JPH10208907A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH10208907A JPH10208907A JP9013618A JP1361897A JPH10208907A JP H10208907 A JPH10208907 A JP H10208907A JP 9013618 A JP9013618 A JP 9013618A JP 1361897 A JP1361897 A JP 1361897A JP H10208907 A JPH10208907 A JP H10208907A
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- insulating layer
- electronic component
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極端部を樹脂で被覆することにより、電極
端部からの水分などの浸入の恐れのない電子部品を提供
することを目的とするものである。 【解決手段】 まずセラミックシート１ａと内部電極２
とを交互に積層したバリスタ素子１の両端面に外部電極
３を形成し、次にバリスタ素子１内部の気孔表面を被覆
あるいは気孔にＳｉ樹脂を充填させて内表面絶縁層３０
を、またバリスタ素子１外表面と外部電極３の端部を被
覆するように外表面絶縁層３１を形成して積層バリスタ
を得る。
端部からの水分などの浸入の恐れのない電子部品を提供
することを目的とするものである。 【解決手段】 まずセラミックシート１ａと内部電極２
とを交互に積層したバリスタ素子１の両端面に外部電極
３を形成し、次にバリスタ素子１内部の気孔表面を被覆
あるいは気孔にＳｉ樹脂を充填させて内表面絶縁層３０
を、またバリスタ素子１外表面と外部電極３の端部を被
覆するように外表面絶縁層３１を形成して積層バリスタ
を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層バリス
タなどの電子部品とその製造方法に関するものである。
タなどの電子部品とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品は、素体の外表面に少な
くとも一対の電極を有し、この素体表面の電極非形成面
のみに樹脂を含浸させたものであった。
くとも一対の電極を有し、この素体表面の電極非形成面
のみに樹脂を含浸させたものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、素
体中に含浸された樹脂により耐湿性は向上するが、電極
端部より水分などが浸入し、特性劣化を起こすという問
題点を有していた。
体中に含浸された樹脂により耐湿性は向上するが、電極
端部より水分などが浸入し、特性劣化を起こすという問
題点を有していた。
【０００４】そこで本発明は、電極端部を絶縁層を被覆
することにより、電極端部からの水分などの浸入を防止
できる電子部品を提供することを目的とするものであ
る。
することにより、電極端部からの水分などの浸入を防止
できる電子部品を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の電子部品は、端部が曲線状である素体と、
この素体端部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少
なくとも一対の電極と、前記素体表面の前記電極の非形
成部分および前記電極の端部を覆うように設けた絶縁層
とを備え、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記素体の
内表面に含浸されているものであり、外表面の絶縁層に
より電極端部の剥離を防ぎ、電極端部からの水分などの
浸入を防止することができるものである。
に、本発明の電子部品は、端部が曲線状である素体と、
この素体端部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少
なくとも一対の電極と、前記素体表面の前記電極の非形
成部分および前記電極の端部を覆うように設けた絶縁層
とを備え、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記素体の
内表面に含浸されているものであり、外表面の絶縁層に
より電極端部の剥離を防ぎ、電極端部からの水分などの
浸入を防止することができるものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、端部が曲線状である素体と、この素体端部の外表面
に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一対の電極
と、前記素体表面の前記電極の非形成部分および前記電
極の端部を覆うように設けた絶縁層とを備え、前記絶縁
層の少なくとも一部は、前記素体の内表面に含浸されて
いる電子部品であり、内表面に含浸された絶縁層により
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の絶縁層により電
極端部の剥離も防ぐことができる。
は、端部が曲線状である素体と、この素体端部の外表面
に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一対の電極
と、前記素体表面の前記電極の非形成部分および前記電
極の端部を覆うように設けた絶縁層とを備え、前記絶縁
層の少なくとも一部は、前記素体の内表面に含浸されて
いる電子部品であり、内表面に含浸された絶縁層により
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の絶縁層により電
極端部の剥離も防ぐことができる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、絶縁層を金属ア
ルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を用いて形成し
た請求項１に記載の電子部品であり、内表面に含浸され
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極端部の剥離も防ぐことができる。
ルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を用いて形成し
た請求項１に記載の電子部品であり、内表面に含浸され
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極端部の剥離も防ぐことができる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、絶縁層を金属ア
ルコキシドを用いて形成し、この金属アルコキシドは、
シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イッ
トリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも１種類
以上の金属を有するものである請求項１に記載の電子部
品であり、内表面に含浸された金属アルコキシドにより
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の金属アルコキシ
ドにより電極端部の剥離も防ぐことができる。
ルコキシドを用いて形成し、この金属アルコキシドは、
シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イッ
トリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも１種類
以上の金属を有するものである請求項１に記載の電子部
品であり、内表面に含浸された金属アルコキシドにより
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の金属アルコキシ
ドにより電極端部の剥離も防ぐことができる。
【０００９】請求項４に記載の発明は、絶縁層を樹脂を
用いて形成し、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェ
ノール系樹脂のうちの少なくとも１種類以上である請求
項１に記載の電子部品であり、内表面に含浸された樹脂
により耐湿特性が劣化を防ぐと共に、外表面の樹脂によ
り電極端部の剥離も防ぐことができる。
用いて形成し、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェ
ノール系樹脂のうちの少なくとも１種類以上である請求
項１に記載の電子部品であり、内表面に含浸された樹脂
により耐湿特性が劣化を防ぐと共に、外表面の樹脂によ
り電極端部の剥離も防ぐことができる。
【００１０】請求項５に記載の発明は、素体の内表面に
含浸されている絶縁層の厚みは、１０μｍ以上である請
求項１に記載の電子部品であり、十分な厚さの絶縁層で
あるので耐湿性を確保できる。
含浸されている絶縁層の厚みは、１０μｍ以上である請
求項１に記載の電子部品であり、十分な厚さの絶縁層で
あるので耐湿性を確保できる。
【００１１】請求項６に記載の発明は、素体外表面の絶
縁層の厚みは、この絶縁層に隣接する電極の最大の厚み
よりも小さい請求項１に記載の電子部品であり、電極の
加工や電子部品の実装を容易に行うことができる。
縁層の厚みは、この絶縁層に隣接する電極の最大の厚み
よりも小さい請求項１に記載の電子部品であり、電極の
加工や電子部品の実装を容易に行うことができる。
【００１２】請求項７に記載の発明は、端部が曲線状で
ある素体と、この素体端部の外表面に所定の間隔を設け
て形成した少なくとも一対の電極と、前記素体の表面の
少なくとも電極の非形成部分に設けた絶縁層とを備え、
前記素体外表面は光沢を有する電子部品であり、表面に
光沢を有するので、電子部品を選択する際、完成品か否
かを容易に判断することができる。
ある素体と、この素体端部の外表面に所定の間隔を設け
て形成した少なくとも一対の電極と、前記素体の表面の
少なくとも電極の非形成部分に設けた絶縁層とを備え、
前記素体外表面は光沢を有する電子部品であり、表面に
光沢を有するので、電子部品を選択する際、完成品か否
かを容易に判断することができる。
【００１３】請求項８に記載の発明は、端部が曲線状で
ある素体端部の外表面に所定の間隔を設けて少なくとも
一対の電極を形成する工程と、次に前記素体外表面を少
なくとも有機物を含む含浸液に接触させて前記含浸液で
前記素体外表面を被覆する工程と、次に前記素体外表面
を被覆する含浸液の一部を除去する工程と、次いで前記
含浸液中の有機物を硬化させる工程と、その後前記素体
の前記電極外表面の硬化した有機物を研磨により除去す
る工程とを有する電子部品の製造方法であり、素体内表
面とともに外表面にも絶縁層が形成されるので、耐湿特
性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を防止した電子部
品を得ることができる。
ある素体端部の外表面に所定の間隔を設けて少なくとも
一対の電極を形成する工程と、次に前記素体外表面を少
なくとも有機物を含む含浸液に接触させて前記含浸液で
前記素体外表面を被覆する工程と、次に前記素体外表面
を被覆する含浸液の一部を除去する工程と、次いで前記
含浸液中の有機物を硬化させる工程と、その後前記素体
の前記電極外表面の硬化した有機物を研磨により除去す
る工程とを有する電子部品の製造方法であり、素体内表
面とともに外表面にも絶縁層が形成されるので、耐湿特
性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を防止した電子部
品を得ることができる。
【００１４】請求項９に記載の発明は、素体を含浸液に
接触させる工程を複数回繰り返す請求項８に記載の電子
部品の製造方法であり、素体内部に十分に有機物を含浸
することができるため、より耐湿性に優れた電子部品を
得ることができる。
接触させる工程を複数回繰り返す請求項８に記載の電子
部品の製造方法であり、素体内部に十分に有機物を含浸
することができるため、より耐湿性に優れた電子部品を
得ることができる。
【００１５】請求項１０に記載の発明は、有機物として
金属アルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を含んで
いるものを用いる請求項８に記載の電子部品の製造方法
であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を
も防止した電子部品を得ることができる。
金属アルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を含んで
いるものを用いる請求項８に記載の電子部品の製造方法
であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を
も防止した電子部品を得ることができる。
【００１６】請求項１１に記載の発明は、有機物として
金属アルコキシドを含み、この金属アルコキシドは、シ
リコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イット
リウム、マグネシウムのうちの少なくとも１種類以上の
金属アルコキシドである請求項８に記載の電子部品の製
造方法であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の
剥離をも防止した電子部品を得ることができる。
金属アルコキシドを含み、この金属アルコキシドは、シ
リコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イット
リウム、マグネシウムのうちの少なくとも１種類以上の
金属アルコキシドである請求項８に記載の電子部品の製
造方法であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の
剥離をも防止した電子部品を得ることができる。
【００１７】請求項１２に記載の発明は、有機物として
樹脂を含み、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノ
ール系樹脂のうちの少なくとも１種類以上である請求項
８に記載の電子部品の製造方法であり、耐湿特性の劣化
に加えて、電極の端部の剥離をも防止した電子部品を得
ることができる。
樹脂を含み、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノ
ール系樹脂のうちの少なくとも１種類以上である請求項
８に記載の電子部品の製造方法であり、耐湿特性の劣化
に加えて、電極の端部の剥離をも防止した電子部品を得
ることができる。
【００１８】請求項１３に記載の発明は、素体を含浸液
に接触させた状態で、加圧する請求項８に記載の電子部
品の製造方法であり、含浸液を素体に容易に含浸させる
ことができる。
に接触させた状態で、加圧する請求項８に記載の電子部
品の製造方法であり、含浸液を素体に容易に含浸させる
ことができる。
【００１９】請求項１４に記載の発明は、素体外表面の
有機物の除去は、遠心分離、有機物が可溶な液体による
洗浄、含浸液と反応しない粉末との接触のうち少なくと
も一つを用いて行う請求項８に記載の電子部品の製造方
法であり、含浸液をセラミック素体に容易に含浸させる
ことができる。
有機物の除去は、遠心分離、有機物が可溶な液体による
洗浄、含浸液と反応しない粉末との接触のうち少なくと
も一つを用いて行う請求項８に記載の電子部品の製造方
法であり、含浸液をセラミック素体に容易に含浸させる
ことができる。
【００２０】請求項１５に記載の発明は、粉末としてＳ
ｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯのうち少なくとも１
種類以上を含んでいるものを用いる請求項１４に記載の
電子部品の製造方法であり、不要な有機物を容易に除去
することができる。
ｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯのうち少なくとも１
種類以上を含んでいるものを用いる請求項１４に記載の
電子部品の製造方法であり、不要な有機物を容易に除去
することができる。
【００２１】請求項１６に記載の発明は、研磨工程を少
なくとも素体と液体とを入れた容器を運動させて行う請
求項８に記載の電子部品の製造方法であり、後工程に支
障のない程度に電極表面上の有機物を除去することがで
きる。
なくとも素体と液体とを入れた容器を運動させて行う請
求項８に記載の電子部品の製造方法であり、後工程に支
障のない程度に電極表面上の有機物を除去することがで
きる。
【００２２】以下、本発明の一実施の形態について、積
層バリスタを例に図面を参照しながら説明する。
層バリスタを例に図面を参照しながら説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１は本実施の形態にお
ける積層バリスタの断面図、図２は本実施の形態におけ
る積層バリスタの製造工程図、図３はＳｉワニスに含浸
後のバリスタ素子の断面図、図４は遠心分離工程後バリ
スタ素子の断面図、図５はトルエンに浸漬後のバリスタ
素子の断面図、図６はＳｉ樹脂硬化後のバリスタ素子の
断面図、図７は研磨後のバリスタ素子の断面図であり、
１は端面が曲線状のバリスタ素子で、内部にＮｉを主成
分とする内部電極２が複数設けられている。これらの内
部電極２は、交互にバリスタ素子１の両端面に引き出さ
れ、その両端面において外部電極３と電気的に接続され
ている。外部電極３は少なくとも二重構造となってお
り、内層３ａはＮｉを主成分とし、外層３ｂはＡｇを主
成分としている。また、内部電極２間、及びその外側の
セラミックシート１ａは、ＳｒＴｉＯ3を主成分とし、
副成分として、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2等を含んでいる。３
０は内表面絶縁層でＳｉ樹脂でバリスタ素子１内部の気
孔表面を被覆あるいは気孔に充填させて形成した層であ
る。３１は外表面絶縁層で外部電極３の端部を被覆して
おり、Ｓｉ樹脂で形成されたものである。また外部電極
３の表面にはＮｉメッキ４ａ、ハンダメッキ４ｂよりな
るメッキ層４を形成している。
ける積層バリスタの断面図、図２は本実施の形態におけ
る積層バリスタの製造工程図、図３はＳｉワニスに含浸
後のバリスタ素子の断面図、図４は遠心分離工程後バリ
スタ素子の断面図、図５はトルエンに浸漬後のバリスタ
素子の断面図、図６はＳｉ樹脂硬化後のバリスタ素子の
断面図、図７は研磨後のバリスタ素子の断面図であり、
１は端面が曲線状のバリスタ素子で、内部にＮｉを主成
分とする内部電極２が複数設けられている。これらの内
部電極２は、交互にバリスタ素子１の両端面に引き出さ
れ、その両端面において外部電極３と電気的に接続され
ている。外部電極３は少なくとも二重構造となってお
り、内層３ａはＮｉを主成分とし、外層３ｂはＡｇを主
成分としている。また、内部電極２間、及びその外側の
セラミックシート１ａは、ＳｒＴｉＯ3を主成分とし、
副成分として、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2等を含んでいる。３
０は内表面絶縁層でＳｉ樹脂でバリスタ素子１内部の気
孔表面を被覆あるいは気孔に充填させて形成した層であ
る。３１は外表面絶縁層で外部電極３の端部を被覆して
おり、Ｓｉ樹脂で形成されたものである。また外部電極
３の表面にはＮｉメッキ４ａ、ハンダメッキ４ｂよりな
るメッキ層４を形成している。
【００２４】図２に示すように、セラミックシート１ａ
は図２において（１１）で示すごとく原料の混合、仮
焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりつくられる。
次に、このセラミックシート１ａと、内部電極２とを積
層（１２）し、それを切断（１３）、脱バイ（１４）、
面とり（１５）し、端部を曲線状にする。次に、外部電
極３の内層３ａを塗布（１６）し、１２００〜１３００
℃で還元焼成（１７）し、その後外層３ｂを塗布（１
８）し、８００〜８５０℃で再酸化のために加熱（１
９）する。次に、完全に乾燥させたバリスタ素子１を溶
剤としてトルエン７５％を含むＳｉワニスに浸漬し（２
０）、バリスタ素子１にＳｉワニスを含浸させる。
は図２において（１１）で示すごとく原料の混合、仮
焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりつくられる。
次に、このセラミックシート１ａと、内部電極２とを積
層（１２）し、それを切断（１３）、脱バイ（１４）、
面とり（１５）し、端部を曲線状にする。次に、外部電
極３の内層３ａを塗布（１６）し、１２００〜１３００
℃で還元焼成（１７）し、その後外層３ｂを塗布（１
８）し、８００〜８５０℃で再酸化のために加熱（１
９）する。次に、完全に乾燥させたバリスタ素子１を溶
剤としてトルエン７５％を含むＳｉワニスに浸漬し（２
０）、バリスタ素子１にＳｉワニスを含浸させる。
【００２５】その後、バリスタ素子１をＳｉワニスに浸
漬したまま６〜１５００kg／cm2に加圧し（２１）、Ｓ
ｉワニスをさらにバリスタ素子１に含浸させるため、例
えば２分間保持した後積層バリスタが使用される状態で
ある大気圧にもどす。このときのバリスタ素子１は図３
に示すように表面全体がＳｉワニス５に厚く覆われてい
るとともに外部電極３内部及びバリスタ素子１内部にも
Ｓｉワニス５が含浸されている。この時の加圧力はバリ
スタ素子１の密度により決定する。つまり密度の大きい
バリスタ素子１ほど加圧力も大きくして含浸させやすく
する。例えばＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の場
合、密度が高いので５００〜１５００kg／cm2と加圧力
を高くする。その後、Ｓｉワニスよりバリスタ素子１を
取り出し、金属製網かご（あるいはネット等）に入れ
て、例えば内径６０cmの遠心分離装置にセットし、５０
０〜１５００ｒ／ｍｉｎで作動させ（２２）、図４に示
すようにバリスタ素子１の外表面に付着した不要なＳｉ
ワニス５をおおまかに除去する。さらに、金属製網かご
ごとトルエンに浸漬し、５〜６０秒間振動を与えた後取
出し（２３）、例えば６０℃で速やかに加熱して、図５
に示すようにバリスタ素子１及び外部電極３の外表面に
付着しているＳｉワニスを除去する。またトルエンに浸
漬させる代わりに、バリスタ素子１を金属製網かごから
取り出し、Ｓｉワニス５と反応しない粉末であるＳｉＯ
2粉末をバリスタ素子１に接触させて、ＳｉＯ2粉末にバ
リスタ素子１外表面の不要なＳｉワニス５を吸い込ませ
た後、ふるい等を利用してバリスタ素子１を分離する方
法をとっても良い。以上の方法により、バリスタ素子１
表面上の不要なＳｉワニス５は除去される。その後バリ
スタ素子１を金属製網上に並べ、Ｓｉワニス５中に含ま
れるＳｉ樹脂の硬化温度以上の温度（約１２５〜２００
℃）でＳｉ樹脂硬化のための加熱を行い（２４）、図６
に示すようなバリスタ素子１を得る。この加熱により、
バリスタ素子１及び外部電極３内部に含浸されていたＳ
ｉ樹脂の一部が析出してくる。その後、例えばポリエチ
レンの容器にバリスタ素子１、ＳｉＣ製研磨材、水を入
れて密閉し、回転、振動等の機械的な方法で運動させる
ことにより、表面研磨を行い（２５）、図７に示すよう
に外部電極３表面上のＳｉ樹脂をメッキ等の後工程に影
響を及ぼさない程度まで除去する。この表面研磨（２
５）により、バリスタ素子１の端面に加わる機械ストレ
ス、硬化後のＳｉ樹脂との接着強度が外部電極３よりも
セラミック素体との方が優位なことより、外部電極３上
のＳｉ樹脂を選択的に除去することができる。このと
き、外部電極３の内表面にはＳｉ樹脂が残るがこのＳｉ
樹脂により外部電極３の電気的接続が妨げられることは
ない。又、外部電極３の内表面の樹脂により、その後の
メッキ（２６）で、メッキ液が外部電極３内部に浸入す
るのを防ぐことができる。
漬したまま６〜１５００kg／cm2に加圧し（２１）、Ｓ
ｉワニスをさらにバリスタ素子１に含浸させるため、例
えば２分間保持した後積層バリスタが使用される状態で
ある大気圧にもどす。このときのバリスタ素子１は図３
に示すように表面全体がＳｉワニス５に厚く覆われてい
るとともに外部電極３内部及びバリスタ素子１内部にも
Ｓｉワニス５が含浸されている。この時の加圧力はバリ
スタ素子１の密度により決定する。つまり密度の大きい
バリスタ素子１ほど加圧力も大きくして含浸させやすく
する。例えばＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の場
合、密度が高いので５００〜１５００kg／cm2と加圧力
を高くする。その後、Ｓｉワニスよりバリスタ素子１を
取り出し、金属製網かご（あるいはネット等）に入れ
て、例えば内径６０cmの遠心分離装置にセットし、５０
０〜１５００ｒ／ｍｉｎで作動させ（２２）、図４に示
すようにバリスタ素子１の外表面に付着した不要なＳｉ
ワニス５をおおまかに除去する。さらに、金属製網かご
ごとトルエンに浸漬し、５〜６０秒間振動を与えた後取
出し（２３）、例えば６０℃で速やかに加熱して、図５
に示すようにバリスタ素子１及び外部電極３の外表面に
付着しているＳｉワニスを除去する。またトルエンに浸
漬させる代わりに、バリスタ素子１を金属製網かごから
取り出し、Ｓｉワニス５と反応しない粉末であるＳｉＯ
2粉末をバリスタ素子１に接触させて、ＳｉＯ2粉末にバ
リスタ素子１外表面の不要なＳｉワニス５を吸い込ませ
た後、ふるい等を利用してバリスタ素子１を分離する方
法をとっても良い。以上の方法により、バリスタ素子１
表面上の不要なＳｉワニス５は除去される。その後バリ
スタ素子１を金属製網上に並べ、Ｓｉワニス５中に含ま
れるＳｉ樹脂の硬化温度以上の温度（約１２５〜２００
℃）でＳｉ樹脂硬化のための加熱を行い（２４）、図６
に示すようなバリスタ素子１を得る。この加熱により、
バリスタ素子１及び外部電極３内部に含浸されていたＳ
ｉ樹脂の一部が析出してくる。その後、例えばポリエチ
レンの容器にバリスタ素子１、ＳｉＣ製研磨材、水を入
れて密閉し、回転、振動等の機械的な方法で運動させる
ことにより、表面研磨を行い（２５）、図７に示すよう
に外部電極３表面上のＳｉ樹脂をメッキ等の後工程に影
響を及ぼさない程度まで除去する。この表面研磨（２
５）により、バリスタ素子１の端面に加わる機械ストレ
ス、硬化後のＳｉ樹脂との接着強度が外部電極３よりも
セラミック素体との方が優位なことより、外部電極３上
のＳｉ樹脂を選択的に除去することができる。このと
き、外部電極３の内表面にはＳｉ樹脂が残るがこのＳｉ
樹脂により外部電極３の電気的接続が妨げられることは
ない。又、外部電極３の内表面の樹脂により、その後の
メッキ（２６）で、メッキ液が外部電極３内部に浸入す
るのを防ぐことができる。
【００２６】次いでこのバリスタ素子１の外部電極３の
表面にメッキ（２６）を行い図１に示すような積層バリ
スタを得る。
表面にメッキ（２６）を行い図１に示すような積層バリ
スタを得る。
【００２７】以上のように、バリスタ素子１内部にＳｉ
樹脂を含浸させた内表面絶縁層３０を形成することによ
り耐湿性に優れ、且つ、外表面絶縁層３１を形成するこ
とにより、外部電極３の端部の剥離が起きず、外部電極
３において、メッキ（２６）等の後工程に影響を及ぼさ
ない積層バリスタを得ることが可能となる。
樹脂を含浸させた内表面絶縁層３０を形成することによ
り耐湿性に優れ、且つ、外表面絶縁層３１を形成するこ
とにより、外部電極３の端部の剥離が起きず、外部電極
３において、メッキ（２６）等の後工程に影響を及ぼさ
ない積層バリスタを得ることが可能となる。
【００２８】ここで、本実施の形態における積層バリス
タ及びこの製造方法において、特徴となることを以下に
示す。 （１）図１に示すように外表面絶縁層３１は、バリスタ
素子１の側面にかかるように形成した外部電極３の端部
を覆うように形成することにより、外部電極３とバリス
タ素子１の境界からバリスタ素子１内部へのメッキ液、
水分等の浸入をさらに防ぐことができる。 （２）外表面絶縁層３１、内表面絶縁層３０は光沢を有
しているので、積層バリスタ表面の光沢を確認すること
により、内表面絶縁層３０および外表面絶縁層３１を形
成済みかどうかを視覚的に判断することができ、選別を
容易に行うことができる。 （３）外表面絶縁層３１、内表面絶縁層３０の形成にＳ
ｉ樹脂を用いたが、硬化後、耐熱性を有し、絶縁性、撥
水性が高く、吸水率が小さい樹脂であれば構わず、Ｓｉ
樹脂のほかに、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂等があり、これら
の中から１種類以上を用いても構わない。
タ及びこの製造方法において、特徴となることを以下に
示す。 （１）図１に示すように外表面絶縁層３１は、バリスタ
素子１の側面にかかるように形成した外部電極３の端部
を覆うように形成することにより、外部電極３とバリス
タ素子１の境界からバリスタ素子１内部へのメッキ液、
水分等の浸入をさらに防ぐことができる。 （２）外表面絶縁層３１、内表面絶縁層３０は光沢を有
しているので、積層バリスタ表面の光沢を確認すること
により、内表面絶縁層３０および外表面絶縁層３１を形
成済みかどうかを視覚的に判断することができ、選別を
容易に行うことができる。 （３）外表面絶縁層３１、内表面絶縁層３０の形成にＳ
ｉ樹脂を用いたが、硬化後、耐熱性を有し、絶縁性、撥
水性が高く、吸水率が小さい樹脂であれば構わず、Ｓｉ
樹脂のほかに、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂等があり、これら
の中から１種類以上を用いても構わない。
【００２９】また樹脂の代わりにあるいは樹脂と混合し
て、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、
イットリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも１
種類以上の金属アルコキシドを用いても同様の効果が得
られる。
て、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、
イットリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも１
種類以上の金属アルコキシドを用いても同様の効果が得
られる。
【００３０】金属アルコキシドを用いる場合は、アルコ
ールなど金属アルコキシドが溶解することができる溶媒
を用いて含浸液を作製する。 （４）内表面絶縁層３０の厚みは、積層バリスタとして
の特性に影響を与えない範囲でできるだけ大きい方が望
ましく、さらには硬化後のＳｉ樹脂の内表面絶縁層３０
の厚みが一番薄いところで１０μｍ以上となることが望
ましい。これは、Ｓｉワニスの粘度、溶剤率、加圧力の
選択により調整することができる。 （５）バリスタ素子１をＳｉワニスに含浸させて加圧す
る前に、大気圧よりも低くした状態を設けて、加圧の効
果を高めてもよい。 （６）Ｓｉワニスと反応しない粉末としてＳｉＯ2を用
いたが、バリスタ素子１に含浸させる含浸液と反応しな
い粉末であればよく、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯやあ
るいはこれらを混合したものなども用いることができ
る。 （７）Ｓｉワニスをバリスタ素子１に含浸させて硬化さ
せる前に、Ｓｉワニスに含まれる溶剤を、突沸しない温
度に加熱して充分に除去してから、Ｓｉ樹脂の硬化処理
を行うことにより、密度の高い外表面絶縁層３１を形成
することができる。 （８）Ｓｉワニス浸漬から表面研磨までを複数回、好ま
しくは２回くり返すことにより、バリスタ素子１内部に
よりＳｉ樹脂を含浸させることができるのでさらに耐湿
特性を向上させることができる。 （９）バリスタ素子１の面とり（１５）を行い端部を曲
線状にしておくことにより、外部電極３上のＳｉ樹脂を
表面研磨（２５）により除去する際、外部電極３の一部
に機械的ストレスが加わるのを防止することができる。
ールなど金属アルコキシドが溶解することができる溶媒
を用いて含浸液を作製する。 （４）内表面絶縁層３０の厚みは、積層バリスタとして
の特性に影響を与えない範囲でできるだけ大きい方が望
ましく、さらには硬化後のＳｉ樹脂の内表面絶縁層３０
の厚みが一番薄いところで１０μｍ以上となることが望
ましい。これは、Ｓｉワニスの粘度、溶剤率、加圧力の
選択により調整することができる。 （５）バリスタ素子１をＳｉワニスに含浸させて加圧す
る前に、大気圧よりも低くした状態を設けて、加圧の効
果を高めてもよい。 （６）Ｓｉワニスと反応しない粉末としてＳｉＯ2を用
いたが、バリスタ素子１に含浸させる含浸液と反応しな
い粉末であればよく、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯやあ
るいはこれらを混合したものなども用いることができ
る。 （７）Ｓｉワニスをバリスタ素子１に含浸させて硬化さ
せる前に、Ｓｉワニスに含まれる溶剤を、突沸しない温
度に加熱して充分に除去してから、Ｓｉ樹脂の硬化処理
を行うことにより、密度の高い外表面絶縁層３１を形成
することができる。 （８）Ｓｉワニス浸漬から表面研磨までを複数回、好ま
しくは２回くり返すことにより、バリスタ素子１内部に
よりＳｉ樹脂を含浸させることができるのでさらに耐湿
特性を向上させることができる。 （９）バリスタ素子１の面とり（１５）を行い端部を曲
線状にしておくことにより、外部電極３上のＳｉ樹脂を
表面研磨（２５）により除去する際、外部電極３の一部
に機械的ストレスが加わるのを防止することができる。
【００３１】なお、本実施の形態においてはチタン酸ス
トロンチウムを主成分とする積層バリスタを例に説明し
たが、酸化亜鉛を主成分とする積層バリスタはもちろ
ん、セラミック素子を用いるものでもセラミック素子を
用いないものでも、サーミスタ、コンデンサ、抵抗等電
子部品全般において同様の効果が得られる。また、形状
も積層型だけでなくディスク型などどのような形状でも
構わない。
トロンチウムを主成分とする積層バリスタを例に説明し
たが、酸化亜鉛を主成分とする積層バリスタはもちろ
ん、セラミック素子を用いるものでもセラミック素子を
用いないものでも、サーミスタ、コンデンサ、抵抗等電
子部品全般において同様の効果が得られる。また、形状
も積層型だけでなくディスク型などどのような形状でも
構わない。
【００３２】
【発明の効果】以上本発明によると、内表面に含浸され
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極強度が向上するので電極端部の剥離も
防ぐことができる。また電極端部からの水分などの浸入
を防ぐこともできるのでさらに耐湿特性が向上する。
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極強度が向上するので電極端部の剥離も
防ぐことができる。また電極端部からの水分などの浸入
を防ぐこともできるのでさらに耐湿特性が向上する。
【図１】本発明の一実施の形態における積層バリスタの
断面図
断面図
【図２】本発明の一実施の形態における積層バリスタの
製造工程図
製造工程図
【図３】本発明の一実施の形態におけるＳｉワニス含浸
後のバリスタ素子の断面図
後のバリスタ素子の断面図
【図４】本発明の一実施の形態における遠心分離工程後
のバリスタ素子の断面図
のバリスタ素子の断面図
【図５】本発明の一実施の形態におけるトルエン浸漬後
のバリスタ素子の断面図
のバリスタ素子の断面図
【図６】本発明の一実施の形態におけるＳｉ樹脂硬化後
のバリスタ素子の断面図
のバリスタ素子の断面図
【図７】本発明の一実施の形態における研磨後のバリス
タ素子の断面図
タ素子の断面図
１ バリスタ素子 ３ 外部電極 ５ Ｓｉワニス ３０ 内表面絶縁層 ３１ 外表面絶縁層
Claims (16)
- 【請求項１】 端部が曲線状である素体と、この素体端
部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一
対の電極と、前記素体表面の前記電極の非形成部分およ
び前記電極の端部を覆うように設けた絶縁層とを備え、
前記絶縁層の少なくとも一部は、前記素体の内表面に含
浸されている電子部品。 - 【請求項２】 絶縁層は、金属アルコキシドまたは樹脂
の少なくとも一方を用いて形成された請求項１に記載の
電子部品。 - 【請求項３】 絶縁層を金属アルコキシドを用いて形成
し、この金属アルコキシドは、シリコン、チタン、アル
ミニウム、ジルコニウム、イットリウム、マグネシウム
から選ばれる少なくとも１種類以上の金属を有するもの
である請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項４】 絶縁層を樹脂を用いて形成し、この樹脂
は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂のうちの
少なくとも１種類以上である請求項１に記載の電子部
品。 - 【請求項５】 素体の内表面に含浸されている絶縁層の
厚みは、１０μｍ以上である請求項１に記載の電子部
品。 - 【請求項６】 素体外表面の絶縁層の厚みは、この絶縁
層に隣接する電極の最大の厚みよりも小さい請求項１に
記載の電子部品。 - 【請求項７】 端部が曲線状である素体と、この素体端
部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一
対の電極と、前記素体表面の少なくとも電極の非形成部
分に設けた絶縁層とを備え、前記素体外表面は光沢を有
する電子部品。 - 【請求項８】 端部が曲線状である素体端部の外表面に
所定の間隔を設けて少なくとも一対の電極を形成する工
程と、次に前記素体外表面を少なくとも有機物を含む含
浸液に接触させて前記含浸液で前記素体外表面を被覆す
る工程と、次に前記素体外表面を被覆する含浸液の一部
を除去する工程と、次いで前記含浸液中の有機物を硬化
させる工程と、その後前記素体の前記電極外表面の硬化
した有機物を研磨により除去する工程とを有する電子部
品の製造方法。 - 【請求項９】 素体を含浸液に接触させる工程を複数回
繰り返す請求項８に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１０】 有機物は、金属アルコキシドまたは樹
脂の少なくとも一方を含んでいる請求項８に記載の電子
部品の製造方法。 - 【請求項１１】 有機物は金属アルコキシドを含み、こ
の金属アルコキシドは、シリコン、チタン、アルミニウ
ム、ジルコニウム、ニットリウム、マグネシウムのうち
の少なくとも１種類以上の金属アルコキシドである請求
項８に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１２】 有機物は樹脂を含み、この樹脂は、シ
リコン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂のうちの少なくと
も１種類以上である請求項８に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項１３】 素体を含浸液に接触させた状態で、加
圧する請求項８に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１４】 素体外表面の有機物の除去は、遠心分
離、有機物が可溶な液体による洗浄、含浸液と反応しな
い粉末との接触のうち少なくとも一つを用いて行う請求
項８に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１５】 粉末は、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＭｇＯのうち少なくとも１種類以上を含んでいる
請求項１４に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１６】 研磨は、少なくとも素体と液体とを入
れた容器を運動させて行う請求項８に記載の電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013618A JPH10208907A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013618A JPH10208907A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208907A true JPH10208907A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11838230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9013618A Pending JPH10208907A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208907A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025804A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | セラミック素子ユニットおよびその製造方法 |
| JP2004500719A (ja) * | 2000-03-30 | 2004-01-08 | エイブイエックス コーポレイション | 電子デバイス及び電子デバイスの作製方法 |
| KR100444888B1 (ko) * | 2002-02-18 | 2004-08-21 | 주식회사 쎄라텍 | 칩타입 바리스터 및 그 제조방법 |
| JP2009049361A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-03-05 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
| JP2009049360A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-03-05 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
| US8009012B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-08-30 | Tdk Corporation | Stacked electronic part and method of manufacturing the same |
| US20130076203A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-03-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic body and method for producing the same |
| JP5195921B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-05-15 | 株式会社村田製作所 | セラミック体の製造方法 |
| JP2014068000A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2015029009A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
| US20160027569A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
| JP2017045977A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその実装基板 |
| JP2020057754A (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP9013618A patent/JPH10208907A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8448313B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing ceramic body |
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| JP2018139312A (ja) * | 2012-09-26 | 2018-09-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
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| CN105304325A (zh) * | 2014-07-28 | 2016-02-03 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子部件及其制造方法 |
| JP2016031991A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US11328851B2 (en) * | 2014-07-28 | 2022-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
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| US11094467B2 (en) | 2015-08-26 | 2021-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and board having the same |
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