electron trajectory is fixed by the intermediate electrode 50. An adverse effect on the electron orbit can be prevented. The thickness of the intermediate electrode 50 is
0.5 mm is preferred.

【0017】容器10の溶接電極13には導電性材料
(例えばコバール金属)よりなる円盤状のステム31が
固設され、このステム31は、容器10の第2の開口1
5側に配置されている。ここで、溶接電極13の筒状本
体13Aの外端には、ステム31との接合に利用するた
めに外方に突出した円形の第1フランジ部13Bが形成
され、筒状本体13Aの内端には、バルブ12との接合
に利用するために内方に突出した円形の第2フランジ部
13Cが形成されている。また、ステム31の外周に
は、第1フランジ部13Bに嵌合させるための円形の切
欠き縁部31aが形成されている。従って、溶接電極1
3の第1フランジ部13Bをステム31の切欠き縁部3
1aに嵌合させ、抵抗溶接を施すだけの簡単な組立て作
業で、溶接電極13とステム31とを簡単に接合させる
ことができる。また、抵抗溶接中において、ステム31
に対する容器10の着座性は極めて良い。なお、ステム
31にはガラス34で絶縁した貫通ピン32が固定され
ている。
A disk-shaped stem 31 made of a conductive material (for example, Kovar metal) is fixed to the welding electrode 13 of the container 10. The stem 31 is connected to the second opening 1 of the container 10.
It is arranged on the 5th side. Here, at the outer end of the cylindrical main body 13A of the welding electrode 13, a circular first flange portion 13B protruding outward for use in joining with the stem 31 is formed, and the inner end of the cylindrical main body 13A is formed. Is formed with a circular second flange portion 13 </ b> C protruding inward for use in joining with the valve 12. Further, a circular notch edge 31a for fitting to the first flange portion 13B is formed on the outer periphery of the stem 31. Therefore, welding electrode 1
3 to the notch edge 3 of the stem 31.
1a, the welding electrode 13 and the stem 31 can be easily joined by a simple assembling operation only by performing resistance welding. During resistance welding, the stem 31
Is very good. Note that a through pin 32 insulated by a glass 34 is fixed to the stem 31.

【0018】また、ステム31における真空側の面上に
は、APD(アバランシェ・フォトダイオード)として
動作する半導体素子40が導電性の接着剤を介して固着
されている。半導体素子40の電子入射面44aの直径
は3mm程度であり、半導体素子40の所定の部位は、
ステム31と絶縁させた貫通ピン32に対してワイヤー
33により接続されている。更に、半導体素子40と中
間電極50との間には板状のアノード電極60が配置さ
れ、アノード電極60の外周端部は溶接電極13の第2
フランジ部13Cに固定されている。このアノード電極
60は、半導体素子40に近い側に位置すると共に、厚
さ0.3mmのステンレス製の薄板をプレス加工するこ
とで形成されている。なお、アノード電極60と半導体
素子40との間隔は1mmが好適である。
A semiconductor element 40 operating as an APD (avalanche photodiode) is fixed on the vacuum-side surface of the stem 31 via a conductive adhesive. The diameter of the electron incident surface 44a of the semiconductor element 40 is about 3 mm, and a predetermined portion of the semiconductor element 40 is
It is connected to a through pin 32 insulated from the stem 31 by a wire 33. Further, a plate-shaped anode electrode 60 is disposed between the semiconductor element 40 and the intermediate electrode 50, and an outer peripheral end of the anode electrode 60 is a second electrode of the welding electrode 13.
It is fixed to the flange 13C. The anode electrode 60 is located on the side closer to the semiconductor element 40 and is formed by pressing a stainless steel thin plate having a thickness of 0.3 mm. Note that the distance between the anode electrode 60 and the semiconductor element 40 is preferably 1 mm.

【0019】このアノード電極60の中央には、半導体
素子40の電子入射面44aに対峙させた開口部61が
形成されている。このアノード電極60には、開口部6
1を包囲するように突出した円筒状のコリメーター部
(コリメーター電極)62が一体に形成され、このコリ
メーター部62は、光電面22に向けて突出すると共
に、開口部61に対して同心的に配置されている。ま
た、コリメーター部62の内径は3.0mmが好適であ
り、この高さは1.3mmが好適である。なお、アノー
ド電極60は、溶接電極13の第2フランジ部13Cの
延長上に予め形成させておいて、溶接電極13がアノー
ド電極60を兼ねるように構成することも可能である。
An opening 61 is formed at the center of the anode electrode 60 so as to face the electron incident surface 44a of the semiconductor element 40. This anode electrode 60 has an opening 6
A cylindrical collimator portion (collimator electrode) 62 projecting so as to surround the photoreceptor 1 is integrally formed. The collimator portion 62 protrudes toward the photoelectric surface 22 and is concentric with the opening portion 61. It is arranged in a way. The inner diameter of the collimator section 62 is preferably 3.0 mm, and the height is preferably 1.3 mm. The anode electrode 60 may be formed in advance on an extension of the second flange portion 13C of the welding electrode 13 so that the welding electrode 13 also serves as the anode electrode 60.

【0020】図2に示すように、容器10におけるカソ
ード電極11には、光を透過させるガラス製の入力面板
21が固設され、この入力面板21は、内側に光電面2
2を有すると共に、容器10の第1の開口14側に配置
されている。そして、この入力面板21は、光電面22
を作製した後、封止用金属として利用する加圧変形自在
な低融点金属(例えば、取り扱い容易で加工し易いイン
ジウムそれ自体、インジウムを主成分とする合金、鉛又
は鉛合金)23を介してカソード電極11に一体化さ
れ、その結果、入力面板21と容器10の端部との間は
低融点金属23で封止される。また、低融点金属23で
封止した部分を、コバール金属からなる環状の封止用金
属支持体24で外側から包囲している。更に、光電面2
2の周辺部分には、光電面22と低融点金属23とを電
気的に接続するように、クロムの薄膜よりなる光電面電
極25が配置されている。この光電面電極25の内径8
mmは光電面22の有効径を規定している。なお、封止
用金属として、加圧変形可能な金(Au)が利用される
場合もある。
As shown in FIG. 2, an input surface plate 21 made of glass for transmitting light is fixed to the cathode electrode 11 of the container 10, and the input surface plate 21 has the photoelectric surface 2 inside.
2 and is disposed on the side of the first opening 14 of the container 10. The input face plate 21 is provided with a photocathode 22
After being manufactured, via a low-melting metal (for example, indium itself, an alloy containing indium as a main component, lead or a lead alloy) which is deformable under pressure and used as a sealing metal (for example, easy to handle and easy to process). As a result, the space between the input face plate 21 and the end of the container 10 is sealed with a low melting point metal 23. The portion sealed with the low melting point metal 23 is surrounded from the outside by an annular sealing metal support 24 made of Kovar metal. Furthermore, the photocathode 2
A photocathode electrode 25 made of a chromium thin film is arranged in a peripheral portion of 2 so as to electrically connect the photocathode 22 and the low melting point metal 23. Inner diameter 8 of this photocathode electrode 25
mm defines the effective diameter of the photoelectric surface 22. In some cases, gold (Au) that can be deformed under pressure is used as the sealing metal.

【0021】ここで、容器10におけるカソード電極1
1の端部には、低融点金属23を変形させる封止用金属
変形部位70が形成されている。この封止用金属変形部
位70は、入力面板21に向けて突出する環状の第1及
び第2の突起部71,72と、第1の突起部71と第2
の突起部72との協働でこれらの間に形成させた環状の
封止用金属収容凹部73とからなる。
Here, the cathode electrode 1 in the container 10
At one end, a metal deformation portion 70 for sealing that deforms the low-melting metal 23 is formed. The sealing metal deformation portion 70 includes annular first and second protrusions 71 and 72 protruding toward the input face plate 21, and the first protrusion 71 and the second protrusion 71.
And an annular sealing metal housing recess 73 formed therebetween in cooperation with the projection 72.

【0022】第1の突起部71は、容器10の端部の内
側に位置すると共に、断面矩形状を有している。第2の
突起部72は、容器10の端部の外側に位置すると共
に、断面三角形状を有している。すなわち、第2の突起
部72の先端面は、外方に向けて切り落とすように形成
した傾斜面72aになっている。従って、このような傾
斜面72aを利用することで、第2の突起部72の壁面
に低融点金属23を確実に沿わせることができ、第2の
突起部72の壁面に対する低融点金属23の圧着性が向
上する。そして、封止用金属収容凹部73は、入力面板
21側を開放させた断面コ字状に形成され、低融点金属
23の取り込みを可能にしている。
The first projection 71 is located inside the end of the container 10 and has a rectangular cross section. The second protrusion 72 is located outside the end of the container 10 and has a triangular cross section. That is, the distal end surface of the second projection 72 is an inclined surface 72a formed so as to be cut off outward. Therefore, by using such an inclined surface 72 a, the low melting point metal 23 can be made to surely follow the wall surface of the second projection 72, and the low melting point metal 23 against the wall surface of the second projection 72. The crimpability is improved. The metal recess 73 for sealing is formed in a U-shape in cross section with the input face plate 21 side open to allow the low melting point metal 23 to be taken in.

【0023】次に、トランスファー装置と呼ばれる真空
装置(図示せず)内で、容器10と入力面板21との間
を低融点金属23で封止する手順について簡単に説明す
る。なお、封止の際、トランスファー装置の内部は、低
融点金属23が溶融しない融点以下の温度(例えば常
温)状態に維持されている。
Next, a procedure for sealing the space between the container 10 and the input face plate 21 with the low melting point metal 23 in a vacuum device (not shown) called a transfer device will be briefly described. At the time of sealing, the inside of the transfer device is maintained at a temperature lower than the melting point at which the low melting point metal 23 does not melt (for example, normal temperature).

【0024】図3に示すように、カソード電極11の上
に低融点金属23、入力面板21の順に配置し、それぞ
れを同軸上に位置決めする。この場合、低融点金属23
は、環状の封止用金属支持体24の内周壁面に接着固定
されると共に、断面がおよそ二等辺三角形になるような
リング体に形成されている。なお、低融点金属23の外
形は、内径13.5mm、外形14.5mm、高さ2m
mが好適である。この状態で、カソード電極11と入力
面板21とを150kg程度の高圧で互いに押し付ける
ことにより、低融点金属23が変形して接着剤として機
能し、入力面板21は容器10と一体化する。
As shown in FIG. 3, the low melting point metal 23 and the input face plate 21 are arranged on the cathode electrode 11 in this order, and are positioned coaxially. In this case, the low melting point metal 23
Is formed into a ring body which is bonded and fixed to the inner peripheral wall surface of the annular metal support 24 for sealing and has a cross section of approximately an isosceles triangle. The low melting point metal 23 has an outer diameter of 13.5 mm, an outer diameter of 14.5 mm, and a height of 2 m.
m is preferred. In this state, when the cathode electrode 11 and the input face plate 21 are pressed against each other at a high pressure of about 150 kg, the low melting point metal 23 is deformed and functions as an adhesive, and the input face plate 21 is integrated with the container 10.

【0025】この一体化に際して、容器10の端部に形
成された第1の突起部71及び第2の突起部72が低融
点金属23を変形させ、この変形により押し出された低
融点金属23は、第1の突起部71と第2の突起部72
との間に設けられた封止用金属収容凹部73内に内に押
し込まれる。従って、低融点金属23のこのような変形
により、第1及び第2の突起部71,72の壁面に低融
点金属23が確実に圧着されると同時に、封止用金属収
容凹部73の壁面にも低融点金属23が確実に圧着さ
れ、入力面板21と容器10の端部との間を低融点金属
23で確実に封止することができ、電子管1内の気密性
が向上する。
At the time of this integration, the first projection 71 and the second projection 72 formed at the end of the container 10 deform the low-melting metal 23, and the low-melting metal 23 extruded by this deformation is , The first protrusion 71 and the second protrusion 72
Are pushed into the metal receiving recess 73 for sealing provided between them. Therefore, due to such deformation of the low melting point metal 23, the low melting point metal 23 is securely pressed on the wall surfaces of the first and second projections 71 and 72, and at the same time, the wall surface of the sealing metal housing recess 73 is formed. Also, the low-melting-point metal 23 is securely press-bonded, and the space between the input face plate 21 and the end of the container 10 can be reliably sealed with the low-melting-point metal 23, and the airtightness in the electron tube 1 is improved.

【0026】更に、低融点金属23が加圧変形する際、
容器10の端部の内側に位置する環状の第1の突起部7
1により、容器10内部に低融点金属23が必要以上に
流入するのを阻止することができ、低融点金属23が光
電面22に付着するのを回避することができる。また、
容器10の外周に位置する環状の封止用金属支持体24
により、容器10から低融点金属23が必要以上にはみ
出すのを阻止することができる。また、突起部71,7
2及び封止用金属収容凹部73の形成により、封止用金
属変形部位70の表面積が大きくなり、低融点金属23
と容器10の端部との接合性が向上し、電子管1の気密
性をアップさせている。
Further, when the low melting point metal 23 is deformed under pressure,
An annular first protrusion 7 located inside the end of the container 10
According to 1, it is possible to prevent the low melting point metal 23 from flowing into the container 10 more than necessary, and to prevent the low melting point metal 23 from adhering to the photoelectric surface 22. Also,
An annular sealing metal support 24 located on the outer periphery of the container 10
Accordingly, it is possible to prevent the low melting point metal 23 from protruding from the container 10 more than necessary. Also, the projections 71, 7
2 and the formation of the sealing metal receiving recess 73, the surface area of the sealing metal deformation portion 70 is increased, and the low melting point metal 23 is formed.
And the end of the container 10 are improved, and the airtightness of the electron tube 1 is improved.

【0027】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではなく、例えば、図4に示すように、容器10に
おけるカソード電極11の外周壁面11cには、環状の
封止用金属支持体24を収容する環状の切欠き部74が
形成されている。この切欠き部74によって、封止用金
属支持体24の外周壁面24aと容器10の外周壁面1
0cとを面一にすることができ、電子管1における外周
壁面の凹凸を可能な限り少なくすることができ、引っ掛
かりの極めて少ないシンプルな形状が達成される。従っ
て、多数本の電子管1を密に配列する際に好適であり、
電子管1の汎用性や取り扱い性が向上する。すなわち、
限られたスペースに1000本〜1万本の電子管1を並
べて利用する高エネルギ分野や医療機器分野からの要望
に応えることができる。また、図5に示すように、他の
例に係る第2の突起部75は、その先端面に傾斜面を有
さず、第2の突起部75の先端面は、入力面板21の内
側表面に対して平行に形成されている。
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, as shown in FIG. 4, an outer peripheral wall surface 11c of the cathode electrode 11 in the container 10 is provided with an annular sealing metal support 24. Is formed in an annular cutout portion 74 for accommodating therein. The notch 74 allows the outer peripheral wall 24 a of the sealing metal support 24 and the outer peripheral wall 1
0c can be flush with each other, the unevenness of the outer peripheral wall surface of the electron tube 1 can be reduced as much as possible, and a simple shape with very little catching can be achieved. Therefore, it is suitable when many electron tubes 1 are densely arranged.
The versatility and handleability of the electron tube 1 are improved. That is,
It is possible to meet the demands from the high energy field and medical equipment field in which 1,000 to 10,000 electron tubes 1 are arranged and used in a limited space. Further, as shown in FIG. 5, the second protrusion 75 according to another example does not have an inclined surface at the tip surface, and the tip surface of the second protrusion 75 is the inner surface of the input face plate 21. Are formed in parallel with.

【0028】また、図6に示すように、他の実施形態に
係る封止用金属変形部位80は、入力面板21に向けて
突出する環状の第1及び第2の突起部81,82と、第
1の突起部81と第2の突起部82との協働でこれらの
間に形成された環状の封止用金属収容凹部83とからな
る。この第1の突起部81は、容器10の端部の内側に
位置すると共に、断面円形状をなしている。更に、第1
の突起部81は、ニッケル、ステンレス又はコバール金
属等からなり、カソード電極11の端面に抵抗溶接によ
り固定されている。このように、第1の突起部81をカ
ソード電極11と別体にすることで、第1の突起部81
とカソード電極11とを別の材質のもので作り出すこと
ができ、一体成形では不可能だった様々な形状や材質の
第1の突起部81を安価に作り出すことができる。ま
た、第1の突起部81に対する低融点金属23のなじみ
性を考慮して、第1の突起部81の形状や材質を容易に
設計変更することができる。
As shown in FIG. 6, a metal deformation portion 80 for sealing according to another embodiment includes first and second annular projections 81 and 82 projecting toward the input face plate 21. It comprises an annular sealing metal housing recess 83 formed between the first projection 81 and the second projection 82 in cooperation with each other. The first projection 81 is located inside the end of the container 10 and has a circular cross section. Furthermore, the first
Is made of nickel, stainless steel, Kovar metal, or the like, and is fixed to the end face of the cathode electrode 11 by resistance welding. As described above, by forming the first protrusion 81 separately from the cathode electrode 11, the first protrusion 81 is formed.
And the cathode electrode 11 can be made of different materials, and the first protrusions 81 of various shapes and materials, which cannot be formed by integral molding, can be made at low cost. In addition, the shape and material of the first protrusion 81 can be easily changed in design in consideration of the conformability of the low melting point metal 23 to the first protrusion 81.

【0029】第2の突起部82は、断面三角形状を有す
ると共に、容器10の端部の外側に位置してカソード電
極11に一体形成されている。すなわち、第2の突起部
82の先端面は、外方に向けて切り落とすように形成し
た傾斜面82aになっている。従って、この傾斜面82
aを利用することで、第2の突起部82の壁面に低融点
金属23を確実に沿わせることができ、第2の突起部8
2の壁面に対する低融点金属23の圧着性が向上する。
そして、封止用金属収容凹部83は、入力面板21側が
開放された形状をなし、低融点金属23の取り込みを可
能にしている。
The second projection 82 has a triangular cross section and is formed outside the end of the container 10 and is integrally formed with the cathode electrode 11. That is, the distal end surface of the second projection 82 is an inclined surface 82a formed so as to be cut outward. Therefore, this inclined surface 82
By using a, the low-melting-point metal 23 can be made to surely follow the wall surface of the second projection 82, and the second projection 8
The press-fitting property of the low-melting metal 23 to the second wall surface is improved.
The metal housing recess 83 for sealing has a shape in which the input face plate 21 side is open, so that the low melting point metal 23 can be taken in.

【0030】なお、第2の突起部82をカソード電極1
1と別体に形成することも可能である。この場合、第2
の突起部82とカソード電極11とを別の材質のもので
作り出すことができ、一体成形では不可能だった様々な
形状や材質の第2の突起部82を安価に作り出すことが
できる。また、第2の突起部82に対する低融点金属2
3のなじみ性を考慮して、第2の突起部82の形状や材
質を容易に設計変更することができる。なお、第2の突
起部82の材質はステンレス等であってもよい。
The second projection 82 is connected to the cathode 1
It is also possible to form it separately from one. In this case, the second
The projections 82 and the cathode electrode 11 can be made of different materials, and the second projections 82 of various shapes and materials, which cannot be integrally formed, can be produced at low cost. Further, the low melting point metal 2
The shape and material of the second projection 82 can be easily changed in design in consideration of the conformability of 3. The material of the second protrusion 82 may be stainless steel or the like.

【0031】また、図7に示すように、他の例に係る第
2の突起部85は、その先端面に傾斜面を有さず、第2
の突起部85の先端面は、入力面板21の内側表面に対
して平行に形成されている。この場合、第2の突起部8
5は、カソード電極11に対して別体であってもよい。
As shown in FIG. 7, the second projection 85 according to another example does not have an inclined surface at the tip end thereof,
Are formed in parallel with the inner surface of the input face plate 21. In this case, the second protrusion 8
5 may be separate from the cathode electrode 11.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明による電子管は、以上のように構
成されているため、次のような効果を得る。すなわち、
容器の端部には、封止用金属を変形させる封止用金属変
形部位が形成され、この封止用金属変形部位は、入力面
板に向けて突出し端部の内側に位置する環状の第1の突
起部と、入力面板に向けて突出し端部の外側に位置する
環状の第2の突起部と、第1の突起部と第2の突起部と
の間に設けられた環状の封止用金属収容凹部とを有して
いるので、電子管の気密性が良好になる。そして、容器
に対して入力面板を所定の圧力をもって押し付けるだけ
で、封止用金属を介在させた容器と入力面板との接合が
達成されるので、電子管の大量生産が可能になる。
As described above, the electron tube according to the present invention has the following effects. That is,
At the end of the container, a sealing metal deformation portion for deforming the sealing metal is formed, and the sealing metal deformation portion projects toward the input face plate and has an annular first shape located inside the end portion. , A second annular projection protruding toward the input face plate and positioned outside the end, and an annular sealing member provided between the first projection and the second projection. Since the metal tube has the concave portion, the airtightness of the electron tube is improved. Then, by simply pressing the input face plate against the container with a predetermined pressure, the joining between the input face plate and the container with the sealing metal interposed therebetween is achieved, so that mass production of electron tubes becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電子管の第1実施形態を示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of an electron tube according to the present invention.

【図2】図1に示した電子管の要部を示す拡大断面図で
ある。
FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a main part of the electron tube shown in FIG.

【図3】図1に示した電子管の組立て要領を示す要部拡
大断面図である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an assembly procedure of the electron tube shown in FIG.

【図4】本発明に係る電子管の第2実施形態を示す要部
拡大断面図である。
FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of a second embodiment of the electron tube according to the present invention.

【図5】本発明に係る電子管の第3実施形態を示す要部
拡大断面図である。
FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part showing a third embodiment of the electron tube according to the present invention.

【図6】本発明に係る電子管の第4実施形態を示す要部
拡大断面図である。
FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of a fourth embodiment of the electron tube according to the present invention.

【図7】本発明に係る電子管の第5実施形態を示す要部
拡大断面図である。
FIG. 7 is an enlarged sectional view of a main part showing a fifth embodiment of the electron tube according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…電子管、10…容器、10c…容器の外周壁面、1
2…第2の開口、14…第1の開口、15…第2の開
口、21…入力面板、22…光電面、23…低融点金属
(封止用金属)、24…封止用金属支持体、31…ステ
ム、70,80…封止用金属変形部位、71,81…第
1の突起部、72,75,82,85…第2の突起部、
72a,82a…傾斜面、73,83…封止用金属収容
凹部、74…切欠き部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron tube, 10 ... Container, 10c ... Container outer peripheral wall surface, 1
Reference numeral 2 denotes a second opening, 14 denotes a first opening, 15 denotes a second opening, 21 denotes an input face plate, 22 denotes a photocathode, 23 denotes a low melting point metal (sealing metal), and 24 denotes a metal support for sealing. Body, 31: Stem, 70, 80: Metal deformation portion for sealing, 71, 81: First projection, 72, 75, 82, 85: Second projection,
72a, 82a: inclined surface; 73, 83: recess for accommodating metal for sealing; 74: notch.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 寛 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 市川 繁 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 木下 仁志 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 朝倉 憲夫 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 須山 本比呂 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Hasegawa 1126-1, Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture Inside (72) Inventor Shigeru Ichikawa 1126, 1126 Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture (72) Inventor Hitoshi Kinoshita Hamamatsu Photonics Co., Ltd., 1126, Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture (72) Inventor Norio Asakura 1, 126-1, Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture, Japan 72) Inventor Suyama Motohiro 1126 Nomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture, 1 Hamamatsu Photonics Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の開口と前記第1の開口と反対側に
位置する第2の開口とを有する容器と、 前記容器の前記第1の開口側に設けられて、入射した光
に応じて電子を放出する光電面をもった入力面板と、 前記容器の前記第2の開口側に設けられて、前記入力面
板と共に真空領域を規定するステムとを備え、 前記入力面板と前記容器の端部とを対峙させ、加圧変形
自在な封止用金属で前記入力面板と前記容器の前記端部
との間を封止し、前記封止用金属で封止した部分を環状
の封止用金属支持体で外側から包囲した電子管におい
て、 前記容器の前記端部には、前記封止用金属を変形させる
封止用金属変形部位が形成され、この封止用金属変形部
位は、前記入力面板に向けて突出し前記端部の内側に位
置する環状の第1の突起部と、前記入力面板に向けて突
出し前記端部の外側に位置する環状の第2の突起部と、
前記第1の突起部と前記第2の突起部との間に設けられ
た環状の封止用金属収容凹部とを有したことを特徴とす
る電子管。
A container having a first opening and a second opening located on a side opposite to the first opening; provided on the first opening side of the container, in response to incident light; An input faceplate having a photocathode that emits electrons through the input port; and a stem provided on the second opening side of the container and defining a vacuum region together with the input faceplate, the input faceplate and an end of the container. The input face plate and the end of the container are sealed with a pressure-deformable sealing metal, and a portion sealed with the sealing metal is annularly sealed. In the electron tube surrounded from the outside by a metal support, a sealing metal deformation portion for deforming the sealing metal is formed at the end of the container, and the sealing metal deformation portion is formed by the input face plate. An annular first projection protruding toward the inner side and located inside the end; A second projection of the annular located outside of projecting said end toward the plate,
An electron tube comprising: an annular sealing metal housing recess provided between the first projection and the second projection.
【請求項2】 前記第1又は第2の突起部を、前記容器
の端面に別体で固定したことを特徴とする請求項1記載
の電子管。
2. The electron tube according to claim 1, wherein the first or second protrusion is separately fixed to an end surface of the container.
【請求項3】 前記第2の突起部の先端面は、外方に向
けて切り落とすような傾斜面にしたことを特徴とする請
求項1又は2記載の電子管。
3. The electron tube according to claim 1, wherein a tip end surface of the second projection has an inclined surface cut off outward.
【請求項4】 前記容器の外周壁面に、前記封止用金属
支持体を収容する環状の切欠き部を形成したことを特徴
とする請求項1〜3のいずれか一項記載の電子管。
4. The electron tube according to claim 1, wherein an annular notch for accommodating the metal support for sealing is formed in an outer peripheral wall surface of the container.
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WO2007020752A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Hamamatsu Photonics K.K. Vacuum device
JP2010198911A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photomultiplier tube
JP2010198910A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photomultiplier tube

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007020752A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Hamamatsu Photonics K.K. Vacuum device
US7906725B2 (en) 2005-08-12 2011-03-15 Hamamatsu Photonics K. K. Vacuum device
EP1921662A4 (en) * 2005-08-12 2012-02-22 Hamamatsu Photonics Kk Vacuum device
JP2010198911A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photomultiplier tube
JP2010198910A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk Photomultiplier tube

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