JPH10209086A - 板状ワークの割断方法およびその装置 - Google Patents
板状ワークの割断方法およびその装置Info
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- JPH10209086A JPH10209086A JP9013472A JP1347297A JPH10209086A JP H10209086 A JPH10209086 A JP H10209086A JP 9013472 A JP9013472 A JP 9013472A JP 1347297 A JP1347297 A JP 1347297A JP H10209086 A JPH10209086 A JP H10209086A
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- JP
- Japan
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- scribe
- work
- plate
- scriber
- cutting
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/10—Glass-cutting tools, e.g. scoring tools
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップなどを板状ワークより切り出す
に際し、加工時間を短縮できるとともに材料歩留りを向
上できるようにする。 【解決手段】 ワーク１２の表裏面の同一位置にスクラ
イブ線２６を刻み、このスクライブ線２６に沿ってワー
クを割断する。曲げ応力を加えることで、チッピングを
生じることなく高速に割断できる。
に際し、加工時間を短縮できるとともに材料歩留りを向
上できるようにする。 【解決手段】 ワーク１２の表裏面の同一位置にスクラ
イブ線２６を刻み、このスクライブ線２６に沿ってワー
クを割断する。曲げ応力を加えることで、チッピングを
生じることなく高速に割断できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板やガラス
基板などの板状ワークの割断方法およびその装置に関す
る。
基板などの板状ワークの割断方法およびその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、商品の小型化要請に伴い半導体チ
ップの小型化が求められており、０．３ｍｍのチップも
見られるようになった。このようなチップを半導体基板
（半導体用ウエハー）から切り出すために従来より用い
られているダイシング装置は、たとえば図６に示したよ
うに、薄刃砥石１を、砥石ホルダー２を介してスピンド
ル３に取り付けたものであり、このダイシング装置に固
定した半導体基板４と砥石１とをＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に相
対運動させることにより、チップ５を切り離している。
ップの小型化が求められており、０．３ｍｍのチップも
見られるようになった。このようなチップを半導体基板
（半導体用ウエハー）から切り出すために従来より用い
られているダイシング装置は、たとえば図６に示したよ
うに、薄刃砥石１を、砥石ホルダー２を介してスピンド
ル３に取り付けたものであり、このダイシング装置に固
定した半導体基板４と砥石１とをＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に相
対運動させることにより、チップ５を切り離している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような切り出し方法では、半導体基板４が硬脆材料か
らなるものである場合などに、図７に示したように、切
断面にチッピング（ワレ，カケ）６が生じて実際の切断
幅Ｗが砥石幅Ｗ0 よりも広くなり、材料歩留りが悪くな
るだけでなく、長い加工時間を要するという問題があ
る。（７は半導体基板４を固定する粘着テープであ
る。） 半導体基板４の中でも上記問題が顕著なＧａＡｓ基板に
ついて説明すると、たとえば３インチ（約７６ｍｍ）四
方のＧａＡｓ基板から０．３ｍｍ四方のチップ５を砥石
幅Ｗ0 ０．０４ｍｍの砥石１により切り出す場合には、
縦横各１５０ライン（合計３００ライン）切断する必要
があり、切断のための砥石１の移動量（ワークサイズ＋
砥石サイズ）は１２５ｍｍとなる。したがって、砥石１
の移動速度を毎秒３ｍｍとした時には、約２１０分の加
工時間が必要である。
たような切り出し方法では、半導体基板４が硬脆材料か
らなるものである場合などに、図７に示したように、切
断面にチッピング（ワレ，カケ）６が生じて実際の切断
幅Ｗが砥石幅Ｗ0 よりも広くなり、材料歩留りが悪くな
るだけでなく、長い加工時間を要するという問題があ
る。（７は半導体基板４を固定する粘着テープであ
る。） 半導体基板４の中でも上記問題が顕著なＧａＡｓ基板に
ついて説明すると、たとえば３インチ（約７６ｍｍ）四
方のＧａＡｓ基板から０．３ｍｍ四方のチップ５を砥石
幅Ｗ0 ０．０４ｍｍの砥石１により切り出す場合には、
縦横各１５０ライン（合計３００ライン）切断する必要
があり、切断のための砥石１の移動量（ワークサイズ＋
砥石サイズ）は１２５ｍｍとなる。したがって、砥石１
の移動速度を毎秒３ｍｍとした時には、約２１０分の加
工時間が必要である。
【０００４】そこで、加工時間を短縮するために砥石１
の移動速度を速くすることが考えられるが、この場合、
チッピング６が大きくなるので、切断幅Ｗを広く見積も
らねばならず、この例では切断幅Ｗが０．１ｍｍ必要で
あるため、材料歩留りは約６０％になってしまう。しか
し、ＧａＡｓ基板のように高価な半導体基板４は特に、
材料歩留りを高くすることが望まれる。
の移動速度を速くすることが考えられるが、この場合、
チッピング６が大きくなるので、切断幅Ｗを広く見積も
らねばならず、この例では切断幅Ｗが０．１ｍｍ必要で
あるため、材料歩留りは約６０％になってしまう。しか
し、ＧａＡｓ基板のように高価な半導体基板４は特に、
材料歩留りを高くすることが望まれる。
【０００５】本発明は上記問題を解決するもので、半導
体チップなどを板状ワークより切り出すに際し、加工時
間を短縮できるとともに材料歩留りを向上できるように
することを目的とするものである。
体チップなどを板状ワークより切り出すに際し、加工時
間を短縮できるとともに材料歩留りを向上できるように
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の板状ワークの割断方法は、板状ワークの表
裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスクライブ
線に沿って板状ワークを割断するようにしたものであ
る。
に、本発明の板状ワークの割断方法は、板状ワークの表
裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスクライブ
線に沿って板状ワークを割断するようにしたものであ
る。
【０００７】好ましくは、硬脆材料からなる板状ワーク
に適用する。また本発明の板状ワークの割断装置は、板
状ワークの表面にスクライブ線を刻むスクライブ部を有
したスクライブ手段を、スクライブ部が互いに対向する
ように少なくとも一対配置したものである。
に適用する。また本発明の板状ワークの割断装置は、板
状ワークの表面にスクライブ線を刻むスクライブ部を有
したスクライブ手段を、スクライブ部が互いに対向する
ように少なくとも一対配置したものである。
【０００８】好ましいスクライブ手段は、ＣＯ2 レーザ
やＹＡＧレーザなどのレーザビームを照射するレーザ照
射装置である。他の好ましいスクライブ手段は、スクラ
イブ部としてのスクライブチップと、前記スクライブチ
ップを保持するスクライバーホルダーと、前記スクライ
バーホルダーを介してスクライブチップを、対向するス
クライブ手段との間に配置される板状ワークに向けて所
定荷重で付勢する付勢手段と、前記スクライバーホルダ
ーを所定位置に移動させ、スクライブチップによる板状
ワークの切込みを所定量となす切込み量調節手段とを備
えたスクライバーユニットである。
やＹＡＧレーザなどのレーザビームを照射するレーザ照
射装置である。他の好ましいスクライブ手段は、スクラ
イブ部としてのスクライブチップと、前記スクライブチ
ップを保持するスクライバーホルダーと、前記スクライ
バーホルダーを介してスクライブチップを、対向するス
クライブ手段との間に配置される板状ワークに向けて所
定荷重で付勢する付勢手段と、前記スクライバーホルダ
ーを所定位置に移動させ、スクライブチップによる板状
ワークの切込みを所定量となす切込み量調節手段とを備
えたスクライバーユニットである。
【０００９】上記板状ワークの割断方法によれば、所定
深さのスクライブ線を刻みた板状ワーク表面に垂直方向
に作用する外力を加えることで、スクライブ線に沿って
板状ワークを割断することができ、このときの割断幅は
小さくなる。
深さのスクライブ線を刻みた板状ワーク表面に垂直方向
に作用する外力を加えることで、スクライブ線に沿って
板状ワークを割断することができ、このときの割断幅は
小さくなる。
【００１０】また上記板状ワークの割断装置によれば、
板状ワークの表裏面に同時にスクライブ線を刻むことが
でき、割断幅を小さくできるだけでなく、割断に要する
時間を短縮できる。
板状ワークの表裏面に同時にスクライブ線を刻むことが
でき、割断幅を小さくできるだけでなく、割断に要する
時間を短縮できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づき説明する。図１〜図２において、割断装置１１
には、基板などのワーク１２の表面にスクライブ線を刻
むスクライブチップ１３を有したスクライブユニット１
４が、スクライブチップ１３が互いに対向するように一
対設けられている。スクライブユニット１４の下方に
は、ワーク１２を、スクライブチップ１３，１３間の間
隙に挿通可能な位置に保持するワークホルダー１５と、
ワークホルダー１５を載置して上下方向に移動する上下
ステージ１６と、上下ステージ１６を載置して水平方向
に移動する水平ステージ１７と、水平ステージ１７の移
動を案内するガイド１８とが設けられている。
に基づき説明する。図１〜図２において、割断装置１１
には、基板などのワーク１２の表面にスクライブ線を刻
むスクライブチップ１３を有したスクライブユニット１
４が、スクライブチップ１３が互いに対向するように一
対設けられている。スクライブユニット１４の下方に
は、ワーク１２を、スクライブチップ１３，１３間の間
隙に挿通可能な位置に保持するワークホルダー１５と、
ワークホルダー１５を載置して上下方向に移動する上下
ステージ１６と、上下ステージ１６を載置して水平方向
に移動する水平ステージ１７と、水平ステージ１７の移
動を案内するガイド１８とが設けられている。
【００１２】各スクライブユニット１４において、スク
ライブチップ１３は、セラミックス，超硬又はダイヤモ
ンド等の硬脆材料により円板状に形成され、周縁部が研
磨されて断面六角形をなしており、ワーク１２の保持方
向に沿って設けられたスクライバーホルダー１９の一端
部に回転自在に軸支されている。ワーク１２に接するス
クライバーチップ１３の先端角は１３５°である。
ライブチップ１３は、セラミックス，超硬又はダイヤモ
ンド等の硬脆材料により円板状に形成され、周縁部が研
磨されて断面六角形をなしており、ワーク１２の保持方
向に沿って設けられたスクライバーホルダー１９の一端
部に回転自在に軸支されている。ワーク１２に接するス
クライバーチップ１３の先端角は１３５°である。
【００１３】スクライバーホルダー１９は、中央部を貫
通する軸部２０により支持台２１の上面に回転自在に支
承されており、一端部に、この一端部を対向するスクラ
イブユニット１４に接近する方向に付勢するバネ２２が
バネストッパー２３との間に設けられ、他端部に、支持
台２１の一側面に対して出退する調整ノブ２４が設けら
れている。支持台２１は水平方向に移動するＸ軸ステー
ジ２５に載置されていて、支持台２１の移動により、ス
クライブチップ１３が、対向するスクライブチップ１３
との間隙に挿通されるワーク１２に接離する。
通する軸部２０により支持台２１の上面に回転自在に支
承されており、一端部に、この一端部を対向するスクラ
イブユニット１４に接近する方向に付勢するバネ２２が
バネストッパー２３との間に設けられ、他端部に、支持
台２１の一側面に対して出退する調整ノブ２４が設けら
れている。支持台２１は水平方向に移動するＸ軸ステー
ジ２５に載置されていて、支持台２１の移動により、ス
クライブチップ１３が、対向するスクライブチップ１３
との間隙に挿通されるワーク１２に接離する。
【００１４】なお、両スクライブユニット１４は、対向
するスクライバーチップ１３の外周縁どうしのズレが１
０μｍ以下となるように設置されている。上記したよう
な割断装置１１において、ワーク１２の表面にスクライ
ブ線を刻む際の動作を図３，図４，図５を交えて説明す
る。
するスクライバーチップ１３の外周縁どうしのズレが１
０μｍ以下となるように設置されている。上記したよう
な割断装置１１において、ワーク１２の表面にスクライ
ブ線を刻む際の動作を図３，図４，図５を交えて説明す
る。
【００１５】まず、各バネストッパー２３の位置を調節
することにより、バネ２２の変形量すなわち付勢力を設
定する。次に、調整ノブ２４を出退させてその端部を支
持台２１の一側面に当接させることにより、バネ２２の
付勢力を微調整する。付勢力設定値はワーク１２の材質
や厚みにより変更するが、厚み１ｍｍ以下のＳｉ、Ｇａ
Ａｓ等の半導体基板などでは２００ｇｆ以下が適切であ
る。付勢力を５００ｇｆ以上に設定すると、後述するス
クライブ線２６（図４）の周囲にクラックが生じやすく
なり、良好な割断面２７（図５）が得られない。また付
勢力が小さすぎるとスクライブ線２６に沿って割断でき
なくなる。
することにより、バネ２２の変形量すなわち付勢力を設
定する。次に、調整ノブ２４を出退させてその端部を支
持台２１の一側面に当接させることにより、バネ２２の
付勢力を微調整する。付勢力設定値はワーク１２の材質
や厚みにより変更するが、厚み１ｍｍ以下のＳｉ、Ｇａ
Ａｓ等の半導体基板などでは２００ｇｆ以下が適切であ
る。付勢力を５００ｇｆ以上に設定すると、後述するス
クライブ線２６（図４）の周囲にクラックが生じやすく
なり、良好な割断面２７（図５）が得られない。また付
勢力が小さすぎるとスクライブ線２６に沿って割断でき
なくなる。
【００１６】次に、Ｘ軸ステージ２５を移動させてスク
ライバーホルダー１９とスクライバーチップ１３とを所
定位置に配置することにより、スクライバーチップ１３
によるワーク１２の切込み量ｔを設定する。切込み量ｔ
は、０．１ｍｍ程度とする。この切込み量ｔと上記した
付勢力設定値は、対向する２つのスクライブユニット１
４において等しくするのが望ましい。
ライバーホルダー１９とスクライバーチップ１３とを所
定位置に配置することにより、スクライバーチップ１３
によるワーク１２の切込み量ｔを設定する。切込み量ｔ
は、０．１ｍｍ程度とする。この切込み量ｔと上記した
付勢力設定値は、対向する２つのスクライブユニット１
４において等しくするのが望ましい。
【００１７】以上の設定が終了した後、ガイド１８に沿
って水平ステージ１７を移動させることにより、ワーク
１２をスクライブユニット１４，１４間を毎秒２００ｍ
ｍで通過させる。これにより、ワーク１２の両側よりス
クライバーチップ１３，１３がはさみ込むように作用
し、各スクライバーチップ１３に接触したワーク１２の
表面に、クラック２８が生じ、非常に微小なキズが集積
して、スクライブ線２６として残る。加工中には図３に
示すように加工抵抗によってバネ２２が変形し、付勢力
が変化するが、加工性能に与える影響は小さい。
って水平ステージ１７を移動させることにより、ワーク
１２をスクライブユニット１４，１４間を毎秒２００ｍ
ｍで通過させる。これにより、ワーク１２の両側よりス
クライバーチップ１３，１３がはさみ込むように作用
し、各スクライバーチップ１３に接触したワーク１２の
表面に、クラック２８が生じ、非常に微小なキズが集積
して、スクライブ線２６として残る。加工中には図３に
示すように加工抵抗によってバネ２２が変形し、付勢力
が変化するが、加工性能に与える影響は小さい。
【００１８】次に、上下ステージ１６を移動させて、任
意の割断幅、すなわちスクライブ線２６の間隔となるよ
うに設定し、上記と同様の動作を繰り返して複数本のス
クライブ線２６を刻む。その後、ワーク１２の縦横を変
更し、同様にして複数本のスクライブ線２６を刻む。
意の割断幅、すなわちスクライブ線２６の間隔となるよ
うに設定し、上記と同様の動作を繰り返して複数本のス
クライブ線２６を刻む。その後、ワーク１２の縦横を変
更し、同様にして複数本のスクライブ線２６を刻む。
【００１９】スクライブ線２６を刻み終えたら、図５に
示すように曲げ応力を加えることにより、スクライブ線
２６に沿って割断する。なお、この実施形態において
は、上記したようにスクライバーチップ１３，１３間の
ずれを小さくしているので、割断面２７は良好になり、
ワーク１２の表面に対する割断面２７の直角度も良好に
なる。割断面２７には、クラック２８の痕跡であるリブ
マーク２９が見られることがあるが、半導体基板などの
ワーク１２ではチッピングが生じないように小さい付勢
力が設定されるので、クラック２８が非常に短くなり、
明瞭なリブマーク２９は残らず、へき開した割断面２７
になることも多い。
示すように曲げ応力を加えることにより、スクライブ線
２６に沿って割断する。なお、この実施形態において
は、上記したようにスクライバーチップ１３，１３間の
ずれを小さくしているので、割断面２７は良好になり、
ワーク１２の表面に対する割断面２７の直角度も良好に
なる。割断面２７には、クラック２８の痕跡であるリブ
マーク２９が見られることがあるが、半導体基板などの
ワーク１２ではチッピングが生じないように小さい付勢
力が設定されるので、クラック２８が非常に短くなり、
明瞭なリブマーク２９は残らず、へき開した割断面２７
になることも多い。
【００２０】また、クラック２８の長さは、スクライバ
ーチップ１３に付与される付勢力により異なり、付勢力
が大きいときは、ワーク１２の厚み方向の中心で２つの
クラック２８が交差し、スクライブ線２６を刻むと同時
にワーク１２が割断される。しかし、複数本のスクライ
ブ線２６を刻んだ後で一度に割断する方が効率よく作業
できるので、通常はクラック２８が交差しない小さい付
勢力が設定される。
ーチップ１３に付与される付勢力により異なり、付勢力
が大きいときは、ワーク１２の厚み方向の中心で２つの
クラック２８が交差し、スクライブ線２６を刻むと同時
にワーク１２が割断される。しかし、複数本のスクライ
ブ線２６を刻んだ後で一度に割断する方が効率よく作業
できるので、通常はクラック２８が交差しない小さい付
勢力が設定される。
【００２１】上記した実施形態では回転式の円板状スク
ライパーチップ１３を用いたが、ＣＯ2 レーザやＹＡＧ
レーザなどのレーザビームを用いてもよい。またスクラ
イブチップ１３は、上記した工具材料より形成したもの
に比べて精度の面で劣るが単粒ダイヤモンドを固定した
ものでもよく、スクライブチップ１３の先端形状は、外
周縁を通る仮想平面に対して非対称としても、２段の角
度を持たせてもよく、対象ワークによって変えればよ
い。
ライパーチップ１３を用いたが、ＣＯ2 レーザやＹＡＧ
レーザなどのレーザビームを用いてもよい。またスクラ
イブチップ１３は、上記した工具材料より形成したもの
に比べて精度の面で劣るが単粒ダイヤモンドを固定した
ものでもよく、スクライブチップ１３の先端形状は、外
周縁を通る仮想平面に対して非対称としても、２段の角
度を持たせてもよく、対象ワークによって変えればよ
い。
【００２２】また付勢手段としてはバネを例示したが、
エアーシリンダーを用いてもよい。さらに、ワーク１２
の表裏面を交互にスクライブしても上記と同じ効果が得
られる。
エアーシリンダーを用いてもよい。さらに、ワーク１２
の表裏面を交互にスクライブしても上記と同じ効果が得
られる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、板状ワー
クの表裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスク
ライブ線に沿って板状ワークを割断するようにしたの
で、チッピング等を防止して割断幅を小さくでき、材料
歩留りが向上するとともに、高精度な割断加工が可能と
なる。
クの表裏面の同一位置にスクライブ線を刻み、このスク
ライブ線に沿って板状ワークを割断するようにしたの
で、チッピング等を防止して割断幅を小さくでき、材料
歩留りが向上するとともに、高精度な割断加工が可能と
なる。
【００２４】また、少なくとも一対のスクライブ手段を
対向して配置した装置構成としたので、板状ワークの表
裏面に同時にスクライブ線を刻むことができ、割断幅を
小さくできるだけでなく、高速割断が可能となる。
対向して配置した装置構成としたので、板状ワークの表
裏面に同時にスクライブ線を刻むことができ、割断幅を
小さくできるだけでなく、高速割断が可能となる。
【図１】本発明の一実施形態における割断装置の平面
図。
図。
【図２】図１に示した割断装置に配置されたスクライブ
ユニットの平面図および側面図。
ユニットの平面図および側面図。
【図３】図１、図２に示したスクライブユニットに配置
されたスクライブチップの動作を表わす模式図。
されたスクライブチップの動作を表わす模式図。
【図４】同スクライブチップによる加工原理を示す模式
図。
図。
【図５】同スクライブチップによる加工後の割断を表わ
す模式図。
す模式図。
【図６】従来のダイシング装置を使った半導体基板のチ
ップの切り出し方法を示す説明図。
ップの切り出し方法を示す説明図。
【図７】図６に示したダイシング装置の加工部の拡大
図。
図。
11 割断装置 12 ワーク 13 スクライブチップ 14 スクライバーユニット 19 スクライバーホルダー 22 バネ 23 バネストッパー 25 Ｘ軸ステージ 26 スクライブ線 27 割断面
Claims (5)
- 【請求項１】 板状ワークの表裏面の同一位置にスクラ
イブ線を刻み、このスクライブ線に沿って板状ワークを
割断することを特徴とする板状ワークの割断方法。 - 【請求項２】 板状ワークが硬脆材料からなる基板であ
ることを特徴とする請求項１記載の板状ワークの割断方
法。 - 【請求項３】 板状ワークの表面にスクライブ線を刻む
スクライブ部を有したスクライブ手段を、スクライブ部
が互いに対向するように少なくとも一対配置したことを
特徴とする板状ワークの割断装置。 - 【請求項４】 スクライブ手段が、ＣＯ2 レーザやＹＡ
Ｇレーザなどのレーザビームを照射するレーザ照射装置
であることを特徴とする請求項３記載の板状ワークの割
断装置。 - 【請求項５】 スクライブ手段が、スクライブ部として
のスクライブチップと、前記スクライブチップを保持す
るスクライバーホルダーと、前記スクライバーホルダー
を介してスクライブチップを、対向するスクライブ手段
との間に配置される板状ワークに向けて所定荷重で付勢
する付勢手段と、前記スクライバーホルダーを所定位置
に移動させ、スクライブチップによる板状ワークの切込
みを所定量となす切込み量調節手段とを備えたスクライ
バーユニットであることを特徴とする請求項３記載の板
状ワークの割断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013472A JPH10209086A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 板状ワークの割断方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013472A JPH10209086A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 板状ワークの割断方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209086A true JPH10209086A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11834084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9013472A Pending JPH10209086A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 板状ワークの割断方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209086A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2003002471A1 (fr) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd | Dispositif et procede permettant de decouper un substrat realise dans une matiere fragile |
| WO2004007164A1 (ja) | 2002-07-02 | 2004-01-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. | 貼り合わせ基板の基板分断システムおよび基板分断方法 |
| EP1179512A3 (en) * | 2000-08-11 | 2005-01-12 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Cutter wheel, apparatus and method for scribing brittle materials |
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